JP2002006476A5 - - Google Patents
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Description
【発明の名称】ホトマスクの製造方法
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置、超電導装置、マイクロマシーン、電子デバイス等の製造に好適な、コストが低く、ＴＡＴ（Turn Around Time）の短いホトマスク製造方法に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置、超電導装置、マイクロマシーン、電子デバイス等の製造に好適な、コストが低く、ＴＡＴ（Turn Around Time）の短いホトマスク製造方法に関する。
【０００９】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、高性能の化学増幅系レジストを遮光膜に使用したホトマスクの製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、高性能の化学増幅系レジストを遮光膜に使用したホトマスクの製造方法を提供することにある。
Claims (6)
- 透明基板と所望のパターンが形成された感光性有機物膜からなる露光用のホトマスクの製造方法において、
上記基板と感光性有機物膜との密着性を向上させる媒体として、少なくとも一つ以上の加水分解基を有し、かつ非塩基発生型の有機ケイ素化合物を用いて上記基板を表面処理する工程を少なくとも具備することを特徴とするホトマスクの製造方法。 - 上記有機ケイ素化合物がシランカップリング剤であることを特徴とする請求項１記載のホトマスクの製造方法。
- 透明基板と所望のパターンが形成された感光性有機物膜からなる露光用のホトマスクの製造方法において、
上記基板と感光性有機物膜との密着性を向上させる媒体として、少なくとも一種類以上の加水分解基を有するビニル重合体を用いて上記基板を表面処理する工程を少なくとも具備することを特徴とするホトマスクの製造方法。 - 上記少なくとも一種類以上の加水分解基を有するビニル重合体が、エポキシ基を少なくとも含有するビニル重合体であることを特徴とする請求項３記載のホトマスクの製造方法。
- ホトマスク基板を準備する工程と、
前記ホトマスク基板の表面に少なくとも一種類以上の加水分解基を有するビニル重合体を含む溶液を塗布する工程と、
その後、前記ホトマスク基板の表面にレジストを滴下し、レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光し、所望のパターンを形成してレジスト遮光体パターンとする工程とを有することを特徴とするホトマスクの製造方法。 - 上記少なくとも一種類以上の加水分解基を有するビニル重合体は、エポキシ基を少なくとも含有するビニル重合体であることを特徴とする請求項５記載のホトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194884A JP2002006476A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194884A JP2002006476A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002006476A JP2002006476A (ja) | 2002-01-09 |
| JP2002006476A5 true JP2002006476A5 (ja) | 2005-01-13 |
Family
ID=18693641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000194884A Pending JP2002006476A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | ホトマスクおよびホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002006476A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838425B2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
| JP5321202B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-10-23 | 大日本印刷株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP5404361B2 (ja) | 2009-12-11 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
| KR102517621B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-04-05 | 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤 | 경화성 조성물, 드라이 필름, 경화물 및 프린트 배선판 |
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2000
- 2000-06-23 JP JP2000194884A patent/JP2002006476A/ja active Pending
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