JP2002014322A - ドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器 - Google Patents
ドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極に必要な書き込み時間を短縮する。
【解決手段】 マトリックスに配列した複数の画素ユニ
ットに、画素ユニットの液晶分子の移動を制御する画素
電極と、予備書き込みトランジスタとメイントランジス
タとを設ける。予備書き込みトランジスタは、画素電極
に電気接続するドレインと、第１走査線に電気接続する
ゲートと、第１データ線に電気接続するソースとを有
し、第１走査線に活性化されると第１データ線の電位値
を画素電極に書き込む。メイントランジスタは、画素電
極に電気接続するドレインと、第１走査線に隣接した第
２走査線と電気接続するゲートと、第１データ線に隣接
した第２データ線と電気接続するソースとを有し、第２
走査線に活性化されると第２データ線の電位値を画素電
極に書き込む。第１走査線が予備書き込みトランジスタ
を活性化させてから、第２走査線がメイントランジスタ
を活性化させる。
ットに、画素ユニットの液晶分子の移動を制御する画素
電極と、予備書き込みトランジスタとメイントランジス
タとを設ける。予備書き込みトランジスタは、画素電極
に電気接続するドレインと、第１走査線に電気接続する
ゲートと、第１データ線に電気接続するソースとを有
し、第１走査線に活性化されると第１データ線の電位値
を画素電極に書き込む。メイントランジスタは、画素電
極に電気接続するドレインと、第１走査線に隣接した第
２走査線と電気接続するゲートと、第１データ線に隣接
した第２データ線と電気接続するソースとを有し、第２
走査線に活性化されると第２データ線の電位値を画素電
極に書き込む。第１走査線が予備書き込みトランジスタ
を活性化させてから、第２走査線がメイントランジスタ
を活性化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、予備書き込みトラ
ンジスタによる予備書き込み機能によって、画素電極が
必要な書き込み時間を短縮させる液晶表示器に関し、特
に、周波数の極めて高い操作の応用に適し、かつ解像度
の極めて高い液晶表示パネルを形成することができるド
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器に関す
る。
ンジスタによる予備書き込み機能によって、画素電極が
必要な書き込み時間を短縮させる液晶表示器に関し、特
に、周波数の極めて高い操作の応用に適し、かつ解像度
の極めて高い液晶表示パネルを形成することができるド
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】１９７０年代初期、液晶表示器は既に実
用化され、デジタル時計と電子計算機の表示パネルに広
く応用されてきた。液晶表示器は、半導体技術の顕著な
進展により、一般に薄型で、軽量、低電圧駆動、低電効
率消費の特徴を備えている。これにより、液晶表示器
は、従来の陰極線管の代わりに、しだいにデスクトップ
コンピュータとノートブック型コンピュータの端末表示
パネル、壁掛テレビ、及びカラー投射テレビに応用され
てきた。
用化され、デジタル時計と電子計算機の表示パネルに広
く応用されてきた。液晶表示器は、半導体技術の顕著な
進展により、一般に薄型で、軽量、低電圧駆動、低電効
率消費の特徴を備えている。これにより、液晶表示器
は、従来の陰極線管の代わりに、しだいにデスクトップ
コンピュータとノートブック型コンピュータの端末表示
パネル、壁掛テレビ、及びカラー投射テレビに応用され
てきた。
【０００３】図１は、従来のドット反転式アクティブマ
トリックス液晶表示器の等価回路を示す図である。説明
の簡潔化のため、図１に示す液晶表示器は、各画素ユニ
ットのアドレスがそれぞれ(1,1)、(1,2)、…、(3,2)、
(3,3)である９つの画素ユニットを有する３×３マトリ
ックスの液晶表示器とする。各画素ユニット((1,1)、
(1,2)、…、(3,2)、(3,3))は、何れも一つの画素電極(P
E11，PE12，…，PE32，PE33)と一つのｎ型薄膜トランジ
スタ(N11，N12，…，N32，N33)で構成される。そのう
ち、画素電極は、液晶分子の移動を制御するために設け
られ、対応する画素電極、データ線、及び走査線にそれ
ぞれ接続されるドレイン、ソース、及びゲートを有する
ｎ型薄膜トランジスタは、アクティブスイッチとして設
けられる。例えば、図１に示すように、アドレス(2,2)
に位置する画素ユニットにおいて、ｎ型薄膜トランジス
タN22は、ドレインが画素電極PE22に、ソースがデータ
線D2に、ゲートが走査線S2にそれぞれ接続されている。
各データ線(D0，D1，D2，D3)は互いに平行にマトリック
スの行方向に延び、そして各走査線(S0，S1，S2，S3)は
互いに平行にマトリックスの列方向に延びている。
トリックス液晶表示器の等価回路を示す図である。説明
の簡潔化のため、図１に示す液晶表示器は、各画素ユニ
ットのアドレスがそれぞれ(1,1)、(1,2)、…、(3,2)、
(3,3)である９つの画素ユニットを有する３×３マトリ
ックスの液晶表示器とする。各画素ユニット((1,1)、
(1,2)、…、(3,2)、(3,3))は、何れも一つの画素電極(P
E11，PE12，…，PE32，PE33)と一つのｎ型薄膜トランジ
スタ(N11，N12，…，N32，N33)で構成される。そのう
ち、画素電極は、液晶分子の移動を制御するために設け
られ、対応する画素電極、データ線、及び走査線にそれ
ぞれ接続されるドレイン、ソース、及びゲートを有する
ｎ型薄膜トランジスタは、アクティブスイッチとして設
けられる。例えば、図１に示すように、アドレス(2,2)
に位置する画素ユニットにおいて、ｎ型薄膜トランジス
タN22は、ドレインが画素電極PE22に、ソースがデータ
線D2に、ゲートが走査線S2にそれぞれ接続されている。
各データ線(D0，D1，D2，D3)は互いに平行にマトリック
スの行方向に延び、そして各走査線(S0，S1，S2，S3)は
互いに平行にマトリックスの列方向に延びている。
【０００４】アクティブマトリックス液晶表示器の操作
期間中、走査線の電位が高レベルになると、この走査線
に接続するｎ型薄膜トランジスタは導通する（ＯＮ状態
になる）ため、データ線のデータがｎ型薄膜トランジス
タを介して画素電極に書き込まれる。一方、走査線の電
位が低レベルになると、走査線に接続するｎ型薄膜トラ
ンジスタは、閉鎖する（ＯＦＦ状態になる）ため、画素
電極の電位が保持される。さらに、ドット反転式アクテ
ィブマトリックス液晶表示器において、図１に示すよう
に、任意の画素電極と隣接する四つの画素電極との電位
極性は、正反対である（(＋)は正電位を示し、(−)は負
電位を示す）。これにより、フレーム周期中に極性が反
転しちらつき現象がおこるのを防止する。
期間中、走査線の電位が高レベルになると、この走査線
に接続するｎ型薄膜トランジスタは導通する（ＯＮ状態
になる）ため、データ線のデータがｎ型薄膜トランジス
タを介して画素電極に書き込まれる。一方、走査線の電
位が低レベルになると、走査線に接続するｎ型薄膜トラ
ンジスタは、閉鎖する（ＯＦＦ状態になる）ため、画素
電極の電位が保持される。さらに、ドット反転式アクテ
ィブマトリックス液晶表示器において、図１に示すよう
に、任意の画素電極と隣接する四つの画素電極との電位
極性は、正反対である（(＋)は正電位を示し、(−)は負
電位を示す）。これにより、フレーム周期中に極性が反
転しちらつき現象がおこるのを防止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示器のサイズ、
解像度、及び操作周波数の改善に従い、アクティブスイ
ッチとする薄膜トランジスタは、導通状態にある時間が
しだいに短くなり、データ線のデータが完全には画素電
極に書き込めなくなる。これを解決するために、一つの
従来の解決方法として、より広いチャンネル幅を持つ薄
膜トランジスタをアクティブスイッチとして使用し、書
き込み電流を引き上げる方法があるが、この場合、チャ
ンネル幅が増加すると液晶表示器全体のＲＣ値を増加さ
せ、ゲートーソースの容量も大きくさせるため、より大
きなソース容量及び補償電圧が必要となる。もう一つの
従来の解決方法として、より複雑な走査ドライバの駆動
方式を使用し、総書き込み時間を増加する方法がある
が、この場合は駆動方式が複雑になるため、走査ドライ
バのコストが高くなる。
解像度、及び操作周波数の改善に従い、アクティブスイ
ッチとする薄膜トランジスタは、導通状態にある時間が
しだいに短くなり、データ線のデータが完全には画素電
極に書き込めなくなる。これを解決するために、一つの
従来の解決方法として、より広いチャンネル幅を持つ薄
膜トランジスタをアクティブスイッチとして使用し、書
き込み電流を引き上げる方法があるが、この場合、チャ
ンネル幅が増加すると液晶表示器全体のＲＣ値を増加さ
せ、ゲートーソースの容量も大きくさせるため、より大
きなソース容量及び補償電圧が必要となる。もう一つの
従来の解決方法として、より複雑な走査ドライバの駆動
方式を使用し、総書き込み時間を増加する方法がある
が、この場合は駆動方式が複雑になるため、走査ドライ
バのコストが高くなる。
【０００６】本発明は、上述の問題を鑑みてなされたも
のであって、予備書き込みトランジスタによる予備書き
込み機能により、画素電極に必要な書き込み時間を短縮
させ、周波数の極めて高い操作の応用に適し、かつ解像
度の極めて高い液晶表示パネルを形成することできるド
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器を提供す
ることを技術的課題とする。
のであって、予備書き込みトランジスタによる予備書き
込み機能により、画素電極に必要な書き込み時間を短縮
させ、周波数の極めて高い操作の応用に適し、かつ解像
度の極めて高い液晶表示パネルを形成することできるド
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器を提供す
ることを技術的課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、例えば本発明の実施の形態を示す図２から
図４に基づいて説明すると、ドット反転式アクティブマ
トリックス液晶表示器を次のように構成したものであ
る。即ち、ドット反転モードで操作され、マトリックス
に配列した複数の画素ユニットと、前記複数の画素ユニ
ットを制御する複数の走査線及び複数のデータ線と、を
備えるドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器
であって、前記複数の画素ユニットは、それぞれ、画素
ユニットの液晶分子の移動を制御する画素電極と予備書
き込みトランジスタとメイントランジスタとを含む。上
記予備書き込みトランジスタは、前記画素電極に電気接
続するドレインと、前記複数の走査線の第１走査線に電
気接続するゲートと、前記複数のデータ線の第１データ
線に電気接続するソースとを有し、前記第１走査線に活
性化される際に前記第１データ線の電位値を前記画素電
極に書き込む。上記メイントランジスタは、前記画素電
極に電気接続するドレインと、前記第１走査線と隣接す
る第２走査線と電気接続するゲートと、前記第１データ
線と隣接する第２データ線と電気接続するソースとを有
し、前記第２走査線に活性化される際に前記第２データ
線の電位値を前記画素電極に書き込む。そして、前記第
１走査線が前記予備書き込みトランジスタを活性化して
から、前記第２走査線が前記メイントランジスタを活性
化することにより、前記メイントランジスタによる書き
込時間を短縮させることを特徴とする。
するために、例えば本発明の実施の形態を示す図２から
図４に基づいて説明すると、ドット反転式アクティブマ
トリックス液晶表示器を次のように構成したものであ
る。即ち、ドット反転モードで操作され、マトリックス
に配列した複数の画素ユニットと、前記複数の画素ユニ
ットを制御する複数の走査線及び複数のデータ線と、を
備えるドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器
であって、前記複数の画素ユニットは、それぞれ、画素
ユニットの液晶分子の移動を制御する画素電極と予備書
き込みトランジスタとメイントランジスタとを含む。上
記予備書き込みトランジスタは、前記画素電極に電気接
続するドレインと、前記複数の走査線の第１走査線に電
気接続するゲートと、前記複数のデータ線の第１データ
線に電気接続するソースとを有し、前記第１走査線に活
性化される際に前記第１データ線の電位値を前記画素電
極に書き込む。上記メイントランジスタは、前記画素電
極に電気接続するドレインと、前記第１走査線と隣接す
る第２走査線と電気接続するゲートと、前記第１データ
線と隣接する第２データ線と電気接続するソースとを有
し、前記第２走査線に活性化される際に前記第２データ
線の電位値を前記画素電極に書き込む。そして、前記第
１走査線が前記予備書き込みトランジスタを活性化して
から、前記第２走査線が前記メイントランジスタを活性
化することにより、前記メイントランジスタによる書き
込時間を短縮させることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図２〜図４を参照しながら
本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形
態においても、説明の簡素化のため、前記従来技術と同
様に、各画素ユニットのアドレスがそれぞれ(1,1)、(1,
2)、…、(3,2)、(3,3)である９つの画素ユニットを有す
る３×３マトリックスの液晶表示器について説明する
が、本発明は多数の画素ユニットからなる液晶表示器に
適用できることは言うまでもない。
本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形
態においても、説明の簡素化のため、前記従来技術と同
様に、各画素ユニットのアドレスがそれぞれ(1,1)、(1,
2)、…、(3,2)、(3,3)である９つの画素ユニットを有す
る３×３マトリックスの液晶表示器について説明する
が、本発明は多数の画素ユニットからなる液晶表示器に
適用できることは言うまでもない。
【０００９】図２は本発明によるドット反転式アクティ
ブマトリックス液晶表示器の等価回路を示す図である。
図２に示すように、このドット反転式アクティブマトリ
ックス液晶表示器では、隣接する二つの画素電極は、電
位値の極性が互いに正反対である((＋)は正電位を示
し、(−)は負電位を示す)。図１に示す従来のドット反
転式アクティブマトリックス液晶表示器と比較すると、
図２に示す本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器は、各画素ユニット((1,1)、(1,2)、…、
(3,2)、(3,3))に、さらにｎ型予備書き込み薄膜トラン
ジスタ(N'11，N'12，…，N'32，N'33)を設けることによ
り、予備書き込み機能を実現する。例えば、位置(2,2)
の画素ユニットにおいて、ｎ型予備書き込み薄膜トラン
ジスタN'22は、ドレインが画素電極PE22に、ソースがデ
ータ線D1に、ゲートが走査線S1にそれぞれ接続されてい
る。このｎ型予備書き込み薄膜トランジスタN'22の配置
により、走査線S1の電位が高レベルになると、データ線
D1のデータは、導通しているｎ型予備書き込み薄膜トラ
ンジスタN'22を経由して画素電極PE22に書き込まれる。
次いで、走査線S2の電位が高レベルになると、データ線
D2のデータは、導通しているｎ型薄膜トランジスタN22
を経由して画素電極PE22に書き込まれる。このため、本
発明のドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器
によると、各画素電極は各フレーム周期毎に電位極性の
等しい書き込み操作を２回行うので、書き込み不良の問
題が解決される。
ブマトリックス液晶表示器の等価回路を示す図である。
図２に示すように、このドット反転式アクティブマトリ
ックス液晶表示器では、隣接する二つの画素電極は、電
位値の極性が互いに正反対である((＋)は正電位を示
し、(−)は負電位を示す)。図１に示す従来のドット反
転式アクティブマトリックス液晶表示器と比較すると、
図２に示す本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器は、各画素ユニット((1,1)、(1,2)、…、
(3,2)、(3,3))に、さらにｎ型予備書き込み薄膜トラン
ジスタ(N'11，N'12，…，N'32，N'33)を設けることによ
り、予備書き込み機能を実現する。例えば、位置(2,2)
の画素ユニットにおいて、ｎ型予備書き込み薄膜トラン
ジスタN'22は、ドレインが画素電極PE22に、ソースがデ
ータ線D1に、ゲートが走査線S1にそれぞれ接続されてい
る。このｎ型予備書き込み薄膜トランジスタN'22の配置
により、走査線S1の電位が高レベルになると、データ線
D1のデータは、導通しているｎ型予備書き込み薄膜トラ
ンジスタN'22を経由して画素電極PE22に書き込まれる。
次いで、走査線S2の電位が高レベルになると、データ線
D2のデータは、導通しているｎ型薄膜トランジスタN22
を経由して画素電極PE22に書き込まれる。このため、本
発明のドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器
によると、各画素電極は各フレーム周期毎に電位極性の
等しい書き込み操作を２回行うので、書き込み不良の問
題が解決される。
【００１０】図３(ａ)から図３(ｅ)は、図２に示したド
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器の操作に
よる電位と時間の関係図である。図３(ａ)と図３(ｂ)に
は、それぞれ、データ線D1とD2に伝送されるデータ信号
を示す。本実施形態では、説明しやすいために、データ
線D1とD2に伝送されるデータ信号を同じフレーム周期FT
かつ同じ振幅の方形波とする。本発明の液晶表示器はド
ット反転式であるため、隣接するデータ線D1とD2の方形
波は、その位相差が１８０度である。更に、本実施形態
におけるフレーム周期FTは、４１.６マイクロセカンド
とし、図３(ａ)と図３(ｂ)に示すように、二つの等しい
フィールド時間F1とF2から構成される。
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器の操作に
よる電位と時間の関係図である。図３(ａ)と図３(ｂ)に
は、それぞれ、データ線D1とD2に伝送されるデータ信号
を示す。本実施形態では、説明しやすいために、データ
線D1とD2に伝送されるデータ信号を同じフレーム周期FT
かつ同じ振幅の方形波とする。本発明の液晶表示器はド
ット反転式であるため、隣接するデータ線D1とD2の方形
波は、その位相差が１８０度である。更に、本実施形態
におけるフレーム周期FTは、４１.６マイクロセカンド
とし、図３(ａ)と図３(ｂ)に示すように、二つの等しい
フィールド時間F1とF2から構成される。
【００１１】図３(ｃ)と図３(ｄ)には、それぞれ走査線
S1とS2に伝送される走査信号を示す。図３(ｃ)と図３
(ｄ)に示すように、走査方向は走査線S1から走査線S2へ
とする。第１フィールド時間F1では、走査線S1の電位が
高レベルになり、図２に示すｎ型薄膜トランジスタN1
1，N12，N13が導通し、従来の技術の操作と同様に、デ
ータ線D1，D2，D3のデータがそれぞれ画素電極PE11，PE
12，PE13中に書き込まれる。さらに、本実施の形態で
は、液晶表示器に設けられるｎ型予備書き込み薄膜トラ
ンジスタN'21，N'22，N'23は、それらのゲートが何れも
走査線S1に接続されるため、第１フィールド時間F1で
は、薄膜トランジスタN'21，N'22，N'23も導通し、デー
タ線D0，D1，D2上のデータがそれぞれ前もって画素電極
PE21，PE22，PE23に書き込まれる。次いで、第２フィー
ルド時間F2では、走査線S2の電位が高レベルになり、ｎ
型薄膜トランジスタN21，N22，N23が導通し、データ線D
1，D2，D3上のデータがそれぞれ画素電極PE21，PE22，P
E23中に書き込まれる。従って、本発明による液晶表示
器は、画素電極がフレーム周期で電位極性の等しい書き
込み操作を２回行うことになる。
S1とS2に伝送される走査信号を示す。図３(ｃ)と図３
(ｄ)に示すように、走査方向は走査線S1から走査線S2へ
とする。第１フィールド時間F1では、走査線S1の電位が
高レベルになり、図２に示すｎ型薄膜トランジスタN1
1，N12，N13が導通し、従来の技術の操作と同様に、デ
ータ線D1，D2，D3のデータがそれぞれ画素電極PE11，PE
12，PE13中に書き込まれる。さらに、本実施の形態で
は、液晶表示器に設けられるｎ型予備書き込み薄膜トラ
ンジスタN'21，N'22，N'23は、それらのゲートが何れも
走査線S1に接続されるため、第１フィールド時間F1で
は、薄膜トランジスタN'21，N'22，N'23も導通し、デー
タ線D0，D1，D2上のデータがそれぞれ前もって画素電極
PE21，PE22，PE23に書き込まれる。次いで、第２フィー
ルド時間F2では、走査線S2の電位が高レベルになり、ｎ
型薄膜トランジスタN21，N22，N23が導通し、データ線D
1，D2，D3上のデータがそれぞれ画素電極PE21，PE22，P
E23中に書き込まれる。従って、本発明による液晶表示
器は、画素電極がフレーム周期で電位極性の等しい書き
込み操作を２回行うことになる。
【００１２】図３(ｅ)は、ドット反転式アクティブマト
リックス液晶表示器における画素電極PE22の電位変化を
示す図である。図３(ｅ)には、実線は図２に示した本発
明の画素電極PE22の電位変化を示し、点線は図１に示し
た従来の画素電極PE22の電位変化を示す。図３(ｅ)に示
すように、本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器によれば、第１フィールド時間F1では、デ
ータ線D1のデータが画素電極PE22に書き込まれるため、
画素電極PE22の電位を上昇させる。これに対して、従来
の技術では、ｎ型予備書き込み薄膜トランジスタN'22が
ないため、画素電極PE22の電位は変化しない。さらに、
第２フィールド時間F2では、本発明あるいは従来の技術
に関わらず、データ線D2のデータは画素電極PE22に書き
込まれる。しかしながら、本発明による画素電極PE22が
既に電位を上げたため、本発明の画素電極PE22は、第２
フィールド時間F2での電位上昇時間が従来の技術より短
くなる。
リックス液晶表示器における画素電極PE22の電位変化を
示す図である。図３(ｅ)には、実線は図２に示した本発
明の画素電極PE22の電位変化を示し、点線は図１に示し
た従来の画素電極PE22の電位変化を示す。図３(ｅ)に示
すように、本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器によれば、第１フィールド時間F1では、デ
ータ線D1のデータが画素電極PE22に書き込まれるため、
画素電極PE22の電位を上昇させる。これに対して、従来
の技術では、ｎ型予備書き込み薄膜トランジスタN'22が
ないため、画素電極PE22の電位は変化しない。さらに、
第２フィールド時間F2では、本発明あるいは従来の技術
に関わらず、データ線D2のデータは画素電極PE22に書き
込まれる。しかしながら、本発明による画素電極PE22が
既に電位を上げたため、本発明の画素電極PE22は、第２
フィールド時間F2での電位上昇時間が従来の技術より短
くなる。
【００１３】図４(ａ)から図４(ｅ)は、図２に示したド
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器のもう一
つの操作による電位と時間の関係図である。図４(ａ)と
図４(ｂ)には、それぞれデータ線D1とD2に伝送されるデ
ータ信号を示す。本実施の形態では、説明しやすいため
に、データ線D1とD2に伝送されるデータ信号を同じフレ
ーム周期FTかつ同じ振幅の方形波とする。本発明の液晶
表示器はドット反転式であるため、データ線D1とD2の方
形波は、その位相差が１８０度である。更に、本実施形
態におけるフレーム周期FTは、４１.６マイクロセカン
ドとし、図４(ａ)と図４(ｂ)に示すように、二つの等し
いフィールド時間F1とF2から構成される。
ット反転式アクティブマトリックス液晶表示器のもう一
つの操作による電位と時間の関係図である。図４(ａ)と
図４(ｂ)には、それぞれデータ線D1とD2に伝送されるデ
ータ信号を示す。本実施の形態では、説明しやすいため
に、データ線D1とD2に伝送されるデータ信号を同じフレ
ーム周期FTかつ同じ振幅の方形波とする。本発明の液晶
表示器はドット反転式であるため、データ線D1とD2の方
形波は、その位相差が１８０度である。更に、本実施形
態におけるフレーム周期FTは、４１.６マイクロセカン
ドとし、図４(ａ)と図４(ｂ)に示すように、二つの等し
いフィールド時間F1とF2から構成される。
【００１４】図４(ｃ)と図４(ｄ)は、それぞれ走査線S1
とS2に伝送される走査信号を示す。図４(ｃ)と図４(ｄ)
に示すように、走査方向は走査線S1から走査線S2へとす
る。
とS2に伝送される走査信号を示す。図４(ｃ)と図４(ｄ)
に示すように、走査方向は走査線S1から走査線S2へとす
る。
【００１５】図４(ｅ)は、ドット反転式アクティブマト
リックス液晶表示器における画素電極PE22の電位変化を
示す図である。なお、この図４(ｅ)において、実線は図
２に示した本発明の画素電極PE22の電位変化を示し、点
線は図１に示した従来の画素電極PE22の電位変化を示
す。図４(ｅ)に示すように、本発明のドット反転式アク
ティブマトリックス液晶表示器によれば、第１フィール
ド時間F1では、データ線D1のデータが画素電極PE22中に
書き込まれるため、画素電極PE22の電位を低下させる。
これに対して、従来の技術では、ｎ型予備書き込み薄膜
トランジスタN'22がないため、画素電極PE22の電位は変
化しない。さらに、第２フィールド時間F2では、本発明
或いは従来の技術に関わらず、データ線D2のデータは画
素電極PE22に書き込まれる。しかしながら、本発明の画
素電極PE22が既に電位を低下させたため、本発明の画素
電極PE22は、第２フィールド時間F2での電位降下時間が
従来の技術より短くなる。
リックス液晶表示器における画素電極PE22の電位変化を
示す図である。なお、この図４(ｅ)において、実線は図
２に示した本発明の画素電極PE22の電位変化を示し、点
線は図１に示した従来の画素電極PE22の電位変化を示
す。図４(ｅ)に示すように、本発明のドット反転式アク
ティブマトリックス液晶表示器によれば、第１フィール
ド時間F1では、データ線D1のデータが画素電極PE22中に
書き込まれるため、画素電極PE22の電位を低下させる。
これに対して、従来の技術では、ｎ型予備書き込み薄膜
トランジスタN'22がないため、画素電極PE22の電位は変
化しない。さらに、第２フィールド時間F2では、本発明
或いは従来の技術に関わらず、データ線D2のデータは画
素電極PE22に書き込まれる。しかしながら、本発明の画
素電極PE22が既に電位を低下させたため、本発明の画素
電極PE22は、第２フィールド時間F2での電位降下時間が
従来の技術より短くなる。
【００１６】なお、本発明の実施形態では、予備書き込
み機能を実現するトランジスタとして、ｎ型薄膜トラン
ジスタを採用したが、これに限らず、例えばｐ型トラン
ジスタ或いは他のタイプのトランジスタを採用すること
もできる。また、実際の応用に応じて、本発明のｎ型予
備書き込み薄膜トランジスタN'11，N'12，…，N'32，N'
33のチャンネル幅をメイントランジスタN11，N12，…，
N32，N33のチャンネル幅と等しくしたり、より大きくし
たり、或いは、より小さくするなど、自由に設定するこ
とができる。
み機能を実現するトランジスタとして、ｎ型薄膜トラン
ジスタを採用したが、これに限らず、例えばｐ型トラン
ジスタ或いは他のタイプのトランジスタを採用すること
もできる。また、実際の応用に応じて、本発明のｎ型予
備書き込み薄膜トランジスタN'11，N'12，…，N'32，N'
33のチャンネル幅をメイントランジスタN11，N12，…，
N32，N33のチャンネル幅と等しくしたり、より大きくし
たり、或いは、より小さくするなど、自由に設定するこ
とができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係わる液晶表示器は、予備書き
込みトランジスタにより予備書き込みを実現できるた
め、従来の技術より、画素電極が必要とする書き込み時
間を短縮させ、走査ドライバの駆動方式を変更する必要
がなく、生産コストの安定を維持することができる。ま
た、本発明に係わる液晶表示器は、走査周波数が高いほ
ど或いはパネル解像度が大きくなるほど、より簡単にデ
ータ信号を完全に画素電極中に書き込むことができる。
込みトランジスタにより予備書き込みを実現できるた
め、従来の技術より、画素電極が必要とする書き込み時
間を短縮させ、走査ドライバの駆動方式を変更する必要
がなく、生産コストの安定を維持することができる。ま
た、本発明に係わる液晶表示器は、走査周波数が高いほ
ど或いはパネル解像度が大きくなるほど、より簡単にデ
ータ信号を完全に画素電極中に書き込むことができる。
【図１】 従来のドット反転式アクティブマトリックス
液晶表示器の等価回路図である。
液晶表示器の等価回路図である。
【図２】 本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器の等価回路図である。
ス液晶表示器の等価回路図である。
【図３】 本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器の操作による電位と時間の関係図である。
ス液晶表示器の操作による電位と時間の関係図である。
【図４】 本発明のドット反転式アクティブマトリック
ス液晶表示器のもう一つの操作による電位と時間の関係
図である。
ス液晶表示器のもう一つの操作による電位と時間の関係
図である。
PE11,PE12,PE13,PE21,PE22,PE23,PE31,PE32,PE33…画素
電極、 N11,N12,N13,N21,N22,N23,N31,N32,N33…メイントラン
ジスタ(ｎ型薄膜トランジスタ)、 D0,D1,D2,D3…データ線、 S0,S1,S2,S3…走査線、 N'11,N'12,N'13,N'21,N'22,N'23,N'31,N'32,N'33…予備
書き込みトランジスタ(ｎ型予備書き込み薄膜トランジ
スタ)、 FT…フレーム周期、 F1…第１フィールド時間、 F2…第２フィールド時間。
電極、 N11,N12,N13,N21,N22,N23,N31,N32,N33…メイントラン
ジスタ(ｎ型薄膜トランジスタ)、 D0,D1,D2,D3…データ線、 S0,S1,S2,S3…走査線、 N'11,N'12,N'13,N'21,N'22,N'23,N'31,N'32,N'33…予備
書き込みトランジスタ(ｎ型予備書き込み薄膜トランジ
スタ)、 FT…フレーム周期、 F1…第１フィールド時間、 F2…第２フィールド時間。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 (72)発明者 許 紹武 台湾嘉義市光路里16鄰嘉農新村32号３Ｆ Ｆターム(参考） 2H092 JA24 NA27 2H093 NA16 NA31 NA41 NC34 ND54 5C006 AC26 BB16 BC06 BF34 FA12 5C080 AA10 BB05 DD08 FF11 JJ03 JJ04
Claims (4)
- 【請求項１】 ドット反転モードで操作され、マトリッ
クスに配列した複数の画素ユニットと、前記複数の画素
ユニットを制御する複数の走査線及び複数のデータ線
と、を備えるドット反転式アクティブマトリックス液晶
表示器であって、 前記複数の画素ユニットは、それぞれ、画素ユニットの
液晶分子の移動を制御する画素電極と、 前記画素電極に電気接続するドレインと、前記複数の走
査線の第１走査線に電気接続するゲートと、前記複数の
データ線の第１データ線に電気接続するソースとを有
し、前記第１走査線に活性化される際に前記第１データ
線の電位値を前記画素電極に書き込む予備書き込みトラ
ンジスタと、 前記画素電極に電気接続するドレインと、前記第１走査
線と隣接する第２走査線と電気接続するゲートと、前記
第１データ線と隣接する第２データ線と電気接続するソ
ースとを有し、前記第２走査線に活性化される際に前記
第２データ線の電位値を前記画素電極に書き込むメイン
トランジスタと、 を含み、 前記第１走査線が前記予備書き込みトランジスタを活性
化してから、前記第２走査線が前記メイントランジスタ
を活性化することにより、前記メイントランジスタによ
る書き込時間を短縮させることを特徴とする、ドット反
転式アクティブマトリックス液晶表示器。 - 【請求項２】 前記複数の走査線の延びる方向は、前記
複数のデータ線の伸びる方向とほぼ直交することを特徴
とする、請求項１に記載のドット反転式アクティブマト
リックス液晶表示器。 - 【請求項３】 前記メイントランジスタは、薄膜トラン
ジスタであることを特徴とする、請求項１に記載のドッ
ト反転式アクティブマトリックス液晶表示器。 - 【請求項４】 前記予備書き込みトランジスタは、薄膜
トランジスタであることを特徴とする、請求項１に記載
のドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW089110467A TW525127B (en) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | Point inversion active matrix type liquid crystal display having pre-write circuit |
| TW089110467 | 2000-05-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002014322A true JP2002014322A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=21659909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001141011A Pending JP2002014322A (ja) | 2000-05-29 | 2001-05-11 | ドット反転式アクティブマトリックス液晶表示器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010046002A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002014322A (ja) |
| TW (1) | TW525127B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005070789A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Merck Patent Gmbh | 光変調素子またはディスプレイ |
| JP2006072011A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | International Display Technology Kk | アレイ基板およびその駆動方法 |
| CN102402934A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-04-04 | 友达光电股份有限公司 | 扫描式背光模块及其驱动方法、立体影像显示装置及方法 |
| US9195107B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-11-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6636196B2 (en) * | 2001-06-08 | 2003-10-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electro-optic display device using a multi-row addressing scheme |
| KR100859666B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2008-09-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 구동장치 및 구동방법 |
| KR100890025B1 (ko) * | 2002-12-04 | 2009-03-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 장치 및 방법 |
| JP2004301989A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示パネルの駆動方法及び液晶表示装置 |
| KR101212146B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2012-12-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
| CN101266769B (zh) * | 2008-04-21 | 2010-06-16 | 昆山龙腾光电有限公司 | 时序控制器、液晶显示装置及液晶显示装置的驱动方法 |
| TWI406249B (zh) * | 2009-06-02 | 2013-08-21 | Sitronix Technology Corp | 液晶點反轉驅動電路 |
| KR101605467B1 (ko) | 2009-10-16 | 2016-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| CN104252079B (zh) * | 2014-09-28 | 2017-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其驱动方法、显示面板、显示装置 |
| CN105867040A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其液晶显示面板 |
| CN106384576B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-02-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示器及其驱动方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100291770B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2001-05-15 | 권오경 | 액정표시장치 |
-
2000
- 2000-05-29 TW TW089110467A patent/TW525127B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-03-29 US US09/823,171 patent/US20010046002A1/en not_active Abandoned
- 2001-05-11 JP JP2001141011A patent/JP2002014322A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005070789A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Merck Patent Gmbh | 光変調素子またはディスプレイ |
| JP2006072011A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | International Display Technology Kk | アレイ基板およびその駆動方法 |
| US9195107B2 (en) | 2009-05-29 | 2015-11-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| US9411206B2 (en) | 2009-05-29 | 2016-08-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| CN102402934A (zh) * | 2011-09-13 | 2012-04-04 | 友达光电股份有限公司 | 扫描式背光模块及其驱动方法、立体影像显示装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW525127B (en) | 2003-03-21 |
| US20010046002A1 (en) | 2001-11-29 |
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