JP2001509213A - 新規表面変性方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 光開始剤および紫外線照射を使用するにおいて、明瞭に区画されたパターン（distinct pattern）中の非導電性基材の表面に好適なモノマー類を選択的に植え付けることができる。その後金属イオン類がモノマー類によって吸着され還元される。次にこのパターンに更に、導電性材料、例えば金属類が従来の方法で添加される。本発明の方法は高解像度を持つ回路基板を製造する全添加方法および非導電性基材上に機能成分を直接形成することを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 新規表面変性方法 技術分野 本発明は、有機材料、特に高分子材料の新規表面変性方法に関する。本方法は 特に、非導電性表面を、この表面に導電性物質を明瞭に区画されたパターン（di stinct pattern）として配置することができるように変性することに関する。ま た、本発明は、特有の図柄で導電性物質を取り付けた製品を製造する方法および これらの方法のひとつによって製造された製品を含むものである。 背景技術 多くの異なる技術分野において、非導電性物質上に導電性物質の薄層を載せる ことが必要とされる。電子部品の製造においては、この必要性は明らかである。 回路基板は製品のひとつの例であり、回路基板では種々の導電特性を有する材料 が高精度且つ高解像度で組み合わせられる必要がある。今日では、その製造方法 および製品のいずれもに対する要求が増加している。今日回路基板を製造するた めに主として用いられる方法は減法（subtractive）である。減法というのは導 電体を載せた基材から出発して、この導電基材から電気伝導性を必要としない表 面の導電材料を連続する数段階の工程で取り除くものである。 回路基板の伝統的な製造では、基材の反対側に付属部品を取り付けたりおよび ／または導電層を組み合わせることができるように穴画像が穴開けされた基材ま たは基材積層体から出発している。次いで基材の穴の中に導電性物質、通常銅を 沈着させる。次に基材面全体に、しばしば高圧高温下で、感光性フィルムを被せ る。このフィルム上に必要とする回路パターンの陰画の形の写真手段を載せ、次 いで写真手段を紫外線に露光する。これによってフィルムは露光領域が重合する 。露光した感光性フィルムを現像し、非重合領域を適当な塩基を用いて洗い流す 。こうして必要とする回路パターンが残されたフィルムで囲まれる。それからこ の回路パターンにしたがって金属、例えば銅が電解メッキされる。この回路パタ ーン全体に錫または鉛をメッキしたのち、フィルムを浴中で例えば強塩基で取 り除く。その後錫または鉛の層をエッチングして取り除き、それから液状のはん だマスクを、例えば二成分からなるエポキシカラーの形で塗布する。はんだマス クを露光、現像し、最後に酸化を防ぐためにニッケルまたは金の保護層を塗布す る。 この方法にはいくつかの欠点が含まれる。第１に、製造方法は極めて大きい労 働力を要するため、回路基板の製造は大部分低い労務費の国へ移行されている。 第２に、環境に有害な多量の残留物が、主として高金属含有量の、例えば銅、鉛 、錫等を含むエッチング液の形で形成される。第３に、現状の製法は増加する技 術的要求に応じていない。従来の方法は、その固有の限界、特に線幅に関して限 界に近づいている。 このように、製造法を簡単にする、自動化水準を高めるおよび同時に反応性化 学薬品や溶液中の金属の使用に関連する環境問題を無くしたいという明瞭な要望 がある。同時に研究開発努力の多くは、より少ない物質と場所を使用して電子部 品および回路基板を製造することに向けられている。多くの応用のひとつの例と して回路基板の製造が以下に示されており、本発明はそれに適用できるものであ る。 発明の開示 重合体表面の接着性を増すために重合体表面を変性することは既に公知である 。例えば、ワン・タイ・ヤン（Wan-Tai Yang）等はその博士論文「ラミネーショ ン・バイ・フォトグラフィック（Lamination by photografting）」〔ケー・テ ィー・エイチ、インスティチュート・フォー・ポリマー・テクノロジー（KTH，I nstitute for Polymer Technology）、ストックホルム１９９６〕中で、重合体 薄層同士が光開始剤と紫外線照射によって如何に相互に結合するかについて記載 している。フォトラミネーションの利点は、エネルギーを少ししか消費せず、廃 棄物をまったく排出せず、硬化時間が短く、それに収縮がないおよび溶媒を含ま ないといった優れた製品特性を提供する点である。 米国特許出願ＵＳ−Ａ−４,００６,２６９号明細書には、適当な溶媒が存在す るところでプロトンドナーから水素原子を取り除いてケトンラジカルを生成する 物質を用いて非導電性材料中の基材表面をより過敏にし、次いで基材を金属イオ ン を含むプラチナ溶液中に浸漬する方法を記載している。その後基材はプラチナ溶 液に浸漬した状態で２００μｍと４００μｍの範囲の紫外線を照射して、金属イ オンを金属に還元する上記ケトンラジカルが生成される。好適な感光性化合物と してベンゾフェノン、ハロゲン、メチル基、メトキシ基、およびスルホネート基 でモノ−またはジ−パラ置換したベンゾフェノンが挙げられる。プロトンドナー としては二級アルコール、例えばベンゾヒドロールが用いられる。溶媒の例とし てはイソプロピルアルコール、エチレングリコールおよびポリエチレングリコー ルが挙げられる。メッキ金属としてはニッケルおよび銅が挙げられる。発明の簡単な説明 本発明は特許請求の範囲に記載の表面変性の新規方法に関する。特に、本発明 は、重合体材料製の基材または特許請求の範囲に記載の有機材料の表面層を有す る少なくとも１種の基材上に明瞭に区画されたパターンとして導電性材料を配置 する新規方法に関する。また、本発明は、新規方法によって製造される製品を含 む。図面の簡単な説明 図１は、本発明のひとつの実施態様の種々の製造段階をフローチャートとして 模式的に表しわしたものである。 図２は、本発明の好ましい実施態様の表面変性および導電体配置の種々の製造 段階を模式的に表しわしたものである。 図３は、本発明の変性したエポキシラミネート表面の赤外吸収を示すＦＴ−Ｉ Ｒスペクトルである（１７１８ｃｍ^-1に吸収を観察）。 図４は、未処理表面の赤外吸収を示すＦＴ−ＩＲスペクトルである。発明およびその好ましい実施態様の説明 本発明は、有機材料、好ましくは重合体材料の表面を変性する新規方法に関し 、必要とするパターンに応じて接着のためのdistinctな領域を確保するために上 記表面またはより正確には上記表面の外側の化学的変性を含む。特に、本発明は 、基材の表面を必要なパターンに応じて適切な官能基をグラフトすることによっ て変性し、次いで導電材料をこれらの基に配置する方法に関する。好ましくは、 機能性物質の荷電分子、好ましくは導電性物質のイオン類、もっとも好ましくは 金 属イオンが、変性表面上に吸着によって取りつけられ、それから上記イオン類は 熱または光化学的に原子の状態に還元される。この導電性物質は、特定の必要と するパターンに応じて必要な厚さを持つ導電層を形成するための基礎を提供する 。これをより厚い層とするには従来の金属メッキ用自触浴を用いて、または不活 性雰囲気中での原子化のような他の好適な方法によって行なうことができる。 好ましくは、上記変性は、表面層をまず、開始期間中に焦点を絞った照射エネ ルギーによって、例えば紫外線照射を用いて表面層から水素原子を除去する能力 を有する化合物で処理することによって行う。本発明の好ましい態様では、上記 化合物は更に、表面層とその化合物中に含まれる基との間で共有結合を形成する 能力を有する。これらの基は重合性の炭化水素鎖であることが好ましい。発明の ひとつの態様では、これらの基は芳香族ケトン類および脂芳香族ケトン類または 実際に使用できる２００から４００ｎｍの間に強い紫外線吸収を持つ他の好適な 化合物から選ばれる。勿論他の化合物も、選択できる実際的に使用可能な範囲で の照射によって開始できるならば使用してもよい。その他、光開始剤と適当なモ ノマーまたは適当なモノマー類の混合物も使用できる。 「基材」という表現は、下記の各種の適切な非導電性基材を意味する。本発明 の基材の好適な例は重合体材料の円盤または少なくともひとつの面が重合体材料 である円板である。抽出可能な水素原子を含む物質はすべて本発明で使用するに 適している。特に適した重合体物質は例えばエポキシ樹脂およびポリイミドであ る。 しかし、本発明では、当該表面が２級または３級炭化水素化合物を含むことが 重要である。好ましくは表面は３級炭化水素化合物を含む。通常、基材は、例え ばエポキシ樹脂または相当する適切な重合体材料のガラス繊維強化円板の形を持 つものである。他の好適な基材は適切な方法で製造された、例えばシラン処理さ れたガラスまたはセラミックスである。当業者にとっては、基材が互いに重なり 合った状態で配置された複数の円板を含んでいてさえもよいことは明らかである 。同様に、変性表面を含む層の上に新しい基材層が配置されていてもよいし、そ の上に１種または数種の物質が配置されていてもよい。導電性物質の明瞭に区画 されたパターンを持った表面は、例えば本発明のように配列されていても良いし 、 重合体層で被覆されていてもよいし、その後更に導電性物質がこの層の上に明瞭 に区画されたパターンとして配置されてもよい。この表面はこんどは重合体層で 被覆することができ、この工程が繰り返し行われてもよい。これらの層の間には 適当な連結体が配置されていてもよいことは当業者には明らかである。 「開始剤」という用語は基材表面上で照射源、化学反応に暴露したとき開始す ることのできる下記の好適な化合物を意味する。好ましくは開始剤はラジカルを 形成する能力を有する化合物である。好ましくは開始剤は光開始剤、特に好まし くは光による結合（photo-splicing）を受けないで、好ましくはその代わりに水 素の引き抜きによって光還元を受ける特性を有する化合物である。 好適な光開始剤の例はカルボニル基、好ましくは芳香族カルボニル基を持つ化 合物である。芳香族ケトン類および脂芳香族ケトン類は紫外線、特に２００から ３００ｎｍの間の紫外線を吸収することにより、これらの化合物を本発明の開始 剤として使用可能なものとする。脂肪族ケトン類およびアルデヒド類でさえ使用 できる。本発明の光開始剤は芳香族ケトン類、例えばベンゾフェノン、４−クロ ロベンゾフェノン、４,４−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンジルベンゾフェ ノン、ベンゾイルナフタレン、キサントン、アントラキノン、９−フルオレン、 ベンゾピナコール、アミノ基が付いていてもよい芳香族ケトン類、およびこれら の混合物を含む群から選ぶことができる。本発明の光開始剤はまた脂芳香族ケト ン類、例えばアセトフェノン、ベンゾイルジメチルケタール（ＢＤＫ）、ヒドロ キシシクロヘキシルアセトフェノンおよびこれらの混合物からも選ぶこともでき る。本発明の光開始剤は、ジケトン、例えばジアセチル、３,４−ヘキサンジオ ン、２,３−ペンタンジオン、１−フェニル−１,２−プロパンジオン、ベンゼン 、ベンゾイルギ酸およびこれらの混合物を含む群から選ぶこともできる。本発明 の光開始剤は脂肪族カルボニル化合物類、例えばホルムアルデヒド、酢酸アルデ ヒド、アセトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、シクロヘキサノンおよびこ れらの混合物を含む群から選んでもよい。更に、上記化合物の任意の混合物を適 当な割合で、またベンゾフェノンのメタノールスルホネートエステル類も本発明 で使用可能である。 更に、本発明では、当該開始剤は主として露光に際して基材表面から３級水素 原子または３級と２級の水素原子を取り除くだけであることが望ましい。この露 光は焦点を絞った照射源を用いて行われてもよく、パターンは基材上に直接また はマスクを用いて引かれ、パターンはマスク上に引かれ、マスクは基材と照射源 との間に設置して露光させる。 本発明においては、「照射源」という表現は基材表面上で化学反応を開始する 能力を持つ任意の好適な照射源を含む。パターンが基材上に直接引かれている場 合には、必要な解像度が得られるように焦点が絞った照射ができる焦点を絞った 照射源を用いる必要がある。好ましくはｘｙ−面でコントロール可能な焦点合わ せのできる光源、例えばＵＶ−レーザープロッターが用いられる。 「導電性材料」という表現は、ここでは信号、例えば電気パルスまたは光パル スを伝達することができる材料に対する普通の呼称として用いられる。したがっ て「非導電性」として呼ばれる基材は基材に適用される導電性物質（類）中を伝 播する信号を伝達しないし、信号と干渉もしない。好適な導電性材料は金属、例 えば金、銀、銅、ニッケルおよびパラジウムのような従来電子工業で用いられて いる金属である。 当業者にとっては、「明瞭に区画されたパターン」という表現は、これに関係 する必要な性質、例えば電気伝導性を持つ材料の、この性質を持たないか、また はわずかしか含まない他の材料に比べての物理的制限に関係することは明らかで ある。、本発明を説明するために本明細書で用いられている回路基板の例では、 パターンは回路基板の二次元または三次元にデザインされた導電体および可能な らば回路基板に挿入された成分に関する。 好適なモノマー類は基材の表面層と共有結合できるモノマー類である。この例 は２個の炭素原子間に二重結合を持つ有機分子である。好ましい態様では、これ らのモノマー類は導電性の基を持つかまたは変性して容易に導電性基を導入する ことができるものである。本発明のモノマー類は次のものの中から選ぶことがで きる：アクリル酸、メタクリル酸、ブチルアクリレート、グリシジルアクリレー ト、グリシジルメタクリレート、メチルメタクリレート、ビニルピリジン異性体 類、アクリロニトリル、酢酸ビニル、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、４−ビニル ピロリドン、１,４−ブタンジオールジメタアクリレート、スチレンおよびこれ の混合物。 開始剤およびアルケンの混合物は種々の方法で基材表面に適用することができ る。開始剤およびアルケンを含む溶液を基材表面上に引き伸ばし、またはスプレ ーし、または蒸発凝縮させることができる。実際には開始剤およびモノマー、例 えば好適なアルケンを好適な溶媒、例えばアセトンに溶解して行ってもよい。あ る場合には、アルケンそのものを溶媒として用いることができる、このようなア ルケンとして例えば使用温度で液体であるアルケンを使用する。本発明の好まし い態様では、開始剤はミストまたはエーロゾルとして基材表面に適用する。エー ロゾルは好適には、最終的に好適な溶媒に溶解し、粒子を含まない気体中に分散 した開始剤の微分散液滴からなる。開始剤を基材上に一様な層として適用するこ とができるように、基材は適当に研磨され、エーロゾル液滴にはわずかに電荷が 付与される。変性した表面はＰｄ(II)、Ｐｔ(II)、Ｃｕ(II)、Ｎｉ(II)またはＡ ｇ(Ｉ)のような好適な金属イオンの溶液で処理される。表面上に先に適用された アルケンの官能基として適切なものを選択することによって、これらの金属イオ ンが強固に表面上に吸着されるようにすることができる。その後金属イオンを原 子状態に還元する。還元は、溶液中での化学反応によって、または光化学反応に よって行なうことができる。還元段階は熱処理を含んでもよい。還元剤を用いる 場合は、外部から導入してもよいし、またはモノマーを適正に選択することによ り表面に取り付けられているポリマーを還元剤として作用させてもよい。 このように、薄くて均一な導電層、好ましくは金属層を基材表面の変性部分に 選択的に適用する。しかし、この層は現実には現在知られているいずれの電子用 途に使用するにしても薄すぎるのでより厚くしなければならない。これは金属イ オン、錯化剤および還元剤を含む溶液で処理することによって行うのが好適であ る。この目的のために試薬系商品が市販品として入手できる。これに代わるもの として、最初に形成されている薄層に塗布される金属は真空チャンバーまたは不 活性ガス雰囲気中で原子状にすることができ、同時に最初に形成されている薄層 上に低極性が形成される。 図１は、本発明のひとつの態様の種々の製造段階をフローチャートの形で模式 的に示している。現実には段階４、５および６は単一の活性化段階として実施す ることができる。更に段階８の金属メッキはひとつの例に過ぎない。勿論、金属 層の塗布はスパッタリングのような他の方法により行なうことができる。 図２は、基材表面がどのようにして変性されるかおよび変性された表面が適切 なモノマー類とどのように接触されるか（Ａ）、表面に付着しているモノマー類 とポリマーとが官能基を有する好適なモノマー類によってどのように組み上げら れるか（Ｂ）、導電材料はどのようにポリマーに付与されるか（Ｃ）そして導電 層は更なる導電材料の供給によってどのように補強されるか（Ｄ）を模式的に示 している。 発明のひとつの態様では、方法は以下の段階を含む：基材表面への開始剤の供 与、紫外線照射、洗浄、表面への金属および薬剤の付加、紫外線照射、更なる洗 浄および金属メッキ（図１）。 発明のもうひとつの態様の方法では、導電材料、即ち導電性基を持つモノマー 類を表面へ直接配置し、次いで例えば金属の原子状化および電気メッキが含まれ る。 発明の好ましい態様の方法は、金属で選択的に被覆されているカードまたは基 材とエッチングによる過剰金属の除去段階を何ら行うことなしに直接形成されて いる導電パターンとを有する回路基板を製造するための全付加法である。好まし くは、基材は、繊維強化ポリマー混合物からなり、開始剤がベンゾフェノンであ り、アクリルモノマーが光開始剤と混合して供給される。 本発明の方法を用いる場合、機能構造、例えば導電構造が極めて高解像度を持 って非導電性基材に適用され得る。本発明の新規な方法は、新規な方法にありが ちな制限がなく、理論的には線幅を１から１０オングストローム（０.１〜１ｎ ｍ）のオーダーに落とすことができる。現実には解像度は焦点を絞った光源の解 像度とその制御および使用するポリマーおよび金属原子の大きさによって制限さ れる。本発明の方法によって達成することができるが、従来の方法では不可能で ある実際に使用可能な線幅は１〜５μｍの間にある。このように、本発明の方法 によれば、非導電性基材上に活性成分を直接形成することができる。例えば、本 発明の方法を用いることにより、例えば、回路基板の集積部品として、コンデン サー、抵抗器およびプロセッサーさえも基材上に直接作成することも可能である 。 本発明の方法はまた、回路基板上に直接センサー、例えば機械的または生物学的 センサーを製造する可能性をも提供する。本発明の基材表面に適用する機能性材 料の特性を選択することにより、機械的、電磁的、化学的または生化学的な状態 および反応の変化を示す能力がある製品を製造することが可能である。本発明の 製造に好適なセンサーの例としては、例えば加速またはブレーキセンサー等の力 学的センサー、例えばガス検知機等の化学センサー、例えば血液分析用センサー 等の生物医学センサーが挙げられる。基材上の選択可能な分子の明瞭に区画され たパターンを確立する可能性が存在することにより、ひとと合成組織との間の神 経経路または接触表面、例えば人工四肢を制御するための界面、を設計する可能 性さえ開かれている。 本発明は、更に以下の例によって具体的に示されているが、これによって請求 の範囲で特定されている発明の範囲が制限されるものではない。 実施例 比較例１ エポキシラミネート表面をベンゾフェノンの存在下でアクリル酸モノマーで処 理した。溶媒としてアセトンを用いた。薬剤混合物を基材表面上に広げた。十分 に薄い薬剤層を得るために、紫外線照射中、試料を石英ガラス製円板で押し付け た。その結果表面は目視的に明瞭な変化が見られた。ＦＴ−ＩＲ赤外分光分析（ フーリエ変換赤外分光分析）による測定の結果、本発明の方法によって処理され た表面はカルボニル基によって覆われていることが示された。これは、表面塗布 された試料では未処理表面（図４参照）に較べて他の吸収よりも強い１７１８ｃ ｍ^-1（図３参照）に形成されている吸収によって特に明瞭になった。比較例２ エポキシラミネート表面を上記ベンゾフェノンの存在下でアクリル酸モノマー で処理した。次に塩化パラジウム溶液を表面に塗布し、その後表面を紫外線照射 した。ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮った顕微鏡写真により、結晶構造、即ち 金属薄膜が形成されていることが示された。このような構造は未処理表面では観 察され得なかった。製造例１ ディスク形状のガラス繊維強化エポキシ基材を、アクリル酸中に溶解したベン ゾフェノン（５ｇ／１０ｇ）の薄層（約１０μｍよりも薄い）で被覆した。リト グラフフィルムをその表面に塗布し、次いでこれに波長範囲２００〜４００ｎｍ の紫外線を照射した。露光後リトグラフフィルムを除去した。熱純水（約５０〜 ７０℃）中に３時間抽出してホモポリマーを除去した。それから基材を塩化パラ ジウム溶液（１ｇのＰｄＣｌ₂、１ｇのＨＣｌ）中で１〜１０分間処理した。そ の後、基材を水で速やかに濯ぎ、ジソジウムアントラキノン−ジスルホン酸とグ リセロールの溶液中に５秒間浸漬した。乾燥後、表面を３０秒間紫外線（２００ 〜４００ｎｍ）照射した。３０秒間純水中で洗浄後、基材を自触金属メッキして 活性表面を必要な厚さに仕上げた。製造例２ リトグラフフィルムを使用しない以外は製造例１と同様にして基材を処理した 。その代わり、基材を、ｘｙ−平面内で制御できる焦点を絞った紫外線光源、い わゆるＵＶ−レーザープロッターで照射し、面上に必要とするdistinct pattern を描いた。 本発明は、目下発明者に知られている好ましい実施態様および例について記載 されているが、当業者にとって自明な変更や修飾は、請求の範囲に特定されてい る本発明の範囲からはずれることなくなし得ることが理解される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，Ｍ Ｗ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ， ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，Ｅ Ｓ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，Ｍ Ｇ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ， ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，Ｖ Ｎ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 フォッシュリング，ヴィリス・ルドルフ スウェーデン、エス―954 34ガンメルス タッド、スロッターヴェーゲン43番 (72)発明者 グンネリウソン，ラッシュ・アンデッシュ スウェーデン、エス―975 94ルーレオ、 ベッシュリンガン15番 (72)発明者 リンドバリィ，マッツ・エイナール・エウ イェン スウェーデン、エス―975 92ルーレオ、 クルブヴェーゲン15番 (72)発明者 セリング，アンナ スウェーデン、エス―906 26ウメオ、オ ストヴェーゲン67デー番

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．有機質基材または有機材料の表面層を有する少なくともひとつの表面を含む 基材上に明瞭に区画されたパターン（distinct pattern）状に導電材料を適用す る方法にして、該表面層が該明瞭に区画されたパターンに応じた明瞭に区画され た（distinct）接着領域を形成するように化学的に変性され、次いで導電物質（ 類）がこの領域に適用されることを特徴とする方法。 ２．基材表面層の化学変性が、水素原子が表面層の明瞭に区画された領域から取 り除かれそれによって反応性ラジカルが形成されるように行われることを特徴と する請求項１に記載の方法。 ３．紫外線照射によって活性化され得る開始剤の添加によって、水素原子が表面 層上の明瞭に区画された領域から取り除かれることを特徴とする請求項２に記載 の方法。 ４．必要とするパターンが焦点を絞った紫外線源を使用して描かれることを特徴 とする請求項３に記載の方法。 ５．必要とするパターンが、基材表面上に設置されたフィルム上に描かれ、次い で基材が光源、好ましくは紫外線光源に露光されることを特徴とする請求項３に 記載の方法。 ６．化学変性が、ポリマー鎖が基材表面層に共有結合されることを含むことを特 徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の照射方法。 ７．水素原子の除去とポリマー鎖の共有結合を１段階で行うことを特徴とする請 求項６に記載の方法。 ８．水素原子の除去とポリマー鎖の共有結合を連続した２段階で行うことを特徴 とする請求項６に記載の方法。 ９．ポリマー鎖が導電性基または導電性基によって置換され得る基を含むことを 特徴とする請求項６に記載の方法。 １０．導電性基が、パラジウム、ニッケル、銅、金および銀からなる群から選ば れる元素を含む化学基であることを特徴とする請求項９に記載の方法。 １１．開始剤が芳香族ケトン類、脂肪族ケトン類、アルデヒド類およびこれらの 混合物からなる群から選ばれる化合物であることを特徴とする請求項１〜１０の いずれかに記載の方法。 １２．開始剤がベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４,４'−ジクロロ ベンゾフェノン、４−ベンジルベンゾフェノン、ベンゾイルナフタレン、キサン トン、アントラキノン、９−フルオレノン、ベンゾピナコール、任意の芳香族ケ トン類、アセトフェノン、ベンゾジメチルケタール、ヒドロキシシクロヘキシル アセトフェノン、ビアセチル、３,４−ヘキサンジオン、２,３−ペンタンジオン 、１−フェニル−１,２−プロパンジオン、ベンゾール、ベンゾイルギ酸、ホル ムアルデヒド、アセトアルデヒド(acetic aldehyde)、アセトン、２−ペンタノ ン、３−ペンタノン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノンのメタノールスルホネ ートエステル類およびこれらの混合物からなる群から選ばれる化合物であること を特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。 １３．請求項１〜１２のいずれかに記載の方法によって製造される回路基板。 １４．単数または複数の有機材料表面層を持つ少なくともひとつの基材および単 数または複数の金属導電体（類）のパターンを含む回路基板であって、金属導電 体（類）が、表面層に化学的に結合しているポリマーの中心を囲んで形成されて いることを特徴とする回路基板。