JP2000515690A - 拘束ボンディングのためのファインピッチボンディング工具 - Google Patents
拘束ボンディングのためのファインピッチボンディング工具Info
- Publication number
- JP2000515690A JP2000515690A JP10550600A JP55060098A JP2000515690A JP 2000515690 A JP2000515690 A JP 2000515690A JP 10550600 A JP10550600 A JP 10550600A JP 55060098 A JP55060098 A JP 55060098A JP 2000515690 A JP2000515690 A JP 2000515690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ball
- bonding
- recess
- diameter
- bonding tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4845—Details of ball bonds
- H01L2224/48451—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
- H01L2224/78302—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
エアボールの直径が変化することがあっても不変のボンデッドボール大きさを有するボールボンドを作るファインピッチ毛細管ボンディング工具が提供される。従来の形に作られたボンディング工具が作業チップ内に新規なボール拘束凹部を設けられている。エアボールが接合されるとき、エアボールは下向き力を加える肩部分を備える拘束凹部に押込められる。ボンドされているボールは可変直径のつぶれたボールを作り出すであろう横押出しなしに拘束凹部の中に垂直に押し出る。
Description
【発明の詳細な説明】
拘束ボンディングのためのファインピッチボンディング工具発明の背景
1.発明の分野
本発明は、ファインワイヤボンディングに用いられるボンディング工具に関
する。さらに詳しくいえば、本発明は、仕上がりボールボンドの大きさを限定し
、制御しながら従来の強さのボールボンドを作るのに用いられる毛細管ボンディ
ング工具に関する。
2.従来の技術の説明
毛細管ワイヤボンディング工具は、従来の技術において周知であり、国際ク
ラスHOI21/603及び米国クラス228、サブクラス1.4、4.5、1
80及びその他のサブクラスに分類されている。
自動ボールサーモソニックワイヤボンダにおいて用いられる毛細管ワイヤボン
ディング工具が特定の用途又は問題に対して設計された族又は群に標準化されて
いた。ファィンピッチボンディング工具が隣との間隔が密になっているパッドの
ボンディングを可能にするように特に設計されている。コンピュータチップなど
の半導体チップの小形化のために、チップ上の引出しパッド及びチップ上のパッ
ドのピッチ又は間隔は、絶えず小さくなる。0.08mm中心に置かれた0.0
019mm2のパッド寸法が、現在は第1ポンドを形成するように溶融又はフレ
ームオフ(炎で落す)される0.025mmのファイン金ワイヤを用いて接合さ
れている。接合を行った後の直径は、結果として生ずる接合されたボールが0.
046mmないし0.048mmの平均直径を持つように少なくとも10%増加
する。つぶされたボールボンドは、対称でなく、最大直径は、ボンディングパッ
ドの大きさを容易に超える可能性がある。ボンディング工具には、ボンディング
パッドの中心からずれたいくらかの配置誤差があるので、従来のボールボンディ
ングは、ボンディングパッドの縁にあふれるボンドを作り、接合された素子は、
受入れできなくなる。
従来技術において、拘束ボンド及び拘束ボンディングという用語は、一般にボ
ールボンディング中のボールのつぶれ出し又は横突出の量を制御することをいっ
た。従来は、この広義の術語は、また、つぶれて広がったボールが従来のつぶれ
たボールより小さい寸法のものになるように、エアボールの直径を小さくするこ
とを含んでいた。ボールの寸法比(BSR)をワイヤの2.4倍から約1.7倍
に小さくできると知られたが、ボンドのボンドされた面積を剪断強さもまた小さ
くされた。さらに、エアボールが小さすぎれば、それは、ボンディング操作の間
毛細管内の穴を詰らせる。
本発明と同じ譲受人に譲渡された米国特許第5,558,270号は、非対称
なつぶれボールを作るために開発されたボンディング工具を示して説明しており
、本明細書に参照して組入れられている。この工具は二つの面取り直径CD1及
びCD2によって定められた細長い面取り凹部を備える非対称作業面を採用して
いる。細長い面取り凹部は、長さより狭い幅であり、従って、現在の半導体チッ
プをボンディングするのによく適したつぶれたボールボンドを作る。
剪断強さを高めたより小さな対称的な接合されたボンドを作ることができるフ
ァインピッチボンディング工具を提供することが望ましいであろう。そのような
対称的工具は、回転ヘッドボンディング機より高速度で動作する従来の非回転ヘ
ッド自動金ワイヤボンディング機に用いられるであろう。発明の概要
本発明の主な目的は、寸法を変更できるエアボールから一貫して均一な寸法の
ボールボンドを作る毛細管ボンディング工具を提供することである。
本発明の主な目的は、従来のボールボンドより小さいボンド面積を有するファ
インピッチボールボンドを作るボンディング工具を提供することである。
同じ直径のファインワイヤから今まで可能であったより小さくてその上強い接
合されたボールを作る方法とボンディング工具を提供することである。
本発明の主な目的は、従来のボールボンドより小さいボンドされた面積でなお
高い剪断強度を有するボールボンドを作るボンディング工具を提供することであ
る。
本発明のもう一つの目的は、自動ワイヤボンディング機に採用できる作業チッ
プに形成された新規なボール拘束凹部を有する新規なボンディング工具を提供す
ることである。
本発明のもう一つの目的は、第1ボンドで作られた接合されたボールの直径を
制御できる新規なボンディング工具を提供することである。
本発明のこれら及びその他の目的によれば、標準のファインピッチ毛細管ボン
ディング工具がボール案内部分、ボール拘束・成形部分及びボンディング力肩部
分を備える新規な拘束凹部を備えている。ボール拘束凹部は、接合されているエ
アボールの表面が制御された横突出を備えるように、拘束ボンドされているボー
ルを凹部の中に垂直に押し出されて、凹部によって成形させるように段を付けら
れるかテーパを付けられるのが好ましい。図面の簡単な説明
図1は、従来のボトルネック・ファインピッチボンディング工具の側面図であ
る。
図2は、ボトルネック・ホンディング工具に用いられる形式のボンディング工
具の従来の二重面取り作業チップの拡大断面正面図である。
図3は、標準毛細管ボンディング工具に用いられる形式のもう一つの従来の二
重面取り作業チップの拡大正面図である。
図4は、面取り直径を超える接合直径を有するつぶれたボールボンドを示す図
3の作業チップの極拡大断面正面図である。
図5は、横ボール膨張を拘束する形式の好ましい実施例のボール拘束凹部を示
す作業チップの拡大断面正面図である。
図6は、横ボール膨張を拘束する形式の異なるボール拘束凹部を示すもう一つ
の好ましい実施例の拡大断面正面図である。
図7は、横ボール膨張を拘束する形式の異なるボール拘束凹部を示すなおもう
一つの好ましい実施例の拡大断面正面図である。
図8は、面取り直径より小さく本発明のボンディング工具とともに用いられた
拘束面取りより直径の大きいエアボールの拡大側面又は正面図である。
図9〜11は、本発明のボンディング工具で作られた三つの異なる形をした第
1ボンドの側面図であり、横膨張又はつぶれがエアボールを拘束面取り内に押し
出すことによって制御されることを示している。好ましい実施例の詳細な説明
周知の従来のボトルネック・ファインピッチボンディング毛細管10を示す図
1を参照する。チップ12のくび11は、チップが通常は、標準工具と同様の約
30度であるが、10〜15度のチップ角を備えている。くび11の縮小幅は、
米国特許第5,558,270号に説明されている接合ワイヤの隣接ループに触
れるくび11なしに密なピッチパッドで作ることをできるようにする。
次に、図2を参照すると、0.08mmほどに小さいピッチ間隔を有する半導
体上に小形パッドを接合するのに現在用いられている形式の最新技術のファイン
ピッチボンディング工具のくび11と作業面14の拡大断面正面図を示している
。この最新技術のファインピッチボンディング工具において、内部面取り13は
、90度であるのが好ましく、ファインワイヤを直径Hのワイヤ孔Hの中へ案内
するように設計された小さい度数の内部面取り角ICAと接続又は続く面取り角
CAを備えている。
0.081mmピッチで間隔をあけた0.076mmパッド上に0.053m
mの接合ボールを作るためにエアボールの寸法を約0.051mmに制御するこ
とが望ましい。この非常に微細なピッチの結果を達成するために、面取り直径C
Dより小さい極めて正確なボール寸法を保つことが必要である。過大ボールが外
側面取り13によってつぶされる場合、横押出しが生じて、つぶされたボールは
受入れできないボンドを作るパッドの側面を越えて延びることがある。エアボー
ルが小さ過ぎれば、工具の下向き運動に行き過ぎが生じ、ボンディング工具のチ
ップ縁がボンディング操作の間隣接パッドの縁まで伸びるチップ直径Tを備える
ので、ボンディング工具は、隣接ボールボンドに係合することができるであろう
。
次に、作業面14まで30度でずっと伸びるくびとチップを備える従来の二重
面取りボンディング工具の拡大断面正面図を示す図3を参照する。この工具のく
びは、図2に示されたボトルネック11より大きくて厚いが、作業面14及びそ
の中にある凹部の寸法は、図2に示されたファインピッチ工具と同じ寸法であっ
てよい。以後に説明するように、本発明は、ボンデッドボールの寸法を制御し、
剪断強度を高めるために図2及び図3に示された工具に等しく適用できる。
次に、面取り直径CD及びエアボール直径をほんのわずか超えるつぶれた直径
MDを有する最新技術のボンデッドボール15を作るのに用いられる好ましい二
重面取り形を備える従来の毛細管ボンディング工具12の拡大断面正面図を示す
図4を参照する。
従来技術に現在存在しているようなボールボンド15に伴う第1の問題が、つ
ぶれた直径MDに影響を与えるエアボールの寸法を一貫して制御する既知の方法
がないことである。第2の問題がエアボールの寸法の非制御性から生ずる。ボー
ルが予め定めた力でつぶされたとき、面取り直径(CD)の外側で起る横はみ出
しの量を制御できず、結果として接合された面積を確実に予測できないものにす
る。エアボールの寸法をワイヤテールの長さ及びにボールを作るために用いられ
る電流の大きさと時間を制御することによって制御できると一般に仮定されてい
るが、数10年の経験によってこの仮定が誤っていて世界中のメーカに損害を与
えていることが分った。本発明の考え方は、次世代の小形半導体パッドにファイ
ンピッチボンドを行って、ボンディング操作の間に変化する寸法のエアボールの
形を直して均一な接合直径の均一な再成形されたボンデッドボールを作るという
考え方てスタートするのに十分に正確にエアボールの寸法を制御できないことを
認めている。形を直されたボンドが剪断強度を高められることは完全に予測され
なかった。データを調べることによって発明者は、従来の工具チップより大きな
表面接触をエアボールとする凹んだ室の形が工具からのエアボールへのエネルギ
ーをパッドへより一様な下向き力でよりよい超音波結合を行うので、よりよいボ
ンドを作ると信じるに至った。大量製産操業において集められたデータがこれら
の理由を変えるかもしれないが、相助作用結果が既に確認されている。本発明の
主な目的を行いながら、剪断強度を10〜20%だけ大きくすることができる。
次に、作業面18にあるボール拘束凹部を有する作業チップ16の拡大断面正
面図を示す図5を参照する。この好ましい実施例は、3ステップ付部分を示して
いる。外側環状円錐19は、約40度の外側円錐角(OCA)を備え、この角は
、5ないし90度の間で変ってなおエアボールを凹部内に案内するのと横押出し
を抑制するのとの二重の機能を行うことができる。
ボール拘束部分21は、形がほぼ円筒形で接合されるべきエアボールより直径
が小さい。この部分は、この実施例では、比較的浅く示されているが、それは、
環状円錐19と組合されて次にエアボールを受けるために約15度までのほんの
わずかテーパを付けることができる。最初の二つのステップを組合せるとき、約
40〜60度の内側円錐角(ICA)を有する截頭円錐として示された上側環状
部分22は、約180度まで大きくされるのが好ましい。この上側環状円錐又は
肩22は、束縛凹部内でボンデッドボールを同時に形作りながら下向きボンディ
ング力をエアボールに加えるという主な目的に役立つ。この肩は、製作を簡単に
することにある利点を有する曲がったアール又は截頭円錐によって形成されても
よい。この形は、湾曲しているか又は直線状であってもよいし、なお光細になっ
ていてもよく、意図されたモードの動作を行うことができる。
次に、作業面18内にボール拘束凹部23を有する作業チップ16の拡大断面
正面図を示す図6を参照する。この変更実施例は、エアボールを案内し形作る截
頭円錐形の凹部であるべきボール拘束部分21’を示している。外側環状凹部1
9’は、非常に浅く、円錐形てあるか又は、外側アールとして形成されてよい。
内側環状凹部22’もまた非常に浅く、また円錐形として又は内側アールとして
形成されてもよい。
次に、作業面18内にボール拘束凹部24を有する作業チップ16の拡大断面
正面図を示す図7を参照するこの変更実施例は、凹部24内の二つの異なるステ
ップを示している。円筒形拘束部分27及び内側環状部分26は、エヤボールを
凹部の中へ案内すること及びボンディング中ボールに加える下向きの力を発生す
るというそれぞれに意図された機能を最もよく達成するように設計された円錐を
有する截頭円錐として形成されている。わずかにテーパを付けられた円筒形部分
27はなお、ボンディング中エアボールの横膨張を抑制するという機能を形成す
る。外側環状部分25は円錐又はアール付きであってもよい。
三つの好ましい実施例のボンディング工具及び凹部17、23及び24の異な
る部分によって行われる機能を説明したが、もっとほかの変更が一つ以上の工具
からのステップ部分を用いて可能であり、なお横方向に押出されない対称形ボン
ドを作ることができることを理解すべきである。さらに、接合ボールは、エアボ
ールの大きさが変動しても均一なボンドの大きさになっている。従来のボンドよ
り高い剪断強度が達成される。
次に、毛細管ボンディング工具から伸びながら、ワイヤテール28の一部分を
溶かすことによって作られたエアボール27の拡大側面又は正面図を示す図8を
参照する。ワイヤテール28に作られたボール27は、従来用いられた水素炎の
使用に代った電子フレームオフ又は(EFO)と呼ばれる高圧電子スパークによ
って作られるのが好ましい。
エアボールの大きさを(1)第2ワイヤボンドを作ってワイヤを破断した後毛
細管から伸びるワイヤテールの長さを制御すること、(2)EFOギャップ内の
電流を制御すること及び(3)EPO電流が持続する時間を制御することによっ
て制御できることが知られている。これらのパラメータは、注意深く制御されて
いても、同じ大きさのエアボールを一貫して作ることは不可能であった。この問
題を克服して高いボンド強さを達成するために少なくとも二つの代りの方法が現
在用いられている。
第1の代替の方法は、大きいほど良いということができる。エアボールが大き
なボール寸法比(BSR)で作られてボールと同じ大きさの面取り直径を有する
工具で接合された場合、ボンディング操作の間横に押し出されて、接合された面
積がそれが第1、ボンドにおけるワイヤの引張強さを超えるほと大きいので、ボ
ンドの剪断強度を7.8kg/mm2より小さくすることができる。存在する問
題は、これらのボンドを小ピッチボンディングパッド上に作れないことである。
本発明が発見された時点でのファインピッチボンドを作る技術の状態は、0.
051mmより小さいエアボールのBSRを作り、次にボールをボンディング操
作中約5.1mmの所定の大きさまて横に押出すことであった。試験がそれぞれ
0.076mm及び0.064mmの面取り直径を用いて行われた。0.051
mmより小さいエアボールは、接合されて0.051mmのボンド直径まで押出
された。剪断強度は、測定されて7.8kg/mm2及び9.75kg/mm2で
あると分り、このことはボンディングチップの作業面の下のより多くの金属を押
出すより小さい面取り直径工具がより高い剪断強度を作ることを例示している。
これらの実験は、選択された面取り直径の外側に押出された0.025mmの1
0分の2より大きい環状リングが押出し量を少なくして作られたボンドより高い
剪断強度を作ることを示した。
従来技術の教えるところと対照的に、出願人は、9.36kg/mm2より大
きい剪断強度をもった制御された直径のボールボンドを作ってつぶれたボールの
直径を横押出しのない面取り直径の大きさに制御できることを発見した。
次に、図5に示されたボンディング工具で作られた第1ボンドの形の側面図を
示す図9を参照する。図8に示されたエアボールは、1.6と1.7の間のBS
Rで作られた。つぶれたボール30の底部分29は、エアボール27の直径より
小さい領域にわたって平らにつぶされている。エアボールの下半分の一部分31
が膨張して凹部17の外側環状円錐19の形に形成する。ボール27のくびれた
部分32には、エアボール27の中間部が入る。つぶれたボールの頂部33には
、エアボール27の上部が入り、つぶれたエアボールガ凹部17の上側環状部分
によって形成されたことを示し、面取り直径の内側に下向き力を加える。つぶれ
たエアボールの最大直径は、外側円錐19を満たさないので、それは、決して面
取り直径を超えない。エアボール27に凹部17の垂直に押出ることを可能にす
ることによって、つぶれたボールの直径は、面取り直径を超えないように容易に
制御される。スカート31は、環状凹部17の形になるとともに、下向きボンデ
ィング力を加えるので、ボンディング工具の下向き運動のほかにさらに横押出し
を制限する。
次に、図6に示された形式のボンディング工具で作られた第1ボンドの形を側
面図で示した図10を参照する。この実施例においては、凹部23は、凹部23
の外側のつぶれたボール35の底部分34だけを残して形成されたエアボール2
7で満たされる。円筒形部分36は、凹部35を満たすように設計されるが、さ
らに大きい可変大きさのボールに対しては、押出されたリング37が、穴の直径
を縮小しなければ目に付き易くなる。底部分34の厚さは、エアボールの大きさ
に常に起こる変動に適応する。
次に、図7に示された形式のボンディング工具で作られた第1ボントの形を側
面図で示した図11を参照する。この実施例では、凹部24は、エアボール27
の約半分を捕える。つぶれたボール39の上側環状部分38は、図5の実施例よ
り大きい内側円錐角(ICA)で図6の実施例より小さいICAを有する。外側
環状凹部25は、案内又はアールとして働き、つぶれたボール39を整形又は形
成するように意図されていない。円筒形部分41は、図6の実施例と同様な円錐
角(CA)を有し、つぶれたボール39の頂部を形成してボンディング操作中に
それに下向きボンディング力を加えるように意図されている。
図5〜7に示された工具の変形を作ってなお拘束凹部内にへの形成及び押出し
ステップを維持できる。
適当なボンディングパラメータが同じか又は小さい接合直径を有するつぶれた
接合ボールを作るために選択されるとき、単位剪断応力を大きくすることが分る
であろう。図示のボンドを不適当なパラメータと好ましい実施例の工具を用いて
つぶれ不足又はつぶれ過ぎに作ることが可能なことが図9〜11に示された好ま
しいつぶれボールボンド形状の検査から明らかである。しかし、オーバマッシン
グが全剪断強さをほとんど増加させずにファインピッチ小面積ボンドを無効にし
、より小さな不足つぶれボンドがつぶれたボンドの直径を増加させることなく全
剪断強さを減少させてより小さいフットプリントを残す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.直径の変化するエアボールから不変の大きさのファインピッチワイヤボ ンドを作るファインピッチ毛細管ボンディング工具であって、前記工具が 接合されるべきワイヤより大きいワイヤ孔が貫通している円筒形本体と 、 前記本体の一端に付いている作業チップと、 前記作業チップにある作業面と、 前記作業面内にあるボール拘束凹部と、 を備え、前記ボール拘束凹部が前記ワイヤ孔より大きくボンドされるべきエアボ ールより小さい直径をもったほぼ円筒形に凹んだ部分を備え、 前記ボール拘束凹部がさらに、前記凹部への入口に第1ボール案内肩を 備え、なお 前記凹部の上側部分にあって前記ボール拘束凹部に形成されるエアボー ルに下向きボンディング力加えるボール拘束ボンディング肩と を備えるファィンピッチ毛細管ボンディング工具。 2.前記ボール案内肩が截頭円錐形凹こみ部分に接続されたアールを備えて いる請求項1に記載のボンディング工具。 3.前記ボール強制ボンディング肩が截頭円錐形凹こみ部分に接続されたア ールを備えている請求項1に記載のボンディング工具。 4.前記ボール拘束凹部の前記肩の各々が環状テーパ付リングを備えている 請求項1に記載のボンディング工具。 5.前記ボール拘束凹部の前記肩の少なくとも一つが截頭円錐を備えている 請求項1に記載のボンディング工具。 6.前記ボール拘束凹部及びそれに接続された前記肩が面取り直径からワイ ヤ孔まで収束している段付き凹部を形成している請求項1に記載のボンディング 工具。 7.前記ボール拘束凹部が3以上の複数の段を備えている請求項6に記載の ボンディング工具。 8.前記段が複数の截頭円錐を備えている請求項7に記載のボンディング工 具。 9.前記段が少なくとも一つのテーパ付アールを備えている請求項7に記載 のボンディング工具。 10.前記ボール拘束凹部への入口が接合されるべきエアボールの直径より大 きい面取り開口部によって画定され、ボンディングの後のつぶれたボールの直径 が前記面取り直径以下である請求項1に記載のボンディング工具。 11.前記ボール拘束凹部への入口が90度未満の円錐角を有する截頭円錐を 備えている請求項10に記載のボンディング工具。 12.前記ほぼ円筒形の凹んだ部分が15度未満の円錐角を有する截頭円錐を 備えている請求項1に記載のボンディング工具。 13.前記第1のボール案内肩が45°未満の円錐角を有する環状円錐形状を 備えている請求項1に記載のボンディング工具。 14.前記ボール強制ホンディング肩が約90度超の円錐角を有する環状円錐 形状を備える請求項1に記載のボンディング工具。 15.直径の変化するエアボールから均一なファインピッチワイヤボンドを作 る方法において、前記方法が 前記エアボールの直径より大きい開口を前記エアボールの直径より小さ い凹部室を有する毛細管ボンディング工具の作業面にボール拘束凹部を形成する 工程と、 前記エアボールをボンドし、同時に前記エアボールを前記凹部室に垂直 押出しによって押込み成形する工程と、 前記エアボールを接合し、同時に前記エアボールの直径を超えない直径 に接合されている前記エアボールの表面を横に押出す工程と を備えるエアボールから均一なファインピッチワイヤボンドを作る方法。 16.前記エアボールを前記エアボールの押しつぶされた直径を定める予め定 めた下向き力でボンドする工程を更に含む請求項15に記載の方法。 17.前記エアボールを前記凹部内で押込み成形する工程が前記凹部室内に押 出されている前記エアボールの部分の直径を縮小する工程からなる請求項15に 記載の方法。 18.異なる直径のワイヤに作られた同じ直径のエアボールをボンドするため に異なる寸法のワイヤ孔を異なる毛細管ボンディング工具に形成する工程をさら に含む請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/861,965 | 1997-05-22 | ||
US08/861,965 US5871141A (en) | 1997-05-22 | 1997-05-22 | Fine pitch bonding tool for constrained bonding |
PCT/US1998/010350 WO1998053495A1 (en) | 1997-05-22 | 1998-05-21 | Fine pitch bonding tool for constrained bonding |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000515690A true JP2000515690A (ja) | 2000-11-21 |
Family
ID=25337242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10550600A Pending JP2000515690A (ja) | 1997-05-22 | 1998-05-21 | 拘束ボンディングのためのファインピッチボンディング工具 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5871141A (ja) |
JP (1) | JP2000515690A (ja) |
KR (1) | KR20000022373A (ja) |
CN (1) | CN1223012A (ja) |
WO (1) | WO1998053495A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012238814A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6065667A (en) * | 1997-01-15 | 2000-05-23 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for fine pitch wire bonding |
JP3440190B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2003-08-25 | 株式会社新川 | ワイヤボンディング方法 |
US6165888A (en) * | 1997-10-02 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Two step wire bond process |
US6325269B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-12-04 | Toto Ltd. | Wire bonding capillary |
US6031216A (en) * | 1998-06-17 | 2000-02-29 | National Semiconductor Corporation | Wire bonding methods and apparatus for heat sensitive metallization using a thermally insulated support portion |
US6158647A (en) | 1998-09-29 | 2000-12-12 | Micron Technology, Inc. | Concave face wire bond capillary |
US20080197172A1 (en) * | 1999-02-25 | 2008-08-21 | Reiber Steven F | Bonding Tool |
US7124927B2 (en) * | 1999-02-25 | 2006-10-24 | Reiber Steven F | Flip chip bonding tool and ball placement capillary |
US20070131661A1 (en) * | 1999-02-25 | 2007-06-14 | Reiber Steven F | Solder ball placement system |
US7389905B2 (en) * | 1999-02-25 | 2008-06-24 | Reiber Steven F | Flip chip bonding tool tip |
US20060261132A1 (en) * | 1999-02-25 | 2006-11-23 | Reiber Steven F | Low range bonding tool |
US6278191B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-08-21 | National Semiconductor Corporation | Bond pad sealing using wire bonding |
US6176417B1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-01-23 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Ball bonding method on a chip |
US6244499B1 (en) * | 1999-12-13 | 2001-06-12 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof |
GB2362504A (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-21 | Pixel Fusion Ltd | Pin contacts |
GB2362036A (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-07 | Pixelfusion Ltd | Forming pin contacts to electronic devices |
AU2001248586A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-07 | Elwyn Paul Michael Wakefield | Process for forming electrical/mechanical connections |
US6729527B2 (en) * | 2001-01-30 | 2004-05-04 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Bonding tool with polymer coating |
TW515067B (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-21 | Orient Semiconductor Elect Ltd | Metal bump having higher pillar and the fabricated device thereof |
US6715658B2 (en) * | 2001-07-17 | 2004-04-06 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Ultra fine pitch capillary |
US6910612B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-06-28 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Capillary with contained inner chamfer |
US7249702B2 (en) | 2003-12-04 | 2007-07-31 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Multi-part capillary |
US7407080B2 (en) * | 2004-04-02 | 2008-08-05 | Chippac, Inc. | Wire bond capillary tip |
US7320425B2 (en) * | 2004-05-12 | 2008-01-22 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Low-profile capillary for wire bonding |
US20050275073A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for improved wire bonding |
US20070085085A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-04-19 | Reiber Steven F | Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays |
JP5595731B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2014-09-24 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク. | 仕上げが改善されたボンディングツール |
US7521284B2 (en) * | 2007-03-05 | 2009-04-21 | Texas Instruments Incorporated | System and method for increased stand-off height in stud bumping process |
WO2009148450A1 (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Kulicke And Soffa Industries, Inc. | Bonding tool with improved working face |
JP4625858B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2011-02-02 | 株式会社カイジョー | ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング制御プログラム |
US20140374467A1 (en) * | 2013-06-24 | 2014-12-25 | Jia Lin Yap | Capillary bonding tool and method of forming wire bonds |
US9093515B2 (en) * | 2013-07-17 | 2015-07-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wire bonding capillary with working tip protrusion |
JP5990343B2 (ja) * | 2014-08-18 | 2016-09-14 | オリジン電気株式会社 | 金属接合体及び金属接合体の製造方法 |
CN107275242B (zh) * | 2017-05-18 | 2020-09-29 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 劈刀结构 |
US11756919B2 (en) * | 2018-02-07 | 2023-09-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Wedge tool, bonding device, and bonding inspection method |
CN109688702A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-26 | 欣旺达电子股份有限公司 | Pcb板连接组件 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5950536A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング装置 |
US4974767A (en) * | 1988-04-25 | 1990-12-04 | Texas Instruments Incorporated | Double cone wire bonding capillary |
US5559054A (en) * | 1994-12-23 | 1996-09-24 | Motorola, Inc. | Method for ball bumping a semiconductor device |
US5558270A (en) * | 1995-01-06 | 1996-09-24 | Kulicke And Soffa Investments, Inc | Fine pitch capillary/wedge bonding tool |
-
1997
- 1997-05-22 US US08/861,965 patent/US5871141A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-21 KR KR1019980710804A patent/KR20000022373A/ko active IP Right Grant
- 1998-05-21 WO PCT/US1998/010350 patent/WO1998053495A1/en active IP Right Grant
- 1998-05-21 CN CN199898800454A patent/CN1223012A/zh active Pending
- 1998-05-21 JP JP10550600A patent/JP2000515690A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012238814A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1998053495A1 (en) | 1998-11-26 |
KR20000022373A (ko) | 2000-04-25 |
US5871141A (en) | 1999-02-16 |
CN1223012A (zh) | 1999-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000515690A (ja) | 拘束ボンディングのためのファインピッチボンディング工具 | |
US5421503A (en) | Fine pitch capillary bonding tool | |
US7500590B2 (en) | Multi-part capillary | |
KR100749691B1 (ko) | 와이어 본딩용 모세관 | |
EP0534604A1 (en) | Method of making fine-wire low-profile interconnections | |
US5938105A (en) | Encapsulated ball bonding apparatus and method | |
US4974767A (en) | Double cone wire bonding capillary | |
US6065667A (en) | Method and apparatus for fine pitch wire bonding | |
JP2004282015A (ja) | ワイヤボンディング機を用いて半導体相互接続のためのバンプを形成する方法及び装置 | |
US5662261A (en) | Wire bonding capillary | |
US6213378B1 (en) | Method and apparatus for ultra-fine pitch wire bonding | |
US9543267B2 (en) | Ultra fine pitch wedge for thicker wire | |
US6232211B1 (en) | Two-step projecting bump for semiconductor chip and method for forming the same | |
US6244499B1 (en) | Structure of a ball bump for wire bonding and the formation thereof | |
US6260753B1 (en) | Gold bumps bonding on connection pads and subsequent coining of their vertex | |
US4911350A (en) | Semiconductor bonding means having an improved capillary and method of using the same | |
US6176417B1 (en) | Ball bonding method on a chip | |
KR100334699B1 (ko) | 와이어 본딩방법 | |
JP2500655B2 (ja) | ワイヤ―ボンディング方法及びその装置 | |
KR100614281B1 (ko) | 와이어 본딩용 캐필러리 | |
KR20220008881A (ko) | 와이어 본딩 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 및 반도체 장치 | |
JP2001351934A (ja) | スタッドバンプ成形用キャピラリー | |
CN219925020U (zh) | 键合劈刀 | |
JPH088308A (ja) | ボンディング方法及び半導体装置 | |
JP2000106381A (ja) | 半導体装置の製造方法 |