JP2001338419A - 磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び製造方法、磁気記録媒体、並びに磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度な磁化パターンを精度良くかつ簡便
に、短時間で磁気記録媒体に形成することができる。さ
らに、高密度記録が可能な磁気記録媒体及び磁気記録装
置を短時間かつ安価に提供する。 【解決手段】 基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と保
護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体の磁化パタ
ーン形成方法であって、該磁性薄膜を局所的に加熱する
工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印可する工程とを含む
磁気記録媒体の磁化パターン形成方法、及びそれにより
磁化パターンを形成した磁気記録媒体並びにそれを用い
た磁気記録装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録装置に用
いられる磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び磁気
記録媒体、並びに磁気記録装置に関し、特に、磁性薄膜
と保護層と潤滑層を備えた、浮上型磁気ヘッドで記録再
生を行う磁気記録媒体の磁化パターン形成方法及び磁気
記録媒体、並びに磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置に代表される磁気記録
装置はコンピュータなどの情報処理装置の外部記憶装置
として広く用いられ、近年は動画像の録画装置やセット
トップボックスのための記録装置としても使用されつつ
ある。磁気ディスク装置は、通常、磁気ディスクを１枚
或いは複数枚を串刺し状に固定するシャフトと、該シャ
フトにベアリングを介して接合された磁気ディスクを回
転させるモータと、記録及び／又は再生に用いる磁気ヘ
ッドと、該ヘッドが取り付けられたアームと、ヘッドア
ームを介してヘッドを磁気記録媒体上の任意の位置に移
動させることのできるアクチュエータとからなり、記録
再生用ヘッドが磁気記録媒体上を一定の浮上量で移動し
ている。

【０００３】また、浮上型ヘッドの他に媒体との距離を
より縮めるために、コンタクトヘッド（接触型ヘッド）
の使用も提案されている。磁気ディスク装置に搭載され
る磁気記録媒体は、一般にアルミニウム合金などからな
る基板の表面にＮｉＰ層を形成し、所要の平滑化処理、
テキスチャリング処理などを施した後、その上に、非磁
性金属下地層、磁性層、保護層、潤滑層などを順次形成
して作製されている。あるいは、ガラスなどからなる非
磁性基板の表面に非磁性金属下地層、磁性層（情報記録
層）、保護層、潤滑層などを順次形成して作製されてい
る。磁気記録媒体には面内磁気記録媒体と垂直磁気記録
媒体とがある。面内磁気記録媒体は、通常、長手記録が
行われる。

【０００４】磁性層上に保護層を設けることで浮上する
磁気ヘッドの衝突による磁性層の損傷を防ぎ、さらに潤
滑層を設けることで磁気ヘッドと媒体とのあいだに潤滑
性を付与する。本構成により浮上型／接触型磁気ヘッド
での記録再生が可能となる。浮上型／接触型ヘッドの使
用により磁性層とヘッドとの距離を小さくできるため、
他方式のヘッドを用いる光ディスクや光磁気ディスクな
どに比べ格段に高密度の情報記録が可能となる。

【０００５】磁気記録媒体の高密度化は年々その速度を
増しており、近年においては年率６０％以上の増加率で
高密度化が進んでいる。この高密度化を実現する技術に
は様々なものがあり、例えば磁気ヘッドの浮上量をより
小さくしたり磁気ヘッドとしてＧＭＲヘッドを採用した
り、また磁気ディスクの記録層に用いる磁性材料の改良
や、磁気ディスクの情報記録トラックの間隔を狭くする
ことなどが試みられている。

【０００６】情報記録トラックの間隔を狭めてトラック
数を増加させると、データ記録／再生用ヘッドの位置制
御に用いる信号（以下、「サーボ信号」と言うことがあ
る。）もそれに合わせてディスクの半径方向に対して密
に、すなわちより多く設けて精密な制御を行えるように
しなければならない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】サーボ信号の形成方法
としてはいくつかの方法が提案されている。広く製造に
用いられている方法は、ドライブ（磁気記録装置）のヘ
ッドアクチュエータ近傍に穴を開け、その部分にエンコ
ーダ付きのピンを挿入し、該ピンでアクチュエータを係
合し、ヘッドを正確な位置に駆動してサーボ信号を記録
しようとするものである。

【０００８】他の方法としては、最外周或いは最内周に
ヘッドを機械的に位置決めし、最初のサーボ信号（又は
サーボ信号を記録するためのリファレンス信号）を記
録、次のサーボ信号（又はサーボ信号を記録するための
リファレンス信号）は、記録済みのサーボ信号（又はサ
ーボ信号を記録するためのリファレンス信号）出力が一
定割合減ずる位置に記録していくといった、ドライブ自
身でサーボ信号を記録する方法も提案されている。

【０００９】また、サーボ信号に相当する凹凸面を擁し
たマスターディスクを磁気記録媒体に密着させ、さらに
磁界をかけることで磁気記録媒体にマスターディスクの
凹凸を磁気転写する、静的にサーボ信号を記録する技術
も提案されている（特開平１０−２６９５６６号公
報）。或いは、レーザービームを磁気記録媒体に照射し
て媒体表面を局所的に変形させ物理的な凹凸を形成する
ことで、凹凸サーボ信号を形成する技術も提案されてい
る。

【００１０】磁気記録媒体の記録密度は、数十Ｇｂｉｔ
／ｉｎｃｈ²から数年後には、１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃ
ｈ²以上に達しようとしている。１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ
ｃｈ²を実現するには、トラック密度は１００ｋｔｐｉ
を超える密度の実現が必要とされる。しかし上記の手法
では、効率よくしかも精度よく磁化パターンを形成する
のが難しいという問題があった。

【００１１】例えば、サーボ信号の記録を例にとると、
上述の外部ピンを使用した方法だと、位置決め機構とア
クチュエータの重心が異なる位置にあるため、高精度の
トラック位置制御ができず、サーボ信号を正確に記録す
るのが困難であった。また、ドライブ自身でサーボ信号
を記録する方法では、重心のずれによる問題は無いもの
の、前に記録したサーボ信号（又はサーボ信号を記録す
るためのリファレンス信号）を次の記録に利用している
ため、記録を順次進めていく間に誤差が累積していって
しまうという問題があった。

【００１２】凹凸サーボ信号を形成する方法では、凹凸
により浮上ヘッドが不安定となり記録再生に悪影響を及
ぼす、凹凸を形成するために大きなパワーをもつレーザ
ービームを用いる必要がありコストがかかる、凹凸を１
ずつ形成するために時間がかかる、といった問題があっ
た。磁気転写により静的にサーボ信号を記録する方法で
は、累積誤差、重心、作製時間の問題は無いが、マスタ
ーディスクと磁気転写される磁気記録媒体との完全な密
着が非常に難しい。更には、密着の際のゴミ発生等をど
う解決するかといった難しい問題が残っている。

【００１３】本発明はこれら問題点を解決し、効率よく
しかも精度よく磁化パターンを形成する方法を提供し、
ひいては高密度記録が可能な磁気記録媒体及び磁気記録
装置を短時間かつ安価に提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述したような実状に鑑
み本発明者らが鋭意検討した結果、該磁性薄膜を局所的
に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印加する工
程とを組み合わせることで精度良く、かつ効率的に磁気
記録媒体の磁化パターンが形成できることを見出し本発
明に至った。

【００１５】すなわち本発明の要旨は、基板上に少なく
とも一層の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有してなる
磁気記録媒体の磁化パターン形成方法であって、該磁性
薄膜を局所的に加熱する工程と、該磁性薄膜に外部磁界
を印加する工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体
の磁化パターン形成方法に存する。本発明によれば、基
板上に磁性薄膜と保護層と潤滑層を有する、浮上型／接
触型磁気ヘッドで記録再生を行うための磁気記録媒体
に、出力信号の品質が高い磁化パターンを精度よくかつ
効率的に形成できる。すなわち磁化遷移幅が小さく磁区
の境界での磁化遷移が非常に急峻で出力信号の品質が高
いパターンが形成できる。条件を選べば磁化遷移幅１μ
ｍ以下も可能となる。

【００１６】外部磁界を印加し磁性薄膜を予め所望の方
向に均一に磁化したのち、局所的に加熱し消磁すること
で、精度良くかつ効率的に磁化パターンを形成すること
ができる。また、磁性薄膜を局所的に加熱すると同時に
外部磁界を印加し加熱部を所望の磁化方向としてもよ
い。或いは、外部磁界を印加し磁性薄膜を予め所望の方
向に均一に磁化したのち、局所的に加熱すると同時に外
部磁界を印加し加熱部を消磁するか該所望の方向とは逆
方向に磁化することとしてもよい。

【００１７】なお、所望の磁化方向とは、磁化容易軸が
面内方向にある媒体の場合には、データの書込み／再生
ヘッドの走行方向（媒体とヘッドの相対移動方向）と同
一又は逆方向であり、磁化容易軸が面内方向に垂直にあ
る場合には、該垂直方向のいずれかである。局所加熱と
同時に外部磁界を印加し加熱部を磁化する態様は、従来
の磁気転写法では磁化が困難であった保磁力の高い磁気
記録媒体でも、加熱することで保磁力を十分に下げて磁
化させるので弱い磁界で容易に磁化できる。

【００１８】また、外部磁界を印加し磁性薄膜を予め所
望の方向に均一に磁化するとは、通常、磁性薄膜の全部
を均一に磁化することを言うが、磁化パターンを形成す
べき領域が均一に磁化されていれば、磁化薄膜の一部で
あってもよい。本方法は、パターンが単純でしかも精度
要求が厳しいデータ記録／再生用磁気ヘッドの位置制御
に用いるサーボパターン又は該サーボパターン記録用の
基準パターンの形成に適用すると効果が大きい。精度の
高いサーボパターン又は基準パターンが得られるため、
トラック密度が４０ｋＴＰＩ以上であるような高密度媒
体に適用すると効果が高い。

【００１９】また本法によれば、従来形成しにくかっ
た、磁気ヘッドの走行方向に対して斜め方向に延在する
パターンを含む磁化パターンも容易に形成できる。しか
も信号強度が強い磁化パターンが得られる。特に位相サ
ーボ信号などの傾斜パターンに好適である。より精密な
磁化パターン形成のために、加熱するための手段は、パ
ワーコントロール、加熱する部位の大きさが制御しやす
いなどの理由でエネルギー線を使用することが好まし
い。エネルギー線はパルス状にして、加熱部位の制御や
加熱温度の制御を行うのが好ましい。エネルギー線とし
ては記録層表面を部分的に加熱できればよいが、不要な
部分へのエネルギー線の照射を防げることからレーザが
好ましい。

【００２０】連続レーザを光学部品によりパルス化して
もよいが、特にパルスレーザ光源の使用が好適である。
パルスレーザ光源はレーザをパルス状に断続的に発振す
るものであり、パワー尖頭値の高いレーザをごく短時間
に照射することができ熱の蓄積が起こりにくい。磁化パ
ターンが形成される媒体面は、パルス状エネルギー線の
照射時と非照射時で温度差が大きい方が、パターンのコ
ントラストを上げ、或いは記録密度を上げるために好ま
しい。従ってパルス状エネルギー線の非照射時には室温
以下程度になっているのが好ましい。室温とは２５℃程
度である。

【００２１】パルス状エネルギー線の１パルス当たりの
パワーは１０００ｍＪ／ｃｍ²以下とすることが好まし
い。これより大きなパワーをかけると、パルス状エネル
ギー線によって、該磁気記録媒体表面が損傷を受け、変
形を起こす可能性がある。本発明に用いる基板がＡｌ等
の金属又は合金である場合は、熱伝導率が大きいことか
ら、局所に与えた熱が所望の部位以外にも広がってしま
い磁化パターンを歪ませることが無いよう、また、過剰
なエネルギーによって基板に物理的な損傷が起きないよ
う、該パワーは３０〜１２０ｍＪ／ｃｍ²の範囲である
ことが好ましい。

【００２２】基板がガラス等のセラミックスである場合
はＡｌ等に比して熱伝導が少なく、パルス状エネルギー
線照射部位での熱の蓄積が多いことから、該パワーは１
０〜１００ｍＪ／ｃｍ²の範囲であることが好ましい。
基板がポリカーボネイト等の樹脂である場合は、パルス
状エネルギー線照射部位での熱の蓄積が多くガラス等に
比して融点が低いことから、該パワーは１０〜８０ｍＪ
／ｃｍ²の範囲であることが好ましい。

【００２３】エネルギー線による同一位置の加熱時間幅
は、１０μｓｅｃ以下であることが望ましい。これより
パルス幅が広いと該磁気記録媒体にエネルギー線で与え
たエネルギーによる発熱が分散して、分解能が低下しや
すい。更に、マスクを介してエネルギー線を照射する
と、磁気記録媒体の磁化パターンを形成すると磁化パタ
ーンの精度が良いばかりでなく、自由な形状のパターン
を簡単かつ短時間で形成することができる。マスクは、
エネルギー線を照射したときに形成すべき磁化パターン
に対応して媒体面上にエネルギー線の濃淡を形成するも
のであればよい。

【００２４】マスクは媒体にできるだけ近接させ略接触
させるのが好ましい。略接触とは完全にあるいは一部接
触している状態である。このようにして磁化パターンが
形成された磁気記録媒体は、安価でかつ高密度記録が可
能である。また、本発明においてはマスクを非磁性材料
で構成すると、どのようなパターン形状でも均一な明瞭
さで磁化パターンが形成でき、均一で強い再生信号が得
られる。

【００２５】面内磁気記録媒体は、近年の高密度化によ
り狭トラック幅化が進み、ヘッドでの記録による磁気に
じみの影響が相対的に大きくなりつつある。特にサーボ
信号等の位置決め信号で磁気にじみが大きいと、ヘッド
位置の精度が保てず、エラーレートが増加するおそれが
ある。本発明の記録方法によれば、スポット的な急激に
昇温された部分のみに記録が選択的に行われるため、磁
気にじみが起こりにくく、さらなる高密度記録が行える
ようになる。

【００２６】好ましくはＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲヘッドな
どで磁気的に信号を検出するために、飽和磁化が５０ｅ
ｍｕ／ｃｃ以上とする。この場合反磁界の影響が大きい
ため、加熱と外部磁界によって磁化反転された部分の温
度が急峻に下がるよう、パルス幅はできるだけ狭い方が
望ましい。より好ましくは、１００ｅｍｕ／ｃｃ以上と
する。ただしあまり大きいと磁化パターンの形成がしに
くいため、５００ｅｍｕ／ｃｃ以下が好ましい。

【００２７】一方、磁気記録媒体が垂直磁気記録媒体で
ある場合、加熱消磁或いは加熱磁化する際の減磁作用が
少なく、本発明を適用するのに好適である。好ましくは
ＭＲヘッドなどで磁気的に信号を検出するために、飽和
磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ以上とする。より好ましくは、
１００ｅｍｕ／ｃｃ以上とする。ただしあまり大きいと
磁化パターンの形成がしにくいため、５００ｅｍｕ／ｃ
ｃ以下が好ましい。しかしながら、飽和磁化が大きいと
磁気的な減磁作用で意図しない磁化反転が起こりやすく
エキストラパルスやノイズが発生するので、磁性薄膜の
下に軟磁性層を設けることが有効である。

【００２８】特に、磁化パターンが比較的大きく１磁区
の単位体積が大きい場合は、該磁化反転が起こりやすい
ため軟磁性層を設けるのが好ましい。室温で磁化を安定
に保つには磁性薄膜の磁化が消失する温度は高いほうが
よい。また室温と磁化消失温度との差が大きい方が磁化
パターンの磁区が明瞭に形成しやすい。このため磁化消
失温度は１００℃以上が好ましい。例えば、キュリー温
度近傍（キュリー温度のやや下）や補償温度近傍に磁化
消失温度がある。

【００２９】また、室温での保磁力は大きい方が高密度
記録が可能であり好ましい。従来の磁気転写法では、あ
まり保磁力が高い媒体には転写が困難であったが、本発
明においては磁性薄膜を加熱し保磁力を十分に下げて磁
化パターンを形成するため、保磁力の大きい媒体への適
用が好ましい。また、磁化パターン形成プロセス及び記
録再生時の磁気ヘッドとの衝突による媒体の損傷を防ぐ
ために保護層を設けるが、記録再生時の磁性薄膜とヘッ
ドとの距離を小さくするために、膜厚は５０ｎｍ以下と
するのが好ましい。なお、磁性薄膜が複数層ある場合に
は最も表面に近い磁性薄膜の上に保護層を設ければよ
い。好ましくは保護層がダイヤモンドライクカーボンか
らなる。エネルギー線による磁性薄膜の損傷防止の役割
を果たすだけでなく、ヘッドによる磁性薄膜の損傷にも
極めて強くなる。

【００３０】また、ヘッドと媒体のあいだに潤滑性を付
与するため潤滑層を設けるが、磁化パターン形成の妨げ
とならないために潤滑層は薄い方が好ましく、１０ｎｍ
以下が好ましい。本発明の磁化パターン形成法は、潤滑
層の形成前に行っても形成後に行ってもよい。

【００３１】更に、浮上型／接触型ヘッドの走行安定性
を損なわないよう、磁化パターン形成後の該媒体の表面
粗度Ｒａを３ｎｍ以下に保つのが好ましい。なお、媒体
表面粗度Ｒａとは潤滑層を含まない媒体表面の粗度であ
って、触針式表面粗さ計を用いて測定長４００μｍで測
定後、ＪＩＳ Ｂ０６０１に則って算出した値である。
より好ましくは１．５ｎｍ以下とする。

【００３２】さらに望ましくは磁化パターン形成後の該
媒体の表面うねりＷａを５ｎｍ以下に保つ。Ｗａは潤滑
層を含まない媒体表面のうねりであって、触針式表面粗
さ計を用いて測定長２ｍｍで測定後、Ｒａ算出に準じて
算出した値である。より好ましくは３ｎｍ以下とする。
本発明の別の要旨は、基板上に少なくとも一層の磁性薄
膜と保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体であ
って、該磁性薄膜は、所望の方向に均一に磁化された領
域内に、部分的に磁化を有しないパターン又は部分的に
該所望の方向により弱く磁化されたパターンを有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体に存する。

【００３３】このような記録媒体は、媒体全面を一括で
均一に磁化したのちマスク露光等するのみで作製できる
ため、非常に短時間で簡便に、精密な磁化パターンを有
する磁気記録媒体が得られる。磁化パターンとしては、
パターンが単純でしかも精度要求が厳しいデータ記録／
再生用磁気ヘッドの位置制御に用いるサーボパターン又
は該サーボパターン記録用の基準パターンの形成に適用
すると効果が大きい。精度の高いサーボパターン又は基
準パターンが得られるため、トラック密度が４０ｋＴＰ
Ｉ以上であるような高密度媒体に適用すると効果が高
い。

【００３４】また、従来形成しにくかった、磁気ヘッド
の走行方向に対して斜め方向に延在するパターンを含む
磁化パターンも容易に形成できる。しかも信号強度が強
い磁化パターンが得られる。特に位相サーボ信号などの
傾斜パターンに好適である。本発明のさらに別の要旨
は、磁気記録装置であって、磁気記録媒体と、磁気記録
媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部か
らなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対し
て相対移動させる手段と、磁気ヘッドへの記録信号入力
と磁気ヘッドからの再生信号出力を行うための記録再生
信号処理手段を有する磁気記録装置であって、磁気記録
媒体が上述のいずれかの磁気記録媒体であることを特徴
としている。このような磁気記録装置は、安価でかつ高
密度記録が可能である。

【００３５】磁気ヘッドとしては、高密度記録を行うた
め、通常は浮上型／接触型磁気ヘッドを用いる。また、
磁気記録媒体を装置に組みこんだ後、上記磁化パターン
を磁気ヘッドにより再生し信号を得、該信号を基準とし
てサーボバースト信号を該磁気ヘッドにより記録してな
る磁気記録装置に用いても、簡易に精密なサーボ信号を
得ることが可能である。また、磁気ヘッドでのサーボバ
ースト信号記録後にも、ユーザデータ領域として用いら
れない領域には本発明により磁化パターンとして記録し
た信号が残っていると何らかの外乱により磁気ヘッドの
位置ずれが起きたときにも所望の位置に復帰させやすい
ので、両者の書き込み方法による信号が存在する磁気記
録装置は、信頼性が高い。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下に本発明についてより詳細に
説明する。本発明においては、基板上に少なくとも一層
の磁性薄膜と保護層と潤滑層を順次有する磁気記録媒体
に、磁性薄膜を局所的に加熱する工程と、磁性薄膜に外
部磁界を印加する工程とを組み合わせて磁化パターンを
形成する。これにより、出力信号の品質がよく精度の高
い磁化パターンを、短時間かつ簡便に形成できる。

【００３７】磁性層上に保護層を設けることで浮上又は
接触する磁気ヘッドの衝突による磁性層の損傷を防ぎ、
さらに潤滑層を設けることで磁気ヘッドと媒体とのあい
だに潤滑性を付与する。本構成により浮上型／接触型磁
気ヘッドでの記録再生が可能となる。浮上型／接触型ヘ
ッドの使用により磁性層とヘッドとの距離を小さくでき
るため、他方式のヘッドを用いる光ディスクや光磁気デ
ィスクなどに比べ格段に高密度の情報記録が可能とな
る。

【００３８】以下では、磁気記録媒体として代表的な磁
気ディスクに、加熱前に強い外部磁界で磁性薄膜を所望
の方向に均一に磁化し、その後所望部位を磁化消失温
度、例えばキュリー温度近傍まで加熱消磁することで磁
化パターンを形成する態様（態様１）を例として、説明
する。まず、磁気ディスクに強い外部磁界を印加して、
磁性薄膜全体を所望の磁化方向に均一に磁化する。外部
磁界を印加する手段は、磁気ヘッドを用いてもよいし、
電磁石または、永久磁石を所望の磁化方向に磁界が生じ
るよう複数個配置して用いてもよい。更にそれらの異な
る手段を組み合わせて使用してもよい。

【００３９】なお、所望の磁化方向とは、磁化容易軸が
面内方向にある媒体の場合には、データの書込み／再生
ヘッドの走行方向（媒体とヘッドの相対移動方向）と同
一又は逆方向であり、磁化容易軸が面内方向に垂直にあ
る場合には、該垂直方向のいずれかである。次に、この
磁気ディスクの磁性薄膜表面を部分的に加熱し、該磁性
薄膜の磁化消失温度、例えばキュリー温度近傍まで昇温
して消磁する。或いは完全に消磁されず、該所望の磁化
方向に均一磁化領域より弱く磁化された状態となること
もある。

【００４０】加熱手段は、磁性薄膜表面を部分的に加熱
できる機能を備えていればよいが、不要な部分への熱拡
散防止やコントロール性を考えると、パワーコントロー
ル、加熱する部位の大きさが制御しやすいレーザ等のエ
ネルギー線を利用したものが好適である。エネルギー線
はパルス状にして、加熱部位の制御や加熱温度の制御を
行うのが好ましい。

【００４１】また、エネルギー線による加熱を利用する
ことで、マスクの併用により短時間かつ簡便に、磁化パ
ターンを形成することができる。以下、詳細に説明す
る。マスクは、形成すべき磁化パターンに対応して磁気
ディスク面上にエネルギー線の濃淡を形成するものであ
ればよい。例えば、パターンに応じてエネルギー線を透
過する透過部を有するフォトマスクや、特定のパターン
を媒体上に結像するホログラムが記録されたホログラム
マスク、結像光学系などである。これにより、複数の磁
化パターンを一度に形成することができるため、磁化パ
ターン形成工程が短時間かつ簡便となる。

【００４２】磁性薄膜を局所的に加熱する手段は、記録
層表面を部分的に加熱できればよいが、不要な部分への
エネルギー線の照射を防げることからレーザが好まし
い。特にパルスレーザ光源の使用が好適である。パルス
レーザ光源はレーザをパルス状に断続的に発振するもの
であり、連続レーザを音響光学素子（ＡＯ）や電気光学
素子（ＥＯ）などの光学部品で断続させパルス化するの
に比して、パワー尖頭値の高いレーザをごく短時間に照
射することができ熱の蓄積が起こりにくく非常に好まし
い。

【００４３】連続レーザを光学部品によりパルス化した
場合、パルス内ではそのパルス幅に亘ってほぼ同じパワ
ーを持つ。一方パルスレーザ光源は、例えば光源内で共
振によりエネルギーをためて、パルスとしてレーザを一
度に放出するため、パルス内では尖頭のパワーが非常に
大きく、その後小さくなっていく。本発明では、コント
ラストが高く精度の高い磁化パターンを形成するため
に、ごく短時間に急激に加熱しその後急冷させるのが好
ましいため、パルスレーザ光源の使用が適している。

【００４４】磁化パターンが形成される媒体面は、パル
ス状エネルギー線の照射時と非照射時で温度差が大きい
方が、パターンのコントラストを上げ、或いは記録密度
を上げるために好ましい。従ってパルス状エネルギー線
の非照射時には室温以下程度になっているのが好まし
い。室温とは２５℃程度である。具体的には、エキシマ
レーザ（２４８ｎｍ）、ＹＡＧのＱスイッチレーザ（１
０６４ｎｍ）の２倍波（５２３ｎｍ）、３倍波（３５５
ｎｍ）、或いは４倍波（２６６ｎｍ）、Ａｒレーザー
（４８８ｎｍ、５１４ｎｍ）、ルビーレーザー（６９４
ｎｍ）などである。

【００４５】エネルギー線の波長は、１１００ｎｍ以下
であることが好ましい。これより波長が短いと回折作用
が小さく分解能が上がるため、微細な磁化パターンを形
成しやすい。更に好ましくは、６００ｎｍ以下の波長で
ある。高分解能であるだけでなく、回折が小さいため間
隙によるマスクと磁気記録媒体のスペーシングも広くと
れハンドリングがしやすく、磁気転写装置が構成しやす
くなるという利点が生まれる。また、波長は１５０ｎｍ
以上であるのが好ましい。１５０ｎｍ未満では、合成石
英の吸収が大きくなり、マスクが使用しにくくなる。波
長を３５０ｎｍ以上とすれば、光学ガラスをマスクとし
て使用することもできる。

【００４６】エネルギー線による同一位置の加熱時間幅
は、１０μｓｅｃ以下であることが望ましい。これより
パルス幅が広いと該磁気記録媒体にエネルギー線で与え
たエネルギーによる発熱が分散して、分解能が低下しや
すい。より好ましくは１００ｎｓｅｃ以下である。この
領域であるとＡｌなど金属の比較的熱拡散の大きな基板
を用いた場合でも分解能の高い磁化パターンが形成しや
すい。特に好ましくは２５ｎｓｅｃ以下である。また、
パルス幅は１ｎｓｅｃ以上であるのが好ましい。磁性薄
膜の磁化反転が完了するまでの時間、加熱を保持してお
くのが好ましいからである。より好ましくは３ｎｓｅｃ
以上とする。

【００４７】なお、パルス状レーザの一種として、モー
ドロックレーザのようにフェムト秒レベルの超短パルス
を高周波で発生できるレーザがある。超短パルスを高周
波で照射している期間においては、各々の超短パルス間
のごく短い時間はレーザが照射されないが非常に短い時
間であるため加熱部はほとんど冷却されない。すなわ
ち、一旦磁化消失温度以上に昇温された領域は磁化消失
温度以上に保たれる。

【００４８】従ってこのような場合、連続照射期間（超
短パルス間のレーザが照射されない時間も含めた連続照
射期間）を１パルスとする。また連続照射期間の照射エ
ネルギー量の積分値を１パルス当たりのパワー（ｍＪ／
ｃｍ²）とする。パルス状エネルギー線の１パルス当た
りのパワーは１０００ｍＪ／ｃｍ²以下とすることが好
ましい。これより大きなパワーをかけると、パルス状エ
ネルギー線によって該磁気記録媒体表面が損傷を受け変
形を起こす可能性がある。変形により粗度Ｒａが３ｎｍ
以上やうねりＷａが５ｎｍ以上に大きくなると、浮上型
／接触型ヘッドの走行に支障を来すおそれがある。

【００４９】より好ましくは、５００ｍＪ／ｃｍ²以下
であり、更に好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ²以下であ
る。この領域であると比較的熱拡散の大きな基板を用い
た場合でも分解能の高い磁化パターンが形成しやすい。
また、パワーは１０ｍＪ／ｃｍ ²以上とするのが好まし
い。これより小さいと、磁性薄膜の温度が上がりにくく
磁気転写が起こりにくい。

【００５０】１パルス当たりのパワーが同じである場
合、パルス幅を短くし一度に強いパルスを照射した方
が、熱拡散が小さく磁化パターンの分解能が高くなる傾
向にある。本発明に用いる基板がＡｌ等の金属又は合金
である場合は、熱伝導率が大きいことから、局所に与え
た熱が所望の部位以外にも広がってしまい磁化パターン
を歪ませることが無いよう、また、過剰なエネルギーに
よって基板に物理的な損傷が起きないよう、該パワーは
３０〜１２０ｍＪ／ｃｍ²の範囲が好ましい。

【００５１】基板がガラス等のセラミックスである場合
はＡｌ等に比して熱伝導が少なく、パルス状エネルギー
線照射部位での熱の蓄積が多いことから、該パワーは１
０〜１００ｍＪ／ｃｍ²の範囲が好ましい。基板がポリ
カーボネイト等の樹脂である場合は、パルス状エネルギ
ー線照射部位での熱の蓄積が多くガラス等に比して融点
が低いことから、該パワーは１０〜８０ｍＪ／ｃｍ²の
範囲が好ましい。

【００５２】また、エネルギー線による磁性薄膜、保護
層、潤滑層の損傷が心配される場合は、パルス状エネル
ギー線のパワーを小さくして、該パルス状エネルギー線
と同時に印加される磁場強度を上げるといった手段を取
ることもできる。例えば、面内記録媒体の場合は、常温
での保磁力の２５〜７５％、垂直記録の場合には、１か
ら５０％のできるだけ大きな力をかけ、照射エネルギー
を下げる。

【００５３】なお、保護層と潤滑層を介してパルス状エ
ネルギー線を照射するにあたり、潤滑剤の受けるダメー
ジ（分解、重合）等も考慮し、照射後に再塗布するなど
の必要がある。加熱と同時に外部磁界を印加する場合
は、外部磁界も該加熱された広い領域に亘って印加する
ことで、複数の磁化パターンを一度に形成することがで
きる。

【００５４】マスクは、形成すべき磁化パターンに対応
して磁気ディスク面上にエネルギー線の濃淡を形成する
ものであればよい。例えば、パターンに応じてパルス状
エネルギー線を透過する透過部を有するフォトマスクな
どや、特定のパターンを媒体上に結像するホログラムが
記録されたホログラムマスク、結像光学系などである。

【００５５】これにより、複数の磁化パターンを一度に
形成することができるため、磁化パターン形成工程が短
時間かつ簡便となる。さらには、マスクを用いること
で、どのような形状の磁化パターンも媒体上に形成でき
るため、複雑なパターンや従来法では作りにくかった特
殊なパターンも容易に形成できる。例えば、磁気ディス
クの位相サーボ方式では、内周から外周に、半径に対し
て斜めに直線的に延びる磁化パターンが用いられる。こ
のような、半径方向に連続したパターンや斜めのパター
ンは、ディスクを回転させながら１トラックずつサーボ
信号を記録する従来のサーボパターン形成方法では作り
にくく、複雑な計算や構成が必要であった。

【００５６】しかし本発明によれば、該形状に応じたマ
スクを一旦作成すれば、ディスク上の所望の位置でマス
ク露光するだけで当該パターンを簡単に形成できる。マ
スクはエネルギー線の光源と磁性薄膜の間に配置する。
レーザー光の回折の影響を少なくし、高い分解能を持っ
た磁化パターンを形成するためにマスクは媒体に略接触
しているのが好ましい。マスクとディスクが接触せず不
安定であると傾きが生じ明暗のパターンがぼやけてしま
うおそれがある。完全に接触していても部分的な接触で
あってもよい。例えばマスクを媒体上に静置した場合
は、媒体表面の数μｍ程度のうねりにより、媒体と接触
する部分としない部分ができる。ただし、媒体に圧痕を
形成したり損傷することのないよう、マスクと媒体に対
する加圧は１００ｇ／ｃｍ²以下とする。このようにし
て磁化パターンが形成された磁気記録媒体は、安価でか
つ高密度記録が可能である。

【００５７】また、マスクの材質は限定されないが、本
発明においてマスクを非磁性材料で構成すると、どのよ
うなパターン形状でも均一な明瞭さで磁化パターンが形
成でき、均一で強い再生信号が得られる。強磁性体を含
むマスクを使用した場合は、磁化で磁場分布が乱される
ため好ましくない。強磁性の性質上、磁気ディスクの半
径方向或いは、半径方向に延びた円弧状のパターンから
斜傾したパターン形状の場合は、磁化遷移部分で磁区が
互いに十分対抗しないので良質の信号が得にくい。

【００５８】以下、フォトマスクを用いた磁化パターン
形成方法について説明する。形成すべき磁化パターンに
応じて複数の透過部を形成したマスクを用意し、これを
媒体と略接触させ磁性薄膜上にレーザービームを照射す
る。ビーム径を大径又は横に細長い楕円形等として、複
数トラック分の磁化パターンを一括して照射すれば、記
録効率が一段と上がり、これからの容量の伸びに伴いサ
ーボ記録時間が増大するといった問題も改善され非常に
好ましい。

【００５９】マスクは通常、ガラスや石英の原盤上にク
ロム層を形成しその上にフォトレジストを塗布し、これ
を所望のパターンに応じて露光、現像したのちフォトレ
ジスト層を除去することにより形成される。この場合は
ガラス原盤上にクロム層を有する部分がエネルギー線非
透過部、ガラス原盤のみの部分が透過部となる。このよ
うに形成したマスクは通常凹凸を有しており、凸部がエ
ネルギー線に対して非透過で、凸部を媒体に近接させ略
接触させる。或いはまた、このようなマスクを形成した
後に凹部にエネルギー線に透明である材料を埋め込み、
媒体との略接触面を平坦にして使用することもできる。

【００６０】本発明において、略接触とは、マスクを磁
気ディスク上に直接静置した場合のように、マスクと磁
気ディスクの微少なうねりにより、マスクとディスクの
一部が互いに接触している状態をいう。この場合、磁化
パターン形成領域外でマスクと磁気ディスクとが接触し
ていることが望ましいが、磁化パターンを損なわなけれ
ば、接触する部位が磁化パターン内であってもよい。略
接触状態を保つためには、マスクと磁気ディスクのうね
りを利用してもよいし、マスクと磁気ディスクとの間に
スペーサ等を加えてもよい。

【００６１】略接触させると、密着に比してマスクと媒
体の間にゴミの挟み込み等による欠陥が起こりにくく、
かつエネルギー線の回折等によるマスク部からの回り込
みが少なく信号精度が狂いにくくなるので好ましい形態
となる。加熱と同時に外部磁化の印加が伴う時は、外部
磁界も該マスクの複数の透過部に同時に印加できるよう
にするとよい。

【００６２】このようにして、所望の磁化方向に均一に
磁化された領域内に、部分的に磁化を有しないパターン
又は部分的に該所望の方向により弱く磁化されたパター
ンを有する磁気記録媒体が、簡単かつ短時間で作製でき
る。またこのように形成された磁化パターンは、精度が
高い。本方法は、磁化パターンが単純でしかも精度要求
がきびしい場合に効果的である。例えば磁気ヘッドの位
置制御に用いるサーボパターンの形成に適用すると特に
その効果が大きい。サーボパターンは、磁気記録媒体上
のデータトラックに記録／再生ヘッドをトラッキングす
るためのサーボ信号を発生する。

【００６３】さらには、サーボパターンが特殊な、又は
複雑なパターンであっても、マスクを用いることで容易
に形成できる。マスクは磁気ディスク全面を覆うもので
なくても、磁化パターンの繰り返し単位を含む大きさで
よく、それを移動させて使用することができるため、マ
スクも簡便かつ安価に作成できる。サーボパターンその
ものでなく、ドライブ等がサーボパターンを記録するた
めに使用する、レファレンス信号を発生する基準パター
ンの形成への適用も、同様に効果が大きい。

【００６４】精度の高いサーボパターン又は基準パター
ンが得られるため、トラック密度が４０ｋＴＰＩ以上で
あるような高密度媒体に適用すると効果が高い。また、
磁化パターンが磁気ヘッドの走行方向に対して斜めに延
在するパターンを含む場合も、本発明によれば信号強度
が強く取れるので非常に好ましい。これは、外部磁界か
らの磁場が他の部位に逃げることなく所望の領域に十分
な磁場をかけられるからである。走行方向に対して斜め
の角度を有したパターンは磁気ヘッドでは記録しにく
い。また、特開平１０−２６９５６６号公報に記載され
たような強磁性層を付けたマスター坦体を使用した磁気
転写法によれば、記録は可能であるが、信号強度の弱い
パターンしか作れない。

【００６５】即ち、角度のあるパターンでは、磁化反転
の磁場はマスター担体の強磁性層が作るギャップに垂直
方向となってしまい所望の方向に磁化を傾けることがで
きない。その結果、磁場の一部が強磁性層に逃げてしま
い磁気転写の際に所望の部位に十分な磁場がかかりにく
く、十分な磁化反転パターンを形成できず高い信号強度
が得にくくなってしまう。

【００６６】斜めに延在するパターンとは例えば、ヘッ
ド走行方向に直交する方向を基準線としたとき、該基準
線から傾きを擁しているパターンである。好ましくは基
準線からの傾きθが±４５°以内であると、サーボ信号
として使用するにも十分な信号が取り出せる。これらの
ことから特に位相サーボ信号等の傾斜パターンには本発
明は好適である。

【００６７】以上のような条件を最適化することによ
り、出力信号の品質が高い磁化パターンを精度よくかつ
効率的に形成できる。すなわち磁化遷移幅が小さく磁区
の境界での磁化遷移が非常に急峻で出力信号の品質が高
いパターンが形成できる。条件を選べば磁化遷移幅１μ
ｍ以下、さらには０．５μｍ以下、０．３μｍ以下も可
能となる。

【００６８】本発明において磁化遷移幅は、磁化パター
ンを磁気ヘッドにより再生した再生信号波形の最大磁化
の５０％の磁化でのパルス幅（即ち、半値幅）を言う。
さらに、本発明の方法は、従来のレーザービームにより
凹凸パターンを形成する方法に比べて、レーザービーム
強度を低く抑えることができる点でも有利であり、また
凹凸が無いため浮上型／接触型ヘッドが不安定となるこ
ともない。

【００６９】好ましくは媒体の表面粗度Ｒａを３ｎｍ以
下とし、うねりＷａを５ｎｍ以下とする。本発明におい
ては、上記態様以外にも、磁性薄膜を局所的に加熱する
工程と、磁性薄膜に外部磁界を印加する工程の組み合わ
せがとりうる。他の態様も含めて以下に説明する。

【００７０】態様１：加熱前に強い外部磁界で磁性薄膜
を所望の方向に均一に磁化し、その後所望部位を磁化消
失温度、例えばキュリー温度近傍まで加熱消磁すること
で磁化パターンを形成する方法。これによれば最も簡便
に磁化パターンを形成することができる。また、磁性薄
膜が均一に磁化されているため、本方法により磁化パタ
ーンを形成した後に通常の磁気記録を行うことができ
る。

【００７１】態様２：加熱前に強い外部磁界で磁性薄膜
を所望の方向に均一に磁化し、その後所望部位を磁化消
失温度、例えばキュリー温度近傍まで加熱すると同時に
弱い磁場を均一磁化方向とは異なる方向に印加して消磁
することで磁化パターンを形成する方法。これによれ
ば、消磁が完全に行えるので、信号強度の大きな磁化パ
ターンが得られる。

【００７２】態様３：加熱と同時に弱い外部磁界を印加
することで、加熱部のみ外部磁界の方向に磁化して、磁
化パターンを形成する方法。これによれば最も簡便に磁
化パターンを形成することができ、かつ外部磁界も弱い
ものでよい。 態様４：加熱前に強い外部磁界で磁性薄膜を所望の方向
に均一に磁化し、その後所望部位を加熱すると同時に弱
い磁場を加熱前とは逆方向に印加磁化することで磁化パ
ターンを形成する方法。これによれば、信号強度が最も
強く、Ｃ／Ｎ及びＳ／Ｎが良好な磁化パターンが得られ
る。

【００７３】以下、各態様について説明する。態様１の
外部磁界の方向は、磁気記録媒体の磁性薄膜の種類によ
って異なる。磁化容易軸が面内方向にある媒体の場合に
は、磁性薄膜が、データの書込み／再生ヘッドの走行方
向（媒体とヘッドの相対移動方向）と同一又は逆方向に
磁化されるように印加する。磁化容易軸が面内方向に垂
直にある場合には、磁性薄膜が、該垂直方向のいずれか
に磁化されるように印加する。

【００７４】磁場の強さは磁気記録媒体の磁性薄膜の特
性によって異なり、磁性薄膜の室温での保磁力の２倍以
上の磁界によって磁化することが好ましい。これより弱
いと磁化が不十分となる可能性がある。ただし、通常、
磁場印加に用いる着磁装置の能力上、磁性薄膜の室温で
の保磁力の５倍以下程度である。態様２は、加熱前の外
部磁界の方向及び強さは態様１と全く同様である。

【００７５】加熱と同時に印加する磁界の方向は、磁化
容易軸が面内方向にある媒体の場合には、面内と垂直で
ある方向に、磁化容易軸が面内方向に垂直にある場合に
は、媒体の面内方向である。このように磁界を印加して
磁化を消去する。また、磁界の強さは、磁気記録媒体の
磁性薄膜の特性によって異なるが磁性薄膜の室温での保
磁力より小さい磁界とする。好ましくは磁性薄膜の室温
での保磁力の１／８以上の磁界とする。これより弱い
と、加熱部が、冷却時に周囲の磁区からの磁場の影響を
うけて再び周囲と同じ方向に磁化されてしまう可能性が
ある。

【００７６】ただし、磁性薄膜の室温での保磁力の１／
２倍以下とするのが好ましい。これより大きいと、加熱
部の周囲の磁区も影響を受けてしまう可能性がある。加
熱は、磁性薄膜の保磁力の低下が見られる温度まで加熱
できればよいが、例えば磁性薄膜の磁化消失温度、キュ
リー温度近傍である。好ましくは１００℃以上に加熱す
る。１００℃未満で外部磁界により影響を受けるような
磁性薄膜は、室温での磁区の安定性が低い傾向がある。
また、加熱温度は７００℃以下が好ましい。あまり加熱
温度が高いと、磁性薄膜が変形してしまう可能性があ
る。

【００７７】態様３の加熱と同時の外部磁界の方向は、
磁気記録媒体の磁性薄膜の種類によって異なる。磁化容
易軸が面内方向にある媒体の場合には、磁性薄膜が、デ
ータの書込み／再生ヘッドの走行方向（媒体とヘッドの
相対移動方向）と同一又は逆方向に磁化されるように印
加する。磁化容易軸が面内方向に垂直にある場合には、
磁性薄膜が、該垂直方向のいずれかに磁化されるように
印加する。

【００７８】磁界の強さは、態様２の、加熱と同時の外
部磁界の強さと同様である。また、加熱温度についても
態様２と同様である。態様４は、加熱前の外部磁界の方
向及び強さは態様１と全く同様である。加熱と同時に印
加する磁界の強さは態様２と同様であるが、その方向
は、加熱前磁界の方向とは逆方向に印加し、局所的に逆
向きに磁化されるようにする。加熱温度に関しては態様
２と同様である。

【００７９】上述の態様１を例として説明した好ましい
事項は、態様２〜４にも同様に適用できる。次に、本発
明の磁気記録媒体の構成について説明する。本発明の磁
気記録媒体における基板としては、Ａｌを主成分とした
例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソー
ダガラス、アルミノシリケート系ガラス、非結晶ガラス
類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂のいず
れかからなる基板やそれらを組み合わせた基板などを用
いることができる。中でもＡｌ合金基板や強度の点では
結晶化ガラス等のガラス製基板、コストの点では樹脂製
基板を用いることが好ましい。

【００８０】磁気ディスクの製造工程においては、まず
基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明に
おいても各層の密着性を確保する見地からもその形成前
に洗浄、乾燥を行うことが望ましい。本発明の磁気記録
媒体の製造に際しては、基板表面にＮｉＰ等の非磁性金
属被覆層を形成してもよい。

【００８１】非磁性金属被覆層を形成する場合に、その
手法としては、無電解めっき法、スパッタリング法、真
空蒸着法、ＣＶＤ法など薄膜形成に用いられる方法を利
用することができる。導電性の材料からなる基板の場合
であれば電解めっきを使用することが可能である。非磁
性金属被覆層の膜厚は５０ｎｍ以上が好ましい。ただ
し、磁気ディスク媒体の生産性などを考慮すると５００
ｎｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは３０
０ｎｍ以下である。

【００８２】また、非磁性金属被覆層を成膜する領域は
基板表面全域が望ましいが、一部だけ、例えばテキスチ
ャリングを施す領域のみでも実施可能である。また、基
板表面、又は基板に非磁性金属被覆層が形成された表面
に同心状テキスチャリングを施してもよい。本発明にお
いて同心状テキスチャリングとは、例えば遊離砥粒とテ
キスチャーテープを使用した機械式テキスチャリングや
レーザー光線などを利用したテキスチャリング加工、又
はこれらを併用することによって、円周方向に研磨する
ことによって基板円周方向に微小溝を多数形成した状態
を指称する。

【００８３】機械的テキスチャリングを施すための遊離
砥粒の種類としてはダイアモンド砥粒、中でも表面がグ
ラファイト化処理されているものが最も好ましい。機械
的テキスチャリングに用いられる砥粒としては他にアル
ミナ砥粒が広く用いられているが、特にテキスチャリン
グ溝に沿って磁化容易軸を配向させるという面内配向媒
体の観点から考えるとダイアモンド砥粒が極めて良い性
能を発揮する。

【００８４】ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高
密度磁気記録の実現には有効であり、またこれら基板の
特長のひとつが優れた表面平滑性にあることから、基板
表面の粗度Ｒａは２ｎｍ以下が好ましく、より好ましく
は１ｎｍ以下である。特に０．５ｎｍ以下が好ましい。
なお、基板表面粗度Ｒａは、触針式表面粗さ計を用いて
測定長４００μｍで測定後、ＪＩＳ Ｂ０６０１に則っ
て算出した値である。このとき測定用の針の先端は半径
０．２μｍ程度の大きさのものが使用される。

【００８５】次に基板上には、磁性薄膜層との間に下地
層等を形成してもよい。下地層は、結晶を微細化し、か
つその結晶面の配向を制御することを目的とし、Ｃｒを
主成分とするものが好ましく用いられる。Ｃｒを主成分
とする下地層の材料としては、純Ｃｒのほか、記録層と
の結晶マッチングなどの目的で、ＣｒにＶ、Ｔｉ、Ｍ
ｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、
Ｂから選ばれる１又は２以上の元素を添加した合金や酸
化Ｃｒなども含む。

【００８６】中でも純Ｃｒ、又はＣｒにＴｉ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる
１又は２以上の元素を添加した合金が好ましい。これら
第二、第三元素の含有量はそれぞれの元素によって最適
な量が異なるが、一般には１原子％〜５０原子％が好ま
しく、より好ましくは５原子％〜３０原子％、さらに好
ましくは５原子％〜２０原子％の範囲である。

【００８７】下地層の膜厚はこの異方性を発現させ得る
に十分なものであればよいが、好ましくは０．１〜５０
ｎｍであり、より好ましくは０．３〜３０ｎｍ、さらに
好ましくは０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒを主成分とす
る下地層の成膜時は基板加熱を行っても行わなくてもよ
い。下地層の上には、記録層とのあいだに、場合により
軟磁性層を設けても良い。特に磁化遷移ノイズの少ない
キーパーメディア、或いは磁区がメディア面内に対して
垂直方向にある垂直記録媒体には、効果が大きく、好適
に用いられる。

【００８８】軟磁性層は透磁率が比較的高く損失の少な
いものであればよいが、ＮｉＦｅや、それに第３元素と
してＭｏ等を添加した合金が好適に用いられる。最適な
透磁率は、データの記録に利用されるヘッドや記録層の
特性によっても大きく変わるが、概して、最大透磁率が
１０〜１００００００（Ｈ／ｍ）程度であることが好ま
しい。

【００８９】次に記録層（磁性薄膜）を形成するが、記
録層と軟磁性層の間には下地層と同一材料の層又は他の
非磁性材料が挿入されていてもよい。記録層の成膜時
は、基板加熱を行っても行わなくてもよい。記録層とし
ては、Ｃｏ合金磁性膜、ＴｂＦｅＣｏを代表とする希土
類系磁性膜、ＣｏとＰｄの積層膜を代表とする遷移金属
と貴金属系の積層膜等が好ましく用いられる。

【００９０】Ｃｏ合金磁性層としては、通常、純Ｃｏや
ＣｏＮｉ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＰｔなどの磁性材料として一般に用いられるＣｏ
合金磁性材料を用いうる。これらのＣｏ合金に更にＮ
ｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなどの元素やＳｉＯ₂等
の化合物を加えたものでも良い。例えばＣｏＣｒＰｔＴ
ａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔ
Ｂ等が挙げられる。Ｃｏ合金磁性層の膜厚は任意である
が、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以
上である。また、好ましくは５０ｎｍ以下、より好まし
くは３０ｎｍ以下である。また、本記録層は、適当な非
磁性の中間層を介して、或いは直接２層以上積層しても
よい。その時、積層される磁性材料の組成は、同じであ
っても異なっていてもよい。

【００９１】希土類系磁性層としては、磁性材料として
一般的なものを用いうるが、例えばＴｂＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅなどが挙げられる。
これらの希土類合金にＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどを添加して
もよい。酸化劣化防止の目的からＴｉ、Ａｌ、Ｐｔが添
加されていてもよい。希土類系磁性層の膜厚は、任意で
あるが、通常５〜１００ｎｍ程度である。また、本記録
層は、適当な非磁性の中間層を介して、或いは直接２層
以上積層してもよい。その時、積層される磁性材料の組
成は、同じであっても異なっていてもよい。特に希土類
系磁性層は、アモルファス構造膜であり、かつメディア
面内に対して垂直方向に磁化を持つため高記録密度記録
に適し、高密度かつ高精度に磁化パターンを形成できる
本発明の方法がより効果的に適用できる。

【００９２】同様に垂直磁気記録が行える、遷移金属と
貴金属系の積層膜としては、磁性材料として一般的なも
のを用いうるが、例えばＣｏ／Ｐｄ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｆｅ
／Ｐｔ、Ｆｅ／Ａｕ、Ｆｅ／Ａｇなどが挙げられる。こ
れらの積層膜材料の遷移金属、貴金属は、特に純粋なも
のでなくてもよく、それらを主とする合金であってもよ
い。積層膜の膜厚は、任意であるが、通常５〜１０００
ｎｍ程度である。また、必要に応じて３種以上の材料の
積層であってもよい。

【００９３】本発明において、記録層としての磁性薄膜
は、室温において磁化を保持し、加熱時に消磁される
か、或いは加熱と同時に外部磁界を印加されることで磁
化される。磁性薄膜の室温での保磁力は、室温において
磁化を保持し、かつ適当な外部磁界により均一に磁化さ
れるものである必要がある。好ましくは２０００Ｏｅ以
上である。高密度記録媒体の磁性薄膜としては２０００
Ｏｅ以上が好ましいためである。

【００９４】室温での保磁力は大きい方が高密度記録が
可能であり好ましい。従来の磁気転写法では、あまり保
磁力が高い媒体には転写が困難であったが、本発明にお
いては磁性薄膜を加熱し保磁力を十分に下げて磁化パタ
ーンを形成するため、保磁力の大きい媒体への適用が好
ましい。ただし、好ましくは２００００Ｏｅ以下とす
る。２００００Ｏｅを超えると、一括磁化のために大き
な外部磁界が必要となり、また通常の磁気記録が困難と
なる可能性がある。

【００９５】磁性薄膜は、室温において磁化を保持しつ
つ、適当な加熱温度では弱い外部磁界で磁化されるもの
である必要がある。また室温と磁化消失温度との差が大
きい方が磁化パターンの磁区が明瞭に形成しやすい。こ
のため磁化消失温度は高いほうが好ましく、１００℃以
上が好ましくより好ましくは１５０℃以上である。例え
ば、キュリー温度近傍（キュリー温度のやや下）や補償
温度近傍に磁化消失温度がある。

【００９６】キュリー温度は、好ましくは１００℃以上
である。１００℃未満では、室温での磁区の安定性が低
い傾向がある。より好ましくは１５０℃以上である。ま
た好ましくは７００℃以下である。磁性薄膜をあまり高
温に加熱すると、変形してしまう可能性があるためであ
る。面内磁気記録媒体は、近年の高密度化により狭トラ
ック幅化が進み、ヘッドでの記録による磁気にじみの影
響が相対的に大きくなりつつあり、特にサーボ信号等の
位置決め信号で磁気にじみが大きいとヘッド位置の精度
が保てず、エラーレートが増加するおそれがあるが、本
発明の記録方法によれば、スポット的な急激に昇温され
た部分のみに記録が選択的に行われるため、磁気にじみ
が起こりにくく、さらなる高密度記録が行えるようにな
る。

【００９７】好ましくはＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲヘッドな
どで磁気的に信号を検出するために、磁性薄膜の飽和磁
化が５０ｅｍｕ／ｃｃ以上とする。この場合反磁界の影
響が大きいため、加熱と外部磁界によって磁化反転され
た部分の温度が急峻に下がるよう、パルス幅はできるだ
け狭い方が望ましい。より好ましくは、１００ｅｍｕ／
ｃｃ以上とする。ただしあまり大きいと磁化パターンの
形成がしにくいため、５００ｅｍｕ／ｃｃ以下が好まし
い。

【００９８】一方、磁気記録媒体が垂直磁気記録媒体で
ある場合、加熱消磁或いは加熱磁化する際の減磁作用が
少なく、本発明を適用するのに好適である。好ましくは
ＭＲヘッドなどで磁気的に信号を検出するために、磁性
薄膜の飽和磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ以上とする。より好
ましくは、１００ｅｍｕ／ｃｃ以上とする。ただしあま
り大きいと磁化パターンの形成がしにくいため、５００
ｅｍｕ／ｃｃ以下が好ましい。しかしながら、飽和磁化
が大きいと磁気的な減磁作用で意図しない磁化反転が起
こりやすくエキストラパルスやノイズが発生するので、
磁性薄膜の下に前述の軟磁性層を設けることが有効であ
る。

【００９９】特に、磁化パターンが比較的大きく１磁区
の単位体積が大きい場合は、該磁化反転が起こりやすい
ため軟磁性層を設けるのが好ましい。本発明において
は、磁性薄膜上に保護層を形成するのが好ましい。すな
わち、媒体の最表面を硬質の保護層により覆う。保護層
は、磁化パターン形成時のヘッドやマスクとの衝突や塵
埃・ゴミ等のマスクとの挟み込みによる磁性薄膜の損傷
を防ぐ働きをする。特に通常の大気中で磁化パターン形
成プロセスが行われる場合は重要である。磁性薄膜が複
数層ある場合には、最表面に近い磁性薄膜の上に保護層
を設ければよい。保護層は磁性薄膜上に直接設けても良
いし、必要に応じて間に他の働きをする層をはさんでも
良い。

【０１００】保護層としては、カーボン、水素化カーボ
ン、窒素化カーボン、アモルファスカーボン、ＳｉＣ等
の炭素質層やＳｉＯ₂、Ｚｒ₂Ｏ₃、ＳｉＮ、ＴｉＮなど
の硬質材料を用いることができる。透明でも不透明であ
ってもよい。耐衝撃性及び潤滑性の点では炭素質保護膜
が好ましく、特にダイヤモンドライクカーボンが好まし
い。エネルギー線による磁性薄膜の損傷防止の役割を果
たすだけでなく、ヘッドによる磁性薄膜の損傷にも極め
て強くなる。

【０１０１】エネルギー線の一部は保護層でも吸収さ
れ、熱伝導によって磁性薄膜を局所的に加熱する働きを
する。このため保護層が厚すぎると横方向への熱伝導に
より磁化パターンがぼやけてしまう可能性があるため、
膜厚は薄い方が好ましい。また、記録再生時の磁性薄膜
とヘッドとの距離を小さくするためにも薄い方が好まし
い。従って５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３
０ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以下である。た
だし、充分な耐久性を得るためには０．１ｎｍ以上が好
ましく、より好ましくは１ｎｍ以上である。

【０１０２】また、保護層が２層以上の層から構成され
ていてもよい。磁性層の直上の保護層をＣｒを主成分と
する層を設けると、磁性層への酸素透過を防ぐ効果が高
く好ましい。より好ましくは、保護層上に潤滑層を形成
する。媒体のマスク及び磁気ヘッドによる損傷を防ぐ機
能を持つ。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤
滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げら
れ、ディップ法、スピンコート法などの常法で塗布する
ことができる。磁化パターン形成の妨げとならないため
に潤滑層は薄い方が好ましく。１０ｎｍ以下が好まし
い。十分な潤滑性能を得るためには１ｎｍ以上が好まし
い。ただし、潤滑層上からエネルギー線を照射する場合
には、潤滑剤のダメージ（分解、重合）等を考慮し、再
塗布などを行ってもよい。

【０１０３】本発明の磁化パターン形成法は、潤滑層の
形成前に行っても形成後に行ってもよい。更に、浮上型
／接触型ヘッドの走行安定性を損なわないよう、磁化パ
ターン形成後の該媒体の表面粗度Ｒａを３ｎｍ以下に保
つのが好ましい。なお、媒体表面粗度Ｒａとは潤滑層を
含まない媒体表面の粗度であって、触針式表面粗さ計を
用いて測定長４００μｍで測定後、ＪＩＳ Ｂ０６０１
に則って算出した値である。より好ましくは１．５ｎｍ
以下とする。

【０１０４】さらに望ましくは磁化パターン形成後の該
媒体の表面うねりＷａを５ｎｍ以下に保つ。Ｗａは潤滑
層を含まない媒体表面のうねりであって、触針式表面粗
さ計を用いて測定長２ｍｍで測定後、Ｒａ算出に準じて
算出した値である。より好ましくは３ｎｍ以下とする。
本磁気記録媒体への磁化パターンの形成は、記録層に対
して行う。記録層上に保護層、又は保護層と潤滑層を形
成した後に既術のいずれかの方法で行うのが好ましい
が、記録層の酸化の心配がない場合は記録層の成膜直後
に行っても良い。

【０１０５】磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法と
しては各種の方法が採りうるが、例えば直流（マグネト
ロン）スパッタリング法、高周波（マグネトロン）スパ
ッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、真空蒸着法な
どの物理的蒸着法が挙げられる。また、成膜時の条件と
しては、得るべき媒体の特性に応じて、到達真空度、基
板加熱の方式と基板温度、スパッタリングガス圧、バイ
アス電圧等を適宜決定する。例えば、スパッタリング成
膜では、通常の場合、到達真空度は５×１０^-6Ｔｏｒｒ
以下、基板温度は室温〜４００℃、スパッタリングガス
圧は１×１０^-3〜２０×１０^-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧
は０〜−５００Ｖが好ましい。

【０１０６】成膜にあたっては、非磁性基板を加熱する
場合は下地層形成前に行っても良い。或いは、熱吸収率
が低い透明な基板を使用する場合には、熱吸収率を高く
するため、Ｃｒを主成分とする種子層又はＢ２結晶構造
を有する下地層を形成してから基板を加熱し、しかる後
に記録層等を形成しても良い。記録層が、希土類系の磁
性膜の場合には、腐食・酸化防止の見地から、ディスク
の最内周部及び最外周部を最初マスクして、記録層まで
成膜、続く保護層の成膜の際にマスクを外し、記録層を
保護層で完全に覆う方法や、保護層が２層の場合には、
記録層と第一の保護層までをマスクしたまま成膜、第２
の保護層を成膜する際にマスクを外し、やはり記録層を
第二の保護層で完全に覆うようにすると希土類系磁性層
の腐食、酸化が防げて好適である。

【０１０７】本発明の磁気記録装置は、少なくとも上述
してきた磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動する駆
動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘ
ッドを磁気記録媒体に対して相対移動させる手段と、磁
気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生
を行うための記録再生信号処理手段を有する磁気記憶装
置である。

【０１０８】また、磁気記録媒体を装置に組みこんだ
後、上記磁化パターンを磁気ヘッドにより再生し信号を
得、該信号を基準としてサーボバースト信号を該磁気ヘ
ッドにより記録してなる磁気記録装置に用いても、簡易
に精密なサーボ信号を得ることが可能である。また、磁
気ヘッドでのサーボバースト信号記録後にも、ユーザデ
ータ領域として用いられない領域には本発明により磁化
パターンとして記録した信号が残っていると何らかの外
乱により磁気ヘッドの位置ずれが起きたときにも所望の
位置に復帰させやすいので、両者の書き込み方法による
信号が存在する磁気記録装置は、信頼性が高い。

【０１０９】磁気記録装置として代表的な、磁気ディス
ク装置を例に説明する。磁気ディスク装置は、通常、磁
気ディスクを１枚或いは複数枚を串刺し状に固定するシ
ャフトと、該シャフトにベアリングを介して接合された
磁気ディスクを回転させるモータと、記録及び／又は再
生に用いる磁気ヘッドと、該ヘッドが取り付けられたア
ームと、ヘッドアームを介してヘッドを磁気記録媒体上
の任意の位置に移動させることのできるアクチュエータ
とからなり、記録再生用ヘッドが磁気記録媒体上を一定
の浮上量で移動している。記録情報は、信号処理手段を
経て記録信号に変換されて磁気ヘッドにより記録され
る。また、磁気ヘッドにより読み取られた再生信号は同
信号処理手段を経て逆変換され、再生情報が得られる。

【０１１０】ディスク上には、情報信号が同心円状のト
ラックに沿って、セクター単位で記録される。サーボパ
ターンは通常、セクター間に記録される。磁気ヘッドは
該パターンからサーボ信号を読み取り、これによりトラ
ックの中心に正確にトラッキングを行い、そのセクター
の情報信号を読み取る。記録時も同様にトラッキングを
行う。

【０１１１】前述の通り、サーボ信号を発生するサーボ
パターンは、情報を記録する際のトラッキングに使用す
るという性質上、特に高精度が要求される。また現在多
く使用されているサーボパターンは、１トラックあた
り、互いに１／２ピッチずれた２組のパターンからなる
ため、情報信号の１／２のピッチ毎に形成する必要があ
り、２倍の精度が要求される。

【０１１２】しかしながら、従来のサーボパターン形成
方法では、外部ピンとアクチュエータの重心が異なるこ
とから生じる振動の影響でライトトラック幅で０．２〜
０．３μｍ程度が限界であり、トラック密度の増加にサ
ーボパターンの精度が追いつかず、磁気記録装置の記録
密度向上及びコストダウンの妨げとなりつつある。本発
明によれば、効率よく精度の高い磁化パターンを形成す
ることができるので、従来のサーボパターン形成方法に
比べて格段に低コスト、短時間で精度良くサーボパター
ンを形成でき、例えば４０ｋＴＰＩ以上に媒体のトラッ
ク密度を高めることができる。従って本媒体を用いた磁
気記録装置は高密度での記録が可能となる。

【０１１３】また、位相サーボ方式を用いると連続的に
変化するサーボ信号が得られるのでよりトラック密度を
上げることができ、０．１μｍ幅以下でのトラッキング
も可能となり、より高密度記録が可能である。前述のよ
うに、位相サーボ方式には、例えば、内周から外周に、
半径に対して斜めに直線的に延びる磁化パターンが用い
られる。このような、半径方向に連続したパターンや斜
めのパターンは、ディスクを回転させながら１トラック
ずつサーボ信号を記録する従来のサーボパターン形成方
法では作りにくく、複雑な計算や構成が必要であった。

【０１１４】しかし本発明によれば、該形状に応じたマ
スクを一旦作成すれば、ディスク上の所望の位置でマス
ク露光するだけで当該パターンを容易に形成できるた
め、位相サーボ方式に用いる媒体を簡単かつ短時間、安
価に作成することができる。ひいては、高密度記録が可
能な、位相サーボ方式の磁気記録装置を提供できる。さ
て、従来主流のサーボパターン形成方法は、媒体を磁気
記録装置（ドライブ）に組み込んだのちに、クリーンル
ーム内で専用のサーボライターを用いて行う。

【０１１５】各ドライブをサーボライターに装着し、ド
ライブ表面あるいは裏面のいずれかにある孔よりサーボ
ライターのピンを差し入れ磁気ヘッドを機械的に動かし
ながら、トラックに沿って１パターンずつ記録を行う。
このためドライブ一台あたり１５〜２０分程度と非常に
時間がかかる。専用のサーボライターを用い、またドラ
イブに孔を開けるためこれら作業はクリーンルーム内で
行う必要があり、工程上も煩雑でコストアップの要因で
あった。

【０１１６】本発明により、予めパターンを記録したマ
スクを通してエネルギー線を照射することで、サーボパ
ターン或いはサーボパターン記録用基準パターンを一括
して記録でき、非常に簡便かつ短時間で媒体にサーボパ
ターンを形成できる。このようにしてサーボパターンを
形成した媒体を組み込んだ磁気記録装置は、上記サーボ
パターン書込み工程は不要となる。

【０１１７】或いはサーボパターン記録用基準パターン
を形成した媒体を組み込んだ磁気記録装置は、該基準パ
ターンをもとにして装置内で所望のサーボパターンを書
込むことができ、上記のサーボライターは不要であり、
クリーンルーム内での作業も必要ない。また、磁気記録
装置の裏側に孔を開ける必要がなく耐久性や安全性の上
でも好ましい。

【０１１８】以上のように、本発明によれば高密度記録
が可能な磁気記録装置を、簡便な工程で安価に得ること
ができる。磁気ヘッドとしては、薄膜ヘッド、ＭＲヘッ
ド、ＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなど各種のものを用い
ることができる。上述の磁気ヘッドの再生部をＭＲヘッ
ドで構成することにより、高記録密度においても十分な
信号強度を得ることができ、より高記録密度の磁気記憶
装置を実現することができる。

【０１１９】またこの磁気ヘッドを、浮上量が０．００
１μｍ以上、０．０５μｍ未満と、従来より低い高さで
浮上させると、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得ら
れ、大容量で高信頼性の磁気記憶装置を提供することが
できる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合
わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック
密度１３ｋＴＰＩ以上、線記録密度２５０ｋＦＣＩ以
上、１平方インチ当たり３Ｇビット以上の記録密度で記
録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎが得られる。

【０１２０】さらに磁気ヘッドの再生部を、互いの磁化
方向が外部磁界によって相対的に変化することによって
大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、その導
電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層からなるＧ
ＭＲヘッド、あるいはスピン・バルブ効果を利用したＧ
ＭＲヘッドとすることにより、信号強度をさらに高める
ことができ、１平方インチ当たり１０Ｇビット以上、３
５０ｋＦＣＩ以上の線記録密度を持った信頼性の高い磁
気記録装置の実現が可能となる。

【０１２１】

【実施例】以下に本発明を実施例を用いて説明するが、
その要旨の範囲を越えない限り本発明は実施例に限定さ
れるものでは無い。 （実施例１）２．５インチ径のアルミノシリケート系ガ
ラス基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真空度：１×１
０^-7Ｔｏｒｒ基板温度：３５０℃、バイアス電圧：−２
００Ｖ、スパッタリングガス圧は、Ａｒで３×１０^-3Ｔ
ｏｒｒの条件下で、ＮｉＡｌを６０ｎｍ、Ｃｒ₉₄Ｍｏ₆
を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ₇₂Ｃｒ₁₈Ｐｔ₁₀を２２ｎ
ｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモンドライクカーボ
ン）を５ｎｍ成膜した。表面粗度Ｒａは０．５ｎｍ、う
ねりＷａは０．８ｎｍであった。その上には潤滑層とし
てフッ素系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布し、１００
℃で４０分焼成し、室温での保磁力３０００Ｏｅ、飽和
磁化３１０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録用磁気ディスクを得
た。記録層のキュリー温度は２５０℃であった。

【０１２２】磁化パターン形成のため、電磁石の磁界方
向がディスクの回転方向と同じとなるように構成して、
約１００００Ｏｅの強度で印加して、ディスク面を一様
に磁化した。その後、回転数：１０００ｒｐｍ、波長λ
＝５１４．５ｎｍのアルゴンレーザをパルス化しＤｕｔ
ｙ：２０％、パワーを１１０ｍＷ、スポット径１５μｍ
として照射し、その部位をキュリー温度近傍にまで加温
して消磁した。

【０１２３】磁化パターン形成の有無は、磁気現像液に
より磁化パターンを現像して、光学顕微鏡で観察するこ
とで確かめた。その結果、パルスレーザのパターンに一
致する磁化パターンをディスク面に得ることができた。
磁化パターン明りょう度の評価は、磁気現像液により磁
化パターンを現像して、光学顕微鏡で観察することで行
った。結果を表−１に示す。△はパターンが形成されて
いる、○はパターンが良好に形成されている、◎はパタ
ーンが明りょうに形成されていることを示す。

【０１２４】また、再生ヘッド幅０．９μｍのＭＲヘッ
ドを用いて、磁化パターン化した信号を再生することで
も確認した。再生信号波形における、最大磁化の５０％
の磁化のパルス幅（即ち、半値幅）は１．３μｍであっ
た（磁化遷移幅に相当）。

【０１２５】

【表１】

【０１２６】（実施例２）２．５インチ径のアルミノシ
リケート系ガラス基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真
空度：１×１０^-7Ｔｏｒｒ基板温度：３５０℃、バイア
ス電圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス圧は、Ａｒで
３×１０^-3Ｔｏｒｒの条件下で、ＮｉＡｌを６０ｎｍ、
Ｃｒ₉₄Ｍｏ₆を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ₇₂Ｃｒ₁₈Ｐ
ｔ₁₀を２２ｎｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモンド
ライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。表面粗度Ｒａは
０．５ｎｍ、Ｗａは０．８ｎｍであった。その上には潤
滑層としてフッ素系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布
し、１００℃で４０分焼成し、室温での保磁力３０００
Ｏｅ、飽和磁化３１０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録用磁気デ
ィスクを得た。記録層のキュリー温度は２５０℃であっ
た。

【０１２７】磁化パターン形成のため、電磁石を磁界方
向がディスクの回転方向と同じとなるように構成して、
約１００００Ｏｅの強度で印加して、ディスク面を一様
に磁化した。その後、図１に示すような、深さ約２０ｎ
ｍの凹凸を有した透過部が、半径１５ｍｍから半径３０
ｍｍの位置の間で半径方向に１μｍおきに繰り返され、
該１μｍおきのパターンが円周方向には４５°毎に繰り
返されるＣｒマスク（凸部が非透過であって、凹部が透
過部であり、凸部がよりディスクに近接する。）を磁気
ディスクに密着させ、回転数：１０００ｒｐｍ、波長λ
＝５１４．５ｎｍのアルゴンレーザを連続で、パワーを
１１０ｍＷ、スポット径１５μｍとして照射し、その部
位をキュリー温度近傍にまで加温して消磁した。この場
合のエネルギー密度は約１０４ｍＪ／ｃｍ²で、最外周
での透過部に相当する照射されているパルス幅として
は、４．８μｓｅｃのパルスレーザに相当する。

【０１２８】図５は本実施例の磁化パターン形成装置の
模式図である。回転可能なスピンドル８に固定されたタ
ーンテーブル６上に、所望のパターンが形成されたマス
ク２と磁気ディスク１を載置したのちネジ止め等による
ディスク及びマスクの固定部５にて固定後、溝７により
真空吸着する。ここに遮光板３を通してレーザ４を照射
する。レーザ４のビーム形状は遮光板３通過後、略扇形
となり、マスク２に入射し、パターン形状に合わせてデ
ィスク１に照射される。なお、図示しないがマスク２に
は形成すべきパターンに合わせて微小な凹凸が形成され
ている。

【０１２９】レーザ照射のためのを図４に示す。レーザ
光源から発振したレーザはプログラマブルシャッターを
通過後、ビーム径を拡大するビームエキスパンダー（ア
ッテネータとコリメータレンズからなる）とビーム強度
を均一にするホモジナイザーとを経て磁気ディスクに照
射される。以上のようにディスク上にレーザを照射し磁
化パターンを形成した。

【０１３０】得られた磁化パターン形成の明りょう度を
表−１に示す。また、再生ヘッド幅０．９μｍのＭＲヘ
ッドを用いて、磁化パターン化した信号を再生すること
でも確認した。得られた再生信号波形の最大磁化の５０
％の磁化のパルス幅（即ち、半値幅）は１．２μｍであ
った（磁化遷移幅に相当）。さらに、一周のレーザ照射
でスポット径内に含まれる全ての透過部に相当する部位
で磁化パターン化されるかも評価した。その結果、マス
クの透過部と非透過部の繰り返しによるパターンがレー
ザ照射部に相当する全ての部位で得ることができた。

【０１３１】保護層にレーザ照射によりダメージが生じ
るているかどうかは、ラマン分光法にてグラファイトと
ダイヤモンドのピークを測定して確認した。もし、レー
ザにより保護層が損傷を受けるとレーザ照射後にダイヤ
モンドのピーク強度が落ち、グラファイトのピーク強度
が強くなるが、本実施例では照射前後でそのピーク比は
変わらなかった。

【０１３２】潤滑剤のダメージ（分解、重合）等につい
ても、レーザ照射前後で、数平均分子量と重量平均分子
量を測定することでダメージの有無を確認したが、やは
り照射前後で差は見られなかった。本実施例の方法を磁
気ディスクのサーボパターン形成に適用すれば、簡便か
つ短時間に、高精度のサーボパータンを有する磁気ディ
スクが得られる。さらにこの磁気ディスクを用いた磁気
ディスク装置は、サーボパターンを新たに記録する必要
がなく、高精度でのトラッキングが可能であり、高密度
に記録を行うことができる。

【０１３３】磁化パターン形成の有無は、磁気現像液に
より磁化パターンを現像して、光学顕微鏡で観察するこ
とで確かめた。得られた磁化パターンの明りょう度を実
施例１と同様に評価した。結果を表−１に示す。ただ
し、一周のレーザ照射でスポット径内に含まれる全ての
透過部に相当する部位でパターン化されるかも評価し
た。その結果、マスクの透過部と非透過部の繰り返しに
よるパターンがレーザ照射部に相当する全ての部位で得
ることができた。

【０１３４】本実施例の方法を磁気ディスクのサーボパ
ターン形成に適用すれば、簡便かつ短時間に、高精度の
サーボパータンを有する磁気ディスクが得られる。さら
にこの磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置は、サー
ボパターンを新たに記録する必要がなく、高精度でのト
ラッキングが可能であり、高密度に記録を行うことがで
きる。

【０１３５】（実施例３）２．５インチ径のアルミノシ
リケート系ガラス基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真
空度１．２×１０^-6Ｔｏｒｒ、基板温度：室温、スパッ
タリングガス圧は、Ａｒで３×１０^-3Ｔｏｒｒ、バイア
ス電圧：０Ｖの条件でＮｉ₅₀Ｆｅ₅₀を３００ｎｍ、記録
層としてＴｂ₂₀Ｆｅ₆₈Ｃｏ₁₂を３０ｎｍ、第一の保護層
としてＣｒを２ｎｍ、第二の保護層としてカーボン（ダ
イヤモンドライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。表面粗
度Ｒａは０．８ｎｍ、うねりＷａは１．０ｎｍであっ
た。その上には潤滑層としてフッ素系潤滑剤を１．５ｎ
ｍの厚さに塗布し、１００℃で４０分焼成し、垂直方向
保磁力：３５００Ｏｅ、飽和磁化７０ｅｍｕ／ｃｃの垂
直記録用磁気ディスクを得た。記録層のキュリー温度は
２３０℃であった。

【０１３６】磁化パターン形成のため、電磁石の磁界方
向がディスクの回転方向と同じとなるように構成し、約
１００００Ｏｅの強度で印加して、ディスク面を一様に
磁化した。その後、回転数：１０００ｒｐｍ、波長λ＝
５１４．５ｎｍのアルゴンレーザをパルス化しＤｕｔ
ｙ：２０％、パワーを１３０ｍＷ、スポット径１５μｍ
として照射し、その部位をキュリー温度近傍にまで加温
して消磁した。作製したディスクの評価は実施例１と同
様にした。結果を表−１に示す。

【０１３７】（実施例４）２．５インチ径のアルミノシ
リケート系ガラス基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真
空度：１×１０^-7Ｔｏｒｒ、基板温度：３５０℃、バイ
アス電圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス圧は、Ａｒ
で３×１０^-3Ｔｏｒｒの条件下で、ＮｉＡｌを６０ｎ
ｍ、Ｃｒ₉₄Ｍｏ₆を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ₇₂Ｃｒ
₁₈Ｐｔ₁₀を２２ｎｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモ
ンドライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。表面粗度Ｒａ
は０．５ｎｍ、うねりＷａは０．８ｎｍであった。その
上には潤滑層としてフッ素系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さ
に塗布し、１００℃で４０分間焼成し、室温での保磁力
３０００Ｏｅ、飽和磁化３１０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録
用磁気ディスクを得た。記録層のキュリー温度は２５０
℃であった。

【０１３８】磁化パターン形成のため、回転数：１００
０ｒｐｍ、波長λ＝５１４．５ｎｍのアルゴンレーザを
パルス化しＤｕｔｙ：２０％、パワーを７０ｍＷ、スポ
ット径１５μｍ（ピークエネルギーの１／ｅ²となる径
をスポット径とする）として、照射し、同時に記録電流
１５ｍＡにて記録ヘッドを通して記録層に、ディスクの
回転方向に磁場を印加した。作製したディスクの評価は
実施例１と同様にした。結果を表−１に示す。

【０１３９】（実施例５）２．５インチ径のアルミノシ
リケート系ガラス基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真
空度：１×１０^-7Ｔｏｒｒ基板温度：３５０℃、バイア
ス電圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス圧は、Ａｒで
３×１０^-3Ｔｏｒｒの条件下でＮｉＡｌを６０ｎｍ、Ｃ
ｒ₉₄Ｍｏ₆を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ₇₂Ｃｒ₁₈Ｐｔ
₁₀を２２ｎｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモンドラ
イクカーボン）を５ｎｍ成膜した。表面粗度Ｒａは０．
５ｎｍ、うねりＷａは０．８ｎｍであった。その上には
潤滑層としてフッ素系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに塗布
し、１００℃で４０分焼成し、室温での保磁力３０００
Ｏｅ、飽和磁化３１０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録用磁気デ
ィスクを得た。記録層のキュリー温度は２５０℃であっ
た。

【０１４０】磁化パターン形成のため、電磁石の磁界方
向がディスクの回転方向と同じとなるように構成し、約
１００００Ｏｅの強度で印加して、ディスク面を一様に
磁化した。その後、回転数：１０００ｒｐｍ、波長λ＝
５１４．５ｎｍのアルゴンレーザをパルス化しＤｕｔ
ｙ：２０％、パワーを１００ｍＷ、スポット径１５μｍ
として照射し、同時に記録電流１５ｍＡにて記録ヘッド
を通して記録層にディスクの回転方向とは逆方向の磁場
を印加した。作製したディスクの評価は実施例１と同様
にした。結果を表−１に示す。

【０１４１】（実施例６）２．５インチ径のアルミノシ
リケート系ガラス基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真
空度：１×１０^-7Ｔｏｒｒ基板温度：３５０℃、バイア
ス電圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス圧は、Ａｒで
３×１０^-3Ｔｏｒｒの条件下で、ＮｉＡｌを６０ｎｍ、
Ｃｒ₉₄Ｍｏ₆を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ₇₂Ｃｒ₁₈Ｐ
ｔ₁₀を２２ｎｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモンド
ライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。表面粗度Ｒａは
０．５ｎｍ、うねりＷａは０．８ｎｍであった。その上
には潤滑層としてフッ素系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さに
塗布し、１００℃で４０分焼成し、室温での保磁力３０
００Ｏｅ、飽和磁化３１０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録用磁
気ディスクを得た。記録層のキュリー温度は２５０℃で
あった。

【０１４２】磁化パターン形成のため、電磁石を磁界方
向がディスクの回転方向と同じとなるように構成して、
約１００００Ｏｅの強度で印加して、ディスク面を一様
に磁化した。その後、図２に示すような、深さ約２０ｎ
ｍの凹凸による、半径方向に１５ｍｍ（半径１５ｍｍか
ら半径３０ｍｍまで）で円周方向に幅2μmの透過パター
ンが、円周方向に４５°毎に繰り返される、半径方向に
放射状に延びるパターンを有したＣｒマスク（凸部が非
透過であって、凹部が透過部であり、凸部がよりディス
クに近接する。）の上に磁気ディスクを静置させ、該パ
ターンの位置がエネルギー線のスポットの中心に来るよ
うに角度出ししながら、ディスク全面にわたって、波長
λ＝２４８ｎｍ、パルス幅２５ｎｓｅｃのエキシマレー
ザを周波数１０Ｈｚで、エネルギー密度を８０ｍＪ／ｃ
ｍ²、スポット径１ｃｍ×３ｃｍとして照射し、その部
位をキュリー温度近傍にまで加温した。

【０１４３】加温時には、同時に永久磁石にて、最初の
一様磁化とは逆向きに約１．５ｋＧａｕｓｓの磁場をエ
ネルギー線照射部位にかけた。この場合、磁気ディスク
とＣｒマスクは、マスク或いは磁気ディスクのうねりに
より互いに接触している状態であり、接触の圧力は、デ
ィスクの自重によって生じ、約０．２ｇ／ｃｍ²であ
る。

【０１４４】図６は本実施例の磁化パターン形成装置の
模式図である。回転可能なスピンドル８に固定されたタ
ーンテーブル６上に、所望のパターンが形成されたマス
ク２と磁気ディスク１を載置したのちネジ止め等による
ディスク及びマスクの固定部５にて固定後、溝７により
真空吸着する。ここに遮光板３を通してレーザ４を照射
する。レーザ４のビーム形状は遮光板３通過後、略扇形
となり、マスク２に入射し、パターン形状に合わせてデ
ィスク１に照射される。なお、図示しないがマスク２に
は形成すべきパターンに合わせて微小な凹凸が形成され
ている。このとき同時に外部磁界印加磁石９により上記
逆向きの外部磁界を印加する。

【０１４５】レーザ照射の光学系は図４に示すものを用
いた。以上のようにディスク上にレーザを照射し磁化パ
ターンを形成した。得られた磁化パターン形成の明りょ
う度を表−１に示す。また、再生ヘッド幅０．９μｍの
ＭＲヘッドを用いて、磁化パターン化した信号を再生す
ることでも確認した。得られた再生信号波形を図７
（ａ）に示す。この時の最大磁化の５０％の磁化のパル
ス幅（即ち、半値幅）は０．２５μｍであった（磁化遷
移幅に相当）。

【０１４６】さらに、一周のレーザ照射でスポット径内
に含まれる全ての透過部に相当する部位で磁化パターン
化されるかも評価した。その結果、マスクの透過部と非
透過部の繰り返しによるパターンがレーザ照射部に相当
する全ての部位で得ることができた。保護層及び潤滑層
のダメージを実施例２と同様に評価したが、いずれも劣
化は見られなかった。

【０１４７】本実施例の方法を磁気ディスクのサーボパ
ターン形成に適用すれば、簡便かつ短時間に高精度のサ
ーボパターンを有する磁気ディスクが得られる。さらに
この磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置は、サーボ
パターンを新たに記録することなく高精度でのトラッキ
ングが可能であり、高密度に記録を行うことができる。

【０１４８】本実施例においてはマスクとディスクを密
着させず、マスク上にディスクを静置したのみであった
が、十分細かい磁化パターンまで生成可能であった。磁
化パターン形成の有無は、磁気現像液により磁化パター
ンを現像して、光学顕微鏡で観察することで確かめた。
ただし、一周のレーザ照射でスポット径内に含まれる全
ての透過部に相当する部位でパターン化されるかも評価
した。その結果、マスクの透過部と非透過部の繰り返し
によるパターンがレーザ照射部に相当する全ての部位で
得ることができた。

【０１４９】本実施例の方法を磁気ディスクのサーボパ
ターン形成に適用すれば、簡便かつ短時間に高精度のサ
ーボパターンを有する磁気ディスクが得られる。さらに
この磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置は、サーボ
パターンを新たに記録することなく高精度でのトラッキ
ングが可能であり、高密度に記録を行うことができる。
本実施例においてはマスクとディスクを密着させず、マ
スク上にディスクを静置したのみであったが、十分細か
い磁化パターンまで生成可能であった。

【０１５０】（実施例７）３．５インチ径のＮｉＰメッ
キ付きＡｌ基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真空度：
１×１０^-7Ｔｏｒｒ基板温度：３５０℃、バイアス電
圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス圧は、Ａｒで３×
１０^-3Ｔｏｒｒの条件下でＮｉＡｌを６０ｎｍ、Ｃｒ₉₄
Ｍｏ₆を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ₇₀Ｃｒ₁₃Ｔａ₅Ｐｔ
₁₂を２５ｎｍ、保護層としては、カーボン（ダイヤモン
ドライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。表面粗度Ｒａは
０．６ｎｍ、うねりＷａは０．９ｎｍであった。その上
には潤滑層として、フッ素系潤滑剤を１．５ｎｍの厚さ
塗布し、１００℃で４０分焼成し、室温での保磁力３４
００Ｏｅ、飽和磁化３２０ｅｍｕ／ｃｃの磁気ディスク
を得た。記録層のキュリー温度は３５０℃であった。

【０１５１】磁化パターン形成のため、電磁石を磁界方
向がディスクの回転方向と同じとなるように構成して、
約１００００Ｏｅの強度で印加して、ディスク面を一様
に磁化した。その後、半径方向長さ２０ｍｍ（半径２０
ｍｍから４０ｍｍまで）とした以外は実施例６と同じマ
スクの上に磁気ディスクを静置させ、該パターンの位置
がエネルギー線のスポットの中心に来るように角度出し
しながら、ディスク全面にわたって、波長λ＝２６６ｎ
ｍ、パルス幅５ｎｓｅｃのＹＡＧのＱスイッチレーザを
周波数１０Ｈｚで、エネルギー密度を５０ｍＪ／ｃ
ｍ²、スポット径２ｃｍとして照射し、その部位をキュ
リー温度近傍にまで加温した。

【０１５２】加温時には、実施例６と同様に磁場をかけ
た。このとき、磁気ディスクとＣｒマスクは、マスク或
いは磁気ディスクのうねりにより互いに接触している状
態であり、接触の圧力は、ディスクの自重によって生
じ、約０．２ｇ／ｃｍ²である。磁化パターン形成装置
の光学系、機械系の構成は実施例６と同様にして行っ
た。

【０１５３】作製したディスクの評価は実施例１と同様
にした。結果を表−１に示す。また、一周のレーザ照射
でスポット径内に含まれる全ての透過部に相当する部位
でパターン化されるかも評価した。その結果、マスクの
透過部と非透過部の繰り返しによるパターンがレーザ照
射部に相当する全ての部位で得ることができた。本実施
例の方法を磁気ディスクのサーボパターン形成に適用す
れば、簡便かつ短時間に高精度のサーボパターンを有す
る磁気ディスクが得られる。さらにこの磁気ディスクを
用いた磁気ディスク装置は、サーボパターンを新たに記
録することなく高精度でのトラッキングが可能であり、
高密度に記録を行うことができる。本実施例においては
マスクとディスクを密着させず、マスク上にディスクを
静置したのみであったが、十分細かい磁化パターンまで
生成可能であった。

【０１５４】（実施例８）実施例７と同様に磁気ディス
クを作成した。磁化パターン形成のため、複数の永久磁
石をディスクを介して同極の磁石がそのヨークにより隙
間３ｍｍで対向し、かつ同一面側では異極がそのヨーク
により間隔１５ｍｍで対向する形に構成した。その結果
ディスク面でその円周の接戦方向に約７ｋＧａｕｓｓの
磁場を有する磁化手段を得て、ディスクを回転しながら
ディスクを円周方向に一様磁化した。

【０１５５】その後、円周方向の幅が０．５μｍである
こと以外は実施例７と同じマスクの上に磁気ディスクを
静置させ、該パターンの位置がエネルギー線のスポット
の中心に来るように角度出ししながら、実施例７と同じ
条件でレーザ照射しディスクを加温した。加温時には、
実施例７と同様に磁場をかけた。このとき、磁気ディス
クとＣｒマスクは、マスク或いは磁気ディスクのうねり
により互いに接触している状態であり、接触の圧力は、
ディスクの自重によって生じ、約０．２ｇ／ｃｍ²であ
る。

【０１５６】磁化パターン形成の明りょう度は実施例１
と同様に評価した。結果を表−１に示す。一周のレーザ
照射でスポット径内に含まれる全ての透過部に相当する
部位でパターン化されるかも評価した。その結果、マス
クの透過部と非透過部の繰り返しによるパターンがレー
ザ照射部に相当する全ての部位で得ることができた。本
実施例の方法を磁気ディスクのサーボパターン形成に適
用すれば、簡便かつ短時間に高精度のサーボパターンを
有する磁気ディスクが得られる。さらにこの磁気ディス
クを用いた磁気ディスク装置は、サーボパターンを新た
に記録することなく高精度でのトラッキングが可能であ
り、高密度に記録を行うことができる。

【０１５７】本実施例においてはマスクとディスクを密
着させず、マスク上にディスクを静置したのみであった
が、十分細かい磁化パターンまで生成可能であった。静
置であれば傷発生の可能性を小さく抑え、詳細なパター
ン生成を行なえるという両立がはかれる。

【０１５８】（実施例９）実施例８と同様に磁気ディス
クを作製し、ディスクを円周方向に一様磁化した。その
後、図３に示すような深さ約２０ｎｍの凹凸を有した透
過部が形成されたＣｒマスク（凸部が非透過であって、
凹部が透過部であり、凸部がよりディスクに近接す
る。）の上に磁気ディスクを静置させ、該パターンの位
置がエネルギー線のスポットの中心に来るように角度出
ししながら、実施例８と同様に加熱した。すなわちマス
クには半径方向に１０ｍｍ（半径３０ｍｍから半径４０
ｍｍまで）で幅８μｍの透過パターンが繰り返されてい
る。各パターンは、半径方向を基準にθ＝３５°で斜め
に延びる複数の透過部及び非透過部からなり、各々の幅
は２μｍである。

【０１５９】加温時には、実施例８と同様に磁場をかけ
た。このとき、磁気ディスクとＣｒマスクは、マスク或
いは磁気ディスクのうねりにより互いに接触している状
態であり、接触の圧力は、ディスクの自重によって生
じ、約０．２ｇ／ｃｍ²である。磁化パターンの明りょ
う度は実施例１と同様に評価した。結果を表−１に示
す。

【０１６０】また、再生ヘッド幅０．９μｍのＭＲヘッ
ドを用いて、磁化パターン化した信号を再生することで
も確認した。得られた再生信号波形を図７（ｂ）に示
す。この時の最大磁化の５０％の磁化のパルス幅（即
ち、半値幅）は０．３２μｍであった（磁化遷移幅に相
当）。また、得られた斜め磁化パターンの写真を図７
（ｃ）に示す。

【０１６１】一周のレーザ照射でスポット径内に含まれ
る全ての透過部に相当する部位でパターン化されるかも
評価した。その結果、マスクの透過部と非透過部の繰り
返しによるパターンがレーザ照射部に相当する全ての部
位で得ることができた。本実施例の方法を磁気ディスク
のサーボパターン形成に適用すれば、簡便かつ短時間に
高精度のサーボパターンを有する磁気ディスクが得られ
る。さらにこの磁気ディスクを用いた磁気ディスク装置
は、サーボパターンを新たに記録することなく高精度で
のトラッキングが可能であり、高密度に記録を行うこと
ができる。

【０１６２】本実施例においてはマスクとディスクを密
着させず、マスク上にディスクを静置したのみであった
が、十分細かい磁化パターンまで生成可能であった。静
置であれば傷発生の可能性を小さく抑え、詳細なパター
ン生成を行えるという両立がはかれる。

【０１６３】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
高密度な磁化パターンを精度良くかつ簡便に、短時間で
磁気記録媒体に形成することができる。ひいては、高密
度記録が可能な磁気記録媒体及び磁気記録装置を短時間
かつ安価に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例２で用いたマスクの説明図

【図２】本発明の実施例６で用いたマスクの説明図

【図３】本発明の実施例９で用いたマスクの説明図

【図４】本発明の実施例で用いたレーザ照射光学系の説
明図

【図５】本発明の実施例２で用いた磁化パターン形成装
置の断面模式図

【図６】本発明の実施例６で用いた磁化パターン形成装
置の断面模式図

【図７】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例の再生波形信
号であり、（ｃ）は実施例９で得られた磁化パターンの
顕微鏡写真。

【符号の説明】

１ 磁気ディスク ２ マスク ３ 遮光板 ４ レーザ ５ 固定部 ６ ターンテーブル ７ 溝 ８ スピンドル ９ 外部磁界印加磁石

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D006 AA01 AA02 AA05 AA06 BB07 CA03 DA03 FA00 5D091 AA10 CC01 CC30 5D096 WW03 5D112 AA05 AA24 DD01 GA19 GB01

Claims (37)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも一層の磁性薄膜と保
   護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体の磁化パタ
   ーン形成方法であって、該磁性薄膜を局所的に加熱する
   工程と、該磁性薄膜に外部磁界を印加する工程とを含む
   ことを特徴とする磁気記録媒体の磁化パターン形成方
   法。
2. 【請求項２】 外部磁界を印加し磁性薄膜を予め所望の
   方向に均一に磁化したのち、磁性薄膜を局所的に加熱し
   消磁することにより磁化パターンを形成する、請求項１
   に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
3. 【請求項３】 磁性薄膜を局所的に加熱すると同時に外
   部磁界を印加し消磁することにより磁化パターンを形成
   する請求項２に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成
   方法。
4. 【請求項４】 磁性薄膜を局所的に加熱すると同時に外
   部磁界を印加し加熱部を所望の磁化方向として磁化パタ
   ーンを形成する請求項１に記載の磁化パターン形成方
   法。
5. 【請求項５】 外部磁界を印加し磁性薄膜を予め所望の
   方向に均一に磁化したのち、磁性薄膜を局所的に加熱す
   ると同時に外部磁界を印加し加熱部を該所望の方向とは
   逆方向に磁化して磁化パターンを形成する請求項１に記
   載の磁化パターン形成方法。
6. 【請求項６】 磁化パターンが、記録再生用磁気ヘッド
   の位置制御を行うためのサーボパターン又はサーボパタ
   ーン記録用の基準パターンである請求項１乃至５のいず
   れかに記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
7. 【請求項７】 磁化パターンが、磁気ヘッドの走行方向
   に対して斜め方向に延在するパターンを含む請求項１乃
   至６のいずれかに記載の磁気記録媒体の磁化パターン形
   成方法。
8. 【請求項８】 エネルギー線により磁性薄膜を局所的に
   加熱する請求項１乃至７のいずれかに記載の磁気記録媒
   体の磁化パターン形成方法。
9. 【請求項９】 エネルギー線がパルス状エネルギー線で
   ある請求項８に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成
   方法。
10. 【請求項１０】 パルス状エネルギー線の１パルス当た
    りのパワーが１０００ｍＪ／ｃｍ²以下である請求項９
    に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
11. 【請求項１１】 同一位置におけるエネルギー線による
    加熱時間幅が１０μｓｅｃ以下である請求項８乃至１０
    のいずれかに記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方
    法。
12. 【請求項１２】 磁気記録媒体に、マスクを介してエネ
    ルギー線を照射する請求項１乃至１１のいずれかに記載
    の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
13. 【請求項１３】 マスクを媒体に略接触させる請求項１
    ２に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
14. 【請求項１４】 マスクが非磁性材料からなる請求項１
    ２又は１３に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方
    法。
15. 【請求項１５】 該媒体が、面内磁気記録媒体である請
    求項１乃至１４のいずれかに記載の磁気記録媒体の磁化
    パターン形成方法。
16. 【請求項１６】 該媒体の飽和磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ
    以上である請求項１５に記載の磁気記録媒体の磁化パタ
    ーン形成方法。
17. 【請求項１７】 該媒体が、垂直磁気記録媒体である請
    求項１乃至１４のいずれかに記載の磁気記録媒体の磁化
    パターン形成方法。
18. 【請求項１８】 該媒体の飽和磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ
    以上である請求項１７に記載の磁気記録媒体の磁化パタ
    ーン形成方法。
19. 【請求項１９】 該媒体は、磁性薄膜の下に軟磁性層を
    有してなる請求項１７又は１８に記載の磁気記録媒体の
    磁化パターン形成方法。
20. 【請求項２０】 磁性薄膜の磁化が消失する温度が１０
    ０℃以上である請求項１乃至１９のいずれかに記載の磁
    気記録媒体の磁化パターン形成方法。
21. 【請求項２１】 保護層の膜厚が５０ｎｍ以下である請
    求項１乃至２０のいずれかに記載の磁気記録媒体の磁化
    パターン形成方法。
22. 【請求項２２】 保護層がダイヤモンドライクカーボン
    からなる請求項１乃至２１のいずれかに記載の磁気記録
    媒体の磁化パターン形成方法。
23. 【請求項２３】 潤滑層の膜厚が１０ｎｍ以下である請
    求項１乃至２２のいずれかに記載の磁気記録媒体の磁化
    パターン形成方法。
24. 【請求項２４】 磁化パターン形成後の該媒体の表面粗
    度Ｒａが３ｎｍ以下である請求項１乃至２３のいずれか
    に記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
25. 【請求項２５】 磁化パターン形成後の該媒体の表面う
    ねりＷａが５ｎｍ以下である請求項１乃至２４のいずれ
    かに記載の磁気記録媒体の磁化パターン形成方法。
26. 【請求項２６】 請求項１乃至２５のいずれかに記載の
    磁化パターン形成方法により磁化パターンが形成されて
    なることを特徴とする磁気記録媒体。
27. 【請求項２７】 基板上に少なくとも一層の磁性薄膜と
    保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体の製造方
    法であって、基板上に磁性薄膜及び保護層を形成する工
    程と、保護層上に潤滑層を形成する工程と、磁性薄膜の
    局所的な加熱と磁性薄膜への外部磁界の印加によって磁
    化パターンを形成する工程を含むことを特徴とする磁気
    記録媒体の製造方法。
28. 【請求項２８】 基板上に少なくとも一層の磁性薄膜及
    び保護層を順次有してなる磁気記録媒体で、かつ該媒体
    の表面粗度Ｒａが３ｎｍ以下である磁気記録媒体の製造
    方法であって、基板上に磁性薄膜及び保護層を形成する
    工程と、磁性薄膜の局所的な加熱と磁性薄膜への外部磁
    界の印加によって磁化パターンを形成する工程を含むこ
    とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
29. 【請求項２９】 請求項２７又は２８に記載の製造方法
    により製造されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
30. 【請求項３０】 基板上に少なくとも１層の磁性薄膜と
    保護層と潤滑層を順次有してなる磁気記録媒体であっ
    て、該磁性薄膜は、所望の方向に均一に磁化された領域
    内に、部分的に磁化を有しないパターン又は部分的に該
    所望の方向に弱く磁化されたパターンを有することを特
    徴とする磁気記録媒体。
31. 【請求項３１】 磁化パターンが、磁気ヘッドの位置制
    御を行うためのサーボパターン又はサーボパターン記録
    用の基準パターンである請求項３０に記載の磁気記録媒
    体。
32. 【請求項３２】 該媒体が、面内磁気記録媒体である請
    求項３０又は３１に記載の磁気記録媒体。
33. 【請求項３３】 該媒体が、垂直磁気記録媒体である請
    求項３０又は３１に記載の磁気記録媒体。
34. 【請求項３４】 保護層の膜厚が５０ｎｍ以下である請
    求項３０乃至３３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
35. 【請求項３５】 潤滑層の膜厚が１０ｎｍ以下である請
    求項３０乃至３４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
36. 【請求項３６】 磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録
    方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気
    ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動
    させる手段と、磁気ヘッドへの記録信号入力と磁気ヘッ
    ドからの再生信号出力を行うための記録再生信号処理手
    段を有する磁気記録装置であって、磁気記録媒体が請求
    項２６、２９乃至３５のいずれかに記載の磁気記録媒体
    であることを特徴とする磁気記録装置。
37. 【請求項３７】 磁気記録媒体を装置に組みこんだ後、
    上記磁化パターンを磁気ヘッドにより再生し信号を得、
    該信号を基準としてサーボバースト信号を該磁気ヘッド
    により記録してなる、請求項３６に記載の磁気記録装
    置。