JP2001351934A - スタッドバンプ成形用キャピラリー - Google Patents
スタッドバンプ成形用キャピラリーInfo
- Publication number
- JP2001351934A JP2001351934A JP2000172029A JP2000172029A JP2001351934A JP 2001351934 A JP2001351934 A JP 2001351934A JP 2000172029 A JP2000172029 A JP 2000172029A JP 2000172029 A JP2000172029 A JP 2000172029A JP 2001351934 A JP2001351934 A JP 2001351934A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- stud bump
- forming
- wire
- volume
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＳＩやＩＣなどの半導体装置に金または金
合金細線などのワイヤーからスタッドバンプを形成する
ためのキャピラリーを提供する。 【解決手段】キャピラリー先端部におけるチャンファー
部の円錐頂角θが２０°以上７０°未満の範囲内にあ
り、かつチャンファー部の体積がイニシャル金ボール体
積の３０〜７０％の範囲内にあるようにし、チャンファ
ー部の円錐面１３に続いて設けられているフェイス面１
４がキャピラリー軸に対して垂直な平面または外方向に
向かって下向きに１１°以下の傾斜角で下り傾斜する傘
状傾斜面を有する。
合金細線などのワイヤーからスタッドバンプを形成する
ためのキャピラリーを提供する。 【解決手段】キャピラリー先端部におけるチャンファー
部の円錐頂角θが２０°以上７０°未満の範囲内にあ
り、かつチャンファー部の体積がイニシャル金ボール体
積の３０〜７０％の範囲内にあるようにし、チャンファ
ー部の円錐面１３に続いて設けられているフェイス面１
４がキャピラリー軸に対して垂直な平面または外方向に
向かって下向きに１１°以下の傾斜角で下り傾斜する傘
状傾斜面を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＬＳＩやＩＣな
どの半導体装置の凸部電極となるスタッドバンプ、特に
金スタッドバンプをワイヤーにより形成する時に使用す
るキャピラリーに関するものである。
どの半導体装置の凸部電極となるスタッドバンプ、特に
金スタッドバンプをワイヤーにより形成する時に使用す
るキャピラリーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金または金合金細線などのワイヤーをＬ
ＳＩやＩＣなどの半導体装置にボンディングするための
装置としてキャピラリーが使用されることは知られてお
り、このキャピラリーは、ルビー、サファイヤなどのア
ルミナ単結晶体、アルミナ粉末を焼結して得られたアル
ミナ多結晶体またはＳｉＣ単結晶体などで構成されてい
る。従来のキャピラリーは、図５の断面図に示されるよ
うに、キャピラリー先端部のワイヤー取り出し開口部に
おける円錐面１３で囲まれた部分（以下、チャンファー
部という）および半径方向に上るフェイス面１４を有し
ており、この従来のキャピラリー先端部におけるチャン
ファー部の円錐頂角θ´は７０〜１２０°であり、フェ
イス面１４の傾斜角度α´は４〜１１°の範囲内にある
ことが知られている。
ＳＩやＩＣなどの半導体装置にボンディングするための
装置としてキャピラリーが使用されることは知られてお
り、このキャピラリーは、ルビー、サファイヤなどのア
ルミナ単結晶体、アルミナ粉末を焼結して得られたアル
ミナ多結晶体またはＳｉＣ単結晶体などで構成されてい
る。従来のキャピラリーは、図５の断面図に示されるよ
うに、キャピラリー先端部のワイヤー取り出し開口部に
おける円錐面１３で囲まれた部分（以下、チャンファー
部という）および半径方向に上るフェイス面１４を有し
ており、この従来のキャピラリー先端部におけるチャン
ファー部の円錐頂角θ´は７０〜１２０°であり、フェ
イス面１４の傾斜角度α´は４〜１１°の範囲内にある
ことが知られている。
【０００３】このキャピラリーを用いて半導体装置に凸
部電極となるスタッドバンプを形成するには、一般に、
図３に示される装置を用いる。図３はワイヤー１をキャ
ピラリー２に挿通し、ワイヤー１の先端をキャピラリー
２の先端から突出した状態を示しており、図３におい
て、１はワイヤー、２はキャピラリー、３は超音波ホー
ン、４は超音波発生装置、５はクランパー、６はアーク
発生装置、７は半導体装置である。
部電極となるスタッドバンプを形成するには、一般に、
図３に示される装置を用いる。図３はワイヤー１をキャ
ピラリー２に挿通し、ワイヤー１の先端をキャピラリー
２の先端から突出した状態を示しており、図３におい
て、１はワイヤー、２はキャピラリー、３は超音波ホー
ン、４は超音波発生装置、５はクランパー、６はアーク
発生装置、７は半導体装置である。
【０００４】図３に示される装置を用いてスタッドバン
プを形成するには、図４（ａ）の一部断面図に示される
ように、キャピラリー２の先端部から突出したワイヤー
１の先端に向かってアーク発生装置６からアークを発生
させることによりワイヤー１の先端にイニシャルボール
９を形成し、このイニシャルボール９を図４（ｂ）に示
されるようにキャピラリー２の先端部で半導体装置７に
押圧してスタッドバンプを形成した後、ただちに図３の
超音波発生装置４を作動させ、超音波ホーン３を介して
キャピラリー２を超音波振動させ、それにより図４
（ｂ）で形成したスタッドバンプ１０を半導体装置７に
超音波接合させる。
プを形成するには、図４（ａ）の一部断面図に示される
ように、キャピラリー２の先端部から突出したワイヤー
１の先端に向かってアーク発生装置６からアークを発生
させることによりワイヤー１の先端にイニシャルボール
９を形成し、このイニシャルボール９を図４（ｂ）に示
されるようにキャピラリー２の先端部で半導体装置７に
押圧してスタッドバンプを形成した後、ただちに図３の
超音波発生装置４を作動させ、超音波ホーン３を介して
キャピラリー２を超音波振動させ、それにより図４
（ｂ）で形成したスタッドバンプ１０を半導体装置７に
超音波接合させる。
【０００５】スタッドバンプ１０を半導体装置７に超音
波接合した後、図４（ｃ）に示されるようにキャピラリ
ー２を引き上げてスタッドバンプ１０から離し、引き続
いて図３に示される装置のクランパー５によりワイヤー
１を引っ張りあげと、図４（ｄ）に示されるようにスタ
ッドバンプ１０とワイヤー１の境界部分１１で破断す
る。スタッドバンプ１０とワイヤー１の境界部分１１で
破断するのはワイヤー１の境界部分１１が焼きなまし状
態にあるところから最も強度が低下しており、クランパ
ー５によりワイヤー１引っ張りあげると強度の最も弱い
境界部分１１で破断するのである。次のスタッドバンプ
１０を形成するには図４（ｄ）の状態にあるワイヤー１
の先端部１２に図４（ａ）に示されるようにアーク発生
装置６からアーク８を発生させることによりワイヤー１
の先端にイニシャルボール９を形成し、これを繰り返す
ことにより形成することができる。
波接合した後、図４（ｃ）に示されるようにキャピラリ
ー２を引き上げてスタッドバンプ１０から離し、引き続
いて図３に示される装置のクランパー５によりワイヤー
１を引っ張りあげと、図４（ｄ）に示されるようにスタ
ッドバンプ１０とワイヤー１の境界部分１１で破断す
る。スタッドバンプ１０とワイヤー１の境界部分１１で
破断するのはワイヤー１の境界部分１１が焼きなまし状
態にあるところから最も強度が低下しており、クランパ
ー５によりワイヤー１引っ張りあげると強度の最も弱い
境界部分１１で破断するのである。次のスタッドバンプ
１０を形成するには図４（ｄ）の状態にあるワイヤー１
の先端部１２に図４（ａ）に示されるようにアーク発生
装置６からアーク８を発生させることによりワイヤー１
の先端にイニシャルボール９を形成し、これを繰り返す
ことにより形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】チャンファー部におけ
る円錐頂角θ´が７０〜１２０°である従来のキャピラ
リー先端で図４（ｂ）に示されるようにイニシャルボー
ルを押圧すると、チャンファー部に導入されるイニシャ
ルボールの体積は、イニシャルボール体積の２０％程度
であり、そのため、残り８０％程度のイニシャルボール
体積の多くはチャンファー部外に押し出され、圧着バン
プ形状が偏平状になって十分な高さのスタッドバンプを
形成することができなかった。この傾向は、従来のキャ
ピラリーのフェイス面１４が半径方向に上り傾斜を有す
るすり鉢状傾斜面を有しているところから、一層助長さ
れることになっていた。
る円錐頂角θ´が７０〜１２０°である従来のキャピラ
リー先端で図４（ｂ）に示されるようにイニシャルボー
ルを押圧すると、チャンファー部に導入されるイニシャ
ルボールの体積は、イニシャルボール体積の２０％程度
であり、そのため、残り８０％程度のイニシャルボール
体積の多くはチャンファー部外に押し出され、圧着バン
プ形状が偏平状になって十分な高さのスタッドバンプを
形成することができなかった。この傾向は、従来のキャ
ピラリーのフェイス面１４が半径方向に上り傾斜を有す
るすり鉢状傾斜面を有しているところから、一層助長さ
れることになっていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる観点から、高さの高いバンプを得るべく研究を行
った結果、図１に示されるような従来よりもキャピラリ
ーの開口部における円錐面１３により囲まれたチャンフ
ァー部における円錐頂角θを２０°以上７０°未満とな
るように小さくしたキャピラリーを作製し、このキャピ
ラリーを使用してスタッドバンプを形成すると、形成し
たスタッドバンプは高さが一層高くなり、さらにフェイ
ス面１４が、キャピラリー軸に対して垂直な平面または
外方向に向かって下向きに傾斜する傾斜角αが１１°以
下の傘状傾斜面のとなるようにすると、チャンファー部
からはみ出たイニシャルボールの一部は傘状傾斜面によ
りチャンファー部に押し上げられてスタッドバンプの一
部とすることができ、形成したスタッドバンプの高さを
一層高くすることができるという研究結果が得られたの
である。
かかる観点から、高さの高いバンプを得るべく研究を行
った結果、図１に示されるような従来よりもキャピラリ
ーの開口部における円錐面１３により囲まれたチャンフ
ァー部における円錐頂角θを２０°以上７０°未満とな
るように小さくしたキャピラリーを作製し、このキャピ
ラリーを使用してスタッドバンプを形成すると、形成し
たスタッドバンプは高さが一層高くなり、さらにフェイ
ス面１４が、キャピラリー軸に対して垂直な平面または
外方向に向かって下向きに傾斜する傾斜角αが１１°以
下の傘状傾斜面のとなるようにすると、チャンファー部
からはみ出たイニシャルボールの一部は傘状傾斜面によ
りチャンファー部に押し上げられてスタッドバンプの一
部とすることができ、形成したスタッドバンプの高さを
一層高くすることができるという研究結果が得られたの
である。
【０００８】この発明は、かかる研究結果に基づいてな
されたものであって、（１）キャピラリーの先端部にお
ける円錐面で囲まれたチャンファー部の円錐頂角が２０
°以上７０°未満の範囲内にあるスタッドバンプ成形用
キャピラリー、（２）キャピラリー先端部におけるチャ
ンファー部の円錐頂角が２０°以上７０°未満の範囲内
にあり、かつチャンファー部の体積がイニシャル金ボー
ル体積の３０〜７０％の範囲内にあるようにしたスタッ
ドバンプ成形用キャピラリー、（３）前記スタッドバン
プ成形用キャピラリー先端部のチャンファー部に続いて
設けられているフェイス面が、キャピラリー軸に対して
垂直な平面または外方向に向かって下向きに１１°以下
の傾斜角で下り傾斜する傘状傾斜面を有する前記（１）
または（２）記載のスタッドバンプ成形用キャピラリ
ー、に特徴を有するものである。
されたものであって、（１）キャピラリーの先端部にお
ける円錐面で囲まれたチャンファー部の円錐頂角が２０
°以上７０°未満の範囲内にあるスタッドバンプ成形用
キャピラリー、（２）キャピラリー先端部におけるチャ
ンファー部の円錐頂角が２０°以上７０°未満の範囲内
にあり、かつチャンファー部の体積がイニシャル金ボー
ル体積の３０〜７０％の範囲内にあるようにしたスタッ
ドバンプ成形用キャピラリー、（３）前記スタッドバン
プ成形用キャピラリー先端部のチャンファー部に続いて
設けられているフェイス面が、キャピラリー軸に対して
垂直な平面または外方向に向かって下向きに１１°以下
の傾斜角で下り傾斜する傘状傾斜面を有する前記（１）
または（２）記載のスタッドバンプ成形用キャピラリ
ー、に特徴を有するものである。
【０００９】キャピラリー先端部におけるチャンファー
部の円錐頂角θが２０°以上７０°未満の範囲内にした
のは、２０°未満になると、接合面への荷重・超音波エ
ネルギーの伝達が不十分となり、バンプの接合が安定し
て行なえなくなるためであり、一方、７０°以上では接
合は十分に行なうことができるが、キャピラリー内部に
導入される金の量が少なくなり、十分な高さを保つこと
ができなくなるためである。チャンファー部の開口角度
は４０°〜７０°の範囲内にあることが一層好ましい。
部の円錐頂角θが２０°以上７０°未満の範囲内にした
のは、２０°未満になると、接合面への荷重・超音波エ
ネルギーの伝達が不十分となり、バンプの接合が安定し
て行なえなくなるためであり、一方、７０°以上では接
合は十分に行なうことができるが、キャピラリー内部に
導入される金の量が少なくなり、十分な高さを保つこと
ができなくなるためである。チャンファー部の開口角度
は４０°〜７０°の範囲内にあることが一層好ましい。
【００１０】チャンファー部体積がイニシャルボール体
積の３０〜７０％の範囲内にあることが好ましい。その
理由は、３０％未満であるとバンプ高さを高く保つこと
が困難であり、７０％を越えるとバンプの接合性が悪く
なるので好ましくないからである。チャンファー部体積
がイニシャルボール体積に対して３５〜６０％であるこ
とが一層好ましい。チャンファー部体積がイニシャルボ
ール体積の３０〜７０％の範囲内にあるキャピラリー
は、スタッドバンプ形成時のイニシャルボールの半径を
ｒ、キャピラリーのホール直径をＨ、チャンファー部円
錐頂角をθとした場合、９．６ｒ3ｔａｎ（θ／２）≦
Ｒ3−Ｈ3≦２２．４ｒ3ｔａｎ（θ／２）の条件を満た
すように設計することにより作製することができる。
積の３０〜７０％の範囲内にあることが好ましい。その
理由は、３０％未満であるとバンプ高さを高く保つこと
が困難であり、７０％を越えるとバンプの接合性が悪く
なるので好ましくないからである。チャンファー部体積
がイニシャルボール体積に対して３５〜６０％であるこ
とが一層好ましい。チャンファー部体積がイニシャルボ
ール体積の３０〜７０％の範囲内にあるキャピラリー
は、スタッドバンプ形成時のイニシャルボールの半径を
ｒ、キャピラリーのホール直径をＨ、チャンファー部円
錐頂角をθとした場合、９．６ｒ3ｔａｎ（θ／２）≦
Ｒ3−Ｈ3≦２２．４ｒ3ｔａｎ（θ／２）の条件を満た
すように設計することにより作製することができる。
【００１１】図１に示されるこの発明のスタッドバンプ
成形用キャピラリーにおける先端部に形成されたフェイ
ス面１４の傾斜角αを水平に対して時計方向に１１°以
下（０°も含む）傾斜させたのは、スタッドバンプ形成
ではワイヤーボンディングと異なり、ループ成形性、セ
カンド接合性を要求されないために傾斜角を１１°以下
（０°も含む）とすることによって、圧着形状の広がり
を抑え、チャンファー部に導入される金量を多くしてス
タッドバンプの高さを高くする効果が得られるようにす
るためである。この発明のスタッドバンプ成形用キャピ
ラリーにおける先端部に形成されたフェイス面１４の傾
斜角αは、図２に示されるように、０°として水平面と
することができる。
成形用キャピラリーにおける先端部に形成されたフェイ
ス面１４の傾斜角αを水平に対して時計方向に１１°以
下（０°も含む）傾斜させたのは、スタッドバンプ形成
ではワイヤーボンディングと異なり、ループ成形性、セ
カンド接合性を要求されないために傾斜角を１１°以下
（０°も含む）とすることによって、圧着形状の広がり
を抑え、チャンファー部に導入される金量を多くしてス
タッドバンプの高さを高くする効果が得られるようにす
るためである。この発明のスタッドバンプ成形用キャピ
ラリーにおける先端部に形成されたフェイス面１４の傾
斜角αは、図２に示されるように、０°として水平面と
することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】平均粒径：２μｍと０．５μｍの
９９．８％アルミナ粉末を焼結して作製したアルミナ多
結晶体キャピラリーを用意し、これらキャピラリーの先
端部におけるチャンファー部の円錐頂角θ、チャンファ
ー部の体積およびチャンファー部に続いて設けられてい
るフェイス面のキャピラリー軸に対して垂直な平面また
は外方向に向かって下向きに傾斜する傾斜角αを有する
ホール径：４０μｍの本発明キャピラリー１〜９および
従来キャピラリーを作製し、これらキャピラリーを図３
に示されるスタッドバンプ成形装置に取り付け、これら
キャピラリーに直径：３０μｍの金線を挿通し、通常の
条件でスタッドバンプを形成し、得られたスタッドバン
プの高さ及びイニシャルボール体積に対するチャンファ
ー部の体積の比を測定し、それらの結果を表１に示し
た。
９９．８％アルミナ粉末を焼結して作製したアルミナ多
結晶体キャピラリーを用意し、これらキャピラリーの先
端部におけるチャンファー部の円錐頂角θ、チャンファ
ー部の体積およびチャンファー部に続いて設けられてい
るフェイス面のキャピラリー軸に対して垂直な平面また
は外方向に向かって下向きに傾斜する傾斜角αを有する
ホール径：４０μｍの本発明キャピラリー１〜９および
従来キャピラリーを作製し、これらキャピラリーを図３
に示されるスタッドバンプ成形装置に取り付け、これら
キャピラリーに直径：３０μｍの金線を挿通し、通常の
条件でスタッドバンプを形成し、得られたスタッドバン
プの高さ及びイニシャルボール体積に対するチャンファ
ー部の体積の比を測定し、それらの結果を表１に示し
た。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】表１に示される結果から、本発明キャピ
ラリー１〜９で作製したスタッドバンプは、従来キャピ
ラリーで作製したスタッドバンプに比べて、高さが高
く、優れたスタッドバンプを形成することができること
が分かる。
ラリー１〜９で作製したスタッドバンプは、従来キャピ
ラリーで作製したスタッドバンプに比べて、高さが高
く、優れたスタッドバンプを形成することができること
が分かる。
【図１】この発明のキャピラリーの一部拡大断面図であ
る。
る。
【図２】この発明のキャピラリーの一部拡大断面図であ
る。
る。
【図３】従来のボンディング装置の一部側面図である。
【図４】従来のキャピラリーによるスタッドバンプの形
成を説明するための一部断面説明図である。
成を説明するための一部断面説明図である。
【図５】従来のキャピラリーの一部拡大断面図である。
１ ワイヤー、 ３ 超音波ホーン、 ４ 超音波発生装置、 ５ クランパー、 ６ アーク発生装置、 ７ 半導体装置、 ８ アーク ９ イニシャルボール、 １０ タッドバンプ、 １１ 境界部分 １２ ワイヤーの先端部 １３ 円錐面 １４ フェイス面 １５ 孔
Claims (3)
- 【請求項１】キャピラリー先端部のワイヤー取り出し開
口部における円錐面で囲まれた部分（以下、チャンファ
ー部という）の円錐頂角が２０°以上７０°未満の範囲
内にあることを特徴とするスタッドバンプ成形用キャピ
ラリー。 - 【請求項２】キャピラリーの先端部におけるチャンファ
ー部の円錐状開口角度の頂角が２０°以上７０°未満の
範囲内にあり、かつチャンファー部の体積がイニシャル
金ボール体積の３０〜７０％の範囲内にあるようにした
ことを特徴とするスタッドバンプ成形用キャピラリー。 - 【請求項３】前記スタッドバンプ成形用キャピラリー先
端部のチャンファー部に続いて設けられているフェイス
面が、キャピラリー軸に対して垂直な平面または外方向
に向かって下向きに１１°以下の傾斜角で下り傾斜する
傘状傾斜面を有することを特徴とする請求項１または２
記載のスタッドバンプ成形用キャピラリー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000172029A JP2001351934A (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | スタッドバンプ成形用キャピラリー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000172029A JP2001351934A (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | スタッドバンプ成形用キャピラリー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001351934A true JP2001351934A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18674496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000172029A Withdrawn JP2001351934A (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | スタッドバンプ成形用キャピラリー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001351934A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6910612B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-06-28 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Capillary with contained inner chamfer |
| US7124927B2 (en) | 1999-02-25 | 2006-10-24 | Reiber Steven F | Flip chip bonding tool and ball placement capillary |
| US7389905B2 (en) | 1999-02-25 | 2008-06-24 | Reiber Steven F | Flip chip bonding tool tip |
| JP2015195319A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日本電気株式会社 | モジュール部品及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-06-08 JP JP2000172029A patent/JP2001351934A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7124927B2 (en) | 1999-02-25 | 2006-10-24 | Reiber Steven F | Flip chip bonding tool and ball placement capillary |
| US7389905B2 (en) | 1999-02-25 | 2008-06-24 | Reiber Steven F | Flip chip bonding tool tip |
| US6910612B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-06-28 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Capillary with contained inner chamfer |
| US7004369B2 (en) * | 2001-07-17 | 2006-02-28 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Capillary with contained inner chamfer |
| JP2015195319A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 日本電気株式会社 | モジュール部品及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3765778B2 (ja) | ワイヤボンディング用キャピラリ及びこれを用いたワイヤボンディング方法 | |
| JP2000515690A (ja) | 拘束ボンディングのためのファインピッチボンディング工具 | |
| JP2004071983A (ja) | バンプの形成方法及びバンプ | |
| TW200901345A (en) | System and method for increased stand-off height in stud bumping process | |
| JP2006324553A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US5662261A (en) | Wire bonding capillary | |
| JP2006013512A (ja) | ワイヤボンディング用キャピラリ | |
| TW515067B (en) | Metal bump having higher pillar and the fabricated device thereof | |
| US20080054052A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2001351934A (ja) | スタッドバンプ成形用キャピラリー | |
| US6270000B1 (en) | Wire bonding method | |
| US7510958B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device including a bump forming process | |
| JP3595386B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US8138081B2 (en) | Aluminum bump bonding for fine aluminum wire | |
| JP2000106381A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04123434A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPH088308A (ja) | ボンディング方法及び半導体装置 | |
| JPH07147296A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びその装置 | |
| JP3202193B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JP2976947B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
| TW403981B (en) | Wire bonding method for integrated circuit die | |
| JP2004056021A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| JPH09148358A (ja) | ワイヤボンディングダメージ防止用キャピラリー | |
| JPH04146625A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JP2000228422A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070904 |