JP2001508951A - 大気圧プラズマ噴流 - Google Patents

大気圧プラズマ噴流

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、大気圧で、および13.56MHzのrfエネルギーを使用してほぼ室温で作動することができるγモード共鳴空洞プラズマ放電18が記載されている。プラズマトーチとは異なり、放電は約300Wの適用電力で250℃より熱くない気体相の放出を作り出し、別の非熱特性を示す。最も簡略な設計においては、2つの同心の円筒状電極14,20が、その間の環状領域でプラズマを生じさせるために利用されている。電極14,20の開いている端部を越えて8インチまで伸びている、金属およびその他の物質を急速に洗浄したり、エッチングすることができる長寿命の準安定原子および反応性種22の「噴流」が生じる。アークの発生は、イオン化を制限するHeを含む気体混合物を使用することによって、高い流速を使用することによって、および適切にrf動力式電極14を整形することによって、装置内で防がれる。低温プラズマソースおよび従来のプラズマとは異なり、大気圧動作のため、どのイオンも、ワークピースをボンバードするほど活性プラズマ放電を超えて充分に長い距離生き延びない。

Description

【発明の詳細な説明】 大気圧プラズマ噴流 発明の分野 本発明は、一般的にプラズマ生成、およびプラズマのエッチングおよび表面洗 浄への適用に関し、より詳しくは、準安定種および反応性種を生じさせる同軸非 熱共鳴空洞大気圧プラズマ噴流に関する。本発明は、カリフォルニア大学の運営 理事会理事(The Regents of the University of California)に対し、アメリ カ合衆国エネルギー省(U.S.Department of Energy)により与えられた契約番号 第W-7405-ENG-36のもとで政府の支援を受けて行われた。政府はこの発明に一定 の権利を有する。 発明の背景 表面洗浄は、多くの産業プロセスにとって根本的な要件である。それはまた、 物体の汚染除去にも重要である。従来、表面洗浄は、100年以上も使用されて きた溶剤に基づいた方法、技術を使用して達成されてきた。地下水と空気の汚染 、グリーンハウス気体、および関連する健康と安全性の問題についての懸念が増 大し、一般的な揮発性有機溶剤、および最近適応された危険性の少ない化学置換 物の多くさえ使用が制限されている。 プラズマは、半導体製作からウィンドウパネルおよびコンパクトディスク用の 反射膜のコーティングまで多岐に渡る産業用途および先端技術用途で広範囲に使 用されてきた。圧力が高真空(<0.1 mTorr)から数 Torrまでの範囲のプラズマが最も一般的であり、フィルムデポジション、反 応性イオンエッチング、スパッタリング、およびそれ以外の形式の表面改良に使 用されてきた。プラズマ洗浄の主要な優位点とは、それが「全乾燥(all-dry) 」プロセスであり、最小の放出を生じさせ、危険な圧力は必要とせず、ケイ素、 金属、ガラス、セラミックスを含む多岐にわたる真空融和性物質に適用できると いう点である。 典型的にはO2プラズマを含むプラズマ洗浄は、多くの場合、原位置での(in- situ)表面洗浄の手段として使用され、特に炭化水素および他の有機表面汚染物 質に対し有効である。表面洗浄に使用されているO2プラズマの研究から、酸素 原子およびO2 +が特に有機汚染物質に反応していることがわかった。しかしなが ら、これらの反応物の短い寿命および表面でのその照準線(line-of-sight)反 応性のため、これらの極めて活性化された反応物は、不規則な表面の表面洗浄、 特に研磨されていない壁表面やそれ以外のざらざらにされている表面に特に充分 に適していない。刻み目、かき傷のある表面、または陽極酸化された表面の洗浄 には、化学的な活性を失わずに微細なかき傷および開口部の中に拡散することが できる長寿命の反応性種が必要である。 対照的に、プラズマを周囲大気圧またはそれ以上で使用すると、物品を取り除 く必要はなく、それにより加工費用は大幅に削減され、洗浄される物品が減圧さ れた状態でも生き延びることができなければならないという要件が取り除かれる 。今日まで、大気圧放電の問題点は、酸素原子およびO2 +のこの圧力での急激な 再結合であっ た。しかしながら、プラズマ中で形成されている準安定酸素(1Δg2)の寿命 は(大気圧で)0.1秒から(ゼロ圧力で)45分の範囲であり、その化学的な 反応性を促進するために1エレクトロンボルト(eV)という内部エネルギーを 有している。プラズマ中での準安定酸素は、3体反応2O+O2→O21Δg)+ O2のために高圧で増加する。酸素原子は、基底状態の酸素分子の解離からプラ ズマ中で局所的につくられる。また、準安定酸素は、反応O2+e→O21Δg) によっても直接的につくられ、その場合、電子温度は約1eVで最適化される。 表面を洗浄するための準安定O2を含む準安定なものの使用は、新しい概念であ り、費用が削減され、複雑度が低下した真空融和性物質および真空不融和性物質 の両方のプラズマ加工を可能にする。 大気圧プラズマトーチおよび炎は、それぞれ高出力の直流(dc)または無線 周波数(rf)放電およびイオン化に依存し、高温で作用し、実質的なイオン化 を生じさせる。プラズマは極めて高温で動作し、かなりの濃度のイオンを生じさ せるため、これらのプラズマはそれらが適用される大部分の表面を破壊する。 電子放電「プラズマセル」は、それらはオゾンの産業的な生成で幅広く使用さ れているため、多くの場合、オゾン発生器セルと呼ばれている誘導体障壁放電セ ルである。例えば、電子化学学会会報(Electrochem.Soc.)84、83(194 3年)、ティー.シー.マンリー(T.C.Manley)の「オゾン発生器放電の電気特性(T he Electric Characteristics of the Ozonator Discharge)」などを参照する こと。複数の自己終了型マイクロディスチャージ (microdischarge)は、交流高圧波形を2つの電極の内の1つに印加した結果、 放電容積全体で発生する。供給気体には、通常、酸素および/または水蒸気が含 有されており、きわめて反応性のあるO基およびOH基が、マイクロディスチャ ージの中でそこからつくられている。 アイビーエム技術開示報告(IBM Technical Disclosure Bulletin)31、2 34(1989年2月)のジェイ ハイデンライヒ(J.Heidcnrcich)らによる 「サーフアトロンにより駆動される大気圧プラズマペン(Atmosphcric Pressure Plasma Pen Driven by a Surfatron)」においては、アルゴン、窒素および/ または酸素に作用しているミリメートル未満の寸法の大気プラズマ噴流が説明さ れている。この装置は、アルゴンが毎分約2リットル流れる200Wのマイクロ 波出力の条件下でポリマーで被覆されている基板を毎分約25μmでエッチング することが判明し、真空システムがプラズマを作り出す必要なく、ポリマーの破 片を選択的に取り除くことを可能にする。しかしながら、表面波の生成に依存す る装置は、マイクロ波周波数を必要とし、それにより健康安全性の問題を提起す る。さらに、プラズマは直径1センチの面積で生成され、きわめて熱く、かなり の濃度のイオンを含有している。 1995年5月9日付でジョン アール.ロース(John R.Roth)らに対し発行 された「1気圧の均一グロー放電プラズマ(One Atmosphere、Uniform Glow Dis charge Plasma)」に関する米国特許第5,414,324号明細書においては 、1〜100kHzで1〜5kVというrms電位で励起されている1組の絶緑 された均等に間 隔をあけて配置されている平面状の金属電極の間の体積内での1気圧安定状態グ ロー放電プラズマが説明されている。ロースらは、グロー放電プラズマが、かけ られた直流またはrf電界により励起されてから、中性分子と衝突する自由電子 によりつくられている、およびこれらの中性分子衝突がエネルギーを分子に移送 し、光子、準安定なもの、原子種、自由基、分子断片、モノマー電子、およびイ オンを含んでよい多様な活性種を形成すると述べている。プレートア七ンブリを 取り囲んでいるのは、エンクロージャの漏れ速度に等しくなるために、低供給気 体の流れが維持される環境絶縁エンクロージャ(enviromental isolation enclos ure)である。事実上、無流状態は、機器の正常な動作に関して教示されている 。物質は、それらがイオンを含むすべてのプラズマ構成要素にさらされる、電極 の間のプラズマを、それらに通過させることにより加工されてよい。たとえば、 1995年4月4日付でジョン アール.ロース(John R.Roth)に対し発行さ れた「大気圧でのポリマー物質のグロー放電プラズマ処理のための方法および装 置(Method And Apparatus For Glow Discharge Plasma Treatment Of Polymer Materials At Atmospheric Prcssure)」の特許第5,403,453号明細書 、および1995年10月5日付でジョン アール.ロース(John R.Roth)に 発行された「大気圧でのポリマー物質のグロー放電プラズマ処理のための方法お よび装置(Method And Apparatus For Glow Discharge Plasma Treatment Of Po lymer Materials At Atmospheric Pressure)」の米国特許第5,456,97 2号明細書参照のこと。 したがって、本発明の目的とは、重要な領域で準安定でラジカルな種のかなり の生産量(output)を有している低温大気圧プラズマを生じさせることである。 本発明の他の目的とは、重要な領域で非イオン性の反応性種のかなりのアウト プットを有している低温大気圧プラズマを生じさせることである。 本発明の追加目的、優位点および新規機能は、以下の説明に部分的に述べられ 、以下の考察時に部分的に当業者に明らかになるか、あるいは本発明の実施によ り学習されてよい。本発明の目的および優位点は、添付の請求の範囲にとくに指 摘されている手段および組み合わせによって実現され、達成されてよい。 発明の要旨 前記目的およびそれ以外の目的を達成するためには、本発明の目的および趣旨 に従って、ここに実現され、広く記載されるように、この文書の大気圧プラズマ 放電から反応性種の濃縮を含むガス状の噴流を生じさせるための機器は、閉じて いる端部と開いている端部を有し、導電性のチャンバと、それにより環状領域を 構成しているチャンバ内に位置づけられる中央電極と、環状領域を通って気体を 流すための手段と、連続プラズマ放電が該電極と該チャンバの間で発生するよう にrfエネルギーを該中央電極または該導電性のチャンバのどちらかに供給し、 プラズマ放電のガス状の生成物が反応性種を含み、該チャンバの開いている端部 から出て行くための手段とを組み合わせて含んでいるかもしれない。 導電性のチャンバは長手方向の軸を有しており、中央 電極は長手方向の軸を有しており、中央電極の長手方向の軸がチャンバの長手方 向の軸と同一線上にあるように該中央電極が、配置されていることが好ましい。 また、好ましくは、導電性のチャンバは接地され、rfエネルギーは中央電極 に適用されている。 実現され、ここに広く説明されるように、その目的および趣旨に従った本発明 の別の態様においては、この文書の反応性核種の濃縮を含んでいる気体噴流を生 じさせる方法は、導電性チャンバのあいだの環状領域を通って流れるガス中にア ークレス(arcless)な大気圧プラズマ放電を生成する工程を含むものであって 、該導電性チャンバが、閉じられた端部、開いている端部および中央電極とを有 し、該中央電極が該チャンバ内に位置づけられると共に,該チャンバによって環 状領域が構成されるように設けられ、該プラズマ放電の気体状生成物が反応性種 を含み、該チャンバの開いている端部から出ていく気体噴流生成方法である。 本発明の利点および優位点は、真空閉込めの回避、および小さな空間を貫通す ることができる低温で長寿命の反応物の化学的な生成を含む。さらに、従来の低 温および大気プラズマとは異なり、APPJは純粋に化学的に準安定でラジカル な反応物を使用して表面をエッチングし、それによりイオンにより誘発される反 応プロセスとは共存できない特性、高い選択性と拡散を促進する。イオンは、プ ラズマ放電の内側で形成されるが、イオンが本装置を出て行ったのは観察された ことがない。これは、改善された化学腐食選択性を提供する。 図面の簡単な説明 明細書に組み込まれており、その一部を形成する添付図面は、本発明の実施態 様を説明し、記載とあいまって本発明の原理を説明するのに役立つ。 図1は、開いている接地されている円筒内に軸方向に位置づけられている円筒 状のrf動力式電極を示す、本発明の機器の側面平面図の概略図である。 図2aは、その中に長手方向に設けられているスロットを示しているrf動力 式電極の別の実施態様の前面図の概略図であり、図2bはその側面図の概略図で ある。 図3は、本発明の輪郭をもつrf動力式電極の実施態様の側面図の概略図であ る。 図4は、中空の電気伝導性の円筒状のチャンバの開いている端に付けられてよ い「シャワーヘッド」端キャップの斜視図の概略図である。 図5は、低圧プラズマ(LP)用エッチング速度と比較した、一定の物質に対 する本発明の機器(APPJ)のエッチング速度のグラフである。 図6は、シリコン基板上の有機ポリマーのポジティブフォトレジストの除去を 完全にするための、レーザー干渉パターン対エッチングのための時間のグラフで ある。 詳細な説明 簡略には、本発明は、大気圧で、および13.56MHzのrfエネルギーを 使用してほぼ室温で動作することができるγモード共鳴空洞プラズマ放電を含む 。プラズマトーチとは異なり、放電は約300Wの適用電力で250℃より熱く ない気体相の放出を作り出し、別の非 熱特性を示す。最も簡略な設計においては、2つの同心の円筒状電極が、その間 の環状領域でプラズマを生じさせるために利用されている。電極の開いている端 部を越えて8インチまで伸びている、金属およびその他の物質を急速に洗浄した り、エッチングすることができる長寿命の準安定な反応性種の「噴流」が生じる 。また、膜およびコーティングはこれらの種によっても取り除かれてよい。アー クの発生は、イオン化を制限するHeを含む気体混合物を使用することによって 、高い流速を使用することによって、および適切にrf出力電極を整形すること によって、装置内で防がれる。低温プラズマソースおよび従来のプラズマ加工方 法とは異なり、大気圧動作のため、どのイオンも、ワークピースをボンバードす るほど活性プラズマ放電を超えて充分に長い距離生き延びない。さらに、準安定 でラジカルな種は、エッチング反応が発生するための表面に拡散しなければなら ない。これは、物質の等方性のエッチングが発生することを保証する。プラズマ 噴流の動作の成功の鍵とは、第1に衝突のプロセスおよびウォールプロセス(wa ll process)による電子の損失を超える速度での電子の生成、第2に高インピー ダンスプラズマの維持によりアークの発生を制限すること、および第3に大気圧 でさえ、噴流から目標面まで移動するのに充分な時間生き残る反応性準安定なも のの生成である。 さらに、CF4/O2/He供給気体を使用することにより、大気圧プラズマ噴 流(APPJ)は、タンタル、タングステン、および二酸化ケイ素を、それぞれ 低圧プラズマがエッチングできるより2倍、3倍および10倍 速くエッチングする。ポリイミド膜は、同じ供給気体を使用して従来の低圧プラ ズマを用いるより、ほぼ30倍速く、O2/He APPJを用いてエッチング される。APPJは、表面を選択してエッチングするために使用できる。つまり 、CF4/O2/He混台物を使用して生成される反応性種は、有機ポリマーを侵 さないことが判明しているが、O2/He混合物から引き出される反応性種は金 属面またはガラス面をエッチングしない。選択性の改善は、イオンのボンバード なしに発生する化学腐食プロセスから生じる。すなわち、イオンはプラズマ放電 の内側で形成されるが、どのイオンも本発明の装置から出て行くのを観察された ことはない。 ここでは、その例が添付図面に図解されている、本発明の好ましい実施態様が さらに詳細に参照されるだろう。同一のコールアウトが、類似したまたは同一の 構造を描くために使用されている。図1は、本発明10の装置の側面平面図の概 略図である。13.56MHzという商業バンド周波数で動作する、容量的に結 合されているrfソース、12は、rf出力を中央のまたは動力式の棒形の電極 14(外径=0.3125インチ、長さ=4.60インチ有効長)に供給し、計 量されている気体ソース16は、中央電極14と接地された中空の円筒状電極ま たは導電性チャンバ20(外径=0.875インチ、内径=0.625インチ、 長さ=4.80インチ)の間の環状の領域18を通る選択された高流量の気体を 提供する。半導体業界用のプラズマ加工装置の作業周波数でもある、この従来の 励起周波数の使用は、電源、ケーブル、およびコネクターが安価であり、はば広 く使用できるの できわめて望ましい。さらに、この周波数の統制されていない動作は、連邦通信 委員会(Fedcral Communications Commission)により許可されている。気体は 、装置内の開いている端22(直径0.250インチ)を通って出て行く。準安 定なその他の反応性種は、接地されたチャンバの端から8インチまで伸びるもく もく立ち上る煙(plume)で観察された。アルミナキャップ24(外径=0. 5インチ、内径=0.313インチ、長さ0.5インチ)が、電極間のアークの 発生を削減する。アセンブリ全体は、フランジ26により支えられている。大気 圧での動作は安定し、反復可能であり、容易に点弧される。また、大気圧での動 作は、低圧放電動作からの直線状の補外(linearly extrapolation)により予想 されるより、はるかに高い、気体相反応性準安定種の変換も生じさせる。プラズ マトーチとは異なり、APPJは、300Wというrfエネルギーで約250℃ より熱くない気体相の放出を生じさせ、光源内側での分光学的分析により測定さ れているように別個の非熱特性を示す。装置の水冷は、rf出力が300Wを越 えない限り、不要であることが判明した。アークの発生は、イオンを制限するH eガス混合物を使用することにより、高い流速を使用することにより、およびr f出力電極を適切に成形することにより、APPJ内で防がれる。プラズマの維 持に必要とされる電子密度が、ホローカソードイフェクト(hollow cathode effc ct)による電子トラッピングにより、つまり、軸流方向を除く空洞に沿ったすべ ての面での空間電離層反発作用(sheath repulsion)により、およびγモードで の動作により、電子の損失を最小限に抑えることにより 増加することを示す証拠がある(例えば、電子損失が、地面および動力を備えた 金属面からの二次電子放出および光電子放出により補償される、ウィリー、のエ ム エイ リーバーマン(M.A.Liebermann)およびエム ジェイ リヒテンバー グ(A.J.Lichtenberg)によるプラズマ放電の原理と材料加工367〜368頁 (1994年)(Principles of Plasma Discharges and Meterals Processing ,pp 367-368(1994))を参照のこと)。APPJで使用されているジオメトリ 、スペーシングおよび物質は、選択されているrf周波数での安定した動作には 必須である。同様に、相違点は、プラズマにさらされているさまざまな金属の使 用で観察される。電子密度に比例して減少する、負のイオン生成の回避は、プラ ズマの伝導率を減少させる高い気体流量の使用でのように、安定し、均一なグロ ー放電を維持するためにも重要である。 図2aは、長手方向に設けられているスロットまたはその中の縦溝26a〜h を示す、rf出力電極14の別の実施態様の前面図の概略図であるが、図2bは その側面図の概略図である。それぞれの縦溝は、図2中では、同じ幅および同じ 奥行き、典型的には0.02〜0.1インチ幅をもつように図2に示され、縦溝 の幅の奥行きに対する比率はほぼ3分の1であることが好ましい。このような複 数のスロットの使用は、中実の同軸rf出力電極を使用する同じ条件により、ア ークの発生のない、さらにはば広い動作ウィンドウを提供するプラズマ密度の改 善を生じさせることが判明している。すなわち、装置は、アークの発生のないよ りはば広いHe/O2混合物 の範囲で、より高いrfエネルギーで動作することができる。プラズマ密度の改 善が、電極の拡大されている表面積から生じるさらに大きな二次電子放出のため 、およびスロットの間に電子を閉じ込めることによることが、発明者により信じ られている。電極上のスロットの向かい合う側面が、同じ電位を備えているため アーク発生が削減されることになり、したがって電界が削減される。流量が、8 slm(毎分標準リットル)のHeおよび0.5slmのO2の場合、300Wの rf電力での動作はアークの発生なしに立証された。中実の電極を使用している 同じ流量は、このrfエネルギーレベルではかなりのアーク発生を生じさせるだ ろう。Heの流れは、その非常に高いイオン化ポテンシャルのためにアークの発 生を削減するが、Heの使用は、気体コストの増額およびこれらの製作または加 工条件下でヘリウムをリサイクルする限られた能力のため多くの状況で望ましく ない。一般的には、アークのない動作は、中実の電極を用いる類似の動作の場合 のヘリウム流量の約4分の1まで下がって発生することが判明している。この文 書の図1で利用されているエンドキャップ24に類似しているセラミックエンド キャップは、出力電極の端部に存在している高い電界から接地されている円筒状 チャンバまでアークの発生の可能性を削減するために、活用されることが言及さ れなければならない。 図3は、本発明の機器の第3の実施態様の側面図の概略図である。輪郭または リブは、He使用を削減するために、およびアークの発生のない純粋な空気また は空気/水混合物を使用して動作するために形成される。プラ ズマインピーダンスが減少し続けるにつれて、イオン化が改善され、それにより アークを生じさせるため、着実に増加する電流を生じさせ、それによりさらにプ ラズマインピーダンスを削減する低プラズマインピーダンスによりアークの発生 が引き起こされることが知られている。アークの発生を抑制するためには、高い プラズマインピーダンスが維持されなければならない。これを達成するための1 つの方法とは、プラズマ中でのイオン化の速度を制限することである。輪郭を有 する電極14は、接地された中空の円筒状チャンバ20に最も近い、輪郭の高い 点28の間の高い電界を維持することにより動作する。輪郭を有する電極の低い 点30では、電界はさらに低くなり、放電を始動するには不充分である。高い気 体流速を使用することにより、前記高い点に最も近い空間で生成されているイオ ンは急速にこの領域から電極のうちの低い点上の空間(volume)中に掃引される 。同等に、輪郭を有する電極のうちの低い点の近くの気体相の種は、プラズマが 維持されている前記高い点上の空間(volume)中に運ばれている。限られたイオン 化および高いプラズマインピーダンスは、電極のうちの高い点上で形成されてい るイオンの、電極のうちの低い点上での空間への一定の速いイオンの流れにより 維持される。そこでは、低い電界がイオン化の速度を減速し、イオンと電子の再 結合がプラズマ密度を削減できるようにする。それから気体が電極のうちの高い 点の中に流れ込むにつれて、プラズマ密度の初期の損失を補償するのに充分な時 間だけであるが、電離の増加が発生する。 機能的には、これは、イオン化がプラズマ中のイオン 滞留時間により制限されるという点で、中実の同心電極で超音速流量を使用する のに同等である。しかしながら、電極表面での輪郭の使用により、これはさらに 妥当な流量で発生できるようになる。さらに、APPJ反跳および圧力上昇での 乱れおよび問題も回避される。完成時、rf出力電極は、基底状態の種の、励起 されている振動/電子状態または準安定核種への効率的な変換を生じさせるほど 流れている気体の充分な滞留時間を提供するために長さ10センチと100セン チの間であった。高い点は、接地された中空の円筒状チャンバの内面から1/1 6インチであったが、低い点はそこから1/4インチであった。このスペーシン グの小さい変更が、それぞれプラズマ放電を維持し、放電を消滅させることが判 明した。 図4は、導電性の中空の円筒状チャンバの開いている端に取り付けられてよい 「シャワーヘッド」エンドキャップ32の透視図の概略図である。複数の1/8 〜1/16インチの直径の穴34を有しているエンドキャップを使用することに より、反応性種の均一な分布が生じることが判明した。対照的に、本発明の機器 のすべての実施態様は、このようなキャップを使用しないで動作されるだろうが 、反応性種は、濃度に大きな変動を有することが判明した。 図5は、同じ材料の低圧プラズマ(LP)のエッチング速度に比較した、識別 された物質の本発明の機器(APPJ)のエッチング速度のグラフである。タン グステン、タンタルおよび二酸化ケイ素のエッチングの場合、プラズマ気体組成 は、ヘリウム(20〜30slm)、 四沸化炭素(1slm)、およびアルゴン(1slm)であったが、カプトン( kapton)の場合・プラズ7気体はヘリウム(30slm)および酸素(0.5s lm)であった。前記したように、これらの反応はきわめて選択式である。つま り、CF4/O2/He混合物を用いて生成されている反応性種は、ポリイミド膜 を侵さないが、O2/He混合物は金属面またはガラス面をエッチングしない。 図6は、レーザー干渉計パターン対ケイ素基板上での有機ポリマーのポジティ ブフォトレジストの完全な除去までのエッチングの時間のグラフである。メイス ンリ(masonry)上に噴霧され、乾くのが許された平塗りの黒い塗料が、反応性 放出としてOH基を生じさせることが示されていたHe/O2/H2Oの流れる気 体混合物(フリット化(fritted)されたディスクを通して水の液体試料の中に 泡立されている30slmのHeおよび0.5slmC7のO2)を使用して、 本発明の教示に従って大気プラズマの作用により完全に除去できるだろうことも 観測された。 本発明の叙上の記載は、説明および記載の目的のために提示されたものであり 、網羅されたり、本発明を開示された正確な形態に制限することが意図されてお らず、前記教示に鑑みて自明な多くの修正および変形が可能である。例えば、導 電性チャンバが接地されること、またはチャンバおよび中央電極が円筒状の形状 であることは不必要である。事実上、rfエネルギーは導電性チャンバおよび接 地された中央電極に適用されてよい。任意の滑らかな環状地域は、本発明の教示 に従って、アークレ スの大気圧放電を維持するために使用することができる。実施態様は、本発明の 原理およびその実際的な適用を最もよく説明し、それにより当業者が多様な実施 態様で、意図された特定の使用に適している多様な修正をもって、本発明を最良 に活用できるようにするために選択され、記載された。本発明の範囲が、ここに 添付されている請求の範囲により定められることが意図されている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,LS,M W,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY ,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM ,AT,AU,AZ,BB,BG,BR,BY,CA, CH,CN,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,G B,GE,HU,IL,IS,JP,KE,KG,KP ,KR,KZ,LK,LR,LS,LT,LU,LV, MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,P L,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK ,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ,VN (72)発明者 セルウィン、ゲアリー エス アメリカ合衆国、87544 ニューメキシコ 州、ロス アラモス、スコット ウェイ 823

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 大気圧プラズマ放電を生成する装置であって、該装置が、 a少なくとも1つの閉じている端部、少なくとも1つの開いている端部および 長手方向の軸とを有する、導電性を備え、接地された少なくとも1つの円筒状チ ャンバと、 b長手方向の軸を有する該円筒状チャンバ内に位置づけられ、電極の長手方向 の軸が該円筒状チャンバの長手方向の軸と同一直線上になるように設けられ、該 円筒状チャンバによって環状領域を構成している該円筒状電極と、 c該環状領域を通って気体を流すための手段と、 d連続プラズマ放電が該円筒状電極と接地されたチャンバとのあいだで発生す るように、rfエネルギーを該円筒状電極に供給し、プラズマ放電の気体状生成 物が該円筒状チャンバの開いている端部から出て行くための手段 とを組み合わせてなる大気圧プラズマ放電生成装置。 2. 前記円筒状チャンバの開いている端部にもっとも近い、前記円筒状電極の端 部に、さらに、円筒状の絶縁キャップが設けられると共に、該円筒状電極と該円 筒状チャンバとのあいだのアークを防ぐために、該円筒状チャンバの内部に設け られてなる請求の範囲第1項記載の大気圧プラズマ放電生成装置。 3. 前記絶縁キャップがアルミナキャップである請求の範囲第2項記載の大気圧 プラズマ放電生成装置。 4. 前記円筒状電極が、その中に長手方向の複数のスロットを有し、それぞれの スロットが選択された幅と選択された奥行きとを有する請求の範囲第1項記載の 大気圧プラズマ放電生成装置。 5. それぞれのスロットが同じ幅と同じ奥行きとを有し、それぞれのスロットの 選択された幅と前記スロットの選択された奥行きとの比率がおよそ3分の1であ る請求の範囲第4項記載の大気圧プラズマ放電生成装置。 6. 前記円筒状電極が、多数の滑らかな輪郭を含み、それぞれの輪郭が少なくと も1つのピークと少なくとも1つの谷を有し、前記プラズマ放電が、前記接地さ れた中空の円筒状チャンバと輪郭のピーク領域内の前記円筒状電極とのあいだで 維持され、かつ該輪郭の谷の中で消滅する請求の範囲第1項記載の大気圧プラズ マ放電生成装置。 7. 該気体状の生成物が前記円筒状チャンバの開いている端部から出て行くプラ ズマ放電の気体状生成物の一様な分布が得られるように、キャップが前記接地さ れた中空の円筒状チャンバの開いている端部上に取りつけられ、該キャップに多 数の孔が穿設されてなる請求の範囲第1項記載の大気圧プラズマ放電生成装置。 8. 流れる気体がCF4/O2/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第1項記載 の大気圧プラズマ放電生成装置。 9. 流れる気体がO2/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第1項記載の大気 圧プラズマ放電生成装置。 10.流れる気体がO2/H2O/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第1項記載 の大気圧プラズマ放電生成装 置。 11.大気圧プラズマ放電からの反応性種の濃縮を含んでいる気体状噴流を生成す る装置であって、該装置が a閉じられた端部と開いている端部とを有する導電性チャンバと、 b該チャンバによって環状領域を構成している該チャンバ内に位置づけられる 中央電極と、 c該環状領域を通って気体を流すための手段と、 d連続プラズマ放電が該電極と該チャンバとのあいだで発生するように、rf エネルギーを該中央電極または該導電性チャンバのいずれかに供給し、該プラズ マ放電の気体状の生成物が反応性種を含み、該チャンバの開いている端部から出 て行く手段 とを組み合わせてなる気体状噴流生成装置。 12.前記導電性チャンバが長手方向の軸を有し、前記中央電極が長手方向の軸を 有するものであって、該中央電極の長手方向の軸が該チャンバの長手方向の軸と 同一直線上になるように設けられてなる請求の範囲第11項記載の気体状噴流生 成装置。 13.さらに、絶縁キャップが前記チャンバの開いている端部にもっとも近い前記 電極の端部に位置づけられると共に、該電極と該チャンバとのあいだのアークを 防ぐために該チャンバの内側に位置づけられてなる請求の範囲第11項記載の気 体状噴流生成装置。 14.前記絶縁キャップがアルミナキャップである請求の範囲第13項記載の気体 状噴流生成装置。 15.前記電極がその中に長手方向の複数のスロットを有し、それぞれのスロット が選択された幅と選択された 奥行きとを有してなる請求の範囲第12項記載の気体状噴流生成装置。 16.それぞれのスロットが同じ幅と同じ奥行きとを有し、該スロットの選択され た幅と選択された奥行きの比率がおよそ3分の1である請求の範囲第15項記載 の気体状噴流生成装置。 17.前記電極が多数の輪郭を含み、それぞれの輪郭が少なくとも1つのピークと 少なくとも1つの谷を有し、 それによって前記プラズマ放電が前記チャンバと輪郭のピーク領域内の該電極 とのあいだで維持され、かつ該輪郭の谷の中で消滅する請求の範囲第11項記載 の気体状噴流生成装置。 18.前記チャンバの開いている端部から出て行くプラズマ放電の気体状生成物の 一様な分布が得られるように、キャップが該チャンバの開いている端部上に取り つけられ、該キャップに多数の孔が穿設されてなる請求の範囲第11項記載の気 体状噴流生成装置。 19.流れる気体がCF4/O2/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第11項記 載の気体状噴流生成装置。 20.流れる気体がO2/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第11項記載の気 体状噴流生成装置。 21.流れる気体がO2/H2O/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第11項記 載の気体状噴流生成装置。 22.反応性種の濃縮を含んでいる気体状噴流を生成する方法であって、該方法が 、導電性チャンバのあいだの環状領域を通って流れる気体中にアークレスの大気 圧プラズマ放電を生成する工程を備えており、該導電性チャンバが、閉じられた 端部、開いている端部および 中央電極とを有し、該中央電極が該チャンバ内に設けられると共に、該チャンバ によって環状領域が構成されるように設けられ、該プラズマ放電の気体状生成物 が反応性種を含み、該チャンバの開いている端部から出て行く気体状噴流生成方 法。 23.前記出て行く気体状の生成物が、大気圧で1μ秒以上、1秒以下の寿命を有 する反応性種を含んでなる請求の範囲第22項記載の気体状噴流生成方法。 24.流れる気体がCF4/O2/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第22項記 載の気体状噴流生成方法。 25.流れる気体がO2/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第22項記載の気 体状噴流生成方法。 26.流れる気体がO2/H2O/Heの混合物を含んでなる請求の範囲第22項記 載の気体状噴流生成方法。
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