JP2002006703A - 電子写真装置及び電子写真方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゴーストのレベルを維持したまま、感光体の
電位むらを軽減することにより、出力画像の濃度むらを
軽減し、より高品質な出力画像を提供する。 【解決手段】 帯電手段としてコロナ帯電器を使用しす
る場合には、感光体及び帯電手段における帯電極性が負
帯電であり、除電光の光量が画像露光の光量の０．８倍
以上３倍以下である。また、帯電手段として感光体に当
接する帯電部材を使用する場合には、感光体及び帯電手
段における帯電極性が負帯電であり、除電光の光量が画
像露光の光量の０．５倍以上５倍以下である。このた
め、除電光照射に起因する感光体の電位むらを、ゴース
トレベルを維持したまま軽減することができ、これによ
り、出力画像における濃度むらを軽減し、より高品質な
画像を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービームプ
リンタ、デジタル複写機等の電子写真装置及び電子写真
方法に関し、詳しくは、アモルファスシリコン系感光体
（以下、ａ−Ｓｉ感光体と称する）を用いた電子写真装
置及び電子写真方法に関し、更に詳しくは、ゴーストや
電位むらを軽減することができるとともに、高画質の出
力画像を提供することができる電子写真装置及び電子写
真方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１５は、電子写真装置の一構成例を示
す概略図である。

【０００３】図１５に示すように本構成例においては、
Ｘ方向に回転する円筒状の感光体１５０１と、感光体１
５０１の表面を一様な電位に帯電させる主帯電器１５０
１と、感光体１５０１の表面に画像露光を行うことによ
り感光体１５０１の表面に静電潜像を形成させる画像露
光手段１５０３と、感光体１５０１の表面に形成された
静電潜像に現像剤であるトナーを現像してトナー像を形
成させる現像器１５０４と、感光体１５０１の表面に形
成されたトナー像を転写材Ｐ上に転写させるとともに、
トナー像が転写された転写材Ｐを感光体１５０１から分
離させる転写・分離帯電器１５０５と、転写材Ｐ上に転
写されたトナー像を転写材Ｐ上に定着させる定着装置１
５０８と、転写・分離帯電器１５０５を通過した後に感
光体１５０１上に残留したトナーを除去するためのクリ
ーニング装置１５０６と、転写・分離帯電器１５０５を
通過した後に感光体１５０１の表面に除電光を照射する
ことにより感光体１５０１の表面に残留した残留電位を
除電する除電光照射手段１５０７とが設けられている。

【０００４】感光体１５０１は、アモルファスシリコン
を主成分とする光導電層が形成されたａ−Ｓｉ感光体で
ある。

【０００５】主帯電器１５０２は、コロナ帯電器であ
り、コロナ帯電方式により感光体１５０１の表面に対し
て帯電処理を行う。

【０００６】画像露光手段１５０３は、原稿情報を備え
ており、この原稿情報の画像パターンにしたがって複数
行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとにレーザーま
たはＬＥＤを光源とする光ビームを感光体１５０１に対
して照射することにより、感光体１５０１に対して画像
露光を行う。

【０００７】以下に、上記のように構成された電子写真
装置における画像形成プロセスについて説明する。

【０００８】感光体１５０１の表面は、主帯電器１５０
２によって一様な電位に帯電された後、画像露光手段１
５０３により画像パターンにしたがって画像露光が行わ
れることによって、感光体１５０１上に静電潜像が形成
される。

【０００９】次に、感光体１５０１上に形成された静電
潜像に対して、現像器１５０４からトナーが現像され、
これにより、感光体１５０１上に可視像すなわちトナー
像が形成される。

【００１０】一方、転写材Ｐは、転写材供給系（不図
示）により感光体１５０１の方向へと供給され、転写・
分離帯電器１５０５によって、感光体１５０１表面のト
ナー像が転写材Ｐに転写される。

【００１１】その後、定着装置１５０８において、転写
材Ｐ上に転写されたトナー像が転写材Ｐに定着され、ト
ナー像が定着された転写材Ｐが装置外に排出される。

【００１２】なお、転写・分離帯電器１５０５により転
写材Ｐに転写されずに感光体１５０１表面に残る残留ト
ナーは、クリーニング装置１５０６に至りクリーニング
ブレード１５０９によって除去される。

【００１３】そして、クリーニングブレード１５０９に
よって残留トナーが除去された感光体１５０１の表面
は、除電光照射手段１５０７から除電光が照射されるこ
とにより残留電位が除電され、再度、次の画像形成プロ
セスに供せられる。

【００１４】図１６は、電子写真装置の他の構成例を示
す概略図である。なお、同図において、図１５に示した
電子写真装置と同様の部分については同一の符号を付
し、説明を省略する。

【００１５】図１６に示すように本構成例は、図１５に
示した主帯電器１５０２の代わりに、電圧を印加した帯
電部材を感光体１５０１に当接させることにより、感光
体１５０１の表面を所定の電位に帯電する接触帯電方式
の帯電装置１６０１を設けた構成となっている。

【００１６】接触帯電方式は、広く利用されているコロ
ナ帯電方式と比較して、感光体の表面を所定の電位とす
るために必要とされる印加電圧の低電圧化を図ることが
可能である。

【００１７】帯電装置１６０１の具体例としては、導電
性磁性粉をマグネットに磁着させた帯電部材からなる帯
電装置や、帯電部材である導電性弾性ローラからなる帯
電装置や、帯電部材である導電性弾性ローラと感光体と
の間に導電性粒子を介在させた帯電装置等が挙げられ
る。

【００１８】ここで、除電光照射手段１５０７にて行わ
れる除電光照射工程について詳細に説明する。

【００１９】除電光照射手段１５０７にて行われる除電
光照射工程は、主に画像形成プロセス前の感光体１５０
１表面を均一に除電することにより、感光体１５０１上
に存在する以前の画像形成履歴（以下、ゴーストと称
す）を消去することを主な目的として行われる。

【００２０】ここで、除電光照射手段１５０７から照射
される除電光の光量が強くなると、光生成キャリアが多
くなり、ゴーストは低減されるが、過剰に生成された光
キャリアが再結合する前に帯電工程に入ってしまうため
に帯電能が低下する。

【００２１】一方、除電光照射手段１５０７から照射さ
れる除電光の光量が弱くなると、帯電能に対しては有利
に働くものの、ゴーストは消去しきれなくなる。

【００２２】このため、除電光の光量の上限下限は、ゴ
ーストと帯電能との関係を考慮して適宜設定するのが一
般的である。また、ゴースト及び帯電能は、除電光の光
量だけでなく除電光の波長にも影響されるため、電子写
真装置のシステムに応じて、除電光の光量及び波長を適
切に選択する必要がある。

【００２３】例えば、特公平７−５４４１７号公報で
は、転写工程の前に光照射による１回目の除電を行い、
帯電工程の前に光照射による２回目の除電を行うことに
よりゴーストを低減する手法が開示されている。

【００２４】また、特開平６−１６７９１５号公報で
は、転写工程の前に除電を行う際の除電光の波長と光量
との最適な関係が記載されている。

【００２５】また、特開平１１−８４７１３号公報で
は、転写工程の後に光照射による除電を行うととも
に、、クリーニング工程の前に光照射による除電を行う
ことによって、ゴーストを低減する手法が開示されてい
る。

【００２６】また、特開平１１−１９４５５４号公報で
は、表面電位センサーによって感光体のゴースト電位を
測定し、該測定結果に基づいて除電光の光量を制御する
手法が開示されている。

【００２７】なお、上述したいずれの手法においても、
除電光の光量に関しては、静電潜像形成時の工程で所定
の電位コントラストを得るために感光体に照射する画像
露光の光量と比較すると、５倍から１０倍以上の強い光
となっている。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】近年の電子写真装置に
おいては、文字だけでなく写真等を出力する機会が急増
しており、更なる高画質化に対する要求が高まってい
る。出力画像の品質の良し悪しを判断する基準の１つと
して濃度むらが挙げられる。特に、写真等のように微妙
な濃淡差の再現性が要求される画像を出力する場合、電
子写真装置に起因する濃度むらは、出力画像の品質を左
右する大きな要素の１つであり、濃度むらの更なる改善
が求められている。

【００２９】濃度むらが生じる１つの要因として感光体
の電位むらが挙げられる。感光体に電位むらが生じる要
因としては、感光体に起因する帯電能むら、帯電器に起
因するむら、除電光照射手段に起因する光量むらや波長
むらなどが挙げられる。これらの電位むらは、従来より
各々の系において最小となるように種々の対策がなされ
ている。

【００３０】その中でも、本発明者らが検討を重ねた結
果、除電光照射工程において、感光体に起因する電位む
らが顕著に生じることが新たに発見された。

【００３１】即ち、除電光照射工程時に除電光照射手段
から照射される除電光は、ピーク波長が６００ｎｍから
７００ｎｍ程度の波長帯であり、ａ−Ｓｉ感光体に対す
る吸収深さが深い。このため、除電光照射工程時の除電
光照射に伴ってキャリアが生成する過程や生成したキャ
リアが再結合したり消滅したりする過程で、ａ−Ｓｉ感
光体上のａ−Ｓｉ膜に起因すると考えられるむらが生
じ、このむらが電位むらの発生要因の１つを担っている
ことが確認された。

【００３２】上述した電位むらは、除電光の光量に対す
る依存性が強く、除電光の光量を弱くすることである程
度低減することが可能である。

【００３３】しかしながら、上述したように、除電光の
光量はゴーストとの兼合いで下限値を適宜設定する必要
があり、必要以上に光量を弱くすることは困難であっ
た。このように、電位むらを更に軽減するためには改善
の余地が残されていた。

【００３４】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、ゴーストレベ
ルを維持したまま、感光体の電位むらを更に軽減するこ
とにより、出力画像における濃度むらを軽減し、より高
品質な画像を得ることができる電子写真装置及び電子写
真方法を提供することを目的とする。

【００３５】

【課題を解決するための手段】上記問題を達成するため
本発明は、アモルファスシリコンを主成分とする光導電
層が形成された円筒形状の感光体と、コロナ帯電器を具
備し、該コロナ帯電器により前記感光体の表面を帯電さ
せる帯電手段と、前記感光体の表面に画像情報を担った
光ビームを照射して画像露光を行うことにより前記感光
体の表面に静電潜像を形成させる画像露光手段と、前記
感光体の表面に形成された静電潜像に現像剤を付与する
ことにより前記感光体の表面に現像剤像を形成させる現
像手段と、前記感光体の表面に形成された現像剤像を転
写材上に転写させる転写手段と、前記転写手段を通過し
た後の前記感光体の表面に除電光を照射することにより
前記感光体の表面の残留電位を除電する除電光照射手段
とを有してなる電子写真装置において、前記感光体及び
前記帯電手段における帯電極性が負帯電であり、前記除
電光照射手段における前記除電光の光量が前記画像露光
の光量の０．８倍以上３倍以下であることを特徴とす
る。

【００３６】また、アモルファスシリコンを主成分とす
る光導電層が形成された円筒形状の感光体と、帯電部材
を具備し、該帯電部材を前記感光体に当接させた状態で
該帯電部材に電圧を印加することにより前記感光体の表
面を帯電させる帯電手段と、前記感光体の表面に画像情
報を担った光ビームを照射して画像露光を行うことによ
り前記感光体の表面に静電潜像を形成させる画像露光手
段と、前記感光体の表面に形成された静電潜像に現像剤
を付与することにより前記感光体の表面に現像剤像を形
成させる現像手段と、前記感光体の表面に形成された現
像剤像を転写材上に転写させる転写手段と、前記転写手
段を通過した後の前記感光体の表面に除電光を照射する
ことにより前記感光体の表面の残留電位を除電する除電
光照射手段とを有してなる電子写真装置において、前記
感光体及び前記帯電手段における帯電極性が負帯電であ
り、前記除電光照射手段における前記除電光の光量が前
記画像露光の光量の０．５倍以上５倍以下であることを
特徴とする。

【００３７】また、前記帯電手段内を流れる電流値Ｉｐ
と前記感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性は、単
調ではなく、所定の電流値Ｉｐを境として、Ｉｐに対する
Ｖｄの変化率が２倍以上変化するような閾値を有する感
光体を用いることを特徴とする。

【００３８】また、前記除電光の波長が６１０ｎｍ以上
７００ｎｍ以下であることを特徴とする。

【００３９】また、前記除電光照射手段は、一列状に整
列されて配設された複数個のＬＥＤ素子からなるＬＥＤ
アレイを前記除電光の光源とし、１０ｃｍあたりのＬＥ
Ｄ素子数が５個以上２０個以下であることを特徴とす
る。

【００４０】また、前記画像露光手段は、画像パターン
に対応して複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ご
とにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照射
して画像露光を行うことを特徴とする。

【００４１】また、アモルファスシリコンを主成分とす
る光導電層が形成された円筒形状の感光体の表面を、コ
ロナ帯電器に電圧を印加することにより帯電させる帯電
工程と、前記感光体の表面に画像情報を担った光ビーム
を照射して画像露光を行うことにより前記感光体の表面
に静電潜像を形成させる画像露光工程と、前記感光体の
表面に形成された静電潜像に現像剤を付与することによ
り前記感光体の表面に現像剤像を形成させる現像工程
と、前記感光体の表面に形成された現像剤像を転写材上
に転写させる転写工程と、前記転写工程後の前記感光体
の表面に除電光を照射することにより前記感光体の表面
の残留電位を除電する除電光照射工程とを有してなる電
子写真方法において、前記帯電工程における帯電極性が
負であり、前記除電光照射工程における前記除電光の光
量が前記画像露光の光量の０．８倍以上３倍以下である
ことを特徴とする。

【００４２】また、前記コロナ帯電器内を流れる電流値
Ｉｐと前記感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性
は、単調ではなく、所定の電流値Ｉｐを境として、Ｉｐに
対するＶｄの変化率が２倍以上変化するような閾値を有
する感光体を用いることを特徴とする。

【００４３】また、アモルファスシリコンを主成分とす
る光導電層が形成された円筒形状の感光体の表面を、該
感光体に当接させた帯電部材に電圧を印加することによ
り帯電させる帯電工程と、前記感光体の表面に画像情報
を担った光ビームを照射して画像露光を行うことにより
前記感光体の表面に静電潜像を形成させる画像露光工程
と、前記感光体の表面に形成された静電潜像に現像剤を
付与することにより前記感光体の表面に現像剤像を形成
させる現像工程と、前記感光体の表面に形成された現像
剤像を転写材上に転写させる転写工程と、前記転写工程
後の前記感光体の表面に除電光を照射することにより前
記感光体の表面の残留電位を除電する除電光照射工程と
を有してなる電子写真方法において、前記帯電工程にお
ける帯電極性が負であり、前記除電光照射工程における
前記除電光の光量が前記画像露光の光量の０．５倍以上
５倍以下であることを特徴とする。

【００４４】また、前記帯電部材内を流れる電流値Ｉｐ
と前記感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性は、単
調ではなく、所定の電流値Ｉｐを境として、Ｉｐに対する
Ｖｄの変化率が２倍以上変化するような閾値を有する感
光体を用いることを特徴とする。

【００４５】また、前記除電光の波長が６１０ｎｍ以上
７００ｎｍ以下であることを特徴とする。

【００４６】また、前記除電光の光源が、一列状に整列
されて配設された複数個のＬＥＤ素子からなるＬＥＤア
レイであり、１０ｃｍあたりのＬＥＤ素子数が５個以上
２０個以下であることを特徴とする。

【００４７】また、前記画像露光工程にて、画像パター
ンにしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画
素ごとにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを
照射して画像露光を行うことを特徴とする。

【００４８】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、帯電手段としてコロナ帯電器を使用する場合
には、感光体及び帯電手段における帯電極性が負帯電で
あり、除電光の光量が画像露光の光量の０．８倍以上３
倍以下であり、また、帯電手段として感光体に当接する
帯電部材を使用する場合には、感光体及び帯電手段にお
ける帯電極性が負帯電であり、除電光の光量が画像露光
の光量の０．５倍以上５倍以下である。

【００４９】このため、除電光照射に起因する感光体の
電位むらを、ゴーストレベルを維持したまま軽減するこ
とが可能となり、これにより、出力画像における濃度む
らを軽減し、より高品質な画像を得ることが可能とな
る。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明者らが本発明を完
成するに至った経緯について説明する。

【００５１】まず、図１５に示したコロナ帯電方式を用
いた電子写真装置を使用し、感光体の電位むらの発生要
因を分離するために、コロナ帯電器を流れる電流Ｉｐと
感光体の表面電位Ｖｄとの関係について検討を行った。

【００５２】図１は、コロナ帯電方式を用いた場合にお
ける、コロナ帯電器を流れる電流Ｉｐと感光体の表面電
位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性を示す図である。

【００５３】具体的に説明すると、図１は、各々のＩｐ
値において、Ｖｄ値を測定する電位測定手段からの出力
をペンレコーダーなどの記録手段に記録し、その値をＶ
ｄ値としてプロットしたものである。なお、この他に
も、電位測定手段からの出力を、オシロスコープやデー
タメモリー機能のついたマルチメーターを使って同様に
測定することが可能である。

【００５４】図１に示すように、Ｉｐ−Ｖｄ特性は２つ
の領域に分けることができる。ここでは、２つの領域の
それぞれを、過渡領域、直線領域と称し、その境界を閾
値と称することにする。

【００５５】過渡領域においては、除電光照射によって
生成されたキャリアが再結合したり、このキャリアがコ
ロナ帯電器からの電界によって加速されて消滅したりし
ていく過程であると推測され、また、直線領域において
は、コロナ帯電器からの電荷によって感光体が帯電して
いく過程であると推測される。

【００５６】次に、上述した各過程における感光体の電
位むらについて詳細に調べた。図２及び図３にその結果
を示す。

【００５７】図２は、コロナ帯電方式を用いた場合にお
ける、コロナ帯電器を流れる電流Ｉｐと感光体の表面電
位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性を示す図であり、各Ｉｐ値に
おいて、感光体が１周する間の表面電位Ｖｄの最大値
（Ｍａｘ値）と最小値（Ｍｉｎ値）とをプロットしたも
のである。また、図３は、コロナ帯電方式を用いた場合
における、感光体の周方向の電位むらを示す図であり、
図２に示した各Ｉｐ値において、表面電位Ｖｄの（最大
値−最小値）をプロットしたものである。

【００５８】具体的に説明すると、図２は、各々のＩｐ
値において、Ｖｄ値を測定する電位測定手段からの出力
をペンレコーダーなどの記録手段に記録し、感光体が１
周する間のＶｄ値の最大値と最小値とをプロットしたも
のである。

【００５９】図２に示すように、感光体の表面電位Ｖｄ
の最大値をプロットしたデータは、２００μＡ付近を閥
値として過渡領域から直線領域に移行しているのに対
し、感光体の表面電位Ｖｄの最小値をプロットしたデー
タは、４００μＡ付近を閾値として過渡領域から直線領
域に移行している。

【００６０】また、図２に示した両方のデータが共に直
線領域に移行した領域（Ｉｐ値が４００μＡよりも大き
い領域）でデータを比較すると、両方のデータは互いに
ほぼ平行に移動していくような特性を示している。

【００６１】従って、図３に示した感光体の周方向の電
位むらに関して、次のように解釈することができる。

【００６２】即ち、Ｉｐ値が２００μＡ付近よりも小さ
い場合には、感光体上の全ての部分が過渡領域であり、
この過渡領域では帯電性が低いため電位むらが小さい。

【００６３】また、Ｉｐ値が２００μＡ〜４００μＡ付
近である場合には、感光体上に、直線領域に移行してい
る部分と過渡領域のままである部分とが存存し、直線領
域と過渡領域とでは帯電性にかなりの差があるため、電
位むらが発生する。

【００６４】また、Ｉｐ値が４００μＡ付近よりも大き
い場合には、感光体上の全ての部分が直線領域に移行
し、直線領域における帯電性、即ち直線の傾きの相違に
よって、電位むらはＩｐの増加とともに増加したり、場
合によっては減少したりする。

【００６５】これらの結果より、過渡領域における感光
体の特性が、感光体の電位むらに対して大きな影響を及
ぼしていることがわかる。

【００６６】次に、除電光の光量と感光体の電位むらと
の関係について詳細に調べた。図４及び図５にその結果
を示す。ここでは、除電光の光源に印加する電圧を異な
らせて除電光の光量を調整した。

【００６７】図４は、コロナ帯電方式を用いた場合にお
ける、除電光の光源に印加する電圧を異ならせた時のコ
ロナ帯電器を流れる電流Ｉｐと感光体の表面電位Ｖｄと
のＩｐ−Ｖｄ特性を示す図である。また、図５は、コロ
ナ帯電方式を用いた場合における、除電光の光源に印加
する電圧を異ならせた時の感光体の周方向の電位むらを
示す図である。

【００６８】具体的に説明すると、図４は、各電圧にお
いて、図１に示したＩｐ−Ｖｄ特性と同様の測定方法で
感光体の表面電位Ｖｄを測定してプロットしたものであ
り、Ｉｐ−Ｖｄ特性の除電光光量依存性を示している。

【００６９】また、図５は、図４に示した各電圧におい
て、図２に示したＩｐ−Ｖｄ特性と同様の測定方法で各
Ｉｐ値における表面電位Ｖｄの最大値及び最小値を測定
した後、測定したＶｄ値の（最大値−最小値）を算出し
てプロットしたものであり、感光体の周方向の電位むら
の除電光光量依存性を示している。

【００７０】図４に示すように、除電光の光源に印加す
る印加電圧を大きくして除電光の光量を強くすると、こ
れに伴い過渡領域から直線領域に移行するＩｐ値（閾
値）も大きくなることがわかる。

【００７１】また、図５に示すように、除電光の光量を
強くすると、これに伴い感光体の電位むらも大きくなる
ことがわかる。

【００７２】以上の結果から、過渡領域、即ち、除電光
照射により感光体の膜中に侵入／吸収された光がキャリ
アを生成する過程や該キャリアが拡散したり外部からの
電界などで加速されたりする過程の領域で、感光体の特
性にばらつきが生じ、その結果、過渡領域から直線領域
に移行するＩｐ値（閥値）がばらついてしまい、この閾
値のばらつきが電位むらの原因の１つとなっていること
がわかった。また、除電光の光量が強いほどその影響が
大きくなることがわかった。

【００７３】次に、除電光の波長と感光体の電位むらと
の関係について詳細に調べた。図６及び図７にその結果
を示す。

【００７４】図６は、コロナ帯電方式を用いた場合にお
ける、除電光の波長を異ならせた時のコロナ帯電器を流
れる電流Ｉｐと感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特
性を示す図である。また、図７は、コロナ帯電方式を用
いた場合における、除電光の波長を異ならせた時の感光
体の周方向の電位むらを示す図である。

【００７５】具体的に説明すると、図６は、各波長にお
いて、図１に示したＩｐ−Ｖｄ特性と同様の測定方法で
感光体の表面電位Ｖｄを測定してプロットしたものであ
り、Ｉｐ−Ｖｄ特性の除電光波長依存性を示している。

【００７６】また、図７は、図６に示した各波長におい
て、図２に示したＩｐ−Ｖｄ特性と同様の測定方法で各
Ｉｐ値における表面電位Ｖｄの最大値及び最小値を測定
した後、測定したＶｄ値の（最大値−最小値）を算出し
てプロットしたものであり、感光体の周方向の電位むら
の除電光波長依存性を示している。

【００７７】図６に示すように、除電光の波長が５６５
ｎｍである場合には、過渡領域がほとんど存在せず、す
ぐに直線領域に移行しているのに対し、除電光の波長
が、６１０ｎｍ、６６０ｎｍ、７００ｎｍと長くなるに
したがって、過渡領域から直線領域に移行するＩｐ値が
大きくなることがわかる。しかしながら、除電光の波長
が７８０ｎｍである場合には、図に示した範囲内では明
確に過渡領域と直線領域とを分離することは困難であ
り、Ｉｐの増加とともに単調に感光体が帯電されるとい
ったＩｐ−Ｖｄ特性を示した。

【００７８】また、図７に示すように、電位むらについ
ては、除電光の波長が黒塗り記号で示した６１０ｎｍ、
６６０ｎｍ、７００ｎｍである場合には、図２〜図５に
示したデータと同様の特性、即ち、Ｉｐ−Ｖｄ特性で過
渡領域から直線領域に移行するＩｐ値（閾値）付近で電
位むらが発生し、直線領域に移行した後はＩｐの増加と
ともに電位むらが少しずつ減少するという特性を示し
た。

【００７９】更に、除電光の波長が６１０ｎｍ、６６０
ｎｍ、７００ｎｍである場合には、図５に示したデータ
と同様に、除電光の光量を強くすると、これに伴い電位
むらも大きくなることが確認された（不図示）。

【００８０】これに対して、除電光の波長が白抜き記号
で示した５６５ｎｍ、７８０ｎｍである場合には、図に
示した範囲内ではその特性に明確な変化はなく、Ｉｐの
増加とともに電位むらが単調に増加するといった特性を
示し、このような場合は、図５に示したデータとは異な
り、除電光の光量を強くするか、或いは弱くするかのい
ずれかによって電位むらを大きく改善することが困難で
あった。

【００８１】除電光の波長が５６５ｎｍ、７８０ｎｍで
ある場合に、除電光の光量の強弱によって電位むらを大
きく改善することが困難であるという理由としては、以
下の理由が考えられる。

【００８２】除電光の波長が５６５ｎｍである場合に
は、図６に示すように、過渡領域がほとんど存在せず、
すぐに直線領域に移行するＩｐ−Ｖｄ特性を示す。この
ことから、電位むらの要因として、直線領域における感
光体の特性に起因する要因が支配的となるため、除電光
の光量の強弱によって電位むらを大きく改善することが
困難であると推側される。

【００８３】また、除電光の波長が７８０ｎｍである場
合は、図６に示すように、過渡領域と直線領域とを明確
に分離することは困難である上に、帯電性は図６のデー
タの中で最も低い。このことから、除電光の波長が７８
０ｎｍといったかなりの長波長帯になると、感光体の膜
中のかなり深くまで光が到達したり、感光体のバンド中
の奥深くのトラップ準位にキャリアが捕獲されて再励起
されにくい状況に陥ってしまったりするために、光生成
キャリアが掃出されにくい環境が形成される。これによ
り、電位むらの要因として、帯電工程時に上記環境の要
因が支配的となるため、除電光の光量の増減によって電
位むらを大きく改善することが困難であると推側され
る。

【００８４】次に、除電光の光量と感光体の周方向の電
位むらとの関係について更に詳細に調べた。図８及び図
９にその結果を示す。ここでは、感光体及びコロナ帯電
器の帯電極性を正帯電とした。

【００８５】図８は、図１５に示したようなコロナ帯電
方式を用いた電子写真装置の場合における、除電光の光
量と感光体の周方向の電位むらとの関係を示す図であ
る。また、図９は、同様に、図１５に示したようなコロ
ナ帯電方式を用いた電子写真装置の場合における、除電
光の光量とゴーストレベル（電位）との関係を示す図で
ある。

【００８６】具体的に説明すると、図８及び図９におい
て、横軸は、感光体の感度（所定の電位を確保する為に
必要な画像露光の光量）で規格化した除電光の光量を示
しており、例えば、ＰＥ／ＩＥ[a.u.]＝５である時は、
除電光の光量が画像露光の光量の５倍であることを示し
ている。なお、除電光の光量を規格化して表記したの
は、上述したように、電位むらは感光体内における光キ
ャリアの挙動によって左右されることが明らかとなった
ため、光量を表す指標として、[μＪ/cm2]や[lux.sec.]
といった物理的な単位ではなく、その感光体の感光特性
と比較することが最も良く感光体の特性を反映すること
になると考えたからである。

【００８７】また、図８において、縦軸は、除電光の光
量を感光体の周方向の電位むらが従来レベルからどの程
度改善されたかを表すため、従来の除電光光量の代表値
として、除電光光量が画像露光光量の５倍のときの値を、
１００％となるように規格化して示しており、例えば、
電位ムラが８０％の場合に、従来の電位むらよりも２０
％改善されることを意味している。また、図９も同様
に、縦軸は、感光体のゴーストレベル（電位）が従来レ
ベルからどの程度変化したかを表すため、従来の除電光
光量の代表値として、除電光光量が画像露光光量の５倍
の時の値を１００％となるように規格化して示してお
り、例えば、ゴースト電位が８０％の場合に、従来のゴ
ーストレベルよりも２０％改善されることを意味してい
る。

【００８８】図８に示すように、除電光の光量を弱くす
ることによって電位むらの改善を図れることがわかる。

【００８９】しかしながら、図９に示すように、単純に
従来の構成のまま除電光の光量を弱くするだけでは、ゴ
ーストレベルが悪くなってしまい、結果としてより高品
質な画像を得ることには至らなかった。

【００９０】次に、図８及び図９に示した実験に用いた
帯電極性が正帯電の感光体及びコロナ帯電器ではなく、
帯電極性が負帯電の感光体及びコロナ帯電器を用い、図
８及び図９に示した実験と同様の実験を行った。その結
果を図１０及び図１１に示す。

【００９１】図１０は、コロナ帯電方式を用いた場合に
おける、除電光の光量と感光体の周方向の電位むらとの
関係を示す図である。また、図１１は、コロナ帯電方式
を用いた場合における、除電光の光量とゴーストレベル
（電位）との関係を示す図である。なお、図１０及び図
１１は、帯電極性が正帯電の感光体及びコロナ帯電器を
用いた場合の結果（図８及び図９参照）と、帯電極性が
負帯電の感光体及びコロナ帯電器を用いた場合の結果と
を合わせて示している。

【００９２】図１０に示すように、電位むらについて
は、感光体及びコロナ帯電器の帯電極性によらずほぼ同
様の特性を示し、除電光の光量が画像露光の光量の５倍
〜１０倍以上である時は、電位むらがほぼ従来レベル
（１００％）の電位むらとなるが、除電光の光量を３倍
以下にすることで、電位むらを従来レベルと比較して２
０％以上改善できることがわかる。

【００９３】更に、図１１に示すように、ゴーストレベ
ルについては、感光体及びコロナ帯電器の帯電極性を負
帯電とすることによって、ゴーストレベルを全体的に改
善することができ、除電光の光量を画像露光の光量の
０．８倍とした時でも、従来のゴーストレベルを維持で
きることがわかった。

【００９４】これらの結果より、コロナ帯電方式を用い
た場合には、感光体及びコロナ帯電器の帯電極性を負帯
電とし、除電光の光量を画像露光の光量の０．８倍〜３
倍とすることにより、ゴーストレべルを従来レべル以上
に維持することができるとともに、電位むらを従来レベ
ルと比較して２０％以上改善できることがわかり、本発
明を完成するに至った。

【００９５】次に、図１５に示したコロナ帯電方式を用
いた電子写真装置ではなく、図１６に示した接触帯電方
式を用いた電子写真装置を使用し、図８〜図１１に示し
た実験と同様の実験を行った。その結果を図１２及び図
１３に示す。なお、接触帯電方式の帯電装置としては、
特開平０９−１２０１９３号公報等で開示されているよ
うな、電圧を印加した帯電部材を感光体の表面に当接さ
せる装置を用いた。また、感光体及び帯電装置の帯電極
性を負極性とした。

【００９６】図１２は、除電光の光量と感光体の周方向
の電位むらとの関係を示す図であり、コロナ帯電方式を
用いた場合の結果（図１０参照）と接触帯電方式を用い
た場合の結果とを合わせて示している。また、図１３
は、除電光の光量とゴーストレベル（電位）との関係を
示す図であり、コロナ帯電方式を用いた場合の結果（図
１１参照）と接触帯電方式を用いた場合の結果とを合わ
せて示している。

【００９７】図１２及び図１３に示すように、接触帯電
方式を用いた場合には、コロナ帯電方式を用いた場合と
比較して、電位むらとゴーストレベルとの両方の特性に
有利に働くことがわかった。

【００９８】更に、図１２に示すように、除電光の光量
を画像露光の光量の５倍以下にすることで、電位むらを
従来レベルと比較して２０％以上改善できることがわか
った。

【００９９】また、図１３に示すように、除電光の光量
を画像露光の光量の０．５倍とした時でも、従来のゴー
ストレベルを維持できることがわかった。

【０１００】これらの結果より、接触帯電方式を用いた
場合には、感光体及び帯電装置の帯電極性を負帯電と
し、除電光の光量を画像露光の光量の０．５倍〜５倍と
することにより、ゴーストレべルを従来レべル以上に維
持することができるとともに、電位むらを従来レべルと
比較して２０％以上改善できることがわかり、本発明を
完成するに至った。

【０１０１】上述したように、本発明においては、コロ
ナ帯電方式を用いた場合、感光体及び帯電装置における
帯電極性を負帯電とするとともに、除電光光量を画像露
光光量の０．８倍以上３倍以下とすることにより、ゴー
ストレべルを従来レべル以上に保ったまま、感光体の電
位むらを従来レべルと比較して２０％以上改善すること
ができる。

【０１０２】また、接触帯電方式を用いた場合、感光体
及び帯電装置における帯電極性を負帯電とするととも
に、除電光光量を画像露光光量の０．５倍以上５倍以下
とすることにより、ゴーストレべルを従来レべル以上に
保ったまま、感光体の電位むらを従来レべルと比較して
２０％以上改善することができる。

【０１０３】また、これらの効果を発揮するためには、
帯電手段であるコロナ帯電器或いは接触式の帯電装置内
を流れる電流値Ｉｐと感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−
Ｖｄ特性が、所定の電流値Ｉｐを閥値として該閾値以上
の領域と閾値以下の領域とで互いに異なるようにするこ
とが好ましい。

【０１０４】また、Ｉｐ−Ｖｄ特性が閾値以上の領域と
閾値以下の領域とで互いに異なるようにするためには、
図６及び図７から明らかなように、除電光の波長を６１
０ｎｍ以上７００ｎｍ以下とすることが好ましい。

【０１０５】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する
が、本発明は、これらにより何ら制限されるものではな
い。

【０１０６】（第１の実施例）図１５に示した電子写真
装置と同様の構成のキヤノン製複写機ＧＰ６０５を、感
光体１５０１及び主帯電器１５０２の帯電極性が負帯電
となるように改造し、この装置を使用した。

【０１０７】また、感光体１５０１としてφ１０８ｍ
ｍ、負帯電のａ−Ｓｉ感光体を用い、また、主帯電器１
５０２としてコロナ帯電器をそのまま用いた。また、除
電光照射手段１５０７の光源には波長７００ｎｍのＬＥ
Ｄをそのまま用い、また、画像露光手段１５０３の光源
には波長６７５ｎｍのレーザー光をそのまま用いた。

【０１０８】本発明においては、画像露光の光量に対す
る除電光の光量比を、従来の電子写真装置（除電光の光
量比；５〜１０倍）よりも少なくする必要がある。

【０１０９】このため、本実施例では、除電光照射手段
１５０７の光源として用いたＬＥＤを点灯させるための
電圧を装置外から供給できるように上述した電子新装置
を更に改造し、ＬＥＤに印加する電圧を調整することに
よって、除電光の光量を画像露光の光量の０．８倍、２
倍、３倍に調節した。

【０１１０】本実施例では、べたハーフトーン画像をプ
リントアウトした画像について周方向の濃度むらの評価
を行うとともに、キヤノン製テストチヤート（ＦＹ９−
９０４０）をプリントアウトした画像についてゴースト
の評価を行い、更に、周方向の濃度むら及びゴーストの
評価結果に基づく総合評価を行った。その評価結果を表
１に示す。なお、表１においては、非常に良いものを
☆、良いものを○、従来と同等レベルのものを△、実用
上問題がある場合があるものを×として評価した。

【０１１１】（第１の比較例）本比較例では、第１の実
施例と同様の装置を使用し、ＬＥＤに印加する電圧を調
整することによって、除電光の光量を画像露光の光量の
０．５倍にして第１の実施例と同様の評価を行った。

【０１１２】また、装置内の電源によって除電光用のＬ
ＥＤに電圧を印加した以外は、第１の実施例と全て同じ
条件で第１の実施例と同様の評価を行った。このとき、
除電光の光量は画像露光の光量の１０倍であった。

【０１１３】また、第１の実施例で用いた装置に対して
全く改造を行っていない状態、即ち、感光体及びコロナ
帯電器の帯電極性が正帯電であり、除電光用のＬＥＤに
対して装置内部の電源によって電圧を印加して第１の実
施例と同様の評価を行った。本比較例にて得られた評価
結果を第１の実施例の評価結果と合わせて表１に示す。

【０１１４】

【表１】

【０１１５】表１より明らかなように、コロナ帯電方式
を用いた場合には、除電光の光量を画像露光の光量の
０．８倍〜３倍とすることで、除電光の光量が上記範囲
外である場合の結果と比較して総合的に良い結果が得ら
れた。

【０１１６】（第２の実施例）第１の実施例にて用いた
電子写真装置を、図１６に示した接触帯電方式を用いた
電子写真装置と同様の構成に改造し、この装置を使用し
た。

【０１１７】更に、除電光照射手段１５０７の光源を波
長６１０ｎｍのＬＥＤに改造し、また、画像露光手段１
５０３の光源を波長６３０ｎｍのレーザー光に改造し
た。また、感光体１５０１として第１の実施例と同様の
負帯電のａ−Ｓｉ感光体を使用した。

【０１１８】帯電装置１６０１の具体例としては、導電
性磁性粉をマグネットに磁着させた帯電部材からなる帯
電装置や、帯電部材である導電性弾性ローラからなる帯
電装置や、帯電部材である導電性弾性ローラと感光体と
の間に導電性粒子を介在させた帯電装置等が挙げられる
が、中でも、導電性弾性ローラと感光体との間に導電性
粒子を介在させた帯電装置は、オゾンの発生がないため
に総合的に好ましい。

【０１１９】本実施例では、除電光照射手段１５０７の
光源として用いたＬＥＤと感光体１５０１との間に光減
衰フイルターを挿入することによって、除電光の光量を
画像露光の光量の０．５倍、３倍、５倍に調節した。

【０１２０】本実施例の評価法としては、第１の実施例
と同様に、べたハーフトーン画像をプリントアウトした
画像について周方向の濃度むらの評価を行うとともに、
キヤノン製テストチヤート（ＦＹ９−９０４０）をプリ
ントアウトした画像についてゴーストの評価を行い、更
に、周方向の濃度むら及びゴーストの評価結果に基づく
総合評価を行った。その評価結果を表２に示す。なお、
表２においては、非常に良いものを☆、良いものを○、
従来と同等レベルのものを△、実用上問題がある場合が
あるものを×として評価した。

【０１２１】（第２の比較例）本比較例では、第２の実
施例と同様の装置を使用し、ＬＥＤと感光体１５０１と
の間に光減衰フイルターを挿入することによって、除電
光の光量を画像露光の光量の０．３倍にして第１の実施
例と同様の評価を行った。

【０１２２】また、光減衰フイルターを挿入しない状態
で第２の実施例と同様の評価を行った。このとき、除電
光の光量は画像露光の光量の１０倍であった。本比較例
にて得られた評価結果を第２の実施例の評価結果と合わ
せて表２に示す。

【０１２３】

【表２】

【０１２４】表２より明らかなように、接触帯電方式を
用いた場合には、除電光の光量を画像露光の光量の０．
５倍〜５倍とすることで、除電光の光量が上記範囲外で
ある場合の結果と比較して総合的に良い結果が得られ
た。

【０１２５】また、ＬＥＤと感光体との間に光減衰フイ
ルターを挿入することにより除電光の光量を調整する構
成であっても、除電光の光量を画像露光の光量の０．５
倍〜５倍とすることで、除電光の光量が上記範囲外であ
る場合の結果と比較して総合的に良い結果が得られた。

【０１２６】（第３の実施例）第１の実施例にて用いた
電子写真装置を使用し、除電光照射手段１５０７の光源
を波長６６０ｎｍのＬＥＤに改造し、また、画像露光手
段１５０３の光源を波長６５５ｎｍのレーザー光に改造
した。また、感光体１５０１として第１の実施例と同様
の負帯電のａ−Ｓｉ感光体を使用した。

【０１２７】本実施例では、除電光照射手段１５０７の
光源として用いるＬＥＤアレイの単位長さあたりのＬＥ
Ｄ素子数を変化させることによって、画像露光の光量に
対する除電光の光量比を調節した。 図１４は、複数個
のＬＥＤ素子からなるＬＥＤアレイのＬＥＤ素子の配列
を示す模式図であり、（ａ）は単位長あたりのＬＥＤ素
子数が多いＬＥＤアレイを示す図、（ｂ）は単位長あた
りのＬＥＤ素子数が少ないＬＥＤアレイを示す図であ
る。

【０１２８】従来の電子写真装置では、除電光照射手段
１５０７の光源として一列状に配列された複数個のＬＥ
Ｄ素子からなるＬＥＤアレイが主に用いられているが、
このＬＥＤアレイには、図１４（ａ）に示すように、１
０ｃｍあたりにＬＥＤ素子が２０個存存しており、比較
的密になっていた。

【０１２９】そこで、本実施例では、図１４（ｂ）に示
すように、ＬＥＤ素子の個数を少なくし、５個、９個、
１２個とした場合の実施例について示す。それらのＬＥ
Ｄを用いた場合における除電光の光量は、それぞれ、画像
露光の光量の１．２倍、１．８倍、２．９倍であった。
このような１０ｃｍあたりのＬＥＤの素子数を少なく
したＬＥＤを用いることにより、除電光の光量を少なく
するだけでなく、ＬＥＤのコストを安く出来るといった
新たなメリットを得る事が出来る。その反面、ＬＥＤの
素子数が少なくなると、素子の直下と素子と素子の間に
おける露光量の差が大きくなり、除電光光量の軸方向に
おける光量分布が大きくなるといった現象が発生するも
のと考えられる。このため、本実施例の評価法として
は、第１の実施例、及び、第２の実施例で行った評価に
加え、プリントアウト画像の軸方向濃度むらに関する評
価を行った。即ち、べたハーフトーン画像をプリントア
ウトした画像について周方向、及び、軸方向の濃度むら
の評価を行うとともに、キヤノン製テストチヤート（Ｆ
Ｙ９−９０４０）をプリントアウトした画像についてゴ
ーストの評価を行い、更に、周方向、軸方向の濃度むら
とゴーストの評価結果、及び、コストダウン効果に基づ
く総合評価を行った。その評価結果を表３に示す。な
お、表３においては、非常に良いものを☆、良いものを
○、従来と同等レベルのものを△、実用上問題がある場
合があるものを×として評価した。

【０１３０】（第３の比較例）本比較例では、第３の実
施例と同様の装置を用い、単位長（１０ｃｍ）あたりの
ＬＥＤ素子数を３個にし、それ以外は第３の実施例とま
ったく同じ条件にして第３の実施例と同様の評価を行っ
た。このＬＥＤを用いた場合の除電光光量は、画像露光
光量の０．８倍であった。 また、単位長（１０ｃｍ）
あたりのＬＥＤ素子数を少なくしない状態、すなわち、
ＬＥＤの１０ｃｍあたりの素子数が２０個のままの状態
で第３の実施例と同様の評価を行った。このとき、除電
光の光量は、画像露光の光量の１０倍であった。更に、
このＬＥＤを用い、ＬＥＤに印加する電圧を調整して、
除電光の光量を画像露光の２倍となるように調整した場
合においても同様の評価を行った。本比較例にて得られ
た評価結果を第３の実施例の評価結果と合わせて表３に
示す。

【０１３１】

【表３】

【０１３２】表３より明らかなように、コロナ帯電方式
を用いた場合には、ＬＥＤ素子の個数を少なくすること
により除電光の光量を調整する構成であっても、除電光
の光量を画像露光の光量の０．８倍〜３倍とすること
で、除電光の光量が上記範囲外である場合の結果と比較
して総合的に良い結果が得られた。しかしながら、単位
長さ（１０ｃｍ）あたりのＬＥＤ素子の個数を３個にす
ると、ＬＥＤの軸方向の光量分布によるものと思われる
濃度むらが発生し、実用上問題となる場合がある事がわ
かった。

【０１３３】（第４の実施例）本実施例では、第１の実
施例にて用いた電子写真装置を使用し、感光体１５０１
として第１の実施例と同様の負帯電のａ−Ｓｉ感光体を
使用した。

【０１３４】本実施例では、除電光照射手段１５０７の
光源として用いるＬＥＤと感光体１５０１との間隔を広
げることによって、除電光の光量を画像露光の光量の
０．３倍、３倍、５倍に調節した。なお、除電光用のＬ
ＥＤには装置内の電源によって電圧を印加した。

【０１３５】本実施例では、べたハーフトーン画像をプ
リントアウトした画像について周方向の濃度むらの評価
を行うとともに、キヤノン製テストチヤート（ＦＹ９−
９０４０）をプリントアウトした画像についてゴースト
の評価を行い、更に、周方向の濃度むら及びゴーストの
評価結果に基づく総合評価を行った。その評価結果を表
４に示す。なお、表４においては、非常に良いものを
☆、良いものを○、従来と同等レベルのものを△、実用
上問題がある場合があるものを×として評価した。

【０１３６】（第４の比較例）本比較例では、第４の実
施例と同様の装置を用い、除電光用のＬＥＤと感光体１
５０１との間隔を広げることによって、除電光の光量を
画像露光の光量の０．３倍にして第４の実施例と同様の
評価を行った。

【０１３７】また、除電光用のＬＥＤと感光体１５０１
との間隔を広げない状態で第４の実施例と同様の評価を
行った。このとき、除電光の光量は、画像露光の光量の
１０倍であった。本比較例にて得られた評価結果を第４
の実施例の評価結果と合わせて表４に示す。

【０１３８】

【表４】

【０１３９】表４より明らかなように、接触帯電方式を
用いる場合には、ＬＥＤと感光体との間隔を広げること
により除電光の光量を調整する構成であっても、除電光
の光量を画像露光の光量の０．５倍〜５倍とすること
で、除電光の光量が上記範囲外である場合の結果と比較
して総合的に良い結果が得られた。

【０１４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
帯電手段としてコロナ帯電器を使用する場合には、感光
体及び帯電手段における帯電極性が負帯電であり、除電
光の光量が画像露光の光量の０．８倍以上３倍以下とな
るように構成され、また、帯電手段として感光体に当接
する帯電部材を使用する場合には、感光体及び帯電手段
における帯電極性が負帯電であり、除電光の光量が画像
露光の光量の０．５倍以上５倍以下となるように構成さ
れているため、除電光照射に起因する感光体の電位むら
を、ゴーストレベルを維持したまま軽減することがで
き、これにより、出力画像における濃度むらを軽減し、
より高品質な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】コロナ帯電方式を用いた場合における、コロナ
帯電器を流れる電流Ｉｐと感光体の表面電位ＶｄとのＩ
ｐ−Ｖｄ特性を示す図である。

【図２】コロナ帯電方式を用いた場合における、コロナ
帯電器を流れる電流Ｉｐと感光体の表面電位ＶｄとのＩ
ｐ−Ｖｄ特性を示す図である。

【図３】コロナ帯電方式を用いた場合における、感光体
の周方向の電位むらを示す図である。

【図４】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電光
の光源に印加する電圧を異ならせた時のコロナ帯電器を
流れる電流Ｉｐと感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ
特性を示す図である。

【図５】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電光
の光源に印加する電圧を異ならせた時の感光体の周方向
の電位むらを示す図である。

【図６】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電光
の波長を異ならせた時のコロナ帯電器を流れる電流Ｉｐ
と感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性を示す図で
ある。

【図７】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電光
の波長を異ならせた時の感光体の周方向の電位むらを示
す図である。

【図８】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電光
の光量と感光体の周方向の電位むらとの関係を示す図で
ある。

【図９】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電光
の光量とゴーストレベル（電位）との関係を示す図であ
る。

【図１０】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電
光の光量と感光体の周方向の電位むらとの関係を示す図
である。

【図１１】コロナ帯電方式を用いた場合における、除電
光の光量とゴーストレベル（電位）との関係を示す図で
ある。

【図１２】除電光の光量と感光体の周方向の電位むらと
の関係を示す図である。

【図１３】除電光の光量とゴーストレベル（電位）との
関係を示す図である。

【図１４】複数個のＬＥＤ素子からなるＬＥＤアレイの
ＬＥＤ素子の配列を示す模式図であり、（ａ）は単位長
あたりのＬＥＤ素子数が多いＬＥＤを示す図、（ｂ）単
位長あたりのＬＥＤ素子数が少ないＬＥＤを示す図であ
る。

【図１５】電子写真装置の一構成例を示す概略図であ
る。

【図１６】電子写真装置の他の構成例を示す概略図であ
る。

【符号の説明】

１５０１ 感光体 １５０２ 主帯電器 １５０３ 画像露光手段 １５０４ 現像器 １５０５ 転写・分離帯電器 １５０６ クリーニング装置 １５０７ 除電光照射手段 １５０８ 定着装置 １５０９ クリーニングブレード １６０１ 帯電装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 邦正 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 唐木 哲也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 河田 将也 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H003 AA01 BB11 CC01 CC04 2H035 AA09 AA10 AB02 AB03 AZ09 2H068 DA17 DA23 DA37 2H076 CA09

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アモルファスシリコンを主成分とする光
   導電層が形成された円筒形状の感光体と、コロナ帯電器
   を具備し、該コロナ帯電器により前記感光体の表面を帯
   電させる帯電手段と、前記感光体の表面に画像情報を担
   った光ビームを照射して画像露光を行うことにより前記
   感光体の表面に静電潜像を形成させる画像露光手段と、
   前記感光体の表面に形成された静電潜像に現像剤を付与
   することにより前記感光体の表面に現像剤像を形成させ
   る現像手段と、前記感光体の表面に形成された現像剤像
   を転写材上に転写させる転写手段と、前記転写手段を通
   過した後の前記感光体の表面に除電光を照射することに
   より前記感光体の表面の残留電位を除電する除電光照射
   手段とを有してなる電子写真装置において、 前記感光体及び前記帯電手段における帯電極性が負帯電
   であり、前記除電光照射手段における前記除電光の光量
   が前記画像露光の光量の０．８倍以上３倍以下であるこ
   とを特徴とする電子写真装置。
2. 【請求項２】 アモルファスシリコンを主成分とする光
   導電層が形成された円筒形状の感光体と、帯電部材を具
   備し、該帯電部材を前記感光体に当接させた状態で該帯
   電部材に電圧を印加することにより前記感光体の表面を
   帯電させる帯電手段と、前記感光体の表面に画像情報を
   担った光ビームを照射して画像露光を行うことにより前
   記感光体の表面に静電潜像を形成させる画像露光手段
   と、前記感光体の表面に形成された静電潜像に現像剤を
   付与することにより前記感光体の表面に現像剤像を形成
   させる現像手段と、前記感光体の表面に形成された現像
   剤像を転写材上に転写させる転写手段と、前記転写手段
   を通過した後の前記感光体の表面に除電光を照射するこ
   とにより前記感光体の表面の残留電位を除電する除電光
   照射手段とを有してなる電子写真装置において、 前記感光体及び前記帯電手段における帯電極性が負帯電
   であり、前記除電光照射手段における前記除電光の光量
   が前記画像露光の光量の０．５倍以上５倍以下であるこ
   とを特徴とする電子写真装置。
3. 【請求項３】 前記帯電手段内を流れる電流値Ｉｐと前
   記感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性は、単調で
   はなく、所定の電流値Ｉｐを境として、Ｉｐに対するＶｄ
   の変化率が２倍以上変化するような閾値を有する感光体
   を用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記
   載の電子写真装置。
4. 【請求項４】 前記除電光の波長が６１０ｎｍ以上７０
   ０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のい
   ずれか１項に記載の電子写真装置。
5. 【請求項５】 前記除電光照射手段は、一列状に整列さ
   れて配設された複数個のＬＥＤ素子からなるＬＥＤアレ
   イを前記除電光の光源とし、１０ｃｍあたりのＬＥＤ素
   子数が５個以上２０個以下であることを特徴とする請求
   項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真装置。
6. 【請求項６】 前記画像露光手段は、画像パターンに対
   応して複数行、複数列の画素マトリクスの各画素ごとに
   レーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照射して
   画像露光を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいず
   れか１項に記載の電子写真装置。
7. 【請求項７】 アモルファスシリコンを主成分とする光
   導電層が形成された円筒形状の感光体の表面を、コロナ
   帯電器に電圧を印加することにより帯電させる帯電工程
   と、前記感光体の表面に画像情報を担った光ビームを照
   射して画像露光を行うことにより前記感光体の表面に静
   電潜像を形成させる画像露光工程と、前記感光体の表面
   に形成された静電潜像に現像剤を付与することにより前
   記感光体の表面に現像剤像を形成させる現像工程と、前
   記感光体の表面に形成された現像剤像を転写材上に転写
   させる転写工程と、前記転写工程後の前記感光体の表面
   に除電光を照射することにより前記感光体の表面の残留
   電位を除電する除電光照射工程とを有してなる電子写真
   方法において、 前記帯電工程における帯電極性が負であり、前記除電光
   照射工程における前記除電光の光量が前記画像露光の光
   量の０．８倍以上３倍以下であることを特徴とする電子
   写真方法。
8. 【請求項８】 前記コロナ帯電器内を流れる電流値Ｉｐ
   と前記感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性は、単
   調ではなく、所定の電流値Ｉｐを境として、Ｉｐに対する
   Ｖｄの変化率が２倍以上変化するような閾値を有する感
   光体を用いることを特徴とする請求項７に記載の電子写
   真方法。
9. 【請求項９】 アモルファスシリコンを主成分とする光
   導電層が形成された円筒形状の感光体の表面を、該感光
   体に当接させた帯電部材に電圧を印加することにより帯
   電させる帯電工程と、前記感光体の表面に画像情報を担
   った光ビームを照射して画像露光を行うことにより前記
   感光体の表面に静電潜像を形成させる画像露光工程と、
   前記感光体の表面に形成された静電潜像に現像剤を付与
   することにより前記感光体の表面に現像剤像を形成させ
   る現像工程と、前記感光体の表面に形成された現像剤像
   を転写材上に転写させる転写工程と、前記転写工程後の
   前記感光体の表面に除電光を照射することにより前記感
   光体の表面の残留電位を除電する除電光照射工程とを有
   してなる電子写真方法において、 前記帯電工程における帯電極性が負であり、前記除電光
   照射工程における前記除電光の光量が前記画像露光の光
   量の０．５倍以上５倍以下であることを特徴とする電子
   写真方法。
10. 【請求項１０】 前記帯電部材内を流れる電流値Ｉｐと
    前記感光体の表面電位ＶｄとのＩｐ−Ｖｄ特性は、単調
    ではなく、所定の電流値Ｉｐを境として、Ｉｐに対するＶ
    ｄの変化率が２倍以上変化するような閾値を有する感光
    体を用いることを特徴とする請求項９に記載の電子写真
    方法。
11. 【請求項１１】 前記除電光の波長が６１０ｎｍ以上７
    ００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７乃至１０
    のいずれか１項に記載の電子写真方法。
12. 【請求項１２】 前記除電光の光源が、一列状に整列さ
    れて配設された複数個のＬＥＤ素子からなるＬＥＤアレ
    イであり、１０ｃｍあたりのＬＥＤ素子数が５個以上２
    ０個以下であることを特徴とする請求項７乃至１１のい
    ずれか１項に記載の電子写真方法。
13. 【請求項１３】 前記画像露光工程にて、画像パターン
    にしたがって複数行、複数列の画素マトリクスの各画素
    ごとにレーザーまたはＬＥＤを光源とする光ビームを照
    射して画像露光を行うことを特徴とする請求項７乃至１
    ２のいずれか１項に記載の電子写真方法。