JP2002014317A - 液晶装置の立上げ用駆動技術 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ベンド配向を有する液晶を短時間で転移さ
せ、高速応答で広視野角な液晶パネルを提供する。 【解決手段】 液晶パネルの画素電極と対向電極の間に
通常映像表示時よりも高い電位差を連続的に印加する期
間を設けることにより、液晶を短時間でベンド配向に転
移させる。また、期間の内容や高い電位差を得る為に工
夫を凝らす。また、画素の構造にも工夫を凝らす。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶装置に関し、特
に液晶層は電圧が印加されていないときにはスプレイ配
向であるが表示等の機能発揮時にはベンド配向である液
晶装置の駆動のための立上げ技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶装置は、液晶素子の電気的動作が、
各画素は１表示周期中、明なら明を、暗なら暗を持続す
る保持型であるため、１表示周期の更に短い時間だけ輝
くブラウン管に比較してちらつきの少ない静止画となる
のが特徴のひとつであった。

【０００３】しかし近年、パーソナルコンピュータでは
ＣＰＵやメモリの高速大容量化で動画処理が容易に行え
るようになっている。このため、液晶表示装置での動画
表示時の画質向上が望まれている。

【０００４】また、放送受像機としてのテレビは大画面
化が進んでいるが、ブラウン管では大画面化と共にどう
しても奥行きがある程度大きくなるため薄型テレビの要
望に対しては好ましくない。そのための一手段として液
晶表示装置を採用することが考えられている。

【０００５】現在、液晶装置の主流であるＴＮ配向液晶
装置は応答速度が遅く、しかもブラウン管では各表示周
期内で各画素が瞬間的、極く短時間のみ発光しているの
に対して、液晶素子は、ＯＮ（開、発光）ならばその１
表示周期内でその表示期間中ずっと発光し続けている保
持型である事もあって、動画表示時には尾を引くように
見える等、ブラウン管より画質が劣る。

【０００６】その対策として、例えば特開昭６１−１１
６３２９号あるいは特開平７−８４２５４号にあるよう
なＯＣＢ型（タイプ）と言われるベンド配向を有する液
晶を用いれば高速応答、広視野角で動画表示や大画面化
に十分対応でき、ブラウン管よりも薄型で低消費電力の
大画面ディスプレイを提供することができる。

【０００７】また、液晶を使用した装置は、単にワード
プロセッサー、パソコン、テレビジョン受像機等の表示
部のみならず、液晶プラズマディスプレイの表示部、光
論理素子を使用した回路や装置等にも使用されだしてい
るが、かかる用途においても、良好な表示性能、高速対
応等の面からＯＣＢタイプの液晶が注目されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
液晶では図１の（１）や（２）に示すようなスプレイ配
向５１から（３）に示すようなベンド配向に転移するた
めには液晶層に高い電位差を一定時間以上かけ続ける必
要があるが、かかる電圧をかけるためには、トランジス
タ素子、配線に負担がかかり、高コストともなる。すな
わち、現在広く用いられている素子、配線等にて可能な
電圧、電流等で容易かつ確実にかかる転移を行なわせる
技術は未だ実現されていない。その結果、現在のところ
このタイプの液晶は汎用的に使用するには至っていな
い。

【０００９】このため、このようなＯＣＢタイプの液晶
装置あるいはその駆動回路において、現在のトランジス
タ素子、配線等のハードに負担をかけることなく、液晶
層を短時間で確実にベンド配向へ転移させるしかも低コ
ストの技術の開発が望まれていた。

【００１０】また同様に、上述の他の用途への使用に際
しても、確実、容易な立上げ技術の開発が望まれてい
た。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上の課題を
解決することを目的としてなされたものであり、液晶を
使用した装置の各素子の構造に工夫を凝らしている。ま
た同じく、立上げのために可能な限り高い電圧を印加し
たり、電圧を印加する際のタイミング等に工夫を凝らし
ている。具体的には、以下のようにしている。

【００１２】第１の発明群の発明では、ＯＣＢタイプの
液晶表示装置等の構造に工夫を凝らし、その結果、立上
げのために、第１の基板のゲート線と第２の基板の対向
電極との間に在る液晶層に、通常の映像の表示時映時よ
りも高い電界強度が与えられ、これによりその部分がベ
ンド配向をすると、そこが核となってこれが成長し、液
晶層全体のベンド配向への移行を図るものである。この
際、液晶パネル内の他の部分に比較して高電圧で駆動し
ているゲート線を用いるため、ソース線駆動ＩＣや画素
トランジスタに負担を与えることなく液晶層に高い電界
強度を与えることができる。

【００１３】また、液晶層により高い電界強度を与える
ため、ゲート線上の絶縁膜の厚みを薄くして絶縁膜容量
を大きくし、ゲート線、対向電極間の電圧の分圧比を変
えている。

【００１４】また同じく、ゲート線上の絶縁膜に比誘電
率の高い材料を用いて絶縁膜容量を大きくし、ゲート
線、対向電極間の液晶層と絶縁膜の電圧の分圧比を変え
ている。

【００１５】また同じく、液晶層との間に他の金属膜や
半導体層が無い部分のゲート線を形成する金属の厚みを
厚くすることでゲート線上の液晶層の厚みを０．５〜
１．５μｍ程度薄くしている。

【００１６】また同じく、液晶層との間に他の金属膜や
半導体層が無い部分のゲート線上にソース線形成金属を
電気的に接触させて積層してゲート線の厚みを厚くして
ゲート線上の液晶層の厚みを薄くしている。

【００１７】また同じく、液晶層との間に他の金属膜や
半導体層が無い部分のゲート線上にソース線形成金属を
電気的に接触させずに積層してゲート線上の液晶層の厚
みを薄くしている。

【００１８】また同じく、第２の基板上の対向電極を第
１の基板のゲート線と対峙する部分とそれ以外の部分に
分け、ゲート線に対峙する部分の対向電極にそれ以外の
部分よりも高い電圧をかける。

【００１９】また同じく、第２の基板上でゲート線に対
峙する部分の対向電極厚みをそれ以外の部分よりも厚く
してゲート線上の液晶層の厚みを薄くしている。

【００２０】また同じく、第２の基板上のカラーフィル
ター形成樹脂を第１の基板のゲート線に対峙する部分で
積層してゲート線上の液晶層の厚みを薄くしている。

【００２１】また同じく、第２の基板上で、第１の基板
のゲート線に対峙する部分に柱状スペーサを設け、この
柱状スペーサと液晶層の間に対向基板電極を形成してゲ
ート線上の液晶層の厚みを薄くしている。

【００２２】第２の発明群では、液晶装置の立上げ用回
路等に工夫を凝らし、第１の基板の画素電極と第２の基
板の対向電極との間に、通常の映像の表示時よりも高い
電位差を所定の手順、規則にのっとって連続的に付与す
るものである。

【００２３】これにより、対向電極の変動が利用可能と
なる。また、走査タイミングや印加電位差の変更、変更
の制御により、ベンド配向への転移を促している。

【００２４】また同じく、第１の基板の画素電極と第２
の基板の対向電極との間に、通常映像表示期間とは異な
る第１種の電位差を連続的に付与する期間を設け、でき
るだけ広い面積で液晶層にかかる電位差を大きくするこ
とでベンド配向への転移核の生成を増やし、ベンド領域
の拡大を高速化し、ベンド配向への転移を短時間で行
う。

【００２５】また同じく、第１の基板の画素電極と第２
の基板の対向電極との間に、通常映像表示期間とは異な
る第１種の電位差を付与する第１種の電位差印加ステッ
プと、第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を付
与する第２種の電位差印加ステップを繰り返し制御ステ
ップで以って一回以上交互に与える駆動方式で、これら
の期間のうち、５０％から９５％の時間が第１種の電位
差印加ステップとし、ベンド配向の核の生成とベンド領
域の拡大を行う第１種の電位差印加ステップと、ベンド
配向の核の生成ができなかったりベンド領域の拡大が進
まなかった部分の液晶層の再整列を行う第２種の電位差
印加ステップを交互に与えることにより、パネル全面を
高速にベンド配向に転移させることができる。

【００２６】また同じく、第２種の電位差印加ステップ
に画素トランジスタをオンからオフにするときにゲート
線の電位変動に誘起されて画素電極に生じる電位変動分
を対向電極電位に反映した電位をソース線に与えて画素
電極の充電を行う充電小ステップを有し、ゲート線のオ
ン・オフタイミングを通常の映像表示期間から変更する
ことなく、画素電極の電位を所望の電位に固定してパネ
ル全面のベンド配向への転移を高速化できる。

【００２７】また同じく、第２種の電位差印加ステップ
に画素トランジスタをオンからオフにするときにゲート
線の電位変動に誘起されて画素電極に生じる電位変動分
を対向電極電位に反映した電位をソース線に与えて画素
電極の充電を行う充電小ステップを有し、第１種の電位
差印加ステップには第１種の電位差がより大きくなるよ
うにソース線の電位を第２種の電位差印加ステップとは
異なる電位にし、ベンド配向の核の生成とベンド領域の
拡大をより高速化して、パネル全面でのベンド配向への
転移を高速化する。

【００２８】また同じく、液晶層をベンド配向させるた
めの駆動を行う期間を第２種の電位差印加ステップから
開始し、液晶層の整列を先に行うことで画素電極と対向
電極の間に第１種の電位差を与える第１種の電位差印加
ステップでのベンド核の生成とベンド領域の拡大を高速
化し、パネル全面でのベンド配向への転移を高速化す
る。

【００２９】また同じく、液晶層をベンド配向させるた
めに画素電極と対向電極間に第１種の電位差を与える第
１種の電位差印加ステップと画素電極と対向電極間の電
位差を第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差にす
る第２種の電位差印加ステップを１回以上交互に与える
駆動方式で、第１種の電位差印加ステップあるいは第２
種の電位差印加ステップを終了し通常の入力映像情報表
示期間に移行するまでの間に、液晶層にかかる電位差が
大きい映像情報を１フィールド以上表示し、ベンド領域
の拡大で液晶層のベンド配向への転移を完了すること
で、パネル全面でのベンド配向への転移を高速化する。

【００３０】本第３の発明群は、液晶層の立上げ時の安
定化を図るものである。このため、電源の投入等に工夫
を凝らしている。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態に
基づいて説明する。

【００３２】｛第１の発明群｝本発明群は、主に画素の
絶縁膜の構造に工夫を凝らして、液晶層の転移用に高い
電圧が加わる様にしたものである。

【００３３】以下、本発明群をその実施の形態に基づい
て説明する。

【００３４】（第１−１の実施の形態）ここに「（第１
−１の実施の形態）」とは、「第１の発明群の第１の実
施の形態」という意味である。このため、「本発明群の
第２の実施の形態」ならば、「（第１−２の実施の形
態）」と記す。他の発明群でも同様である。

【００３５】なお、実際には、この様な回路構成の画素
が基板上に縦、横、幾列、幾行にも、更にケースによっ
ては多段にまで形成されているが、これは自明かつ煩雑
となるので、図示は省略する。そしてこれは、他の発明
群や実施の形態でも同様である。

【００３６】図２は、従来の液晶パネルの１画素分の構
造の平面（１）と、トランジスタ素子部のＡ−Ａの断面
（２）を示したものである。本図において、２１は、透
明画素電極である。３は、画素電極である。５は、液晶
層である。６４は、チャネル保護膜である。６５は、ａ
−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層である。６６は、ｎ
+ ａ−Ｓｉ層である。７は、ソース線電極である。７６
は、ソース線電極と液晶層間の絶縁膜である。８は、ゲ
ート線電極である。８６は、ゲート線電極とａ−Ｓｉ層
間の絶縁膜である。９は、対向電極である。

【００３７】図２に、図３で示す液晶パネルのゲート線
電極、対向電極間の容量性負荷を模式的に示す。

【００３８】本図において、８は、ゲート線電極であ
る。９は、対向電極である。Ｃ１は、液晶層の容量性負
荷である。Ｃ２は、ソース線電極と液晶層間の絶縁膜の
容量性負荷である。Ｃ３は、ゲート線電極とａ−Ｓｉ層
間の絶縁膜の容量性負荷である。

【００３９】図４に、本実施の形態の液晶パネルの１画
素分の構造の平面（１）とそのＡ−Ａの断面（２）を示
す。

【００４０】本図において、８はゲート線電極、７はソ
ース線電極、３は画素電極、６４はチャネル保護膜、６
５はａーＳｉ層、６６はｎ＋ａーＳｉ層、８６はゲート
線電極とａーＳｉ層間の第１の絶縁膜、７６２はソース
線電極と液晶層間の第２の絶縁膜、５は液晶層、９は対
向電極、２１は透明画素電極、８６２はゲート線電極と
ａーＳｉ層間の第２の絶縁膜、７６１は、ソース線電極
とａ−Ｓｉ層間の第１の絶縁膜である。

【００４１】以下、これら３図を用いて本実施の形態に
おける動作を説明する。

【００４２】図２において、ゲート線電極８と対向電極
９に電圧Ｖを印加すると、液晶層５とソース線電極７と
液晶層間の絶縁膜７６２とゲート線電極とａ−Ｓｉ層間
の絶縁膜８６それぞれの容量性負荷値の比で決まる電圧
が各層にかかる。その分圧をＶ１、Ｖ２、Ｖ３とする。
これらの関係を、図３を用いて説明する。

【００４３】単位面積Ｓあたりの容量性負荷値Ｃは、層
の比誘電率をε、層の厚みをｌ、真空の誘電率をε０と
すると、以下の（１−１式）で表される。 Ｃ＝ε０×ε×Ｓ／１ …（１−１式） 一方、直列に接続した容量性負荷Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３の分
圧Ｖ１は、以下の（１−２式）で表される。 Ｖ１＝Ｖ＊Ｃ２＊Ｃ３／（Ｃ１＊Ｃ２＋Ｃ２＊Ｃ３＋Ｃ３＊Ｃ１）（１−２式） となる。

【００４４】液晶層５、絶縁膜７６２、８６それぞれの
比誘電率、厚みをε１、ε２、ε３ｌ１、ｌ２、ｌ３と
すると、（１−２式）の分圧Ｖ１は Ｖ１＝Ｖ＊ε２＊ε３＊ｌ１／（ε１＊ε２＊ｌ３＋ε２＊ε３＊ｌ１＋ε３ ＊ε１＊ｌ２） （１−３式） となり、電界強度Ｅ１は Ｅ１＝Ｖ１／ｌ１ ＝Ｖ＊ε２＊ε３／（ε１＊ε２＊ｌ３＋ε２＊ε３＊ｌ１＋ε３＊ε１＊ｌ ２） ＝Ｖ／（ｌ１＋ｌ２＊ε１／ε２＋ｌ３＊ε１／ε３） （１−４式） となる。

【００４５】図４の構造では、ゲート線電極とａ−Ｓｉ
層間の絶縁膜とソース線電極と液晶層間の絶縁膜をそれ
ぞれ２層にしてパターニングすることでゲート線電極と
ａ−Ｓｉ層間、ソース線電極と液晶層間の絶縁は従来同
等のまま、ゲート線電極と液晶層間の絶縁膜を薄くして
いる。このような構造にすることにより、（１−４式）
であらわす電界強度Ｅ１の分母が小さくなり、結果的に
液晶層にかかる電界強度を高くすることができ、ベンド
配向への高速な転移が可能になる。

【００４６】液晶層の比誘電率は液晶の透過率によって
３〜８程度に変化し、絶縁膜として使用するＳｉＯｘ、
ＳｉＮｘ、ＴａＯｘの比誘電率はそれぞれ約３．９、約
６．４、約２３で、液晶の比誘電率のばらつきが均等な
場合、図１３の液晶層にかかる電界強度の方が従来の構
造の電界強度（１−４式）よりも高くなることが多い。
ベンド配向を有する液晶層を、初期のホモジニアス状態
からベンド配向に高速に転移させるためには液晶層にで
きるだけ高い電界強度を与えることが非常に有効である
ため、本実施の形態のように絶縁膜を薄くすることは大
変有効な手段となる。

【００４７】（第１ー２の実施の形態）図５に、本発明
の第１ー２の実施の形態の構造図を示す。

【００４８】本図において、８はゲート線電極、７はソ
ース線電極、３は画素電極、６４はチャネル保護膜、６
５はａ−Ｓｉ層、６６はｎ＋ａ−Ｓｉ層、８６はゲート
線電極とａ−Ｓｉ層間の絶縁膜、７６はソース線電極と
液晶層間の絶縁膜、５は液晶層、９は対向電極、２１は
透明画素電極であり、Ａは断面部を示す線である。

【００４９】先の第１の実施の形態（誤解が生じ無いの
で第１ー１の実施の形態をこの様に略記する。以下同様
である。）では絶縁膜をそれぞれ２層にしたが、本図５
に示すようにパターニングによりゲート線電極と液晶層
間の絶縁膜厚みを薄くしても同等の効果が得られる。

【００５０】（第１ー３の実施の形態）図６に第１ー３
の実施の形態の構成図を示す。

【００５１】本図においても、８はゲート線電極、７は
ソース線電極、３は画素電極、６４はチャネル保護膜、
６５はａ−Ｓｉ層、６６はｎ＋ａ−Ｓｉ層、８６はゲー
ト線電極とａ−Ｓｉ層間の絶縁膜、７６はソース線電極
と液晶層間の絶縁膜、５は液晶層、９は対向電極、２１
は透明画素電極であり、Ａは断面を示す線である。

【００５２】この構造では、ゲート線電極の膜厚を厚く
した所定部厚膜型ゲート線とすることでゲート線上の液
晶層の厚みが薄くなり、液晶層にかかる電界強度が高く
なり、ベンド配向への転移を高速にすることができる。

【００５３】ゲート線電極の膜厚は、通常０．２μｍか
ら０．６μｍ程度だが、これを約２倍にすることで、液
晶層の厚みを０．５μｍ程度薄くすることができる。

【００５４】（第１ー４の実施の形態）図７に第１ー４
の実施の形態の構成図を示す。

【００５５】本図においても、８はゲート線電極、７は
ソース線電極、３は画素電極、６４はチャネル保護膜、
６５はａ−Ｓｉ層、６６はｎ＋ａ−Ｓｉ層、８６はゲー
ト線電極とａ−Ｓｉ層間の絶縁膜、７６はソース線電極
と液晶層間の絶縁膜、５は液晶層、９は対向電極、２１
は透明画素電極であり、Ａは断面部を示す線であり、７
０はゲート線電極の上に電気的に接触させて積層したソ
ース線形成金属である。

【００５６】この構造では、ゲート線形成金属の上にソ
ース線形成金属を電気的に接触させて積層する一部接触
型ゲート線とすることにより実質的にゲート線電極の膜
厚を厚く、ゲート線上の液晶層の厚みを薄くし、液晶層
にかかる電界強度を高くすることでベンド配向への転移
を高速にすることができる。

【００５７】ソース線電極の膜厚は通常０．２μｍから
０．６μｍ程度であるため液晶層の厚みをそれだけ薄く
することができる。

【００５８】（第１ー５の実施の形態）図８に第１ー５
の実施の形態の構成図を示す。

【００５９】本図においても、８はゲート線電極、７は
ソース線電極、３は画素電極、６４はチャネル保護膜、
６５はａ−Ｓｉ層、６６はｎ＋ａ−Ｓｉ層、８６はゲー
ト線電極とａ−Ｓｉ層間の絶縁膜、７６はソース線電極
と液晶層間の絶縁膜、５は液晶層、９は対向電極、２１
は透明画素電極であり、Ａは断面部を示す線であり、７
１３はゲート線電極の上に電気的に接触させずに積層し
たソース線形成金属である。

【００６０】この構造では、ゲート線電極と対向電極の
間にソース線形成金属を電気的に絶縁して介在させる非
接触型ゲート線とすることでゲート線上の液晶層の厚み
を薄くし、液晶層にかかる電界強度を高くすることでベ
ンド配向への転移を高速にすることができる。

【００６１】（第１ー６の実施の形態）図９に第１ー６
の実施の形態の構成図を示す。本図において、１は第１
の基板、８はゲート線電極、７はソース線電極、６は画
素トランジスタ、２は第２の基板、９１は第１の基板の
ゲート線電極と向かい合う位置に形成した第１の対向電
極、９２は第１の対向電極とは電気的に絶縁された第２
の対向電極である。この分割型対向電極の構造では、第
１の対向電極と第２の対向電極を電気的に絶縁している
ため、電圧変動が液晶層や絶縁膜の容量性負荷を介して
画素電極や画素トランジスタに影響することを防ぎなが
らゲート線電極上の液晶層に任意の電界強度を与えるこ
とができ、ベンド配向への転移を高速に行うことができ
る。通常の映像表示時には第１の対向電極と第２の対向
電極を同電位にすることにより、対向電極がパターニン
グされていない従来の液晶表示装置と全く同等の画質を
得ることができる。

【００６２】（第１ー７の実施の形態）図１０に第１ー
７の実施の形態の液晶表示装置の断面図を示す。本図に
おいて１は第１の基板、８はゲート線電極、７はソース
線電極、８７は絶縁膜、２は第２の基板、１１は第１の
基板のゲート線電極と向かい合う位置に形成したブラッ
クマトリクス用金属、１２はカラーフィルター、５は液
晶層、９１は第２の基板上全面にほぼ均一に形成した１
層目の対向電極、９２は第１の基板のゲート線と向かい
合う位置に形成した２層目の対向電極である。この対峙
部厚膜対向電極の構造では、ゲート線上と向かい合う対
向電極を２層にすることでゲート線上の液晶層の厚みが
薄くなり電界強度を高くすることができ、ベンド配向へ
の転移を高速に行うことができる。

【００６３】（第１ー８の実施の形態）図１１に第１ー
８の実施の形態の液晶表示装置の断面図を示す。本図に
おいても１は第１の基板、８はゲート線電極、７はソー
ス線電極、８７は絶縁膜、２は第２の基板、１１は第１
の基板のゲート線電極と向かい合う位置に形成したブラ
ックマトリクス用金属、１２１は赤等第１の色彩のカラ
ーフィルター、１２２は青等他の第２の色彩のカラーフ
ィルター、９は対向電極、５は液晶層である。

【００６４】この構造では第２の基板上で、第１の基板
のゲート線電極と向かい合う部分でカラーフィルター形
成樹脂を積層することによりこの部分の対向電極を盛り
上げゲート線上の液晶層の厚みを薄くすることにより、
液晶層の電界強度を高くすることができ、ベンド配向へ
の転移を高速にすることができる。

【００６５】（第１ー９の実施の形態）図１２に第１ー
９の実施の形態の液晶表示装置の断面図を示す。本図に
おいても１は第１の基板、８はゲート線電極、７はソー
ス線電極、８７は絶縁膜、２は第２の基板、１１は第１
の基板のゲート線電極と向かい合う位置に形成したブラ
ックマトリクス用金属、１２はカラーフィルター、１１
１は第１の基板のゲート線に向かい合う部分に形成した
柱状スペーサ、９は対向電極、５は液晶層である。

【００６６】この構造では第２の基板上で、第１の基板
のゲート線電極と向かい合う部分に柱状スペーサを形成
し、この柱状スペーサと液晶層の間に対向電極を形成す
ることによりゲート線上の液晶層の厚みを薄くし、液晶
層の電界強度を高くすることができ、ベンド配向への転
移を高速にすることができる。

【００６７】なお、ここに第１の実施の形態から第９の
実施の形態まで９つの実施の形態で液晶パネルの構造を
説明したが、各実施の形態のうち複数を組み合わせてゲ
ート線上の液晶層の厚みを薄くすることはいずれか単独
で実施するよりもより高い効果を得やすく、かつ、対向
電極を分割してゲート線に向かい合う電極に任意の電圧
を印加すればさらに効果は増大する。

【００６８】｛第２の発明群｝本発明群は、液晶層の転
移のために、画素電極と対向電極間に通常の映像の表示
時よりも高い電圧をかけたり、２種の電圧をかけたり
し、更にそのための手段、デューティ比等に工夫を凝ら
したものである。

【００６９】（第２−１の実施の形態）図１３に、本実
施の形態の液晶装置の画素の回路を中心とした構成を示
す。本図において、３は、画素電極である。６は、画素
トランジスタである。７は、ソース線である。７１は、
次のソース線である。８は、ゲート線である。８１は、
前のゲート線である。９は、対向電極である。１０は、
全蓄積容量に接続する共通電極である。Ｃｇｄは、画素
トランジスタのゲート・ドレイン間の容量である。Ｃｓ
ｔは、画素電極に接続し、共通電極との間に形成する蓄
積容量である。Ｃｌｃは、液晶層の容量である。Ｃｇｓ
は、画素トランジスタのゲート・ソース間の容量であ
る。

【００７０】図１４に、この画素の構造を中心とした平
面と断面の概略を示す。本図において、６は画素トラン
ジスタ、２１は透明画素電極、Ｃｓｔは画素電極に接続
し、共通電極との間に形成する蓄積容量、Ｃｌｃは液晶
層の容量、７はソース線、７１は次のソース線、８はゲ
ート線、８１は前のゲート線、９は対向電極、１０は全
蓄積容量に接続する共通電極である。

【００７１】図１５に、１画素当たりの寸法の１例を示
す。本図において、Ｗｔは、画素の幅である。Ｌｔは、
画素の長さである。Ｗｐは、画素電極の幅である。Ｌｐ
は、画素電極の長さである。Ｗｓは、ソース線の幅であ
る。Ｗｇは、ゲート線の幅である。そして、１画素当た
りの面積３００００［μｍ2 ］中で、画素電極の面積は
１８２２４μｍ2 となり、１画素の６０．７％となる。

【００７２】これら図１３、１４、１５に示す本実施の
形態の液晶装置の動作を図１６に示す。

【００７３】図１６において、Ｖｇは、ゲート線の電圧
である。Ｖｓは、ソース線の電圧である。Ｖｐは、画素
電極の電圧である。Ｖｃｃは、共通電極の電圧である。
Ｖｃは、対向電極の電圧である。

【００７４】通常映像表示時には、ゲート線の電圧Ｖｇ
を画素トランジスタがオン状態になるまで変化させて、
ソース線の電圧Ｖｓを画素電極２１、蓄積容量Ｃｓｔ、
液晶容量Ｃｌｃに充電する。画素電極の電圧Ｖｐはソー
ス線の電圧Ｖｓと等しくなる。

【００７５】対向電極の電圧Ｖｃは画素電極の電圧Ｖｐ
との間で液晶の透過率が十分に変化する範囲であれば良
く、通常ＶｃとＶｐの電位差Ｖｐｃは０Ｖ〜５Ｖ程度に
設定する。液晶層をベンド配向させるには更に高い電位
差を連続的に液晶層にかける異電位差連続印加ステップ
が必要である。ベンド配向に転移するために必要な電位
差、時間は液晶材料によって異なるが、６Ｖ以上の電位
差を画素電極と対向電極の間に与えることで１秒以内に
転移が完了する材料があることが実験的に確認できてい
る。液晶表示装置としては、この転移時間が短いほど良
く、数秒から１０秒以内であることが望ましいが、その
ためにはより大きな電位差（２０Ｖから３０Ｖ程度）を
与えたり、液晶材料を選択することとなる。液晶層がベ
ンド配向に転移するための電位差はできるだけ広い面積
で与えることが望ましく、画素電極と対向電極の間に与
えることが図１５に示すように面積的にもっとも有効で
ある。

【００７６】（第２−２の実施の形態）図１３、図１
４、図１５を用いて第２の実施の形態における動作を図
１７で説明する。

【００７７】図１７においてＶｇはゲート線の電圧であ
る。Ｖｓはソース線の電圧である。Ｖｐは画素電極の電
圧である。Ｖｃｃは共通電極の電圧である。Ｖｃは対向
電極の電圧である。このような構成の液晶パネルにおけ
る通常映像表示時の動作は第１の実施の形態と同様で、
ＶｃとＶｐの間の電位差Ｖｐｃは０Ｖ〜５Ｖである。ベ
ンド配向に転移させるために画素電極と対向電極との間
に６Ｖ以上の第１種の電位差を連続的に与えた場合、液
晶パネルの構造や液晶材料によっては、転移状態が進ま
ず膠着する部分が発生し、そこだけが１０秒以上かかっ
ても転移できないことがある。そのようなパネルあるい
は液晶材料の条件の場合には対向電極の電圧Ｖｃを画素
電極の電圧Ｖｐに近づけ、液晶層にかかる電位差Ｖｐｃ
を小さい第２種の電位差にして液晶素子の配向を初期状
態に戻してから再度高い第１種の電位差を与える。この
ことにより、元々ベンド状態に転移していた液晶素子は
初期状態に戻してから再度電位差をかけ直しても転移し
やすいためすぐに転移し、転移状態が膠着していた部分
は新たに電位差をかけ直すことで転移しやすくなるた
め、結果的にパネル全面において短時間にベンド配向に
転移させることができる。

【００７８】図１８に本発明による液晶装置の制御手段
の構成の一例を示す。本図において、２０５は液晶パネ
ル、２０４は液晶パネルコントローラ、２０３は各種電
源電圧発生回路である。液晶パネルコントローラ２０４
には外部より起動スイッチ２１０が接続されている。こ
の起動スイッチ２１０は液晶パネルコントローラ２０４
の内部のカウンタ２１１とそれに続く２１２の切換手段
Ａが接続され、起動直後はこのカウンタにより、所定の
期間をカウントした後、通常映像信号発生部２１３から
の映像信号を液晶パネル２０５へ印加する。所定の期間
をカウント中は、２１４の電圧発生手段１と２１５の電
圧発生手段２を周期カウンタ２１６で設定された所定の
周期で、２１７の切換手段Ｂにより切換える。これらの
電圧発生手段は単一の電圧を発生するとは限定されな
い。液晶パネル２０５がアクティブ・マトリクスであ
り、この中の画素電極−対向電極間の液晶印加実効電位
差がポイントであるため、対向電極電圧は勿論、画素電
極電圧を決める要因となるソース線電圧、ゲート線電
圧、後述する蓄積容量の共通電極電圧の内、必要な電圧
を組み合わせて切換えることとなる。

【００７９】また、ここで述べた起動直後の所定の期間
とは約０．１秒ないし１０秒程度の時間であり、周期カ
ウンタ２１６で設定された所定の周期とは約０．１秒か
ら５秒程度の時間である。

【００８０】本実施の形態において、画素電極と対向電
極の間の電位差Ｖｐｃを第２種の電位差にする時間はベ
ンド配向への転移を初期状態に戻すための時間であるた
め、画素電極と対向電極の間に第１種の電位差を付与す
る時間に比べて同等以下の短い時間にするほうが液晶パ
ネル全体でのベンド配向への転移は短時間で終了する。
図１９に示すように、Ｖｐｃに高い第１種の電位差をか
けている第１種の電位差印加ステップのデューティ比が
０．５を超えると転移時間は格段に短くなる。この第１
種の電位差印加ステップは大体０．１秒から３秒程度で
ある。また、第１種の電位差印加ステップと第２種の電
位差印加ステップの切り替え時に発生する対向電極の電
圧変化のスルーレートの高低はベンド配向への転移時間
に直接影響しない。このため、対向電極のように高い負
荷の電極を駆動する場合であっても小さい電流駆動能力
しか持たない駆動素子を用いて緩やかに電圧を変化させ
ても同様の効果を得ることができる。図２０に示すよう
に、周期Ｔの繰り返し制御ステップで電位差Ｖｐｃを変
化させるとき、電位差の変化に要する時間ｔｒ、ｔｆは
それぞれ周期Ｔの３０％まで達しても速やかな転移が行
える。

【００８１】図２１で示すような回路で容量Ｃ［Ｆ］を
ｔ秒でＶ［Ｖ］変化させるために必要な電流ｉ［Ａ］は
次式で得られ、 ｉ＝Ｃ＊Ｖ／ｔ １０［ｕＦ］の容量の対向電極を、３００ミリ秒で１０
［Ｖ］変化させるために必要な電流駆動能力は０．３３
［ｍＡ］となり、汎用的なオペアンプないしは低消費電
力型のオペアンプ等の電流駆動素子で回路を構成するこ
とができる。また、図示はしないが、パルス状信号源と
直列抵抗によって容量素子を駆動しても良い。

【００８２】（第２−３の実施の形態）図１３、図１
４、図１５を用いて第１の実施の形態において共通電極
の電位変化により第１種の電位差を大きくする共通電極
電位変動利用型の場合を第３の実施の形態としてその動
作を図２２で説明する。構成は第１の実施の形態と同じ
である。

【００８３】図２２においてＶｇはゲート線の電圧であ
る。Ｖｓはソース線の電圧である。Ｖｐは画素電極の電
圧である。Ｖｃｃは共通電極の電圧である。Ｖｃは対向
電極の電圧である。

【００８４】画素トランジスタがオンの期間、画素電極
にはソース線の電位Ｖｓが書き込まれ、画素トランジス
タがオフになるとき、ゲート線の電圧変化ΔＶｇに合わ
せて（２−１式）で算出される突き抜け電圧分ΔＶｐ１
だけ画素電極の電位Ｖｐは変化する。さらに、画素トラ
ンジスタがオフの期間に蓄積容量の電極となっている共
通電極の電位ＶｃｃをΔＶｃｃだけ変化させると（２−
２式）で算出される突き抜け電圧ΔＶｐ２が画素電極に
発生する。本図に示す信号変化の場合、ΔＶｐ１よりも
ΔＶｐ２を大きくすることでソース線から書き込んだ電
位Ｖｓよりも高い電位を画素電極に与えることができ、
画素電極と対向電極との間の電位差Ｖｐｃがより大きく
なり、液晶層のベンド配向への転移時間を短くすること
ができる。

【００８５】 ΔＶｐ１＝ΔＶｇ＊Ｃｇｄ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ＋Ｃｇｄ） （２−１式） ΔＶｐ２＝ΔＶｃｃ＊Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ＋Ｃｇｄ） （２−２式） この時、図２３に示すように共通電極の電圧をゲート信
号の電圧と同じにしてもＶｐｃを十分大きくでき、か
つ、電圧の共用により電源回路の規模を小さくすること
ができる。

【００８６】（第２−４の実施の形態）図２４は液晶パ
ネルの１画素分の構成図を示す。本図において６は画素
トランジスタ、３は画素電極、Ｃｇｄは画素トランジス
タのゲート・ドレイン間容量、Ｃｓｔは画素電極に接続
し、前段のゲート線との間に形成する蓄積容量、Ｃｌｃ
は液晶層の容量、Ｃｇｓは画素トランジスタのゲート・
ソース間容量、７はソース線、７１は次のソース線、８
はゲート線、８１は前のゲート線、１１は対向電極であ
る。このような構成の液晶パネルは前段ゲート方式と呼
ばれ、図１３、図１４に示す構成に比べて共通電極を削
除できるため開口率を高くできる。

【００８７】図２５に画素構造の平面・断面概略図を示
す。６は画素トランジスタ、２１は透明画素電極、Ｃｓ
ｔは画素電極に接続し、前段のゲート線との間に形成す
る蓄積容量、Ｃｌｃは液晶層の容量、７はソース線、７
１は次のソース線、８はゲート線、８１は前のゲート
線、９は対向電極である。

【００８８】図２６に１画素当たりの寸法の１例を示
す。Ｗｔは画素の幅、Ｌｔは画素の長さＬｔ、Ｗｐは画
素電極の幅、Ｌｐは画素電極の長さ、Ｗｓはソース線の
幅、Ｗｇはゲート線の幅、Ｗｓｔは蓄積容量部の長辺、
Ｌｓｔは画素電極とゲート線の間隙であり、１画素当た
りの面積３００００［μｍ＾２］中、画素電極の面積は
１８５６４［μｍ＾２］で１画素の６１．９％となる。

【００８９】図２４、図２５、図２６を用いて第２の実
施の形態において前段のゲート線の電位変化により第１
種の電位差を大きくするゲート線電位変動利用型の場合
を第４の実施の形態としてその動作を図２７で説明す
る。

【００９０】本図においてＶｇはゲート線の電圧、Ｖｓ
はソース線７の電圧、Ｖｐは画素電極の電圧、Ｖｇ−は
前段のゲート線８１の電圧、Ｖｃは対向電極の電圧であ
る。

【００９１】通常映像表示時には、ゲート線の電圧Ｖｇ
を画素トランジスタがオン状態になるまで変化させて、
ソース線の電圧Ｖｓを透明画素電極２１、蓄積容量Ｃｓ
ｔ、液晶容量Ｃｌｃに充電する。透明画素電極２１の電
圧Ｖｐはソース線７の電圧Ｖｓと等しくなる。

【００９２】画素トランジスタがオフになるとき、ゲー
ト線の電圧変化ΔＶｇに合わせて（２−３式）で算出さ
れる突き抜け電圧分ΔＶｐ３だけ画素電極の電位Ｖｐは
変化する。さらに、画素トランジスタがオフの期間に蓄
積容量の電極となっている前段のゲート線の電位Ｖｇ−
をΔＶｇ−だけ変化させると（２−４式）で算出される
突き抜け電圧ΔＶｐ４が画素電極に発生する。図２７に
示す信号変化の場合、ΔＶｐ３よりもΔＶｐ４を大きく
することでソース線から書き込んだ電位Ｖｓよりも高い
電位を画素電極に与えることができ、画素電極と対向電
極との間の電位差Ｖｐｃがより大きくなり、液晶層のベ
ンド配向への転移時間を短くすることができる。

【００９３】 ΔＶｐ３＝ΔＶｇ＊Ｃｇｄ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ＋Ｃｇｄ） （２−３式） ΔＶｐ４＝ΔＶｇ−＊Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ＋Ｃｇｄ） （２−４式） 図２６に示すように一画素中で画素電極が占める面積割
合は６１．９％とかなり大きいため、画素電極と対向電
極との間に大きい電位差をかけることは非常に有効であ
る。

【００９４】このような構成の液晶パネルにおける通常
映像表示時のＶｃとＶｐの間の電位差Ｖｐｃは０Ｖ〜５
Ｖである。ベンド配向に転移させるために画素電極と対
向電極との間に６Ｖ以上の電位差を直流で与えた場合、
液晶パネルの構造や液晶材料によっては、転移状態が進
まず膠着した液晶素子が１０秒以上かかっても転移でき
ないことがある。そのようなパネルあるいは液晶材料の
条件の場合には対向電極の電圧Ｖｃを画素電極の電圧Ｖ
ｓに近づけ、液晶層にかかる電位差Ｖｐｃを小さい第２
種の電位差にして液晶素子の配向を初期状態に戻してか
ら再度高い第１種の電位差を与えることにより、転移状
態が膠着していた部分に新たに電位差をかけ直し、結果
的にパネル全面において短時間にベンド配向に転移させ
ることができる。

【００９５】本実施の形態では前段のゲート線との間に
蓄積容量を設けたが後段のゲート線との間に蓄積容量を
設けた場合でも同等の動作で同等の効果が得られる。

【００９６】（第２−５の実施の形態）図２８に示す画
素の電極電位のタイムチャートと図１３の接続図を用い
て第２ー５の実施の形態における動作を説明する。

【００９７】図２８において、太い点線は対向電極電位
を、細い点線はゲート線電位を、細い実線はソース線電
位を、太い実線は画素電極電位を示す。下部のＶｐｃは
画素電極・対向電極間電位差の変動を示す。Ｔｃは通常
映像表示期間、Ｔ12は１回目の第２種の電位差印加ステ
ップ、Ｔ11は１回目の第１種の電位差印加ステップ、Ｔ
22は２回目の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ21は２回
目の第１種の電位差印加ステップである。各種の画素電
極電位の変動要因を示している。

【００９８】本図において、Ｔ12、Ｔ11、Ｔ22、Ｔ21は
繰り返し制御ステップで繰り返している。液晶層をベン
ド配向させるための駆動期間の１回目の第２種の電位差
印加ステップＴ12が開始すると、対向電極電位を通常映
像表示期間とは異なる第２の電位とする。画素電極電位
は、液晶容量を介して対向電極と接続し、この瞬間には
画素トランジスタがオフで電流の供給がないため、対向
電極電位の変化分ΔＶｃｏｍに対して、（２−５式）に
示すΔＶｐ５だけ、本図の期間Ｔ12の左側に示すように
対向電極電位が変化した方向に電位が変化する。

【００９９】 ΔＶｐ５＝ΔＶｃｏｍ＊Ｃｌｃ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ＋Ｃｇｄ） （２−５式） ゲート線電位が画素トランジスタをオンからオフにする
ときの電位変動分ΔＶｇが画素電極に影響を与える電位
変動分は（２−６式）に示すΔＶｐ６となる。

【０１００】ソース線電位を、対向電極電位にΔＶｐ６
を上乗せした電位とし、画素トランジスタをオフにする
と、画素電極電位は本図の期間Ｔ12の中央ゲート電極電
位変動に示すようにΔＶｐ６だけ下がり、対向電極電位
との電位差はほぼゼロの第２種の電位差になる。

【０１０１】 ΔＶｐ６＝ΔＶｇ＊Ｃｇｄ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ＋Ｃｇｄ） （２−６式） 以降、１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12中は、
画素トランジスタがオンで画素電極にソース線電位を充
電している充電小ステップ中を除いては画素電極電位と
対向電極電位との電位差はほぼゼロの第２種の電位差に
なる。

【０１０２】１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12
から１回目の第１種の電位差印加ステップＴ11に移行す
ると、画素電極電位と対向電極電位との電位差を第１種
の電位差にするために対向電極電位を第１の電位に変化
させ、画素電極電位はその影響を受けて本図の期間Ｔ11
内左側に示す対向電極電位変動のように対向電極電位が
変化した方向に変化する。

【０１０３】ソース線電位を１回目の第２種の電位差印
加ステップＴ12同様、対向電極電位にΔＶｐ６を上乗せ
した電位として画素トランジスタを充電小ステップで一
度オン・オフすると、画素電極電位は第２種の電位差印
加ステップの対向電極電位とほぼ等しい電位までは下が
るが、第１種の電位差印加ステップでは画素電極電位と
対向電極電位の間の電位差が液晶層がベンド配向に転移
するのに必要な十分に大きい第１種の電位差になるよう
に対向電極電位を設定する。以降、１回目の第１種の電
位差印加ステップＴ11中は、画素電極電位と対向電極電
位の間の電位差は、液晶層のベンド配向への転移に必要
な第１種の電位差が与えられている。

【０１０４】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
が開始すると、対向電極電位が変化するため画素電極電
位はその影響で本図の期間Ｔ22の左側の対向電極電位変
動（注、この文の記載は期間Ｔ12内に在る。）に示すよ
うに対向電極電位が変化した方向に電位が変化する。充
電小ステップで画素トランジスタのオン・オフを一度行
うと、１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12と同様
に、画素トランジスタがオンになり画素電極にソース線
電位を充電している時以外は画素電極・対向電極間の電
位差はほぼゼロの第２種の電位差になる。

【０１０５】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
から２回目の第１種の電位差印加ステップＴ21に移行す
ると、１回目の第１種の電位差印加ステップ同様に画素
電極・対向電極間の電位差は、液晶層のベンド配向への
転移に必要な第１種の電位差が与えられている。

【０１０６】以降、液晶層のベンド配向への転移が完了
するまで繰り返し制御ステップで第２種の電位差印加ス
テップと第１種の電位差印加ステップを交互に繰り返
し、第２種の電位差印加ステップでは期間開始後１回目
の画素トランジスタがオンするまでの間および充電小ス
テップで画素トランジスタがオンしている時以外は画素
電極・対向電極間の電位差はほとんどゼロの第２種の電
位差になり、第１種の電位差印加ステップでは期間開始
後１回目の画素トランジスタがオンするまでの間以外は
画素電極・対向電極間は液晶層がベンド配向へ転移する
ために必要な十分に大きな第１種の電位差が与えられて
いる。

【０１０７】画素電極と対向電極の間の電位差を大きく
し，ベンド配向の核の発生とベンド領域の拡大を行う第
１種の電位差印加ステップと、画素電極と対向電極の間
の電位差を小さくしてベンド配向の核が発生しなかった
りベンド領域の拡大が行われなかった部分の液晶層の再
整列を行う第２種の電位差印加ステップを交互に与える
ことで、パネル全面を高速にベンド配向に転移させるこ
とができる。

【０１０８】第２種の電位差印加ステップ中の画素電極
・対向電極間の第２種の電位差はゼロであることが望ま
しいが、図２９に示すように±１Ｖの範囲内であれば面
内転移完了時間にあまり影響しない。蓄積容量Ｃｓｔ、
液晶容量Ｃｌｃ、ゲート・ドレイン間容量Ｃｇｄはその
膜厚、膜質によってパネル内部でもパネル相互にもバラ
ツキがあり、ゲート線電位の変化の影響を受ける画素電
極電位の変化分ΔＶｐ６にもバラツキが生じるが、その
バラツキが±１Ｖ以内に収まれば、第２種の電位差印加
ステップのソース線電位をパ３７毎に調整する必要はな
くソース線電位を固定した駆動方法を決定できる。

【０１０９】（第２−６の実施の形態）図３０、図１３
を用いて第５の実施の形態の第２種の電位差印加ステッ
プに画素トランジスタのオン・オフタイミングに合わせ
てソース線電位を変化させる場合の第６の実施の形態の
動作を説明する。

【０１１０】図３０に、図１３で示す画素の電極電位の
タイムチャートを示す。

【０１１１】本図において、太い点線は対向電極電位
を、細い点線はゲート線電位を、細い実線はソース線電
位を、太い実線は画素電極電位を示す。下部のＶｐｃは
画素電極・対向電極間電位差、Ｖｓｃはソース線・対向
電極間電位差である。Ｔｃは通常映像表示期間、Ｔ12は
１回目の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ11は１回目の
第１種の電位差印加ステップ、Ｔ22は２回目の第２種の
電位差印加ステップ、Ｔ21は２回目の第１種の電位差印
加ステップである。また、各種の画素電極電位の変動要
因を示す。

【０１１２】本図において、液晶層をベンド配向させる
ための駆動期間の１回目の第２種の電位差印加ステップ
Ｔ12が開始すると、対向電極電位を通常映像表示期間と
は異なる第２の電位とする。画素電極電位は、対向電極
電位変動分をΔＶｃｏｍとすると（２−５式）に示す様
にΔＶｐ５だけ、本図の対向電極電位変動に示すように
対向電極電位が変化した方向に電位が変化する。ソース
線電位を、対向電極電位にΔＶｐ６を上乗せした電位と
し、充電小ステップで画素トランジスタを一度オン・オ
フすると、画素電極電位は本図のゲート電極電位変動に
示すように、ΔＶｐ６だけ下がり、対向電極との電位差
はほぼゼロの第２種の電位差になる。ソース線電位は画
素トランジスタがオフしている間は対向電極電位とほぼ
等しい電位とし、Ｖｓｃのように、充電小ステップで画
素トランジスタのオン・オフタイミングに合わせて変動
させる。

【０１１３】以降、１回目の第２種の電位差印加ステッ
プＴ12中は、通常映像表示期間と同様のタイミングで画
素トランジスタがオン・オフし、その都度ソース線電位
は変化し、画素トランジスタがオフしているときには画
素電極・対向電極および画素電極・ソース線電位間は電
位差はほぼゼロの第２種の電位差になる。

【０１１４】この画素トランジスタがオフしているとき
のソース線電位は、対向電極との間の電位差が±１Ｖの
範囲内であれば面内転移完了時間に何ら変わりはない。
このことは第５の実施の形態で画素電極と対向電極の間
の電位差が±１Ｖの範囲内であれば面内転移完了時間に
あまり影響しないと図２９を用いて述べたのと同様であ
る。

【０１１５】１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12
から１回目の第１種の電位差印加ステップＴ11に移行す
ると、画素電極と対向電極の間の電位差を第１種の電位
差にするため対向電極電位を第１の電位にし、画素電極
電位はその影響を受けて本図の期間Ｔ11左側対向電極電
位変動に示すように対向電極電位の変化した方向にΔＶ
ｐ５だけ変化する。ソース線電位を１回目の第２種の電
位差印加ステップＴ12同様、対向電極電位にΔＶｐ６を
上乗せした電位として充電小ステップで画素トランジス
タを一度オン・オフすると、画素電極電位は第２種の電
位差印加ステップの対向電極電位とほぼ等しくなる。

【０１１６】この第１種の電位差印加ステップにおいて
もソース線電位は画素トランジスタのオン・オフのタイ
ミングで電位を変化し、第１種の電位差印加ステップで
は画素電極・対向電極間およびソース線・対向電極間の
電位差は、第２種の電位差印加ステップの対向電極電位
と第１種の電位差印加ステップの対向電極電位の電位差
とほぼ等しい。そこで、第１種の電位差印加ステップの
対向電極電位と第２種の電位差印加ステップの対向電極
電位の電位差が液晶層の転移に必要な第１種の電位差に
なるようそれぞれの期間の対向電極電位を設定する。

【０１１７】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
が開始すると、対向電極電位が変化するため画素電極電
位はその影響で本図の期間Ｔ22内左側の対向電極電位変
動で示す（説明の記載は期間Ｔ12内。）ように対向電極
電位の変化した方向に電位が変化する。その後の画素ト
ランジスタによる充電動作で画素電極電位は１回目の第
２種の電位差印加ステップと同様の変化をし、対向電極
電位とほぼ等しくなる。

【０１１８】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
から２回目の第１種の電位差印加ステップＴ21に移行す
ると、対向電極電位は１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様に変化し、この期間中も画素トランジスタに
よる画素電極の充電で、１回目の第１種の電位差印加ス
テップＴ11と同様の第１種の電位差が画素電極・対向電
極間に与えられる。

【０１１９】以降、液晶層のベンド配向への転移が完了
するまで繰り返し制御ステップで第２種の電位差印加ス
テップと第１種の電位差印加ステップを交互に繰り返
し、第２種の電位差印加ステップでは画素電極・対向電
極間およびソース線・対向電極間の電位差はほとんどゼ
ロの第２種の電位差になり、第１種の電位差印加ステッ
プでは画素電極・対向電極間には液晶層がベンド配向に
転移するために必要な十分に大きな第１種の電位差が与
えられる。

【０１２０】この例では、第５の実施の形態で述べた動
作に加えて、第２種の電位差印加ステップ中に、面内の
大部分の面積を占める画素電極およびソース線と対向電
極との電位差をゼロにするので、ソース線電位を変動さ
せる煩雑さはあるが、第５の実施の形態よりも液晶層の
ベンド配向への転移を更に高速化できる。

【０１２１】（第２−７の実施の形態）図３１、図１３
を用いて第５の実施の形態の画素トランジスタのオンに
よる画素電極充電を液晶層をベンド配向させるための駆
動期間の初期に１回行う場合の第２−７の実施の形態の
動作を説明する。

【０１２２】図３１に、図１３で示す画素の電極電位の
タイムチャートを示す。図３１において、太い点線は対
向電極電位を、細い点線はゲート線電位を、細い実線は
ソース線電位を、太い実線は画素電極電位を示す。下部
のＶｐｃは画素電極・対向電極間電位差である。Ｔｃは
通常映像表示期間、Ｔ12は１回目の第２種の電位差印加
ステップ、Ｔ11は１回目の第１種の電位差印加ステッ
プ、Ｔ22は２回目の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ21
は２回目の第１種の電位差印加ステップである。また、
各種の画素電極電位の変動要因をも示す。

【０１２３】本図において、液晶層をベンド配向させる
ための駆動期間の１回目の第２種の電位差印加ステップ
Ｔ12が開始すると、対向電極電位を通常映像表示期間と
は異なる第２の電位とする。画素電極電位は、対向電極
電位変動の影響を受けて、本図の期間Ｔ12内の対向電極
電位変動に示すように対向電極電位が変化した方向にΔ
Ｖｐ５だけ電位が変化する。ソース線電位を、対向電極
電位にΔＶｐ６を上乗せした電位とし、画素トランジス
タを一度オン・オフすると、画素電極電位は本図のゲー
ト電極電位変動に示すようにΔＶｐ６だけ下がり、対向
電極電位とほぼ等しくなる。以降、１回目の第２種の電
位差印加ステップＴ12中は、ゲート線電位の変化はな
く、画素電極電位と対向電極電位１の電位差はほぼゼロ
の第２種の電位差のままである。

【０１２４】１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12
から１回目の第１種の電位差印加ステップＴ12に移行す
ると、画素電極・対向電極間の電位差を第１種の電位差
にするため対向電極電位を第１の電位にし、画素電極電
位はその影響を受けて本図の期間Ｔ12内左側対向電極電
位変動に示すように対向電極電位の変化した方向にΔＶ
ｐ５だけ変化する。第１種の電位差印加ステップに移行
しても画素トランジスタオンによる画素電極の充電は行
われないため画素電極の電位は対向電極電位の変動によ
り影響を受けた電位を維持し、画素電極・対向電極間の
電位差が液晶層のベンド配向への転移に必要な十分に大
きい第１種の電位差になるように対向電極電位を設定す
る。

【０１２５】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
が開始すると、対向電極電位を第２の電位に変化するた
め画素電極電位はその影響で本図の期間Ｔ12から期間Ｔ
22への移行部に示す対向電極電位変動に示すように対向
電極電位が変化した方向に電位が変化するが、その電位
は１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12のゲート電
極電位変動での画素電極電位と等しく、対向電極電位と
の電位差はほぼゼロの第２種の電位差になる。

【０１２６】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
から２回目の第１種の電位差印加ステップＴ21に移行す
ると、対向電極電位は１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様に第１の電位に変化し、この期間中も画素電
極の充電は行われず、１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様の第１種の電位差が画素電極・対向電極間に
は与えられる。

【０１２７】以降、液晶層のベンド配向への転移が完了
するまで繰り返し制御ステップで第２種の電位差印加ス
テップと第１種の電位差印加ステップを交互に繰り返
し、第２種の電位差印加ステップでは画素電極・対向電
極間の電位差はほとんどゼロの第２種の電位差になり、
第１種の電位差印加ステップでは画素電極・対向電極間
には液晶層が転移するために必要な十分に大きな第１種
の電位差が与えられる。

【０１２８】この例では、画素トランジスタのオン・オ
フタイミングを通常映像表示期間とは変えるという煩雑
さはあるが、第２種の電位差印加ステップ中の画素トラ
ンジスタオンによる画素電極充電回数が通常タイミング
よりも少ないため、画素電極・対向電極間電位差がゼロ
の時間が第２種の電位差印加ステップ中に多くなり、第
５の実施の形態よりも液晶層のベンド配向への転移を高
速化できる。

【０１２９】なお、画素電極の充電が１回の画素トラン
ジスタのオンでは不十分な場合や、液晶層をベンド配向
に転移させるための駆動期間が通常の映像表示期間に対
して非同期に開始し、画素トランジスタを確実にオンに
するために回数のマージンが必要な場合には、液晶層を
ベンド配向に転移させるための駆動期間の初めの画素ト
ランジスタオンによる画素電極充電を１回ではなく数回
行っても効果にあまり影響しない。

【０１３０】また、１回目の画素トランジスタのオン
は、通常の映像表示タイミングから、液晶層をベンド配
向させるための駆動への切り替えを済ませた後、１フィ
ールド期間（通常１６．７ミリ秒）以内に行なわれる。

【０１３１】（第２−８の実施の形態）図３２、図１３
を用いて第５の実施の形態の充電小ステップでの画素ト
ランジスタのオンによる画素電極充電を液晶層をベンド
配向させるための駆動期間内の第１種の電位差印加ステ
ップ、第２種の電位差印加ステップそれぞれの初期に１
回行う場合の第８の実施の形態の動作を説明する。

【０１３２】図３２は、図１３で示す画素の電極電位の
タイムチャートを示す。

【０１３３】本図において、太い点線は対向電極電位、
細い点線はゲート線電位、細い実線はソース線電位、太
い実線は画素電極電位である。下部のＶｐｃは画素電極
・対向電極間電位差である。Ｔｃ通常映像表示期間、Ｔ
12は１回目の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ11は１回
目の第１種の電位差印加ステップ、Ｔ22は２回目の第２
種の電位差印加ステップ、Ｔ21は２回目の第１種の電位
差印加ステップである。また、各種の画素電極電位の変
動要因を示す。

【０１３４】図３２において、液晶層をベンド配向させ
るための駆動期間の１回目の第２種の電位差印加ステッ
プＴ12が開始すると、対向電極電位を通常映像表示期間
とは異なる第２の電位にする。画素電極電位は対向電極
電位変動の影響を受けて、本図の期間Ｔ12内の左側の対
向電極電位変動に示すように対向電極電位が変化した方
向に電位がΔＶｐ５だけ変化する。

【０１３５】ソース線電位を、対向電極電位にΔＶｐ６
を上乗せした電位とし、充電小ステップで画素トランジ
スタを一度オン・オフすると、画素電極電位は期間Ｔ12
内中央のゲート電極電位変動に示すようにΔＶｐ６だけ
下がり、対向電極電位とほぼ等しくなる。以降、１回目
の第２種の電位差印加ステップＴ12中は、ゲート線電位
の変化はなく、画素電極・対向電極間の電位差はほぼゼ
ロの第２種の電位差のままである。

【０１３６】１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12
から１回目の第１種の電位差印加ステップＴ11に移行す
ると、画素電極・対向電極間の電位差を第１種の電位差
にするため対向電極電位を第１の電位にし、画素電極電
位はその影響を受けて期間Ｔ11の左側対向電極電位変動
に示すように対向電極電位が変化した方向にΔＶｐ５だ
け変化する。ソース線電位を１回目の第２種の電位差印
加ステップＴ12同様、対向電極電位にΔＶｐ６を上乗せ
した電位として充電小ステップで画素トランジスタを一
度オン・オフすると画素電極電位はゲート電極電位変動
と同様に、第２種の電位差印加ステップの対向電極電位
とほぼ等しくなる。

【０１３７】以降、１回目の第１種の電位差印加ステッ
プＴ11中は画素トランジスタオンによる画素電極の充電
がないので画素電極電位は変化しない。このように第１
種の電位差印加ステップでは画素電極と対向電極間の電
位差は、第２種の電位差印加ステップの対向電極電位と
第１種の電位差印加ステップの対向電極電位の電位差と
ほぼ等しい。そこで、第１種の電位差印加ステップの対
向電極電位と第２種の電位差印加ステップの対向電極電
位の電位差が液晶層のベンド配向への転移に必要な電位
差になるよう各期間の対向電極電位を設定する。

【０１３８】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
が開始すると、対向電極電位が変化するため画素電極電
位はその影響で期間Ｔ12と期間Ｔ22の境部の対向電極電
位変動に示すように対向電極電位が変化した方向に電位
が変化する。その後の画素トランジスタオンによる画素
電極充電動作でその電位は１回目の第２種の電位差印加
ステップでの画素電極電位となり、対向電極電位との電
位差はほぼゼロの第２種の電位差になる。

【０１３９】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
から２回目の第１種の電位差印加ステップＴ21に移行す
ると、対向電極電位は１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様に変化するが、この期間中も初期の画素トラ
ンジスタオンにより、１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様の第１種の電位差が画素電極・対向電極間に
は与えられる。

【０１４０】以降、液晶層のベンド配向への転移が完了
するまで繰り返し制御ステップで第２種の電位差印加ス
テップと第１種の電位差印加ステップを交互に繰り返
し、第２種の電位差印加ステップでは画素電極・対向電
極間の電位差はほとんどゼロの第２種の電位差になり、
第１種の電位差印加ステップでは画素電極・対向電極間
の電位差は液晶層が転移するために必要な十分に大きな
第１種の電位差が与えられる。

【０１４１】画素電極へのソース線電位の充電を各期間
の初期に１回しか行わないことにより、第７の実施の形
態よりも画素トランジスタオン・オフタイミングの制御
はより煩雑になるが、第２種の電位差印加ステップ中に
画素トランジスタがオンになり画素電極と対向電極の電
位差がゼロでなくなる時間を減らしつつ、画素電極電位
を各期間の初期に確定して対向電極電位の変動の影響を
排除し、第５の実施の形態・第７の実施の形態よりもパ
ネル全面でのベンド配向への転移を高速化している。

【０１４２】第７の実施の形態と同様に、画素電極の充
電が１回の画素トランジスタのオンでは不十分な場合
や、液晶層をベンド配向に転移させるための駆動期間が
通常の映像表示期間に対して非同期に開始し画素トラン
ジスタを確実にオンにするために回数のマージンが必要
な場合には、各期間の初めの画素トランジスタオンによ
る画素電極充電は１回ではなく数回行っても効果にあま
り影響しない。

【０１４３】（第２−９の実施の形態）図３３と図２４
を用いて第５の実施の形態の液晶層をベンド配向させる
ための駆動期間中、ゲート線のオフ電圧を直流にする場
合の第９の実施の形態の動作を説明する。

【０１４４】図３３に、図２４で示す画素の電極電位の
タイムチャートを示す。

【０１４５】本図において、液晶層をベンド配向させる
ための駆動期間の電気的動作タイミングは第５の実施の
形態と同様である。図２４の構造の液晶パネルでは、前
段のゲート線８１と透明画素電極２１との間に蓄積容量
Ｃｓｔを形成し、通常映像表示期間には画素の隣り合う
行の間に電位差を与えるために、前段のゲート線の電位
と対向電極の電位をおなじ方向に変化させている。この
動作はゲート線が画素トランジスタをオフにする電位す
なわちオフ電圧を選択している間中行われる。

【０１４６】液晶層をベンド配向させるための駆動期間
中もこの動作が継続すると、前段のゲート線のオフ電圧
の変動で式（６）のΔＶｐ６だけ画素電極電位が変動
し、特に第２種の電位差印加ステップで画素電極・対向
電極間の電位差をほぼゼロの第２種の電位差にしたいに
もかかわらず、数ボルトの電位差が生じる。第２種の電
位差印加ステップでの画素電極・対向電極間の電位差は
図２９に示すように１ボルトを超えると、転移完了時間
が長くなる。

【０１４７】そこで、図３３のように液晶層をベンド配
向させるための駆動期間中、ゲート線オフ電圧直流保持
ステップでゲート線のオフ電圧を直流にすることによ
り、第２種の電位差印加ステップでの画素電極の電位変
動を回避でき、パネル全面でのベンド配向への転移を高
速化できる。

【０１４８】（第２−１０の実施の形態）図３４、図１
３を用いて第１０の実施の形態における動作を説明す
る。

【０１４９】図３４に、図１３で示す画素の電極電位の
タイムチャートを示す。

【０１５０】本図において、太い点線は対向電極電位
を、細い点線はゲート線電位を、細い実線はソース線電
位を、太い実線は画素電極電位を示す。下部のＶｐｃ
は、画素電極・対向電極間電位差であり、Ｖｓｃはソー
ス線・対向電極間電位差である。Ｔｃは通常映像表示期
間、Ｔ12は１回目の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ11
は１回目の第１種の電位差印加ステップ、Ｔ22は２回目
の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ21は２回目の第１種
の電位差印加ステップである。また、各種の画素電極電
位の変動要因を示す。

【０１５１】図３４において、液晶層をベンド配向させ
るための駆動期間の1 回目の第２種の電位差印加ステッ
プＴ12が開始すると、対向電極電位を通常映像表示期間
とは異なる第２の電位とする。画素電極電位４は液晶容
量Ｃｌｃを介して対向電極と接続し、この瞬間には画素
トランジスタがオフで電流供給がないため、対向電極電
位変動分ΔＶｃｏｍに対して式（５）のΔＶｐ５だけＴ
12の左端の対向電極電位変動に示すように対向電極電位
の変化した方向に電位が変化する。ソース線電位を、対
向電極電位にΔＶｐ６を上乗せした電位とし、充電小ス
テップで画素トランジスタを一度オン・オフすると、画
素電極電位は期間Ｔ12中央のゲート電極電位変動に示す
ように、ΔＶｐ６だけ下がり、対向電極電位とほぼ等し
くなる。

【０１５２】１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12
から１回目の第１種の電位差印加ステップＴ11に移行す
ると、画素電極・対向電極間の電位差を第１種の電位差
にするため、対向電極電位を第１の電位に変化させ、画
素電極電位はその影響を受けて期間Ｔ11と期間Ｔ12の境
部の対向電極電位変動に示すように対向電極電位の変化
した方向にΔＶｐ５だけ変化する。ソース線電位を１回
目の第２種の電位差印加ステップＴ12同様、対向電極電
位にΔＶｐ６を上乗せした電位として充電小ステップで
画素トランジスタを一度オン・オフすると、画素電極電
位は期間Ｔ11のゲート電極電位変動と同様に、ゲート線
電位の電位変動の影響で下がる。

【０１５３】第１種の電位差印加ステップでは画素電極
と対向電極の間の電位差が大きいほど液晶層のベンド配
向への転移を高速化できるため、第２種の電位差印加ス
テップから第１種の電位差印加ステップへの対向電極電
位の変動とは逆方向にソース線電位を変動させる。対向
電極電位は、画素電極電位との電位差が液晶層のベンド
配向への転移に必要な第１種の電位差になるように設定
する。

【０１５４】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
が開始すると、対向電極電位が変化するため画素電極電
位はその影響で期間Ｔ12と期間Ｔ22の境界部の対向電極
電位変動に示すように対向電極電位の変化した方向に電
位が変化する。その後の画素トランジスタオンによる画
素電極充電動作でその電位は１回目の第２種の電位差印
加ステップでの画素電極電位となり、対向電極電位との
電位差はほぼゼロの第２種の電位差になる。

【０１５５】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
から２回目の第１種の電位差印加ステップＴ21に移行す
ると、対向電極電位は１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様に変化するが、この期間中も画素トランジス
タオンによる画素電極充電により、１回目の第１種の電
位差印加ステップと同様の第１種の電位差が画素電極・
対向電極間には与えられる。

【０１５６】以降、液晶層のベンド配向への転移が完了
するまで繰り返し制御ステップで第２種の電位差印加ス
テップと第１種の電位差印加ステップを交互に繰り返
し、第２種の電位差印加ステップでは期間開始後１回目
の画素トランジスタオンまでの間および充電小ステップ
で画素トランジスタがオンして画素電極を充電している
時以外は画素電極・対向電極間の電位差はほとんどゼロ
の第２種の電位差になり、第１種の電位差印加ステップ
では期間開始後１回目の画素トランジスタオンまでの間
以外は画素電極・対向電極間は液晶層がベンド配向へ転
移するために必要な十分に大きな第１種の電位差が与え
られる。

【０１５７】第２種の電位差印加ステップと第１種の電
位差印加ステップとでソース線電位を変動することによ
り、第１種の電位差印加ステップには画素電極・対向電
極間の第１種の電位差をより大きくすることができるた
め、液晶層のベンド配向への転移を高速化できる。

【０１５８】図３５に、第５の実施の形態および第６の
実施の形態で液晶層をベンド配向させるための駆動期間
を第１種の電位差印加ステップから開始した場合と、第
２種の電位差印加ステップから開始した場合での転移が
完了するまでの所要時間の測定結果を示す。

【０１５９】横軸に第１種の電位差印加ステップでの画
素電極・対向電極間の第１種の電位差を示し、この電位
差が大きければ転移完了時間は短くなっているが、いず
れの電位差においても第２種の電位差印加ステップから
開始した場合の方がより早くベンド配向への転移が完了
する。

【０１６０】（第２−１１の実施の形態）図３６と図１
３を用いて第１１の実施の形態における動作を説明す
る。

【０１６１】図３６において、太い点線は対向電極電位
を、細い点線はゲート線電位を、細い実線はソース線電
位を、太い点線は画素電極電位と示す。Ｖｐｃは、画素
電極・対向電極間電位差である。３つのＴｃは通常映像
表示期間、Ｔ12は１回目の第２種の電位差印加ステッ
プ、Ｔ11は１回目の第１種の電位差印加ステップ、Ｔ22
は２回目の第２種の電位差印加ステップ、Ｔ21は２回目
の第１種の電位差印加ステップである。また、各種の画
素電極電位の変動要因を示す。

【０１６２】本図において、液晶層をベンド配向させる
ための駆動期間の１回目の第２種の電位差印加ステップ
Ｔ12が開始すると、対向電極電位を通常映像表示期間と
は異なる第２の電位とする。画素電極電位は、液晶容量
Ｃｌｃを介して対向電極と接続し、この瞬間には画素ト
ランジスタがオフで電流の供給がないため、対向電極電
位変動分ΔＶｃｏｍに対してΔＶｐ５だけ本Ｔ12の左端
に示すように対向電極電位が変化した方向に電位が変化
する。

【０１６３】ソース線電位を、対向電極電位にΔＶｐ６
を上乗せした電位とし、充電小ステップで画素トランジ
スタを一度オン・オフすると、画素電極電位は本Ｔ12の
中央に示すようにΔＶｐ６だけ下がり、対向電極電位と
ほぼ等しくなる。以降、１回目の第２種の電位差印加ス
テップ中は、充電小ステップで画素トランジスタがオン
になり画素電極にソース線電位を充電している時以外は
画素電極電位と対向電極電位との電位差はほぼゼロの第
２種の電位差になる。

【０１６４】１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12
から１回目の第１種の電位差印加ステップＴ11に移行す
ると、画素電極電位と対向電極電位との電位差を第１種
の電位差にするために対向電極電位を第１の電位に変化
させ、画素電極電位はその影響を受けて対向電極電位が
変化した方向にΔＶｐ５だけ変化する。ソース線電位を
１回目の第２種の電位差印加ステップＴ12同様、対向電
極電位にΔＶｐ６を上乗せした電位として充電小ステッ
プで画素トランジスタを一度オン・オフすると、画素電
極電位はゲート線電位の電位変動の影響で第２種の電位
差印加ステップの対向電極電位とほぼ等しい電位までは
下がるが、第１種の電位差印加ステップでは画素電極電
位と対向電極電位の間の電位差が液晶層がベンド配向に
転移するのに必要な十分に大きい第１種の電位差になる
ように対向電極電位を設定する。以降、１回目の第１種
の電位差印加ステップＴ11中は、画素電極電位と対向電
極電位の間の電位差は、液晶層のベンド配向への転移に
必要な第１種の電位差が与えられている。

【０１６５】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
が開始すると、対向電極電位が変化するため画素電極電
位はその影響でＴ22の最初の対向電極電位変動に示すよ
うに対向電極電位が変化した方向に電位が変化するが、
画素トランジスタを一度オン・オフすると、１回目の第
２種の電位差印加ステップＴ12と同様に、画素トランジ
スタがオンになり画素電極にソース線電位を充電してい
る時以外は画素電極・対向電極間の電位差はほぼゼロの
第２種の電位差になる。

【０１６６】２回目の第２種の電位差印加ステップＴ22
から２回目の第１種の電位差印加ステップＴ21に移行す
ると、対向電極電位は１回目の第１種の電位差印加ステ
ップと同様に変化するが、画素トランジスタがオンにな
り画素電極にソース線電位を充電している時も画素トラ
ンジスタがオフしている時も画素電極電位と対向電極電
位の間の電位差は、液晶層のベンド配向への転移に必要
な第１種の電位差が与えられている。

【０１６７】以降、液晶層の転移がほぼ完了するまで繰
り返し制御ステップで第２種の電位差印加ステップと第
１種の電位差印加ステップを交互に繰り返し、第２種の
電位差印加ステップでは期間開始後１回目の画素トラン
ジスタがオンするまでの間および画素トランジスタがオ
ンしている時以外は画素電極・対向電極間の電位差はほ
とんどゼロの第２種の電位差になり、第１種の電位差印
加ステップでは期間開始後１回目の画素トランジスタが
オンするまでの間以外は画素電極・対向電極間は液晶層
がベンド配向へ転移するために必要な十分に大きな第１
種の電位差が与えられている。

【０１６８】液晶層のベンド配向への転移がほぼ完了し
た時点で通常映像表示期間Ｔｃに移行する前に、移行用
高電位差印加ステップで画素電極・対向電極間の電位差
が大きい映像情報（通常は黒か白の表示）を１フィール
ド表示すると、液晶層のベンド配向領域の拡大が完了
し、以降、本来の入力映像情報を表示するその次の通常
映像表示期間Ｔｃに移行する。

【０１６９】通常、第１種の電位差印加ステップ、第２
種の電位差印加ステップは数フィールド以上、時間にし
て数百ミリ秒以上になることが多く、液晶層のベンド配
向への転移を完了するために第１種の電位差印加ステッ
プもしくは第２種の電位差印加ステップを１回追加する
と、転移完了時間は数百ミリ秒単位で増加する。新たな
ベンド核の発生は不要でベンド領域の拡大のみで転移が
完了する場合には、画素電極・対向電極間の電位差が大
きい映像情報を表示することで数十ミリ秒の時間追加で
良くなり、転移完了時間を短縮することができる。

【０１７０】｛第３の発明群｝本発明群は、電源投入時
の各部の立上げの制御に関する。

【０１７１】以下、その実施の形態に基づいて本第３の
発明群を説明する。

【０１７２】以下、本発明群の実施の形態を、図３７と
図３８を参照しつつ説明する。なお、本発明群は、実施
の形態は１つである。

【０１７３】図３７において、Ｖｇは、ゲート線電位で
ある。Ｖｓは、ソース線の電位である。Ｖｐは、画素電
極の電位である。Ｖｐｃは、画素電極と対向電極間の電
位差である。また、Ｔｏは、電源オフ期間であり、Ｔ12
は１回目の第２種の電位差印加ステップである。Ｔ11は
１回目の第１種の電位差印加ステップであり、Ｔｃは、
通常の映像の表示期間である。また、各種の画素電極電
位の変動要因を示す。

【０１７４】図３８において、３８０１は主電源、３８
０２は電源回路コントローラ、３８０３は各種電源電圧
発生回路、３８０４は液晶パネルコントローラ、３８０
５は液晶パネルである。主電源３８０１と液晶パネルコ
ントローラ３８０４には外部より起動スイッチ３８１０
が接続されている。この起動スイッチ３８１０は液晶パ
ネルコントローラ３８０４の内部のカウンタ３８１１と
それに続く３８１２の切換手段Ａが接続され、起動後、
液晶パネルコントローラ３８０４に電源が供給された後
は、このカウンタにより、所定の期間をカウントした
後、通常映像信号発生部３８１３からの映像信号を液晶
パネル３８０５へ印加する。所定の期間をカウント中
は、３８１４の電圧発生手段１と３８１５の電圧発生手
段２を周期カウンタ３８１６で設定された所定の周期
で、３８１７の切換手段Ｂにより切換える。

【０１７５】図３８の回路で、電源オフ期間Ｔｏは液晶
パネルに入力するすべての信号は不定である。起動スイ
ッチ３８１０を投入して電源をオンにすると、まず３８
０２の電源回路コントローラにのみ電源が供給され、３
８０２のコントローラが各種電源電圧発生回路を順次制
御して液晶パネルコントローラの動作が開始する。この
ような液晶層安定保持立ち上げ制御ステップを有する回
路構成にすることにより、液晶パネルに入力する信号を
電源投入後、直ちに第２種の電位差印加ステップの電圧
設定にすることが可能になり、電圧無印加状態での液晶
層の整列状態を壊すことなく液晶層のベンド配向への転
移期間を開始することができ、電源投入後の転移完了時
間を短くすることができる。

【０１７６】電圧無印加状態での液晶層はスプレイ配向
状態で基板のラビング溝に沿って整列しているが、何等
かの電位差印加があると、ベンド配向に転移しやすい液
晶素子から順に転移が開始する。液晶パネル面内でスプ
レイ配向のままの液晶素子と、ベンド配向に移転しかけ
ている液晶素子が無秩序に混在すると、それらの液晶素
子に同時に大きい電位差を印加しても潤滑なベンド配向
への転移が行なわれない場合がある。本実施の形態で
は、液晶装置の電源投入直後に無作為な電位差印加によ
りベンド配向への転移を始める液晶素子の発生を抑え
て、全面がスプレイ配向状態の液晶素子に対してベンド
配向への転移のための駆動を開始することを目的として
いる。

【０１７７】表１に本実施の形態の駆動方式による実験
結果の一例を示す。

【０１７８】

【表１】 本実施の形態の駆動方式とは、電源投入後、液晶パネル
に入力する対向電極電位、ゲート線電位、ソース線電位
が全て、第２種の電位差印加ステップで出力されるべき
電圧を出力するものである。一方、第２種の電位差印加
ステップ前に通常の映像の表示期間がある従来の方式で
は、電源投入後各種電源電圧発生回路が無制御のまま立
ちあがり、第２種の電位差印加ステップの前に通常映像
表示期間と同様の電圧が対向電極電位、ゲート線電位、
ソース線電位に出力される。これら２方式で第２種の電
位差印加ステップの所要時間を変えて転移完了状態を観
測すると、本実施の形態の駆動方式のほうが短時間で転
移が完了することがわかった。

【０１７９】なお、第２の発明群と本発明群の実施の形
態では、第１種の電位差印加ステップと第２種の電位差
印加ステップとでソース線電位は同様に変化する必要は
なく、各期間において異なるタイミング、異なる電位で
変化しても何ら差し支えない。

【０１８０】以上、本発明をその幾つかの実施の形態に
基づいて説明してきたが、本発明は何もこれらに限定さ
れないのは勿論である。すなわち例えば以下の様にして
いても良い。

【０１８１】１）液晶装置は、液晶表示装置でなく、液
晶プラズマディスプレイ、有機ＥＬ等である。

【０１８２】２）液晶表示装置は、反射型、いわゆるＲ
ＯＣＢと言われる型のものである。

【０１８３】３）液晶装置は、光スイッチや光論理素子
等である。

【０１８４】

【発明の効果】以上の説明で判るように、本発明によれ
ば、液晶パネルの中でも広い面積を占める画素電極と対
向電極の間に通常映像表示時よりも高い第１種の電位差
を付与することにより、液晶層のベンド配向への核の生
成およびベンド領域の拡大を行い、パネル全面で液晶層
を短時間にベンド配向に転移することができ、高速応答
で広視野角な液晶パネルを提供することができる。

【０１８５】また、液晶パネルの画素電極と対向電極の
間に通常映像表示時よりも高い第１種の電位差を付与す
る第１種の電位差印加ステップと、第1 種の電位差より
も小さい第２種の電位差を付与する第２種の電位差印加
ステップを交互に設けることにより、液晶層のベンド配
向への核の生成およびベンド領域の拡大と、液晶層の再
整列を交互に行い、結果的にパネル全面で液晶層を短時
間にベンド配向に転移することができ、高速応答で広視
野角な液晶パネルを提供することができる。

【０１８６】また、画素電極との間に蓄積容量を形成し
ている共通電極の電位を変更することで、画素電極電位
をソース線から与えた電位よりも更に対向電極との電位
差が大きくなるように変動させ、液晶層に高い電位差を
付与することで、パネル全面で液晶層をより短時間にベ
ンド配向に転移することができ、高速応答で広視野角な
液晶パネルを提供することができる。

【０１８７】また、画素電極との間に蓄積容量を形成し
ている前段のゲート線の電位を変更することで、画素電
極電位をソース線から与えた電位よりも更に対向電極と
の電位差が大きくなるように変動させ、液晶層に高い電
位差を付与することで、パネル全面で液晶層をより短時
間にベンド配向に転移することができ、高速応答で広視
野角な液晶パネルを提供することができる。

【０１８８】また、ソース線電位に、画素トランジスタ
がオフする時に画素電極に生じる電位変動分を考慮する
ことで、ゲート線のオン・オフタイミングを通常の映像
表示時と変更することなく、画素電極と対向電極間に液
晶層のベンド配向への転移に有効な第１種の電位差と第
２種の電位差を付与することができ、パネル全面でのベ
ンド配向への転移を高速にすることができる。

【０１８９】また、同じくゲート線のオン・オフタイミ
ングを通常の映像表示時と同様にしながら、画素トラン
ジスタがオフしているときには更にソース線の電位を変
動させて、ソース線と対向電極間にも液晶層のベンド配
向への転移に有効な第２種の電位差を付与することによ
り、パネル全面でのベンド配向への転移をより高速化す
ることができる。

【０１９０】また、画素トランジスタのオンによる画素
電極充電を液晶層をベンド配向に転移させる駆動期間の
初期に少なくとも１回行うことにより、画素トランジス
タのオン・オフタイミングを通常映像表示期間とは変え
るという煩雑さはあるが、第２種の電位差印加ステップ
中の画素電極充電回数が通常タイミングよりも少ないた
め、画素電極と対向電極間の電位差がゼロの時間が第２
種の電位差印加ステップ中に多くなり、パネル全面での
ベンド配向への転移をより高速にすることができる。

【０１９１】また、画素トランジスタのオンによる画素
電極充電を液晶層をベンド配向させるための第１種の電
位差印加ステップ、第２種の電位差印加ステップそれぞ
れの初期に少なくとも１回行うことにより、画素トラン
ジスタのオン・オフタイミングの制御はより煩雑になる
が、各期間の初期に画素電極電位を確定することで対向
電極電位の変動の影響を全く排除して第１種の電位差お
よび第２種の電位差を付与することができ、パネル全面
でのベンド配向への転移をより高速化することができ
る。

【０１９２】また、液晶層のベンド配向への転移の駆動
期間中、ゲート線のオフ電圧を直流にすることにより、
特に第２種の電位差印加ステップで画素電極がゲート線
電位変動から受ける影響を排除することができ、パネル
全面でのベンド配向への転移を高速にすることができ
る。

【０１９３】また、第１種の電位差印加ステップと第２
種の電位差印加ステップとでソース線の電位を変動さ
せ、第１種の電位差印加ステップでの画素電極と対向電
極間の電位差をより大きくすることで、パネル全面での
ベンド配向への転移を高速にすることができる。

【０１９４】また、液晶層をベンド配向させるための駆
動期間を終了し、通常映像表示期間に移行する前に、画
素電極・対向電極間の電位差が大きい映像情報を１フィ
ールド表示することにより、ベンド配向させるための第
１種の電位差印加ステップあるいは第２種の電位差印加
ステップを追加して転移完了のための時間を数百ミリ秒
も増やすことなく、１フィールドすなわち十数ミリ秒の
時間の追加でベンド配向への転移を完了することがで
き、パネル全面での転移完了時間を短縮することができ
る。

【０１９５】また、電源投入時の液晶層の状態を電源未
投入時の状態から過度に乱すことなく第２種の電位差印
加ステップを開始することにより、液晶層の整列をより
短時間で行い、パネル全面での液晶層のベンド配向への
転移を高速にすることができる。

【０１９６】また、ゲート線電極と対向電極間の絶縁膜
を薄くすることにより、ゲート線電極と対向電極間の電
界強度を高くし、液晶層のベンド配向の核の生成を多量
・高速化することにより、パネル全面でのベンド配向へ
の転移を高速にすることができる。

【０１９７】また、ゲート線電極と対向電極間の絶縁膜
をパターニングにより薄くすることで、液晶層のベンド
配向の核の生成を多量・高速化することができ、パネル
全面でのベンド配向への転移を高速にすることができ
る。

【０１９８】また、ゲート線電極の厚みを厚くすること
でゲート線上の液晶層の厚みが薄くなり、液晶層にかか
る電界強度が高くなり、液晶層のベンド配向の核の生成
を多量・高速化することができ、パネル全面でのベンド
配向への転移を高速にすることができる。

【０１９９】また、ゲート線形成金属の上にソース線形
成金属を電気的に接触させて積層することにより実質的
にゲート線電極の膜厚を厚く、ゲート線上の液晶層の厚
みを薄くし、液晶層にかかる電界強度を高くすることで
ベンド配向への転移を高速にすることができる。

【０２００】また、ゲート線電極と対向電極の間にソー
ス線形成金属を電気的に絶縁して介在させることでゲー
ト線上の液晶層の厚みを薄くし、液晶層にかかる電界強
度を高くすることでベンド配向への転移を高速にするこ
とができる。

【０２０１】また、対向電極を第１の対向電極と第２の
対向電極にパターニングし、第１の対向電極と第２の対
向電極を電気的に絶縁しているため、電圧変動が液晶層
や絶縁膜の容量性負荷を介して画素電極や画素トランジ
スタに影響することを防ぎながらゲート線電極上の液晶
層に任意の電界強度を与えることができ、ベンド配向へ
の転移を高速に行うことができる。通常の映像表示時に
は第１の対向電極と第２の対向電極を同電位にすること
により、対向電極がパターニングされていない従来の液
晶表示装置と全く同等の画質を得ることができる。

【０２０２】また、ゲート線上と向かい合う対向電極を
二層にすることでゲート線上の液晶層の厚みが薄くなり
電界強度を高くすることができ、ベンド配向への転移を
高速に行うことができる。

【０２０３】また、第２の基板上で、第１の基板のゲー
ト線電極と向かい合う部分でカラーフィルター形成樹脂
を積層することによりこの部分の対向電極を盛り上げゲ
ート線上の液晶層の厚みを薄くすることにより、液晶層
の電界強度を高くすることができ、ベンド配向への転移
を高速にすることができる。

【０２０４】また、第２の基板上で、第１の基板のゲー
ト線電極と向かい合う部分に柱状スペーサを形成し、こ
の柱状スペーサと液晶層の間に対向電極を形成すること
によりゲート線上の液晶層の厚みを薄くし、液晶層の電
界強度を高くすることができ、ベンド配向への転移を高
速にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 液晶素子のスプレイ配向（１）、（２）とベ
ンド配向（３）の様子を示す図である。

【図２】 従来の液晶パネルの１画素分の要部の構造の
平面と断面を示す図である。

【図３】 従来の液晶パネル及び幾つかの実施の形態に
おけるゲート線電極、対向電極間の容量性負荷を模式的
に示した図である。

【図４】 第１−１の実施の形態の液晶パネルの１画素
分の構成を示した図である。

【図５】 第１−２の実施の形態の液晶パネルの１画素
分の構成を示した図である。

【図６】 第１−３の実施の形態の液晶パネルの１画素
分の構成を示した図である。

【図７】 第１−４の実施の形態の液晶パネルの１画素
分の構成を示した図である。

【図８】 第１−５の実施の形態の液晶パネルの１画素
分の構成を示した図である。

【図９】 第１−６の実施の形態の液晶パネルの１画素
分の構成を示した図である。

【図１０】 第１−７の実施の形態の液晶装置の断面図
である。

【図１１】 第１−８の実施の形態の液晶装置の断面図
である。

【図１２】 第１−９の実施の形態の液晶装置の断面図
である。

【図１３】 第２−１の実施の形態等の液晶装置の画素
の回路構成を示した図である。

【図１４】 同じく画素の構造を示した図である。

【図１５】 同じく画素の寸法を示した図である。

【図１６】 同じく画素間の各部に印加されたり付加さ
れたりする電圧の様子、作用を示した図である。

【図１７】 第２−２の実施の形態の電圧印加の様子、
作用を示した図である。

【図１８】 上記実施の形態の液晶装置の制御手段の構
成図である。

【図１９】 第２−２の実施の形態における第１種の電
位差印加ステップのデューティ比と転移完了時間の相関
を示す図である。

【図２０】 同じく、画素電極と対向電極間の電位差Ｖ
ｐｃの変化に要する時間ｔｒ、ｔｆを示す図である。

【図２１】 同じく、回路の具体的構成を示す図であ
る。

【図２２】 第２−３の実施の形態の電圧印加の様子、
作用を示した図である。

【図２３】 上記実施の形態の変形例を示した図であ
る。

【図２４】 第２−４の実施の形態の画素の回路構成を
示した図である。

【図２５】 上記実施の形態の画素の構造を示した図で
ある。

【図２６】 上記実施の形態の画素の寸法を示した図で
ある。

【図２７】 第２−４の実施の形態の作用を示した図で
ある。

【図２８】 第２−５の実施の形態の画素の電極電位の
タイムチャートである。

【図２９】 画素電極と対向電極間電位差が変化した場
合の電位差と転移完了時間の関係の測定結果を示した図
である。

【図３０】 第２−６の実施の形態の画素の電極電位の
タイムチャートである。

【図３１】 第２−７の実施の形態の画素の電極電位の
タイムチャートである。

【図３２】 第２−８の実施の形態の画素の電極電位の
タイムチャートである。

【図３３】 第２−９の実施の形態の画素の電極電位の
タイムチャートである。

【図３４】 第２−１０の実施の形態の画素の電極電位
のタイムチャートである。

【図３５】 第２−５の実施の形態から第２−１１の実
施の形態で液晶層をベンド配向させるための駆動期間を
第１種の電位差印加ステップから開始した場合と第２種
の電位差印加ステップから開始した場合の転移完了時間
測定値を示す図である。

【図３６】 第２−１１の実施の形態の画素の電極電位
のタイムチャートである。

【図３７】 第３−１の実施の形態のタイムチャートで
ある。

【図３８】 上記実施の形態等の回路の構成を示した図
である。

【符号の説明】

１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ 画素電極 ２１ 透明画素電極 ５ 液晶層 ６ 画素トランジスタ ７ ソース線、ソース線電極 ７０ ソース線形成金属膜 ７１ ソース線 ８ ゲート線、ゲート線電極 ８１ 前のゲート線 ９ 対向電極 １０ 共通電極 １１ ブラックマトリクス １２ カラーフィルター ６４ チャネル保護膜 ６５ ａ−Ｓｉ層 ６６ ｎ+ ａ−Ｓｉ層 ７６ ソース線電極と液晶層間の絶縁膜 ８６ ゲート線電極とａ−Ｓｉ層間の絶縁膜 ８７ 絶縁膜 Ｖｃｃ 共通電極の電位 Ｖｃ 対向電極の電位 Ｖｇ ゲート線の電位 Ｖｓ ソース線の電位 Ｖｐ 画素電極の電位 Ｖｐｃ 画素電極と対向電極間の電位差 Ｔｃ 通常の映像の表示期間 Ｃｇｄ ゲート線と画素電極間容量 Ｃｓｔ 画素電極と共通電極間の蓄積容量 Ｃｌｃ 画素電極と対向電極間の液晶容量 Ｃｇｓ ゲート線とソース線間容量 ２０４ 液晶パネルコントローラ ２０５ 液晶パネル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願2000−114870(P2000−114870) (32)優先日 平成12年４月17日(2000．4．17) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−129146(P2000−129146) (32)優先日 平成12年４月28日(2000．4．28) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 川崎 清弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 服部 勝治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA34 JA37 JA41 JB22 JB31 JB51 JB69 KA05 NA25 PA03 PA08 QA05 2H093 NA16 NA80 NC34 ND54 NE06 NF03 5C058 AA09 AB01 BA01 BA35 BB03 BB25

Claims (57)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画素
   電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成された
   第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド
   配向にするための液晶装置の駆動方法において、 上記第１の基板の画素電極と上記第２の基板の対向電極
   との間に、通常映像表示期間と異なる電位差を連続的に
   印加する異電位差連続印加ステップを有していることを
   特徴とする液晶装置の駆動方法。
2. 【請求項２】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画素
   電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成された
   第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド
   配向にするための液晶装置の駆動回路において、 上記第１の基板の画素電極と上記第２の基板の対向電極
   との間に、通常映像表示期間とは異なる電位差を連続的
   に印加する異電位差連続印加手段を有していることを特
   徴とする液晶装置。
3. 【請求項３】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画素
   電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成された
   第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド
   配向にするための液晶装置の駆動方法において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
   間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
   加する第１種の電位差印加ステップと、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
   する第２種の電位差印加ステップと、 前記両ステップを少くも１回づつ交互に実施させる、更
   に、印加の１繰り返し期間のうち、上記第１種の電位差
   を印加する期間が５０％以上９５％以下となるようにす
   る繰り返し制御ステップとを有していることを特徴とす
   る液晶装置の駆動方法。
4. 【請求項４】 前記繰り返し制御ステップによる上記第
   １種の電位差と第２種の電位差の交互の印加に際して、
   電位差の切り替えに要する時間が、当該１繰り返し期間
   の１周期の３０％以下である様にする期間切り替え制御
   ステップを有していることを特徴とする請求項３に記載
   の液晶装置の駆動方法。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の異電位差連続印加ステ
   ップ及び請求項３に記載の第１種の電位差印加ステップ
   は各々、 各画素電極に接続する蓄積容量を全画素電極に対して共
   通の電位を有する共通電極との間に形成し、該蓄積容量
   を含む画素電極容量と、薄膜トランジスタに寄生するゲ
   ート線と画素電極の間の容量との比により共通電極の電
   位変動に付随して発生する画素電極の電位変化を利用し
   て電位差を得る共通電極電位変動利用型異電位差連続印
   加ステップ、共通電極電位変動利用型第１種の電位差印
   加ステップであることを特徴とする液晶装置の駆動方
   法。
6. 【請求項６】 前記共通電極電位変動利用型異電位差連
   続印加ステップと共通電極電位変動利用型第１種の電位
   差印加ステップは、 共通電極に印加する電圧をゲート信号に用いる電圧と等
   しくすることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の
   駆動方法。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の異電位差連続印加ステ
   ップ及び請求項３に記載の第１種の電位差印加ステップ
   は各々、 各画素電極に接続する蓄積容量を１ライン前若しくは後
   ろのゲート線との間に形成し、該蓄積容量を含む画素電
   極容量と、薄膜トランジスタに寄生するゲート線と画素
   電極の間の容量との比により1 ライン前若しくは後ろの
   ゲート線の電位変動に付随して発生する画素電極の電位
   変化を利用して電位差を得るゲート線電位変動利用型異
   電位差連続印加ステップ、ゲート線電位変動利用型第１
   種の電位差印加ステップであることを特徴とする液晶装
   置の駆動方法。
8. 【請求項８】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画素
   電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成された
   第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベンド
   配向にするための液晶装置の駆動回路において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
   間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
   加する第１種の電位差印加手段と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
   する第２種の電位差印加手段と、 前記両手段を少くも１回づつ交互に実施させる、更に、
   印加の１繰り返し期間のうち、上記第１種の電位差を印
   加する期間が５０％以上９５％以下となるようにする繰
   り返し制御手段とを有していることを特徴とする液晶装
   置の駆動回路。
9. 【請求項９】 前記繰り返し制御手段による上記第１種
   の電位差と第２種の電位差の交互の印加に際して、上記
   第１種の電位差を印加する期間と上記第２の種の電位差
   を印加する期間の電位差の切り替えに要する時間が、当
   該繰り返し期間の１周期の３０％以下である様にする期
   間切り替え制御制御手段を有していることを特徴とする
   請求項８に記載の液晶装置の駆動回路。
10. 【請求項１０】 請求項２に記載の異電位差連続印加手
    段及び請求項８に記載の第１種の電位差印加手段は各
    々、 各画素電極に接続する蓄積容量を全画素電極に対して共
    通の電位を有する共通電極との間に形成し、該蓄積容量
    を含む画素電極容量と、薄膜トランジスタに寄生するゲ
    ート線と画素電極の間の容量との比により共通電極の電
    位変動に付随して発生する画素電極の電位変化を利用し
    て電位差を得る共通電極電位変動利用型異電位差連続印
    加手段、共通電極電位変動利用型第１種の電位差印加手
    段であることを特徴とする液晶装置の駆動回路。
11. 【請求項１１】 前記共通電極電位変動利用型異電位差
    連続印加手段、共通電極電位変動利用型第１種の電位差
    印加手段は各々、 共通電極に印加する電圧をゲート信号に用いる電圧と等
    しくすることを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置
    の駆動回路。
12. 【請求項１２】 請求項２に記載の異電位差連続印加手
    段、請求項８に記載の第１種の電位差印加手段は各々、 各画素電極に接続する蓄積容量を１ライン前若しくは後
    ろのゲート線との間に形成し、該蓄積容量を含む画素電
    極容量と、薄膜トランジスタに寄生するゲート線と画素
    電極の間の容量との比により1 ライン前若しくは後ろの
    ゲート線の電位変動に付随して発生する画素電極の電位
    変化を利用して電位差を得るゲート線電位変動利用型異
    電位差連続印加手段、ゲート線電位変動利用型第１種の
    電位差印加手段である事を特徴とする液晶装置の駆動回
    路。
13. 【請求項１３】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動方法において、 画素電極と対向電極間に通常映像表示期間とは異なる第
    １種の電位差を印加する第１種の電位差印加ステップ
    と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加ステップと、 前記両ステップを交互に、そして少くも１回づつ実施さ
    せる繰り返し制御ステップを有し、更に、 上記第２種の電位差印加ステップの期間に画素トランジ
    スタをオンからオフにする際にゲート線の電位変動に誘
    起されて画素電極に生じる電位変動分を対向電極電位に
    反映した電位をソース線に与えて画素電極の充電を行う
    充電小ステップとを有していることを特徴とする液晶装
    置の駆動方法。
14. 【請求項１４】 前記第２種の電位差印加ステップは、 第２種の電位差を±１Ｖ以内にすることを特徴とする請
    求項１３に記載の液晶装置の駆動方法。
15. 【請求項１５】 前記第２種の電位差印加ステップは、 第２種の電位差を印加する期間の画素トランジスタがオ
    フのときには対向電極と等しい電位をソース線に与える
    ことを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置の駆動方
    法。
16. 【請求項１６】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    期間の初期に、前記充電小ステップを少くも１回行うこ
    とを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置の駆動方
    法。
17. 【請求項１７】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    を行う期間で前記第１種の電位差印加ステップおよび前
    記第２種の電位差印加ステップを開始した初期に、前記
    充電小ステップを少くも１回行うことを特徴とする請求
    項１３に記載の液晶装置の駆動方法。
18. 【請求項１８】 ゲート線のオフ電圧を直流に保持し続
    けるゲート線オフ電圧直流保持ステップを有しているこ
    とを特徴とする請求項１３に記載の液晶装置の駆動方
    法。
19. 【請求項１９】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動回路において、 画素電極と対向電極間に通常映像表示期間とは異なる第
    １種の電位差を印加する第１種の電位差印加手段と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加手段と、 前記両手段を少くも１回交互に動作させる繰り返し制御
    手段を有し、更に、 上記第２種の電位差が印加されている期間に画素トラン
    ジスタをオンからオフにする際にゲート線の電位変動に
    誘起されて画素電極に生じる電位変動分を対向電極電位
    に反映した電位をソース線に与えて画素電極の充電を行
    う充電小手段とを有していることを特徴とする液晶装置
    の駆動回路。
20. 【請求項２０】 前記第２種の電位差印加手段は、第２
    種の電位差を±１Ｖ以内にすることを特徴とする請求項
    １９に記載の液晶装置の駆動回路。
21. 【請求項２１】 前記第２種の電位差印加手段は、 第２種の電位差を印加する期間の画素トランジスタがオ
    フのときには対向電極と等しい電位をソース線に与える
    ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶装置の駆動回
    路。
22. 【請求項２２】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    期間の初期に、前記充電小手段を少くも１回行うことを
    特徴とする請求項１９に記載の液晶装置の駆動回路。
23. 【請求項２３】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    を行う期間で前記第１種の電位差印加手段および前記第
    ２種の電位差印加手段が動作を開始した初期に、前記充
    電小手段を少くも１回行うことを特徴とする請求項１９
    に記載の液晶装置の駆動回路。
24. 【請求項２４】 ゲート線のオフ電圧を直流に保持し続
    けるゲート線オフ電圧直流保持手段を有していることを
    特徴とする請求項１９に記載の液晶装置の駆動回路。
25. 【請求項２５】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動方法において、 画素電極と対向電極間に通常映像表示期間とは異なる第
    １種の電位差を印加する第１種の電位差印加ステップ
    と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加ステップと、 前記両ステップを交互に、そして少くも１回づつ実施さ
    せる繰り返し制御ステップを有し、更に、 上記第２種の電位差印加ステップの期間に画素トランジ
    スタをオンからオフにする際にゲート線の電位変動に誘
    起されて画素電極に生じる電位変動分を対向電極電位に
    反映した電位をソース線に与えて画素電極の充電を行う
    充電小ステップを有し、 上記第１種の電位差が印加されている期間には、当該第
    １種の電位差がより大きくなるようにソース線の電位を
    第２種の電位差を印加されている期間とは異なる電位に
    することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
26. 【請求項２６】 前記第２種の電位差印加ステップは、 第２種の電位差を±１Ｖ以内にすることを特徴とする請
    求項２５に記載の液晶装置の駆動方法。
27. 【請求項２７】 前記第２種の電位差印加ステップは、 第２種の電位差を印加する期間の画素トランジスタがオ
    フのときには対向電極と等しい電位をソース線に与える
    ことを特徴とする請求項２５に記載の液晶装置の駆動方
    法。
28. 【請求項２８】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    期間の初期に、前記充電小ステップを少くも１回行うこ
    とを特徴とする請求項２５に記載の液晶装置の駆動方
    法。
29. 【請求項２９】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    を行う期間で前記第１種の電位差印加ステップおよび前
    記第２種の電位差印加ステップを開始した初期に、前記
    充電小ステップを少くも１回行うことを特徴とする請求
    項２５に記載の液晶装置の駆動方法。
30. 【請求項３０】 ゲート線のオフ電圧を直流に保持し続
    けるゲート線オフ電圧直流保持ステップを有しているこ
    とを特徴とする請求項２５に記載の液晶装置の駆動方
    法。
31. 【請求項３１】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動回路において、 画素電極と対向電極間に通常映像表示期間とは異なる第
    １種の電位差を印加する第１種の電位差印加手段と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加手段と、 前記両手段を交互に、そして少くも１回づつ動作させる
    繰り返し制御手段を有し、更に、 上記第２種の電位差が印加されている期間に画素トラン
    ジスタをオンからオフにする際にゲート線の電位変動に
    誘起されて画素電極に生じる電位変動分を対向電極電位
    に反映した電位をソース線に与えて画素電極の充電を行
    う充電小手段を有し、 上記第１種の電位差が印加されている期間には当該第１
    種の電位差がより大きくなるようにソース線の電位を第
    ２種の電位差が印加されている期間とは異なる電位にす
    ることを特徴とする液晶装置の駆動回路。
32. 【請求項３２】 前記第２種の電位差印加手段は、 第２種の電位差を±１Ｖ以内にすることを特徴とする請
    求項３１に記載の液晶装置の駆動回路。
33. 【請求項３３】 前記第２種の電位差印加手段は、 第２種の電位差を印加する期間の画素トランジスタがオ
    フのときには対向電極と等しい電位をソース線に与える
    ことを特徴とする請求項３１に記載の液晶装置の駆動回
    路。
34. 【請求項３４】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    期間の初期に、前記充電小手段を少くも１回行うことを
    特徴とする請求項３１に記載の液晶装置の駆動回路。
35. 【請求項３５】 液晶層をベンド配向させるための駆動
    を行う期間で前記第１種の電位差印加手段および前記第
    ２種の電位差印加手段が動作を開始した初期に、前記充
    電小手段を少くも１回行うことを特徴とする請求項３１
    に記載の液晶装置の駆動回路。
36. 【請求項３６】 ゲート線のオフ電圧を直流に保持し続
    けるゲート線オフ電圧直流保持手段を有していることを
    特徴とする請求項３１に記載の液晶装置の駆動回路。
37. 【請求項３７】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動方法において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
    間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
    加する第１種の電位差印加ステップと、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加ステップと、 前記両ステップを交互に、そして少くも１回づつ実施さ
    せる繰り返し制御ステップと、 前記繰り返し制御ステップにおいて、前記第２種の電位
    差印加ステップを先に実行させることを特徴とする液晶
    装置の駆動方法。
38. 【請求項３８】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動方法において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
    間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
    加する第１種の電位差印加手段と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加手段と、 前記第２種の電位差印加手段から先に実行させ、前記第
    １種の電位差印加手段と交互に、そして少くも１回づつ
    動作させる繰り返し制御手段とを有していることを特徴
    とする液晶装置の駆動回路。
39. 【請求項３９】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動方法において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
    間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
    加する第１種の電位差印加ステップと、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加ステップと、 前記両ステップを交互に、そして少くも１回づつ実施さ
    せる繰り返し制御ステップと、 前記両ステップの交互の、そして少くも１回づつの実施
    が終了し、通常の映像情報を表示する期間に移行するま
    での間に、通常映像情報表示期間時に液晶層にかかる電
    位差のうちで大きい電位差を上記液晶層に少くも１フィ
    ールド印加する移行用高電位差印加ステップとを有して
    いることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
40. 【請求項４０】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動回路において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
    間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
    加する第１種の電位差印加手段と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加手段と、 前記両手段を交互に、そして少くも１回づつ動作させる
    繰り返し制御手段と、 前記両手段の交互の、そして少くも１回づつの動作が終
    了し、通常の映像情報を表示する期間に移行するまでの
    間に、通常映像情報表示期間時に液晶層にかかる電位差
    のうちで大きい電位差を上記液晶層に少くも１フィール
    ド印加する移行用高電位差印加手段とを有していること
    を特徴とする液晶装置の駆動回路。
41. 【請求項４１】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動方法において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
    間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
    加する第１種の電位差印加ステップと、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加ステップと、 前記第２種の電位差印加ステップから開始し、前記第１
    種の電位差印加ステップと交互に、そして少くも１回づ
    つ動作させる繰り返し制御ステップと、これに先立ち電
    源投入後、上記液晶層の整列状態を過度に乱さない様上
    記液晶装置の各部の立上げを制御する液晶層安定保持立
    上げ制御ステップとを有していることを特徴とする液晶
    装置の駆動方法。
42. 【請求項４２】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極が形成された第１の基板と、対向電極が形成され
    た第２の基板との間に在るスプレイ配向の液晶層をベン
    ド配向にするための液晶装置の駆動回路において、 上記第１の基板の画素電極と第２の基板の対向電極との
    間に、通常映像表示期間とは異なる第１種の電位差を印
    加する第１種の電位差印加手段と、 上記第１種の電位差よりも小さい第２種の電位差を印加
    する第２種の電位差印加手段と、 前記第２種の電位差印加手段から開始し、前記第１種の
    電位差印加手段と交互に少なくとも１回づつ動作させる
    繰り返し制御手段と、これに先立ち電源投入後、上記液
    晶層の整列状態を過度に乱さない様上記液晶装置の各部
    の立上げを制御する液晶層安定保持立上げ制御手段と、
    を有していることを特徴とする液晶装置の駆動回路。
43. 【請求項４３】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極やゲート線等が形成された第１の基板と、対向電
    極が形成された第２の基板との間に在るスプレイ配向の
    液晶層をベンド配向にするための液晶装置の駆動方法に
    おいて、 上記ゲート線をパルス状の信号で走査しつつ、上記画素
    電極と対向電極間に通常映像表示期間より大きい電位差
    を印加する期間を設ける高電位差印加ステップを有して
    いることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
44. 【請求項４４】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極やゲート線等が形成された第１の基板と、対向電
    極が形成された第２の基板との間に在るスプレイ配向の
    液晶層をベンド配向にするための液晶装置の駆動回路に
    おいて、上記ゲート線をパルス状の信号で走査しつつ、
    上記画素電極と対向電極間に通常映像表示期間より大き
    い電位差を印加する期間を設ける高電位差印加手段を有
    していることを特徴とする液晶装置の駆動回路。
45. 【請求項４５】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極等が形成された第１の基板と、対向電極が形成さ
    れた第２の基板と、両基板間に在るスプレイ配向の液晶
    層をベンド配向にするための液晶装置の駆動方法におい
    て、 上記第１の基板のゲート線と上記第２の基板の対向電極
    間に、通常映像表示期間に液晶層に印加するよりも高い
    電界強度を与える期間を高電界付与立上げステップとし
    て有していることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
46. 【請求項４６】 マトリクス状に薄膜トランジスタや画
    素電極やゲート線等が形成された第１の基板と、対向電
    極が形成された第２の基板と、両基板間に在るスプレイ
    配向の液晶層をベンド配向にするための液晶装置におい
    て、 上記第１の基板のゲート線と上記第２の基板の対向電極
    間に、通常映像表示期間に液晶層に印加するよりも高い
    電界強度を与える期間を有していることを特徴とする液
    晶装置。
47. 【請求項４７】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第１の基板のゲート線は、 上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分で
    は、その絶縁膜厚みが薄く形成された強電界印加型ゲー
    ト線であることを特徴とする液晶装置。
48. 【請求項４８】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第１の基板のゲート線と上記液晶層との間の絶縁膜
    は、 比誘電率が高い材料を用いた高比誘電率材料製絶縁膜で
    あることを特徴とする液晶装置。
49. 【請求項４９】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第１の基板のゲート線は、 上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分で
    は、形成する金属の厚みを厚くした所定部厚膜型ゲート
    線であることを特徴とする液晶装置。
50. 【請求項５０】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第１の基板のゲート線は、 上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分で
    は、ソース線形成金属がゲート線形成金属に電気的に接
    触して積層されている一部接触型ゲート線であることを
    特徴とする液晶装置。
51. 【請求項５１】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第１の基板のゲート線は、 上記液晶層との間に他の金属膜や半導体層が無い部分で
    は、ソース線形成金属がゲート線形成金属に電気的に接
    触せずに積層された非接触型ゲート線であることを特徴
    とする液晶装置。
52. 【請求項５２】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第２の基板上の対向電極は、 上記第１の基板のゲート線に対峙する部分とそれ以外の
    部分に分けた分割型対向電極であることを特徴とする液
    晶装置。
53. 【請求項５３】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第２の基板上に在る対向電極は、 その厚みが上記第１の基板のゲート線に対峙する部分
    は、対峙しない部分に比較して厚く形成された、対峙部
    厚膜対向電極であることを特徴とする液晶装置。
54. 【請求項５４】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第２の基板上に、 上記第１の基板のゲート線に対峙する部分に樹脂で積層
    して形成されたカラーフィルターを有していることを特
    徴とする液晶装置。
55. 【請求項５５】 前記ゲート線に対峙する部分に樹脂で
    積層して形成されたカラーフィルターは、 複数の色彩の異なるカラーフィルターの周辺部を積層し
    て形成されたカラーフィルターであることを特徴とする
    請求項５４に記載の液晶装置。
56. 【請求項５６】 請求項４６の液晶装置であって、 上記第２の基板上に、 上記第１の基板のゲート線に対峙する部分に形成され、
    上記液晶層を挟んでゲート線に対向する柱状スペーサを
    有していることを特徴とする液晶装置。
57. 【請求項５７】 前記柱状スペーサは、 少くも液晶層側は導電性の柱状スペーサであり、 液晶装置の立上げ時、該柱状スペーサにゲート線に対向
    する電位を付与する柱状スペーサ電位付与手段を有して
    いることを特徴とする請求項５６に記載の液晶装置。