|
JP4145437B2
(ja)
*
|
1999-09-28 |
2008-09-03 |
住友電気工業株式会社 |
単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
|
|
JP2001144014A
(ja)
*
|
1999-11-17 |
2001-05-25 |
Ngk Insulators Ltd |
エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
|
|
PL219109B1
(pl)
*
|
2001-06-06 |
2015-03-31 |
Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością |
Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal oraz urządzenie do otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
|
|
US6488767B1
(en)
*
|
2001-06-08 |
2002-12-03 |
Advanced Technology Materials, Inc. |
High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
|
|
IL161420A0
(en)
|
2001-10-26 |
2004-09-27 |
Ammono Sp Zoo |
Substrate for epitaxy
|
|
WO2003043150A1
(en)
*
|
2001-10-26 |
2003-05-22 |
Ammono Sp.Zo.O. |
Light emitting element structure using nitride bulk single crystal layer
|
|
US20060138431A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2006-06-29 |
Robert Dwilinski |
Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
|
|
WO2003097906A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2003-11-27 |
Ammono Sp.Zo.O. |
Bulk single crystal production facility employing supercritical ammonia
|
|
PL225427B1
(pl)
*
|
2002-05-17 |
2017-04-28 |
Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością |
Struktura urządzenia emitującego światło, zwłaszcza do półprzewodnikowego urządzenia laserowego
|
|
CN100339512C
(zh)
*
|
2002-06-26 |
2007-09-26 |
波兰商艾蒙诺公司 |
获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
|
|
ATE457372T1
(de)
*
|
2002-12-11 |
2010-02-15 |
Ammono Sp Zoo |
Substrat für epitaxie und verfahren zu seiner herstellung
|
|
TWI334890B
(en)
*
|
2002-12-11 |
2010-12-21 |
Ammono Sp Zoo |
Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride, eliminating impurities from the obtained crystal and manufacturing substrates made of bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
|
|
JP4511801B2
(ja)
*
|
2003-03-14 |
2010-07-28 |
株式会社リコー |
Ｉｉｉ族窒化物結晶の研磨方法およびｉｉｉ族窒化物結晶および半導体デバイス
|
|
KR20060024772A
(ko)
*
|
2003-06-16 |
2006-03-17 |
스미토모덴키고교가부시키가이샤 |
질화물 반도체 결정 표면의 가공 방법 및 그 방법에 의해얻어진 질화물 반도체 결정
|
|
US8398767B2
(en)
*
|
2004-06-11 |
2013-03-19 |
Ammono S.A. |
Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
|
|
PL371405A1
(pl)
*
|
2004-11-26 |
2006-05-29 |
Ammono Sp.Z O.O. |
Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
|
|
JP2007299979A
(ja)
|
2006-05-01 |
2007-11-15 |
Sumitomo Electric Ind Ltd |
Ｉｉｉ族窒化物結晶の表面処理方法およびｉｉｉ族窒化物結晶基板
|
|
PL3157045T3
(pl)
|
2006-07-26 |
2021-12-20 |
Freiberger Compound Materials Gmbh |
Wygładzone powierzchnie III-N
|
|
US7585772B2
(en)
*
|
2006-07-26 |
2009-09-08 |
Freiberger Compound Materials Gmbh |
Process for smoothening III-N substrates
|
|
JP2009272380A
(ja)
|
2008-05-01 |
2009-11-19 |
Sumitomo Electric Ind Ltd |
Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
|