JP2001343945A - Planar display device - Google Patents

Planar display device

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JP2001343945A
JP2001343945A JP2000162780A JP2000162780A JP2001343945A JP 2001343945 A JP2001343945 A JP 2001343945A JP 2000162780 A JP2000162780 A JP 2000162780A JP 2000162780 A JP2000162780 A JP 2000162780A JP 2001343945 A JP2001343945 A JP 2001343945A
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thin film
film transistor
substrate
charge pump
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寧 佐々木
Masaki Miyatake
正樹 宮武
Hajime Sato
肇 佐藤
Takanori Tsunashima
貴徳 綱島
Yasuyuki Hanazawa
康行 花澤
Yasukatsu Hirai
保功 平井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make an external control circuit compact and to reduce the cost of the circuit in a planar display device in which a driving circuit or the like are arranged on an array substrate. SOLUTION: In this display device, a charge pump circuit 10 is arranged on an array substrate 101 and an output capacitance 15 to be connected between the output side of the circuit 10 and the ground (GND), and the input capacitance 16 of a clock input part are arranged at the outside of the substrate 101.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、平面表示装置に
関し、詳しくは画素が形成された基板上に駆動回路など
を配置した平面表示装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a flat display device, and more particularly to a flat display device having a driving circuit and the like disposed on a substrate on which pixels are formed.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置に代表される平面表示装置
は、薄型、軽量、低消費電力などの特性を活かし、幅広
い分野で使用されている。中でも、画素毎にスイッチ素
子としてTFT(薄膜トランジスタ)を配置した液晶表
示装置は、情報機器端末や薄型テレビジョンなどの表示
装置として広く利用されている。とくに近年では、同一
面積のアレイ基板上での有効画面領域を広げ、かつ製造
コストの低減を図るために、画素が形成されたアレイ基
板上に駆動回路や電源回路などを配置したアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置の開発が進んでいる。
2. Description of the Related Art A flat display device represented by a liquid crystal display device has been used in a wide range of fields by making use of characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption. Above all, a liquid crystal display device in which a TFT (thin film transistor) is arranged as a switching element for each pixel is widely used as a display device for an information equipment terminal or a thin television. In particular, in recent years, in order to increase the effective screen area on an array substrate of the same area and reduce the manufacturing cost, an active matrix type in which drive circuits and power supply circuits are arranged on an array substrate on which pixels are formed Liquid crystal display devices are being developed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、アレイ基板
上に配置された駆動回路や電源回路などには、外部に配
置された外部制御回路から各種クロック信号や電源電圧
などが供給されている。この外部制御回路には、コント
ロールIC、D/Aコンバータ、レベルシフタ、チャー
ジポンプ回路(電圧源回路)などのIC部品が配置され
ている。
By the way, various clock signals, power supply voltages, and the like are supplied from an external control circuit provided outside to a drive circuit and a power supply circuit disposed on the array substrate. The external control circuit includes IC components such as a control IC, a D / A converter, a level shifter, and a charge pump circuit (voltage source circuit).

【0004】このうちチャージポンプ回路では、出力電
圧の変動を少なく抑えるために、クロック入力部と出力
部に大容量のコンデンサを配置している。しかし、現状
の製造プロセスでは、アレイ基板上に大容量のコンデン
サを形成することはできないため、チャージポンプ回路
をアレイ基板上へ配置することは困難であった。したが
って、外部制御回路のコンパクト化が難しく、また高機
能なIC部品が必要になるためにコストが高くなるとい
う問題点があった。
In the charge pump circuit, a large-capacity capacitor is arranged in the clock input section and the output section in order to suppress the fluctuation of the output voltage. However, in the current manufacturing process, it is difficult to form a large-capacity capacitor on the array substrate, and it has been difficult to arrange the charge pump circuit on the array substrate. Therefore, there is a problem that it is difficult to reduce the size of the external control circuit, and the cost is increased due to the necessity of high-performance IC components.

【0005】一方、アレイ基板のようなガラス板上にT
FTを形成する作業は、製造プロセスが難しく、トラン
ジスタの特性が不安定になることが多い。このような理
由から、チャージポンプ回路をアレイ基板上に形成した
場合においても、回路を構成するTFTのトランジスタ
特性が不安定になり、しきい値にばらつきが生じ、出力
電圧が変動するという問題点があった。
On the other hand, a glass substrate such as an array substrate has a T
In the operation of forming the FT, the manufacturing process is difficult, and the characteristics of the transistor are often unstable. For these reasons, even when the charge pump circuit is formed on the array substrate, the transistor characteristics of the TFTs constituting the circuit become unstable, the threshold value varies, and the output voltage fluctuates. was there.

【0006】また、アレイ基板上のTFTを多結晶Si
で形成した場合、そのTFTの能力は単結晶Siで形成
した場合に比べて劣るため、これを補うためにゲート幅
を大きくするなどの対策が必要となる。このため、配置
に必要な面積が大きくなり、その分だけ額縁が大きくな
るという問題点があった。
Further, the TFT on the array substrate is made of polycrystalline Si.
In the case where the TFT is formed, the performance of the TFT is inferior to that in the case where the TFT is formed of single crystal Si. For this reason, there is a problem that the area required for the arrangement is increased, and the frame is accordingly increased.

【0007】この発明の第1の目的は、外部制御回路の
コンパクト化と低コストを実現した平面表示装置を提供
することにある。
A first object of the present invention is to provide a flat display device which realizes a compact and low cost external control circuit.

【0008】この発明の第2の目的は、TFTの製造プ
ロセスに影響されることなしに、チャージポンプ回路か
らの出力電圧を安定させることができる平面表示装置を
提供することにある。
A second object of the present invention is to provide a flat display device capable of stabilizing an output voltage from a charge pump circuit without being affected by a TFT manufacturing process.

【0009】この発明の第3の目的は、額縁を大きくす
ることなしにチャージポンプ回路などの回路をアレイ基
板上に配置することができる平面表示装置を提供するこ
とにある。
A third object of the present invention is to provide a flat display device in which circuits such as a charge pump circuit can be arranged on an array substrate without enlarging a frame.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、互い
に交差する複数本の走査線及び複数本の信号線、これら
の両線の各交差部に配置されたスイッチ素子、前記スイ
ッチ素子に接続された画素電極を含む第1の基板、前記
画素電極と対向する対向電極を含む第2の基板、前記第
1の基板と前記第2の基板との間に保持された光変調層
を有する表示パネルと、前記信号線にデータ信号を供給
する信号線駆動回路と、前記走査線に走査信号を供給す
る走査線駆動回路と、前記信号線駆動回路と前記走査線
駆動回路に所定の信号や電位を供給する外部制御回路と
を備えた平面表示装置において、前記外部制御回路に含
まれる電圧源回路を前記第1の基板上に配置するととも
に、前記電圧源回路の出力部とグランドとの間の容量、
並びにクロック入力部の容量を前記第1の基板の外に配
置したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there are provided a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines which intersect each other, a switching element disposed at each intersection of these two lines, and A first substrate including a connected pixel electrode; a second substrate including a counter electrode facing the pixel electrode; and a light modulation layer held between the first substrate and the second substrate. A display panel, a signal line driving circuit for supplying a data signal to the signal line, a scanning line driving circuit for supplying a scanning signal to the scanning line, a predetermined signal to the signal line driving circuit and the scanning line driving circuit, In a flat panel display device having an external control circuit for supplying a potential, a voltage source circuit included in the external control circuit is arranged on the first substrate, and a voltage is applied between an output section of the voltage source circuit and ground. Capacity,
In addition, the capacitance of the clock input unit is arranged outside the first substrate.

【0011】好ましい形態として、前記画素電極と電気
的に並列に補助容量が接続された構成において、前記電
圧源回路の出力部とグランドとの間に配置された容量に
前記補助容量を含むことを特徴とする。
In a preferred embodiment, in a configuration in which an auxiliary capacitor is electrically connected in parallel with the pixel electrode, the auxiliary capacitor is included in a capacitor disposed between an output section of the voltage source circuit and ground. Features.

【0012】請求項2の発明は、請求項1の電圧源回路
において、極性の異なる第1の薄膜トランジスタと第2
の薄膜トランジスタが直列に接続され、第1の容量を介
してクロック信号を入力する第1入力部が前記第1の薄
膜トランジスタ及び第2の薄膜トランジスタのゲート電
極に接続され、かつ第2の容量を介して前記クロック信
号の反転クロック信号を入力する第2入力部が、前記第
1の薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタとの中
間接続点に接続するように構成され、前記第1及び第2
容量が、前記第2の薄膜トランジスタの出力部とグラン
ドとの間の容量とともに前記第1の基板の外に配置され
ることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the voltage source circuit of the first aspect, the first thin film transistor having a different polarity and the second thin film transistor are connected to each other.
Thin film transistors are connected in series, a first input portion for inputting a clock signal via a first capacitor is connected to the gate electrodes of the first thin film transistor and the second thin film transistor, and via a second capacitor A second input unit for inputting an inverted clock signal of the clock signal is configured to be connected to an intermediate connection point between the first thin film transistor and the second thin film transistor;
A capacitance is arranged outside the first substrate together with a capacitance between an output of the second thin film transistor and ground.

【0013】請求項3の発明は、請求項1の電圧源回路
を、極性の異なる第1の薄膜トランジスタと第2の薄膜
トランジスタとを直列に接続するとともに、これら2つ
の薄膜トランジスタをさらにペアにして直列に接続した
構成とすることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, the voltage source circuit of the first aspect is configured such that a first thin film transistor and a second thin film transistor having different polarities are connected in series, and the two thin film transistors are further paired in series. It is characterized by being connected.

【0014】好ましい形態として、極性の異なる第1の
薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタとを並列に
接続するとともに、これら2つの薄膜トランジスタをさ
らにペアにして直列に接続した構成とする。
In a preferred embodiment, a first thin film transistor and a second thin film transistor having different polarities are connected in parallel, and the two thin film transistors are further paired and connected in series.

【0015】請求項4の発明は、請求項1乃至3の電圧
源回路を、前記第1の基板上の前記走査線駆動回路を配
置する領域と相対する領域に配置することを特徴とす
る。
According to a fourth aspect of the present invention, the voltage source circuit according to any one of the first to third aspects is arranged in an area on the first substrate opposite to an area where the scanning line driving circuit is arranged.

【0016】好ましい形態として、前記第1の基板上の
前記走査線駆動回路を配置する領域と相対する領域にバ
イパスコンデンサを配置する。
In a preferred embodiment, a bypass capacitor is arranged in a region on the first substrate opposite to a region where the scanning line driving circuit is arranged.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、この発明に係わる平面表示
装置を、アレイ基板上に駆動回路を一体化したアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置に適用した場合について
説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a case will be described in which a flat display device according to the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device in which a drive circuit is integrated on an array substrate.

【0018】[実施形態1]最初に実施形態1として、
外部制御回路のコンパクト化と低コストを実現した液晶
表示装置について説明する。
[Embodiment 1] First, as Embodiment 1,
A liquid crystal display device that realizes a compact external control circuit and low cost will be described.

【0019】図1は、実施形態1に係わる液晶表示装置
の回路構成図であり、とくにアレイ基板と外部制御回路
の構成を示している。図1に示すアレイ基板101上に
は、複数の画素が形成された画素部103と、走査線駆
動回路104及び信号線駆動回路105が配置されてい
る。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the liquid crystal display device according to the first embodiment, and particularly shows the configuration of an array substrate and an external control circuit. On the array substrate 101 shown in FIG. 1, a pixel portion 103 in which a plurality of pixels are formed, a scan line driver circuit 104, and a signal line driver circuit 105 are arranged.

【0020】画素部101には、複数本の信号線S1,
S2,S3・・・(以下、総称S)及びこれと交差する
複数本の走査線G1,G2・・・(以下、総称G)が互
いに交差するように配置されており、両線の各交差部に
はスイッチ素子としてのTFT11が配設されている。
信号線Sと走査線Gとは、図示しない絶縁膜により電気
的に絶縁されている。
The pixel portion 101 has a plurality of signal lines S1,
(Hereinafter, generically S) and a plurality of scanning lines G1, G2,... (Hereinafter generically G) intersecting with each other are arranged so as to intersect with each other. The portion is provided with a TFT 11 as a switch element.
The signal lines S and the scanning lines G are electrically insulated by an insulating film (not shown).

【0021】TFT11のソース電極は信号線Sに接続
され、ドレイン電極は画素電極12に接続されている。
図1には示していないが、画素電極12と対をなす対向
電極は、図示しない対向基板上に形成されている。アレ
イ基板101と前記対向基板は、それぞれの電極面が対
向するように所定間隔で配置され、その周囲はシール材
で封止される。そして、両基板の内部には光変調層とな
る液晶材料が内部に充填される。
The source electrode of the TFT 11 is connected to the signal line S, and the drain electrode is connected to the pixel electrode 12.
Although not shown in FIG. 1, a counter electrode paired with the pixel electrode 12 is formed on a counter substrate (not shown). The array substrate 101 and the counter substrate are arranged at predetermined intervals so that their respective electrode surfaces face each other, and the periphery thereof is sealed with a sealing material. Then, the inside of both substrates is filled with a liquid crystal material to be a light modulation layer.

【0022】またアレイ基板101において、画素電極
12には図示しない対向電極との電位関係を保持するた
めに、並列に補助容量13が接続されている。この補助
容量13は画素電極12と補助容量線C1,C2・・・
(以下、総称C)との間に容量Csを形成している。補
助容量線Cは、すべての画素の補助容量13と電気的に
接続されており、外部制御回路102から一定の電圧が
与えられている。
In the array substrate 101, an auxiliary capacitor 13 is connected in parallel with the pixel electrode 12 in order to maintain a potential relationship with a counter electrode (not shown). The auxiliary capacitance 13 is composed of the pixel electrode 12 and auxiliary capacitance lines C1, C2,.
(Hereinafter, collectively C) forms a capacitance Cs. The auxiliary capacitance line C is electrically connected to the auxiliary capacitances 13 of all the pixels, and is supplied with a constant voltage from the external control circuit 102.

【0023】また、図示しない対向電極には、外部制御
回路102から一定のコモン電圧(Vcom)が与えら
れている。信号線Sを通じて書き込まれたデータ信号
は、液晶容量Clcと容量Csにより1フレーム走査期
間保持される。
Further, a constant common voltage (Vcom) is applied to the counter electrode (not shown) from the external control circuit 102. The data signal written through the signal line S is held for one frame scanning period by the liquid crystal capacitance Clc and the capacitance Cs.

【0024】走査線駆動回路104は、図示しないタイ
ミング回路(シフトレジスタ)及びバッファ回路により
構成され、外部制御回路102から供給される垂直クロ
ック信号CKV及び垂直スタート信号STVに基づい
て、走査線G1,G2・・・に順次走査信号を出力す
る。
The scanning line driving circuit 104 includes a timing circuit (shift register) and a buffer circuit (not shown), and scan lines G 1 and S 1 based on a vertical clock signal CKV and a vertical start signal STV supplied from the external control circuit 102. G2... Sequentially output scanning signals.

【0025】信号線駆動回路105は、図示しないタイ
ミング回路(シフトレジスタ)、ビデオバス及びアナロ
グスイッチ回路などにより構成されている。アナログス
イッチ回路はTFTで構成されており、それぞれのドレ
イン電極は信号線S1,S2,S3・・・に接続されて
いる。タイミング回路は、外部制御回路102からデー
タ信号とともに供給される水平クロック信号CKH及び
水平スタート信号STHに基づいて前記アナログスイッ
チ回路を制御し、データ信号を所定のタイミングで信号
線S1,S2,S3・・・にサンプリングする。なお、
信号線駆動回路の駆動方式は、アナログサンプルホール
ド方式のほか、D/A変換方式であってもよい。
The signal line driving circuit 105 includes a timing circuit (shift register) (not shown), a video bus, an analog switch circuit, and the like. The analog switch circuit is composed of TFTs, and respective drain electrodes are connected to signal lines S1, S2, S3,. The timing circuit controls the analog switch circuit based on the horizontal clock signal CKH and the horizontal start signal STH supplied together with the data signal from the external control circuit 102, and outputs the data signal at a predetermined timing to the signal lines S1, S2, S3.・ Sampling is performed. In addition,
The driving method of the signal line driving circuit may be a D / A conversion method in addition to the analog sample and hold method.

【0026】外部制御回路102は、図示しないコント
ロールIC、D/Aコンバータ、レベルシフタなどで構
成され、外部から供給される基準クロック信号やデジタ
ルのデータ信号などを適宜に変換及び加工して、前記各
駆動回路にアナログのデータ信号や水平/垂直クロック
信号、スタート信号、電源電圧(VDD1、VDD
2)、コモン電圧などを出力する。この外部駆動回路1
02とアレイ基板101との間は、図示しないFPC
(フレキシブル配線基板)により電気的に接続されてい
る。
The external control circuit 102 comprises a control IC (not shown), a D / A converter, a level shifter, and the like. The external control circuit 102 appropriately converts and processes a reference clock signal and a digital data signal supplied from the outside. An analog data signal, a horizontal / vertical clock signal, a start signal, a power supply voltage (VDD1, VDD)
2) Output common voltage and the like. This external drive circuit 1
02 and the array substrate 101, an unillustrated FPC
(Flexible wiring board).

【0027】アレイ基板101上には、チャージポンプ
回路10が配置されている。このチャージポンプ回路1
0は、本体回路がアレイ基板101上に配置され、回路
の出力部とグランド(GND)との間に設けられた出力
側容量15と、クロック入力部に設けられた入力側容量
16は、ともにアレイ基板101の外に配置されてい
る。図1では回路の出力部とグランドとの関係を理解し
やすくするために、出力側容量15をアレイ基板外に描
いているが、回路の出力部からの配線は電極パッド17
を介して外部制御回路102へ取り込まれ、外部制御回
路102の内部で出力側容量15が形成されている。た
だし、これらの容量はアレイ基板101の外に配置され
ていればよく、この実施形態のように外部制御回路10
2内に配置する必要はない。
On the array substrate 101, a charge pump circuit 10 is arranged. This charge pump circuit 1
0 indicates that the output-side capacitance 15 provided between the output portion of the circuit and the ground (GND) and the input-side capacitance 16 provided at the clock input portion are both arranged on the array substrate 101. It is arranged outside the array substrate 101. In FIG. 1, the output side capacitor 15 is drawn outside the array substrate in order to facilitate understanding of the relationship between the output portion of the circuit and the ground.
The output-side capacitance 15 is formed in the external control circuit 102 via the external control circuit 102. However, these capacitors only need to be arranged outside the array substrate 101, and as in this embodiment, the external control circuit 10
There is no need to place them within 2.

【0028】また出力側容量15は、各画素の補助容量
13と補助容量線Cを介して接続されている。このよう
に、すべての画素に取り付けられた補助容量13と、ア
レイ基板101の外に配置された出力側容量15とを接
続することにより、出力電圧のさらなる安定化を図るこ
とができる。画面が高密度化あるいは大型化した場合
に、補助容量13のもつ容量Csの総和が十分に大きい
ものであれば、アレイ基板101の外に配置された出力
側容量15の容量を小さくしたり、あるいは出力側容量
15そのものを不要とすることができる。
The output capacitor 15 is connected to the auxiliary capacitor 13 of each pixel via an auxiliary capacitor line C. As described above, by connecting the auxiliary capacitors 13 attached to all the pixels and the output capacitors 15 disposed outside the array substrate 101, the output voltage can be further stabilized. In the case where the screen has a higher density or a larger size, if the sum of the capacitances Cs of the auxiliary capacitances 13 is sufficiently large, the capacitance of the output-side capacitance 15 arranged outside the array substrate 101 can be reduced. Alternatively, the output-side capacitor 15 itself can be omitted.

【0029】ここで、チャージポンプ回路10の回路構
成と動作について簡単に説明する。図2(a)はチャー
ジポンプ回路10の回路構成図、(b)はその等価回路
図である。図2では、図1と同等部分に同一符号を付し
ている。
Here, the circuit configuration and operation of the charge pump circuit 10 will be briefly described. FIG. 2A is a circuit configuration diagram of the charge pump circuit 10, and FIG. 2B is an equivalent circuit diagram thereof. In FIG. 2, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0030】チャージポンプ回路10は、2つのNch
TFT17、18、入力側容量15及び出力側容量16
により構成されている。このうち、NchTFT17の
ドレイン電極側は、NchTFT18のソース電極及び
ゲート電極と接続されている。
The charge pump circuit 10 has two Nch
TFTs 17 and 18, input-side capacitance 15 and output-side capacitance 16
It consists of. Among them, the drain electrode side of the NchTFT 17 is connected to the source electrode and the gate electrode of the NchTFT 18.

【0031】図3は、チャージポンプ回路10の動作を
示すタイミングチャートである。図3を参照しながら、
チャージポンプ回路10の動作例について説明する。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the charge pump circuit 10. Referring to FIG.
An operation example of the charge pump circuit 10 will be described.

【0032】まず、クロック入力部14から振幅VDD
1のクロック信号(CKU)を入力する。例えば、図3
(a)に示すような振幅10Vで周波数1.5MHzの
方形波を入力する。また電源入力部21には、電源電圧
VDD1として、例えばDC10Vを入力する。
First, the amplitude VDD is input from the clock input unit 14.
1 clock signal (CKU). For example, FIG.
A square wave having an amplitude of 10 V and a frequency of 1.5 MHz as shown in FIG. In addition, for example, DC10V is input to the power supply input unit 21 as the power supply voltage VDD1.

【0033】中間ノードpgでは、入力波形に応じて次
のような電圧が維持される。すなわち、クロック入力部
14からクロック信号が入力されていない期間では、V
DD1からNchTFT17のしきい値Vth分を差し
引いた電圧が維持される。例えば、NchTFT17の
しきい値Vthが2Vとすると、中間ノードpgは8V
(VDD2−Vth)に維持される。また、クロック入
力部14からクロック信号が入力されている期間では、
昇圧比αで昇圧された振幅波形が得られる。例えば、昇
圧比αが1の場合、パルス波形は図3(b)に示すよう
に8〜18V(VDD2−Vth+αVDD1)の振幅
波形が得られる。そして、出力部22の電圧は、クロッ
ク入力部14にクロック信号が入力されるにしたがって
徐々に昇圧され、最終的にはVDD2−2Vth+αV
DD1の出力電圧が得られる。例えば、図3(c)にお
いて、NchTFT18のしきい値Vthを2Vとした
場合、出力電圧として16Vが得られる。
At the intermediate node pg, the following voltages are maintained according to the input waveform. That is, during a period in which no clock signal is input from the clock input unit 14, V
A voltage obtained by subtracting the threshold value Vth of the Nch TFT 17 from DD1 is maintained. For example, if the threshold value Vth of the Nch TFT 17 is 2 V, the intermediate node pg becomes 8 V
(VDD2-Vth). Also, during a period when the clock signal is being input from the clock input unit 14,
An amplitude waveform boosted by the boost ratio α is obtained. For example, when the step-up ratio α is 1, an amplitude waveform of 8 to 18 V (VDD2−Vth + αVDD1) is obtained as the pulse waveform as shown in FIG. Then, the voltage of the output unit 22 is gradually increased as the clock signal is input to the clock input unit 14, and finally VDD2-2Vth + αV
The output voltage of DD1 is obtained. For example, in FIG. 3C, when the threshold value Vth of the Nch TFT 18 is 2 V, 16 V is obtained as the output voltage.

【0034】上記のように構成された液晶表示装置10
0によれば、アレイ基板101上にチャージポンプ回路
10を配置することができるため、外部制御回路102
のコンパクト化が可能となり、また外部制御回路102
に高機能なIC部品が不要となるために低コスト化が可
能となる。とくに、外部制御回路102に配置されてい
たチャージポンプ回路10をそのままアレイ基板101
上に移し替えた場合には、アレイ基板101上に大容量
のコンデンサを形成することができないため、チャージ
ポンプ回路10の出力電圧の変動を少なく抑えることが
難しくなる。しかしながら、この実施形態1の構成によ
れば、チャージポンプ回路10を外部制御回路102に
配置した場合と同様に出力電圧を安定させることが可能
となる。
The liquid crystal display device 10 configured as described above
According to 0, since the charge pump circuit 10 can be arranged on the array substrate 101, the external control circuit 102
Of the external control circuit 102
In addition, since high-performance IC components are not required, the cost can be reduced. In particular, the charge pump circuit 10 arranged in the external control circuit 102 is
In the case of the transfer to the upper side, since a large-capacity capacitor cannot be formed on the array substrate 101, it is difficult to suppress the fluctuation of the output voltage of the charge pump circuit 10 to be small. However, according to the configuration of the first embodiment, it is possible to stabilize the output voltage as in the case where the charge pump circuit 10 is arranged in the external control circuit 102.

【0035】したがって、実施形態1の液晶表示装置に
おいて、従来と同様に出力電圧を安定させることができ
るだけでなく、さらに外部制御回路のコンパクト化と低
コストを実現することができる。
Therefore, in the liquid crystal display device of the first embodiment, not only can the output voltage be stabilized as in the conventional case, but also the external control circuit can be made more compact and lower in cost.

【0036】[実施形態2]次に実施形態2として、チ
ャージポンプ回路をアレイ基板上に形成した場合に、T
FTの製造プロセスに影響されることなしに、出力電圧
を安定させることができるようにした液晶表示装置につ
いて説明する。
[Embodiment 2] Next, as Embodiment 2, when a charge pump circuit is formed on an array substrate, T
A liquid crystal display device that can stabilize the output voltage without being affected by the FT manufacturing process will be described.

【0037】なお、この実施形態2に係わる液晶表示装
置の基本構成は実施形態1と同じであるために説明を省
略し、実施形態2に特徴的なチャージポンプ回路の構成
についてのみ説明する。
Since the basic configuration of the liquid crystal display device according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, the description is omitted, and only the configuration of the charge pump circuit characteristic of the second embodiment will be described.

【0038】図4は、実施形態2に係わるチャージポン
プ回路の回路構成図である。このチャージポンプ回路2
0は、NchTFT25、NchTFT26、PchT
FT27、入力側容量29、32及び出力側35により
構成されている。
FIG. 4 is a circuit diagram of a charge pump circuit according to the second embodiment. This charge pump circuit 2
0 is NchTFT25, NchTFT26, PchT
FT 27, input side capacitors 29 and 32, and output side 35.

【0039】NchTFT26及びPchTFT27は
直列に接続されており、NchTFT25のドレイン電
極側は、中間ノードpgを通じてNchTFT26とP
chTFT27のそれぞれのゲート電極に接続されてい
る。クロック入力部28からは、入力側容量29を介し
てNchTFT26とPchTFT27のそれぞれのゲ
ート電極にクロック信号(CKU)が供給される。ま
た、クロック入力部31からは、入力側容量32を介し
てNchTFT26とPchTFT27の中間接続点で
ある中間ノードpsに、前記クロック信号の反転クロッ
ク信号(/CKU)が入力される。
The Nch TFT 26 and the Pch TFT 27 are connected in series, and the drain electrode side of the Nch TFT 25 is connected to the Nch TFT 26 and the P channel TFT through the intermediate node pg.
It is connected to each gate electrode of chTFT27. A clock signal (CKU) is supplied from the clock input unit 28 to the respective gate electrodes of the NchTFT 26 and the PchTFT 27 via the input-side capacitor 29. Further, from the clock input unit 31, an inverted clock signal (/ CKU) of the clock signal is input to an intermediate node ps, which is an intermediate connection point between the NchTFT 26 and the PchTFT 27, via an input-side capacitor 32.

【0040】なお、この実施形態2においても、チャー
ジポンプ回路20のクロック入力部及び出力部に配置さ
れる容量はアレイ基板の外に配置される。すなわち、図
4に示す入力側容量29及び32、並びに出力部34と
グランドとの間に設けられた出力側容量35は、ともに
アレイ基板101の外に配置されている。
It should be noted that also in the second embodiment, the capacitors arranged at the clock input section and the output section of the charge pump circuit 20 are arranged outside the array substrate. That is, the input capacitors 29 and 32 shown in FIG. 4 and the output capacitor 35 provided between the output unit 34 and the ground are both arranged outside the array substrate 101.

【0041】図5は、チャージポンプ回路20の動作を
示すタイミングチャートである。図5を参照しながら、
チャージポンプ回路20の動作例について説明する。
FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the charge pump circuit 20. Referring to FIG.
An operation example of the charge pump circuit 20 will be described.

【0042】まず、クロック入力部28から振幅Vsの
クロック信号(CKU)を、またクロック入力部31か
ら同じく振幅Vsの反転クロック信号(/CKU)を入
力する。例えば、図5(a)、(b)に示すような振幅
10Vで周波数1.5MHzの方形波とその反転の方形
波を入力する。また入力部33には、電源電圧VDDと
して、例えばDC10Vを入力する。
First, a clock signal (CKU) having the amplitude Vs is input from the clock input section 28, and an inverted clock signal (/ CKU) having the same amplitude Vs is input from the clock input section 31. For example, a square wave with an amplitude of 10 V and a frequency of 1.5 MHz and its inverted square wave as shown in FIGS. In addition, for example, DC 10 V is input to the input unit 33 as the power supply voltage VDD.

【0043】中間ノードpgでは、入力したクロック信
号(CKU)に応じて次のような電圧が維持される。す
なわち、クロック信号(CKU)が入力されていない期
間では、VDDからNchTFT25のしきい値Vth
分だけ差し引かれた電圧が維持される。例えば、Nch
TFT25のしきい値Vthが2Vとすると、中間ノー
ドpgは図5(c)に示すように8V(VDD−|Vt
h|)に維持される。また、クロック信号(CKU)が
入力されている期間では、昇圧比αで昇圧された振幅波
形が得られる。例えば、昇圧比αが1の時は、図5
(c)に示すように8〜18V(VDD+Vs−|Vt
h|)の振幅波形が得られる。中間ノードpsには、N
chTFT26がオンの時、すなわちクロック信号(C
KU)がVsとなる期間では、VDDが維持される。例
えば、中間ノードpgが18V、VDDが10Vの時は
10Vが維持される。一方、NchTFT26がオフの
時、すなわちクロック信号(CKU)がGNDとなる期
間では、図5(d)に示すように、その立ち上がりにお
いて、反転クロック信号(/CKU)の振幅(Vs)の
分だけ瞬間的に電位が持ち上げられ、その後、電位が降
下していく。例えば、反転クロック信号(/CKU)の
振幅が10Vの場合は、立ち上がりで瞬間的に20V
(VDD+Vs)に持ち上げられ、その後は徐々に電位
が降下する。そして、出力部34には、PchTFT2
7がオンの時、すなわち反転クロック信号(/CKU)
がVsとなる期間に中間ノードpsから電流が流れ込
み、この時の中間ノードpsでの電圧(VDD+Vs)
が出力電圧となる。例えば、中間ノードpgが8V、同
psが20Vの時は、出力電圧として20Vが得られる
ことになる。
At the intermediate node pg, the following voltage is maintained according to the input clock signal (CKU). That is, during a period in which the clock signal (CKU) is not input, the threshold voltage Vth of the Nch TFT 25 is changed from VDD.
The voltage subtracted by the minute is maintained. For example, Nch
Assuming that the threshold Vth of the TFT 25 is 2 V, the intermediate node pg is 8 V (VDD− | Vt) as shown in FIG.
h |). Further, during the period when the clock signal (CKU) is input, an amplitude waveform boosted by the boost ratio α is obtained. For example, when the boost ratio α is 1, FIG.
As shown in (c), 8 to 18 V (VDD + Vs- | Vt
h |) is obtained. The intermediate node ps has N
When the chTFT 26 is on, that is, when the clock signal (C
VDD is maintained during the period when KU) becomes Vs. For example, when the intermediate node pg is 18V and VDD is 10V, 10V is maintained. On the other hand, when the Nch TFT 26 is off, that is, during a period when the clock signal (CKU) is at GND, as shown in FIG. 5D, at the rising edge, only by the amplitude (Vs) of the inverted clock signal (/ CKU). The potential is instantaneously raised, and then drops. For example, when the amplitude of the inverted clock signal (/ CKU) is 10 V, the rising edge instantaneously causes 20 V
(VDD + Vs), and thereafter the potential gradually decreases. The output unit 34 includes a PchTFT2
7 is on, that is, the inverted clock signal (/ CKU)
Current flows from the intermediate node ps during the period when the voltage becomes Vs, and the voltage (VDD + Vs) at the intermediate node ps at this time.
Is the output voltage. For example, when the intermediate node pg is 8 V and the ps is 20 V, 20 V is obtained as the output voltage.

【0044】図4において、NchTFT26のしきい
値Vthがトランジスタ特性のばらつきにより、例えば
設計値よりも大きくなった場合はVDD−|Vth|が
小さくなる。このため、NchTFT26からの出力だ
けでは、駆動回路に必要な出力電圧を供給することがで
きず、回路を正常に動作させることができなくなる。し
かしながら、この実施形態2のチャージポンプ回路20
においては、NchTFT26のしきい値Vthの変動
にかかわらず、反転クロック信号(/CKU)の振幅の
分だけ瞬間的に電位が持ち上げられるため、このときの
中間ノードpsでの電圧(VDD+Vs)を出力電圧と
して取り出すことにより、常に安定した出力電圧を得る
ことができる。
In FIG. 4, when the threshold value Vth of the Nch TFT 26 becomes larger than, for example, a design value due to variation in transistor characteristics, VDD− | Vth | becomes smaller. Therefore, the output voltage required for the drive circuit cannot be supplied only by the output from the Nch TFT 26, and the circuit cannot operate normally. However, the charge pump circuit 20 of the second embodiment
In this case, the potential is instantaneously raised by the amplitude of the inverted clock signal (/ CKU) irrespective of the variation of the threshold value Vth of the Nch TFT 26, so that the voltage (VDD + Vs) at the intermediate node ps at this time is output. By taking out the voltage, a stable output voltage can always be obtained.

【0045】したがって、実施形態2の液晶表示装置に
おいては、TFTの製造プロセスに影響されることなし
に、チャージポンプ回路からの出力電圧を安定させるこ
とができる。
Therefore, in the liquid crystal display device of the second embodiment, the output voltage from the charge pump circuit can be stabilized without being affected by the TFT manufacturing process.

【0046】また、実施形態2においても、アレイ基板
上にチャージポンプ回路を配置し、かつ入出力部に接続
される大容量のコンデンサをアレイ基板の外に配置する
ようにしているため、実施形態1と同様に十分な大きさ
のコンデンサを配置することにより出力電圧を安定させ
ることができ、さらに外部制御回路のコンパクト化と低
コストを実現することができる。
Also, in the second embodiment, the charge pump circuit is arranged on the array substrate, and the large-capacity capacitors connected to the input / output unit are arranged outside the array substrate. By arranging a capacitor having a sufficient size as in the case of 1, the output voltage can be stabilized, and the external control circuit can be made more compact and lower cost.

【0047】[実施形態3]次に実施形態3として、実
施形態2と同様にチャージポンプ回路をアレイ基板上に
形成した場合に、TFTの製造プロセスに影響されるこ
となしに、出力電圧を安定させることができるようにし
た液晶表示装置について説明する。
Third Embodiment Next, as a third embodiment, when a charge pump circuit is formed on an array substrate as in the second embodiment, the output voltage is stabilized without being affected by the TFT manufacturing process. A description will be given of a liquid crystal display device that can be made to operate.

【0048】なお、この実施形態3に係わる液晶表示装
置についても、その基本構成は実施形態1と同じである
ために説明を省略し、実施形態3に特徴的なチャージポ
ンプ回路の構成についてのみ説明する。
The basic configuration of the liquid crystal display device according to the third embodiment is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. Only the configuration of the charge pump circuit characteristic of the third embodiment will be described. I do.

【0049】図6は、実施形態3に係わるチャージポン
プ回路の回路構成図である。このチャージポンプ回路3
0は、2つのダイオード回路36、38、出力側容量4
2及び入力側容量44により構成されている。ダイオー
ド回路36は、直列に接続されたNchTFT136と
PchTFT137とで構成されている。また、ダイオ
ード回路38は、同じく直列に接続されたNchTFT
138とPchTFT139とで構成されている。さら
に、これら2つのダイオード回路36及び38は直列に
接続されている。また、チャージポンプ回路30には、
外部から電源電圧としてVDDが、またクロック入力部
43からはクロック信号(CKU)が入力される。
FIG. 6 is a circuit diagram of a charge pump circuit according to the third embodiment. This charge pump circuit 3
0 indicates two diode circuits 36 and 38 and an output-side capacitance 4
2 and an input-side capacitor 44. The diode circuit 36 includes an NchTFT 136 and a PchTFT 137 connected in series. Also, the diode circuit 38 includes an Nch TFT similarly connected in series.
138 and a PchTFT 139. Further, these two diode circuits 36 and 38 are connected in series. In addition, the charge pump circuit 30 includes:
VDD is input as a power supply voltage from the outside, and a clock signal (CKU) is input from the clock input unit 43.

【0050】この実施形態3のチャージポンプ回路30
についても、回路の出力部41とグランド(GND)と
の間に設けられた出力側容量42、並びにクロック入力
部43に設けられた入力側容量44は、ともにアレイ基
板101の外に配置されている。
The charge pump circuit 30 of the third embodiment
Also, the output-side capacitance 42 provided between the output part 41 of the circuit and the ground (GND) and the input-side capacitance 44 provided in the clock input part 43 are both disposed outside the array substrate 101. I have.

【0051】上記のように構成されたダイオード回路3
6及び38において、回路を構成する2つの極性の異な
るTFTのしきい値は、概ねVthn(NchTFT)
+Vthp(PchTFT)と表すことができる。そし
て、製造プロセスの変動によりNchTFT又はPch
TFTのしきい値が設計値よりずれても、Vthn+V
thpの値は一定となる。したがって、製造プロセスの
変動に影響されることなしに、チャージポンプ回路30
からは常に安定した電圧を出力することができる。
The diode circuit 3 configured as described above
In 6 and 38, the threshold values of the two TFTs having different polarities constituting the circuit are approximately Vthn (NchTFT).
+ Vthp (PchTFT). Then, depending on the manufacturing process, the Nch TFT or Pch
Even if the threshold value of the TFT deviates from the design value, Vthn + V
The value of thp is constant. Therefore, the charge pump circuit 30 is not affected by the fluctuation of the manufacturing process.
Can constantly output a stable voltage.

【0052】例えば、図6のチャージポンプ回路30を
使った一実施例では、Vthn=2.5V、Vthp=
−1.5Vのときも、Vthn=1.5V、Vthp=
−2.5Vのときも、同一の出力電圧を得ることができ
た。
For example, in one embodiment using the charge pump circuit 30 of FIG. 6, Vthn = 2.5 V, Vthp =
Also at −1.5 V, Vthn = 1.5 V, Vthp =
Even at −2.5 V, the same output voltage could be obtained.

【0053】ちなみに、比較例として図6の2つのダイ
オード回路36及び38を、同じチャネルのPchTF
Tで構成し、同一条件で動作させたところ、Vthn=
2.5V、Vthp=−1.5Vのときは、Vthn=
1.5V、Vthp=−2.5Vのときよりも出力電圧
が2V小さくなり、画面上で表示ムラが見える場合もあ
った。
As a comparative example, two diode circuits 36 and 38 shown in FIG.
Tth and operating under the same conditions, Vthn =
When 2.5V and Vthp = -1.5V, Vthn =
The output voltage was 2 V lower than when 1.5 V and Vthp = -2.5 V, and display unevenness was sometimes seen on the screen.

【0054】したがって、実施形態3の液晶表示装置に
おいても、TFTの製造プロセスに影響されることなし
に、チャージポンプ回路からの出力電圧Vg1、Vg2
を安定させることができる。
Therefore, also in the liquid crystal display device of Embodiment 3, the output voltages Vg1 and Vg2 from the charge pump circuit are not affected by the TFT manufacturing process.
Can be stabilized.

【0055】また、実施形態3においても、アレイ基板
上にチャージポンプ回路を配置し、かつ入出力部に接続
される大容量のコンデンサをアレイ基板の外に配置する
ようにしているため、実施形態1と同様に十分な大きさ
のコンデンサを配置することによりに出力電圧を安定さ
せることができ、さらに外部制御回路のコンパクト化と
低コストを実現することができる。
Also, in the third embodiment, the charge pump circuit is arranged on the array substrate, and the large-capacity capacitors connected to the input / output unit are arranged outside the array substrate. The output voltage can be stabilized by disposing a capacitor having a sufficient size as in the case of 1, and furthermore, the external control circuit can be made compact and low cost.

【0056】なお、図6に示す2つのダイオード回路3
6及び38では、NchTFTとPchTFTを直列に
接続しているが、図7に示すように、NchTFTとP
chTFTを並列に接続し、これらの2つのダイオード
回路46及び47を直列に接続した構成とした場合も、
同様の効果を得ることができる。
The two diode circuits 3 shown in FIG.
6 and 38, the NchTFT and the PchTFT are connected in series, but as shown in FIG.
chTFTs are connected in parallel and these two diode circuits 46 and 47 are connected in series.
Similar effects can be obtained.

【0057】さらに、図6の回路にもう一つ別のチャー
ジポンプ回路を追加し、走査線駆動回路104の電源電
位を調整可能に構成することもできる。
Further, another charge pump circuit may be added to the circuit of FIG. 6 so that the power supply potential of the scanning line driving circuit 104 can be adjusted.

【0058】図8は、実施形態3に係わるチャージポン
プ回路の応用例を示す回路構成図である。図8におい
て、追加されたチャージポンプ回路40の構成は、チャ
ージポンプ回路30に含まれる2つのダイオード回路3
6及び38のNchTFTとPchTFTの配置を入れ
替えたものと同じであり、負極性の電圧を発生してい
る。そして、これらチャージポンプ回路30及び40を
電源とし、同じくTFTで構成したオペアンプ50を配
置することにより、出力電圧を調整する。ここでは、外
部から供給される電源電圧VDDを基準電圧としてい
る。このような回路構成とすることにより、TFT製造
プロセスの影響をほぼ無くすことができ、出力電圧Vg
1、Vg2を安定させることができる。なお、図8に示
すオペアンプ50は、他の実施形態のチャージポンプ回
路に接続してもよい。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an application example of the charge pump circuit according to the third embodiment. In FIG. 8, the configuration of the added charge pump circuit 40 is similar to that of the two diode circuits 3 included in the charge pump circuit 30.
The arrangement is the same as that in which the arrangement of the NchTFT and the PchTFT of Nos. 6 and 38 is exchanged, and a negative voltage is generated. The output voltage is adjusted by using the charge pump circuits 30 and 40 as power sources and arranging an operational amplifier 50 which is also formed of a TFT. Here, the power supply voltage VDD supplied from the outside is used as the reference voltage. With such a circuit configuration, the influence of the TFT manufacturing process can be almost eliminated, and the output voltage Vg
1, Vg2 can be stabilized. Note that the operational amplifier 50 shown in FIG. 8 may be connected to a charge pump circuit of another embodiment.

【0059】[実施形態4]次に実施形態4として、額
縁を大きくすることなしにチャージポンプ回路などの回
路をアレイ基板上に配置できるようにした液晶表示装置
について説明する。
[Fourth Embodiment] Next, as a fourth embodiment, a liquid crystal display device in which circuits such as a charge pump circuit can be arranged on an array substrate without enlarging a frame will be described.

【0060】図9は、実施形態4に係わる液晶表示装置
の回路構成図であり、とくにアレイ基板上での回路配置
を示している。なお、図9では、図1と同等部分に同一
符号を付している。
FIG. 9 is a circuit configuration diagram of a liquid crystal display device according to the fourth embodiment, and particularly shows a circuit arrangement on an array substrate. In FIG. 9, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0061】図9に示すように、チャージポンプ回路2
00は、アレイ基板101上の走査線駆動回路104が
配置されている領域に対し、画素部103を挟んで相対
する領域Aに配置されている。チャージポンプ回路20
0へのクロック信号や電源電圧は、外部信号ライン11
5及び外部電源ライン116を通じて供給され、チャー
ジポンプ回路200からの出力電圧は、内部電圧源ライ
ン117及び118を通じて走査線駆動回路104及び
信号線駆動回路105へ供給されている。また、図示し
ていないが、チャージポンプ回路200のクロック入力
部及び出力部に接続されるコンデンサは、実施形態1と
同様にアレイ基板101の外に配置されている。
As shown in FIG. 9, the charge pump circuit 2
Reference numeral 00 denotes an area that is opposed to an area on the array substrate 101 where the scanning line driving circuit 104 is disposed, with the pixel portion 103 interposed therebetween. Charge pump circuit 20
0 and the power supply voltage are supplied to the external signal line 11.
5, and the output voltage from the charge pump circuit 200 is supplied to the scanning line driving circuit 104 and the signal line driving circuit 105 through the internal voltage source lines 117 and 118. Although not shown, capacitors connected to the clock input unit and the output unit of the charge pump circuit 200 are arranged outside the array substrate 101 as in the first embodiment.

【0062】この実施形態4のようなアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置では、走査線駆動回路104や信
号線駆動回路105を画素部103に対して両側に配置
する必要がないことが多いが、額縁は外部への取り付け
などの問題から画素部103の両側に必要となる。した
がって、例えば図1のようにチャージポンプ回路10を
走査線駆動回路104側に配置した場合には額縁を大き
くしなければならないが、図9のようにあらかじめ確保
されている領域Aに配置した場合には、額縁を大きくす
ることなしにチャージポンプ回路を配置することができ
る。
In the active matrix type liquid crystal display device as in the fourth embodiment, it is often unnecessary to dispose the scanning line driving circuit 104 and the signal line driving circuit 105 on both sides with respect to the pixel portion 103. Are required on both sides of the pixel portion 103 due to problems such as external attachment. Therefore, for example, when the charge pump circuit 10 is arranged on the scanning line driving circuit 104 side as shown in FIG. 1, the frame must be enlarged, but when the charge pump circuit 10 is arranged in the area A secured in advance as shown in FIG. , A charge pump circuit can be arranged without increasing the frame.

【0063】図10は、チャージポンプ回路200の代
わりにバイパスコンデンサ201を配置した例を示す回
路構成図である。この場合も、額縁を大きくすることな
しに、アレイ基板101にバイパスコンデンサ201を
配置することができる。
FIG. 10 is a circuit diagram showing an example in which a bypass capacitor 201 is arranged in place of the charge pump circuit 200. Also in this case, the bypass capacitor 201 can be arranged on the array substrate 101 without increasing the frame.

【0064】[0064]

【発明の効果】請求項1の発明においては、アレイ基板
上に大容量のコンデンサを配置することなしに、アレイ
基板上にチャージポンプ回路を配置することができるた
め、従来と同様に出力電圧を安定させることができるだ
けでなく、外部制御回路のコンパクト化と低コストを実
現することができる。
According to the first aspect of the present invention, the charge pump circuit can be arranged on the array substrate without arranging a large-capacity capacitor on the array substrate. Not only can it be stabilized, but also the external control circuit can be made compact and low cost.

【0065】請求項2及び請求項3の発明においては、
TFTのしきい値の変動にかかわらず必要な出力電圧を
得ることができるので、TFTの製造プロセスに影響さ
れることなしに、チャージポンプ回路からの出力電圧を
安定させることができる。
In the second and third aspects of the present invention,
Since the required output voltage can be obtained regardless of the variation in the threshold value of the TFT, the output voltage from the charge pump circuit can be stabilized without being affected by the manufacturing process of the TFT.

【0066】請求項4の発明においては、チャージポン
プ回路を走査線駆動回路側に配置する必要がないので、
額縁を大きくすることなしにチャージポンプ回路をアレ
イ基板上に配置することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, there is no need to dispose the charge pump circuit on the scanning line driving circuit side.
The charge pump circuit can be arranged on the array substrate without increasing the frame.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1に係わる液晶表示装置の回路構成
図。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a liquid crystal display device according to a first embodiment.

【図2】図1に示すチャージポンプ回路の回路構成図。FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a charge pump circuit shown in FIG.

【図3】図2に示すチャージポンプ回路の動作を示すタ
イミングチャート。
FIG. 3 is a timing chart showing the operation of the charge pump circuit shown in FIG.

【図4】実施形態2に係わるチャージポンプ回路の回路
構成図。
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a charge pump circuit according to a second embodiment.

【図5】図4に示すチャージポンプ回路の動作を示すタ
イミングチャート。
5 is a timing chart showing the operation of the charge pump circuit shown in FIG.

【図6】実施形態3に係わるチャージポンプ回路の回路
構成図。
FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a charge pump circuit according to a third embodiment.

【図7】図6に示すチャージポンプ回路の他の構成例を
示す回路構成図。
FIG. 7 is a circuit configuration diagram showing another configuration example of the charge pump circuit shown in FIG. 6;

【図8】実施形態3に係わるチャージポンプ回路の応用
例を示す回路構成図。
FIG. 8 is a circuit configuration diagram showing an application example of the charge pump circuit according to the third embodiment.

【図9】実施形態4に係わる液晶表示装置の回路構成
図。
FIG. 9 is a circuit configuration diagram of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment.

【図10】実施形態4に係わる液晶表示装置の他の構成
例を示す回路構成図。
FIG. 10 is a circuit diagram showing another configuration example of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,20,30,40,200…チャージポンプ回
路、11…TFT 12…画素電極、13…補助容量、17,25,26…
NchTFT 18,27…PchTFT、36,38,46,47…
ダイオード回路 101…アレイ基板、102…外部制御回路、103…
画素部 104…走査線駆動回路、105…信号線駆動回路
10, 20, 30, 40, 200 ... charge pump circuit, 11 ... TFT 12 ... pixel electrode, 13 ... auxiliary capacitance, 17, 25, 26 ...
NchTFT 18, 27 ... PchTFT, 36, 38, 46, 47 ...
Diode circuit 101: Array substrate, 102: External control circuit, 103:
Pixel unit 104: scanning line driving circuit, 105: signal line driving circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 612 G09G 3/20 612D 5G435 H01L 27/04 H01L 27/04 B 21/822 (72)発明者 佐藤 肇 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 綱島 貴徳 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 花澤 康行 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 (72)発明者 平井 保功 埼玉県深谷市幡羅町一丁目9番地2号 株 式会社東芝深谷工場内 Fターム(参考) 2H092 GA59 JA24 NA11 NA25 PA06 2H093 NA16 NC05 NC21 NC71 ND40 ND42 ND54 ND60 5C006 AA16 AF51 BB16 BC20 BF43 BF46 FA42 FA51 5C080 AA10 BB05 DD22 DD27 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 5F038 AV06 BB06 BG05 EZ06 EZ20 5G435 AA00 AA16 AA18 BB12 EE33 EE37 GG21 HH12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G09G 3/20 612 G09G 3/20 612D 5G435 H01L 27/04 H01L 27/04 B 21/822 (72) Invention Person Hajime Sato 1-9-2, Harara-cho, Fukaya-shi, Saitama Prefecture Inside the Toshiba Fukaya Plant (72) Inventor Takanori Tsunashima 1-9-2, Hara-cho, Fukaya-shi, Saitama Prefecture Inside the Toshiba Fukaya Plant (72 Inventor Yasuyuki Hanazawa 1-9-2 Hara-cho, Fukaya-shi, Saitama Prefecture Inside the Toshiba Fukaya Plant Co., Ltd. (72) Inventor Yasutoshi Hirai 1-9-1-2 Hara-cho, Fukaya City, Saitama Prefecture Toshiba Fukaya Plant Co., Ltd. F term (reference) 2H092 GA59 JA24 NA11 NA25 PA06 2H093 NA16 NC05 NC21 NC71 ND40 ND42 ND54 ND60 5C006 AA16 AF51 BB16 BC20 BF43 BF46 FA42 FA51 5C080 AA10 BB05 D D22 DD27 EE29 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 5F038 AV06 BB06 BG05 EZ06 EZ20 5G435 AA00 AA16 AA18 BB12 EE33 EE37 GG21 HH12

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに交差する複数本の走査線及び複数
本の信号線、これらの両線の各交差部に配置されたスイ
ッチ素子、前記スイッチ素子に接続された画素電極を含
む第1の基板、前記画素電極と対向する対向電極を含む
第2の基板、前記第1の基板と前記第2の基板との間に
保持された光変調層を有する表示パネルと、前記信号線
にデータ信号を供給する信号線駆動回路と、前記走査線
に走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記信号線駆
動回路と前記走査線駆動回路に所定の信号や電位を供給
する外部制御回路とを備えた平面表示装置において、 前記外部制御回路に含まれる電圧源回路を前記第1の基
板上に配置するとともに、前記電圧源回路の出力部とグ
ランドとの間の容量、並びにクロック入力部の容量を前
記第1の基板の外に配置したことを特徴とする平面表示
装置。
1. A first substrate including a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines crossing each other, a switching element disposed at each intersection of these two lines, and a pixel electrode connected to the switching element. A second substrate including a counter electrode facing the pixel electrode, a display panel having a light modulation layer held between the first substrate and the second substrate, and transmitting a data signal to the signal line. A signal line driving circuit for supplying a scanning signal to the scanning line; and an external control circuit for supplying a predetermined signal or potential to the signal line driving circuit and the scanning line driving circuit. In the flat panel display device, a voltage source circuit included in the external control circuit is disposed on the first substrate, and a capacitance between an output unit of the voltage source circuit and a ground and a capacitance of a clock input unit are set as the above. Outside the first substrate Flat display device, characterized in that the location.
【請求項2】 前記電圧源回路は、極性の異なる第1の
薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタが直列に接
続され、第1の容量を介してクロック信号を入力する第
1入力部が前記第1の薄膜トランジスタ及び第2の薄膜
トランジスタのゲート電極に接続され、かつ第2の容量
を介して前記クロック信号の反転クロック信号を入力す
る第2入力部が、前記第1の薄膜トランジスタと第2の
薄膜トランジスタとの中間接続点に接続するように構成
され、前記第1及び第2容量が、前記第2の薄膜トラン
ジスタの出力部とグランドとの間の容量とともに前記第
1の基板の外に配置されることを特徴とする請求項1に
記載の平面表示装置。
2. The voltage source circuit according to claim 1, wherein the first thin film transistor and the second thin film transistor having different polarities are connected in series, and a first input unit for inputting a clock signal through a first capacitor is provided in the first input unit. A second input unit connected to the gate electrodes of the thin film transistor and the second thin film transistor and inputting an inverted clock signal of the clock signal via a second capacitor is provided between the first thin film transistor and the second thin film transistor. The first and second capacitances are arranged outside the first substrate together with a capacitance between an output of the second thin film transistor and a ground. The flat panel display according to claim 1.
【請求項3】 前記電圧源回路は、極性の異なる第1の
薄膜トランジスタと第2の薄膜トランジスタとを直列に
接続するとともに、これら2つの薄膜トランジスタをさ
らにペアにして直列に接続したことを特徴とする請求項
1に記載の平面表示装置。
3. The voltage source circuit according to claim 1, wherein the first thin film transistor and the second thin film transistor having different polarities are connected in series, and the two thin film transistors are further connected in series as a pair. Item 2. The flat panel display according to item 1.
【請求項4】 前記電圧源回路を、前記第1の基板上の
前記走査線駆動回路を配置する領域と相対する領域に配
置したことを特徴とする請求項1乃至3に記載の平面表
示装置。
4. The flat display device according to claim 1, wherein the voltage source circuit is disposed in a region on the first substrate opposite to a region where the scanning line driving circuit is disposed. .
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002047061A1 (en) * 2000-12-06 2002-06-13 Sony Corporation Timing generating circuit for display and display having the same
JP2002175027A (en) * 2000-12-07 2002-06-21 Sony Corp Active matrix type display device and portable terminal using the same
JP2002207441A (en) * 2001-01-11 2002-07-26 Toshiba Corp Planar display device
JP2004226786A (en) * 2003-01-24 2004-08-12 Sony Corp Display device
JP2005227529A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Nec Corp Active matrix type semiconductor device
JP2006106690A (en) * 2004-10-01 2006-04-20 Samsung Electronics Co Ltd Driving voltage generating circuit and display device including same
KR100607617B1 (en) 2003-11-12 2006-08-02 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Dc-dc conversion circuit
JP2007017490A (en) * 2005-07-05 2007-01-25 Sanyo Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display device
JP2007065157A (en) * 2005-08-30 2007-03-15 Seiko Epson Corp Electrooptical device and electronic equipment equipped with same
JP2007133399A (en) * 2005-11-07 2007-05-31 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same
KR100741624B1 (en) * 2004-04-02 2007-07-23 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Liquid crystal display

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261191A (en) * 1994-03-16 1995-10-13 Casio Comput Co Ltd Liquid crystal display device
JPH0876726A (en) * 1994-07-08 1996-03-22 Hitachi Ltd Tft liquid crystal display
JPH10214063A (en) * 1997-01-30 1998-08-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display controller and liquid crystal display device
JPH10511483A (en) * 1996-06-28 1998-11-04 マイクロチップ テクノロジー インコーポレイテッド LCD control by updating data stored in RAM
JPH11281996A (en) * 1998-03-26 1999-10-15 Toshiba Corp Display device
JP2000163002A (en) * 1998-11-27 2000-06-16 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit, liquid crystal display device and opposite polarity voltage generating circuit
JP2001183702A (en) * 1999-12-27 2001-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261191A (en) * 1994-03-16 1995-10-13 Casio Comput Co Ltd Liquid crystal display device
JPH0876726A (en) * 1994-07-08 1996-03-22 Hitachi Ltd Tft liquid crystal display
JPH10511483A (en) * 1996-06-28 1998-11-04 マイクロチップ テクノロジー インコーポレイテッド LCD control by updating data stored in RAM
JPH10214063A (en) * 1997-01-30 1998-08-11 Hitachi Ltd Liquid crystal display controller and liquid crystal display device
JPH11281996A (en) * 1998-03-26 1999-10-15 Toshiba Corp Display device
JP2000163002A (en) * 1998-11-27 2000-06-16 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit, liquid crystal display device and opposite polarity voltage generating circuit
JP2001183702A (en) * 1999-12-27 2001-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002047061A1 (en) * 2000-12-06 2002-06-13 Sony Corporation Timing generating circuit for display and display having the same
US6894674B2 (en) 2000-12-06 2005-05-17 Sony Corporation Timing generation circuit for display apparatus and display apparatus incorporating the same
US7432906B2 (en) 2000-12-06 2008-10-07 Sony Corporation Timing generation circuit for display apparatus and display apparatus incorporating the same
JP2002175027A (en) * 2000-12-07 2002-06-21 Sony Corp Active matrix type display device and portable terminal using the same
JP2002207441A (en) * 2001-01-11 2002-07-26 Toshiba Corp Planar display device
JP4690554B2 (en) * 2001-01-11 2011-06-01 東芝モバイルディスプレイ株式会社 Flat panel display
JP2004226786A (en) * 2003-01-24 2004-08-12 Sony Corp Display device
KR100607617B1 (en) 2003-11-12 2006-08-02 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Dc-dc conversion circuit
US7184285B2 (en) 2003-11-12 2007-02-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. DC-DC conversion circuit
JP2005227529A (en) * 2004-02-13 2005-08-25 Nec Corp Active matrix type semiconductor device
US8264476B2 (en) 2004-02-13 2012-09-11 Nlt Technologies, Ltd. Active matrix type semiconductor device
CN100439982C (en) * 2004-02-13 2008-12-03 日本电气株式会社 Active matrix type semiconductor device
KR100741624B1 (en) * 2004-04-02 2007-07-23 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Liquid crystal display
JP2006106690A (en) * 2004-10-01 2006-04-20 Samsung Electronics Co Ltd Driving voltage generating circuit and display device including same
JP4632127B2 (en) * 2005-07-05 2011-02-16 エプソンイメージングデバイス株式会社 Display device
JP2007017490A (en) * 2005-07-05 2007-01-25 Sanyo Epson Imaging Devices Corp Liquid crystal display device
JP2007065157A (en) * 2005-08-30 2007-03-15 Seiko Epson Corp Electrooptical device and electronic equipment equipped with same
JP2007133399A (en) * 2005-11-07 2007-05-31 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panel and method for manufacturing the same

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