JP2002164659A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents

多層配線板の製造方法

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JP2002164659A
JP2002164659A JP2001273387A JP2001273387A JP2002164659A JP 2002164659 A JP2002164659 A JP 2002164659A JP 2001273387 A JP2001273387 A JP 2001273387A JP 2001273387 A JP2001273387 A JP 2001273387A JP 2002164659 A JP2002164659 A JP 2002164659A
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via hole
etching
wiring
resin film
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JP2001273387A
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Masahiro Kokuni
昌宏 小國
Mitsuyoshi Yokura
與倉  三好
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Toray Industries Inc
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Toray Industries Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】多層配線板の製造において、安価で簡便に微細
なビアホールを形成し、配線層間の導通をとる。 【解決手段】少なくとも2層の配線層を有する多層配線
板であって、両面に銅層が形成された樹脂膜の、片面の
銅層をビアホールパターンに合わせて開孔し、開孔され
た銅層をエッチングマスクとしてウエットエッチングす
ることにより樹脂膜にビアホールを形成し、ビアホール
内の全部あるいは一部に導電性物質を充填することによ
り両面の銅層の導通を取り、その後両面の銅層を用いて
配線層を形成することを特徴とする多層配線板の製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はIC等の電子部品を
搭載するための多層配線板の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、多層配線板は高密度化が要求され
つつある。多層配線板の高密度化としては、例えば特公
平4−55555号公報に開示されているような方法で
製造されている。すなわち、コア基板上に感光性の絶縁
樹脂を塗布し、これを露光現像することによりビアホー
ルを有する絶縁樹脂層を形成する。次いでこの絶縁樹脂
層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後、粗化面
にメッキレジストを設け、その後レジスト非形成部分に
無電解メッキを施してビアホールを含む配線パターンを
形成する。かかる工程を複数回繰り返すことで多層化し
た配線板が得られる。このような方法を用いる場合、ビ
アホールが100μmφ以上の大きな孔であれば問題な
いが、ビアホールが100μmφ以下になると感光性絶
縁樹脂の感度が不十分であり、結果として100μmφ
以下の微細孔を形成することができず、絶縁樹脂層が厚
くなるにつれてこの問題は顕著であった。また、多層配
線板としては、いわゆるRCC(樹脂付き銅箔)を使用
した多層化技術が注目を浴びている。この技術はRCC
を配線板に積層し、銅箔をエッチング除去してビアホー
ル形成部位に開口を設け、この開口部にレーザーを照射
して樹脂層を除去し、開口部をメッキしてビアホールを
形成する技術である。このような方法の場合も、100
μmφ以上の大きな孔の場合は安価で簡便な炭酸ガスレ
ーザーを用いることができるが、100μmφ以下にな
ると炭酸ガスレーザーでの孔あけは不可能となり、高価
なエキシマレーザーやYAGレーザーを使用せねばなら
ず、また基本的に1孔ずつの加工となるため、生産コス
トが上昇し、生産速度が低下する問題を有していた。ま
た、パンチングやドリル加工のような簡便な孔あけ方法
も実用化されているが、やはり100μmφ以下の孔形
成は困難であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ビアホール
を有する多層配線板を製造する方法を提供するものであ
り、ウエットエッチングにより微細なビアホールを形成
することで安価で簡便に多層配線板を製造する方法を提
供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、多層
配線板の製造において、ビアホールをウエットエッチン
グにより形成することを特徴とする製造方法である。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、具体的に本発明を説明す
る。
【0006】本発明の最も特徴的要件は、配線層間の導
通を取るためのビアホールをウエットエッチングにより
安価で簡便に形成することである。本発明において、ウ
エットエッチングされる樹脂膜としては、ポリイミド
(東レ・デュポン(株)製「カプトン」、宇部興産
(株)「ユーピレックス」、鐘淵化学工業(株)製「ア
ピカル」など)、ポリアミド(東レ(株)製「ミクトロ
ン」など)、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、
PET(ポリエチレンテレフタレート、東レ(株)製
「ルミラー」など)、液晶ポリマー(東レ(株)製「シ
ベラス」、ポリプラスチックス(株)製「ベクトラ」、
日本石油化学(株)製「ザイダー」など)などが挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。上記樹脂は
単独で用いられても2種以上をブレンドしたり貼り合わ
せたりしたものでもよい。また、樹脂膜中に種々の添加
剤を加えたものでもよい。添加剤としては、例えば難燃
剤などのフィラー、ガラスクロスなどが挙げられるが、
これらに限定されない。これらの中ではとりわけ主とし
てポリイミド、ポリアミド、あるいは液晶ポリマーから
なる樹脂膜が好ましい。樹脂膜の厚みは特に限定され
ず、多層配線板としての機能に適した厚みが選択できる
が、好ましくは500μm以下、より好ましくは200
μm以下である。
【0007】上記に示した樹脂膜をウエットエッチング
するために、樹脂膜の両面に銅層を形成することが必要
となる。樹脂膜上に銅層を形成する方法としては、エポ
キシ樹脂やポリイミド樹脂など各種接着剤を用いて銅箔
を貼り付ける方法、熱融着により銅箔を貼り付ける方
法、スパッタやメッキなどにより樹脂膜に直接銅を積層
していく方法などが挙げられる。また、東洋メタライジ
ング(株)製「メタロイヤル」や新日鐵化学(株)製
「エスパネックス」などのような市販の銅張り板を用い
てもよい。
【0008】このような銅張り板の片面の銅をビアホー
ルパターンに合わせて開孔する方法としては、YAGレ
ーザーやエキシマレーザーなどの各種レーザーによる方
法、上部にレジストを設けてパターン加工した後レジス
トパターンに合わせて銅エッチングする方法などが挙げ
られる。とりわけ銅の損傷や加工の簡便性からレジスト
によるパターン加工が好ましい。この際、レジストとし
ては配線基板のパターニングに用いられる公知のレジス
ト材料を用いることができる。また、銅のエッチング液
としては塩化鉄系水溶液、塩化銅系水溶液、過酸系水溶
液などが選ばれるが、これらに限定されない。
【0009】このようにしてパターン形成された銅層を
エッチングマスクとして用いて樹脂膜にウエットエッチ
ングを施す。本発明においては、ビアホールが100μ
mφ以上の比較的大きな孔を形成することも可能である
が、主として炭酸ガスレーザーやパンチング、ドリル加
工では形成し難い100μmφ以下の小さな孔を形成す
ることを目的としている。
【0010】このような微細孔形成のためのエッチング
液としては、エッチングされる膜に適したエッチング液
が選択される。すなわち、比較的エッチングされ易い樹
脂膜にはエッチング力が低いエッチング液を用いること
で形状を整えることが好ましく、逆に耐エッチング性の
高い樹脂膜にはエッチング力が高いエッチング液を用い
ることが好ましい。樹脂膜としてポリイミド膜やポリア
ミド膜、液晶ポリマーなどをエッチングする場合、例え
ばエチレンジアミン、エタノールアミン、ジエタノール
アミン、ヘキサメチレンジアミン、ベンジルアミンなど
の脂肪族アミン系溶液、例えばp−フェニレンジアミ
ン、m−フェニレンジアミン、3−キシリレンジアミ
ン、4−キシリレンジアミンなどの芳香族アミン系溶
液、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどのアルカリ
金属化合物を含んだ溶液、及びこれらの組み合わせたア
ルカリ性溶液などが用いられるが、これらに限定されな
い。上記のエッチング液は非水系、水系どちらでもよ
く、液の均一性を向上させるためにアルコール系化合物
を添加してもよい。また、場合によっては不均一な組み
合わせでもよい。更に、添加剤として尿素や塩化ナトリ
ウム、各種界面活性剤などを加えてもよい。具体的なエ
ッチング液の組み合わせとしては以下が好ましいが、こ
れらに限定されない。
【0011】(1)水酸化カリウム/水/アミン/アル
コールの組み合わせ(例えば水酸化カリウム/水/エチ
レンジアミン/エチレングリコール、水酸化カリウム/
水/エタノールアミン/エチレングリコール、水酸化カ
リウム/水/エチレンジアミン/エタノール、水酸化カ
リウム/水/エタノールアミン/エタノール、水酸化カ
リウム/水/エチレンジアミン/グリセリン、水酸化カ
リウム/水/エタノールアミン/グリセリン、水酸化カ
リウム/水/ベンジルアミン/エチレングリコール)。
【0012】(2)水酸化ナトリウム/水/アミン/ア
ルコールの組み合わせ(例えば水酸化ナトリウム/水/
エチレンジアミン/エチレングリコール、水酸化ナトリ
ウム/水/エタノールアミン/エチレングリコール、水
酸化ナトリウム/水/エチレンジアミン/エタノール、
水酸化ナトリウム/水/エアノールアミン/エタノー
ル、水酸化ナトリウム/水/エチレンジアミン/グリセ
リン、水酸化ナトリウム/水/エタノールアミン/グリ
セリン、水酸化ナトリルム/水/p−フェニレンジアミ
ン/エタノール)。
【0013】(3)水酸化カリウム/水/アミンの組み
合わせ(例えば水酸化カリウム/水/エタノールアミ
ン、水酸化カリウム/水/ジエタノールアミン) (4)水酸化ナトリウム/水/アミンの組み合わせ(例
えば水酸化ナトリウム/水/エタノールアミン、水酸化
ナトリウム/水/ジエタノールアミン)。
【0014】(5)水酸化カリウム/アミン/アルコー
ルの組み合わせ(例えば水酸化カリウム/エチレンジア
ミン/エタノール、水酸化カリウム/エタノールアミン
/エタノール、水酸化カリウム/エチレンジアミン/エ
チレングリコール、水酸化カリウム/エタノールアミン
/エチレングリコール)。
【0015】(6)水酸化ナトリウム/アミン/アルコ
ールの組み合わせ(例えば水酸化ナトリウム/エチレン
ジアミン/エタノール、水酸化ナトリウム/エタノール
アミン/エタノール、水酸化ナトリウム/エチレンジア
ミン/エチレングリコール、水酸化ナトリウム/エタノ
ールアミン/エチレングリコール)が挙げられる。
【0016】エッチング液の温度に関しては、エッチン
グされる膜の性質に大きく依存し、エッチング液組成に
も依存するので一慨に言えないが、通常は20〜100
℃、好ましくは40〜90℃である。あまり温度を上げ
過ぎるとエッチング中にエッチング液組成が変化してし
まい、逆に温度が低すぎるとエッチングの効率が下がる
ので上記範囲が好ましい。
【0017】本発明における樹脂膜のウエットエッチン
グ方法では、エッチング液にエッチングされる膜を浸漬
する方法、エッチング液をエッチングされる膜に噴射す
る方法などが挙げられる。エッチング液に浸漬させる場
合には、更に超音波を照射する方法が有効である。超音
波の発生には通常振動子が用いられる。これらの振動子
の周波数は特に限定されないが、好ましくは10〜10
00kHz、より好ましくは20〜600kHzであ
る。これらの振動子は単独あるいは複数個用いられる。
超音波の照射方向としては、エッチングされる膜の厚み
方向やエッチング膜の横方向や斜め方向から超音波を当
てることが考えられるが、より好ましくはエッチングさ
れる膜の厚み方向にあてるほうがよい。
【0018】またエッチング液を噴射する場合には、通
常スプレーノズルを吹き出し口の先端に取り付け、圧力
により吹き出す方法が用いられる。スプレーノズルの形
状については特に限定はないが、例えば(株)共立合金
製作所のミニミスト、ラウンドミスト、空気噴射ノズ
ル、デスケーリングノズル、QCノズル、フラットスプ
レーノズル、ワイドフラットノズル、長円吹ノズル、斜
方フラットノズル、サイドスプレーノズル、フルコーン
ノズル、角吹ノズル、楕円吹ノズル、渦巻ノズル、ホロ
コーンノズル、洗浄用ノズル、ニードルジェットノズル
などが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。ノズルは単独でも複数個使用してもよく、また異な
る種類のノズルを組み合わせて使用してもよい。吹き出
す圧力についてもエッチングされる膜の種類や厚みなど
によって大きく異なるが、例えば9000〜10000
000Pa圧力で噴き出すことが考えられる。噴き出す
方向はエッチングされる膜の厚さ方向や、エッチング膜
の横方向や斜め方向から噴射させることがあるが、より
好ましくはエッチングされる膜の厚さ方向である。また
この手段は銅のエッチングの際にも好ましく用いること
ができる。
【0019】本発明における樹脂膜のウエットエッチン
グの際には、紫外線や赤外線、レーザーなどを照射しな
がらエッチングする方法も有効である。このような照射
には通常の高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、赤
外線ヒーター、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エ
キシマレーザー、銅蒸気レーザーなどが用いられる。こ
れらの照射を併用することにより、微細孔をより短時間
で樹脂膜の厚さ方向に異方的にエッチングすることが可
能となる。
【0020】上記のようなウエットエッチングによる樹
脂膜のビアホール形成方法は、一度に大面積を一括して
処理することが可能であり、樹脂膜形状がシート状でも
帯状でも処理できる。とりわけ帯状の場合には連続して
エッチングできるため、非常に効率がよい。更に、ウエ
ットエッチングに用いられる材料は安価なフォトレジス
トや安価なエッチング薬品であるため、レーザー加工に
比べて効率よく安価にビアホール形成が可能である。更
に、一括処理するためにむらが少なくなり、形状の整っ
たビアホール形成が可能である。孔径の選択肢も広く、
100μmφ以下の孔径でも100μmφ以上の孔径と
特に区別なく加工できる。また、大きさの異なる孔径で
も一括で処理できる長所も有している。
【0021】次に、ウエットエッチングにより形成され
たビアホール内の全部あるいは一部に導電性物質を充填
する方法としては、導電性ペースト剤の埋め込みやスパ
ッタ、無電解メッキ、電解メッキ、及びこれらの併用な
どが挙げられるが、これらに限定されない。これらの中
では微細なビアホール内への導電性物質充填が可能なメ
ッキやスパッタが好ましい。ビアホール内にメッキを施
す場合、樹脂膜のエッチングの際にマスクとして使用し
た銅層と反対側の銅層を電極に使用し、電解メッキによ
り導電性物質を充填する方法が有効である。電解メッキ
を行う際、樹脂膜壁面との接着性を向上させるため、電
解メッキに先立って樹脂膜壁面のクリーニング、触媒付
与、触媒活性化、無電解メッキなどを併用することは任
意である。
【0022】樹脂膜壁面のクリーニングとしては、各種
脱脂剤、過硫酸アンモニウム、硫酸、塩酸などの薬品に
よる処理、RIE(リアクティブイオンエッチング)な
どのドライプロセス処理などが挙げられるが、これらに
限定されない。また好ましく用いられる触媒としては、
例えばパラジウムを含んだものが挙げられるが、これに
限定されず、広く公知のものが使用できる。無電解メッ
キ液としては、無電解ニッケルメッキ液、無電解銅メッ
キ液、無電解スズメッキ液、無電解金メッキ液、無電解
パラジウムメッキ液などが挙げられるが、これらに限定
されない。電解メッキ液としては、銅メッキ液、はんだ
メッキ液、パラジウムメッキ液、スズメッキ液、ニッケ
ルメッキ液、銀メッキ液などが挙げられるが、これらに
限定されない。スパッタを施す場合には、クロムスパッ
タ、ニッケルスパッタ、銅スパッタなどが挙げられる
が、これらに限定されない。
【0023】またビアホール内への導電性物質の充填は
樹脂膜の両側の銅層の導通をとることが目的であるた
め、ビアホール内全部に導電性物質を充填する必要はな
く、ビアホール内の壁面のみに導電性物質を付着させ、
中央部には絶縁性樹脂などを埋め込んでもよい。逆に、
ビアホール内の壁面には絶縁性物質を付着させ、中央部
に導電性物質を充填させることも可能である。充填する
導電性物質の種類としては電気的な導通がとれる物質で
あれば特に限定されないが、銅、ニッケル、クロム、ス
ズ、鉛、鉄、アルミニウム、銀、金、亜鉛、パラジウム
などの金属を単独あるいは併用して用いることができ
る。これらの中ではニッケル、クロム、銅、金の併用が
好ましく、とりわけまずスパッタにてクロムやニッケル
を付着させ、その後に銅や金をメッキにより付着させる
方法が好ましい。
【0024】ビアホール内への導電性物質充填により両
面の導通をとった後、両面の銅層を用いて配線層を形成
する。具体的には、両面の銅層の上部にレジストを設け
てパターン加工した後レジストパターンに合わせて銅エ
ッチングするサブトラクティブ方法、あるいは両面の銅
層の上部にレジストを設けてパターン加工した後レジス
トパターンに合わせて銅やニッケルなどをメッキし、メ
ッキ終了後にレジストを除去して更に不要な部分の銅を
エッチング除去するセミアディティブ方法が挙げられ
る。この際、レジストとしては配線基板のパターニング
に用いられる公知のレジスト材料を用いることができ
る。また、銅のエッチング液としては塩化鉄系水溶液、
塩化銅系水溶液、過酸系水溶液などが選ばれるが、これ
らに限定されない。更に、メッキ液としては無電解銅メ
ッキ液、電解銅メッキ液、無電解ニッケルメッキ液、電
解ニッケルメッキ液、無電解スズメッキ液、無電解金メ
ッキ液、電解金メッキ液などが挙げられるが、これらに
限定されない。
【0025】銅のエッチング方法としては、エッチング
液に浸漬する方法、エッチング液を噴射する方法などが
挙げられる。エッチング液に浸漬させる場合には、更に
超音波を照射する方法が有効である。この方法に関する
条件は樹脂膜のウエットエッチング方法で用いる場合に
準ずる。
【0026】以上のような方法により樹脂膜の両面に配
線を形成した多層配線板が得られるが、場合によっては
更に多層化することも可能である。多層化の方法として
は、例えば形成された配線板の少なくとも片面の上側に
絶縁樹脂層を設け、ビアホールを形成し、ビアホール内
の全部あるいは一部に導電性物質を充填することにより
下側の配線層との導通を取り、その後にビアホール部分
と導通が取れるように絶縁樹脂層の上側に配線層を形成
する方法が挙げられる。また、形成された配線板の少な
くとも片面の上側に樹脂付き銅箔を貼り付け、銅箔並び
に樹脂にビアホールを形成し、ビアホール内の全部ある
いは一部に導電性物質を充填することにより下側の配線
層との導通を取り、その後にビアホール部分と導通が取
れるように絶縁樹脂層の上側に配線層を形成する方法も
挙げられる。いずれの場合にも上記に示したウエットエ
ッチングによりビアホール孔を100μmφ以下にする
ことが好ましい。このようにして任意の層数まで配線層
を増やすことが可能となる。
【0027】本発明で形成された多層配線板は、パソコ
ン用マザーボードといった大きな基板からCSP(チッ
プスケールパッケージ)用インターポーザといった小さ
な基板まで、幅広い用途に適用でき、とりわけ高密度な
配線が要求されるハイエンド用途のマザーボードやハイ
エンドMPU(マイクロプロセッサーユニット)用イン
ターポーザに適用できる。
【0028】
【実施例】以下実施例を挙げて本発明を説明するが、本
発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【0029】実施例1 50μm厚のポリイミドフイルム「カプトンEN」、
「アピカルNPI」、ポリアミドフイルム「ミクトロ
ン」、液晶ポリマーフイルム「ベクトラCX」を50m
m×50mmの大きさに切り取った。これらの樹脂にク
ロムスパッタ、銅スパッタ、銅メッキを施して厚さ8μ
mの銅層を両面に形成した。この銅層の両面に(株)ヘ
キスト製ポジ型フォトレジスト「AZ P4000」を
スピンコーターで塗布し、ホットプレート上で100
℃、3分乾燥した。乾燥膜厚は10μmであった。次
に、50μmφの孔を2mmおきに24個×24個の格
子状に配置したマスクを使い、プロキシミティ・マスク
アライナー(Cannon PLA501FA)にて片
面を400mJ/cm2で露光し、AZ 400Kデベ
ロッパーを水で5倍希釈した現像液を用いて3分間現像
し、マスクに合った50μmφのパターンが格子状に形
成された。
【0030】パターン形成されたフォトレジストを銅エ
ッチングマスクとし、エッチング液として40℃の塩化
鉄水溶液を用い、(株)共立合金製作所製フルコーンノ
ズル(型番1/4KSFHS0665)から圧力196
133Paで塩化鉄水溶液を噴射し、5分間銅をエッチ
ングし、65μmφのパターンを格子状に形成した。
【0031】銅層のエッチング終了後、両面のフォトレ
ジストを除去し、今度は銅を樹脂エッチングマスクと
し、水酸化カリウム33g、エチレングリコール22
g、エチレンジアミン11g、水34gで構成されるエ
ッチング液を60℃で用い、浸漬させて15分間樹脂膜
をエッチングし、続いて水酸化カリウム33g、エチレ
ングリコール72g、エチレンジアミン11g、水34
gで構成されるエッチング液を60℃で用い、浸漬させ
て15分間樹脂膜をエッチングし、65μmφのビアホ
ールを形成することができた。
【0032】次に、硫酸銅5水和物100g、硫酸20
0g、塩化ナトリウム0.03g、水700gで構成さ
れる銅メッキ液を用い、パターン加工されていない側の
銅層を電極に用い、30℃にて30分間メッキを施し、
ビアホール内に導電性物質である銅を充填し、両側の銅
層の導通をとった。
【0033】導電性物質の充填後、両面の銅層の両面に
再度(株)ヘキスト製ポジ型フォトレジスト「AZ P
4000」をスピンコーターで塗布し、ホットプレート
上で100℃、3分乾燥した。(乾燥膜厚は10μmで
あった。)それから配線を形成する部分以外のレジスト
が露光されるパターンでありかつそれぞれの面に形成す
べき最小配線幅25μmを有する配線パターンに合った
マスクを用い、上述のアライナーにて両面をそれぞれ4
00mJ/cm2で露光し、AZ 400Kデベロッパ
ーを水で5倍希釈した現像液を用いて3分間現像し、マ
スクに合った配線パターンを形成した。
【0034】このようにして形成された配線パターン状
のフォトレジストを銅エッチングマスクとし、エッチン
グ液として40℃の塩化鉄水溶液を用い、(株)共立合
金製作所製フルコーンノズル(型番1/4KSFHS0
665)から圧力196133Paで塩化鉄水溶液を噴
射し、5分間銅をエッチングし、両面に配線パターンを
形成した。銅層のエッチング終了後、両面のフォトレジ
ストを除去し、両面に最小配線幅15μmを有する配線
を施した両面配線板を得た。
【0035】実施例2 50μm厚のポリイミドフイルム「ユーピレックスS」
を50mm×50mmの大きさに切り取った。この樹脂
にクロムスパッタ、銅スパッタ、銅メッキを施して厚さ
5μmの銅層を両面に形成した。この銅層の両面に実施
例1と同様にフォトレジストを塗布形成した。次に、6
0μmφの孔を2mmおきに24個×24個の格子状に
配置したマスクを使い、実施例1と同様に露光、現像
し、マスクに合った60μmφのパターンが格子状に形
成された。次にエッチング液として40℃の塩化銅水溶
液を用いた他は、実施例1と同様に銅エッチングを行
い、70μmφのパターンを格子状に形成した。
【0036】銅層のエッチング終了後、両面のフォトレ
ジストを除去し、次に銅を樹脂エッチングマスクとし、
水酸化カリウム33g、エチレングリコール18g、エ
チレンジアミン8g、水26gで構成されるエッチング
液を60℃で用い、38kHzの超音波を照射し、更に
高圧水銀ランプにて紫外線を0.02W/cm2で照射
しながら浸漬させて15分間樹脂膜をエッチングし、続
いて水酸化カリウム33g、エチレングリコール22
g、エチレンジアミン11g、水34gで構成されるエ
ッチング液を60℃で用い、やはり38kHzの超音波
と0.02W/cm2の紫外線を照射しながら浸漬させ
て15分間樹脂膜をエッチングし、70μmφのビアホ
ールを形成することができた。
【0037】次に、上村工業(株)製クリーナー・コン
ディショナー「ACL−009」、上村工業(株)製ア
クチベーター「MAT」、上村工業(株)製レデューサ
ー「MRD」、上村工業(株)製アクセレーター「ME
L」の順に薬品処理を施した。その後に上村工業(株)
製無電解銅メッキ液「スルカップPEA」で無電解メッ
キを厚さ0.5μm施し、その後に上村工業(株)製銅
メッキ液「スルカップEUC」を用いてビアホール内に
導電性物質としての銅を充填した。導電性物質の充填
後、実施例1と同様にして両面に配線を施し、最小配線
幅15μmを有する両面配線板が得られた。
【0038】実施例3 25μm厚のポリイミドフイルム「カプトンEN」タイ
プの東洋メタライジング(株)製「メタロイヤル」(両
面銅張りタイプ、銅厚み8μm)を50mm×50mm
の大きさに切り取った。両面の銅の上に実施例1と同様
にフォトレジストを塗布形成した。次に、25μmφの
孔を2mmおきに24個×24個の格子状に配置したマ
スクを使い、実施例1と同様に露光、現像し、マスクに
合った25μmφのパターンが格子状に形成された。次
にエッチング液として40℃のペルオキソ二硫酸アンモ
ニウム水溶液を用いた他は、実施例1と同様に銅エッチ
ングを行い、30μmφのパターンを格子状に形成し
た。
【0039】銅層のエッチング終了後、両面のフォトレ
ジストを除去し、次に銅を樹脂エッチングマスクとし、
水酸化カリウム33g、エタノールアミン33g、水3
4gで構成されるエッチング液を60℃で用い、100
kHzの超音波を照射しながら浸漬させて15分間樹脂
膜をエッチングし、続いて水酸化ナトリウム32g、エ
チレングリコール33g、エチレンジアミン16g、水
44gで構成されるエッチング液を60℃で用い、10
0kHzの超音波を照射し、更に高圧水銀ランプにて
0.03W/cm2で照射しながら浸漬させて15分間
樹脂膜をエッチングし、30μmφのビアホールを形成
することができた。
【0040】次に、奥野製薬工業(株)製「OPC−B
41コンディクリーン」にて脱脂し、奥野製薬工業
(株)製「OPC−400」でソフトエッチングを施
し、硫酸でデスマット処理し、奥野製薬工業(株)製
「OPC−SALM」でプレディップし、奥野製薬工業
(株)製「OPC−B61キャタリスト」で触媒付与
し、奥野製薬工業(株)製「OPC−B71アクセレー
ター」で活性化し、奥野製薬工業(株)製「OPC無電
解銅M」で無電解メッキを施し、最後に硫酸銅5水和物
100g、硫酸200g、塩化ナトリウム0.03g、
水700gで構成される銅メッキ液を用いてビアホール
内に導電性物質としての銅を充填した。導電性物質の充
填後、実施例1と同様にして両面に配線を施し、最小配
線幅15μmを有する両面配線板が得られた。
【0041】実施例4 実施例1で形成した両面配線板の両側に東レ(株)製感
光性ポリイミド「フォトニースUR−5480」を塗布
し、全面露光して硬化させ、更に熱処理することでイミ
ド化させ、膜厚10μmのポリイミド層を形成した。形
成されたポリイミド層上にクロムスパッタ、銅スパッ
タ、銅メッキを施して厚さ8μmの銅層を両面に形成し
た。両面の銅層上に実施例1と同様にフォトレジストを
塗布形成した。次に、10μmφの孔を2mmおきに2
4個×24個の格子状に配置したマスクを使い、実施例
1と同様に露光、現像し、マスクに合った10μmφの
パターンが格子状に形成された。次にエッチング液とし
て40℃の塩化鉄水溶液を用いた他は、実施例1と同様
に銅エッチングを行い、20μmφのパターンを格子状
に形成した。
【0042】銅層のエッチング終了後、両面のフォトレ
ジストを除去し、次に銅をポリイミドエッチングマスク
とし、水酸化カリウム33g、エチレングリコール22
g、エチレンジアミン11g、水34gで構成されるエ
ッチング液を60℃で用い、200kHzの超音波を照
射し、更に高圧水銀ランプにて紫外線を0.02W/c
2で照射しながら浸漬させて15分間樹ポリイミドを
エッチングし、続いて水酸化カリウム33g、エチレン
グリコール82g、エチレンジアミン11g、水34g
で構成されるエッチング液を60℃で用い、やはり20
0kHzの超音波と0.02W/cm2の紫外線を照射
しながら浸漬させて15分間ポリイミドをエッチング
し、20μmφのビアホールを形成することができた。
次に、実施例1と同様にしてビアホール内に導電性物質
としての銅を充填し、更に実施例1と同様にして両面に
配線を施し、最小配線幅15μmを有する4層の配線を
有する多層配線板が得られた。
【0043】実施例5 実施例2で形成した両面配線板の両側に三井金属鉱業
(株)製樹脂付き銅箔(銅厚み12μm)を熱融着させ
た。両面の銅層上に実施例1と同様にフォトレジストを
塗布形成した。次に、実施例1のマスクを用い、実施例
1と同様に露光、現像を行ったところ、マスクに合った
50μmφのパターンが格子状に形成された。次にエッ
チング液として40℃の塩化銅水溶液を用いた他は、実
施例1と同様に銅エッチングを行い、70μmφのパタ
ーンを格子状に形成した。
【0044】銅層のエッチング終了後、両面のフォトレ
ジストを除去し、次には銅を樹脂エッチングマスクと
し、水酸化カリウム33g、エチレングリコール17
g、エチレンジアミン8g、水22gで構成されるエッ
チング液を60℃で用い、38kHzの超音波を照射
し、更に高圧水銀ランプにて紫外線を0.05W/cm
2で照射しながら浸漬させて15分間樹脂膜をエッチン
グし、続いて水酸化カリウム33g、エチレングリコー
ル22g、エチレンジアミン11g、水34gで構成さ
れるエッチング液を60℃で用い、やはり38kHzの
超音波と0.05W/cm2の紫外線を照射しながら浸
漬させて15分間樹脂膜をエッチングし、更に水酸化カ
リウム33g、エチレングリコール82g、エチレンジ
アミン11g、水34gで構成されるエッチング液を6
0℃で用い、やはり38kHzの超音波と0.05W/
cm2の紫外線を照射しながら浸漬させて15分間樹脂
膜をエッチングし、70μmφのビアホールを形成し
た。次に、実施例2と同様にしてビアホール内に導電性
物質としての銅を充填し、更に実施例2と同様にして両
面に配線を施し、最小配線幅15μmを有する4層の配
線を有する多層配線板を得た。
【0045】比較例1 実施例1と同様にして50mm×50mmのフイルムに
厚さ8μmの銅層を両面に形成した。次に炭酸ガスレー
ザーを用い、片側の銅並びにフイルムに孔あけを行い、
反対側の銅は貫通させずに残すことにより120μmφ
のビアホールを形成することができた。次に、実施例1
と同様にしてビアホール内に導電性物質である銅を充填
し、両側の銅層の導通をとったが、孔径が大きいため多
量の銅メッキ液が必要であり、充填時間も長かった。
【0046】導電性物質の充填後、実施例1と同様にし
て最小配線幅25μmを有する配線パターンを両面に形
成しようとしたが、ビアホール径が大きい分配線を引き
回せる領域が少なくなるため、配線間隔を狭くしなけれ
ばならなかった。配線間隔が狭いため、実施例1と同様
にして配線を形成したが、配線間隔が狭いために目的と
する配線を形成することができず、本来接合してはいけ
ない配線同士が接合したり、配線内部に断線部分が起こ
り、目的とする最小配線幅15μmを有する配線を施し
た両面配線板を得ることはできなかった。
【0047】実施例6 実施例1において、銅メッキ厚さを8μmから2μmに
変更して銅層を形成し、実施例1と同様にしてビアホー
ル形成と導電性物質の充填を行った。
【0048】導電性物質の充填後、両面の銅層の両面に
再度(株)ヘキスト製ポジ型フォトレジスト「AZ P
4000」をスピンコーターで塗布し、ホットプレート
上で100℃、3分乾燥した。(乾燥膜厚は10μmで
あった。)それから、配線を形成する部分のレジストが
露光されるパターンでありかつそれぞれの面に形成すべ
き最小配線幅25μmを有する配線パターンに合ったマ
スクを用い、実施例1で用いたアライナーにて両面をそ
れぞれ400mJ/cm2で露光し、AZ 400Kデ
ベロッパーを水で5倍希釈した現像液を用いて3分間現
像し、マスクに合った配線パターンを形成した。
【0049】このようにして形成された配線パターン状
のフォトレジストをメッキレジストとし、実施例1でビ
アホール埋め込みの際に用いた銅メッキ液を用いて30
℃で10分間銅メッキを行い、両面に厚さ8μmの銅配
線パターンを形成した。銅メッキ終了後、銅配線パター
ンの上に無電解スズメッキを0.5μm施して配線を保
護した。スズメッキ終了後、両面のフォトレジストを除
去し、露出した配線部分以外の銅を実施例1で用いた塩
化鉄水溶液を40℃で用いて1分間エッチングして除去
し、両面に最小配線幅15μmを有する配線を施した両
面配線板を得た。
【0050】
【発明の効果】本発明を用いれば、多層配線板の製造に
おいて、安価で簡便に微細なビアホールを形成すること
ができ、配線層間の導通をとることができる。
フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA24 BB03 BB12 CC17 CC25 CC31 CD25 CD32 GG14 GG16 5E346 AA06 AA12 AA15 AA43 BB01 CC02 CC10 CC32 DD01 DD22 DD31 EE31 FF04 FF17 FF18 FF35 GG15 GG17 HH26 HH33

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも2層の配線層を有する多層配線
    板であって、両面に銅層が形成された樹脂膜の、まず片
    面の銅層をビアホールパターンに合わせて開孔し、開孔
    された銅層をエッチングマスクとしてウエットエッチン
    グすることにより樹脂膜にビアホールを形成し、ビアホ
    ール内の全部あるいは一部に導電性物質を充填すること
    により両面の銅層の導通を取り、その後両面の銅層を用
    いて配線層を形成することを特徴とする多層配線板の製
    造方法。
  2. 【請求項2】形成された配線板の少なくとも片面の上側
    に絶縁樹脂層を設け、絶縁樹脂層をウエットエッチング
    によりビアホールを形成し、ビアホール内の全部あるい
    は一部に導電性物質を充填することにより下側の配線層
    との導通を取り、その後絶縁樹脂層の上側に配線層を形
    成することで配線を多層化することを特徴とする請求項
    1記載の多層配線板形成方法。
  3. 【請求項3】形成された配線板の少なくとも片面の上側
    に樹脂付き銅箔を貼り付け、銅箔並びに樹脂にウエット
    エッチングによりビアホールを形成し、ビアホール内の
    全部あるいは一部に導電性物質を充填することにより下
    側の配線層との導通を取り、その後絶縁樹脂層の上側に
    配線層を形成することを特徴とする請求項1記載の多層
    配線板形成方法。
  4. 【請求項4】ビアホールが100μmφ以下であること
    を特徴とする請求項1記載の多層配線板形成方法。
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JP2009267300A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Harima Chem Inc 多層配線基板の製造方法

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