JP2002025009A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録用薄膜磁気ヘッドのトラック幅の高精度
化及び狭小化を図り、かつディスクへの書きにじみが少
なく安定した高い出力が得られること。 【解決手段】 非磁性の磁気ギャップ膜１４を介して上
部磁性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドにおい
て、上部磁性膜は、薄膜磁気ヘッドにおける浮上面位置
側の上部第１磁性膜１７１と、上部第１磁性膜に繋がっ
て磁気回路を形成する上部第２磁性膜１７２とからな
り、下部磁性膜は、下部第１磁性膜１２１と、下部第１
磁性膜上に形成された下部第２磁性膜１２２とからな
り、上部第１磁性膜１７１は、その浮上面位置と反対側
の後方端部がスロートハイト零位置を規定する絶縁層１
３に乗り上げる構造を有し、上部第１磁性膜１７１と磁
気ギャップ膜１４と下部第２磁性膜１２２は同一のトラ
ック幅を形成する薄膜磁気ヘッド。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
等のヘッド・ディスク・アッセンブリ（ＨＤＡ）に使用
される薄膜磁気ヘッド、特に記録特性に優れた高記録密
度対応の薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの処理能力の増大に
伴って磁気ディスク装置の記憶容量はますます大容量化
される傾向にある。このため、磁気ディスク装置に搭載
する薄膜磁気ヘッドの磁気コアのトラック幅も小さくな
る傾向に有り、またその製造上の精度も高い水準が要求
されてきている。更に記録特性上も磁気ディスク上への
信号の書きにじみを押さえ、かつ安定した高い出力が得
られることが要求されてきている。

【０００３】図６は、従来の薄膜磁気ヘッドの要部を示
す断面図、図７は同じく斜視図である。これら図６、図
７に示す従来の薄膜磁気ヘッドについて説明する。アル
ミナ系セラミックスからなる基板１１上に磁性膜を被着
して下部磁性膜１２を形成し後述上部磁性膜１７とで磁
気回路を形成する磁気コアを構成する。次に、ＳｉＯ _２
やＡｌ_２Ｏ_３等の非磁性の金属酸化膜による磁気ギャッ
プ膜１４を前記下部磁性膜１２上に形成する。その後、
上記磁気コアの中央部、磁気ギャップ膜１４上に第１絶
縁層１３及び導体コイル層１５を順次積層形成し、続い
てそれらの上部に、第２絶縁層１６を積層し、最後に先
端部側の磁気ギャップ膜１４上から磁気コア中央部の第
２絶縁層１６上にわたって上部磁性膜１７を形成する。
これにより、トラックの先端部分には上部磁性膜１７及
び前記下部磁性膜１２間に磁気ギャップが形成される。
なお、上記導体コイル層１５は、上部磁性膜１７、及び
下部両磁性膜１２の間を通り磁気回路と交差する。

【０００４】この様な薄膜磁気ヘッドでは、前述のトラ
ック先端部分の、上部磁性膜１７、下部磁性膜１２及び
磁気ギャップ（磁気ギャップ膜１４）が薄膜ヘッドスラ
イダの浮上面部分を形成し、磁気ディスク（図示せず）
に対して情報の読み書きを行う。このような従来の薄膜
磁気ヘッドの記録密度は、主として上部磁性膜の形状に
よって決まる。特に形状として重要な点は、トラック幅
を決定する上部磁性膜１７の幅（図７に図示）、オーバ
ーライト等書き込み能力を決定するポール長（下部磁性
膜１２の厚さ及び上部磁性膜１７の厚さ）、分解能を決
定する磁気ギャップの厚さ、及びスロートハイト＝０の
位置（図６に図示）、等であり、各々高精度に形成しな
ければならない。

【０００５】このうち、トラック幅を決定する上部磁性
膜１７の幅を形成するには、約１０μｍの高さの絶縁膜
（第１絶縁層１３、導体層１５及び第２絶縁層１６のト
ータル高さの積層部分）の段差下部にあたる下部磁性膜
とギャップ膜に対向した上部磁性膜１７のパターンを高
精度に形成する必要が有る。前記上部磁性膜は、一般に
フォトレジストパターンをマスクにした、パターンめっ
き法、或いは、フレームめっき法を用いて形成される。
フォトレジストパターンは、このような高段差のある部
分に塗布すると、その塗布特性から段差の下部には厚く
形成され、例えば、１０μｍ以上も塗布されてしまう。
感光性樹脂のフォトレジストのパターンはトラック幅を
高精度に形成する必要があるが、トラック幅を形成する
位置のフォトレジストの厚さが必要なめっき膜の厚さに
比較しても余分な程厚くなってしまうため、それだけ高
精度のパターンを作成出来なくなるという課題がある。

【０００６】また、近年の高記録密度化に伴って記録特
性の面から、図７に示すように、従来のような上部磁性
膜１７と下部磁性膜１２のようにトラック幅方向でそれ
ぞれの寸法に差があるとディスク上に信号を書き込む際
に書きにじみが生じてしまい高密度の磁気記録が出来な
いという課題があった。

【０００７】そこで、高精度のトラック幅を形成するた
め、塗布されたフォトレジストの厚さを必要最小限に薄
くすることによって、高精度フォトレジストパターンを
作成することを目的として、従来の構造に比較して段差
（図６において第１絶縁層と第２絶縁層を合わせた高
さ）の低い状態で上部磁性膜１７の浮上面位置の幅、即
ち、記録トラック幅を高精度に形成する方法についての
検討もなされている。

【０００８】例えば、特開平２−２４７８０９号公報に
おいては、第１絶縁層を形成後、上部磁性膜の先端部の
みを形成し、その後先端部の保護膜を形成した後、絶縁
膜及び上部磁性膜の後部を形成する方法が開示されてい
る。この方法によれば、上部磁性膜の先端部でトラック
幅を決定するので、第１絶縁膜だけ形成した段差が低い
状態で上部磁性膜のトラック幅が決定できるので、トラ
ック幅を高精度に形成できるという特徴がある。また、
トラックを構成する磁性膜上に保護膜を設けているた
め、それ以後の製造工程中での処理によって生じるポー
ル長の変動も無いと記載されている。

【０００９】また、特開平１１−７６０９号公報におい
ては上部磁性膜、下部磁性膜それぞれの一部と磁気ギャ
ップ膜を１つのレジストフレームを用い、３層を連続し
てめっきする方法によって形成する方法が開示されてい
る。この方法によれば、やはり上部磁性膜は先端部分と
つなぎ部分の２つを接続して組み合わせることによって
上部磁性膜を形成するので、段差が低い状態で先端部の
上部磁性膜のトラック幅が決定できるので、トラック幅
を高精度化でき、かつ上部磁性膜及び下部磁性膜のトラ
ック幅を同一寸法で形成できるため、前記課題に記載し
た記録信号の書きにじみを小さくすることができると記
載されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
特開平２−２４７８０９号公報に記載されている方法に
よれば、トラック幅の高精度化については実現可能であ
る。しかし、上部磁性膜及び下部磁性膜のトラック幅を
同一寸法で形成することに関しては何ら開示されていな
い。

【００１１】また、特開平１１−７６０９号公報に記載
されている従来技術によれば、トラック幅の高精度化及
び上部磁性膜と下部磁性膜のトラック幅が同一寸法で形
成された薄膜磁気ヘッドの製造は実現可能である。しか
し、記録特性上もう１つの重要な要素であるスロートハ
イト＝０の位置形成に関しては何ら開示されていない。

【００１２】本発明の目的は、トラック幅を高精度に形
成でき、更にディスク上への信号の書きにじみが少な
く、磁気特性に優れ、かつ安定した出力の得られる薄膜
磁気ヘッドとその製造方法を提供することに有る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は主として次のような構成を採用する。

【００１４】非磁性の磁気ギャップ膜を介して上部磁性
膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記
上部磁性膜は、薄膜磁気ヘッドにおける浮上面位置側の
上部第１磁性膜と、前記上部第１磁性膜に繋がって磁気
回路を形成する上部第２磁性膜とからなり、前記上部第
１磁性膜は、その浮上面位置と反対側の後方端部がスロ
ートハイト零位置を規定する絶縁層に乗り上げる構造を
有し、前記上部第１磁性膜と前記磁気ギャップ膜は同一
のトラック幅を形成する薄膜磁気ヘッド。

【００１５】また、非磁性の磁気ギャップ膜を介して上
部磁性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記上部磁性膜は、薄膜磁気ヘッドにおける浮上面
位置側の上部第１磁性膜と、前記上部第１磁性膜に繋が
って磁気回路を形成する上部第２磁性膜とからなり、前
記下部磁性膜は、下部第１磁性膜と、前記下部第１磁性
膜上に形成された下部第２磁性膜とからなり、前記上部
第１磁性膜は、その浮上面位置と反対側の後方端部がス
ロートハイト零位置を規定する絶縁層に乗り上げる構造
を有し、前記上部第１磁性膜と前記磁気ギャップ膜と前
記下部第２磁性膜は同一のトラック幅を形成する薄膜磁
気ヘッド。

【００１６】また、非磁性の磁気ギャップ膜を介して上
部磁性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、基板上に下部第１磁性膜を形成した後に、
スロートハイト零位置を規定する絶縁層を形成し、前記
下部第１磁性膜及び前記絶縁層の上に、トラック幅を決
める形状のレジストフレームを形成し、次に、前記レジ
ストフレームをマスクにしてメッキ法で、下部第２磁性
膜、非磁性のギャップ膜及び上部第１磁性膜を順に形成
し、この際、前記上部第１磁性膜は、その浮上面位置と
反対側の後方端部が前記絶縁層に乗り上げるように形成
し、続いて、前記絶縁層上に導体コイル層と第２絶縁層
を形成した後に、レジストフレームをマスクにして、前
記上部第１磁性膜の乗り上げ部を含めて前記上部第１磁
性膜の一部と前記第２絶縁層上に上部第２磁性膜を形成
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。

【００１７】また、非磁性の磁気ギャップ膜を介して上
部磁性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、基板上に下部第１磁性膜を被膜する際、磁
気回路に磁束を発生させる導体コイル層の浮上面位置寄
りに斜面部を形成し、その後に、スロートハイト零位置
を規定する絶縁層を形成し、前記下部第１磁性膜及び前
記絶縁層の上に、トラック幅を決める形状のレジストフ
レームを形成し、次に、前記レジストフレームをマスク
にしてメッキ法で、下部第２磁性膜、非磁性のギャップ
膜及び上部第１磁性膜を順に形成し、この際、前記上部
第１磁性膜は、その浮上面位置と反対側の後方端部が前
記絶縁層に乗り上げるように形成し、続いて、前記絶縁
層上に導体コイル層と第２絶縁層を形成した後に、レジ
ストフレームをマスクにして、前記上部第１磁性膜の乗
り上げ部を含めて前記上部第１磁性膜の一部と前記第２
絶縁層上に上部第２磁性膜を形成する薄膜磁気ヘッドの
製造方法。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法について、図１〜図５を用いて
以下説明する。

【００１９】図１は、本発明の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドの先端部分要部を示す断面図であり、図２は本実
施形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部分斜視図である。
基板１１上に下部第１磁性膜１２１が形成され、この下
部第１磁性膜１２１上方には、スロートハイト＝０の位
置（スロートハイト零位置）より浮上面位置側で下部第
２磁性膜１２２が形成されると共に、下部第２磁性膜１
２２の上面に磁気ギャップ１４を介して対向した上部第
１磁性膜１７１が形成されている。これによって下部第
２磁性膜１２２と上部第１磁性膜１７１とでトラック部
分の先端部を形成していて、図２に示すようにトラック
幅を規定している。

【００２０】このとき、スロートハイト＝０の位置（ス
ロートハイト零位置）は第１絶縁層１３の先端で規定さ
れている。また、導体コイル層１５は第１絶縁層１３上
に形成され、その周囲は上部、下部磁性膜との間に介在
する第２絶縁層１６で覆われている。そして、上部第２
磁性膜１７２は第２絶縁層の上に形成され、その先端部
分は上部第１磁性膜１７１と接続されている。具体的に
は、上部第２磁性膜１７２の先端部はスロートハイト零
位置より浮上面位置側で上部第１磁性膜１７１と接続さ
れている。

【００２１】ここで、従来例の図６に示した薄膜磁気ヘ
ッドと比較して説明する。従来例の上部磁性膜１７に対
応するものとして、本発明においては、先端側の上部第
１磁性膜１７１と、スロートハイト零位置よりやや先端
側位置から導体コイル層１５の中心位置に向かって延出
する上部第２磁性膜１７２と、からなり、且つ２つの磁
性膜１７１と１７２に分割されている。また、従来例の
下部磁性膜１２に対応するものとして、本発明において
は、下部第１磁性膜１２１と、スロートハイト零位置か
ら浮上面位置に延出する下部第２磁性膜１２２と、に対
応しており、且つ２つに磁性膜１２１と１２２に分割さ
れている。

【００２２】さらに、詳細に説明すると、本発明では、
下部第１磁性膜１２１を形成したのち、下部第１磁性膜
１２１上にスロートハイト零位置を規定する第１絶縁層
１３を形成する。トラック幅を規定する磁性膜を形成す
るために、第１磁性膜１２１および絶縁膜１３の両者の
表面上に連続してレジストフレームを形成し、そのレジ
ストフレームの隙間に、上記下部第２磁性膜１２２、磁
気ギャップ膜１４、及び上部第一磁性膜１７１の３層を
連続してめっき法によって形成する。

【００２３】このとき、めっき開始初期には、レジスト
フレームの間隙で下部第１磁性膜１２１上にのみめっき
膜は成長するが、めっき膜厚さが絶縁膜１３の厚さより
厚くなってくると、レジストフレームの間隙で絶縁膜１
３の上部に当たる部分にもめっき膜が溢れたように成長
してくる。この時、絶縁膜１３の厚さは、おおよそ下部
第２磁性膜１２２の厚さとギャップ膜１４の厚さをあわ
せた厚さよりも厚い方が、スロートハイト零位置から浮
上面位置までのギャップ深さ（磁気ヘッド特性で重要な
ファクタ）を規定の一定値とするためには、望ましい。
この時、上部第１磁性膜１７１が、絶縁膜１３の上部に
溢れたようにめっきされて、その溢れた部分でも上部第
１磁性膜１７１と後述する上部第２磁性膜とが接触し
（図１に図示）、その接触面積が大となって好都合であ
る。

【００２４】そして、その上部第１磁性膜１７１後端側
の上面には上記上部第２磁性膜１７２の先端部が接合さ
れる。このとき、絶縁膜１３の上にも溢れたように形成
された上部第１磁性膜１７１は、上部第２磁性膜との接
触面積を広くとることができるので、上部磁性膜の先端
部分に十分な磁界を供給することができるのである。即
ち、詳細は後述するが、スロートハイト零位置から浮上
面位置に亘って形成されたレジストフレームの隙間でト
ラック幅を規定されて下部第２磁性膜１２２、ギャップ
膜１４及び上部第１磁性膜１７１の３層が連続して膜成
長し、この３層上に更にフロートハイト零位置から浮上
面位置側にかけて上部第２磁性膜１７２が形成されて、
この上部第２磁性膜１７２と上部第１磁性膜１７１の接
触は、スロートハイト零位置から浮上面位置側に掛けて
の平坦接触部と図１に図示の溢れ部分接触部とからな
る。本実施形態においては、上述した溢れ部分接触部を
設けることによって第１と第２の上部磁性膜の接触面積
を広く確保することができるのである。

【００２５】従来方法では、前述した平坦接触部のみで
第１と第２の上部磁性膜が接触していたので、その接触
面積を広くするためには、スロートハイト零位置から若
干浮上面位置側の位置に亘って下部磁性膜と上部磁性膜
の対向面積を広くする必要があり、そうすると、対向面
積を広くした部分での上部磁性膜と下部磁性膜との間の
磁束のもれが大きくなって、実質的なヘッドの記録特性
が劣化してしまうという課題がある。しかしながら、本
発明では、下部第２磁性膜１２２と上部第１磁性膜が磁
気ギャップ膜１４に対向した面積を最小にすることがで
きるので、ヘッドの記録特性の向上を図ることができる
という特徴がある。

【００２６】また、上部第１磁性膜１７１の先端側部分
上面には、上部第２磁性膜１７２の表面加工、ここでは
エッチング加工に対する保護膜を形成してもよい。この
保護膜は、例えばＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３等の無機絶縁膜
を採用することができる。

【００２７】図２は図１の斜視図であり、磁気ヘッドの
トラック幅と上部第１磁性膜１７１の溢れ部分を図示し
たものである。ここで、図１と図２では、下部第１磁性
膜１２１の上に下部第２磁性膜１２２を形成した構成例
を示したが、双方の磁性膜１２１，１２２を区別せず
に、全体として下部磁性膜であるとして把握することも
でき得る。

【００２８】図３は、本発明の実施形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法の一例を示す断面図である。この図３
（ａ）〜（ｆ）を用いて製造工程を説明する。まず、ア
ルミナ系セラミックスからなる基板１１上にＣｏ系アモ
ルファスやＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ系等の磁性膜をスパッタ
法、またはめっき法で被着し、ウェットエッチング法、
イオンミリング法、ドライエッチング法、またはリフト
オフ法を用いて下部第１磁性膜１２１を形成する（図３
（ａ））。

【００２９】次に、この下部第１磁性膜１２１上にスロ
ートハイト＝０の位置を規定するため、及び上記下部第
１磁性膜１２１と後述導体コイル層１５間の絶縁を得る
ために樹脂系の材料、又はＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３等の非
磁性の金属酸化膜による第１絶縁層１３を被着形成する
（図３（ｂ））。

【００３０】その後、フォトレジストフレームを下部第
２磁性膜上と第１絶縁層の上部に連続して形成する。こ
のフォトレジストフレームの間隙に、上記下部第２磁性
膜１２２、磁気ギャップ膜１４、及び上部第１磁性膜１
７１の３層を連続して形成する。この時の形成方法とし
ては、めっき法を用いることが望ましい。また、上記下
部第２磁性膜１２２には、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ、
Ｎｉ、Ｃｏ系等の磁性膜を用い、特に高飽和磁束密度を
有する材料を用いることが望ましい。また、磁気ギャッ
プ膜１４には、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｒｈ、
Ｐｔ等のめっき法で形成可能な非磁性金属膜あるいはそ
れらの合金を用いることが望ましい。また上部第１磁性
膜１７１は、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ系
等の磁性膜を用い、特に高飽和磁束密度を有する材料を
用いることが望ましい（図３（ｃ））。

【００３１】また、上記下部第２磁性膜１２２、及び磁
気ギャップ膜１４は、上記第１絶縁膜１３の高さより低
く抑え、上記上部第１磁性膜１７１は第１絶縁膜１３に
乗り上げる構造を持つように形成する。その理由は先に
述べたとおりである。

【００３２】その後、上部第１磁性膜１７１上に、スパ
ッタ法、イオンミリング法またはリフトオフ法等を用い
て、ＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３等の非磁性の金属酸化膜によ
る上部第１磁性膜１７１を保護する保護膜を形成するこ
とも可能である。この時、第１絶縁膜１３上の中央部か
ら後方側にかけても保護膜が形成されるが、少なくとも
上記第１磁性膜１７１と後述上部第２磁性膜１７２とを
磁気的に接続（接合）するためのコンタクトホールを形
成する必要があることはいうまでもない。

【００３３】次に、磁界を誘導するための導体コイル層
１５を形成する。導体コイルはＣｕやＡｕ等からなる導
体膜をスパッタ法、またはめっき法で被着し、続いてウ
ェットエッチング法、イオンミリング法またはリフトオ
フ法等を用いて導体コイル層１５を形成する（図３
（ｄ））。

【００３４】更に、この導体コイル層１５と後述上部第
２磁性膜１７２との絶縁を得るために樹脂系材料、又は
ＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３等の非磁性の金属酸化膜による第
２絶縁層１６を被着形成する（図３（ｅ））。ここで
は、導体コイル層１５を１層だけ形成するように記載し
たが導体コイル層を２層、３層と増やした場合も、前記
導体コイル層１５及び前記第２絶縁層１６と同様の方法
で形成すれば良い。

【００３５】最後に、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ系等の磁性膜をスパッタ法、またはめっき法で
被着し、ウェットエッチング法、イオンミリング法、ド
ライエッチング法、またはリフトオフ法を用いて上部第
２磁性膜１７２を形成する（図３（ｆ））。この時、上
部第２磁性膜には比抵抗の高い材料を用いれば、渦電流
損を低減することができ、高周波記録に適した薄膜磁気
ヘッドを提供することができる。

【００３６】次に、本発明の他の実施形態に係る薄膜磁
気ヘッドの断面図を図４に示す。図４に示すように本発
明による薄膜磁気ヘッドは導体コイルを２層構造にした
場合の構造についての例を示している。

【００３７】基板１１上には下部第１磁性膜１２１が形
成されている。下部第１磁性膜１２１には先端側部分を
残して下方へ落ち込む降下斜面部１２ａが形成されてい
る。降下斜面部１２ａの後方側には、下部第１磁性膜１
２１の上に絶縁層１３１が形成されている。絶縁層１３
１上には第１導体コイル層１５１が形成される。この第
１導体コイル層１５１上と下部第１磁性膜１２１の先端
部分上にスロートハイト＝０の位置を規定する絶縁層１
３が形成される。

【００３８】そして、下部第１磁性膜１２１の先端部の
上には、下部第２磁性膜１２２、ギャップ膜１４、続い
て上部第１磁性膜１７１が連続して形成されている。こ
の時、上部第１磁性膜１７１の一部は絶縁層１３の上に
も形成されている。絶縁層１３の上には、第２導体コイ
ル層１５２が形成されている。その上に第２導体コイル
層１５２を覆うように、第３絶縁層１３２が形成されて
いる。そして、第１上部磁性膜の後端部に接続し、第３
絶縁層１３２上に、上部第２磁性膜１７２が形成されて
いる。

【００３９】ここで、図６に示した従来の薄膜磁気ヘッ
ドの構成と比較して、本発明の薄膜磁気ヘッドの構造の
特徴を示す。従来構造の薄膜磁気ヘッドの上部磁性膜１
７に対応するものとして、本発明の実施形態では、先端
側の上部第１磁性膜１７１と、スロートハイト零位置の
若干浮上面位置側から導体コイル層の中心位置に延出す
る上部第２磁性膜１７２と、から構成されていて、且つ
２つの磁性膜１７１と１７２に分割されている。上部磁
性膜を分割することによってトラック先端部分のフォト
レジストフレーム寸法の高精度化を図り、したがって、
トラック幅の精度を高精度化することができるという特
徴がある。

【００４０】また、従来構造の薄膜磁気ヘッドの下部磁
性膜１２についても、本実施形態では、同様にスロート
ハイト零位置から浮上面位置に亘る下部第２磁性膜１２
２と、スロートハイト零位置から上記導体コイル層１５
の中心位置に延出する下部第１磁性膜１２１と、から構
成され、且つ２つの磁性膜に分割されている。さらに、
下部第１磁性膜１２１には先端側部分を残して、即ち、
スロートハイト零位置から若干コイル中心位置側へずれ
た位置から、下方へ落ち込む降下斜面部１２ａが形成さ
れている。このようにして、コイルを２層構造に形成し
た場合についても、トラック部分の先端部を平坦化し、
レジストフレームを形成するフォトレジストの膜厚を必
要最小限に薄くすることによって、高精度のパターンを
形成することができる。従って、トラック幅の精度を高
精度化することができるという特徴がある。即ち、コイ
ルを２層構造とすることに伴う嵩高の寸法を降下斜面部
で補償しているのである。

【００４１】また、上部第１磁性膜１７１の先端側部分
上面には、上部第２磁性膜１７２の表面加工、ここでは
エッチング加工に対して保護をするための保護膜を形成
することも可能である。

【００４２】以上説明した本発明の実施形態では、下部
第２磁性膜１２２とギャップ膜１４と上部第１磁性膜１
７１とを連続して下部第１磁性膜１２１上に形成する構
造について説明したが、他の構造として下部第２磁性膜
の無い構造でも本発明は可能である。すなわち、下部第
１磁性膜１２１上に直接ギャップ膜１４を形成し、連続
して上部第１磁性膜１７１を形成することも可能であ
る。

【００４３】図５は、本発明の他の実施形態に係る薄膜
磁気ヘッドの製造方法の一例を示す断面図である。図５
（ａ）〜（ｈ）を用いて製造工程を説明する。本実施形
態の薄膜磁気ヘッドは、まずアルミナ系セラミックスか
らなる基板１１上にＣｏ系アモルファスやＦｅ、Ｎｉ、
Ｃｏ系等の磁性膜をスパッタ法、またはめっき法で被着
し、ウェットエッチング法、イオンミリング法、ドライ
エッチング法、またはリフトオフ法を用いて下部第１磁
性膜１２１を形成する（図５（ａ））。

【００４４】更に、下部第１磁性膜１２１上にスロート
ハイト＝０の位置より後端側（コイル中心位置側）に降
下面部１２ａをウェットエッチング法、イオンミリング
法、ドライエッチング法、またはリフトオフ法を用いて
形成する（図５（ｂ））。次に、前記降下面部１２ａよ
り後端側において、下部第１磁性膜１２１と後述導体コ
イル層１５間の絶縁を得るために樹脂系材、又はＳｉＯ
_２やＡｌ_２Ｏ_３等の非磁性の金属酸化膜による第１絶縁
層１３を被着形成する（図５（ｃ））。次に、磁界を誘
導するためのＣｕやＡｕ等からなる導体膜をスパッタ
法、またはめっき法で被着し、続いてウェットエッチン
グ法、イオンミリング法またはリフトオフ法等を用いて
導体コイル層１５１を形成する（図５（ｄ））。その
後、前記導体コイル層１５１との絶縁を得る為、及びス
ロートハイト＝０の位置を規定する為に前記下部第１磁
性膜１２１上に樹脂系材料、又はＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ _３
等の非磁性の金属酸化膜による絶縁層１３を被着形成す
る（図５（ｅ））。

【００４５】続いて、レジストフレームを形成し、上記
下部第２磁性膜１２２、磁気ギャップ膜１４、及び上部
第１磁性膜１７１の３層を連続して形成する。この時の
形成方法としては、めっき法を用いることが望ましい。
また、上記下部第２磁性膜１２２には、Ｃｏ系アモルフ
ァスやＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ系等の磁性膜を用いることが出
来る。特に高飽和磁束密度を有する材料を用いることが
望ましい。

【００４６】また、磁気ギャップ膜１４には、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ等のめっき法で形成
可能な非磁性金属膜あるいはそれらの合金を用いること
が望ましい。また上部第１磁性膜１７１は、Ｃｏ系アモ
ルファスやＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ系等の磁性膜を用い、特
に、高飽和磁束密度を有する材料を用いることが望まし
い。また、上記下部第２磁性膜１２２、及び磁気ギャッ
プ膜１４は、上記第１絶縁膜１３の高さより低く抑え、
上記上部第１磁性膜１７１は第１絶縁膜１３に乗り上げ
る構造を持つことが望ましい。

【００４７】また、この時上部第１磁性膜１７１の先端
上に保護膜を形成して、他の工程による磁気コアのエッ
チング現象を防止することも可能である。この時、第１
絶縁膜１３上の中央部から後方側にかけても保護膜が形
成されるが、少なくとも上記第１磁性膜１７１と後述上
部第２磁性膜１７２とを磁気的に接続するためのコンタ
クトホールも形成する必要があることは言うまでもな
い。

【００４８】更に、磁界を誘導するためのＣｕやＡｕ等
からなる導体膜をスパッタ法、またはめっき法で被着し
続いてウェットエッチング法、イオンミリング法または
リフトオフ法等を用いて第２導体コイル層１５２を形成
する。更に、この第２導体コイル層１５２と後述上部第
２磁性膜１７２との絶縁を得るために樹脂系材料、又は
ＳｉＯ_２やＡｌ_２Ｏ_３等の非磁性の金属酸化膜による第
３絶縁層１３２を被着形成する（図６（ｇ））。

【００４９】ここでは、導体コイル層１５を２層だけ形
成するように記載したが導体コイル層を１層あるいは３
層、４層と増やした場合も、前記導体コイル層１５２及
び前記第２絶縁層１３２と同様の方法で形成すれば良
い。

【００５０】最後に、Ｃｏ系アモルファスやＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｏ系等の磁性膜をスパッタ法、またはめっき法で
被着し、ウェットエッチング法、イオンミリング法、ド
ライエッチング法、またはリフトオフ法を用いて上部第
２磁性膜１７２を形成する（図６（ｈ））。この時、上
部第２磁性膜１７２には比抵抗の高い磁性材料を用いて
も良い。このように比抵抗の高い磁性材料を使うことに
より、磁性層内の渦電流損を低減し、高周波磁気記録に
適する薄膜磁気ヘッドを実現できる。

【００５１】以上説明したように、本発明においては、
下部第１磁性膜を形成した後、絶縁膜でスロートハイト
＝０の位置を規定しておく。その後、上部磁性膜及び下
部磁性膜、それぞれの先端側の上部第１磁性膜、同下部
第２磁性膜及び磁気ギャップを同一のレジストフレーム
を用い連続して形成する。その際、レジストフレームは
低段差部で形成することから、フォトレジストの塗布膜
厚も、めっき膜厚に対してほぼ同等程度まで薄くするこ
とができると共に、段差部分からの露光光の散乱等も少
ないので、高精度なパターンが形成できる。また同一の
レジストフレームを用い連続して下部第２磁性膜、磁気
ギャップ膜、および、上部第１磁性膜、を形成すること
から、それぞれを同一寸法で形成できるので、書きにじ
みを少なくすることができる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、トラ
ック幅の高精度化及び狭小化が可能となり、且つ、上部
第１磁性膜と下部第２磁性膜のトラック幅寸法を同一に
することができ、ディスク上への信号の書きにじみを少
なくすることが可能で、例えば１平方インチ当り３０ギ
ガビット以上の高記録密度が達成できる磁気記憶装置を
実現可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端
部分要部を示す断面図である。

【図２】本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの先端部分斜
視図である。

【図３】本発明の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例を示す断面図である。

【図４】本発明の他の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの
先端部分要部を示す断面図である。

【図５】本発明の他の実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一例を示す断面図である。

【図６】従来技術に係る薄膜磁気ヘッドの先端部分要部
を示す断面図である。

【図７】従来技術に係る薄膜磁気ヘッドの先端部分斜視
図である。

【符号の説明】

１０ 磁気ヘッド先端部 １１ 基板 １２ 下部磁性膜 １２１ 下部第１磁性膜 １２２ 下部第２磁性膜 １３ 第１絶縁層 １４ 磁気ギャップ １５ 導体コイル １５１ 第１導体コイル層 １５２ 第２導体コイル層 １３ 第２絶縁層 １３２ 第３絶縁層 １７ 上部磁性膜 １７１ 上部第１磁性膜 １７２ 上部第２磁性膜 １２ａ 降下斜面部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性の磁気ギャップ膜を介して上部磁
   性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜は、薄膜磁気ヘッドにおける浮上面位置
   側の上部第１磁性膜と、前記上部第１磁性膜に繋がって
   磁気回路を形成する上部第２磁性膜とからなり、 前記上部第１磁性膜は、その浮上面位置と反対側の後方
   端部がスロートハイト零位置を規定する絶縁層に乗り上
   げる構造を有し、 前記上部第１磁性膜と前記磁気ギャップ膜は同一のトラ
   ック幅を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 非磁性の磁気ギャップ膜を介して上部磁
   性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁性膜は、薄膜磁気ヘッドにおける浮上面位置
   側の上部第１磁性膜と、前記上部第１磁性膜に繋がって
   磁気回路を形成する上部第２磁性膜とからなり、 前記下部磁性膜は、下部第１磁性膜と、前記下部第１磁
   性膜上に形成された下部第２磁性膜とからなり、 前記上部第１磁性膜は、その浮上面位置と反対側の後方
   端部がスロートハイト零位置を規定する絶縁層に乗り上
   げる構造を有し、 前記上部第１磁性膜と前記磁気ギャップ膜と前記下部第
   ２磁性膜は同一のトラック幅を形成することを特徴とす
   る薄膜磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド
   において、 前記下部磁性膜又は前記下部第１磁性膜に、前記磁気回
   路に磁束を発生させる導体コイル層の浮上面位置寄りに
   斜面部を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 非磁性の磁気ギャップ膜を介して上部磁
   性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に
   おいて、 基板上に下部第１磁性膜を形成した後に、スロートハイ
   ト零位置を規定する絶縁層を形成し、 前記下部第１磁性膜及び前記絶縁層の上に、トラック幅
   を決める形状のレジストフレームを形成し、 次に、前記レジストフレームをマスクにしてメッキ法
   で、下部第２磁性膜、非磁性のギャップ膜及び上部第１
   磁性膜を順に形成し、この際、前記上部第１磁性膜は、
   その浮上面位置と反対側の後方端部が前記絶縁層に乗り
   上げるように形成し、 続いて、前記絶縁層上に導体コイル層と第２絶縁層を形
   成した後に、レジストフレームをマスクにして、前記上
   部第１磁性膜の乗り上げ部を含めて前記上部第１磁性膜
   の一部と前記第２絶縁層上に上部第２磁性膜を形成する
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】 非磁性の磁気ギャップ膜を介して上部磁
   性膜と下部磁性膜を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法に
   おいて、 基板上に下部第１磁性膜を被膜する際、磁気回路に磁束
   を発生させる導体コイル層の浮上面位置寄りに斜面部を
   形成し、その後に、スロートハイト零位置を規定する絶
   縁層を形成し、 前記下部第１磁性膜及び前記絶縁層の上に、トラック幅
   を決める形状のレジストフレームを形成し、 次に、前記レジストフレームをマスクにしてメッキ法
   で、下部第２磁性膜、非磁性のギャップ膜及び上部第１
   磁性膜を順に形成し、この際、前記上部第１磁性膜は、
   その浮上面位置と反対側の後方端部が前記絶縁層に乗り
   上げるように形成し、 続いて、前記絶縁層上に導体コイル層と第２絶縁層を形
   成した後に、レジストフレームをマスクにして、前記上
   部第１磁性膜の乗り上げ部を含めて前記上部第１磁性膜
   の一部と前記第２絶縁層上に上部第２磁性膜を形成する
   ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項４又は５に記載の薄膜磁気ヘッド
   の製造方法において、 前記上部第１磁性膜を形成した後に、上部第１磁性膜の
   表面に、上部第２磁性膜との接続部分を除いて保護膜を
   形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。