JP2001358428A - エッチング方法 - Google Patents

エッチング方法

Info

Publication number
JP2001358428A
JP2001358428A JP2000178063A JP2000178063A JP2001358428A JP 2001358428 A JP2001358428 A JP 2001358428A JP 2000178063 A JP2000178063 A JP 2000178063A JP 2000178063 A JP2000178063 A JP 2000178063A JP 2001358428 A JP2001358428 A JP 2001358428A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
copper
metal
resin film
double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000178063A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Kokuni
昌宏 小國
Mitsuyoshi Yokura
與倉  三好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2000178063A priority Critical patent/JP2001358428A/ja
Publication of JP2001358428A publication Critical patent/JP2001358428A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】樹脂膜のエッチングにおいて所定の部分のみを
選択的にエッチングする方法を提供するものである。 【解決手段】樹脂膜の両面に金属層を形成した両面金属
張り板を用い、この両面金属張り板の片面の金属層をパ
ターン加工し、パターン加工した金属層をマスクに用い
て両面金属張り板内部の樹脂膜をウエットエッチングす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は配線基板に用いられ
る樹脂膜に対するウエットエッチングに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、ポリイミドなどの樹脂をエッチン
グする方法としては、ヒドラジンを主成分とする溶液を
用いてウエットエッチングする方法が開示されており
(特開平5−202206号公報)、ニッケルやチタ
ン、クロム、マンガン、銅などの金属膜を樹脂の片面に
形成してエッチングマスクに使用している。しかしなが
らこの方法ではマスクが形成されていない側の樹脂は保
護されておらず、エッチングの際に保護されていない側
の樹脂までエッチングされてしまうと不都合があった。
また水酸化カリウムを用いたエッチング方法が開示され
ており(特開平5−301981号公報)、エッチング
マスクとして銅を使用していると共に、銅が形成されて
いない側をレジストにて保護している。しかしながらこ
の方法ではフォトレジストがエッチング液に侵され、エ
ッチング時間が長くなるとフォトレジストが剥離してし
まい、結果として保護の役目を果たさないという問題が
あった。とりわけ溶解性の高いエッチング液を用いる場
合はフォトレジストの剥離が顕著であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、樹脂膜のエ
ッチングにおいて所定の部分のみを選択的にエッチング
する方法であり、溶解性の高いエッチング液を用いた場
合でも所定の部分以外がエッチングされるのを防ぐ保護
性能の優れたエッチング方法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、樹脂
膜の両面に金属層を形成した両面金属張り板を用い、こ
の両面金属張り板の片面の金属層をパターン加工し、パ
ターン加工した金属層をマスクに用いて両面金属張り板
内部の樹脂膜をウエットエッチングすることを特徴とす
るエッチング方法である。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、具体的に本発明を説明す
る。本発明の最も特徴的要件は、両面に金属層を形成し
た両面金属張り板を用いることである。このような両面
金属張り板としては市販の材料が使用できるが、好まし
くは接着剤を使用せずに樹脂膜上に金属層を形成した材
料である。接着剤が存在する場合、エッチング中に接着
剤がエッチング液に溶解してしまい、金属の剥離が生じ
る可能性がある。その点接着剤を使用しない金属張り板
では金属の剥離が起こらず、所定の部分のみがエッチン
グできる。また、市販の両面金属張り板ではなく、樹脂
膜を原材料として両面金属張り板に加工した材料を用い
てもよい。この場合も接着剤を使用せずに金属層を形成
することが好ましい。更に、片面金属張り板を原材料と
して、樹脂が露出している側に金属層を形成することに
より両面金属張り板を形成してもよい。これらとは別
に、まず片面金属張り板を形成し、次にこの片面金属張
り板を用いて両面金属張り板を形成することも有効であ
る。この場合、樹脂膜上に金属層を形成する方法だけで
なく、金属箔上に樹脂膜を形成する方法も可能である。
【0006】金属層に用いられる金属としては、銅、ク
ロム、ニッケル、チタン、マンガン、コバルト、タング
ステン、亜鉛、ステンレスなどが挙げられるが、これら
に限定されない。これらの金属が単体あるいは複数組み
合わせて使用できる。これらの中では特に銅、ニッケ
ル、クロム、ステンレスを含んだ金属が好ましい。
【0007】両面金属張り板の市販品としては東洋メタ
ライジング(株)製「メタロイヤル」、新日鐵化学
(株)製「エスパネックス」などが挙げられるが、これ
らに限定されない。片面金属張り板を原材料とする場合
も上記の「メタロイヤル」や「エスパネックス」の片面
金属張り板を用いることが可能であるが、これらに限定
されない。片面金属張り板や樹脂膜を原材料として用い
る場合、金属層の形成には以下の方法が挙げられるが、
これらに限定されない。
【0008】(1)樹脂膜上にスパッタすることにより
金属層を形成する方法、(2)樹脂膜上にまずニッケル
あるいはクロムを含有した金属膜を形成させ、次いで
銅、チタン、マンガン、コバルト、タングステン、亜
鉛、ステンレスの中から選ばれる少なくとも1種類の金
属を含有した層を形成させる方法。この場合、ニッケル
あるいはクロムを含有した金属膜はスパッタや無電解メ
ッキで形成される。また、その上に形成される別の金属
層はスパッタや無電解メッキ、電解メッキなどの方法で
形成される。この場合、1つの方法ではなく複数の方法
を組み合わせて金属層を形成してもよく、例えば無電解
メッキと電解メッキを組み合わせて金属層を形成しても
よい。
【0009】(3)樹脂膜上に無電解メッキにより金属
層を形成させる方法、(4)樹脂膜上にまず無電解メッ
キにより金属を接着させ、次いで電解メッキにより金属
層を形成させる方法、(5)樹脂膜と金属箔とを熱融着
させることで金属層を形成させる方法、(6)銅箔上に
樹脂を塗布することでまず片面金属張り板を形成させ、
次いでもう一方の金属層を形成させる方法。この場合、
もう一方の金属層を形成する方法としては以下が挙げら
れるが、これらに限定されない。
【0010】(6−1)樹脂側にスパッタすることで形
成させる方法、(6−2)まず樹脂膜上にニッケルある
いはクロムを含有した金属膜を形成させ、その上に銅、
チタン、マンガン、コバルト、タングステン、亜鉛、ス
テンレスの中から選ばれる少なくとも1種類の金属を含
有した層を形成させる方法、この場合、ニッケルあるい
はクロムを含有した金属膜はスパッタや無電解メッキで
形成される。また、その上に形成される別の金属層はス
パッタや無電解メッキ、電解メッキなどの方法で形成さ
れる。この場合、1つの方法ではなく複数の方法を組み
合わせて金属層を形成してもよく、例えば無電解メッキ
と電解メッキを組み合わせて金属層を形成してもよい。
【0011】(6−3)樹脂膜上に無電解メッキにより
形成させる方法、(6−4)樹脂膜上にまず無電解メッ
キにより金属を接着させ、次いで電解メッキにより形成
させる方法、(6−5)樹脂膜に金属箔を熱融着させる
ことにより形成させる方法がある。
【0012】無電解メッキや電解メッキを行う場合、市
販されている無電解メッキ液や電解メッキ液を用いるこ
とができる。このようなメッキ液の例としては、例えば
塩化ニッケルを含んだ水溶液や硫酸銅を含んだ水溶液、
硫酸コバルトを含んだ水溶液などが挙げられるが、これ
らに限定されない。また、金属層を形成する前に、樹脂
膜にプラズマ処理や溶液処理を施して金属層との接着性
を向上させてもよい。プラズマ処理としては酸素プラズ
マやフッ素プラズマ、4フッ化炭素プラズマなどが挙げ
られるが、これらに限定されない。溶液処理としては、
酸性溶液による処理、市販の活性化剤(例えば奥野製薬
(株)製のOPC−80キャタリストMとOPC−55
5アクセレーターの組み合わせ)などが挙げられるが、
これらに限定されない。金属層の厚みも特に限定されな
いが、厚すぎるとマスクとしての加工に時間がかかり、
薄すぎるとピンホールなどが発生しやすくなるので、好
ましくは0.1〜50μm、より好ましくは1〜36μ
m、更に好ましくは3〜18μmである。両面の金属層
の種類や厚みは同じでもよいが、異なっていてもよい。
金属層の種類や厚みが両面で異なっている場合、どちら
の金属層をマスクに使用するかは任意である。
【0013】次に、本発明に用いられる樹脂膜の材質と
しては、ポリイミド(例えば東レ・デュポン(株)製
「カプトン」、宇部興産(株)「ユーピレックス」、鐘
淵化学工業(株)製「アピカル」など)、ポリアミド
(例えば東レ(株)製「ミクトロン」など)、PPS
(ポリフェニレンサルファイド)、PET(ポリエチレ
ンテレフタレート、例えば東レ(株)製「ルミラー」な
ど)、液晶ポリマー(例えば東レ(株)製「シベラ
ス」、ポリプラスチックス(株)製「ベクトラ」、日本
石油化学(株)製「ザイダー」など)などが挙げられる
が、これらに限定されるものではない。上記樹脂は単独
で用いられても2種以上をブレンドしたり貼り合わせた
りしたものでもよい。また、樹脂膜中に種々の添加剤を
加えたものでもよい。添加剤としては、例えば難燃剤な
どのフィラー、ガラスクロスなどが挙げられるが、これ
らに限定されない。これらの中ではとりわけ主としてポ
リイミド、ポリアミド、あるいは液晶ポリマーからなる
樹脂膜が好ましい。上記樹脂膜は適当な大きさに裁断さ
れたものでも帯状のものでもよい。樹脂膜の厚みは特に
限定されず、用途に合った厚みが選択できるが、好まし
くは5〜500μm、より好ましくは10〜100μm
である。薄すぎるとハンドリングが困難となり、厚すぎ
るとその分エッチングするのに時間がかかるので上記範
囲が好ましい。
【0014】本発明に用いられるエッチング液としては
公知のものが使用できるが、好ましくはエッチング液に
アルカリ金属化合物あるいは脂肪族アミン化合物、ある
いはこれらの両方が含有されているものが選ばれる。エ
ッチング液は均一であることが好ましいが、場合によっ
ては不均一であってもよい。アルカリ金属化合物として
は水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム
などが挙げられるが、これらに限定されない。また、脂
肪族アミン化合物としてはプロピルアミン、ヘキシルア
ミン、エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ヘキ
サメチレンジアミン、プロピレンジアミン、ピペラジ
ン、ピペリジン、エタノールアミン、n−プロパノール
アミン、イソプロパノールアミン、n−ブタノールアミ
ン、ジエタノールアミンなどが挙げられるが、これらに
限定されない。これら以外には例えば芳香族アルコー
ル、脂肪族アルコール、尿素、ケトン類、エーテル類、
水、電子供与剤などを添加することが可能である。具体
的にはフェノール、ベンジルアルコール、ヒドロキノ
ン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル、ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレング
リコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコ
ール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコ
ール、トリプロピレングリコール、テトラプロピレング
リコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエ
チルエーテルなどが挙げられるが、これらに限定されな
い。具体的な組み合わせとしては、例えば以下が挙げら
れるが、これらに限定されない。
【0015】(1)アルカリ金属化合物/水(例えば水
酸化カリウム/水、水酸化ナトリウム/水)、(2)ア
ルカリ金属化合物/アルコール(例えば水酸化カリウム
/メタノール、水酸化ナトリウム/メタノール、水酸化
カリウム/エタノール、水酸化ナトリウム/エタノー
ル、水酸化カリウム/エチレングリコール、水酸化ナト
リウム/エチレングリコール)、(3)脂肪族アミン化
合物/水(例えばエタノールアミン/水、エチレンジア
ミン/水、ジエタノールアミン/水)、(4)脂肪族ア
ミン化合物/アルコール(例えばエタノールアミン/メ
タノール、エタノールアミン/エタノール、エタノール
アミン/エチレングリコール、エタノールアミン/グリ
セリン、エチレンジアミン/メタノール、エチレンジア
ミン/エタノール、エチレンジアミン/エチレングリコ
ール、エチレンジアミン/グリセリン、ジエタノールア
ミン/メタノール、ジエタノールアミン/エタノール、
ジエタノールアミン/エチレングリコール、ジエタノー
ルアミン/グリセリン)、(5)脂肪族アミン化合物/
ケトン類(例えばエタノールアミン/アセトン、エタノ
ールアミン/メチルエチルケトン、エタノールアミン/
メチルイソブチルケトン、エチレンジアミン/アセト
ン、エチレンジアミン/メチルエチルケトン、エチレン
ジアミン/メチルイソブチルケトン、ジエタノールアミ
ン/アセトン、ジエタノールアミン/メチルエチルケト
ン、ジエタノールアミン/メチルイソブチルケトン)、
(6)脂肪族アミン化合物/アルカリ金属化合物/アル
コール(例えばエチレンジアミン/水酸化カリウム/エ
タノール、エタノールアミン/水酸化カリウム/エチレ
ングリコール、エチレンジアミン/水酸化カリウム/エ
チレングリコール、エタノールアミン/水酸化カリウム
/エタノール、エチレンジアミン/水酸化ナトリウム/
エタノール、エタノールアミン/水酸化ナトリウム/エ
チレングリコール、エチレンジアミン/水酸化ナトリウ
ム/エチレングリコール、エタノールアミン/水酸化ナ
トリウム/エタノール)、(7)脂肪族アミン化合物/
アルカリ金属化合物/水(例えばエチレンジアミン/水
酸化カリウム/水、エタノールアミン/水酸化カリウム
/水、エチレンジアミン/水酸化ナトリウム/水、エタ
ノールアミン/水酸化ナトリウム/水)、(8)脂肪族
アミン化合物/アルカリ金属化合物/アルコール/水
(例えばエチレンジアミン/水酸化カリウム/エチレン
グリコール/水、エタノールアミン/水酸化カリウム/
エチレングリコール/水、エチレンジアミン/水酸化ナ
トリウム/エチレングリコール/水、エタノールアミン
/水酸化ナトリウム/エチレングリコール/水、エチレ
ンジアミン/水酸化カリウム/グリセリン/水、エタノ
ールアミン/水酸化カリウム/グリセリン/水、エチレ
ンジアミン/水酸化ナトリウム/グリセリン/水、エタ
ノールアミン/水酸化ナトリウム/グリセリン/水)。
【0016】上記のようなエッチング液を用いてエッチ
ングを行う場合、1種類のエッチング液ではなく2種類
以上のエッチング液を適宜組み合わせて使用してもよ
い。エッチング液の温度に関しては、エッチングされる
樹脂膜の性質に大きく依存し、エッチング液組成にも依
存するが、好ましくは10〜90℃、より好ましくは3
0〜80℃である。あまり温度を上げ過ぎるとエッチン
グ中にエッチング液組成が変化してしまい、逆に温度が
低すぎるとエッチングの効率が下がるので上記範囲が好
ましい。
【0017】ウエットエッチングの方法としては、エッ
チング液にエッチングされる膜を浸漬する方法、エッチ
ング液をエッチングされる膜に噴射する方法などが挙げ
られる。エッチング液を噴射する場合には、通常スプレ
ーノズルを吹き出し口の先端に取り付け、圧力により吹
き出す方法が用いられる。スプレーノズルの形状につい
ては特に限定はないが、例えば(株)共立合金製作所の
ミニミスト、ラウンドミスト、空気噴射ノズル、デスケ
ーリングノズル、QCノズル、フラットスプレーノズ
ル、ワイドフラットノズル、長円吹ノズル、斜方フラッ
トノズル、サイドスプレーノズル、うサイドスプレーノ
ズル、フルコーンノズル、角吹ノズル、楕円吹ノズル、
渦巻ノズル、ホロコーンノズル、洗浄用ノズル、ニード
ルジェットノズルなどが挙げられるが、これらに限定さ
れるものではない。ノズルは単独でも複数個使用しても
よく、また異なる種類のノズルを組み合わせて使用して
もよい。吹き出す圧力についてもエッチングされる膜の
種類や厚みなどによって大きく異なるが、例えば900
0〜10000000Pa の圧力で噴き出すことが考
えられる。噴き出す方向は通常エッチングされる膜の厚
さ方向であるが、場合によってはエッチング膜の横方向
や斜め方向から噴射することも考えられる。
【0018】また、ウエットエッチング時に超音波を付
加する方法も有効である。超音波の発生には通常公知の
振動子が用いられる。これらの振動子の周波数は特に限
定されないが、好ましくは10〜1000kHz、より
好ましくは20〜600kHzである。これらの振動子
は単独あるいは複数個用いられる。超音波の方向として
は、通常はエッチングされる膜の厚み方向であるが、場
合によってはエッチング膜の横方向や斜め方向から超音
波を当てることも考えられる。
【0019】更に、ウエットエッチング時に紫外線を照
射する方法も有効である。照射する紫外線の波長領域と
しては特に限定されないが、好ましくは200〜500
nmである。この場合、光源の全波長を照射してもよ
く、フィルターなどをを用いて特定波長の紫外線だけを
照射してもよい。例えばi線(365nm)やg線(4
36nm)だけを照射したり、逆にこれらの波長だけを
カットした紫外線を照射することも可能である。更に、
エッチング中に適宜紫外線の波長を変化させてもよい。
紫外線を照射するためのランプとしては、例えば低圧水
銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、DEE
P UVランプ、フラッシュUVランプ、ショートアー
クメタルハライドランプなどが挙げられるが、これらに
限定されない。紫外線の光量としては、エッチングされ
る膜の種類や厚みに依存するが、作業時間を考えて照射
時間が最大で10分以内になるような光量が好ましい。
例えば0.01〜10W/cm2の範囲が考えられる
が、これらに限定されない。紫外線の照射方向は通常エ
ッチングされる膜の厚さ方向であるが、場合によっては
エッチング膜の横方向や斜め方向から照射することも考
えられ、全方向から照射してもよい。
【0020】次に、本発明であるエッチング方法の一連
の手順について説明するが、この手順に限定されるもの
ではない。
【0021】まず、樹脂膜上の両側にクロムをスパッタ
し、その後に無電解メッキを施し、続いて電解メッキを
施すことに銅層を樹脂膜の両側に形成する。形成された
両側の銅層にフォトレジストを塗布し、その内の片方の
フォトレジストを所定のパターンに従って露光・現像す
る。この際、パターンと反対側のフォトレジストはその
まま残す。次に、フォトレジストのパターンに従って露
出した銅をエッチングにより除去する。銅エッチング終
了後、両側のフォトレジストを除去する。このようにし
て準備された材料を用い、銅のパターンに従ってウエッ
トエッチングを行う。
【0022】本発明のエッチング方法で処理された樹脂
膜は、エッチングのパターンに応じた樹脂が除去されて
いる。パターンが孔の場合、貫通孔となるので、この貫
通孔に導通を取るための金属(銅やアルミニウムなど)
を埋め込むことにより樹脂膜の両面の導通を取ることが
可能となる。その後に両面の金属層を配線パターン加工
すれば、両面の導通が取れた2層配線の配線板が得られ
る。また、TAB(テープ自動ボンディング)材料とし
て使用する場合、TAB用キャリアに適したパターンに
エッチングし、場合によってスプロケトホールもエッチ
ングで形成した後、どちらか一方の金属層を除去し、残
った方の金属層を配線パターン加工することでTAB用
キャリアとなる。本発明を用いれば、溶解性の高いエッ
チング液を用いても所定の部分以外の樹脂膜がエッチン
グされることがなく、その分微細で複雑な形状のエッチ
ングが可能となり、結果として高密度の配線板を形成で
きる。高密度配線板は、パソコン用マザーボードといっ
た大きな基板からCSP(チップスケールパッケージ)
用インターポーザといった小さな基板まで幅広い用途に
適用できる。
【0023】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を説明するが、本
発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【0024】実施例1 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の両面にアネルバ(株)製のスパッタ
装置を用いて銅スパッタを施し、厚さ3μmの銅層を形
成し、両面銅張り板を得た。
【0025】この両面銅張り板の銅層の両面にフォトレ
ジストをスピンコーターで塗布・乾燥し、50〜200
μmの直線パターンを含んだマスクを使って露光し、現
像液にて現像し、マスクに合った50〜200μmの直
線パターンを形成した。
【0026】パターン形成されたフォトレジストを銅エ
ッチングマスクとし、塩化鉄水溶液を用いて銅をパター
ン加工した。
【0027】銅のエッチング終了後、フォトレジストを
除去し、今度はパターン加工した銅をマスクとし、水酸
化カリウム50g、水50gで構成されるエッチング液
(A)を70℃で用い、10分間浸漬させ、ウシオ電機
(株)製高圧水銀ランプを用いて10mW/cm2で紫
外線を銅マスク面に照射しながらエッチングした。エッ
チング終了後にエッチング形状を観察した結果、マスク
の直線パターンに合った50〜200μmのパターンが
形成されていた。
【0028】実施例2 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の両面にまずニッケルをアネルバ
(株)製スパッタ装置にてスパッタし、次いで銅をやは
りアネルバ(株)製スパッタ装置にてスパッタし、その
後に電解メッキすることにより厚さ18μmの銅層を形
成した。なお、電解メッキ液はCuSO4・5H2O(1
20g/l)、硫酸(150g/l)の水溶液を用い
た。
【0029】このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例1と同様にして樹脂膜のエッチングを行った。エ
ッチング終了後にエッチング形状を観察した結果、マス
クの直線パターンに合った50〜200μmのパターン
が形成されていた。
【0030】実施例3 実施例2において、ニッケルの代わりにクロムをスパッ
タした以外は全て実施例2と同様にしてエッチングを行
った。エッチング終了後にエッチング形状を観察した結
果、マスクの直線パターンに合った50〜200μmの
パターンが形成されていた。
【0031】実施例4 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の両面に無電解銅メッキを施し、厚さ
8μmの銅層を形成した。なお、無電解メッキ液はCu
SO4・5H2O(120g/l)、EDTA・2Na
(30g/l)、37%ホルムアルデヒド(5g/
l)、ジピリジル(20mg/l)、PEG#1000
(0.5g/l)の水溶液を用いた。
【0032】このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例1と同様の方法にて片面の銅をパターン加工し、
フォトレジストを除去した。次いでエタノールアミン5
0g、水50gで構成されるエッチング液(B)を70
℃で用い、30分間浸漬させ、38kHzの超音波を照
射しながらエッチングした。エッチング終了後にエッチ
ング形状を観察した結果、マスクの直線パターンに合っ
た50〜200μmのパターンが形成されていた。
【0033】実施例5 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の両面に実施例4と同様の無電解銅メ
ッキ液を用いて無電解銅メッキを施し、次いで実施例2
と同様の電解メッキ液を用いて電解銅メッキを施すこと
により厚さ12μmの銅層を形成した。
【0034】このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例1と同様の方法にて片面の銅をパターン加工し、
フォトレジストを除去した。次いでエチレンジアミン1
0g、エタノールアミン10、水50g、水酸化ナトリ
ウム10g、エチレングリコール20gで構成されるエ
ッチング液(C)を70℃で用い、30分間浸漬させ、
38kHzの超音波を照射し、更にウシオ電機(株)製
高圧水銀ランプを用いて10mW/cm2で紫外線を銅
マスク面に照射しながらエッチングした。エッチング終
了後にエッチング形状を観察した結果、マスクの直線パ
ターンに合った50〜200μmのパターンが形成され
ていた。
【0035】実施例6 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の両面に厚さ18μmの銅箔(三井金
属鉱業(株)製)を熱融着により接着させて両面銅張り
板を形成した。
【0036】このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例5と同様にして樹脂膜のエッチングを行った。エ
ッチング終了後にエッチング形状を観察した結果、マス
クの直線パターンに合った50〜200μmのパターン
が形成されていた。
【0037】実施例7 厚さ9μmの銅箔(三井金属鉱業(株)製)上に東レ
(株)製「フォトニースUR−5480」を塗布し、全
面露光して硬化させ、更に熱処理することで「フォトニ
ースUR−5480」をイミド化し、膜厚10μmのポ
リイミド膜を銅箔上に形成した。次に、ポリイミド膜の
表面にアネルバ(株)製スパッタ装置にて銅スパッタを
施し、厚さ3μmの銅層を形成した。
【0038】このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例5と同様にして樹脂膜のエッチングを行った。こ
の際、厚さ9μmの銅層をパターン加工した。エッチン
グ終了後にエッチング形状を観察した結果、マスクの直
線パターンに合った50〜200μmのパターンが形成
されていた。
【0039】実施例8 実施例7において、厚さ9μmの銅層をパターン加工す
る代わりに厚さ3μmの銅層をパターン加工する以外は
全て実施例7と同様にしてエッチングを行った。エッチ
ング終了後にエッチング形状を観察した結果、マスクの
直線パターンに合った50〜200μmのパターンが形
成されていた。
【0040】実施例9 厚さ9μmの銅箔(三井金属鉱業(株)製)上に東レ
(株)製「セミコファインSP−042」を塗布し、熱
処理することでイミド化し、膜厚10μmのポリイミド
膜を銅箔上に形成した。次に、ポリイミド膜の表面にニ
ッケルをアネルバ(株)製スパッタ装置にてスパッタ
し、続いて銅をやはりアネルバ(株)製スパッタ装置に
てスパッタし、更に実施例2で用いた電解銅メッキ液を
用いて銅を電解メッキして厚さ15μmの銅層を形成し
た。
【0041】このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例5と同様にして樹脂膜のエッチングを行った。こ
の際、厚さ9μmの銅層をパターン加工した。エッチン
グ終了後にエッチング形状を観察した結果、マスクの直
線パターンに合った50〜200μmのパターンが形成
されていた。
【0042】実施例10 実施例9において、ニッケルの代わりにクロムをスパッ
タする以外が全て実施例9と同様にして樹脂膜のエッチ
ングを行った。この際、厚さ9μmの銅層をパターン加
工した。エッチング終了後にエッチング形状を観察した
結果、マスクの直線パターンに合った50〜200μm
のパターンが形成されていた。
【0043】実施例11 実施例7と同様にしてまず片面銅張り板を形成し、次
に、ポリイミド膜の表面に実施例4で用いた銅無電解メ
ッキ液を用いて無電解メッキを施して厚さ4μmの銅層
を形成した。このようにして得た両面銅張り板を用い、
実施例5と同様にして樹脂膜のエッチングを行った。こ
の際、厚さ4μmの銅層をパターン加工した。エッチン
グ終了後にエッチング形状を観察した結果、マスクの直
線パターンに合った50〜200μmのパターンが形成
されていた。
【0044】実施例12 実施例7と同様にしてまず片面銅張り板を形成し、次
に、ポリイミド膜の表面に実施例4で用いた銅無電解メ
ッキ液を用いて無電解メッキを施し、続いて実施例2で
用いた銅電解メッキ液を用いて電解メッキを施して厚さ
18μmの銅層を形成した。このようにして得た両面銅
張り板を用い、実施例5と同様にして樹脂膜のエッチン
グを行った。この際、厚さ18μmの銅層をパターン加
工した。エッチング終了後にエッチング形状を観察した
結果、マスクの直線パターンに合った50〜200μm
のパターンが形成されていた。
【0045】実施例13 実施例7と同様にしてまず片面銅張り板を形成し、次
に、厚さ12μmの銅箔(三井金属鉱業(株)製)を熱
融着させて両面銅張り板を形成した。このようにして得
た両面銅張り板を用い、実施例5と同様にして樹脂膜の
エッチングを行った。この際、厚さ12μmの銅層をパ
ターン加工した。エッチング終了後にエッチング形状を
観察した結果、マスクの直線パターンに合った50〜2
00μmのパターンが形成されていた。
【0046】比較例1 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の片面に厚さ18μmの銅箔(三井金
属鉱業(株)製)を熱融着により接着させて片面銅張り
板を形成した。次に銅箔側に実施例1で用いたフォトレ
ジストをスピンコーターで塗布・乾燥し、50〜200
μmの直線パターンを含んだマスクを使って露光し、現
像液にて現像し、マスクに合った50〜200μmの直
線パターンを形成した。
【0047】パターン形成されたフォトレジストを銅エ
ッチングマスクとし、塩化鉄水溶液を用いて銅をパター
ン加工した。
【0048】銅のエッチング終了後、銅側のフォトレジ
ストを除去し、樹脂側に保護レジスト膜を形成し、今度
はパターン加工した銅をマスクとし、実施例1と同様に
してエッチングした。エッチングの途中で保護レジスト
の一部が剥離し、レジストが剥離した部分の樹脂膜まで
エッチングされてしまった。エッチング終了後にエッチ
ング形状を観察した結果、保護レジストの剥離した部分
ではマスクの直線パターンに合った50〜200μmの
パターンは形成されていなかった。
【0049】比較例2 ポリイミドフイルム「カプトンEN」、「ユーピレック
スS」、「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミ
クトロン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」の
50μm厚樹脂膜の片面に厚さ9μmの銅箔(三井金属
鉱業(株)製)を接着剤により接着させて片面銅張り板
を形成した。次に銅箔側に実施例1で用いたフォトレジ
ストをスピンコーターで塗布・乾燥し、50〜200μ
mの直線パターンを含んだマスクを使って露光し、現像
液にて現像し、マスクに合った50〜200μmの直線
パターンを形成した。パターン形成されたフォトレジス
トを銅エッチングマスクとし、塩化鉄水溶液を用いて銅
をパターン加工した。
【0050】銅のエッチング終了後、銅側のフォトレジ
ストを除去し、樹脂側に保護レジスト膜を形成し、今度
はパターン加工した銅をマスクとし、実施例5と同様に
してエッチングした。エッチングの途中で保護レジスト
の一部が剥離し、レジストが剥離した部分の樹脂膜まで
エッチングされてしまった。更に、レジストが剥離した
部分の樹脂膜がエッチングされてしまったため、その影
響で接着剤の劣化が起こり、その結果銅の一部に剥がれ
を生じ、銅剥離部分の樹脂膜までエッチングされてしま
った。エッチング終了後にエッチング形状を観察した結
果、保護レジストの剥離や銅剥離が生じた部分ではマス
クの直線パターンに合った50〜200μmのパターン
は形成されていなかった。
【0051】実施例14 実施例4において、無電解メッキ液をNiCl2・6H2
O(0.1mol/l)、NaH2PO2・H2O(0.
1mol/l)、クエン酸ナトリウム(0.2mol/
l)組成の水溶液に変更する以外は全て実施例4と同様
にしてエッチングを行った。エッチング終了後にエッチ
ング形状を観察した結果、マスクの直線パターンに合っ
た50〜200μmのパターンが形成されていた。
【0052】実施例15 実施例4において、無電解メッキ液をCoSO4・7H2
O(0.05mol/l)、NaH2PO2・H2
(0.2mol/l)、クエン酸ナトリウム(0.2m
ol/l)組成の水溶液に変更する以外は全て実施例4
と同様にしてエッチングを行った。エッチング終了後に
エッチング形状を観察した結果、マスクの直線パターン
に合った50〜200μmのパターンが形成されてい
た。
【0053】
【発明の効果】本発明を用いれば、エッチングのパター
ンに応じた樹脂膜のエッチングが可能となり、所望の孔
やTAB形状を形成できる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】樹脂膜の両面に金属層を形成した両面金属
    張り板を用い、この両面金属張り板の片面の金属層をパ
    ターン加工し、パターン加工した金属層をマスクにする
    ことで両面金属張り板内部の樹脂膜をウエットエッチン
    グすることを特徴とするエッチング方法。
  2. 【請求項2】両面金属張り板が、接着剤を介さずに金属
    層と樹脂膜とが接着させた材料であることを特徴とする
    請求項1のエッチング方法。
  3. 【請求項3】両面金属張り板が、樹脂膜上にまずニッケ
    ルあるいはクロムを含有した金属膜を形成させ、次いで
    銅、チタン、マンガン、コバルト、タングステン、亜
    鉛、ステンレスの中から選ばれる少なくとも1種類の金
    属を含有した層を形成させた材料であることを特徴とす
    る請求項1記載のエッチング方法。
  4. 【請求項4】ウエットエッチングに用いるエッチング液
    がアルカリ金属化合物または脂肪族アミン化合物を含有
    していることを特徴とする請求項1記載のエッチング方
    法。
  5. 【請求項5】ウエットエッチングの際に紫外線を照射す
    ることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
JP2000178063A 2000-06-14 2000-06-14 エッチング方法 Pending JP2001358428A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000178063A JP2001358428A (ja) 2000-06-14 2000-06-14 エッチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000178063A JP2001358428A (ja) 2000-06-14 2000-06-14 エッチング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001358428A true JP2001358428A (ja) 2001-12-26

Family

ID=18679563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000178063A Pending JP2001358428A (ja) 2000-06-14 2000-06-14 エッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001358428A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031428A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Toray Eng Co Ltd 金属配線回路基板及び金属配線同士間の絶縁性改善方法
CN103687321A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 中国航空工业集团公司第六三一研究所 一种金属镂空图形的加工方法
JP6674075B1 (ja) * 2018-10-24 2020-04-01 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
WO2020085447A1 (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
WO2020158610A1 (ja) * 2019-01-28 2020-08-06 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
WO2020203563A1 (ja) * 2019-04-03 2020-10-08 三菱製紙株式会社 液晶ポリマー用エッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004031428A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Toray Eng Co Ltd 金属配線回路基板及び金属配線同士間の絶縁性改善方法
CN103687321A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 中国航空工业集团公司第六三一研究所 一种金属镂空图形的加工方法
JP6674075B1 (ja) * 2018-10-24 2020-04-01 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
WO2020085447A1 (ja) * 2018-10-24 2020-04-30 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
CN112912466A (zh) * 2018-10-24 2021-06-04 三菱制纸株式会社 树脂组合物的蚀刻液及蚀刻方法
WO2020158610A1 (ja) * 2019-01-28 2020-08-06 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
JP6774589B1 (ja) * 2019-01-28 2020-10-28 三菱製紙株式会社 樹脂組成物のエッチング液及びエッチング方法
WO2020203563A1 (ja) * 2019-04-03 2020-10-08 三菱製紙株式会社 液晶ポリマー用エッチング液及び液晶ポリマーのエッチング方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11266025B2 (en) Electronic-component manufacturing method and electronic components
JP5046350B2 (ja) ウェットエッチングを採用した電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション
JP4986082B2 (ja) プリント配線基板の製造方法
JP2001358428A (ja) エッチング方法
JP2006009122A (ja) セミアディティブ工法用回路形成エッチング液
TWI442858B (zh) Production method of printed wiring board
TWI436706B (zh) A method of manufacturing a printed wiring board, and a printed wiring board obtained from the manufacturing method
JP2008252041A (ja) ビルドアップ多層配線基板の製造法
JP2003082135A (ja) ポリイミド層を含む積層体のエッチング方法
JP2009041112A (ja) 銅のエッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法
JP2002009434A (ja) 導通孔形成方法
JP4803473B2 (ja) ドライフィルムレジストを用いた電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション
JPH10195214A (ja) 樹脂エッチング液及びエッチング方法
JP2003204138A (ja) プリント配線板の製造方法
JP2015046519A (ja) 回路基板の製造方法
JP2002164659A (ja) 多層配線板の製造方法
JP2531466B2 (ja) 印刷配線板の製造方法
JP5639465B2 (ja) 金属パターンの作製方法
JP2001172416A (ja) エッチング方法
JP2003086938A (ja) プリント配線板の製造方法
JP2002082451A (ja) 多段階エッチング方法
JP2003183857A5 (ja)
JP2002237666A (ja) 配線板およびその製造方法
JP2002110840A (ja) 半導体用配線基板
TW200911057A (en) Method for manufacturing electrical traces of printed circuit board