JP2001335986A - パラジウムめっき液 - Google Patents

パラジウムめっき液

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた樹脂密着性を示すことができる、表面
に針状結晶状のパラジウムめっき層を形成可能なパラジ
ウムめっき液の提供をすること。 【解決手段】 可溶性パラジウム塩をパラジウム量換算
として１〜６０ｇ／Ｌと、スルファミン酸またはその塩
を０．１〜３００ｇ／Ｌとを少なくとも含んでなるパラ
ジウムめっき液であって、光沢剤不含である、パラジウ
ムめっき液。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】発明の分野 本発明は、電気めっき用のパラジウムめっき液に関する
ものである。詳しくは、本発明は、樹脂密着性が良好な
めっき面を形成することができるパラジウムめっき液に
関するものである。
【０００２】背景技術 パラジウムめっき液は、従来から電気電子部品用のめっ
き処理において実用化されてきたが、近年、リードフレ
ームの分野においてもその使用が望まれている。リード
フレームを用いた半導体デバイスは、一般的に、リード
フレームに半導体チップを搭載して、半導体チップの電
極とリードフレームのインナーリードとの間にワイヤー
ボンディングを施し、次いで半導体とワイヤーボンディ
ング部の周囲を封止樹脂のモールド体で覆った後、リー
ドフレームの外枠を切除して、作成される。このとき、
インナーリードの先端には、予め良好なワイヤーボンデ
ィングを行うために銀めっきが施され、また、アウター
リード表面には半導体デバイス構成後、はんだめっきが
施されている。しかしながら、はんだには鉛が含まれる
ためその環境への影響等の問題から、リードフレームの
アウターリードのはんだめっきの代替品としてパラジウ
ムめっきを使用することが注目されている。また、イン
ナーリードの銀めっきの代替品としてパラジウムめっき
を使用することも注目されている。
【０００３】パラジウムめっき液をリードフレーム用途
に使用する場合には、一般的に、めっき液には、封止樹
脂との樹脂密着性、熱履歴後のはんだ濡れ性、展延性、
ワイヤボンディング性、はんだ接合信頼性、耐マイグレ
ーション性、および耐食性などの性能が優れていること
が望まれる。
【０００４】特に、封止樹脂との樹脂密着性は、リード
フレーム用途にパラジウムめっき液を使用する場合には
重要であり、代替品としてパラジウムめっき液を使用す
る場合に樹脂密着性を向上させることが望まれている。
【０００５】パラジウムめっき層（すなわち、めっき
面）と封止樹脂との密着性を向上させる手段としては、
例えば、特開２０００−０７７５９４号公報において、
リードフレーム素材を酸でエッチングすることによっ
て、下地となるニッケルめっき膜表面に適度な凹凸状態
を生じさせ、これによるアンカー効果によってパラジウ
ムめっき膜と封止樹脂との間の密着性を強化することが
開示されている。しかしながら、この方法の場合、めっ
き処理工程以外に、予めエッチング処理を行う工程がさ
らに必要であり、処理の煩雑さや処理コストの面からも
満足のいくものではなかった。また、リードフレーム以
外の用途も考慮すると、エッチングによる表面の粗面化
は必ずしも望ましいものではなかった。
【０００６】他方で、パラジウムめっき液による場合と
は異なり、銅めっき液による処理の場合に関しては、例
えば特開２０００−０９６２８４号公報において、めっ
き層表面に針状結晶を析出させることによって、めっき
層と樹脂との間の樹脂接着性を向上させることが開示さ
れている。しかしながら、めっき層表面に針状結晶を生
じさせることをパラジウムによるめっき処理によって行
うことに関しては、出願人の知る限り報告されていなか
った。
【０００７】
【発明の概要】本発明者等は、特定量の可溶性パラジウ
ム塩と特定量のスルファミン酸またはその塩とを少なく
とも含んでなる、光沢剤不含のパラジウムめっき液を調
製し、これを用いてパラジウムめっきを行うことによっ
て、表面に針状結晶を有するパラジウムめっき層を形成
させることができるとの知見を得た。本発明はこのよう
な知見に基づくものである。
【０００８】したがって、本発明は、優れた樹脂密着性
を示すことができる、表面が針状結晶状であるパラジウ
ムめっき層、を形成させることができるパラジウムめっ
き液の提供をその目的とする。
【０００９】よって、本発明によるパラジウムめっき液
は、可溶性パラジウム塩をパラジウム量換算として１〜
６０ｇ／Ｌと、スルファミン酸またはその塩を０．１〜
３００ｇ／Ｌとを少なくとも含んでなるものであって、
光沢剤不含であるものである。また、本発明によるパラ
ジウムめっき方法は、前記パラジウムめっき液を用いて
めっき浴を用意し、次いで、該めっき浴中において、浴
温度を３０〜７０℃、陰極電流密度を０．２〜２０Ａ／
ｄｍ２、として、基材を電気めっき処理することによっ
て、該基材上に針状結晶状の表面を有するめっき面を形
成させることを含んでなるものである。本発明によるパ
ラジウムめっき製品は、前記パラジウムめっき液を用い
て、基材を電気めっき処理することによって形成された
ものである。
【００１０】本発明のパラジウムめっき液を用いてめっ
きを行うことにより、針状結晶状表面を有するめっき層
を形成させることができる。これによって、形成された
めっき層は優れた樹脂密着性を有する。このときめっき
層の外観は、通常、無光沢である。また、前記のように
して形成されためっき層と樹脂とを組み合わせることに
よって得られた製品は、めっき層−樹脂間相互の密着性
が良好であるため、長期間安定した物性を維持すること
ができる。また、本発明によるパラジウムめっき液は、
液寿命に優れ、電流効率も良好なものである。このた
め、本発明によるパラジウムめっき液は、リードフレー
ム用めっき液として好適に使用することができるもので
ある。なお、本発明のめっき液によれば、はんだ濡れ性
が悪いめっき層を形成することができるため、本発明に
よるめっき液は、そのようなはんだ濡れ性が良好である
ことが望ましくない用途にも有用である。
【００１１】
【発明の具体的説明】本発明によるパラジウムめっき液
は、特定量の可溶性パラジウム塩と、特定量のスルファ
ミン酸またはその塩とを少なくとも含んでなるものであ
って、かつ光沢剤不含のものである。そして、該めっき
液は、通常電気めっき処理において使用されるものであ
る。ここで光沢剤とは、めっき面に光沢を持たせる目的
でめっき液に添加される添加剤であって、通常めっき表
面についてレベリング作用を有する無機および有機系添
加剤をいう。このような光沢剤としては、当業者にとっ
て慣用であるものであればいずれも包含されるが、例え
ばサッカリン、ナトリウム・ベンゼンスルホネート、ベ
ンゼンスルホンアミド、フェノールスルホン酸、メチレ
ンビス（ナフタレン）スルホン酸のような所謂第一種光
沢剤、および、２−ブチン−１，４−ジオール、ベンズ
アルデヒド−Ｏ−ナトリウムスルホネート、２−ブテン
−１，４−ジオール、アリルスルホネートのような所謂
第二種光沢剤などが挙げられる。本発明のめっき液は、
特定の組成を有することにより、形成されるめっき層表
面に針状結晶状を形成でき、そのためその外観が無光沢
となるものである。このため、めっき液が光沢剤を含ま
ないものであることは、無光沢面を形成すること、すな
わち針状結晶状表面を形成することにおいて有利である
と言える。
【００１２】また、本発明によるパラジウムめっき液
は、電導性化合物をさらに含んでなることが好ましく、
また、必要に応じて、他の任意成分をさらに含んでなっ
てもよい。
【００１３】可溶性パラジウム塩 本発明において用られる可溶性パラジウム塩としては、
めっき液に対して可溶性であって、かつ、めっき液中に
パラジウムイオンを供給することができるものであれば
特に制限はないが、例えば、パラジウムのアンミン錯塩
類、硝酸塩、塩化物等が挙げられる。このうち、パラジ
ウムのアンミン錯塩類としては、パラジウムのアンミン
錯塩の、塩化物、臭化物、ヨウ化物、亜硝酸塩、硝酸
塩、または硫酸塩等が好適なものとして挙げることがで
きる。また、前記アンミン錯塩としては、ジアンミン錯
塩またはテトラアンミン錯塩が好ましいものとして挙げ
ることができる。
【００１４】したがって、具体的には、例えば、ジクロ
ロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｃ
ｌ２）、ジブロモテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(Ｎ
Ｈ３)４Ｂｒ ２）、ジイオドテトラアンミンパラジウム
（Ｐｄ(ＮＨ３)４Ｉ２）、ジナイトライトテトラアンミ
ンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４(ＯＮＯ)２）、ジナイト
レイトテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４(Ｎ
Ｏ３)２）、ジサルファイトテトラアンミンパラジウム
（Ｐｄ(ＮＨ３)４(ＳＯ３)２）、ジサルフェイトテトラ
アンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４(ＳＯ４)２）、ジ
ニトロテトラアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)４(Ｎ
Ｏ２)２）、ジクロロジアミンパラジウム（Ｐｄ(Ｎ
Ｈ３)２Ｃｌ２）、ジブロモジアンミンパラジウム（Ｐ
ｄ(ＮＨ３)２Ｂｒ２）、ジイオドジアミンパラジウム
（Ｐｄ(ＮＨ３)２Ｉ２）、ジナイトライトジアンミンパ
ラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)２(ＯＮＯ)２）、ジナイトレイ
トジアンミンパラジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)２(Ｎ
Ｏ３)２）、ジサルファイトジアミンパラジウム（Ｐｄ
(ＮＨ３)２(ＳＯ３)２）、ジサルフェイトジアミンパラ
ジウム（Ｐｄ(ＮＨ３)２(ＳＯ４)２）等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよく、また２種以上を併用して
用いてもよい。
【００１５】本発明において、可溶性パラジウム塩は、
めっき液中にパラジウム量換算として、１〜６０ｇ／
Ｌ、好ましくは２〜２０ｇ／Ｌ、含まれる。なお、ここ
で、例えば「可溶性パラジウム塩がパラジウム量換算と
して１〜６０ｇ／Ｌ」とは、調製するめっき液中のパラ
ジウム（Ｐｄ）量が１〜６０ｇ／Ｌとなるような量の可
溶性パラジウム塩量のことをいう。
【００１６】スルファミン酸またはその塩 本発明のパラジウムめっき液は、必須成分として、スル
ファミン酸またはその塩を含んでなるものである。本発
明において、スルファミン酸の塩としては、めっき液中
にスルファミン酸を供給でき、かつ、めっき液の電導性
に影響を及ぼすものでない限り、特に制限はなく、例え
ば、スルファミン酸のアルカリ金属塩、スルファミン酸
のアルカリ土類金属塩、およびスルファミン酸のアンモ
ニウム塩等を例示することができる。より具体的には、
例えば、スルファミン酸ナトリウム、スルファミン酸カ
リウム、スルファミン酸アンモニウム、スルファミン酸
カルシウムなどが好適なものとして挙げられる。これら
は単独で用いてもよく、また２種以上を併用して用いて
もよい。
【００１７】本発明において、スルファミン酸またはそ
の塩は、めっき液中に０．１〜３００ｇ／Ｌ配合され、
好ましくは１〜２００ｇ／Ｌ、より好ましくは１〜１０
０ｇ／Ｌ配合される。
【００１８】電導性化合物 本発明によるパラジウムめっき液は、導電性化合物を含
んでなることが好ましい。本発明において電導性化合物
とは、めっき液の電導性、およびめっき効率を向上させ
るために加えられるものであって、めっき処理に有害と
ならないものであれば、特に制限はなく、例えば、各種
単純塩、強酸、および強塩基等が使用可能である。よっ
て、本発明に用いる電導性化合物としては、電解により
物性に悪影響を与えるようなの副生成物を生じるものが
包含されることは望ましくない。このように、本発明に
よるめっき液は、長期間にわたって安定な物性を示すこ
とができるものである。
【００１９】本発明においては、電導性化合物として
は、例えば、硝酸塩、塩化物、硫酸塩、リン酸塩、シュ
ウ酸塩、水酸化物、ホウ酸塩、酒石酸塩、および炭酸塩
からなる群から選択される塩類が好ましい。具体的に
は、このような導電性化合物としては、例えば、硝酸ア
ンモニウム、硝酸カリウム、もしくは硝酸ナトリウムの
ような硝酸塩、塩化アンモニウム、塩化カリウム、もし
くは塩化ナトリウムのような塩化物、硫酸アンモニウ
ム、硫酸カリウム、もしくは硫酸ナトリウムのような硫
酸塩、リン酸アンモニウム、リン酸カリウム、もしくは
リン酸ナトリウムのようなリン酸塩、シュウ酸アンモニ
ウム、シュウ酸カリウム、もしくはシュウ酸ナトリウム
のようなシュウ酸塩、酒石酸アンモニウム、酒石酸カリ
ウム、もしくは酒石酸ナトリウムのような酒石酸塩、水
酸化アンモニウム、水酸化カリウム、もしくは水酸化ナ
トリウムのような水酸化物、ホウ酸、ホウ酸アンモニウ
ム、ホウ酸カリウム、もしくはホウ酸ナトリウムのよう
なホウ酸塩、炭酸アンモニウム、炭酸カリウム、もしく
は炭酸ナトリウムのような炭酸塩等が挙げられる。これ
らの塩は単独で用いてもよく、２種以上併用して用いて
もよい。
【００２０】本発明において電導性化合物は、めっき液
中に、好ましくは０．１〜５００ｇ／Ｌ、より好ましく
は２０〜４００ｇ／Ｌ、さらに好ましくは４０〜２００
ｇ／Ｌ、配合することができる。
【００２１】他の任意成分 本発明のめっき液は、必要に応じて、他の任意成分をさ
らに含んでなることができる。このような他の任意成分
としては、例えば、ｐＨ調整剤、緩衝剤、界面活性剤、
表面調整剤、錯化剤、分散剤等が挙げられる。
【００２２】本発明によるパラジウムめっき液において
は、該液のｐＨを調整する目的で、ｐＨ調整剤をさらに
含んでなることができる。ｐＨ調整剤は、めっき液の調
整時およびめっき処理過程のいずれにおいても適宜添加
することができる。本発明のパラジウムめっき液のｐＨ
は通常６〜９の範囲内であり、６．５〜８の範囲内に調
整されることが好ましい。本発明において、ｐＨ調整剤
は、めっき液のｐＨを調整することができるものであれ
ば特に制限はないが、例えば、アンモニア水、希硫酸、
希塩酸、希硝酸等が好適なものとして用いることができ
る。
【００２３】また、本発明のめっき液においては、液の
ｐＨを一定の範囲に維持するために、緩衝剤をさらに含
んでなることができる。このような、緩衝剤としては、
めっき液に包含されるパラジウム塩、スルファミン酸
塩、さらには電導性化合物等の他の成分に影響を及ぼす
ものでない限り、特に制限はなく、慣用の緩衝剤を適宜
選択して用いることができる。
【００２４】本発明によるめっき液はまた、界面活性剤
をさらに含んでなることができる。このような界面活性
剤としては、公知の非イオン界面活性剤およびカチオン
界面活性剤が挙げられる。
【００２５】表面調整剤としては、例えば、エタノー
ル、ブタンジオール、グリセリン、エチルセルソルブの
ようなアルコール類、グルコース、ショ糖、デンプン、
グルコースと果糖の混合物である異性化糖、のようなＯ
Ｈ基を有する有機化合物、アセトアルデヒド、ホルムア
ルデヒドのようなＣＨＯ基を有する有機化合物、アセト
ン、ピナコリン、メシチルオキシド、アセトフェノン、
シクロヘキサノンのようなＣＯ基を有する有機化合物、
および、メチルアミン、トリエタノールアミン、ピリジ
ン、ピピリジンなどのアミン類のようなＮを有する有機
化合物等が挙げられる。
【００２６】めっき処理 本発明のパラジウムめっき液を用いて電気めっき処理を
行う場合には、典型的には、前記したように、めっき液
のｐＨを６〜９の範囲内、好ましくは６．５〜８の範囲
内に調整する。また、めっき液の温度は、典型的には３
０〜７０℃、好ましくは４５℃〜６５℃の範囲内に調整
し、めっき処理を行うことが好ましい。さらに、めっき
処理における陰極電流密度は、典型的には０．２〜２０
Ａ／ｄｍ２、好ましくは１〜１０Ａ／ｄｍ２である。ま
た、形成されるパラジウムめっき層の厚みは、特に制限
はされないが、適用される電流密度およびめっき時間等
により適宜変更することができる。
【００２７】本発明のパラジウムめっき液は、慣用のめ
っき処理方法を必要に応じて適用することによって、め
っき処理を実施ことができる。しがって、めっき処理の
過程において、めっき液を適宜撹拌しながらめっき処理
を行ってもよく、また、必要に応じてめっき液の濾過処
理をめっき処理と同時もしくはその前後に行ってもよ
い。さらに、めっき処理の進行に伴って、めっき液中の
パラジウム濃度が低下した場合には、該めっき液に可溶
性パラジウム塩成分のみを添加してめっき処理を続ける
こともできる。
【００２８】本発明のパラジウムめっき液によってめっ
きを行う基材としては、例えば、リードフレーム材等が
挙げられる。
【００２９】また、本発明の別の一つの態様において
は、前記したパラジウムめっき液を用いてめっき浴を用
意し、該めっき浴中において、浴温度を３０〜７０℃、
陰極電流密度を０．２〜２０Ａ／ｄｍ２、として、基材
を電気めっき処理することによって、該基材上に針状結
晶状の表面を有するめっき面を形成させることを含んで
なるパラジウムめっき方法、が提供される。
【００３０】さらに、本発明の別の態様においては、前
記したパラジウムめっき液を用いて、基材を電気めっき
することによって形成されたパラジウムめっき製品も提
供される。好ましくはこのめっき製品は前記めっき方法
により形成されたものである。
【００３１】
【実施例】以下において、本発明を下記の実施例によっ
て詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
【００３２】例１ ＜パラジウムめっき液１の組成＞ ジクロロテトラアンミンパラジウム ２ｇ／Ｌ
（Ｐｄ量換算として） スルファミン酸ナトリウム １００ｇ／Ｌ 水酸化アンモニウムまたは希硫酸にてｐＨ７に調整 めっき液温度： ５５℃ 上記の組成を有するパラジウムめっき液１を調製した。
試験基材としてハルセル銅板を使用し、予め無光沢Ｎｉ
めっきを１μｍ施した。次いで、得られた基材に対し
て、前記パラジウムめっき液の浴中において、めっき液
を攪拌しながら電流密度３．５Ａ／ｄｍ２の条件下にお
いて１０秒間、めっき処理を行い、めっき層を得、これ
をめっきサンプル１とした。
【００３３】例２ ＜パラジウムめっき液２の組成＞ ジニトロテトラアンミンパラジウム ２０ｇ／Ｌ
（Ｐｄ量換算として） スルファミン酸アンモニウム ５０ｇ／Ｌ 水酸化アンモニウムまたは希硫酸にてｐＨ７に調整 めっき液温度： ５５℃ 上記の組成を有するパラジウムめっき液２を調製した。
次いで、このめっき液を用いて、例１と同様にしてめっ
き処理を行い、めっきサンプル２を得た。
【００３４】例３ ＜パラジウムめっき液３の組成＞ ジクロロテトラアンミンパラジウム ２ｇ／Ｌ
（Ｐｄ量換算として） スルファミン酸ナトリウム １００ｇ／Ｌ 硝酸ナトリウム ４００ｇ／Ｌ 水酸化アンモニウムまたは希硫酸にてｐＨ７に調整 めっき液温度： ５５℃ 上記の組成を有するパラジウムめっき液３を調製した。
次いで、このめっき液を用いて、例１と同様にしてめっ
き処理を行い、めっきサンプル３を得た。
【００３５】例４ ＜パラジウムめっき液４の組成＞ ジニトロテトラアンミンパラジウム ２０ｇ／Ｌ
（Ｐｄ量換算として） スルファミン酸アンモニウム ５０ｇ／Ｌ 硫酸アンモニウム １００ｇ／Ｌ 水酸化アンモニウムまたは希硫酸にてｐＨ７に調整 めっき液温度： ５５℃ 上記の組成を有するパラジウムめっき液４を調製した。
次いで、このめっき液を用いて、例１と同様にしてめっ
き処理を行い、めっきサンプル４を得た。
【００３６】例５（比較例） ＜パラジウムめっき液５の組成＞ ジクロロテトラアンミンパラジウム ２ｇ／Ｌ
（Ｐｄ量換算として） スルファミン酸ナトリウム １００ｇ／Ｌ ピリジン３スルホン酸 １０ｇ／Ｌ 水酸化アンモニウムまたは希硫酸にてｐＨ７に調整 めっき液温度： ５５℃ 上記の組成を有するパラジウムめっき液５を調製した。
次いで、このめっき液を用いて、例１と同様にしてめっ
き処理を行い、めっきサンプル５を得た。
【００３７】例６（比較例） ＜パラジウムめっき液６の組成＞ ジニトロテトラアンミンパラジウム ２０ｇ／Ｌ
（Ｐｄ量換算として） スルファミン酸アンモニウム ５０ｇ／Ｌ 硫酸アンモニウム １００ｇ／Ｌ 亜硫酸カリウム ２０ｇ／Ｌ 水酸化アンモニウムまたは希硫酸にてｐＨ７に調整 めっき液温度： ５５℃ 上記の組成を有するパラジウムめっき液６を調製した。
次いで、このめっき液を用いて、例１と同様にしてめっ
き処理を行い、めっきサンプル６を得た。
【００３８】例７（比較例） リードフレームを脱脂し、過硫酸アンモニウム１００ｇ
／Ｌによる酸洗処理（すなわち、酸エッチング工程）を
施した後、ニッケルめっき膜を０．８μｍの厚さで形成
させ、これに、パラジウムめっき膜を０．１μｍの厚さ
で形成させて、めっきサンプル７を得た。
【００３９】評価試験 得られたパラジウムめっき液１〜６およびめっきサンプ
ル１〜７について、下記のような評価（１）〜（４）を
行った。 （１）電流効率 液温５５℃、電流密度３．５Ａ／ｄｍ２、めっき時間１
分間の条件下において、厚み０．９μｍのパラジウムめ
っきを形成させ、このようなめっき処理前後におけるサ
ンプルの重量変化を測定し、パラジウムめっき量を求め
た。得られたパラジウムめっき量を、前記条件における
パラジウムの理論電着量で除算して、電流密度（百分
率）を求め、これを下記のような基準で評価した。 評価Ａ： 電流効率が９０％以上である場合 評価Ｂ： 電流効率が９０％未満である場合
【００４０】（２）めっき外観 所謂ハルセル試験法にしたがって、各めっきサンプルの
めっき表面を目視で観察し、めっき表面の光沢の状態を
評価した。
【００４１】（３）めっき表面の状態 各めっきサンプルのめっき表面を、走査電子顕微鏡(Ｓ
ＥＭ)（日本電子株式会社製：ＪＳＭ−５６００ＬＶ）
を用いて観察し（測定条件：１０，０００倍）、めっき
表面の状態を評価し、そこに針状結晶が形成されたか否
かを確認した。
【００４２】（４）めっき液寿命 調製された各パラジウムめっき液を、それぞれ一定量
（１リットル）用意してテストめっき浴とし、これを使
用して、めっき液の単位体積中に含有されているパラジ
ウムが完全に消費されるまで、めっき処理を行った。こ
のとき、めっき処理開始からパラジウムが消失するまで
の一連の操作を１ターンとカウントする。ターン終了
後、直ちに、使用済のめっき液にパラジウム分のみをさ
らに添加し（パラジウム分を添加する以外はめっき液補
正は行わない）、再度、めっき液中のパラジウムが完全
に消費されるまで、めっき処理を行って、次の１ターン
を実施した。これらの手順を、めっき液の物性の変化等
によりめっき処理を続けることが困難となるまで続け、
めっきが可能であったターン数を調べた。各めっき液に
ついて得られたターン数のデータに基づいて、めっき液
の液寿命を下記のような基準で評価した。なお、ターン
数が多いめっき液ほど、長時間使用した場合における液
劣化が起こり難いことを意味する。 評価Ａ： １０ターン以上 評価Ｂ： １０ターン未満
【００４３】評価結果 上記評価試験の結果は、表１に示される通りであった。
なお、めっき表面の観察において、本発明によるめっき
液を使用したものについては、めっき表面に針状結晶が
確認された。このときこれら形成されためっき層は樹脂
密着性に関しても良好なものであった。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【発明の効果】本発明によるパラジウムめっき液を用い
てめっきすることによって、樹脂密着性が良好である針
状結晶状表面を有するめっき層を形成できることは、
［発明の概要］の項において、既に前記したところであ
る。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K023 AA28 BA15 BA27 BA29 CA01 CA09 CB15 DA06 DA07 DA08 DA11 4K024 AA12 AB01 BA09 BB13 BC01 CA01 CA02 CA04 CA06 DB10 GA04 GA07 GA12 GA14 GA16 5F067 AA04 DC00 DC11 DC17 DD10 EA04

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】可溶性パラジウム塩をパラジウム量換算と
    して１〜６０ｇ／Ｌと、スルファミン酸またはその塩を
    ０．１〜３００ｇ／Ｌとを少なくとも含んでなるパラジ
    ウムめっき液であって、光沢剤不含である、パラジウム
    めっき液。
  2. 【請求項２】可溶性パラジウム塩が、パラジウムのアン
    ミン錯塩の、塩化物、臭化物、ヨウ化物、亜硝酸塩、硝
    酸塩、および硫酸塩からなる群から選択されるものであ
    る、請求項１に記載のパラジウムめっき液。
  3. 【請求項３】スルファミン酸の塩が、スルファミン酸の
    アルカリ金属塩、スルファミン酸のアルカリ土類金属
    塩、およびスルファミン酸のアンモニウム塩からなる群
    から選択されるものである、請求項１または２に記載の
    パラジウムめっき液。
  4. 【請求項４】電導性化合物をさらに含んでなる、請求項
    １〜３のいずれか一項に記載のパラジウムめっき液。
  5. 【請求項５】電導性化合物が、硝酸塩、塩化物、硫酸
    塩、リン酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、ホウ酸、ホウ酸
    塩、酒石酸塩、および炭酸塩からなる群から選択される
    ものであり、かつ、電導性化合物を０．１〜５００ｇ／
    Ｌ含んでなる、請求項４に記載のパラジウムめっき液。
  6. 【請求項６】請求項１〜５に記載のパラジウムめっき液
    を用いてめっき浴を用意し、次いで該めっき浴中におい
    て、浴温度を３０〜７０℃、陰極電流密度を０．２〜２
    ０Ａ／ｄｍ２、として、基材を電気めっき処理すること
    によって、該基材上に針状結晶状の表面を有するめっき
    面を形成させる、ことを含んでなる、パラジウムめっき
    方法。
  7. 【請求項７】請求項１〜５に記載のパラジウムめっき液
    を用いて、基材を電気めっき処理することによって形成
    された、パラジウムめっき製品。
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