JP2001350810A - 半導体装置設計用ライブラリ - Google Patents
半導体装置設計用ライブラリInfo
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Abstract
毎にばらつくことに対応できるように、最善値MIN、
通常値TYP、最悪値MAXを記憶したライブラリにお
いて、信号経路のそれら遅延値がLSIチップ内で経路
毎に個別にばらつくことにも対応できるようにする。 【解決手段】 論理合成を行うための基本ゲートなどか
らなる回路部品ライブラリ10に遅延値だけではなく遅
延値の分散(標準偏差)の値を持たせる。この分散(標
準偏差)を求めるためには、ウエハ面内のデバイスパラ
メタのばらつきのモード分離が必要で、このモード分離
にウェーブレット変換を用いる。
Description
計で使用するライブラリの構成に関する。
路セルの出力端子と該出力端子に接続された分岐先ノー
ド迄の信号伝搬の遅延時間を算出する方法において、前
記回路セルの出力端子と該出力端子に接続された各分岐
先ノード迄の配線長と、前記出力端子に接続されたRC
ネットを構成する木(トリー)の全長との比RWを算出
し、算出されたRW及び前記木の全長を用いて前記遅延
時間を算出する方法が開示されている。この際、RWの
分散V(RW)を求めたり、RWの標準偏差σを用い
て、RWをクラスタリングすることによって、前記遅延
時間を正しく算出している。
るのに使用され、前記論理回路の回路部品の信号経路毎
の遅延値を記憶するライブラリに関する。前記論理回路
の前記回路部品は、以下に図面を参照して述べるよう
に、例えば、複数入力と一つの出力を有する単位論理ゲ
ートであり、回路部品の信号経路毎の遅延値は、上記公
報の回路セルの出力端子と該出力端子に接続された分岐
先ノード迄の配線の遅延時間とは遅延対象において異な
る。また、上記公報は、半導体装置の論理回路を設計す
るのに使用されるライブラリを開示していないし、ライ
ブラリに、前記論理回路の回路部品の信号経路毎の遅延
値や該遅延値に関連する情報を入れることも開示がな
い。
の論理回路は、論理合成のソフトウエアを用いて、図1
6に示す手順で作成される。その設計手法について説明
する。
DLのようなハードウエア機能記述言語(HDL)によ
り、回路の仕様を実現する機能を記述する。Veril
og−HDLによる回路機能の記述例を図17に示す。
このHDLを、ライブラリに登録された回路部品を基に
論理合成すると図18のようになる。
本論理ゲートやレジスタや加算器のような基本的な機能
を持つマクロ等の回路部品からなる。論理合成ソフトウ
エアは、ライブラリの中から回路部品を選び、HDLで
記載された機能を持つ回路を合成する。この論理合成に
おいては、単にHDLで記述された論理を実現するだけ
ではなく、回路速度や回路面積等が同時に最適化できる
ようになっている。
る従来のライブラリ10’のNANDゲートとその遅延
を記述した部分を示す。このライブラリ10’には、N
ANDゲートの信号経路毎に遅延の最善値MIN、通常
値TYP、及び最悪値MAXが記憶されている。このよ
うに各回路部品の速度遅延値は、負荷状況に応じて決ま
っており、論理合成ソフトウエアは、回路部品を選択す
る際にHDLで記述された論理を見たす中で、最小の遅
延時間になるように回路部品を選ぶように実行時に設定
できるようになっている。
ストチップの測定で得られたトランジスタしきい値(V
th)などのデバイスパラメタの分布から、デバイスパ
ラメタの最悪値(MAX)、最善値(MIN)、通常値
(TYP)等が決定され、それらを基に行われる回路シ
ミュレーションにより、回路部品の遅延値の最悪値(M
AX)、最善値(MIN)、通常値(TYP)などが決
定される。それら決定された値はライブラリに記憶され
る。
で、回路の信号遅延時間ではなく、回路の面積を最小に
するように論理合成ソフトウエアを設定して実行するこ
とも可能である。
設計では、回路部品の遅延のばらつきは最善値、最悪値
としてライブラリに含まれている。最悪値というのは、
これ以上の遅延をとりうる確率が約0.1%以下である
ように設定されていることが多い。このような設定の方
法は、一般に「3σ」と呼ばれており、正規分布におい
ては、平均から標準偏差σの3倍以上離れた値をとる確
率が0.1%以下であることから来ている。
各々独立な事象であるとすれば、最悪値をとる回路部品
(例えばゲート)が連続して現れることはまれである。
したがって、論理合成の際に回路部品の段数が大きいも
のは、LSIにした時に実際に一定の確率で得られる遅
延よりも大きく評価しているという問題があった。
す。この例の場合、平均の1段当たりの遅延を100p
s、3σを10psと仮定している。各インバータが完
全に独立に正規分布でばらついているとすると独立事象
の正規分布が足し合わされた分布の分散は、各分布の分
散の和で表現できる。ライブラリに最悪値として登録さ
れた3σの値を使用して見積もった最悪値は550ps
になっているが、正規分布の場合、分散は標準偏差の2
乗なので、ばらつき分50psは√5倍の過剰見積もり
となっている。この問題は、「CMOS超LSIの設
計」飯塚哲也編1989年倍風館発行の149〜150
ページにも指摘されている。
値がLSIチップ毎にばらつくことは、MIN、TY
P、MAXで考慮されているが、信号経路の遅延値がL
SIチップ内で経路毎に個別にばらつくことが考慮され
ていないため、ライブラリに規定されている遅延値を足
しあわせて、一番遅い信号経路を高速化することが遅延
の最適化であった。しかしながら、実際のLSIでは、
信号経路の遅延値がLSIチップ内で経路毎に個別にば
らつくため、上述の方法は最適化には当たらない。この
ことを、図22を用いて説明する。尚、以下は0.1n
s刻みで議論を行なう。
理合成ソフトウエアが合成したとする。5.1nsが1
本と4.9nsが999本となるような回路(a)案と
全ての経路が5.0nsとなるような回路(b)案とが
内部で発生したときに、論理合成ソフトウエアは最善方
法として、(a)案を選択する。しかし、すべての経路
が3σで0.2nsのばらつきを持つとすると(a)案
の回路は、ほぼすべての半導体装置の上で少なくとも1
つの経路が5.2nsとなるのに対して、(b)案の回
路では半分以上の半導体装置において遅延値が5.1n
sの回路として動作することになる。
路は、信号経路の遅延値のLSIチップ内でのばらつき
が大きいことを考慮すると、必ずしも最適な回路ではな
いという問題があった。その解決のためには、半導体装
置の回路部品のチップ内でのばらつきの性質を把握する
必要があったが、良い方法が存在していなかった。一方
で、半導体装置の設計ルールの縮小により、デバイスパ
ラメタのばらつきが増加してきた。
の半導体装置に対する最適な論理を出力する論理合成の
ソフトウエアと、そのためのライブラリの構成を得るこ
と、及びそのライブラリを作成するためのデータを測定
データから抽出する方法を提供することであり、ひいて
はそのソフトウエアを利用して、より高速なLSIを製
造することである。
れば、半導体装置の論理回路を設計するのに使用され、
前記論理回路の回路部品の信号経路毎の遅延値を記憶し
ているライブラリにおいて、前記回路部品の信号経路毎
の前記遅延値のばらつきの標準偏差(σCHI P或いは
σTR)もしくは分散(ばらつきが正規分布ならば標準
偏差=√(分散)の関係にある。)を、更に記憶してい
ることを特徴とする半導体装置設計用ライブラリが得ら
れる。
態様による半導体装置設計用ライブラリにおいて、前記
回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの標準偏
差もしくは分散は、論理合成の結果ウエハ面内に得られ
る前記論理回路のウエハ面内の場所に依存した、前記回
路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきのウエハ面
内場所依存成分の標準偏差もしくは分散であることを特
徴とする半導体装置設計用ライブラリが得られる。
態様による半導体装置設計用ライブラリにおいて、前記
回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの前記ウ
エハ面内場所依存成分の標準偏差もしくは分散は、論理
合成の結果ウエハ面内に得られる前記論理回路の占有面
積もしくは1辺の長さに依存した前記ウエハ面内場所依
存成分の標準偏差もしくは分散であることを特徴とする
半導体装置設計用ライブラリが得られる。
態様による半導体装置設計用ライブラリにおいて、前記
回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの標準偏
差もしくは分散は、論理合成の結果ウエハ面内に得られ
る前記論理回路のウエハ面内の場所に依存しない、前記
回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきのランダ
ム成分の標準偏差もしくは分散であることを特徴とする
半導体装置設計用ライブラリが得られる。
の論理回路を設計するのに使用される半導体装置設計用
ライブラリであって、前記論理回路の回路部品の信号経
路毎の遅延値と、前記回路部品の信号経路毎の前記遅延
値のばらつきの標準偏差もしくは分散とを有する半導体
装置設計用ライブラリを記録したコンピュータ読み取り
可能な記録媒体であって、前記半導体装置設計用ライブ
ラリを使用して前記論理回路の論理合成を行なう論理合
成処理をコンピュータに実行させるためのプログラム
(論理合成ソフトウエア)をも記録した記録媒体が得ら
れる。
の論理回路を設計するのに使用される半導体装置設計用
ライブラリであって、前記論理回路の回路部品の信号経
路毎の遅延値と、前記回路部品の信号経路毎の前記遅延
値のばらつきの分散とを有する半導体装置設計用ライブ
ラリを作成するステップと、前記半導体装置設計用ライ
ブラリを使用して前記論理回路の論理合成を行なうステ
ップとを有することを特徴とする半導体装置の設計方法
が得られる。
態様による半導体装置の設計方法において、各信号経路
の遅延値の分散を遅延値の平均とは独立して計算し、最
後に予定歩留まりに応じた一定の係数をかけてから分散
の平方根と足し合わせ、信号経路の遅延値の最大値とす
るステップを含むことを特徴とする半導体装置の設計方
法が得られる。
態様による半導体装置の設計方法において、論理合成を
実施する設計単位の複数の信号経路について、信号経路
の遅延値の分散を遅延値の平均とは独立に計算し、各々
の信号経路の遅延値の分布をもとめ、最適化の際にその
複数の信号経路の遅延値の分布を組み合わせて作った評
価関数を基にして論理合成の最適化を行うステップを含
むことを特徴とする半導体装置の設計方法が得られる。
の論理回路を設計するのに使用される半導体装置設計用
ライブラリであって、前記論理回路の回路部品の信号経
路毎の遅延値と、前記回路部品の信号経路毎の前記遅延
値のばらつきのウエハ面内場所依存成分の分散と、前記
回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきのランダ
ム成分の分散とを有する半導体装置設計用ライブラリを
作成する方法であって、設計すべき前記半導体装置のデ
バイスパラメタを前記ウエハ面内場所依存成分と前記ラ
ンダム成分にウェーブレット変換によって分離し、前記
分散を求めることを特徴とする半導体装置設計用ライブ
ラリの作成方法が得られる。
の態様による半導体装置設計用ライブラリの作成方法に
おいて、前記ウェーブレット変換における前記ウエハ面
内場所依存成分と前記ランダム成分との分離の判定に、
ウェーブレット係数の変換レベル依存性を利用すること
を特徴とする半導体装置設計用ライブラリの作成方法が
得られる。
0の態様による半導体装置設計用ライブラリの作成方法
において、前記ウェーブレット変換はハール関数で行う
ことを特徴とする半導体装置設計用ライブラリの作成方
法が得られる。
の態様による半導体装置設計用ライブラリの作成方法に
おいて、前記ウェーブレット変換は、測定不可能な場所
のデータを、全体の平均値、もしくは、近隣のデータの
平均値で補うことを特徴とする半導体装置設計用ライブ
ラリの作成方法が得られる。
単位論理ゲート等の回路部品の遅延値のばらつきのラン
ダム成分の標準偏差もしくは分散を構成要素の一つとす
るので、ばらつきが大きい製造プロセスを使用した半導
体装置においても、最適な回路に近い回路を得る設計を
行なうことができる。
ラリは、論理合成の結果得られる回路部品の占有面積も
しくは1辺の長さに依存した回路部品の遅延値のばらつ
きの標準偏差もしくは分散を構成要素の一つとするの
で、特に非同期回路において、実際の半導体装置におけ
る最適な回路に近い回路を得る設計を行なうことができ
る。
ラリの作成方法においては、トランジスタの閾値のよう
な回路設計に利用されるデバイスパラメタをウエハ面内
依存成分とランダムばらつき成分に分離するのにウェー
ブレット変換を使用するので、複雑な半導体プロセスに
よって生じたデバイスパラメタのばらつきに対してもば
らつき成分のモード分解を行なうことができる。
ウエア或いは本発明による半導体装置の設計方法では、
上述のようなばらつきを含んだ設計用ライブラリを使用
して論理合成を行なうので、実際の半導体装置において
最適な回路に近い回路を論理合成の結果として得ること
ができる。
おいては、信号経路の遅延の分散を遅延の平均とは独立
して計算し、最後に予定歩留まりに応じた一定の係数を
かけてから分散の平方根と足し合わせ、信号経路の遅延
の最大値とするので、計算量を抑えつつ、実際の半導体
装置において最適な回路に近い回路を得ることができ
る。
おいては、論理合成を実施する設計単位の複数の信号経
路について、信号経路の遅延値の分散を遅延値の平均と
は独立に計算し、各々の信号経路の遅延値の分布をもと
め、最適化の際にその複数の信号経路の遅延値の分布を
組み合わせて作った評価関数を基にして論理合成の最適
化を行うので、より正確に実際の半導体装置において最
適な回路に近い回路を得ることができる。
ラリの作成方法は、ばらつきの成分分離の判定に、ウェ
ーブレット係数の変換レベル依存性を利用するので、よ
り正確に分離点を定めることができる。
ラリの作成方法は、ウェーブレット変換として、ハール
関数を使用するので、ばらつきのモード分離と同時にウ
エハ内場所依存モードのばらつきのチップサイズ依存性
を計算することができる。
ラリの作成方法は、ウェーブレット変換時に、測定不可
能な場所のデータを平均値で補うので、ウエハのような
円形に近い形をしたデータや一部欠けたデータでもウェ
ーブレット変換を行なうことができる。
トウエアを利用して設計された半導体装置は従来の半導
体装置よりも高性能なものであり、これらを利用すると
より高性能なシステムを作成することができる。
を参照して説明する。
設計用ソフトウエアで使用されるライブラリ10が示さ
れている。このライブラリ10は、図19のライブラリ
に、σTR及びσCHIPが付加的に記憶されたものに
等価である。シリコンウエハ間やロット間のばらつき
は、最善値(MIN)、最悪値(MAX)、標準値(T
YP)という形式で表わされている。
均一ではない。このことが原因で生じているウエハ内の
場所依存によるばらつきはσCHIPという形で入って
おり、ライブラリを使用して作成する回路の占有面積の
1辺rに対する関数(この関数は後に例示する。)とな
っている。場所依存のばらつき成分は、回路の占有面積
が大きくなるほど大きくなる。このσCHIPのrにウ
エハサイズを代入するとウエハ全面に回路を作成した時
の分布の標準偏差になる。一方、ウエハ内の場所に依存
しないランダムばらつきはσTRという形で表わせられ
ている。
(分散)であるので、図1のライブラリに、標準偏差σ
TR及びσCHIPの代りに、(σTR)2及び(σ
CHIP)2を分散として記憶させても良い。
0は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体に記録さ
れると共に、図1のライブラリ10を使用して論理回路
の論理合成を行なう論理合成処理を、前記コンピュータ
に実行させるためのプログラム(論理合成ソフトウエ
ア)も、前記記録媒体に記録される。
ブラリ10に追加された情報のつかいかたを説明する。
図2に同期回路の論理合成の為の評価関数の式を示す。
この場合、σCHIPは平均値の一部として扱う。平均
値とランダムばらつきの標準偏差σTRは信号経路毎に
別々に足し合わされ、各々の信号経路の分布関数となる
(この分布関数の累積関数が図2のGj(x;y,z)
である。)。他の経路(Gj(t;ΣTPD+mΣσ,
√(Σσ))がその経路(1−Gk(t;ΣTPD+mΣ
σ,√(Σσ)))より速くなる確率をかけて全て足しあ
わせたものが、回路最適化の為の評価関数となる。この
評価関数PCIR(t)は、全ての経路の中で一番遅い
経路の遅延時間がtであることの確率密度を示してい
る。
(a)及び(b)に対する評価関数をそれぞれ図3の
(a)及び(b)に示す。図3において、5.2ns以
下になる確率は、(b)案では約25%であるが、
(a)案では約97%となる。したがって、従来の論理
合成ソフトウエアでは(a)案が無条件で選ばれてい
た。
する論理合成ソフトウエアを使うときに、条件として9
0%以上の歩留まりで速くすることが設定されている場
合には、(a)案が選ばれることになる。逆に、この合
成する回路は5.4ns以下ならば速度は速くなくても
良いということであれば、分布の裾が短く、少しでも高
い歩留まりが期待される(b)案が選択される。
ジスタの内容は同期されているので、レジスタからレジ
スタまでの信号は、どのような順番で到達しても回路機
能に障害はでない。しかし、非同期の回路では信号の伝
播の順番が入れ替わるとレジスタの内容が変化する可能
性があるため、σCHIPはばらつきとして考慮され
る。非同期回路は、論理合成ソフトウエアをもちいて設
計されるわけではないが、回路を作ってから信号の順番
が守られているかどうかをライブラリ部品を用いた論理
シミュレーションでチェックすることがある。このよう
なときに、σCH IPを使用することができる。2つの
信号経路の差分は、図4のように表わされる。
確に計算するのは時間がかかるので、本発明の別の論理
合成ソフトウエアでの計算式を図5に示す。この式は、
信号経路の数が論理合成結果に影響を与えるほどは多く
ないことを仮定し、各々の経路の計算のみにばらつきの
効果を導入して、その結果どうしを比較するとしたとき
の一つの経路の計算方法を示している。
ブラリに導入するためには、まずはデバイスパラメタの
ばらつきの成分を分離しなければならない。しかし、半
導体プロセスは複雑であり、色々な要素が絡み合ってい
るため、ウエハ面内場所依存性を単純な関数に記述する
ことは困難である。そこで、最近、画像処理や信号処理
で良く用いられるウェーブレット変換を利用して、ウエ
ハ上のデバイスパラメタの分布データから、ウエハ内場
所依存成分(画像処理における画像に相当)とトランジ
スタ単体ばらつき成分(画像処理のノイズに相当)を分
離する。
正規直交関数を積分核とした変換であり、フーリエ変換
との違いは三角関数のような周期関数を用いるのではな
く、局所的な関数を用いて変換するところである。ここ
では例としてハール関数による変換を行う。ハールウェ
ーブレット変換は、平均化によって画像の解像度を落す
ことと隣接信号の差分の抽出とを同時に行ない、それを
繰り返すことに相当する。ウェーブレット変換を一般的
に表わすと図6のようになり、ハール関数は図7に示
す。
トランジスタ閾値の測定値である。16x16のマトリ
ックスに並べるために隙間を平均値で埋めてから、ハー
ルウェーブレット変換を行う。ウェーブレット変換には
2の倍数の正方格子である必要があるので、この例では
このような方式をとっている。平均値で埋めることによ
り、高いレベルのウェーブレット係数に影響が出ないよ
うにしている。ただし、製造上のトラブルにより、測定
できないチップがあり隙間が生じたような場合は、近接
のチップの値の平均で埋められる。
変換を4レベル(4回)行ったものである。変換を行う
たびに差分として抽出された部分が右下の3/4の部分
に配置されていく。最後に残った左上の部分が平均値に
なる。
エハ内場所依存ばらつき(画像処理で言えば画像)と
し、変換係数の小さいものをランダムばらつき(画像処
理で言えばノイズ)と考えることにする。変換係数の大
きさでデータを分解する手法は画像処理では一般的な手
法である。今、ランダムばらつきは正規分布と仮定す
る。正規分布をハールウェーブレット変換すると変換係
数の絶対値の平均は、レベルの低いもの(高周波成分)
が大きく、次のレベルの2倍になる。これは平均化のた
めに正規分布を4個足しあわせると標準偏差が2倍にな
るためである。そこで、今回は変換係数の大小を比較す
るときには、図9に示すような各々のレベルに応じた重
みをつけたものを使用する。
変換係数の2乗平均を調べる。分離された残りの分布が
正規分布であれば、図10のような関係が成り立ってい
るので、図11のようにプロットしたとき、傾きが−1
になるはずである。このようなウェーブレット係数のレ
ベル依存は、他のウェーブレット変換(例えばドベシィ
ウェーブレット変換など)にも存在する。
係数を分離した残りの分布が傾きも−1に近く、しかも
レベル0から2までの変換係数の2乗平均の平方根(R
MS)が直線に載っている。
のような手法で特定した8%分離のポイントでは、ウエ
ハ面内ばらつき成分の標準偏差が19.3mV、ランダ
ムばらつき成分の標準偏差は7.5mVとなる。図12
にもとの測定データと上位8%のウェーブレット係数を
再構成したデータを等高線図で示した。
り、複雑な半導体装置の製造プロセスにおいても場所依
存のモードを分離できている。ここではトランジスタ閾
値について説明したばらつきのモード分離の手法はウエ
ハ上の別のデバイスパラメタ(配線容量、拡散層容量、
など)にも適用できるので、それらを使って回路シミュ
レーションを行なうことにより、回路部品のばらつきの
モード分離ができるようになる。
て、ウェーブレット係数から求める方法に付いて示す。
チップサイズがある程度大きくなると(ウエハサイズに
なると)飽和し、チップサイズが0のときに0となるよ
うな簡単な関数形として、図13の式を仮定する。
ウェーブレット係数の2乗平均の平方根は、閾値データ
を測定したテストチップの隣接間の平均ばらつきを示し
ているので、テストチップ内分布の標準偏差と考えて良
い。1辺が2倍、面積で4倍のチップサイズのチップ内
ばらつきの標準偏差も同様に求まり、図14のように表
わすことができる。これらをプロットしたのが図15で
ある。図13で仮定した式どおりに直線に乗っており、
パラメタA、Bが求めることができる。この計算方式
は、ハールウェーブレット変換のウェーブレット係数が
隣接データ間の差分であることを利用したものである。
論理合成した回路が製造における最適な回路により近づ
くので、高性能な半導体装置を得ることができる。本発
明は上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範
囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明ら
かである。
ある。
式を示した図である。
る前記評価関数の差を説明するための図である。
た場合の2つの信号経路間の差分を表わす式を示した図
である。
式を示した図である。
した図である。
ある。
と測定値がない場所を平均値で埋めて得られた16x1
6の行列データと該行列データをウェーブレット変換し
た結果とを示した図である。
るものを示した図である。
たときに成立するウェーブレット係数の2乗平均のレベ
ル依存性を示す式を示した図である。
レット係数の2乗平均のレベル依存性を説明するための
図である。
レット係数を再構成した後のデータの等高線図である。
イズ依存性を表わすための式を示した図である。
平均を足しあわせて、ばらつきのウエハ内場所依存成分
のチップサイズ依存性を求める式を示した図である。
ィッティングした図である。
した図である。
の例を示した図である。
る部分情報が記憶された従来のライブラリを示す図であ
る。
遅延値の計算を説明するための図である。
案の信号経路の遅延値の分布を例示した図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体装置の論理回路を設計するのに使
用され、前記論理回路の回路部品の信号経路毎の遅延値
を記憶しているライブラリにおいて、前記回路部品の信
号経路毎の前記遅延値のばらつきの標準偏差もしくは分
散を、更に記憶していることを特徴とする半導体装置設
計用ライブラリ。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置設計用ライ
ブラリにおいて、 前記回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの標
準偏差もしくは分散は、論理合成の結果ウエハ面内に得
られる前記論理回路のウエハ面内の場所に依存した、前
記回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきのウエ
ハ面内場所依存成分の標準偏差もしくは分散であること
を特徴とする半導体装置設計用ライブラリ。 - 【請求項3】 請求項2に記載の半導体装置設計用ライ
ブラリにおいて、 前記回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの前
記ウエハ面内場所依存成分の標準偏差もしくは分散は、
論理合成の結果ウエハ面内に得られる前記論理回路の占
有面積もしくは1辺の長さに依存した前記ウエハ面内場
所依存成分の標準偏差もしくは分散であることを特徴と
する半導体装置設計用ライブラリ。 - 【請求項4】 請求項1に記載の半導体装置設計用ライ
ブラリにおいて、 前記回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの標
準偏差もしくは分散は、論理合成の結果ウエハ面内に得
られる前記論理回路のウエハ面内の場所に依存しない、
前記回路部品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきのラ
ンダム成分の標準偏差もしくは分散であることを特徴と
する半導体装置設計用ライブラリ。 - 【請求項5】 半導体装置の論理回路を設計するのに使
用される半導体装置設計用ライブラリであって、前記論
理回路の回路部品の信号経路毎の遅延値と、前記回路部
品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの標準偏差もし
くは分散とを有する半導体装置設計用ライブラリを記録
したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、 前記半導体装置設計用ライブラリを使用して前記論理回
路の論理合成を行なう論理合成処理をコンピュータに実
行させるためのプログラムをも記録した記録媒体。 - 【請求項6】 半導体装置の論理回路を設計するのに使
用される半導体装置設計用ライブラリであって、前記論
理回路の回路部品の信号経路毎の遅延値と、前記回路部
品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきの分散とを有す
る半導体装置設計用ライブラリを作成するステップと、 前記半導体装置設計用ライブラリを使用して前記論理回
路の論理合成を行なうステップとを有することを特徴と
する半導体装置の設計方法。 - 【請求項7】 請求項6に記載の半導体装置の設計方法
において、各信号経路の遅延値の分散を遅延値の平均と
は独立して計算し、最後に予定歩留まりに応じた一定の
係数をかけてから分散の平方根と足し合わせ、信号経路
の遅延値の最大値とするステップを含むことを特徴とす
る半導体装置の設計方法。 - 【請求項8】 請求項6に記載の半導体装置の設計方法
において、論理合成を実施する設計単位の複数の信号経
路について、信号経路の遅延値の分散を遅延値の平均と
は独立に計算し、各々の信号経路の遅延値の分布をもと
め、最適化の際にその複数の信号経路の遅延値の分布を
組み合わせて作った評価関数を基にして論理合成の最適
化を行うステップを含むことを特徴とする半導体装置の
設計方法。 - 【請求項9】 半導体装置の論理回路を設計するのに使
用される半導体装置設計用ライブラリであって、前記論
理回路の回路部品の信号経路毎の遅延値と、前記回路部
品の信号経路毎の前記遅延値のばらつきのウエハ面内場
所依存成分の分散と、前記回路部品の信号経路毎の前記
遅延値のばらつきのランダム成分の分散とを有する半導
体装置設計用ライブラリを作成する方法であって、 設計すべき前記半導体装置のデバイスパラメタを前記ウ
エハ面内場所依存成分と前記ランダム成分にウェーブレ
ット変換によって分離し、前記分散を求めることを特徴
とする半導体装置設計用ライブラリの作成方法。 - 【請求項10】 請求項9に記載の半導体装置設計用ラ
イブラリの作成方法において、 前記ウェーブレット変換における前記ウエハ面内場所依
存成分と前記ランダム成分との分離の判定に、ウェーブ
レット係数の変換レベル依存性を利用することを特徴と
する半導体装置設計用ライブラリの作成方法。 - 【請求項11】 請求項10に記載の半導体装置設計用
ライブラリの作成方法において、 前記ウェーブレット変換はハール関数で行うことを特徴
とする半導体装置設計用ライブラリの作成方法。 - 【請求項12】 請求項9に記載の半導体装置設計用ラ
イブラリの作成方法において、 前記ウェーブレット変換は、測定不可能な場所のデータ
を、全体の平均値、もしくは、近隣のデータの平均値で
補うことを特徴とする半導体装置設計用ライブラリの作
成方法。
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