JP2002009098A - パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 - Google Patents
パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜時の熱によってメタルマスクが膨張して
も、メタルマスクの歪みを防いで、安定にパターン形成
を行う。 【解決手段】 基板上にパターン形成を行うパターン形
成装置であって、基板の一方の面側に配され、磁性材料
からなるマスクと、マスクが取り付けられるマスク取り
付け部材と、基板の他方の面側に配された磁化部材と、
基板のマスクが配された面と対向して配されたパターン
形成手段とを備える。そして、マスク取り付け部材は、
マスクが熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、
マスクの厚みよりも大きな深さで凹に形成された段差部
分を有しており、マスクは当該段差部分に取り付けられ
る。
も、メタルマスクの歪みを防いで、安定にパターン形成
を行う。 【解決手段】 基板上にパターン形成を行うパターン形
成装置であって、基板の一方の面側に配され、磁性材料
からなるマスクと、マスクが取り付けられるマスク取り
付け部材と、基板の他方の面側に配された磁化部材と、
基板のマスクが配された面と対向して配されたパターン
形成手段とを備える。そして、マスク取り付け部材は、
マスクが熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、
マスクの厚みよりも大きな深さで凹に形成された段差部
分を有しており、マスクは当該段差部分に取り付けられ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メタルマスクを用
いて、基板上にパターン形成するパターン形成装置、パ
ターン形成方法、並びにそれらを用いた有機電界発光素
子ディスプレイの製造装置及び製造方法に関する。
いて、基板上にパターン形成するパターン形成装置、パ
ターン形成方法、並びにそれらを用いた有機電界発光素
子ディスプレイの製造装置及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種ディスプレイに用いられる発光素子
として、近年、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）が注目を集めている。この有機ＥＬ素子は、
透明基板上に陽極と、正孔輸送層及び発光層からなる有
機層と、陰極とがこの順に形成されて構成される。そし
て、有機ＥＬ素子では、陽極−陰極間に電圧が印加され
ると、発光層内で電子−正孔の再結合が生じ、この際
に、所定の波長を持った光が発生する。
として、近年、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）が注目を集めている。この有機ＥＬ素子は、
透明基板上に陽極と、正孔輸送層及び発光層からなる有
機層と、陰極とがこの順に形成されて構成される。そし
て、有機ＥＬ素子では、陽極−陰極間に電圧が印加され
ると、発光層内で電子−正孔の再結合が生じ、この際
に、所定の波長を持った光が発生する。
【０００３】このような有機ＥＬ素子は、各層の構成材
料を基板上にパターン形成することにより製造される。
このとき、有機層の劣化の問題から、フォトリソグラフ
ィーによるパターン形成が不可能なため、基板上にマス
クを密着させた状態で成膜することにより直接パターン
を形成している。
料を基板上にパターン形成することにより製造される。
このとき、有機層の劣化の問題から、フォトリソグラフ
ィーによるパターン形成が不可能なため、基板上にマス
クを密着させた状態で成膜することにより直接パターン
を形成している。
【０００４】基板にマスクを密着させる方法としては、
例えば図１４に示すように、マスク取り付け部材１００
に取り付けられ、磁性体からなるメタルマスク１０１を
基板１０２の一方の面に設置し、この基板１０２の他方
の面に、永久磁石又は電磁石からなる磁化部材１０３を
設置する。そして、この磁化部材１０３によってメタル
マスク１０１を吸い付け、メタルマスク１０１を基板１
０２に密着させる方法が、特開平７−４５６６２号公報
に開示されている。
例えば図１４に示すように、マスク取り付け部材１００
に取り付けられ、磁性体からなるメタルマスク１０１を
基板１０２の一方の面に設置し、この基板１０２の他方
の面に、永久磁石又は電磁石からなる磁化部材１０３を
設置する。そして、この磁化部材１０３によってメタル
マスク１０１を吸い付け、メタルマスク１０１を基板１
０２に密着させる方法が、特開平７−４５６６２号公報
に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、真空蒸着やスパッタリング等の成膜時やドライ
エッチング時の熱によりメタルマスク１０１が熱膨張で
延びた場合、図１５に示すようにメタルマスク１０１が
ゆがみ、基板１０２に対してメタルマスク１０１が部分
的に浮いてしまうという問題が発生する。
法では、真空蒸着やスパッタリング等の成膜時やドライ
エッチング時の熱によりメタルマスク１０１が熱膨張で
延びた場合、図１５に示すようにメタルマスク１０１が
ゆがみ、基板１０２に対してメタルマスク１０１が部分
的に浮いてしまうという問題が発生する。
【０００６】具体的には、成膜でパターンを形成する場
合には、メタルマスク１０１が基板１０２から微小に浮
いた部分は成膜する粒子の回り込みによりパターンのエ
ッジがボケたり、パターンの寸法精度が損なわれるとい
った問題があった。特にパターンが微細になると、メタ
ルマスク１０１の製作上、メタルマスク１０１の厚さを
薄くせざるを得ず、メタルマスク１０１が歪みやすくな
るため、メタルマスク１０１の延びによる浮きの発生は
大きな問題となっていた。
合には、メタルマスク１０１が基板１０２から微小に浮
いた部分は成膜する粒子の回り込みによりパターンのエ
ッジがボケたり、パターンの寸法精度が損なわれるとい
った問題があった。特にパターンが微細になると、メタ
ルマスク１０１の製作上、メタルマスク１０１の厚さを
薄くせざるを得ず、メタルマスク１０１が歪みやすくな
るため、メタルマスク１０１の延びによる浮きの発生は
大きな問題となっていた。
【０００７】さらにこの方法によると、メタルマスク１
０１と基板１０２とのパターンの位置合わせのときに、
メタルマスク１０１と基板１０２とが接触した状態で相
対的に移動するため、すでに基板１０２上に膜が形成さ
れている場合に膜にダメージを与えてしまうという大き
な問題があった。
０１と基板１０２とのパターンの位置合わせのときに、
メタルマスク１０１と基板１０２とが接触した状態で相
対的に移動するため、すでに基板１０２上に膜が形成さ
れている場合に膜にダメージを与えてしまうという大き
な問題があった。
【０００８】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、成膜時の熱によってメタルマス
クが膨張しても、メタルマスクの歪みを防いで、安定に
パターン形成を行うことのできるパターン形成装置、パ
ターン形成方法、有機ＥＬ素子の製造装置及び製造方法
を提供することを目的とする。
提案されたものであり、成膜時の熱によってメタルマス
クが膨張しても、メタルマスクの歪みを防いで、安定に
パターン形成を行うことのできるパターン形成装置、パ
ターン形成方法、有機ＥＬ素子の製造装置及び製造方法
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成装
置は、基板上にパターン形成を行うパターン形成装置で
あって、上記基板の一方の面側に配され、磁性材料から
なるマスクと、上記マスクが取り付けられるマスク取り
付け部材と、上記基板の他方の面側に配された磁化部材
と、上記基板のマスクが配された面と対向して配された
パターン形成手段とを備える。そして、本発明のパター
ン形成装置は、上記マスク取り付け部材は、上記マスク
が熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マ
スクの厚みよりも大きな深さで凹に形成された段差部分
を有しており、上記マスクは当該段差部分に取り付けら
れることを特徴とする。
置は、基板上にパターン形成を行うパターン形成装置で
あって、上記基板の一方の面側に配され、磁性材料から
なるマスクと、上記マスクが取り付けられるマスク取り
付け部材と、上記基板の他方の面側に配された磁化部材
と、上記基板のマスクが配された面と対向して配された
パターン形成手段とを備える。そして、本発明のパター
ン形成装置は、上記マスク取り付け部材は、上記マスク
が熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マ
スクの厚みよりも大きな深さで凹に形成された段差部分
を有しており、上記マスクは当該段差部分に取り付けら
れることを特徴とする。
【００１０】上述したような本発明に係るパターン形成
装置では、マスク取り付け部材にマスクが熱膨張したと
きの大きさよりも大きな段差部分が設けられているの
で、パターン形成中の熱によってマスクが熱膨張し延び
た場合でも、マスクの端部がマスク取り付け部材にあた
ることはない。これによりマスクは基板の下面に貼り付
いたままであり、浮きが発生することがない。
装置では、マスク取り付け部材にマスクが熱膨張したと
きの大きさよりも大きな段差部分が設けられているの
で、パターン形成中の熱によってマスクが熱膨張し延び
た場合でも、マスクの端部がマスク取り付け部材にあた
ることはない。これによりマスクは基板の下面に貼り付
いたままであり、浮きが発生することがない。
【００１１】また、本発明のパターン形成装置は、基板
上にパターン形成を行うパターン形成装置であって、上
記基板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマスク
と、上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材
と、上記基板の他方の面側に配された磁化部材と、上記
基板のマスクが配された面と対向して配されたパターン
形成手段とを備える。そして、本発明のパターン形成装
置は、上記磁化部材は、上記マスクが熱膨張した場合の
大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記基
板の厚みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段差
部分を、基板と対向する側に有していることを特徴とす
る。
上にパターン形成を行うパターン形成装置であって、上
記基板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマスク
と、上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材
と、上記基板の他方の面側に配された磁化部材と、上記
基板のマスクが配された面と対向して配されたパターン
形成手段とを備える。そして、本発明のパターン形成装
置は、上記磁化部材は、上記マスクが熱膨張した場合の
大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記基
板の厚みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段差
部分を、基板と対向する側に有していることを特徴とす
る。
【００１２】上述したような本発明に係るパターン形成
装置では、磁化部材にマスクが熱膨張したときの大きさ
よりも大きな段差部分が設けられているので、パターン
形成中の熱によってマスクが熱膨張し延びた場合でも、
マスクの端部が磁化部材にあたることはない。これによ
りマスクは基板の下面に貼り付いたままであり、浮きが
発生することがない。
装置では、磁化部材にマスクが熱膨張したときの大きさ
よりも大きな段差部分が設けられているので、パターン
形成中の熱によってマスクが熱膨張し延びた場合でも、
マスクの端部が磁化部材にあたることはない。これによ
りマスクは基板の下面に貼り付いたままであり、浮きが
発生することがない。
【００１３】また、本発明のパターン形成方法は、基板
の一方の面側に磁性材料からなるマスクを配し、基板の
他方の面に磁化部材を配した状態で、パターン形成手段
により当該基板の一方の面上にパターン形成を行うに際
し、上記マスク取り付け部材として、上記マスクが熱膨
張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの
厚みよりも大きな深さで凹に形成された段差部分を有す
るものを用い、上記マスクを当該段差部分に取り付ける
ことを特徴とする。
の一方の面側に磁性材料からなるマスクを配し、基板の
他方の面に磁化部材を配した状態で、パターン形成手段
により当該基板の一方の面上にパターン形成を行うに際
し、上記マスク取り付け部材として、上記マスクが熱膨
張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの
厚みよりも大きな深さで凹に形成された段差部分を有す
るものを用い、上記マスクを当該段差部分に取り付ける
ことを特徴とする。
【００１４】上述したような本発明に係るパターン形成
方法では、マスク取り付け部材にマスクが熱膨張したと
きの大きさよりも大きな段差部分を設けることで、パタ
ーン形成中の熱によってマスクが熱膨張し延びた場合で
も、マスクの端部がマスク取り付け部材にあたることは
ない。これによりマスクは基板の下面に貼り付いたまま
であり、浮きが発生することがない。
方法では、マスク取り付け部材にマスクが熱膨張したと
きの大きさよりも大きな段差部分を設けることで、パタ
ーン形成中の熱によってマスクが熱膨張し延びた場合で
も、マスクの端部がマスク取り付け部材にあたることは
ない。これによりマスクは基板の下面に貼り付いたまま
であり、浮きが発生することがない。
【００１５】また、本発明のパターン形成方法は、基板
の一方の面側に磁性材料からなるマスクを配し、基板の
他方の面に磁化部材を配した状態で、パターン形成手段
により当該基板の一方の面上にパターン形成を行うに際
し、上記磁化部材として、上記マスクが熱膨張した場合
の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記
基板の厚みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段
差部分を、基板と対向する側に有するものを用い、パタ
ーン形成時には、上記基板と上記マスクとを上記段差部
分中に収容することを特徴とする。
の一方の面側に磁性材料からなるマスクを配し、基板の
他方の面に磁化部材を配した状態で、パターン形成手段
により当該基板の一方の面上にパターン形成を行うに際
し、上記磁化部材として、上記マスクが熱膨張した場合
の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記
基板の厚みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段
差部分を、基板と対向する側に有するものを用い、パタ
ーン形成時には、上記基板と上記マスクとを上記段差部
分中に収容することを特徴とする。
【００１６】上述したような本発明に係るパターン形成
方法では、磁化部材にマスクが熱膨張したときの大きさ
よりも大きな段差部分が設けられているので、パターン
形成中の熱によってマスクが熱膨張し延びた場合でも、
マスクの端部が磁化部材にあたることはない。これによ
りマスクは基板の下面に貼り付いたままであり、浮きが
発生することがない。
方法では、磁化部材にマスクが熱膨張したときの大きさ
よりも大きな段差部分が設けられているので、パターン
形成中の熱によってマスクが熱膨張し延びた場合でも、
マスクの端部が磁化部材にあたることはない。これによ
りマスクは基板の下面に貼り付いたままであり、浮きが
発生することがない。
【００１７】また、本発明の有機電界発光素子ディスプ
レイの製造装置は、基板上に、少なくとも陽極と、正孔
輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン
形成して有機電界発光素子ディスプレイとするものであ
って、上記基板の一方の面側に配され、磁性材料からな
るマスクと、上記マスクが取り付けられるマスク取り付
け部材と、上記基板の他方の面側に配された磁化部材
と、上記基板のマスクが配された面と対向して配された
パターン形成手段とを備える。そして、本発明の有機電
界発光素子ディスプレイの製造装置は、上記マスク取り
付け部材は、上記マスクが熱膨張した場合の大きさより
も大きく、当該マスクの厚みよりも大きな深さで凹に形
成された段差部分を有しており、上記マスクは当該段差
部分に取り付けられることを特徴とする。
レイの製造装置は、基板上に、少なくとも陽極と、正孔
輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン
形成して有機電界発光素子ディスプレイとするものであ
って、上記基板の一方の面側に配され、磁性材料からな
るマスクと、上記マスクが取り付けられるマスク取り付
け部材と、上記基板の他方の面側に配された磁化部材
と、上記基板のマスクが配された面と対向して配された
パターン形成手段とを備える。そして、本発明の有機電
界発光素子ディスプレイの製造装置は、上記マスク取り
付け部材は、上記マスクが熱膨張した場合の大きさより
も大きく、当該マスクの厚みよりも大きな深さで凹に形
成された段差部分を有しており、上記マスクは当該段差
部分に取り付けられることを特徴とする。
【００１８】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子ディスプレイの製造装置では、マスク取り付け部材
にマスクが熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部
分が設けられているので、パターン形成中の熱によって
マスクが熱膨張し延びた場合でも、マスクの端部がマス
ク取り付け部材にあたることはない。これによりマスク
は基板の下面に貼り付いたままであり、浮きが発生する
ことがない。
素子ディスプレイの製造装置では、マスク取り付け部材
にマスクが熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部
分が設けられているので、パターン形成中の熱によって
マスクが熱膨張し延びた場合でも、マスクの端部がマス
ク取り付け部材にあたることはない。これによりマスク
は基板の下面に貼り付いたままであり、浮きが発生する
ことがない。
【００１９】また、本発明の有機電界発光素子ディスプ
レイの製造装置は、有機電界発光素子ディスプレイの製
造装置基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸送層及び発
光層からなる有機層と、陰極とをパターン形成して有機
電界発光素子ディスプレイとするものであって、上記基
板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマスクと、
上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材と、上
記基板の他方の面側に配された磁化部材と、 上記基板
のマスクが配された面と対向して配されたパターン形成
手段とを備える。そして、本発明の有機電界発光素子デ
ィスプレイの製造装置は、上記磁化部材は、上記マスク
が熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マ
スクの厚みと上記基板の厚みとの和よりも大きな深さで
凹に形成された段差部分を、基板と対向する側に有して
いることを特徴とする。
レイの製造装置は、有機電界発光素子ディスプレイの製
造装置基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸送層及び発
光層からなる有機層と、陰極とをパターン形成して有機
電界発光素子ディスプレイとするものであって、上記基
板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマスクと、
上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材と、上
記基板の他方の面側に配された磁化部材と、 上記基板
のマスクが配された面と対向して配されたパターン形成
手段とを備える。そして、本発明の有機電界発光素子デ
ィスプレイの製造装置は、上記磁化部材は、上記マスク
が熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マ
スクの厚みと上記基板の厚みとの和よりも大きな深さで
凹に形成された段差部分を、基板と対向する側に有して
いることを特徴とする。
【００２０】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子ディスプレイの製造装置では、磁化部材にマスクが
熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部分が設けら
れているので、パターン形成中の熱によってマスクが熱
膨張し延びた場合でも、マスクの端部が磁化部材にあた
ることはない。これによりマスクは基板の下面に貼り付
いたままであり、浮きが発生することがない。
素子ディスプレイの製造装置では、磁化部材にマスクが
熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部分が設けら
れているので、パターン形成中の熱によってマスクが熱
膨張し延びた場合でも、マスクの端部が磁化部材にあた
ることはない。これによりマスクは基板の下面に貼り付
いたままであり、浮きが発生することがない。
【００２１】また、有機電界発光素子ディスプレイの製
造方法は、本発明の基板上に、少なくとも陽極と、正孔
輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン
形成して有機電界発光素子ディスプレイとするものであ
って、上記基板の一方の面側に磁性材料からなるマスク
を配し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態で、パ
ターン形成手段により当該基板の一方の面上にパターン
形成を行うに際し、上記マスク取り付け部材として、上
記マスクが熱膨張した場合の大きさよりも大きく、か
つ、当該マスクの厚みよりも大きな深さで凹に形成され
た段差部分を有するものを用い、上記マスクを当該段差
部分に取り付けることを特徴とする。
造方法は、本発明の基板上に、少なくとも陽極と、正孔
輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン
形成して有機電界発光素子ディスプレイとするものであ
って、上記基板の一方の面側に磁性材料からなるマスク
を配し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態で、パ
ターン形成手段により当該基板の一方の面上にパターン
形成を行うに際し、上記マスク取り付け部材として、上
記マスクが熱膨張した場合の大きさよりも大きく、か
つ、当該マスクの厚みよりも大きな深さで凹に形成され
た段差部分を有するものを用い、上記マスクを当該段差
部分に取り付けることを特徴とする。
【００２２】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子ディスプレイの製造方法では、マスク取り付け部材
にマスクが熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部
分を設けることで、パターン形成中の熱によってマスク
が熱膨張し延びた場合でも、マスクの端部がマスク取り
付け部材にあたることはない。これによりマスクは基板
の下面に貼り付いたままであり、浮きが発生することが
ない。
素子ディスプレイの製造方法では、マスク取り付け部材
にマスクが熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部
分を設けることで、パターン形成中の熱によってマスク
が熱膨張し延びた場合でも、マスクの端部がマスク取り
付け部材にあたることはない。これによりマスクは基板
の下面に貼り付いたままであり、浮きが発生することが
ない。
【００２３】また、本発明の有機電界発光素子ディスプ
レイの製造方法は、基板上に、少なくとも陽極と、正孔
輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン
形成して有機電界発光素子ディスプレイとするものであ
って、上記基板の一方の面側に磁性材料からなるマスク
を配し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態で、パ
ターン形成手段により当該基板の一方の面上にパターン
形成を行うに際し、上記磁化部材として、上記マスクが
熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マス
クの厚みと上記基板の厚みとの和よりも大きな深さで凹
に形成された段差部分を、基板と対向する側に有するも
のを用い、パターン形成時には、上記基板と上記マスク
とを上記段差部分中に収容することを特徴とする。
レイの製造方法は、基板上に、少なくとも陽極と、正孔
輸送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン
形成して有機電界発光素子ディスプレイとするものであ
って、上記基板の一方の面側に磁性材料からなるマスク
を配し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態で、パ
ターン形成手段により当該基板の一方の面上にパターン
形成を行うに際し、上記磁化部材として、上記マスクが
熱膨張した場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マス
クの厚みと上記基板の厚みとの和よりも大きな深さで凹
に形成された段差部分を、基板と対向する側に有するも
のを用い、パターン形成時には、上記基板と上記マスク
とを上記段差部分中に収容することを特徴とする。
【００２４】上述したような本発明に係る有機電界発光
素子ディスプレイの製造方法では、磁化部材にマスクが
熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部分を設ける
ことで、パターン形成中の熱によってマスクが熱膨張し
延びた場合でも、マスクの端部が磁化部材にあたること
はない。これによりマスクは基板の下面に貼り付いたま
まであり、浮きが発生することがない。
素子ディスプレイの製造方法では、磁化部材にマスクが
熱膨張したときの大きさよりも大きな段差部分を設ける
ことで、パターン形成中の熱によってマスクが熱膨張し
延びた場合でも、マスクの端部が磁化部材にあたること
はない。これによりマスクは基板の下面に貼り付いたま
まであり、浮きが発生することがない。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２６】本実施の形態に係るパターン形成装置１
は、図１に示すように、メタルマスク２を用いたパター
ン成膜により、基板３上に所定パターンを形成するもの
であり、磁性体からなるメタルマスク２を設置するマス
ク取り付けベース４と、磁力によりメタルマスク２を基
板３上に保持固定する磁化部材５と、成膜手段６とを備
える。
は、図１に示すように、メタルマスク２を用いたパター
ン成膜により、基板３上に所定パターンを形成するもの
であり、磁性体からなるメタルマスク２を設置するマス
ク取り付けベース４と、磁力によりメタルマスク２を基
板３上に保持固定する磁化部材５と、成膜手段６とを備
える。
【００２７】メタルマスク２は、例えばＦｅとＮｉの合
金である４２アロイ（ＦｅＮｉ3）や、ＦｅとＣｏの合
金をはじめとする種々の強磁性体材料からなる。その中
でも、基板３と熱膨張係数の近い材料を用いることが好
ましい。そして、このメタルマスク２には、基板３上に
形成するパターンに応じた形状の開口部が形成されてい
る。
金である４２アロイ（ＦｅＮｉ3）や、ＦｅとＣｏの合
金をはじめとする種々の強磁性体材料からなる。その中
でも、基板３と熱膨張係数の近い材料を用いることが好
ましい。そして、このメタルマスク２には、基板３上に
形成するパターンに応じた形状の開口部が形成されてい
る。
【００２８】マスク取り付けベース４は、その外径がメ
タルマスク２の外形と略相似形で、当該メタルマスク２
よりも大きな中空筒状に形成されている。
タルマスク２の外形と略相似形で、当該メタルマスク２
よりも大きな中空筒状に形成されている。
【００２９】そして、このマスク取り付けベース４に
は、基板３と対向する側に、段差ｓを有する段差部分７
が凹に設けられている。メタルマスク２は、この段差部
分７に取り付けられる。段差部分７に配されたメタルマ
スク２は、当該マスク取り付けベース４の中空部分を覆
い塞ぐかたちとなる。
は、基板３と対向する側に、段差ｓを有する段差部分７
が凹に設けられている。メタルマスク２は、この段差部
分７に取り付けられる。段差部分７に配されたメタルマ
スク２は、当該マスク取り付けベース４の中空部分を覆
い塞ぐかたちとなる。
【００３０】ここで、段差部分７の段差ｓは少なくとも
メタルマスク２の厚さよりも大きいことが必要である。
基板３とメタルマスク２とのパターン合わせをする際
や、成膜手段６により成膜を行う際には、メタルマスク
２は、マスク取り付けベース４の段差部分７と基板３で
囲まれることとなる。
メタルマスク２の厚さよりも大きいことが必要である。
基板３とメタルマスク２とのパターン合わせをする際
や、成膜手段６により成膜を行う際には、メタルマスク
２は、マスク取り付けベース４の段差部分７と基板３で
囲まれることとなる。
【００３１】具体的には、メタルマスク２が設置された
マスク取り付けベース４上に基板３が配された場合に、
メタルマスク２と基板３との間の隙間ｄが、０．０１ｍ
ｍ以上、０．５ｍｍ以下の範囲、より好ましくは０．０
１ｍｍ以上、０．１ｍｍ以下の範囲に確保されることが
好ましい。
マスク取り付けベース４上に基板３が配された場合に、
メタルマスク２と基板３との間の隙間ｄが、０．０１ｍ
ｍ以上、０．５ｍｍ以下の範囲、より好ましくは０．０
１ｍｍ以上、０．１ｍｍ以下の範囲に確保されることが
好ましい。
【００３２】メタルマスク２と基板３との間の隙間ｄが
０．０１ｍｍよりも小さいと、後述するように基板３と
メタルマスク２とのパターン合わせをする際に、基板３
とメタルマスク２とが接触してしまうおそれがある。基
板３とメタルマスク２とが接触してしまうと、既に基板
３上に形成されているパターンが傷ついてしまう。ま
た、メタルマスク２と基板３との間の隙間ｄが０．５ｍ
ｍよりも大きい場合には、基板３とメタルマスク２との
パターン合わせが正常に行われていても、図２に示すよ
うに、磁化部材５によってメタルマスク２を基板３の下
面に引き寄せるときに、パターンの位置ずれを生じてし
まうおそれがある。従って、メタルマスク２と基板３と
の間の隙間ｄが、０．０１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下の
範囲とすることで、基板３上に既に形成されているパタ
ーンを傷つけることなく、基板３とメタルマスク２との
パターン合わせを安定してほぼ確実に行うことができ
る。なお、図２及び図３では、パターン形成装置１のう
ち、マスク機構の部分のみを抜き出して示している。
０．０１ｍｍよりも小さいと、後述するように基板３と
メタルマスク２とのパターン合わせをする際に、基板３
とメタルマスク２とが接触してしまうおそれがある。基
板３とメタルマスク２とが接触してしまうと、既に基板
３上に形成されているパターンが傷ついてしまう。ま
た、メタルマスク２と基板３との間の隙間ｄが０．５ｍ
ｍよりも大きい場合には、基板３とメタルマスク２との
パターン合わせが正常に行われていても、図２に示すよ
うに、磁化部材５によってメタルマスク２を基板３の下
面に引き寄せるときに、パターンの位置ずれを生じてし
まうおそれがある。従って、メタルマスク２と基板３と
の間の隙間ｄが、０．０１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下の
範囲とすることで、基板３上に既に形成されているパタ
ーンを傷つけることなく、基板３とメタルマスク２との
パターン合わせを安定してほぼ確実に行うことができ
る。なお、図２及び図３では、パターン形成装置１のう
ち、マスク機構の部分のみを抜き出して示している。
【００３３】また、段差部分７の外形は、メタルマスク
２よりも大きいことが必要である。具体的には、図３に
示すように、段差部分７の幅ｗは、成膜時の熱により熱
膨張した状態のメタルマスク２の大きさよりも大きくな
されていることが必要である。段差部分７の幅ｗが、成
膜時の熱により熱膨張した状態のメタルマスク２の大き
さよりも小さい場合には、成膜時の熱により熱膨張した
メタルマスク２が、段差部分７の壁にあたって波状に浮
き上がってしまい、本発明の目的を達成することができ
ない。
２よりも大きいことが必要である。具体的には、図３に
示すように、段差部分７の幅ｗは、成膜時の熱により熱
膨張した状態のメタルマスク２の大きさよりも大きくな
されていることが必要である。段差部分７の幅ｗが、成
膜時の熱により熱膨張した状態のメタルマスク２の大き
さよりも小さい場合には、成膜時の熱により熱膨張した
メタルマスク２が、段差部分７の壁にあたって波状に浮
き上がってしまい、本発明の目的を達成することができ
ない。
【００３４】また、図示しないが、マスク取り付けベー
ス４には、メタルマスク２のパターンと基板３にすでに
形成されているパターンとの位置合わせのために、基板
３の位置を調整するアライメント機構が設けられてい
る。
ス４には、メタルマスク２のパターンと基板３にすでに
形成されているパターンとの位置合わせのために、基板
３の位置を調整するアライメント機構が設けられてい
る。
【００３５】磁化部材５は永久磁石や電磁石等からな
り、図示しない保持機構によって基板３の上記メタルマ
スク２が配される面とは反対側の面に保持されている。
この保持機構によって、磁化部材５は、成膜時には基板
３上に密着して配される。また、成膜しない時には基板
３とは離された状態で配されることになる。
り、図示しない保持機構によって基板３の上記メタルマ
スク２が配される面とは反対側の面に保持されている。
この保持機構によって、磁化部材５は、成膜時には基板
３上に密着して配される。また、成膜しない時には基板
３とは離された状態で配されることになる。
【００３６】成膜手段６としては、とくに限定されるも
のではなく、真空蒸着手段、スパッタリング手段、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）手段等が挙げられる。図１中で
は、成膜手段６として真空蒸着手段を挙げている。
のではなく、真空蒸着手段、スパッタリング手段、ＣＶ
Ｄ（化学的気相成長）手段等が挙げられる。図１中で
は、成膜手段６として真空蒸着手段を挙げている。
【００３７】なお、本発明は成膜のみに限定されず、メ
タルマスク２を用いて所定形状にパターンを形成するも
のであれば、メタルマスク２を用いて成膜しパターンを
形成する場合のほか、成膜後にメタルマスク２を用いて
ドライエッチングすることによりパターンを形成する場
合にも適用される。
タルマスク２を用いて所定形状にパターンを形成するも
のであれば、メタルマスク２を用いて成膜しパターンを
形成する場合のほか、成膜後にメタルマスク２を用いて
ドライエッチングすることによりパターンを形成する場
合にも適用される。
【００３８】そして、このようなパターン形成装置１を
用いて、基板３上に所定のパターン形成を行う場合に
は、まず始めにマスクアライメントを行う。
用いて、基板３上に所定のパターン形成を行う場合に
は、まず始めにマスクアライメントを行う。
【００３９】このとき、磁化部材５は基板３から離して
おく。そしてマスク取り付けベース４に設けられた段差
部分７の中にメタルマスク２を設置する。さらに基板３
をマスク取り付けベース４上に設置する。
おく。そしてマスク取り付けベース４に設けられた段差
部分７の中にメタルマスク２を設置する。さらに基板３
をマスク取り付けベース４上に設置する。
【００４０】すると図１に示すように、基板３とメタル
マスク２との間には隙間ｄが生じることになる。この状
態で図示しないアライメント機構によって基板３の位置
を調整し、メタルマスク２のパターンと基板３に既に作
製されているパターンとの位置合わせ（マスクアライメ
ント）を行う。
マスク２との間には隙間ｄが生じることになる。この状
態で図示しないアライメント機構によって基板３の位置
を調整し、メタルマスク２のパターンと基板３に既に作
製されているパターンとの位置合わせ（マスクアライメ
ント）を行う。
【００４１】このとき、メタルマスク２と基板３との間
の隙間ｄが、０．０１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下の範囲
に確保されているので、基板３上に既に形成されている
パターンを傷つけることなく、基板３とメタルマスク２
とのパターン合わせを安定してほぼ確実に行うことがで
きる。
の隙間ｄが、０．０１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下の範囲
に確保されているので、基板３上に既に形成されている
パターンを傷つけることなく、基板３とメタルマスク２
とのパターン合わせを安定してほぼ確実に行うことがで
きる。
【００４２】マスクアライメントが終了したら、磁化部
材５を移動させ、基板３の上に磁化部材５を設置する。
すると、図２に示すように、磁性体材料からなるメタル
マスク２は、基板３を介した磁化部材５の磁気作用によ
って引きつけられ、基板３の一方の面に貼り付くことに
なる。ここでメタルマスク２の端面とマスク取り付けベ
ース４の段差の端面との間には隙間ｅが確保されてい
る。
材５を移動させ、基板３の上に磁化部材５を設置する。
すると、図２に示すように、磁性体材料からなるメタル
マスク２は、基板３を介した磁化部材５の磁気作用によ
って引きつけられ、基板３の一方の面に貼り付くことに
なる。ここでメタルマスク２の端面とマスク取り付けベ
ース４の段差の端面との間には隙間ｅが確保されてい
る。
【００４３】この状態で真空蒸着法等、上述したような
成膜法により成膜を行う。なお、基板３の全面に成膜し
た後、ドライエッチングによりパターンを形成する方法
でもよい。このとき、磁化部材５の磁気作用によって、
磁性材料からなるメタルマスク２はその全体が基板３に
密着されて基板３から浮き上がることがない。
成膜法により成膜を行う。なお、基板３の全面に成膜し
た後、ドライエッチングによりパターンを形成する方法
でもよい。このとき、磁化部材５の磁気作用によって、
磁性材料からなるメタルマスク２はその全体が基板３に
密着されて基板３から浮き上がることがない。
【００４４】さらに、成膜中の熱によってメタルマスク
２が熱膨張し延びるが、メタルマスク２の周辺部には隙
間ｅが確保されているため、メタルマスク２の端部がマ
スク取り付けベース４にあたることはない。したがって
メタルマスク２は基板３の下面に貼り付いたままであ
り、メタルマスク２と基板３との間に浮きが発生するこ
とがない。これにより、位置ずれやぼけが発生すること
なく、安定して基板３上にパターンを形成することがで
きる。
２が熱膨張し延びるが、メタルマスク２の周辺部には隙
間ｅが確保されているため、メタルマスク２の端部がマ
スク取り付けベース４にあたることはない。したがって
メタルマスク２は基板３の下面に貼り付いたままであ
り、メタルマスク２と基板３との間に浮きが発生するこ
とがない。これにより、位置ずれやぼけが発生すること
なく、安定して基板３上にパターンを形成することがで
きる。
【００４５】なお、上述した実施の形態では、成膜手段
６として真空蒸着によるものを例に挙げて説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、スパッタリン
グ、ＣＶＤ等、他の方法であっても構わない。また、本
発明は成膜のみに限定されず、メタルマスク２を用いて
所定形状にパターンを形成するものであれば、メタルマ
スク２を用いて成膜しパターンを形成したり、成膜後に
メタルマスク２を用いてドライエッチングすることによ
りパターンを形成する際に使用することができる。
６として真空蒸着によるものを例に挙げて説明したが、
本発明はこれに限定されるものではなく、スパッタリン
グ、ＣＶＤ等、他の方法であっても構わない。また、本
発明は成膜のみに限定されず、メタルマスク２を用いて
所定形状にパターンを形成するものであれば、メタルマ
スク２を用いて成膜しパターンを形成したり、成膜後に
メタルマスク２を用いてドライエッチングすることによ
りパターンを形成する際に使用することができる。
【００４６】そして、上述したような本実施の形態に係
るパターン形成装置１は、有機電界発光素子（以下、有
機ＥＬ素子と称する）から構成された多数の画素を備え
てなる有機ＥＬディスプレイを製造する際の製造装置と
して適用されるときに、特に好適である。
るパターン形成装置１は、有機電界発光素子（以下、有
機ＥＬ素子と称する）から構成された多数の画素を備え
てなる有機ＥＬディスプレイを製造する際の製造装置と
して適用されるときに、特に好適である。
【００４７】本発明を適用して製造される有機ＥＬディ
スプレイの一構成例を図４及び図５に示す。この有機Ｅ
Ｌディスプレイ２０は、透明基板２１上に、陽極となる
透明電極２２をストライプ状に形成し、さらに、正孔輸
送層と発光層とからなる有機層２３を透明電極２２と直
交するように形成し、有機層２３上に陰極２４を形成す
ることで、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に
それぞれ有機ＥＬ素子を形成してこれら有機ＥＬ素子を
縦横に配置した発光エリアＡを形成し、また、その周辺
部に、発光エリアを外部回路又は内部駆動回路に接続さ
せるための取り出し電極部Ｂを形成している。
スプレイの一構成例を図４及び図５に示す。この有機Ｅ
Ｌディスプレイ２０は、透明基板２１上に、陽極となる
透明電極２２をストライプ状に形成し、さらに、正孔輸
送層と発光層とからなる有機層２３を透明電極２２と直
交するように形成し、有機層２３上に陰極２４を形成す
ることで、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に
それぞれ有機ＥＬ素子を形成してこれら有機ＥＬ素子を
縦横に配置した発光エリアＡを形成し、また、その周辺
部に、発光エリアを外部回路又は内部駆動回路に接続さ
せるための取り出し電極部Ｂを形成している。
【００４８】なお、図示しないものの、このような有機
ＥＬディスプレイ２０においては、通常、透明電極２２
間に絶縁層が設けられており、これによって透明電極２
２間の短絡、さらには透明電極２２と陰極２４との間の
短絡が防止されている。
ＥＬディスプレイ２０においては、通常、透明電極２２
間に絶縁層が設けられており、これによって透明電極２
２間の短絡、さらには透明電極２２と陰極２４との間の
短絡が防止されている。
【００４９】このような有機ＥＬディスプレイ２０にお
いて、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に構成
される有機ＥＬ素子としては、例えば図６に示すシング
ルヘテロ型の有機ＥＬ素子２７がある。この有機ＥＬ素
子２７は、ガラス基板等の透明基板２１上にＩＴＯ（In
dium tin oxide）等の透明電極２２からなる陽極が設け
られ、その上に正孔輸送層２３ａ及び発光層２３ｂから
なる有機層２３、アルミニウム等からなる陰極２４が、
この順に設けられることにより構成されたものである。
いて、透明電極２２と陰極２４とが交差する位置に構成
される有機ＥＬ素子としては、例えば図６に示すシング
ルヘテロ型の有機ＥＬ素子２７がある。この有機ＥＬ素
子２７は、ガラス基板等の透明基板２１上にＩＴＯ（In
dium tin oxide）等の透明電極２２からなる陽極が設け
られ、その上に正孔輸送層２３ａ及び発光層２３ｂから
なる有機層２３、アルミニウム等からなる陰極２４が、
この順に設けられることにより構成されたものである。
【００５０】そして、このような構成のもとに有機ＥＬ
素子２７は、陽極に正の電圧、陰極２４に負の電圧が印
加されると、陽極から注入された正孔が正孔輸送層２３
ａを経て発光層２３ｂに、また陰極２４から注入された
電子が発光層２３ｂにそれぞれ到達し、発光層２３ｂ内
で電子−正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長
を持った光が発生し、図６中矢印で示すように透明基板
２１側から外に出射する。
素子２７は、陽極に正の電圧、陰極２４に負の電圧が印
加されると、陽極から注入された正孔が正孔輸送層２３
ａを経て発光層２３ｂに、また陰極２４から注入された
電子が発光層２３ｂにそれぞれ到達し、発光層２３ｂ内
で電子−正孔の再結合が生じる。このとき、所定の波長
を持った光が発生し、図６中矢印で示すように透明基板
２１側から外に出射する。
【００５１】上述したような構成の有機ＥＬディスプレ
イ２０の製造方法の一例を以下に説明する。図７〜図１
０は有機ＥＬディスプレイ２０の製造方法を順に説明す
るための要部側断面図であり、特に図５中のＣ−Ｃ線斜
視断面図である。
イ２０の製造方法の一例を以下に説明する。図７〜図１
０は有機ＥＬディスプレイ２０の製造方法を順に説明す
るための要部側断面図であり、特に図５中のＣ−Ｃ線斜
視断面図である。
【００５２】まず、図７に示すように、透明基板２１上
に透明導電材料、例えばＩＴＯをパターン成膜すること
により、ストライプ状の透明電極２２を形成する。
に透明導電材料、例えばＩＴＯをパターン成膜すること
により、ストライプ状の透明電極２２を形成する。
【００５３】次に、これら透明電極２２を覆った状態で
透明基板２１上に絶縁材料を形成し、さらにこれをパタ
ーニングして図８に示すように透明電極２２上に開口部
２５を有する絶縁膜２６を得る。次いで、真空蒸着によ
って透明基板２１上の全面に有機層２３用の有機材料を
成膜し、これにより図９に示すように絶縁層上を覆うと
共に上記開口部２５においては透明基板２１上面に当接
する有機層２３を形成する。
透明基板２１上に絶縁材料を形成し、さらにこれをパタ
ーニングして図８に示すように透明電極２２上に開口部
２５を有する絶縁膜２６を得る。次いで、真空蒸着によ
って透明基板２１上の全面に有機層２３用の有機材料を
成膜し、これにより図９に示すように絶縁層上を覆うと
共に上記開口部２５においては透明基板２１上面に当接
する有機層２３を形成する。
【００５４】続いて、上記有機層２３上に導電材料を例
えば真空蒸着法によって成膜し、導電膜（図示略）を形
成する。その後、上記有機層２３と導電膜とを同じマス
クを用いて連続してパターニングし、図１０に示すよう
に、透明電極２２に直交するストライプ状の陰極２４、
及び有機層２３を積層した状態で並列して形成する。そ
して、陰極２４を覆って絶縁層（図示略）等を形成する
ことによって、図４及び図５に示したような有機ＥＬデ
ィスプレイ２０が得られる。
えば真空蒸着法によって成膜し、導電膜（図示略）を形
成する。その後、上記有機層２３と導電膜とを同じマス
クを用いて連続してパターニングし、図１０に示すよう
に、透明電極２２に直交するストライプ状の陰極２４、
及び有機層２３を積層した状態で並列して形成する。そ
して、陰極２４を覆って絶縁層（図示略）等を形成する
ことによって、図４及び図５に示したような有機ＥＬデ
ィスプレイ２０が得られる。
【００５５】有機ＥＬ素子を構成する各構成膜をパター
ニング形成する際に、上述したような本実施の形態に係
るパターン形成装置１を製造装置として用いれば、成膜
中の熱によってメタルマスク２が熱膨張し延びても、メ
タルマスク２の端部がマスク取り付けベース４にあたる
ことはない。したがってメタルマスク２は基板３の下面
に貼り付いたままであり、メタルマスク２と基板３との
間に浮きが発生することがない。これにより、位置ずれ
やぼけが発生することなく、安定して基板上に構成膜を
パターニング形成することができる。
ニング形成する際に、上述したような本実施の形態に係
るパターン形成装置１を製造装置として用いれば、成膜
中の熱によってメタルマスク２が熱膨張し延びても、メ
タルマスク２の端部がマスク取り付けベース４にあたる
ことはない。したがってメタルマスク２は基板３の下面
に貼り付いたままであり、メタルマスク２と基板３との
間に浮きが発生することがない。これにより、位置ずれ
やぼけが発生することなく、安定して基板上に構成膜を
パターニング形成することができる。
【００５６】したがって、本発明に係るパターン形成装
置１を有機ＥＬ素子ディスプレイの製造装置として用い
て有機ＥＬ素子を製造することで、パターンの位置ずれ
やぼけに起因する不良品の発生を低減して、製造歩留ま
りを向上することができる。
置１を有機ＥＬ素子ディスプレイの製造装置として用い
て有機ＥＬ素子を製造することで、パターンの位置ずれ
やぼけに起因する不良品の発生を低減して、製造歩留ま
りを向上することができる。
【００５７】なお、上述した例では、マトリクスタイプ
の有機ＥＬディスプレイについての製造装置及び製造方
法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定され
ず、種々のディスプレイモジュールの製造装置及び製造
方法に適用することができる。
の有機ＥＬディスプレイについての製造装置及び製造方
法を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定され
ず、種々のディスプレイモジュールの製造装置及び製造
方法に適用することができる。
【００５８】〈第２の実施の形態〉本実施の形態に係る
パターン形成装置３０の一構成例を図１１に示す。な
お、図１１では、パターン形成装置３０のうち、本発明
の特徴となるマスク機構の部分のみを抜き出して示して
いる。
パターン形成装置３０の一構成例を図１１に示す。な
お、図１１では、パターン形成装置３０のうち、本発明
の特徴となるマスク機構の部分のみを抜き出して示して
いる。
【００５９】本実施の形態に係るパターン形成装置３０
も、上述した第１の実施の形態で説明したパターン形成
装置１と同様に、メタルマスク３１を用いたパターニン
グ成膜により、基板３２上に所定パターンで成膜を行う
ものであり、磁性体からなるメタルマスク３１を設置す
るマスク取り付けベース３３と、磁力によりメタルマス
ク３１を基板３２上に保持固定する磁化部材３４と、図
示しない成膜手段とを備える。
も、上述した第１の実施の形態で説明したパターン形成
装置１と同様に、メタルマスク３１を用いたパターニン
グ成膜により、基板３２上に所定パターンで成膜を行う
ものであり、磁性体からなるメタルマスク３１を設置す
るマスク取り付けベース３３と、磁力によりメタルマス
ク３１を基板３２上に保持固定する磁化部材３４と、図
示しない成膜手段とを備える。
【００６０】メタルマスク３１は、例えばＦｅとＮｉの
合金である４２アロイ（ＦｅＮｉ3）や、ＦｅとＣｏの
合金をはじめとする種々の強磁性体材料からなる。その
中でも、基板３２と熱膨張係数の近い材料を用いること
が好ましい。そして、このメタルマスク３１には、基板
３２上に形成するパターンに応じた形状の開口部が形成
されている。
合金である４２アロイ（ＦｅＮｉ3）や、ＦｅとＣｏの
合金をはじめとする種々の強磁性体材料からなる。その
中でも、基板３２と熱膨張係数の近い材料を用いること
が好ましい。そして、このメタルマスク３１には、基板
３２上に形成するパターンに応じた形状の開口部が形成
されている。
【００６１】マスク取り付けベース３３は、その外形が
メタルマスク３１の外形と略同形で、当該メタルマスク
３１よりも大きな中空筒状に形成されている。メタルマ
スク３１は、当該マスク取り付けベース３３の中空部分
を覆い塞ぐように、このマスク取り付けベース３３に取
り付けられる。また、図示しないが、マスク取り付けベ
ース３３には、メタルマスク３１のパターンと基板３２
にすでに形成されているパターンとの位置合わせのため
に、基板３２の位置を調整するアライメント機構が設け
られている。
メタルマスク３１の外形と略同形で、当該メタルマスク
３１よりも大きな中空筒状に形成されている。メタルマ
スク３１は、当該マスク取り付けベース３３の中空部分
を覆い塞ぐように、このマスク取り付けベース３３に取
り付けられる。また、図示しないが、マスク取り付けベ
ース３３には、メタルマスク３１のパターンと基板３２
にすでに形成されているパターンとの位置合わせのため
に、基板３２の位置を調整するアライメント機構が設け
られている。
【００６２】磁化部材３４は、永久磁石や電磁石等から
なり、図示しない保持機構によって基板３２の上方に保
持されている。この保持機構によって、磁化部材３４
は、成膜時には基板３２上に密着して配される。また、
成膜しない時には基板３２とは離された状態で配される
ことになる。
なり、図示しない保持機構によって基板３２の上方に保
持されている。この保持機構によって、磁化部材３４
は、成膜時には基板３２上に密着して配される。また、
成膜しない時には基板３２とは離された状態で配される
ことになる。
【００６３】そして、この磁化部材３４には、基板３２
と対向する側に、段差ｓを有する段差部分３５が凹に設
けられている。
と対向する側に、段差ｓを有する段差部分３５が凹に設
けられている。
【００６４】ここで、段差部分３５の段差ｓは少なくと
も基板３２の厚みとメタルマスク３１の厚みとの和より
も大きいことが必要である。図１２にも示すように、成
膜を行う際には、基板３２及びメタルマスク３１は、マ
スク取り付けベース３３と磁化部材３４とで囲まれるこ
ととなる。
も基板３２の厚みとメタルマスク３１の厚みとの和より
も大きいことが必要である。図１２にも示すように、成
膜を行う際には、基板３２及びメタルマスク３１は、マ
スク取り付けベース３３と磁化部材３４とで囲まれるこ
ととなる。
【００６５】しかし、メタルマスク３１の厚みと基板３
２の厚みとの和よりも、段差部分３５の段差ｓが大きす
ぎると、基板３２とメタルマスク３１とのパターン合わ
せが正常に行われていても、磁化部材３４によってメタ
ルマスク３１と基板３２とを引き寄せるときに、パター
ンの位置ずれを生じてしまうおそれがある。具体的に
は、段差部分３５の段差ｓは、メタルマスク３１の厚み
と基板３２の厚みとの和よりも、０．５ｍｍ以下の範
囲、より好ましくは０．０１ｍｍ以上、０．１ｍｍ以下
の範囲だけ大きいことが好ましい。
２の厚みとの和よりも、段差部分３５の段差ｓが大きす
ぎると、基板３２とメタルマスク３１とのパターン合わ
せが正常に行われていても、磁化部材３４によってメタ
ルマスク３１と基板３２とを引き寄せるときに、パター
ンの位置ずれを生じてしまうおそれがある。具体的に
は、段差部分３５の段差ｓは、メタルマスク３１の厚み
と基板３２の厚みとの和よりも、０．５ｍｍ以下の範
囲、より好ましくは０．０１ｍｍ以上、０．１ｍｍ以下
の範囲だけ大きいことが好ましい。
【００６６】また、段差部分３５の幅ｗは、メタルマス
ク３１よりも大きいことが必要である。具体的には、図
１３に示すように、段差部分３５の幅ｗは、成膜時の熱
により熱膨張した状態のメタルマスク３１の大きさより
も大きくなされていることが必要である。段差部分３５
の幅ｗが、成膜時の熱により熱膨張した状態のメタルマ
スク３１の大きさよりも小さい場合には、成膜時の熱に
より熱膨張したメタルマスク３１が、段差部分３５の壁
にあたって波状に浮き上がってしまい、本発明の目的を
達成することができない。
ク３１よりも大きいことが必要である。具体的には、図
１３に示すように、段差部分３５の幅ｗは、成膜時の熱
により熱膨張した状態のメタルマスク３１の大きさより
も大きくなされていることが必要である。段差部分３５
の幅ｗが、成膜時の熱により熱膨張した状態のメタルマ
スク３１の大きさよりも小さい場合には、成膜時の熱に
より熱膨張したメタルマスク３１が、段差部分３５の壁
にあたって波状に浮き上がってしまい、本発明の目的を
達成することができない。
【００６７】成膜手段としては、とくに限定されるもの
ではなく、真空蒸着手段、スパッタリング手段、ＣＶＤ
（化学的気相成長）手段等が挙げられる。なお、本発明
はこれに限定されるものではなく、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ等、他の方法であっても構わない。また、本発明は
成膜のみに限定されず、メタルマスク３１を用いて所定
形状にパターンを形成するものであれば、メタルマスク
３１を用いて成膜しパターンを形成する場合のほか、成
膜後にメタルマスク３１を用いてドライエッチングする
ことによりパターンを形成する場合にも適用される。
ではなく、真空蒸着手段、スパッタリング手段、ＣＶＤ
（化学的気相成長）手段等が挙げられる。なお、本発明
はこれに限定されるものではなく、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ等、他の方法であっても構わない。また、本発明は
成膜のみに限定されず、メタルマスク３１を用いて所定
形状にパターンを形成するものであれば、メタルマスク
３１を用いて成膜しパターンを形成する場合のほか、成
膜後にメタルマスク３１を用いてドライエッチングする
ことによりパターンを形成する場合にも適用される。
【００６８】そして、このようなパターン形成装置３０
を用いて、基板３２上に所定のパターンで成膜を行う場
合には、まず始めにマスクアライメントを行う。
を用いて、基板３２上に所定のパターンで成膜を行う場
合には、まず始めにマスクアライメントを行う。
【００６９】このとき、磁化部材３４は基板３２から離
しておく。まずマスク取り付けベース３３にメタルマス
ク３１を設置する。さらに基板３２をマスク取り付けベ
ース３３上に設置する。この状態で図示しないアライメ
ント機構によって基板３２の位置を調整し、メタルマス
ク３１のパターンと基板３２に既に作製されているパタ
ーンとの位置合わせ（マスクアライメント）を行う。
しておく。まずマスク取り付けベース３３にメタルマス
ク３１を設置する。さらに基板３２をマスク取り付けベ
ース３３上に設置する。この状態で図示しないアライメ
ント機構によって基板３２の位置を調整し、メタルマス
ク３１のパターンと基板３２に既に作製されているパタ
ーンとの位置合わせ（マスクアライメント）を行う。
【００７０】マスクアライメントが終了したら、磁化部
材３４を移動させて、マスク取り付けベース３３上に配
されたメタルマスク３１と基板３２とを、当該段差部分
３５で覆い囲む。すると、図１２に示すように、磁性体
材料からなるメタルマスク３１は、基板３２を介した磁
化部材３４の磁気作用によって基板３２ともに上方に引
きつけられ、磁化部材３４の段差部分３５の底面に貼り
付くことになる。すると、メタルマスク３１とマスク取
り付けベース３３との間には隙間ｄが生じるとともに、
メタルマスク３１の端面と磁化部材３４の段差部分３５
の端面との間には隙間ｅが確保される。
材３４を移動させて、マスク取り付けベース３３上に配
されたメタルマスク３１と基板３２とを、当該段差部分
３５で覆い囲む。すると、図１２に示すように、磁性体
材料からなるメタルマスク３１は、基板３２を介した磁
化部材３４の磁気作用によって基板３２ともに上方に引
きつけられ、磁化部材３４の段差部分３５の底面に貼り
付くことになる。すると、メタルマスク３１とマスク取
り付けベース３３との間には隙間ｄが生じるとともに、
メタルマスク３１の端面と磁化部材３４の段差部分３５
の端面との間には隙間ｅが確保される。
【００７１】この状態で真空蒸着法あるいはスパッタリ
ング法により成膜を行う。このとき、磁化部材３４の磁
気作用によって、磁性材料からなるメタルマスク３１は
その全体が基板３２に密着されて基板３２から浮き上が
ることがない。
ング法により成膜を行う。このとき、磁化部材３４の磁
気作用によって、磁性材料からなるメタルマスク３１は
その全体が基板３２に密着されて基板３２から浮き上が
ることがない。
【００７２】さらに、成膜中の熱によってメタルマスク
３１が熱膨張し延びるが、図１３に示すように、メタル
マスク３１と磁化部材３４との間には隙間ｅが確保され
ているため、メタルマスク３１の端部が磁化部材３４に
あたることはない。したがってメタルマスク３１は基板
３２の面上に貼り付いたままであり、メタルマスク３１
と基板３２との間に浮きが発生することがない。これに
より、位置ずれやぼけが発生することなく、安定して基
板３２上にパターンを形成することができる。
３１が熱膨張し延びるが、図１３に示すように、メタル
マスク３１と磁化部材３４との間には隙間ｅが確保され
ているため、メタルマスク３１の端部が磁化部材３４に
あたることはない。したがってメタルマスク３１は基板
３２の面上に貼り付いたままであり、メタルマスク３１
と基板３２との間に浮きが発生することがない。これに
より、位置ずれやぼけが発生することなく、安定して基
板３２上にパターンを形成することができる。
【００７３】そして、上述したような本実施の形態に係
るパターン形成装置３０は、第１の実施の形態で例に挙
げたパターン形成装置１と同様に、有機ＥＬ素子から構
成された多数の画素を備えてなる有機ＥＬディスプレイ
２０を製造する際の製造装置として適用されるときに、
特に好適である。
るパターン形成装置３０は、第１の実施の形態で例に挙
げたパターン形成装置１と同様に、有機ＥＬ素子から構
成された多数の画素を備えてなる有機ＥＬディスプレイ
２０を製造する際の製造装置として適用されるときに、
特に好適である。
【００７４】有機ＥＬ素子を構成する各構成膜をパター
ニング形成する際に、本実施の形態に係るパターン形成
装置３０を製造装置として用いれば、成膜中の熱によっ
てメタルマスク３１が熱膨張し延びても、メタルマスク
３１の端部が磁化部材３４にあたることはない。したが
ってメタルマスク３１は基板３２の一方の面に貼り付い
たままであり、メタルマスク３１と基板３２との間に浮
きが発生することがない。これにより、位置ずれやぼけ
が発生することなく、安定して透明基板３２上に構成膜
をパターニング形成することができる。
ニング形成する際に、本実施の形態に係るパターン形成
装置３０を製造装置として用いれば、成膜中の熱によっ
てメタルマスク３１が熱膨張し延びても、メタルマスク
３１の端部が磁化部材３４にあたることはない。したが
ってメタルマスク３１は基板３２の一方の面に貼り付い
たままであり、メタルマスク３１と基板３２との間に浮
きが発生することがない。これにより、位置ずれやぼけ
が発生することなく、安定して透明基板３２上に構成膜
をパターニング形成することができる。
【００７５】したがって、本発明に係るパターン形成装
置３０を有機ＥＬ素子ディスプレイ２０の製造装置とし
て用いて有機ＥＬ素子ディスプレイ２０を製造すること
で、パターンの位置ずれやぼけに起因する不良品の発生
を低減して、製造歩留まりを向上することができる。
置３０を有機ＥＬ素子ディスプレイ２０の製造装置とし
て用いて有機ＥＬ素子ディスプレイ２０を製造すること
で、パターンの位置ずれやぼけに起因する不良品の発生
を低減して、製造歩留まりを向上することができる。
【００７６】
【発明の効果】本発明では、マスク取り付け部材又は磁
化部材にマスクが熱膨張したときの大きさよりも大きな
段差部分を設けることで、パターン形成中の熱によって
マスクが熱膨張し延びた場合でも、マスクの端部がマス
ク取り付け部材又は磁化部材にあたることはない。これ
によりマスクは基板の下面に貼り付いたままであり、浮
きが発生することがない。これにより、位置ずれやぼけ
が発生することなく、安定して基板上にパターンを形成
することができる。そして、本発明は、有機ＥＬ素子の
製造に適用されるときに特に好適である。
化部材にマスクが熱膨張したときの大きさよりも大きな
段差部分を設けることで、パターン形成中の熱によって
マスクが熱膨張し延びた場合でも、マスクの端部がマス
ク取り付け部材又は磁化部材にあたることはない。これ
によりマスクは基板の下面に貼り付いたままであり、浮
きが発生することがない。これにより、位置ずれやぼけ
が発生することなく、安定して基板上にパターンを形成
することができる。そして、本発明は、有機ＥＬ素子の
製造に適用されるときに特に好適である。
【図１】本発明に係るパターン形成装置の一構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示されるマスク取り付けベースを用いて
成膜するときの様子を示す断面図である。
成膜するときの様子を示す断面図である。
【図３】図１に示されるマスク取り付けベースを用いて
成膜するときの様子を示す断面図であり、メタルマスク
が熱膨張した状態を示す断面図である。
成膜するときの様子を示す断面図であり、メタルマスク
が熱膨張した状態を示す断面図である。
【図４】本発明を適用して製造される有機ＥＬディスプ
レイの一構成例を示す斜視図である。
レイの一構成例を示す斜視図である。
【図５】本発明を適用して製造される有機ＥＬディスプ
レイの一構成例を示す平面図である。
レイの一構成例を示す平面図である。
【図６】図４及び図５に示す有機ＥＬディスプレイに採
用されている有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面図であ
る。
用されている有機ＥＬ素子の一構成例を示す断面図であ
る。
【図７】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する図
であり、透明基板上に透明電極をパターン形成した状態
を示す断面図である。
であり、透明基板上に透明電極をパターン形成した状態
を示す断面図である。
【図８】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する図
であり、透明電極上に絶縁膜をパターン形成した状態を
示す断面図である。
であり、透明電極上に絶縁膜をパターン形成した状態を
示す断面図である。
【図９】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する図
であり、絶縁層上に有機材料を成膜した状態を示す断面
図である。
であり、絶縁層上に有機材料を成膜した状態を示す断面
図である。
【図１０】有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明する
図であり、陰極及び有機層を積層した状態で並列して形
成した状態を示す断面図である。
図であり、陰極及び有機層を積層した状態で並列して形
成した状態を示す断面図である。
【図１１】本発明に係るパターン形成装置の他の一構成
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図１２】図１１に示されるマスク取り付けベースを用
いて成膜するときの様子を示す断面図である。
いて成膜するときの様子を示す断面図である。
【図１３】図１１に示されるマスク取り付けベースを用
いて成膜するときの様子を示す断面図であり、メタルマ
スクが熱膨張した状態を示す断面図である。
いて成膜するときの様子を示す断面図であり、メタルマ
スクが熱膨張した状態を示す断面図である。
【図１４】従来のパターン形成方法を説明する断面図で
ある。
ある。
【図１５】従来のパターン形成方法を説明する図であ
り、マスクが熱膨張した状態を示す断面図である。
り、マスクが熱膨張した状態を示す断面図である。
１ パターン形成装置、 ２ メタルマスク、 ３ 基
板、 ４ マスク取り付けベース、 ５ 磁化部材、
６ 成膜手段、 ７，８，９ 水路
板、 ４ マスク取り付けベース、 ５ 磁化部材、
６ 成膜手段、 ７，８，９ 水路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/14 Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB18 BA06 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 4K029 AA09 AA24 BA10 BA14 BA50 BA62 BB02 BB03 BC09 CA01 CA05 HA02 HA03 HA04 4K030 BA11 BA16 BA42 BA45 BA61 BB12 BB14 CA06 CA17 DA05 KA24
Claims (40)
- 【請求項１】 基板上にパターン形成を行うパターン形
成装置であって、 上記基板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマス
クと、 上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材と、 上記基板の他方の面側に配された磁化部材と、 上記基板のマスクが配された面と対向して配されたパタ
ーン形成手段とを備え、 上記マスク取り付け部材は、上記マスクが熱膨張した場
合の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みより
も大きな深さで凹に形成された段差部分を有しており、
上記マスクは当該段差部分に取り付けられることを特徴
とするパターン形成装置。 - 【請求項２】 上記パターン形成手段が、真空蒸着によ
るものであることを特徴とする請求項１記載のパターン
形成装置。 - 【請求項３】 上記パターン形成手段が、スパッタリン
グによるものであることを特徴とする請求項１記載のパ
ターン形成装置。 - 【請求項４】 上記パターン形成手段が、化学的気相成
長によるものであることを特徴とする請求項１記載のパ
ターン形成装置。 - 【請求項５】 上記パターン形成手段が、ドライエッチ
ングによるものであることを特徴とする請求項１記載の
パターン形成装置。 - 【請求項６】 基板上にパターン形成を行うパターン形
成装置であって、 上記基板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマス
クと、 上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材と、 上記基板の他方の面側に配された磁化部材と、 上記基板のマスクが配された面と対向して配されたパタ
ーン形成手段とを備え、 上記磁化部材は、上記マスクが熱膨張した場合の大きさ
よりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記基板の厚
みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段差部分
を、基板と対向する側に有していることを特徴とするパ
ターン形成装置。 - 【請求項７】 上記パターン形成手段が、真空蒸着によ
るものであることを特徴とする請求項６記載のパターン
形成装置。 - 【請求項８】 上記パターン形成手段が、スパッタリン
グによるものであることを特徴とする請求項６記載のパ
ターン形成装置。 - 【請求項９】 上記パターン形成手段が、化学的気相成
長によるものであることを特徴とする請求項６記載のパ
ターン形成装置。 - 【請求項１０】 上記パターン形成手段が、ドライエッ
チングによるものであることを特徴とする請求項６記載
のパターン形成装置。 - 【請求項１１】 基板の一方の面側に磁性材料からなる
マスクを配し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態
で、パターン形成手段により当該基板の一方の面上にパ
ターン形成を行うに際し、 上記マスク取り付け部材として、上記マスクが熱膨張し
た場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚み
よりも大きな深さで凹に形成された段差部分を有するも
のを用い、上記マスクを当該段差部分に取り付けること
を特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項１２】 真空蒸着法により、上記基板上にパタ
ーン形成を行うことを特徴とする請求項１１記載のパタ
ーン形成方法。 - 【請求項１３】 スパッタリング法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項１１記載
のパターン形成方法。 - 【請求項１４】 化学的気相成長法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項１１記載
のパターン形成方法。 - 【請求項１５】 ドライエッチング法により、上記基板
上にパターン形成を行うことを特徴とする請求項１１記
載のパターン形成方法。 - 【請求項１６】 基板の一方の面側に磁性材料からなる
マスクを配し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態
で、パターン形成手段により当該基板の一方の面上にパ
ターン形成を行うに際し、 上記磁化部材として、上記マスクが熱膨張した場合の大
きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記基板
の厚みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段差部
分を、基板と対向する側に有するものを用い、 パターン形成時には、上記基板と上記マスクとを上記段
差部分中に収容することを特徴とするパターン形成方
法。 - 【請求項１７】 真空蒸着法により、上記基板上にパタ
ーン形成を行うことを特徴とする請求項１６記載のパタ
ーン形成方法。 - 【請求項１８】 スパッタリング法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項１６記載
のパターン形成方法。 - 【請求項１９】 化学的気相成長法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項１６記載
のパターン形成方法。 - 【請求項２０】 ドライエッチング法により、上記基板
上にパターン形成を行うことを特徴とする請求項１６記
載のパターン形成方法。 - 【請求項２１】 基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸
送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン形
成して有機電界発光素子ディスプレイとする有機電界発
光素子ディスプレイの製造装置であって、 上記基板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマス
クと、 上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材と、 上記基板の他方の面側に配された磁化部材と、 上記基板のマスクが配された面と対向して配されたパタ
ーン形成手段とを備え、 上記マスク取り付け部材は、上記マスクが熱膨張した場
合の大きさよりも大きく、当該マスクの厚みよりも大き
な深さで凹に形成された段差部分を有しており、上記マ
スクは当該段差部分に取り付けられることを特徴とする
有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２２】 上記パターン形成手段が、真空蒸着に
よるものであることを特徴とする請求項２１記載の有機
電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２３】 上記パターン形成手段が、スパッタリ
ングによるものであることを特徴とする請求項２１記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２４】 上記パターン形成手段が、化学的気相
成長によるものであることを特徴とする請求項２１記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２５】 上記パターン形成手段が、ドライエッ
チングによるものであることを特徴とする請求項２１記
載の有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２６】 基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸
送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン形
成して有機電界発光素子ディスプレイとする有機電界発
光素子ディスプレイの製造装置であって、 上記基板の一方の面側に配され、磁性材料からなるマス
クと、 上記マスクが取り付けられるマスク取り付け部材と、 上記基板の他方の面側に配された磁化部材と、 上記基板のマスクが配された面と対向して配されたパタ
ーン形成手段とを備え、 上記磁化部材は、上記マスクが熱膨張した場合の大きさ
よりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記基板の厚
みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段差部分
を、基板と対向する側に有していることを特徴とする有
機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２７】 上記パターン形成手段が、真空蒸着に
よるものであることを特徴とする請求項２６記載の有機
電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２８】 上記パターン形成手段が、スパッタリ
ングによるものであることを特徴とする請求項２６記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項２９】 上記パターン形成手段が、化学的気相
成長によるものであることを特徴とする請求項２６記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項３０】 上記パターン形成手段が、ドライエッ
チングによるものであることを特徴とする請求項２６記
載の有機電界発光素子ディスプレイの製造装置。 - 【請求項３１】 基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸
送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン形
成して有機電界発光素子ディスプレイとする有機電界発
光素子ディスプレイの製造方法であって、 上記基板の一方の面側に磁性材料からなるマスクを配
し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態で、パター
ン形成手段により当該基板の一方の面上にパターン形成
を行うに際し、 上記マスク取り付け部材として、上記マスクが熱膨張し
た場合の大きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚み
よりも大きな深さで凹に形成された段差部分を有するも
のを用い、上記マスクを当該段差部分に取り付けること
を特徴とする有機電界発光素子ディスプレイの製造方
法。 - 【請求項３２】 真空蒸着法により、上記基板上にパタ
ーン形成を行うことを特徴とする請求項３１記載の有機
電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３３】 スパッタリング法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項３１記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３４】 化学的気相成長法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項３１記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３５】 ドライエッチング法により、上記基板
上にパターン形成を行うことを特徴とする請求項３１記
載の有機電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３６】 基板上に、少なくとも陽極と、正孔輸
送層及び発光層からなる有機層と、陰極とをパターン形
成して有機電界発光素子ディスプレイとする有機電界発
光素子ディスプレイの製造方法であって、 上記基板の一方の面側に磁性材料からなるマスクを配
し、基板の他方の面に磁化部材を配した状態で、パター
ン形成手段により当該基板の一方の面上にパターン形成
を行うに際し、 上記磁化部材として、上記マスクが熱膨張した場合の大
きさよりも大きく、かつ、当該マスクの厚みと上記基板
の厚みとの和よりも大きな深さで凹に形成された段差部
分を、基板と対向する側に有するものを用い、 パターン形成時には、上記基板と上記マスクとを上記段
差部分中に収容することを特徴とする有機電界発光素子
ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３７】 真空蒸着法により、上記基板上にパタ
ーン形成を行うことを特徴とする請求項３６記載の有機
電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３８】 スパッタリング法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項３６記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３９】 化学的気相成長法により、上記基板上
にパターン形成を行うことを特徴とする請求項３６記載
の有機電界発光素子ディスプレイの製造方法。 - 【請求項４０】 ドライエッチング法により、上記基板
上にパターン形成を行うことを特徴とする請求項３６記
載の有機電界発光素子ディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000182273A JP2002009098A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000182273A JP2002009098A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
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ID=18683066
Family Applications (1)
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| JP2000182273A Withdrawn JP2002009098A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | パターン形成装置、パターン形成方法、有機電界発光素子ディスプレイの製造装置及び製造方法 |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006012597A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | マスクアライメント法を用いたディスプレイの製造方法 |
| US7537798B2 (en) | 2002-11-22 | 2009-05-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Deposition mask frame assembly, method of fabricating the same, and method of fabricating organic electroluminescent device using the deposition mask frame assembly |
| US7837528B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-11-23 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
| US9502276B2 (en) | 2012-04-26 | 2016-11-22 | Intevac, Inc. | System architecture for vacuum processing |
| US9525099B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-12-20 | Intevac, Inc. | Dual-mask arrangement for solar cell fabrication |
| US9543114B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-01-10 | Intevac, Inc. | Implant masking and alignment system with rollers |
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-
2000
- 2000-06-16 JP JP2000182273A patent/JP2002009098A/ja not_active Withdrawn
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| US8334649B2 (en) | 2002-11-29 | 2012-12-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Evaporation mask, method of fabricating organic electroluminescent device using the same, and organic electroluminescent device |
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