JP2001345284A - レーザアニールｉｎ−ｓｉｔｕ膜質評価装置 - Google Patents
レーザアニールｉｎ−ｓｉｔｕ膜質評価装置Info
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- JP2001345284A JP2001345284A JP2000169047A JP2000169047A JP2001345284A JP 2001345284 A JP2001345284 A JP 2001345284A JP 2000169047 A JP2000169047 A JP 2000169047A JP 2000169047 A JP2000169047 A JP 2000169047A JP 2001345284 A JP2001345284 A JP 2001345284A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】非晶質膜のレーザアニール過程における微小部
のラマンスペクトルを高感度に測定可能にする。 【解決手段】対物レンズに穴を穿ち、穴を通してエキシ
マレーザ光を膜に照射すると同時に、この対物レンズに
よりＹＡＧレーザ光を試料に集光照射してラマン光を収
集する。
のラマンスペクトルを高感度に測定可能にする。 【解決手段】対物レンズに穴を穿ち、穴を通してエキシ
マレーザ光を膜に照射すると同時に、この対物レンズに
よりＹＡＧレーザ光を試料に集光照射してラマン光を収
集する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】近年各種半導体素子におけ
る、結晶シリコン等の薄膜の形成プロセスとして、非晶
質薄膜にエキシマレーザ等を照射してアニールする方法
が多く用いられている。本プロセスにおいて作成された
膜の導電率等の特性を向上させるには、アニール条件を
最適に設定することが必要である。本発明はレーザアニ
ール時の膜の状態変化をｉｎ−ｓｉｔｕにモニタする手
段を提供するものであり、膜特性の向上に寄与するもの
である。
る、結晶シリコン等の薄膜の形成プロセスとして、非晶
質薄膜にエキシマレーザ等を照射してアニールする方法
が多く用いられている。本プロセスにおいて作成された
膜の導電率等の特性を向上させるには、アニール条件を
最適に設定することが必要である。本発明はレーザアニ
ール時の膜の状態変化をｉｎ−ｓｉｔｕにモニタする手
段を提供するものであり、膜特性の向上に寄与するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザによる半導体薄膜の結晶
化過程をモニタする手法として、A. Compaan "Time Res
olved Raman Studies of Laser−excited Semiconducto
rs" (NATO ASI Series, E, Applied Sciences, '83: N
o.6)に記載のものがある。
化過程をモニタする手法として、A. Compaan "Time Res
olved Raman Studies of Laser−excited Semiconducto
rs" (NATO ASI Series, E, Applied Sciences, '83: N
o.6)に記載のものがある。
【０００３】これはアニール用レーザ光としてＹＡＧレ
ーザの２倍波（５３２ｎｍ）を用いている。このレーザ
光の照射から、ある遅延時間をおいて窒素レーザ励起の
色素レーザ光（４０５ｎｍ）を照射することでラマン光
を発生させている。このラマン光の強度を測定すること
で、アニール時の温度を求めるものである。
ーザの２倍波（５３２ｎｍ）を用いている。このレーザ
光の照射から、ある遅延時間をおいて窒素レーザ励起の
色素レーザ光（４０５ｎｍ）を照射することでラマン光
を発生させている。このラマン光の強度を測定すること
で、アニール時の温度を求めるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記公知例では、アニ
ール用レーザ光の照射光学系、ラマン光測定用レーザ光
の照射光学系、及びラマン光の検出光学系は互いに試料
に対して異なる角度で配置されている。ところが、この
光学配置では各光学系の対物レンズの開口数を大きくで
きない。このため、ラマン光の検出効率が低下する問題
がある。Ｓ／Ｎの良い信号を得るためには、測定時間を
長くするか、ラマン光測定用レーザ光の強度を大きくす
れば良いが、前者は短時間に多くの試料を測定すること
ができず、後者はラマン光測定用レーザ光が試料に化学
的変化を与えるおそれがある。また、レーザ光のスポッ
ト径を小さくできないため、微小部における結晶化状態
を測定することもできない。
ール用レーザ光の照射光学系、ラマン光測定用レーザ光
の照射光学系、及びラマン光の検出光学系は互いに試料
に対して異なる角度で配置されている。ところが、この
光学配置では各光学系の対物レンズの開口数を大きくで
きない。このため、ラマン光の検出効率が低下する問題
がある。Ｓ／Ｎの良い信号を得るためには、測定時間を
長くするか、ラマン光測定用レーザ光の強度を大きくす
れば良いが、前者は短時間に多くの試料を測定すること
ができず、後者はラマン光測定用レーザ光が試料に化学
的変化を与えるおそれがある。また、レーザ光のスポッ
ト径を小さくできないため、微小部における結晶化状態
を測定することもできない。
【０００５】もし、上記３つの光学系で対物レンズを共
用すれば、開口数を大きくすることが可能である。とこ
ろが実際上アニール用レーザ光はエキシマレーザなどの
紫外光、ラマン光測定用レーザ光及びラマン光は可視光
のことが多い。この波長の違いにより、レンズ等光学部
品の透過率や焦点距離が大きく異なってしまい、光強度
や結像性能が低下する。
用すれば、開口数を大きくすることが可能である。とこ
ろが実際上アニール用レーザ光はエキシマレーザなどの
紫外光、ラマン光測定用レーザ光及びラマン光は可視光
のことが多い。この波長の違いにより、レンズ等光学部
品の透過率や焦点距離が大きく異なってしまい、光強度
や結像性能が低下する。
【０００６】また他の問題として、一般にラマン光の測
定では、Ｓ／Ｎの良い信号を得るためにレーザ光を多く
の回数試料に照射して積算を行う必要がある。ところ
が、レーザ光照射毎に試料の状態は変化していくため、
例えば１回目のレーザ照射時の状態だけを捉えることが
できない。上記公知例ではこれの解決法については述べ
られていない。
定では、Ｓ／Ｎの良い信号を得るためにレーザ光を多く
の回数試料に照射して積算を行う必要がある。ところ
が、レーザ光照射毎に試料の状態は変化していくため、
例えば１回目のレーザ照射時の状態だけを捉えることが
できない。上記公知例ではこれの解決法については述べ
られていない。
【０００７】本発明は、第１に、対物レンズの開口数を
大きくする手段を提供し、ラマン光の検出効率を向上さ
せ、レーザ光の強度を小さくしても短時間に測定を可能
にし、また微小部の測定も可能にするものである。
大きくする手段を提供し、ラマン光の検出効率を向上さ
せ、レーザ光の強度を小さくしても短時間に測定を可能
にし、また微小部の測定も可能にするものである。
【０００８】また第２に、レーザ光の１回１回の照射毎
の状態を分離して捉える手段を提供するものである。
の状態を分離して捉える手段を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記第１の課題を解決す
るため、本発明では、アニール用レーザ光の照射光学
系、ラマン光測定用レーザ光の照射光学系、及びラマン
光の収集光学系を同心円に配置したものとした。例とし
て、対物レンズに貫通穴を穿ち、紫外光は貫通穴を通し
て、可視光は対物レンズを通して照射する構成とするこ
とで解決可能である。他の手段としては、顕微鏡の暗視
野対物レンズを用いて、内側と外側のレンズ系を用いる
ことで可能である。また更に別の手段としては、紫外光
から可視光まで透過可能な対物レンズを用い、アニール
用レーザ光、ラマン光測定用レーザ光、及びラマン光の
光路中に補正光学系を設けて、おのおのの波長の違いに
よる焦点位置の違いを補正することでも解決可能であ
る。
るため、本発明では、アニール用レーザ光の照射光学
系、ラマン光測定用レーザ光の照射光学系、及びラマン
光の収集光学系を同心円に配置したものとした。例とし
て、対物レンズに貫通穴を穿ち、紫外光は貫通穴を通し
て、可視光は対物レンズを通して照射する構成とするこ
とで解決可能である。他の手段としては、顕微鏡の暗視
野対物レンズを用いて、内側と外側のレンズ系を用いる
ことで可能である。また更に別の手段としては、紫外光
から可視光まで透過可能な対物レンズを用い、アニール
用レーザ光、ラマン光測定用レーザ光、及びラマン光の
光路中に補正光学系を設けて、おのおのの波長の違いに
よる焦点位置の違いを補正することでも解決可能であ
る。
【００１０】また上記第２の課題を解決するため、本発
明では、ラマン光測定中に試料を移動するような構成と
した。ここでレーザ光のスポット系は移動のステップよ
り小さくした。
明では、ラマン光測定中に試料を移動するような構成と
した。ここでレーザ光のスポット系は移動のステップよ
り小さくした。
【００１１】対物レンズに穴を開ける方式では、開口数
０．９程度の対物レンズに穴を開ければ良いので、十分
なラマン光検出効率を得ることができる。また、暗視野
対物レンズを用いる方式では、外側をアニール用レーザ
光、内側をラマン光測定用レーザ光に用いる。開口数
０．９程度の対物レンズを用いれば、十分なラマン光検
出効率を得ることができる。紫外光から可視光まで透過
可能な対物レンズを用いてもやはり開口数０．９程度と
して十分な感度を得ることができる。
０．９程度の対物レンズに穴を開ければ良いので、十分
なラマン光検出効率を得ることができる。また、暗視野
対物レンズを用いる方式では、外側をアニール用レーザ
光、内側をラマン光測定用レーザ光に用いる。開口数
０．９程度の対物レンズを用いれば、十分なラマン光検
出効率を得ることができる。紫外光から可視光まで透過
可能な対物レンズを用いてもやはり開口数０．９程度と
して十分な感度を得ることができる。
【００１２】また、レーザ光の照射毎に試料を移動し、
常に新鮮な個所をレーザ光照射位置に合わせることによ
り、１パルス目のレーザ光を照射したときの膜の状態だ
けを観測することができ、またこのデータを積算するこ
とで、十分なＳ／Ｎを得ることができる。
常に新鮮な個所をレーザ光照射位置に合わせることによ
り、１パルス目のレーザ光を照射したときの膜の状態だ
けを観測することができ、またこのデータを積算するこ
とで、十分なＳ／Ｎを得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】（実施例１）以下本発明の実施の
形態を図１により説明する。１は基板、２は非晶質薄
膜、３は対物レンズ、４は貫通穴、５は穴明き鏡、６は
レンズ系、７はエキシマレーザ光、７ａはエキシマレー
ザ光源、８はＹＡＧレーザ光、８ａはＹＡＧレーザ光
源、９はレンズ系、１０はラマン光、１１は結像レン
ズ、１２は分光光度計である。
形態を図１により説明する。１は基板、２は非晶質薄
膜、３は対物レンズ、４は貫通穴、５は穴明き鏡、６は
レンズ系、７はエキシマレーザ光、７ａはエキシマレー
ザ光源、８はＹＡＧレーザ光、８ａはＹＡＧレーザ光
源、９はレンズ系、１０はラマン光、１１は結像レン
ズ、１２は分光光度計である。
【００１４】エキシマレーザ光７は穴明き鏡５の穴と対
物レンズ３に開けた貫通穴４を通って非晶質薄膜２に照
射される。ＹＡＧレーザの５３２ｎｍの光７はタイミン
グ信号発生器（図では省略）により、エキシマレーザ光
７より予め設定した時間だけ遅れて発振する。これは対
物レンズ３により薄膜２に照射され、ラマン光１０が発
生する。これは分光光度計１２に入射し、ラマンスペク
トルが得られる。以上のような構成によれば、対物レン
ズ３は開口数０．９程度の大きなものとすることがで
き、試料から出たラマン光の８０％程度を分光光度計１
２に入射させることができる。また、エキシマレーザ光
７は対物レンズ３の光学的特性に影響されることがな
い。
物レンズ３に開けた貫通穴４を通って非晶質薄膜２に照
射される。ＹＡＧレーザの５３２ｎｍの光７はタイミン
グ信号発生器（図では省略）により、エキシマレーザ光
７より予め設定した時間だけ遅れて発振する。これは対
物レンズ３により薄膜２に照射され、ラマン光１０が発
生する。これは分光光度計１２に入射し、ラマンスペク
トルが得られる。以上のような構成によれば、対物レン
ズ３は開口数０．９程度の大きなものとすることがで
き、試料から出たラマン光の８０％程度を分光光度計１
２に入射させることができる。また、エキシマレーザ光
７は対物レンズ３の光学的特性に影響されることがな
い。
【００１５】対物レンズ３としては、たとえばレンズ玉
の径を３０ｍｍ程度として製作する場合、貫通穴４の径
は１ｍｍ程度にすれば結像性能に影響を与えない。ま
た、開口数を０．９にすれば、ＹＡＧレーザ１０のスポ
ット径を０．３μｍ程度まで絞ることができるので、エ
キシマレーザ光７の照射領域内のごく狭い領域を選択的
に測定することができる。またレンズ系９の構成を変え
ることにより、ＹＡＧレーザの試料上でのスポット径を
変えることが出来、測定領域が可変可能である。図２は
エキシマレーザ光７、ＹＡＧレーザ光８、及びラマン光
１０のタイミングを示したものである。遅れ時間τを可
変にすることにより、エキシマレーザ７照射開始からの
いろいろな経過時間におけるラマンスペクトルを測定で
きる。非晶質薄膜２が非晶質シリコンの場合、ラマンピ
ークは４８０ｃｍ−１に現れるが、これが結晶化する
と、結晶化の状態にもよるが、５０５〜５２０ｃｍ−１
にピークが現れる。したがって、図２のタイミングでＹ
ＡＧレーザ１０を照射して発生したラマン光のスペクト
ルを測定することにより、エキシマレーザ７照射中の膜
の過渡状態を知ることができる。ストークス光とアンチ
ストークス光との比から温度を求めることや、ラマンシ
フトから応力を求めることもできる。
の径を３０ｍｍ程度として製作する場合、貫通穴４の径
は１ｍｍ程度にすれば結像性能に影響を与えない。ま
た、開口数を０．９にすれば、ＹＡＧレーザ１０のスポ
ット径を０．３μｍ程度まで絞ることができるので、エ
キシマレーザ光７の照射領域内のごく狭い領域を選択的
に測定することができる。またレンズ系９の構成を変え
ることにより、ＹＡＧレーザの試料上でのスポット径を
変えることが出来、測定領域が可変可能である。図２は
エキシマレーザ光７、ＹＡＧレーザ光８、及びラマン光
１０のタイミングを示したものである。遅れ時間τを可
変にすることにより、エキシマレーザ７照射開始からの
いろいろな経過時間におけるラマンスペクトルを測定で
きる。非晶質薄膜２が非晶質シリコンの場合、ラマンピ
ークは４８０ｃｍ−１に現れるが、これが結晶化する
と、結晶化の状態にもよるが、５０５〜５２０ｃｍ−１
にピークが現れる。したがって、図２のタイミングでＹ
ＡＧレーザ１０を照射して発生したラマン光のスペクト
ルを測定することにより、エキシマレーザ７照射中の膜
の過渡状態を知ることができる。ストークス光とアンチ
ストークス光との比から温度を求めることや、ラマンシ
フトから応力を求めることもできる。
【００１６】また、図２のレーザ光照射毎に基板１を移
動して膜２の新鮮な個所をエキシマレーザ７の照射位置
に移動すれば、エキシマレーザ７を１回照射した状態だ
けを観測することができる。貫通穴４の径が１ｍｍであ
れば、移動ステップを１ｍｍ以上にすればよい。レーザ
光の発振周波数を２０〜５０Ｈｚとし、ＹＡＧレーザ１
０の強度を１ｍＪ／パルス程度として、数秒間の蓄積を
行えば、十分なＳ／Ｎの信号を得ることができる。
動して膜２の新鮮な個所をエキシマレーザ７の照射位置
に移動すれば、エキシマレーザ７を１回照射した状態だ
けを観測することができる。貫通穴４の径が１ｍｍであ
れば、移動ステップを１ｍｍ以上にすればよい。レーザ
光の発振周波数を２０〜５０Ｈｚとし、ＹＡＧレーザ１
０の強度を１ｍＪ／パルス程度として、数秒間の蓄積を
行えば、十分なＳ／Ｎの信号を得ることができる。
【００１７】また図１のレンズ系６を半導体装置の生産
設備で用いられている光学系に置き換えることも可能で
ある。すなわち、半導体装置生産設備のエキシマレーザ
照射光学系の中に穴明き鏡５と対物レンズ３とを挿入
し、レーザアニール中の膜の状態をラマン分光により把
握することもできる。これにより、アニール工程の管理
を行うことが可能である。
設備で用いられている光学系に置き換えることも可能で
ある。すなわち、半導体装置生産設備のエキシマレーザ
照射光学系の中に穴明き鏡５と対物レンズ３とを挿入
し、レーザアニール中の膜の状態をラマン分光により把
握することもできる。これにより、アニール工程の管理
を行うことが可能である。
【００１８】（実施例２）図３に本発明の別の実施形態
を示す。３は対物レンズ、１４は輪帯フィルタで、他の
記号は図１と同じである。図３では対物レンズ３として
顕微鏡用暗視野対物レンズを用いている。これは通常照
明光入射部に凹面鏡１３を用いている。紫外線は通常鏡
により反射されるので、この照明光入射部をエキシマレ
ーザの照射光学系として用いることができる。また、内
側のレンズ系はＹＡＧレーザの照射とラマン光の取出し
に用いる。暗視野対物レンズは１００倍で０．９程度の
開口数をもつものが市販されている。そのため、ラマン
光の収集効率は従来の顕微ラマン分光光度計と同等であ
る。
を示す。３は対物レンズ、１４は輪帯フィルタで、他の
記号は図１と同じである。図３では対物レンズ３として
顕微鏡用暗視野対物レンズを用いている。これは通常照
明光入射部に凹面鏡１３を用いている。紫外線は通常鏡
により反射されるので、この照明光入射部をエキシマレ
ーザの照射光学系として用いることができる。また、内
側のレンズ系はＹＡＧレーザの照射とラマン光の取出し
に用いる。暗視野対物レンズは１００倍で０．９程度の
開口数をもつものが市販されている。そのため、ラマン
光の収集効率は従来の顕微ラマン分光光度計と同等であ
る。
【００１９】以上により、ラマン光の検出効率を向上さ
せ、レーザ光の強度を小さくしても短時間に測定を可能
にすることができる。
せ、レーザ光の強度を小さくしても短時間に測定を可能
にすることができる。
【００２０】（実施例３）図４に本発明の別の実施形態
を示す。３は対物レンズ、１５は補正光学系レンズで、
他の記号は図１と同じである。図４では対物レンズ３と
して紫外線から可視光線まで透過可能なものを用いてい
る。対物レンズの色収差のため紫外線と可視光線とは異
なる位置に焦点を結ぶが、補正光学系レンズ１５によ
り、対物レンズ３に入射するエキシマレーザ光７をある
程度発散する光とすることにより、エキシマレーザ光７
とＹＡＧレーザ光８とを同じ位置に集光させることがで
きる。紫外線用の対物レンズ３としては開口数０．８程
度のものが市販されており、通常のラマン分光光度計と
同等のラマン光収集効率が得られる。
を示す。３は対物レンズ、１５は補正光学系レンズで、
他の記号は図１と同じである。図４では対物レンズ３と
して紫外線から可視光線まで透過可能なものを用いてい
る。対物レンズの色収差のため紫外線と可視光線とは異
なる位置に焦点を結ぶが、補正光学系レンズ１５によ
り、対物レンズ３に入射するエキシマレーザ光７をある
程度発散する光とすることにより、エキシマレーザ光７
とＹＡＧレーザ光８とを同じ位置に集光させることがで
きる。紫外線用の対物レンズ３としては開口数０．８程
度のものが市販されており、通常のラマン分光光度計と
同等のラマン光収集効率が得られる。
【００２１】以上により、ラマン光の検出効率を向上さ
せ、レーザ光の強度を小さくしても短時間に測定を可能
にすることができる。
せ、レーザ光の強度を小さくしても短時間に測定を可能
にすることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、レーザ
アニール中の膜の状態をラマンスペクトルを用いて観測
するにあたり、高い検出効率でラマン光を測定でき、短
時間で測定が可能である。またレーザ光の１回１回の照
射毎の状態を分離して捉えることが可能である。
アニール中の膜の状態をラマンスペクトルを用いて観測
するにあたり、高い検出効率でラマン光を測定でき、短
時間で測定が可能である。またレーザ光の１回１回の照
射毎の状態を分離して捉えることが可能である。
【図１】実施例１の装置構成図。
【図２】実施例１の測定タイミングの図。
【図３】実施例２の装置構成図。
【図４】実施例３の装置構成図。
１…基板、２…非晶質薄膜、３…対物レンズ、４…貫通
穴、５…穴明き鏡、６…レンズ系、７…エキシマレーザ
光、７ａ…エキシマレーザ光源、８…ＹＡＧレーザ光、
８ａ…ＹＡＧレーザ光源、９…レンズ系、１０…ラマン
光、１１…結像レンズ、１２…分光光度計。
穴、５…穴明き鏡、６…レンズ系、７…エキシマレーザ
光、７ａ…エキシマレーザ光源、８…ＹＡＧレーザ光、
８ａ…ＹＡＧレーザ光源、９…レンズ系、１０…ラマン
光、１１…結像レンズ、１２…分光光度計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 太久夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 2G043 AA06 EA10 FA02 GA07 GB19 HA01 HA02 JA01 KA02 KA03 KA05 MA04 4M106 AA01 AB17 BA05 CB30 DH01 DH12 DH32 DH38 DH39 DH56
Claims (9)
- 【請求項１】 試料基板上の非晶質薄膜に第１のパルス
レーザ光を照射して結晶化を行う照射手段と、該第１の
パルスレーザ光照射からある定めた時間間隔をおいて第
２のパルスレーザ光を該薄膜に照射し、生じた光を分光
検出することにより膜質を評価するプローブ手段とを備
える成膜装置において、該プローブ手段は、該第２のパ
ルスレーザ光を薄膜の微小領域に集光させるものとして
なり、該第１及び第２のパルスレーザ光のパルス毎に該
薄膜へのレーザ光の照射位置を変える手段を備えること
を特徴とする膜質評価装置。 - 【請求項２】 上記プローブ手段は貫通穴を穿った対物
レンズを備え、該対物レンズは上記微小領域へ上記第２
のパルスレーザ光を集光させ、かつ該微小領域から生じ
た光を収集する手段として用いられ、該貫通穴は、上記
第１のパルスレーザ光を該対物レンズを貫通させて上記
薄膜に照射させる手段として用いられ、かつ該薄膜上に
おける該第２のパルスレーザ光のスポット径は第１のパ
ルスレーザ光のスポット径以下であるような光学配置と
したことを特徴とする請求項１記載の膜質評価装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のプローブ手段は暗視野対
物レンズを備え、上記第１のパルスレーザ光は暗視野照
射部を通して上記薄膜に照射され、上記第２のパルスレ
ーザ光の上記微小領域への照射と、上記微小領域から生
じた光の収集とは該対物レンズ内側のレンズ系により行
う構成とし、かつ該薄膜上における該第２のパルスレー
ザ光のスポット径は第１のパルスレーザ光のスポット径
以下であるような光学配置としたことを特徴とする膜質
評価装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の照射手段及びプローブ手
段は、紫外線を透過する顕微鏡対物レンズであり、上記
第１及び第２のパルスレーザ光はともに該顕微鏡対物レ
ンズにより上記薄膜に照射される構成とし、かつ色収差
を補正する光学系を第１と第２のパルスレーザ光の光路
上にそれぞれ設け、さらに該薄膜上における該第２のパ
ルスレーザ光のスポット径は第１のパルスレーザ光のス
ポット径以下であるような光学配置としたことを特徴と
する膜質評価装置。 - 【請求項５】 上記各請求項記載の第１のパルスレーザ
光は紫外線であることを特徴とする膜質評価装置。 - 【請求項６】 上記各請求項記載の第１のパルスレーザ
光はエキシマレーザ光、第２のパルスレーザ光はＹＡＧ
レーザ光であることを特徴とする膜質評価装置。 - 【請求項７】 請求項１記載の照射位置を変える手段
は、１パルスあたりの照射位置の変化が、該パルスレー
ザ光のスポット径以上の距離であることを特徴とする膜
質評価装置。 - 【請求項８】 請求項１記載の照射位置を変える手段
は、上記試料基板を搭載した台を移動することによるも
のであることを特徴とする膜質評価装置。 - 【請求項９】 試料基板上の非晶質シリコン薄膜に第１
のパルスレーザ光を照射して結晶化を行う際、該第１の
パルスレーザ光照射からある定めた時間間隔をおいて第
２のパルスレーザ光を該薄膜に照射し、生じた光を分光
検出することにより膜質を評価する膜質評価方法におい
て、該第２のパルスレーザ光の上記薄膜への集光照射と
生じた光の収集とは、請求項２ないし４記載のプローブ
手段を用いて行い、かつ該第１及び第２のパルスレーザ
光のパルス毎に該薄膜へのレーザ光の照射位置を変える
ことを特徴とする、膜質評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000169047A JP2001345284A (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | レーザアニールｉｎ−ｓｉｔｕ膜質評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000169047A JP2001345284A (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | レーザアニールｉｎ−ｓｉｔｕ膜質評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001345284A true JP2001345284A (ja) | 2001-12-14 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001345284A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032937A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶を結晶化する方法及び半導体装置を作製する方法 |
| JP2007027612A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Sony Corp | 照射装置および照射方法 |
| JP2008263200A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Wafermasters Inc | ｉｎ−Ｓｉｔｕ、ｅｘ−Ｓｉｔｕ、及びインラインでのプロセスのモニタリング、最適化、及び製造方法 |
| JP2011083779A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及び判定方法 |
-
2000
- 2000-06-01 JP JP2000169047A patent/JP2001345284A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032937A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法及びレーザ照射装置、並びに非単結晶を結晶化する方法及び半導体装置を作製する方法 |
| JP2007027612A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Sony Corp | 照射装置および照射方法 |
| JP2008263200A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Wafermasters Inc | ｉｎ−Ｓｉｔｕ、ｅｘ−Ｓｉｔｕ、及びインラインでのプロセスのモニタリング、最適化、及び製造方法 |
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