JP2001500987A - バーコード走査器用ディザリング機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 バーコード走査器の照射ビームを走査する、フィードバック及び／又は振れ止めを備えた共鳴駆動するディザリング機構（４０２、４０３）を含むコンパクト走査モジュール(４００)。このディザリング機構（４０２、４０３）の１つの構成では、前記ミラー組立ての動きを制限する１つ又はそれ以上の振れ止め（４１６）を含み、減衰弾性材料から作られた２つの振れ止め（４１６）は、前記ディザリング機構（４０２、４０３）に加えられる余剰のエネルギを吸収する。第１の好ましいフィードバックの実施態様では、ホール効果センサが備えられ、前記ディザリング機構に取り付けられたフィードバック磁石（４０４）の位置が変動するのに応じて変化する磁場を、前記ホール効果センサが検出する。第２のフィードバックの実施態様は圧電性フィードバックを備えることで、前記曲げ要素に１つ又はそれ以上の圧電歪センサが取り付けられ、位置の感知を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】 バーコード走査器用ディザリング機構発明の属する技術分野 本発明の技術分野は、ディザリング機構、更に詳しくは、バーコード走査器の 照射ビームを走査するための、フィードバックと振れ止めを備えた共鳴駆動式デ ィザリングミラー機構に関するものである。背景 バーコード走査など、照射ビームの迅速走査が必要な適用をする場合において 、走査領域を迅速にそして繰り返し走査するために普通用いられる方法は、ミラ ー・ディザリングである。ディザリングとは、ミラー面にほぼ平行な軸の回りに そのミラーを動かして照射ビームを高速回転振動させることにより、照射ビーム を高速で前後に動かして走査線を発生させることをいう。この走査線がバーコー ドを照射すると、その結果生ずるバーコードのバーと空隙部とから検出された光 の発散と反射による時間依拠信号が、暗号化された内部情報を引き出すべく解読 される。そのような走査の適用に供するため、ミラー動作を生み出すディザリン グ駆動源は安定したものでなければならず、通常駆動源とミラー動作との間にあ る種のフィードバックを持っている。特に手持ち用の走査への適用に際しては、 このディザリング機構は軽く、小型で、信頼性があり、そして最小の動力で走査 のための十分大きな振幅の動作を生み出すものでなくてはならない。走査器は、 走査線を調整してこれを一定に保つため、フィードバック制御回路を含んでいる のが普通である。 従来のディザリング機構は、通常１対の磁石と１対の電磁コイルとからなって いる。図１には、ミラー／磁石組立て１１０、駆動コイル１０６、フィードバッ クコイル１０８、曲げ要素１１２、そして搭載要素１１４からなるディザリング 機構１００を示している。前記ミラー／磁石組立て１１０は、ミラー１０２、ミ ラーブラケット１０３、及び駆動磁石１０４とフィードバック磁石１０５とから なっている。駆動コイル１０６、フィードバックコイル１０８及び搭載要素１１ ４は、ディザリング機構のハウジング（図示せず）の一部とするか、もしくはそ のハウジング内に搭載されてもよい。前記ブラケット１０３は、ミラー１０２を 保持し、曲げ要素１１２により搭載要素１１４に結合されている。この曲げ要素 １１２は、柔軟性のある材料の薄い平坦な板からなり、曲がることができるばね の役割を果たす。この要素１１２の曲げが、ミラー１０２にほぼ平行で図面に対 して垂直な軸を中心にミラー／磁石組立て１１０を回転させる。 これまで一般には、前記軸、即ち回転中心（ＣＯＲ）を、ミラー／磁石組立て １１０の重心（ＣＯＧ）に一致させることが有利であると考えられてきた。厳し い機械ショックがあるときにディザリング機構を保護するため、前記中心軸の動 きを規制する手段が設けられてもよく、この位置には横方向の動き（即ち、ＣＯ Ｒ軸に直交する平面上での動き）がないので都合がよい。このような手段の例と しては、移動ピンからなっていて、その軸はＣＯＲ軸と同軸であり、静止した穴 の中で回転する。このピンは、通常の動作ではその穴の内部に接触することはな い、というのは、もし接触すればディザリング機構の動作を弱め、効率を低下さ せるからである。そのピンには横方向の動きがないため(単にその軸を中心に回 転するだけであるため)、前記静止穴の内部に必要な隙間は、工程と温度とのバ ラツキを吸収するためだけのものでよい。ショック時には、このピンがＣＯＲの 動きを規制する働きをする。もしＣＯＲとＣＯＧが一致しておれば、その位置で の動きは規制され、このためいかなる直線軸に沿ったショックも単にこのピンを 前記穴に移動するだけで回転は起こらない。この結果、ほかには何らのショック 規制の追加特性は必要とされない。本発明者は、もしＣＯＲとＣＯＧが一致して いなければ、通常のディザリング方向に対して回転の動作を規制する必要がある ことを認識している。 前記ディザリング機構１００は、曲げ要素１１２の有効ばね定数と、ミラー／ 磁石組立て１１０及びそれに付属するすべての部品の有効質量とによって決まる 共鳴振動数を持つ振動構造からなる。ミラー／磁石組立て１１０の動作は、発振 駆動電流を駆動コイル１０６に流し、これによって駆動磁石１０４に発振磁気駆 動力を発生させることによって駆動される。前記ミラー１０２のディザリング動 作の最大振幅は、前記駆動電流がディザリング機構１００の共鳴振動数で発振す るとき、即ちディザリング機構１００が共鳴駆動されるときに生ずる。このディ ザリング機構１００を共鳴駆動させることは、最少の電力消費で最大のディザリ ング振幅を得る上で重要である。この結果生ずる走査線の位置と長さを一定にし ておくことも重要である。 この駆動振動数と共鳴振動数との一致を維持するためにフィードバックを備え ていても、結果としてディザリング動作の振幅と位置とにはかなりのバラツキが 残る。これらの振幅のバラツキは、管理することが困難な製造上及び操作上の変 動要因から生ずるもので、その中には、ミラー／磁石組立て１１０及びこれに付 属する全ての部品の正確な質量、曲げ要素１１２の詳細な寸法や機械特性、温度 、ディザリング機構の損耗、そして／又は駆動コイルに対する移動する駆動磁石 の空間での方位、などが含まれるがこれらに限定されるものではない。前記ディ ザリングング動作の振幅は、ディザリング機構で生み出される走査線の位置と長 さを決めることになり、バーコード走査器の正しい操作のためには前記走査線の 位置と長さが一定であることが重要であることから、前記ディザリング動作の振 幅のバラツキを最少にしなければならない。この振幅のバラツキは、駆動力の大 きさを制御する位置フィードバックを用いることにより最少化することができる 。しかしながら、このフィードバックは、追加の感知及び制御電子機器を必要と し、全体の電力消費、コスト、そして／又はバーコード走査器の複雑さを高めて しまう。更には、正しい操作のために行うそのようなフィードバックシステムの 最適化には同様なバラツキを含んでおり、これがまず振幅のバラツキを発生させ る原因ともなりかねない。 図２は、共鳴駆動式ディザリング機構の位置、速度、駆動力の典型的な波形を 表したものである。位置波形１５２と速度波形１５４はほぼ正弦波で、位置と速 度との間に９０度の位相ずれがある。共鳴振動数で駆動されるディザリング機構 においては、速度波形１５４は駆動力波形１５６と同一位相にある。駆動力波形 １５６は、図２では角形の波形で示されているが、概略正弦波の波形からなって いてもよい。 従来のディザリング機構におけるこのフィードバックは、速度フィードバック により行われた。フィードバックコイル１０８は、ブラケット１０３に取り付け られたフィードバック磁石１０５により振動磁場に晒されている。フィードバッ クコイル１０８を横切って発生する電位は、フィードバックコイル１０８の磁束 の時間導関数に直接連動して、即ちフィードバック磁石１０５とディザリングミ ラー１０２の速度に直接連動して変動する。前記フィードバック電位のゼロ交差 は前記ミラー速度がゼロのときに発生するが、これは駆動コイル１０６の駆動電 流の極を切換えるトリガーとして使用され、これによって駆動磁石１０４および ミラー１０２に加えられる駆動力を反転させる。この方法により、駆動力の切換 え周期は、共鳴駆動システムに必要とされるように、ディザリング機構１００の ディザリング動作周期と常に一致するよう固定され、前記駆動力と速度とは同一 位相となる。 以上述べたフィードバック形式には、幾つかの弱点がある。フィードバックコ イル１０８を横切って発生する前記電位は通常、数ミリボルト程の非常に僅かな ものでしかない。この信号をフィードバック信号として使用するには増幅せねば ならず、増幅した後のフィードバック信号には多くのノイズが入る。駆動コイル １０６と駆動磁石１０４とが近接しているため、前記駆動磁場とフィードバック コイル１０８との間でかなりの混信がありうる。更には、前記フィードバックコ イル１０８は、出力ボルトを最大化するため非常に微細な径の電線を巻いて製造 されており、製造が困難でコスト高となり、かさ張り、比較的壊れやすくそして ／又は信頼性に乏しい。発明の概要 したがって、本発明は、走査モジュール並びにディザリング機構に関するもの であり、更に詳しくは、バーコード走査器の照射ビームを走査するための、フィ ードバックそして／又は振れ止めを備えた共鳴駆動式のディザリングミラー機構 に関するものである。 第１の好ましい構成では、前記ミラー組立ての動きを制限するために、本ディ ザリング機構は１つもしくはそれ以上の振れ止めを含んでいる。２つの振れ止め を採用することで、ディザリング機構の動きを最大ディザリング振幅に制限させ る。少なくともほぼ最大ディザリング振幅（振れ止めがない場合の）に匹敵する ほど大きさのディザリング振幅を発生させるに十分な駆動力で前記ディザリング 機構を駆動することは、そのディザリング振幅は、振れ止めによって許容される 最大ディザリング振幅にほぼ等しくなることを保証するものである。ほぼ一定の ディザリング振幅であることは、走査線位置及び長さをほぼ一定にすることにつ ながる。ディザリング動作の各サイクルにおいて駆動力を加えてディザリング機 構に与えられた余分なエネルギをより効率的に吸収するため、前記振れ止めは減 衰された弾性材料から形成される。代替として、第１の方向のみのディザリング 動作を制限するために、１つの振れ止めが採用されていてもよい。もし前記ディ ザリング機構のメカニズムが、ほとんどの場合そうであるように極めて共鳴する ものであるならば、この１つの振れ止めがディザリング機構から十分なエネルギ を吸収し、第２方向のディザリング振幅は第１方向の振れ止めで許容される最大 ディザリング振幅とほぼ同じ大きさになる。 ２つの振れ止めを使用することによって、前記ディザリング動作の回転軸を、 ディザリング動作を実行する部品群の重心からずらすことが可能となり、これに よってディザリング機構のより広範な形態を採用することが可能となる。 前記振れ止めのデザインは、フィードバックシステムを必要としないよう構成 することができるが、フィードバックが性能をより向上させることもある。振れ 止めがあるなしに拘わらず使用可能な第１の好ましいフィードバックの実施の態 様は、ホール効果センサを採用することで、フィードバック磁石がディザリング 機構に接続され、そのフィードバック磁石の位置の変動によって生ずる磁場の変 化を感知するためにホール効果センサが設けられる。前記フィードバック信号は 、フィードバック磁石の磁場の大きさによって、すなわちディザリング機構の位 置 によって変動する。共鳴動作の位置及び速度は９０度位相がずれているので、デ ィザリング機構を共鳴駆動させるには、前記駆動電流の切換えには９０度位相を ずらしてやらねばならない。前記ホールセンサは、集積回路の単一部品からなる ものとすることができ、その中にはフィードバック信号の増幅器も含まれる。前 記センサと増幅器の統合は、非常に大きなかつノイズがより少ない信号を提供し 、その他にもより小さなサイズで、低コストで、信頼性の向上をももたらす。第 ２のフィードバックの実施態様は、圧電フィードバックの採用で、１つ又はそれ 以上の圧電歪センサが曲げ要素に取り付けられる。ディザリング機構が発振する と、この圧電歪センサによりフィードバック電圧が生まれる。このフィードバッ ク電圧は、前記曲げ要素の曲げ量に直接連動し、即ちディザリング機構の位置に 直接連動して変化する。ディザリング機構を共鳴駆動させるには、駆動電流の切 換えは９０度位相がずらされる。このフィードバック電圧は比較的大きく、ノイ ズが低く、通常は更なる増幅をせずに直接使用することができる。位置感知のた めに圧電歪センサを使用することは、より小型の、より信頼性のある、より製造 が容易なディザリング機構を実現させることになる。図面の簡単な説明 図１は、速度フィードバックのためのフィードバック磁石とコイルを採用した 従来技術のディザリング機構の平面図である。 図２は、共鳴駆動式のディザリング機構の位置、速度、駆動電流の波形を示す 。 図３は、振れ止めと、心のずれた回転軸を持つディザリング機構の平面図であ る。 図４は、複数コイルを持つ、他のディザリング機構の平面図である。 図５，６，７は、本発明の他の好ましい実施の態様にかかる、位置フィードバ ックを提供するための位置フィードバック感知機構（例えばホールセンサとフィ ードバック磁石）を備えたディザリング機構の平面、側面、背面の部分断面図で ある。 図８，９，１０は、図５から７の実施の形態における、フィードバック磁石、 磁束線、ホールセンサの相対位置関係を示す。 図１１，１２，１３は、本発明の他の好ましい実施の態様にかかる、位置フィ ードバックを提供するための位置フィードバック感知機構（例えばホールセンサ とフィードバック磁石）を備えたディザリング機構の平面、側面、背面の部分断 面図である。 図１４，１５，１６は、図１１から１３の実施の形態における、フィードバッ ク磁石、磁束線、ホールセンサの相対位置関係を示す。 図１７，１８，１９は、本発明の他の好ましい実施の態様にかかる、位置フィ ードバックのための圧電歪センサを備えたディザリング機構の平面、側面、背面 の部分断面図である。 図２０は、図１１から１６に示すディザリング機構のブロック制御回路図であ る。 図２１は、図１１から１６に示すディザリング機構の詳細回路図である。 図２２は、図１７から１９に示すディザリング機構の概略ブロック制御回路図 である。 図２３は、図１１から１６に示すディザリング機構を備えた走査モジュールの 斜視図である。 図２４は、図２３の走査モジュールの平面図で、内部部品を示すため印刷回路 基盤を取り除いたものである。 図２５は、図２３の走査モジュールの背面斜視図で、内部部品を示すため印刷 回路基盤を取り除いたものである。 図２６は、図２３の走査モジュールの２６−２６線で切った断面図である。 図２７は、図２３の走査モジュールの印刷回路基盤の底面組立て図である。 図２８は、図２３の走査モジュールの印刷回路基盤の上面組立て図である。 図２９は、代替の走査モジュールの構成を示す断面図である。好ましい実施の態様の詳細説明 好ましい実施の態様につき、以下図面を参照に説明する。説明を分り易くする ため、１つの図面で使用された符号が他の図面でも使用されているときは、同一 部品を示すものとする。 図３は、本発明にかかるディザリング機構の第１の実施の態様２００を示すも ので、ミラー／磁石組立て２１０、駆動コイルもしくは電磁石２０６、曲げ要素 ２１２、搭載要素２１４、及び振れ止め２１６からなる。前記ミラー／磁石組立 て２１０は、ミラーブラケット２０３に搭載されたミラー２０２と、同じくミラ ーブラケット２０３に搭載された駆動磁石２０４とからなる。この駆動磁石２０ ４は、好ましくはネオジム硼化鉄ＮｄＦｅＢもしくはサマリウムコバルトＳｍＣ ｏなどの希土類磁性材料から作られる。駆動コイル２０６、搭載要素２１４、及 び振れ止め２１６は、ディザリング機構２００のハウジング２２０の一部とされ るか、もしくはハウジング２２０内に搭載される。ブラケット２０３はミラー２ ０２を保持し、薄い平坦な柔軟材料からなり曲げ可能なばねの役割を果たす曲げ 要素２１２により搭載要素２１４に取り付けられる。前記曲げ要素２１２に適合 する材料は、プラスチック、マイラー(商標)、アルミニウム、鋼、チタン、ベリ リウム銅、もしくは同等の機能を果たすものだが、これらに限定されるものでは ない。前記曲げ要素２１２は、片持ち梁の役割を果たす。曲げ要素２１２の曲が りは、ミラー２０２にほぼ平行で図３の平面に垂直な軸を中心とするミラー／磁 石組立て２１０の摩擦のない回転即ちピボット運動を生むが、この軸は必ずしも ミラー／磁石組立て２１０の重心２０９を通過するとは限らない。したがってデ ィザリング機構２００は、曲げ要素２１２の有効ばね定数、ミラー／磁石組立て ２１０とこれに付属する部品の有効質量、ミラー／磁石組立て２１０の回転中心 ２０７と重心とのずれとによって決まる共鳴振動数をもつ発振構造からなってい る。ミラー／磁石組立て２１０の動作は、発振駆動電流を駆動コイル２０６に通 し、これによって駆動磁石２０４に発振磁気駆動力を発生させることによって駆 動される。前記駆動電流は、ディザリング機構２００の共鳴振動数で発振し、即 ちディザリング機構２００は共鳴駆動される。前記駆動振動数と共鳴振動数との 一致を維持するため、以下に述べるような手段による位置フィードバックが備え られていてもよい。 前記振れ止め２１６は、ディザリング動作の振幅を最大ディザリング振幅に制 限し、ミラー組立て２１０の反転動作を支援する。この振れ止め２１６は、前記 ハウジング２２０の一部もしくはハウジング２２０に搭載される。駆動力の所定 値が十分に大きいので、結果としてディザリング振幅（振れ止めがない場合）は 、少なくとも振れ止め２１６により許容される最大ディザリング振幅と同じ程の 大きさになる。この所定値は、管理困難な製造上及び操作上のバラツキに拘わら ず、前記ディザリング振幅が、前記振れ止め２１６によって許容される最大ディ ザリング振幅とほぼ同じほどの大きさになることを保証している。前記バラツキ には、ミラー／磁石組立て２１０及びこれに付属する部品の正確な質量、曲げ要 素２１２の詳細な寸法や機械特性、温度、ディザリング機構２００の損耗、そし て／又は駆動コイル２０６に対する走査中に移動する磁石２０４の空中での方位 などが含まれるが、これらに限定されるものではない。前記ディザリング動作の 振幅がディザリング機構２００によって生み出される走査線の位置と長さを決め るため、生み出されるディザリング振幅をほぼ一定に保つことが走査線の位置と 長さをほぼ一定に保つことにつながる。 ２つの振れ止めを使用することによって、前記ディザリング動作の回転軸をデ ィザリング動作が実行される部品群の重心から外すことができ、これによりディ ザリング機構のより広範な形状が採用可能となる。ＣＯＲに規制され、ＣＯＲ軸 に直交するいずれかの直線軸に沿う機械的ショックは、ＣＯＲ回りの回転の原因 となるが、その回転は前記振れ止めで制約されるので損傷を生むことはない。通 常の作動での損傷を防ぐため、振れ止め２１６に当たるときの曲げ要素２１２の 曲げ半径は、その曲げ要素の材料の降伏半径よりもはるかに大きなものとし、前 記曲げ要素２１２は、振れ止め２１６に至るまでの曲げが吸収できるように設計 されている。衝撃時において、前記振れ止め２１６が通常のディザリング動作の ときよりもはるかに大きな回転が許容されていれば、そしてＣＯＲとＣＯＧが一 致していない場合には、その衝撃による損傷ははるかに大きなものとなる。 前記ディザリング動作の各サイクルの間に、駆動力を与えてディザリング機構 ２００に加えられる余剰エネルギをより効率よく吸収するため、前記振れ止め２ １６を減衰弾性材料から形成することができる。もしこの余剰エネルギが前記振 れ止めによって吸収されないときには、ディザリング機構の好ましくないより大 きな共鳴振動につながるかも知れない。この振れ止めに適用可能な材料は、ゴム 、プラスチック、発泡テープ、パロン（商標）材料(エネルギ吸収泡沫)、これら の組合せ、同等な機能を果たすもの、等が含まれるが、これらに限定されるもの ではない。 弾性材料の小片が、ミラー／磁石組立て２１０に、その弾性材料の部分がミラ ー／磁石組立て２１０と振れ止め２１６との接触点の位置となるように取り付け られてもよい。そのような実施の態様では、前記振れ止め２１６は、一般的な非 弾性の要素であってもよい。 他の実施の態様では、第１方向のディザリング動作を規制するために１つの振 れ止め２１６が備えられてもよい。この１つの振れ止め２１６は、第２方向の前 記ディザリング振幅が第１方向の振れ止めによって許容される最大ディザリング 振幅とほぼ同じ大きさになるように、ディザリング機構から十分なエネルギを吸 収する。機構の極の真のイメージが小さい高共鳴ディザリング機構においては、 この吸収は特に有効であり、この場合には、その機構はディザリング振幅の短期 の変動に対しては高い抵抗を示し、振幅制御に関しては１回の停止が２回の停止 と同等の効果となる。 図４は、ディザリング機構の他の実施の態様３００を示したもので、ミラーブ ラケット２５３に搭載されたミラー２５２と、同じくミラーブラケット２５３の 側面の相対する位置に搭載された駆動磁石２５４、２５５とからなる。駆動コイ ル２５６、２５７は、搭載要素２６４に搭載され、前記駆動磁石２５４、２５５ に隣接して配置される。前記駆動コイル２５６、２５７と搭載要素２６４はディ ザリング機構２５０のハウジング２７０の一部となるかハウジング２７０内に搭 載される。前記ブラケット２５３はミラー２５２を支持し、曲げ要素２６２によ って搭載要素２６４に取り付けられる。前記ミラー／磁石組立て２６０は、発振 駆動電流を駆動コイル２５６、２５７に通し、これにより前記駆動磁石２５４、 ２５５に発振磁気駆動力を発生させることにより駆動される。曲げ要素２６２の 曲げにより、ミラー２５２にほぼ平行で図４の平面に直交する軸２６７を中心に ミラー／磁石組立て２６０が回転するが、この軸は必ずしもミラー／磁石組立て ２６０の重心２５９を通過しなくてもよい。このディザリング機構２５０では、 前記振れ止めが前記駆動磁石２５４、２５５に取り付けられ、それには弾性材料 からなるパッド２６５、２６５が備えられている。この弾性材料２６５、２６５ は、（図示のように）駆動磁石２５４、２５５上に取り付けられても、もしくは 前記駆動コイル２５６、２５７上でも、又はハウジング２７０内の他の要素に取 り付けられてもよい。 前記ディザリング機構は、前記ミラーブラケット２５３を駆動するために、１ つの駆動コイルもしくは複数の駆動コイルを備えてもよい。例えば、図３のディ ザリング機構２００では、発振駆動電流を駆動コイル２０６に通し、これにより 前記駆動磁石２０４に発振磁気駆動力を発生させることにより駆動磁石２０４を 駆動するための１つの駆動コイル２０６が示されている。図４のディザリング機 構２５０では、ミラーブラケット２５３の側面の相対する位置に配置された駆動 磁石２５４、２５５を、両駆動コイルの間で交互に作用して協力してミラー／磁 石組立て２６０を駆動するように、２つの駆動コイル２５６、２５７を含んでい る。 代替として、前記ディザリング機構２５０は、１つの駆動コイル２５６及び駆 動磁石２５４と、速度又は位置信号を発生するフィードバックのペアを構成する 他のコイル２５７及び磁石２５５を備えていてもよい。 これらの駆動システムは、非共鳴の状態であっても振れ止めによって許容され る最大の振幅となるよう前記駆動力が十分大きなものであるならば、前記ディザ リング機構を共鳴駆動するためのフィードバックを備えていない構成であっても よい。フィードバックがあるなしに拘わらず、ディザリング機構を駆動するには 、どのような相応しい発振駆動システムであっても使用することができる。駆動 システムの例としては、磁気駆動システム、静電気駆動システム、圧電駆動シス テム、こられの組合せ、同等なものが含まれるが、これらに限定されるものでは ない。 上述のディザリング機構は、以下の１つもしくはそれ以上の利点を含む： −ほぼ均一な位置と長さの走査線を作る； −ディザリング動作の振幅がほぼ一定である； −ディザリング動作の回転中心が、前記ディザリング構成部品群の重心からず れていてもよい； −ディザリング動作の振幅が、少なくとも１つの振れ止めによって規制される ； −ディザリング機構に加えられる余剰エネルギは、少なくとも１つの振れ止め によって吸収される；そして／又は、 −電力消費、コスト、バーコード走査器の複雑さを加えることなく、ほぼ一定 の位置と長さの走査線を生むバーコード走査器のためのディザリング機構を提供 する。 幾つかの好ましいフィードバックシステムについて以下に説明するが、これら は以上述べた内容と共に、もしくは振れ止めを含まず個別に、構成することがで きる。 図５から７に、位置フィードバックのための位置センサを備えたディザリング 機構の第１の好ましい実施の態様を示す。ディザリング機構３００は、基礎もし くはハウジング要素３０１に搭載された搭載要素３１４と、その搭載要素３１４ に搭載された曲げ要素３１２と、その曲げ要素３１２に搭載されたミラーブラケ ット３０３と、そのミラーブラケット３０３に搭載されたミラー３０２と、同じ くミラーブラケット３０３に搭載された駆動磁石３０４と、基礎３０１に搭載さ れた（図面表示の通り、代替として搭載ブラケット３１４に搭載されてもよい） 駆動コイルもしくは電磁石３０６と、フィードバックセンサ３０８（好ましくは ホール効果センサ）と、そしてフィードバック磁石３１０と、からなっている。 前記駆動コイル３０６、ホールフィードバックセンサ３０８、そして搭載要素３ １４は、ハウジング要素もしくは前記ディザリング機構３００の基礎３０１の内 部に搭載されても、あるいはこれらの一部となってもよい。前記ブラケット３０ ３はミラー３０２を保持し、曲げ要素３１２を介して搭載要素３１４に支持され る。この曲げ要素３１２は、薄い、平坦な柔軟性材料からなる板等のばね要素か らなり、曲げ可能なばねとして作用する。この曲げ要素３１２に相応しい材料と しては、プラスチック、マイラー(商標)、アルミニウム、鋼、チタン、ベリリウ ム銅、こられの組合せ、もしくは同じ機能を果たすものが含まれるが、これらに 限定されるものではない。 曲げ要素３１２の曲がりは、ミラー３０２にほぼ平行で図５の平面図の面に直 交する軸を中心としたミラー３０２の（規定された円弧状の）発振を生む。前記 ディザリング機構３００は、曲げ要素３１２の有効ばね定数と、ミラー３０２、 ブラケット３０３、それに付属する部品の有効質量とによって決まる共鳴振動数 を有する発振構造からなっている。ミラー３０２の動作は、発振駆動電流を駆動 コイル３０６に通し、これにより駆動磁石３０４に発振磁気駆動力を生み出すこ とにより駆動される。ミラー３０２のディザリング動作の最大振幅は、前記駆動 電流がディザリング機構３００の共鳴振動数で発振したとき、即ち、前記ディザ リング機構３００が共鳴駆動されたときに発生する。 駆動振動数とディザリング機構の共鳴振動数との一致を維持するように位置フ ィードバックが設けられ、これはフィードバック磁石３１０とホール効果フィー ドバックセンサ３０８によって与えられる。このホールセンサ３０８は、ブラケ ット３０３に取り付けられたフィードバック磁石３１０による振動磁場に晒され ている。ホールセンサ３０８がフィードバック磁石３１０の３つの異なる位置で 受ける磁場の大きさを図８から１０に示す。フィードバック磁石３１０のＮ極か ら放射され、反対側のＳ極に至る磁束線を示している。ミラー３０２（フィード バック磁石３１０が取り付けられている）がその動作の幅の範囲内を動き、フィ ードバック磁石３１０がホールセンサ３０８の上を通過するとき、その磁場の大 きさの状態が切換わる。ホールセンサ３０８を横切ってできる電位は、前記ホー ルセンサ平面に直交する磁束に直接連動して、即ち、フィードバック磁石３１０ 及びディザリングミラー３０２の位置と直接連動して変化する。ホールセンサ電 位のゼロ交差（静止バイアス状況で決まるオフセット電圧を差し引く）は、前記 ミラーがほぼその中央に位置し、その速度がほぼ最大になるときに生ずるが、９ ０度位相がずれており、駆動コイル３０６内の前記駆動電流の極を切換えるトリ ガーとして用いられ(図２０の回路に示すように)、これにより駆動磁石３０４と ミラー３０２に働く駆動力を反転させる。この方法により、前記駆動力の切換え 周期は、共鳴駆動のディザリング機構に必要とされるように、常に前記ミラー３ ０２のディザリング動作の振動数と同一に固定され、前記駆動力は、ディザリン グ機構の位置から９０度位相がずれ、ディザリング機構速度の位相と同期したも のとなる。 図８に示すように、前記磁束線は感知平面にほぼ垂直で上方に向きホールセン サの感知面内に入り、前記ホールセンサ３０８内に有効値以下の電圧を発生する 。図９では、前記磁束線は感知平面に平行で、前記ホールセンサ３０８に有効値 の電圧を発生する。図１０では、前記磁束線は感知平面に直交し、下方を向いて おり、前記ホールセンサ３０８に有効値以上の電圧を発生する。 前記ホールセンサ３０８は、好ましくはそのホールセンサ自身と前記フィード バック信号を増幅する増幅器を含む集積回路からなる。ホールセンサと増幅器の 集積化は、比較的低いエネルギ発生のフィードバック磁石を使用しても、比較的 大きな信号対ノイズ比率となる数百ミリボルトのフィードバック信号電圧を発生 することができる。ホールセンサ３０８の小型化により、駆動コイル３０６及び 駆動磁石３０４から更に離れた場所にそれを設けることが可能となり、駆動コイ ル３０６そして／又は駆動磁石３０４からの混線を比較的免れることができる。 このようなソリッドステート集積回路は本来フィードバックコイルよりもはるか に信頼性があり、比較的安価にそして容易に製造、及びディザリング機構への装 着が可能となる。 図５から１０は、フィードバック磁石３０８を持ち、その磁軸がホールセンサ ３１０に対して垂直に向いており、そのフィードバック磁石の動きがその軸に対 して直交するものを備えたディザリング機構３００を示す。図１１から１６は、 他のディザリング機構４０１で、磁軸がホールセンサ４１０に対して水平に向い ており、そのフィードバック磁石の動きがその軸に対して平行なフィードバック 磁石４０８を持つものを示している。このディザリング機構４０１は、基礎もし くはハウジング要素４５０に搭載された搭載要素４１４と、その搭載要素４１４ に搭載された曲げ要素４１２と、その曲げ要素４１２に搭載されたミラーブラケ ット４０３と、そのミラーブラケット４０３に搭載されたミラー４０２と、やは りミラーブラケット４０３に搭載された駆動磁石４０４と、印刷回路基盤４１５ に搭載された駆動コイルもしくは電磁石４０６と、フィードバックセンサ４０８ （例えば、ホール効果センサなど）と、そしてフィードバック磁石４１０と、か らなる。前記ブラケット４０３はミラー４０２を支持し、曲げ要素４１２を介し て搭載要素４１４に搭載されている。その曲げ要素４１２は、柔軟要素により片 持ち梁としての役割を果たし、ミラー／磁石組立て４０２／４０３の摩擦のない 回転すなわちピボット作用を提供する。この曲げ要素４１２は、薄い平坦な柔軟 性材料の板のばね要素からなり、曲げが可能なばねとしての役割を果たし、先の 実施の態様と同様な状態で作用する。 ミラー４０２の動作は、発振駆動電流が駆動コイル４０６を流れ、これによっ て駆動磁石４０４に発振磁気駆動力を発生することにより駆動される。ミラー４ ０２のディザリング動作の最も大きな振幅は、前記駆動電流が、ディザリング機 構の共鳴振動数で発振するときに発生する。 駆動振動数とディザリング機構の共鳴振動数との一致を維持するために位置フ ィードバックが備えられ、これはフィードバック磁石４１０とホール効果フィー ドバックセンサ４０８とによって与えられる。このホールセンサ４０８は、ブラ ケット４０３に取り付けられたフィードバック磁石４１０により発振磁場に晒さ れている。フィードバック磁石４１０の３つの異なる位置におけるホールセンサ ４０８に晒される磁場の大きさは、図１４から１６に示される。フィードバック 磁石４１０のＮ極から放射され、反対側のＳ極に至る磁束線４１６を示している 。ミラー４０２（フィードバック磁石４１０が取り付けられている）がその動作 の幅の範囲内を動き、フィードバック磁石４１０がホールセンサ４０８の上を通 過するときに磁場の大きさの状態が切換わる。ホールセンサ４０８を横切ってで きる電位は、前記ホールセンサ４０８における磁場に直接連動して、即ち、フィ ードバック磁石４１０及びディザリングミラー４０２の位置と直接連動して変化 す る。ホールセンサ電位のゼロ交差（静止バイアス状況で決まるオフセット電圧を 差し引く）は、前記ミラーがほぼそのセンサの真上に位置し、その速度がほぼ最 大になるときに生ずるが、９０度位相がずれており、駆動コイル４０６（図２０ の回路に表示されたようなもの）内の前記駆動電流の極を切換えるトリガーとし て用いられ、これにより駆動磁石４０４とミラー４０２上に働く駆動力を反転さ せる。この方法により、前記駆動力の切換え周期は、共振駆動のディザリング機 構に必要とされるように、常に前記ミラー４０２のディザリング動作の振動数と 同一に固定され、前記駆動力は、ディザリング機構位置から９０度位相がずれ、 ディザリング機構速度の位相と同期したものとなる。 前述のように、本ディザリング機構４０１は、先の実施の態様の振れ止めデザ インを含んでもよい。例えば図１１では、１つ又はそれ以上の振れ止め４１６が 前記ディザリング機構に取り付けられてもよい。 図１４に示すように、前記磁束線は感知平面にほぼ垂直で、上方に向きホール センサ４０８の感知面内に入り、前記ホールセンサ４０８内に有効値以下の電圧 を発生する。図１５では、前記磁束線は感知平面に平行で、前記ホールセンサ４ ０８に有効値の電圧を発生する。図１６では、前記磁束線は感知平面に直交し、 下方を向いており、前記ホールセンサ４０８に有効値以上の電圧を発生する。こ のホールセンサ４０８は、先の実施の態様同様に好ましくは集積回路からなる。 以上より、図１４から１６は、磁軸が前記ホールセンサ４１０に対して水平方向 に向き、そのフィードバック磁石の動きがその軸に対して平行であるフィードバ ック磁石４０８を示す。 図１７から１９には、他の位置フィードバック構造を持つ他のディザリング機 構５００を示す。このディザリング機構５００は、基礎もしくはハウジング要素 ５０１に搭載された搭載要素５１４と、第１端をその搭載要素５１４に搭載され た曲げ要素５１２と、その曲げ要素５１２の第２端に搭載されたミラーブラケッ ト５０３と、そのミラーブラケット５０３に搭載されたミラー５０２と、同じく そのミラーブラケット５０３に搭載された駆動磁石５０４と、前記基礎もしくは ハウジング要素５０１（もしくは搭載ブラケット５１４）に搭載された駆動コイ ルもしくは電磁石５０６と、前記曲げ要素５１２の一端もしくは両端に搭載され た一つもしくはそれ以上の圧電歪センサ５０８とからなる。代替として、前記曲 げ要素自身５１２が、２つの反対の極性を与えられた圧電素子の層を貼り合わせ た圧電性バイモルフであってもよい。前記駆動コイル５０６と搭載要素５１４は 、前記ディザリング機構５００の基礎もしくはハウジング要素５０１の一部か、 あるいはそれらの中に搭載されてもよい。前記ブラケット５０３は、ミラー５０ ２に取りつけられてこれを支持し、前記曲げ要素５１２を介して前記搭載要素５ １４に取り付けられる。前記曲げ要素５１２は、薄い平坦な柔軟性材料からなり 、曲げ可能なばねの役割を果たす。曲げ要素５１２に適用可能な材料には、プラ スチック、マイラー(商標)、アルミニウム、鋼、チタン、ベリリウム銅、これら の組合せ、もしくは同じ機能を果たすものが含まれるが、これらに限定されるも のではない。前記曲げ要素５１２の曲がりは、ミラー５０２にほぼ平行で図１７ の平面図の面に垂直な軸を中心としたミラー５０２の回転になる。 この様に、前記ディザリング機構５００は、曲げ要素５１２の有効ばね定数と 、ミラー５０２、ブラケット５０３及びそれに付属する部品の有効質量とによっ て決まる共鳴振動数を有する振動構造からなる。ミラー５０２の動作は、発振駆 動電流を駆動コイル５０６に通し、これにより駆動磁石５０４に発振磁気駆動力 を生み出すことにより駆動される。ミラー５０２のディザリング動作の最大振幅 は、前記駆動電流がディザリング機構５００の共鳴振動数で発振するとき、即ち 、前記ディザリング機構５００が共鳴駆動されるときに発生する。 駆動振動数とディザリング機構の共鳴振動数との一致を維持するために、位置 フィードバックが備えられ、これは曲げ要素５１２の表面上に搭載された圧電歪 センサ５０８によって与えられる。好ましい構造では、この歪センサ５０８は、 曲げ要素５１２の表面に取り付けられた圧電材料の層と、この圧電材料の間に発 生する電圧を測定するための１対の電極からなる。歪センサ５０８の適用可能な 圧電材料には、米国ペンシルバニア州バレーフォージのＡｍｐセンサーズＩｎｃ ．から入手可能なポリビニリデン（ＰＶＤＦ）重合体フィルムなど、当業者に知 られたどのような圧電材料も含まれる。前記電極の間に発生する電位は、曲げ要 素 ５１２の曲げ量に直接連動し、即ちディザリングミラー５０２の位置に直接連動 して変化する。前記歪センサ電位のゼロ交差は、前記ミラーがゼロ位置にあり、 その速度がほぼ最大のときに発生するが、９０度位相がずれており、駆動コイル ５０６内の駆動電流の極を切換えるトリガとして使用され(図２２に示される第 ２の回路による)、これによって駆動磁石５０４及びミラー５０２に加えられて いる駆動力を反転させる。この方法により、前記駆動力の切換え周期は、共鳴駆 動のディザリング機構に必要とされるように、常に前記ミラー５０２のディザリ ング動作の振動数と同一に固定され、前記駆動力はディザリング機構の位置から ９０度位相がずれ、ディザリング機構速度の位相と同期したものとなる。この構 成による圧電歪センサは、フィードバックコイルよりも更に信頼性があり、比較 的安価にそして容易にディザリング機構に装着が可能である。 図２２は、図１９のディザリング機構の制御回路の概略ブロック図の例である 。前記歪センサ５０８は、前記ミラー５０２の位置に対応した信号を提供する。 その歪センサ５０８からの信号は補償器５２２に送られ、駆動磁石５０４に加え られる前記駆動力を反転させるため、駆動コイル５０６内の駆動電流の極を切換 えるトリガーとして使用される駆動信号を発生する。 前記歪センサ５０８は、前記曲げ要素５１２の表面に搭載することも、代替と してその曲げ要素５１２内部にもしくは曲げ要素５１２自身に統合して搭載する こともできる。そのような構成の１つの例は、前記曲げ要素５１２は、圧電性バ イモルフからなる。この例では、前記曲げ要素５１２自身が歪センサ５０８とし て機能する。 前記ディザリング機構の好ましい制御回路が、図２０のブロック制御回路図と 図２１のディザリング駆動の詳細回路図に詳細に表示されている。図２１の概略 の参考がカッコで示されており、図２１で参照されるほとんどの部品は図２６， ２７の印刷回路基盤レイアウト図に示されている。この回路は図１１から１６の ディザリング機構４０１を参照に述べているが、他の機構にも適用可能である。 −Ｈ−ブリッジ出力ドライバ４２０（Ｕ８Ｂ、Ｕ８Ｃおよび関連部品）が、デ ィザリングコイル４０６に駆動を提供する。Ｈ−ブリッジ構造は、与えられた供 給電圧に対して最大のｐ−ｐ駆動を提供するように選択が可能である。 −ホールセンサ４０８（Ｕ２）が、ディザリングミラー４０２の裏側に搭載さ れた隣接するフィードバック磁石４１０の概略位置を示す電気信号を提供する。 −差動器４２６（Ｕ８Ｄ、Ｒ４８、Ｃ３３）:前記ディザリング機構４０１が 丁度その共鳴振動数で駆動されているときは、前記位置波形は駆動波形より９０ 度遅れる。負極フィードバックループでは、合計ループ位相が１８０度でループ ゲインが単一のものに等しいか大きいときに発振が起こる。前記差動器４２６は 、追加の９０度の位相ずれと（振動数に関係なく）十分なゲインとを、これら２ つの発振の条件が満たされるように提供する役目を果たす。この差動器４２６は 更に、「位置」の大きさが所定値よりも下がったときには、そのディザリング動作 が障害を受けているとの判断を示すデジタル信号を提供する(「ディザリング機構 拘束」−Ｑ９、Ｃ１００、Ｒ１０２)。前記差動器出力は、供給電圧変動の存在下 ではアクチュエータコイル駆動を安定させるために制限される(Ｄ５及びＱ９の ベース−エミッタ接合点により)。 −ゲイン制御ブロック４２２（Ｑ５、Ｒ１００、Ｒ１０１）は、「ゲイン」信 号により選択された２つのゲインレベルを持つ。高ゲインのセッティングは、「 不能」判定の直後に、ディザリング機構スタート時間を短縮するためにキックタ イマ４２４で決められた時間のあいだ、アクチュエータコイルへ高い駆動レベル を提供する。もしこの「キック」がなければ、前記スタート時間が構造の極の真 のイメージ（高度な共鳴構造の場合には、想定軸に非常に近接している）に逆比 例するために、このレベルが必要とされる。第２の低ゲインのセッティングは、 前記キックタイマ４２４が終了の後の駆動レベルをセットする。前記ゲイン制御 ブロック４２２は、「ブレーキ」信号の制御下で、前記フィードバック極性を反 転させる能力も有する。「ブレーキ」が誤りであったときは、前記フィードバッ クは正極でこのループは発振器の役割を果たしミラーはディザリングする。「ブ レーキ」か正しければ、前記フィードバックは負極で、前記ループはミラーを休 止位置へ駆動する。 −前記キックタイマ４２４（Ｑ１１、Ｒ３４、Ｃ２５）は、高ゲインの「キッ ク」の時間間隔をセットする。 −走査開始（ＳＯＳ）発生器（Ｕ８Ａ）:前記差動器４２６の出力電圧は、前 記ディザリング機構がその工程のいずれかの終点に達したときの参照電圧Ｖｒｅ ｆに等しい。Ｖｒｅｆは、ＤＣ参照電圧で、その電圧は約Ｖｃｃ／２である。前 記走査開始（ＳＯＳ）発生器４２８は、この出力電圧とＶｒｅｆとを比較して、 ＴＴｌ信号でそのレベルがディザリンク機構の運動の方向を示すＳＯＳ信号４２ ９を生み出す。運動の終点でＳＯＳ信号４２９の状態の変化が起こる。もし「デ ィザリング機構拘束」が正しければ、レーザが不能になっているかも知れないと の状況をホスト制御器に表示するために、このＳＯＳ信号は（Ｑ１０により）高 レベルに維持される。 フィードバックシステムの好ましい実施の態様では、磁石／コイル駆動システ ムを備えたもので説明をしたが、他の実施の態様では、前記ディザリング機構を 共鳴駆動させるため、必要となる適当な位相ずれを含んで位置フィードバック信 号に位相を固定されるどのような発振駆動システムでも採用可能である。代替駆 動システムの例としては、静電気駆動システムや圧電駆動システムが含まれるが 、これらに限定されるものではない。 以上に説明した各種のディザリング機構は、走査モジュールにコンパクトに収 めることができる有効な形態を提供できるものである。図２３から２５は、図１ １から１３のディザリング機構４０１を組み込んだ走査モジュールの１つ４００ を表示している。この走査モジュール４００は、（１）メインハウジング４５０ 、（２）ディザリング機構４０１、（３）レーザダイオードモジュール４５２と 、クランプ４５４で前記ハウジング４５０に搭載された集束レンズ４７０、（４ ）集束ミラーの背後で４５度の角度で配置された集束曲げミラー４７２、そして （５）集束曲げミラー４７２上で印刷回路基盤４１５の下面に搭載された検出器 ４１９と、を含んでいる。 前記集束レンズ４７０は、ガラス、プラスチックなど、どのような適当なレン ズ材料から作られてもよい。前記レンズ４７０は、好ましくはプラスチック製で 、そのプラスチック自身の支持ブラケット４７１と一体に成形される。このブラ ケ ット４７１は、前記ハウジング４５０内にこのブラケット４７１をスライドさせ て容易に取り付けることができる。このブラケットは、Ｕ字形の端末部４７１ａ を持ち、これがハウジング４５０側面のリップ４５１に確実に結合する。この一 体化された集束レンズ４７０とレンズブラケット４７１の組立ては、モジュール の部品数を減らし、これによってモジュール構造と組立てを簡略化する。 前記ディザリング機構４０１は、ミラーブラケット４０３に搭載されたディザ リングミラー４０２からなる。基礎もしくはハウジング要素４５０に搭載要素４ １４が搭載され、曲げ要素即ち曲げ部４１２は、前記搭載要素４１４とミラーブ ラケット４０３の中間に搭載される。前記搭載ブラケット４０３は、曲げ要素４ １２を介して搭載要素４１４上にピボット状に支持される。通常の操作ではこれ らは何の機能を果たすものではないが、強い外部の機械的状況下（たとえば装置 を落としたとき）でのディザリング機構の動きを規制するため１つもしくはそれ 以上のショックピン４１３が含まれ、前記曲げ要素４１２の損傷を防ぐ。前記駆 動磁石４０４も、前記ミラーブラケット４０３に搭載され、前駆駆動コイル４０ ６が前記印刷回路基盤４１５に搭載される。フィードバックセンサ４０８（ホー ル効果センサなど）が、印刷回路基盤４１５の下面（図２３の点線で示す）で、 ミラーブラケット４０３に搭載されたフィードバック磁石４１０に近接する位置 に搭載される。ミラー４０２の動作は、発振駆動電流を駆動コイル４０６に流す ことにより駆動される。その駆動コイル４０６（図２３の点線で示す）は、印刷 回路基盤４１５の下面に取り付けられ、その駆動コイル４０６のアクチュエータ コイル導線４０７が基盤４１５を通って延びている。前記印刷回路基盤４１５が 装着されると、この駆動コイル４０６は、アクチュエータ磁石４０４に隣接する 凹み部４０５に位置決めされる。振れ止め４１６、４１６が、前述のようにディ ザリング動作の振幅を最大ディザリング振幅に規制すべく配置される。 その動作は、前記レーザダイオードモジュール４５２がレーザビーム４６０を 発生し、モジュール胴部内に位置する視準レンズにより焦点が合わされ、照射孔 を通過し、前記ディザリングミラー４０２に向けられる。前記レーザダイオード モジュール４５２は前記集束レンズ４７０に隣接して配置されている。この集束 レンズ４７０は、１つの面に切りこみ部４７３を持ち、その中に前記ダイオード モジュール４５２が配置されることで構造が更にコンパクトとなり、このダイオ ード４５２を前記集束レンズ４７０と同軸にそしてより近接して配置することが できる。前記ディザリングミラー４０２が走査線を生むべく発振する。目標物か ら反射そして／又は屈折した応答信号は、前記ディザリングミラー４０２に返り 、集束ミラー４７０に向けられて焦点が合わされ、４５度の曲げミラー４７２に より応答光を検出器フォトダイオード４１９に向けて上方へ反射する。この検出 器はこの信号を検出し、バーコード記号を読取る場合においてはそのバーと空隙 部とに対応した電気信号に変換する。 前記システムは、米国特許第５，５６５，６６８号や、第５，６４１，９５８ 号などに記載された追加のレーザビーム集束特性を備えることができ、参考とし てここに含めるものとする。 前記ディザリングミラー４０２は、表示したような平坦ミラーであっても、代 替として曲面のものとし、集束度を高めてもよい。このミラー４０２は代替とし て小さい嵌め込みミラーを取りつけもしくはミラー４０２に一体成形して、出力 ビーム４６０を反射するようにしてもよい。 前記走査器印刷回路基盤４１５も、小型構造が提供できるように構成される。 図２７は、図２３の走査モジュール４００の印刷回路基盤４１５の底面組立図で ある。検出器４１９、アクチュエータコイル４０６、ホールセンサ４０８を含む いくつもの走査器部品が印刷回路基盤４１５の背面に効率的に搭載されている。 この印刷回路基盤４１５に搭載されていない唯一の電子部品はレーザダイオード モジュール４５２である。そのダイオードモジュール４５２の導線４５３は、リ ボンケーブル（図示せず）により、印刷回路基盤４１５のコネクタ４５６に接続 される。このリボンケーブルは、前記ダイオードモジュールに僅かな力を及ぼす のみで、調整不良となる原因を最小限に留めている。 図２９は、図２６の断面図に類似した他の実施の態様を示したもので、ダイオ ードモジュール４５２’が印刷回路基盤４１５に搭載されており、これで走査モ ジュール４００の全ての電子部品が１つの印刷配線盤上にコンパクトに効率よく 収めることができる。前記ダイオードモジュール４５２’を印刷回路基盤４１５ 上もしくはその近辺に配置することで、そのダイオード４５２’の導線（図示せ ず）を直接印刷回路基盤４１５に接続することが可能となり、先の構成にあった リボンケーブルの必要性をなくしている。 図２８は、印刷回路基盤４１５の上面の組立て図で、前記基盤の上面には、追 加の電子部品を含んでいることを示している。基盤の両面に部品を搭載すること で、１つの基盤上に全てのモジュール電子部品を搭載しながら、その印刷回路基 盤の大きさを最小化することができる。 提供された前記ディザリング機構は、非常にコンパクトな構造ではあるが、そ のディザリング機構は更に、例えばアスタリスク・パターンなどのより複雑な走 査パターンを生み出すための複数走査線を作り出す追加の駆動構造を含めること もできる。そのような複雑なパターンを生み出すシステムは、ランド氏ほかの米 国特許出願第０８／６６２，５１４号に述べられており、参考としてここに含め る。適用によっては、特に複数走査線を発生させるために他の走査機構をも使用 することができ、そのようなモジュールの例としては、ランド氏ほかの米国特許 出願第０８／６６２，５１４号に述べられた他のディザリング機構や、回転ポリ ゴンミラーもしくはホログラフィ要素などがある。 以上、本発明にかかる実施の態様及び応用について表示し、述べてきたが、当 業者にとっては本発明の概念から逸脱することなく他の変形が可能であることは 明らかである。したがって本発明は、以下の請求範囲の精神を除き限定されるも のではない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 オドネル，パトリック・エム アメリカ合衆国97478オレゴン州スプリン グフィールド、ピニヨン・ストリート3913 番 (72)発明者 アレンズ，トーマス・シー アメリカ合衆国98008ワシントン州ベルビ ュー、サウスイースト・トゥエンティフォ ース・ストリート16102番

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 固定要素と； ミラーブラット、及びそのミラーブラケットに搭載されたディザリングミラー とからなり、そのミラーブラケットが前記固定要素にピボット結合され、そのミ ラーブラケットを回転軸を中心とした少なくとも相対する２つの方向へのピボッ ト回転を可能にしているミラー組立てと； 前記ミラーブラケット上で、前記回転軸を中心としてその一方の側に搭載され た少なくとも１つの第１駆動磁石と； 前記第１駆動磁石の近傍の固定位置に搭載され、与えられる電流の流れの所望 周期での切換えに応じて前記第１の駆動磁石が順次吸引又は反発をする、第１電 磁石と、 からなるディザリング機構。 ２． 前記固定要素上で前記ピポット軸の両側に搭載され、前記ミラー組立ての 両方向の動きを制限する第１及び第２の振れ止めを更に備えた、請求項１にかか るディザリング機構。 ３． 前記振れ止めがない場合のディザリング振幅が前記振れ止めの許容する最 大ディザリング振幅と少なくともほぼ同じ大きさとなる程の十分大きな駆動力を 、前記ディザリング機構が発揮し、前記振れ止めが、前記ミラー組立ての方向反 転を支援する役割を果たしている、請求項２にかかるディザリング機構。 ４． 前記振れ止めが、ゴム、プラスチック、発泡テープ、ポロン（商標）材質 、及びこれらの組合せ、のグループの中から選択される弾性材料から構成されて いる、請求項２にかかるディザリング機構。 ５． 前記ピボット軸に対して前記第１駆動磁石とは反対側のミラーブラケット 上に搭載された第２駆動磁石と； 前記第２駆動磁石の近傍の固定された位置に搭載された第２電磁石と、 を更に備え、 前記振れ止めが前記第１及び第２の電磁石に組み込まれている、請求項２にか かるディザリング機構。 ６．前記ミラー組立ての動きを１つの方向に制限するため、前記固定要素に取り 付けられた１つの振れ止めを更に備えている、請求項１にかかるディザリング機 構。 ７． 前記ミラーブラケットの側面上で前記第１駆動磁石の反対の側に搭載され たフィードバック磁石と、 前記ミラー組立ての位置を感知するため、前記フィードバック磁石に隣接する 固定場所に取り付けられたホールセンサと、 を含む位置感知機構を更に設けている、請求項１にかかるディザリング機構。 ８． 前記ホールセンサが増幅器を含む集積回路からなる、請求項７にかかるデ ィザリング機構。 ９． 前記フィードバック磁石が、前記ホールセンサに対して水平方向に向く磁 軸を持つよう位置付けされ、そのフィードバック磁石の動きがその磁軸に平行で ある、請求項７にかかるディザリング機構。 １０． 第１端部と第２端部とを有し、その第１端部は前記固定要素に搭載され 、前記ミラー組立てがその第２端部に搭載されて、その曲げ動作によって前記ミ ラー組立てにピボット回転を提供する曲げ要素と、 前記曲げ要素に取り付けられて前記曲げ要素の曲げに対応した信号を提供する 、 少なくとも１つの圧電歪センサと、 前記圧電歪センサから前記信号を受け取り、前記第１電磁石に印加される電流 を制御する制御器と、 を更に備えている、請求項１にかかるディザリング機構。 １１． 前記圧電センサが前記曲げ要素内部に一体に成形され、前記曲げ要素が 圧電性バイモルフからなる、請求項１０にかかるディザリング機構。 １２． 前記曲げ要素の相対する両面に取り付けられた第１及び第２の圧電歪セ ンサを更に有する、請求項１０にかかるディザリング機構。 １３． 前記第１電磁石が駆動コイルからなり、前記ホールセンサ及びこの駆動 コイルが搭載された印刷回路基盤を更に備えた、請求項７にかかるディザリング 機構。 １４． ハウジングと、 読取りビームを発生し、その読取りビームを前記ディザリングミラーへ送るビ ーム源と、 走査される目標物からの応答信号の焦点を合せる集束レンズと、 前記応答信号を検出して電気信号に変換する検出器と、 そして前記ハウジングの一方の側面上に配置された、前記ホールセンサ、前記 検出器、及び前記第１電磁石が搭載された印刷回路基盤と、 からなる走査モジュール内に組み込まれている、請求項７にかかるディザリング 機構。 １５． 前記印刷回路基盤が、前記ホールセンサから前記信号を受け取って前記 第１電磁石に印可される電流の流れを制御する制御器を含んでいる、請求項１４ にかかるディザリング機構。 １６． ハウジングと； 前記ハウジング内に配置され、走査される目標物に向け出光通路に沿って光ビ ームを発生する光源と； 前記目標物から反射された光を検出する検出器と； 集束レンズ部分とブラケット部分とからなり、そのブラケット部分は前記ハウ ジング内に取り付けられ、その集束レンズ部分は前記目標物から反射及び／又は 屈折した光を集束して前記検出器に焦点を合わせる、一体のブラスチック成形さ れたレンズ組立てと； 前記目標物へ向かう少なくとも１つの走査線を生み出し、その目標物から反射 及び／又は屈折した光を前記集束レンズ部分へ向けて反射するため、前記光ビー ムを走査するよう前記光通路内に配置されている走査ミラー組立てと、 からなる走査モジュール。 １７． 固定要素と； ミラーブラット、及びそのミラーブラケットに搭載されたディザリングミラー からなり、そのミラーブラケットは前記固定要素にピボット結合されて、そのミ ラーブラケットがピボット軸を中心に少なくとも相対する２つの方向にピボット 回転ができるようになっているミラー組立てと； 前記ミラーブラケット上で、前記ピボット軸に対して一方の側に搭載された少 なくとも第１駆動磁石と； 前記第１駆動磁石の近傍の固定位置に取り付けられ、制御された方法で印可さ れる電流の流れに応じて、前記第１駆動磁石が順次吸引又は反発をする第１電磁 石と； 前記ミラーブラケットの側面上で前記第１駆動磁石とは反対の側に搭載された フィードバック磁石と； 前記ミラー組立ての位置を感知するために前記フィードバック磁石に隣接した 固定位置に取り付けられた位置センサと； 走査モジュールの一方の側面に配置され、前記検出器、前記第１電磁石、前記 位置センサが搭載された印刷回路基盤と、 からなるコンパクト走査モジュール。 １８． 前記走査モジュールの全ての電子部品が前記印刷回路基盤に搭載されて いる、請求項１７にかかるコンパクト走査モジュール。 １９． 前記位置センサがホールセンサからなる、請求項１７にかかるコンパク ト走査モジュール。 ２０． 前記位置センサがフィードバックコイルからなる、請求項１７にかかる コンパクト走査モジュール。