JP2002009327A - 受光ｉｃ周波数特性選別装置と受光ｉｃ周波数特性選別方法 - Google Patents
受光ｉｃ周波数特性選別装置と受光ｉｃ周波数特性選別方法Info
- Publication number
- JP2002009327A JP2002009327A JP2000185485A JP2000185485A JP2002009327A JP 2002009327 A JP2002009327 A JP 2002009327A JP 2000185485 A JP2000185485 A JP 2000185485A JP 2000185485 A JP2000185485 A JP 2000185485A JP 2002009327 A JP2002009327 A JP 2002009327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light receiving
- frequency characteristic
- receiving
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】回路の周波数特性を高速で安価に測定して受光
ＩＣチップを選別するための受光ＩＣ周波数特性選別装
置とその方法を提供する。 【構成】回路の周波数特性により受光ＩＣチップを選別
する受光ＩＣ周波数特性選別装置であって、受光ＩＣチ
ップの受光部に交流光を照射する交流光装置と、受光Ｉ
Ｃの出力を測定する測定装置とよりなることを特徴とす
る。
ＩＣチップを選別するための受光ＩＣ周波数特性選別装
置とその方法を提供する。 【構成】回路の周波数特性により受光ＩＣチップを選別
する受光ＩＣ周波数特性選別装置であって、受光ＩＣチ
ップの受光部に交流光を照射する交流光装置と、受光Ｉ
Ｃの出力を測定する測定装置とよりなることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、回路の周波数特性を測
定して受光ＩＣチップを選別するための受光ＩＣ周波数
特性選別装置と受光ＩＣ周波数特性選別方法に関するも
のである。
定して受光ＩＣチップを選別するための受光ＩＣ周波数
特性選別装置と受光ＩＣ周波数特性選別方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光ストレージ用受光ＩＣは光
ピックアップに用いられており、この種の受光ＩＣは、
データ、トラッキング、フォーカシング等、ワンチップ
でより多くの光学的情報を読み取るために、分割フォト
ダイオードを有している。この間の理由は、上記に限ら
ず、一般の光センサについても同様であり、装置の小型
化、高速化を可能ならしめる。
ピックアップに用いられており、この種の受光ＩＣは、
データ、トラッキング、フォーカシング等、ワンチップ
でより多くの光学的情報を読み取るために、分割フォト
ダイオードを有している。この間の理由は、上記に限ら
ず、一般の光センサについても同様であり、装置の小型
化、高速化を可能ならしめる。
【０００３】以下に、従来の受光ＩＣ周波数特性選別装
置と受光ＩＣ周波数特性選別方法について図面を用いて
説明する。これは、回路の周波数特性を調べる一般的な
方法を適用したものである。図５は、従来の受光ＩＣ周
波数特性選別装置と方法を示す等価回路図、図６は、受
光ＩＣ上面図及び等価回路図である。一般に、Ｓｉ基板
上に受光素子としてフォトダイオードとオペアンプを構
成し、それらを配線で接続することによりワンチップ化
した受光ＩＣが構成できる。また、図６に示すように、
更にその受光ＩＣを複数（図６では６）個搭載すること
により、光ストレージ用の受光ＩＣが構成できる。図５
に示すように、その受光ＩＣの受光部５３と回路部５４
の接続部に電源パッド５２をもうけることにより回路部
に電気信号を送り込むことが出来る。チップ上の電源パ
ッドに順次交流電気信号５１を入力し、各出力の交流振
幅を読みとることにより各回路の周波数特性を測定する
ことが出来る。
置と受光ＩＣ周波数特性選別方法について図面を用いて
説明する。これは、回路の周波数特性を調べる一般的な
方法を適用したものである。図５は、従来の受光ＩＣ周
波数特性選別装置と方法を示す等価回路図、図６は、受
光ＩＣ上面図及び等価回路図である。一般に、Ｓｉ基板
上に受光素子としてフォトダイオードとオペアンプを構
成し、それらを配線で接続することによりワンチップ化
した受光ＩＣが構成できる。また、図６に示すように、
更にその受光ＩＣを複数（図６では６）個搭載すること
により、光ストレージ用の受光ＩＣが構成できる。図５
に示すように、その受光ＩＣの受光部５３と回路部５４
の接続部に電源パッド５２をもうけることにより回路部
に電気信号を送り込むことが出来る。チップ上の電源パ
ッドに順次交流電気信号５１を入力し、各出力の交流振
幅を読みとることにより各回路の周波数特性を測定する
ことが出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法においては次のよう
な問題があった。各受光ＩＣにそれぞれ交流電気信号を
送る必要があるため、チップに搭載される受光ＩＣの数
が増えるとそれに比例して測定時間を要する。更にＡＣ
テスタを使用する必要があるため、高価な装置が必要と
なる。また、回路の入力部に測定端子や電源パッドの容
量等が付いて不必要な制御時定数が増え、正確な測定が
難しく、前記回路が高周波回路であればその問題は尚更
深刻であった。
受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法においては次のよう
な問題があった。各受光ＩＣにそれぞれ交流電気信号を
送る必要があるため、チップに搭載される受光ＩＣの数
が増えるとそれに比例して測定時間を要する。更にＡＣ
テスタを使用する必要があるため、高価な装置が必要と
なる。また、回路の入力部に測定端子や電源パッドの容
量等が付いて不必要な制御時定数が増え、正確な測定が
難しく、前記回路が高周波回路であればその問題は尚更
深刻であった。
【０００５】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものであり、回路の周波数特性を高速で
安価に測定して受光ＩＣチップを選別するための受光Ｉ
Ｃ周波数特性選別装置とその方法を提供することを目的
とする。
鑑みてなされたものであり、回路の周波数特性を高速で
安価に測定して受光ＩＣチップを選別するための受光Ｉ
Ｃ周波数特性選別装置とその方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に提供する本願第一の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選
別装置は、回路の周波数特性により受光ＩＣチップを選
別する受光ＩＣ周波数特性選別装置であって、受光ＩＣ
チップの受光部に交流光を照射する交流光装置と、受光
ＩＣの出力を測定する測定装置とよりなることを特徴と
する。
に提供する本願第一の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選
別装置は、回路の周波数特性により受光ＩＣチップを選
別する受光ＩＣ周波数特性選別装置であって、受光ＩＣ
チップの受光部に交流光を照射する交流光装置と、受光
ＩＣの出力を測定する測定装置とよりなることを特徴と
する。
【０００７】交流光装置により受光素子に交流光を照射
して回路に交流電気信号を入力することができ、受光Ｉ
Ｃの出力を測定する測定装置により回路の出力を測定で
きる。
して回路に交流電気信号を入力することができ、受光Ｉ
Ｃの出力を測定する測定装置により回路の出力を測定で
きる。
【０００８】前記課題を解決するために提供する本願第
二の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置は、本願第
一の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置において、
前記交流光装置が、半導体レーザと、その出力光を平行
光にするレンズとを備えることを特徴とする。
二の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置は、本願第
一の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置において、
前記交流光装置が、半導体レーザと、その出力光を平行
光にするレンズとを備えることを特徴とする。
【０００９】半導体レーザによりレーザ光を発生し、レ
ンズにより更に平行光とすることができる。光ストレー
ジ用の受光ＩＣの場合には、半導体レーザにより光ピッ
クアップの状況を再現することができる。
ンズにより更に平行光とすることができる。光ストレー
ジ用の受光ＩＣの場合には、半導体レーザにより光ピッ
クアップの状況を再現することができる。
【００１０】前記課題を解決するために提供する本願第
三の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置は、本願第
一の発明又は本願第二の発明に係る受光ＩＣ周波数特性
選別装置において、前記測定装置が、受光ＩＣの出力電
圧が入力されるピークホールド回路と、この回路により
変換された直流信号を測るテスタとを備えることを特徴
とする。
三の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置は、本願第
一の発明又は本願第二の発明に係る受光ＩＣ周波数特性
選別装置において、前記測定装置が、受光ＩＣの出力電
圧が入力されるピークホールド回路と、この回路により
変換された直流信号を測るテスタとを備えることを特徴
とする。
【００１１】受光ＩＣの出力電圧が入力されるピークホ
ールド回路により、交流電気信号を直流電気信号に換
え、ＤＣテスタで測定することができる。
ールド回路により、交流電気信号を直流電気信号に換
え、ＤＣテスタで測定することができる。
【００１２】前記課題を解決するために提供する本願第
四の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法は、複数の
受光素子を有する受光ＩＣチップを、回路の周波数特性
により選別する受光ＩＣ周波数特性選別方法であって、
受光ＩＣチップの受光部を構成する受光素子に対して一
斉に交流光を照射し、各受光ＩＣの出力電圧の振幅を測
定することを特徴とする。
四の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法は、複数の
受光素子を有する受光ＩＣチップを、回路の周波数特性
により選別する受光ＩＣ周波数特性選別方法であって、
受光ＩＣチップの受光部を構成する受光素子に対して一
斉に交流光を照射し、各受光ＩＣの出力電圧の振幅を測
定することを特徴とする。
【００１３】受光ＩＣチップの受光部を構成する受光素
子に対して一斉に交流光を照射し、各受光ＩＣの出力電
圧の振幅を測定することにより、各受光ＩＣの周波数特
性を同時に調べられる。
子に対して一斉に交流光を照射し、各受光ＩＣの出力電
圧の振幅を測定することにより、各受光ＩＣの周波数特
性を同時に調べられる。
【００１４】前記課題を解決するために提供する本願第
五の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法は、交流光
装置を備え、受光ＩＣチップを回路の周波数特性により
選別する受光ＩＣ周波数特性選別装置を使用する受光Ｉ
Ｃ周波数特性選別方法であって、前記交流光装置を使用
せず、受光ＩＣチップの受光ＩＣの出力電圧の振幅を測
定することを特徴とする。
五の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法は、交流光
装置を備え、受光ＩＣチップを回路の周波数特性により
選別する受光ＩＣ周波数特性選別装置を使用する受光Ｉ
Ｃ周波数特性選別方法であって、前記交流光装置を使用
せず、受光ＩＣチップの受光ＩＣの出力電圧の振幅を測
定することを特徴とする。
【００１５】交流光装置を使用しないことにより、受光
ＩＣ製品の異常発振を検出できる。
ＩＣ製品の異常発振を検出できる。
【００１６】前記課題を解決するために提供する本願第
六の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法は、本願第
五の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法において、
前記交流光装置が、半導体レーザと、その出力光を平行
光にするレンズとを備えることを特徴とする請求項５に
記載の受光ＩＣ周波数特性選別方法。
六の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法は、本願第
五の発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別方法において、
前記交流光装置が、半導体レーザと、その出力光を平行
光にするレンズとを備えることを特徴とする請求項５に
記載の受光ＩＣ周波数特性選別方法。
【００１７】交流光装置が、半導体レーザと、その出力
光を平行光にするレンズとを備える受光ＩＣ周波数特性
選別装置を使用して、受光ＩＣ製品の異常発振を検査で
きる
光を平行光にするレンズとを備える受光ＩＣ周波数特性
選別装置を使用して、受光ＩＣ製品の異常発振を検査で
きる
【００１８】
【発明の実施の形態】（実施形態１）以下に、本発明に
係る受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法の一実施の形態
における構成について図面を参照して説明する。まず、
本実施形態を適用する受光ＩＣチップについて説明す
る。図２は、受光ＩＣチップの受光部縦断面図、図３
は、受光ＩＣチップの上面図、図４は、受光ＩＣチップ
の等価回路図である。本実施形態を適用する受光ＩＣチ
ップは、光ストレージ用受光ＩＣであり、光ピックアッ
プに用いられる。この種の受光ＩＣチップは、図２に示
すように複数のフォトダイオードで構成される。即ち、
シリコン基板上に受光素子として上記フォトダイオード
とオペアンプを構成し、それらを配線で接続することに
よりワンチップ化した受光ＩＣが構成できる。また、更
にこの受光ＩＣを複数（図３では６）個同一チップ内に
搭載して、図４に示すような６分割の光ストレージ用の
受光ＩＣチップが構成できる。ここで、図１は、本発明
に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法の一実施の形
態における構成を示す受光ＩＣ等価回路図である。図１
に示すように、本実施の受光ＩＣ周波数特性選別装置と
方法の一実施の形態における構成は、上記受光ＩＣチッ
プの受光面に所望周波数のレーザ照射を行う一の交流光
装置１１と、上記受光ＩＣチップの各受光ＩＣの出力端
１５に設けられる複数のピークホールド回路とその直流
出力を測定するテスタとによりなる。交流光装置１１
は、光ストレージ用半導体レーザと同じタイプの半導体
レーザと、レーザを交流変調する変調器とを備えてい
る。
係る受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法の一実施の形態
における構成について図面を参照して説明する。まず、
本実施形態を適用する受光ＩＣチップについて説明す
る。図２は、受光ＩＣチップの受光部縦断面図、図３
は、受光ＩＣチップの上面図、図４は、受光ＩＣチップ
の等価回路図である。本実施形態を適用する受光ＩＣチ
ップは、光ストレージ用受光ＩＣであり、光ピックアッ
プに用いられる。この種の受光ＩＣチップは、図２に示
すように複数のフォトダイオードで構成される。即ち、
シリコン基板上に受光素子として上記フォトダイオード
とオペアンプを構成し、それらを配線で接続することに
よりワンチップ化した受光ＩＣが構成できる。また、更
にこの受光ＩＣを複数（図３では６）個同一チップ内に
搭載して、図４に示すような６分割の光ストレージ用の
受光ＩＣチップが構成できる。ここで、図１は、本発明
に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法の一実施の形
態における構成を示す受光ＩＣ等価回路図である。図１
に示すように、本実施の受光ＩＣ周波数特性選別装置と
方法の一実施の形態における構成は、上記受光ＩＣチッ
プの受光面に所望周波数のレーザ照射を行う一の交流光
装置１１と、上記受光ＩＣチップの各受光ＩＣの出力端
１５に設けられる複数のピークホールド回路とその直流
出力を測定するテスタとによりなる。交流光装置１１
は、光ストレージ用半導体レーザと同じタイプの半導体
レーザと、レーザを交流変調する変調器とを備えてい
る。
【００１９】次に、本発明に係る受光ＩＣ周波数特性選
別装置と方法の一実施の形態における動作について図面
を参照して以下に説明する。まず、図１に示すように、
交流光装置１１から図３に示す受光ＩＣチップの複数の
受光部に、交流光信号１２を同時に照射する。各受光Ｉ
Ｃのフォトダイオード１３は光電圧を生じ、受光ＩＣの
回路であるオペアンプ１４で増幅され、図４に示す受光
ＩＣチップの全ての出力端子に同時に交流信号が出力さ
れる。更にその先にピークホールド回路を設けているの
で、その交流信号の振幅に応じた直流信号が出力され
る。各出力端子の直流電位をテスタにより同時に読みと
ることにより規定周波数でのゲインが分かり、製品の周
波数特性を容易に判定する事が出来る。
別装置と方法の一実施の形態における動作について図面
を参照して以下に説明する。まず、図１に示すように、
交流光装置１１から図３に示す受光ＩＣチップの複数の
受光部に、交流光信号１２を同時に照射する。各受光Ｉ
Ｃのフォトダイオード１３は光電圧を生じ、受光ＩＣの
回路であるオペアンプ１４で増幅され、図４に示す受光
ＩＣチップの全ての出力端子に同時に交流信号が出力さ
れる。更にその先にピークホールド回路を設けているの
で、その交流信号の振幅に応じた直流信号が出力され
る。各出力端子の直流電位をテスタにより同時に読みと
ることにより規定周波数でのゲインが分かり、製品の周
波数特性を容易に判定する事が出来る。
【００２０】従って、光を複数の受光部に同時に照射す
ることにより、複数の受光ＩＣ出力に同時に信号が出力
出来るため測定時間が短縮でき、かつ安価（ＤＣテスタ
のみで、ＡＣテスタは不要）に測定できる。更に電源パ
ッドが不要になるのでその分回路の入力容量が小さくで
き高帯域化に対し有利になる。
ることにより、複数の受光ＩＣ出力に同時に信号が出力
出来るため測定時間が短縮でき、かつ安価（ＤＣテスタ
のみで、ＡＣテスタは不要）に測定できる。更に電源パ
ッドが不要になるのでその分回路の入力容量が小さくで
き高帯域化に対し有利になる。
【００２１】（実施形態２）次に、本発明に係る受光Ｉ
Ｃ周波数特性選別装置と方法の第二の実施の形態につい
て以下に説明する。本実施の形態では、上述のピークホ
ールド回路を接続した受光ＩＣに対して、光照射を行わ
ず同様な測定を行う。即ち、図１において交流光装置１
１を使用しない。
Ｃ周波数特性選別装置と方法の第二の実施の形態につい
て以下に説明する。本実施の形態では、上述のピークホ
ールド回路を接続した受光ＩＣに対して、光照射を行わ
ず同様な測定を行う。即ち、図１において交流光装置１
１を使用しない。
【００２２】正常な製品を接続した場合ピークホールド
回路の出力のＤＣ成分はゼロ（即ち受光ＩＣのＡＣ出力
成分はゼロ）となるが、製品が異常発振等を起こしてい
た場合は、受光ＩＣの出力端子にある周波数のＡＣ成分
が出力されてくるため、ピークホールド回路の出力にＤ
Ｃ成分が現れてきて、異常品を不良判定することが出来
る。通常の測定のみ（直接ＤＣテスタをつなぐのみ）で
は交流成分は見えないため、異常発振品を不良判定する
ことが出来ない。
回路の出力のＤＣ成分はゼロ（即ち受光ＩＣのＡＣ出力
成分はゼロ）となるが、製品が異常発振等を起こしてい
た場合は、受光ＩＣの出力端子にある周波数のＡＣ成分
が出力されてくるため、ピークホールド回路の出力にＤ
Ｃ成分が現れてきて、異常品を不良判定することが出来
る。通常の測定のみ（直接ＤＣテスタをつなぐのみ）で
は交流成分は見えないため、異常発振品を不良判定する
ことが出来ない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る受光
ＩＣ周波数特性選別装置と方法によれば、回路の周波数
特性を高速で安価に測定して受光ＩＣチップを選別でき
る。
ＩＣ周波数特性選別装置と方法によれば、回路の周波数
特性を高速で安価に測定して受光ＩＣチップを選別でき
る。
【００２４】
【図１】本発明に係る受光ＩＣ周波数特性選別装置と方
法の一実施の形態における構成を示す受光ＩＣ等価回路
図である。
法の一実施の形態における構成を示す受光ＩＣ等価回路
図である。
【図２】受光ＩＣチップの受光部縦断面図である。
【図３】受光ＩＣチップの上面図である。
【図４】受光ＩＣチップの等価回路図である。
【図５】従来の受光ＩＣ周波数特性選別装置と方法を示
す等価回路図である。
す等価回路図である。
【図６】受光ＩＣ上面図及び等価回路図である。
１１ 交流光装置 １２ 交流光 １３ フォトダイオード １４ オペアンプ １５ 受光ＩＣ出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｚ ５Ｆ０４９ Ｆターム(参考） 2G003 AA05 AB08 AB10 AE03 AH04 AH05 2G036 AA09 AA27 BA35 BB09 CA07 CA10 2G065 AA20 AB02 AB09 AB18 AB26 BA03 BA09 BB06 BC03 BC08 BE01 DA02 DA15 2G086 EE04 4M118 AA09 AB10 CA02 CA03 GD03 5F049 MA01 MB02 NA03 NB08 RA02 RA06 UA13 UA20
Claims (6)
- 【請求項１】回路の周波数特性により受光ＩＣチップを
選別する受光ＩＣ周波数特性選別装置であって、受光Ｉ
Ｃチップの受光部に交流光を照射する交流光装置と、受
光ＩＣの出力を測定する測定装置とよりなることを特徴
とする受光ＩＣ周波数特性選別装置。 - 【請求項２】前記交流光装置が、半導体レーザと、その
出力光を平行光にするレンズとを備えることを特徴とす
る請求項１に記載の受光ＩＣ周波数特性選別装置。 - 【請求項３】前記測定装置が、受光ＩＣの出力電圧が入
力されるピークホールド回路と、この回路により変換さ
れた直流信号を測るテスタとを備えることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載の受光ＩＣ周波数特性選別
装置。 - 【請求項４】複数の受光素子を有する受光ＩＣチップ
を、回路の周波数特性により選別する受光ＩＣ周波数特
性選別方法であって、受光ＩＣチップの受光部を構成す
る受光素子に対して一斉に交流光を照射し、各受光ＩＣ
の出力電圧の振幅を測定することを特徴とする受光ＩＣ
周波数特性選別方法。 - 【請求項５】交流光装置を備え、受光ＩＣチップを回路
の周波数特性により選別する受光ＩＣ周波数特性選別装
置を使用する受光ＩＣ周波数特性選別方法であって、前
記交流光装置を使用せず、受光ＩＣチップの受光ＩＣの
出力電圧の振幅を測定することを特徴とする受光ＩＣ周
波数特性選別方法。 - 【請求項６】前記交流光装置が、半導体レーザと、その
出力光を平行光にするレンズとを備えることを特徴とす
る請求項５に記載の受光ＩＣ周波数特性選別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000185485A JP2002009327A (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 受光ｉｃ周波数特性選別装置と受光ｉｃ周波数特性選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000185485A JP2002009327A (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 受光ｉｃ周波数特性選別装置と受光ｉｃ周波数特性選別方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009327A true JP2002009327A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18685800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000185485A Pending JP2002009327A (ja) | 2000-06-20 | 2000-06-20 | 受光ｉｃ周波数特性選別装置と受光ｉｃ周波数特性選別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002009327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108776277A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-11-09 | 歌尔股份有限公司 | 激光器检测装置以及方法 |
-
2000
- 2000-06-20 JP JP2000185485A patent/JP2002009327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108776277A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-11-09 | 歌尔股份有限公司 | 激光器检测装置以及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI264074B (en) | Measuring method, inspection method, inspection device, semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and method of manufacturing an element substrate | |
| US20200256759A1 (en) | Opto electrical test measurement system for integrated photonic devices and circuits | |
| US6388455B1 (en) | Method and apparatus for simulating a surface photo-voltage in a substrate | |
| WO2021049313A1 (ja) | 半導体試料の検査装置及び検査方法 | |
| JP2002009327A (ja) | 受光ｉｃ周波数特性選別装置と受光ｉｃ周波数特性選別方法 | |
| JP3195195B2 (ja) | 被試験基板における電子回路動作試験方法及びその装置 | |
| US6620637B2 (en) | Semiconductor analysis apparatus, semiconductor analysis method and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW202024655A (zh) | 半導體試料之檢查裝置及檢查方法 | |
| JPH01287482A (ja) | 半導体装置測定システム | |
| US6580281B2 (en) | Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis | |
| KR100913490B1 (ko) | 이미지 센서의 전기 검사 장치 | |
| JPH0961486A (ja) | 半田付け検査装置 | |
| JPH0766031B2 (ja) | 検査装置 | |
| JP3267869B2 (ja) | 受光装置の試験方法 | |
| US6771089B1 (en) | Test fixture having an adjustable capacitance and method for testing a semiconductor component | |
| JP2006250899A (ja) | テープキャリアおよびこれを用いた放射線検出装置 | |
| JP2008153600A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP4726422B2 (ja) | 探針プローブカード及びそれを用いたウエハ検査方法 | |
| JP2006329892A (ja) | 受光装置 | |
| JP2610178B2 (ja) | 光プロービング方法 | |
| JP3080158B2 (ja) | プリント基板の検査方法及び検査装置 | |
| JPH09282792A (ja) | 光ディスクプレーヤーのデジタル信号処理器検査装置 | |
| JP2827233B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
| JP3000746B2 (ja) | 半導体装置の特性測定方法 | |
| JP3369084B2 (ja) | 電気光学サンプリングプローブ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060425 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070409 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090501 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090514 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091022 |