JP2001326698A - Ａｓｋ変調回路 - Google Patents
Ａｓｋ変調回路Info
- Publication number
- JP2001326698A JP2001326698A JP2000146486A JP2000146486A JP2001326698A JP 2001326698 A JP2001326698 A JP 2001326698A JP 2000146486 A JP2000146486 A JP 2000146486A JP 2000146486 A JP2000146486 A JP 2000146486A JP 2001326698 A JP2001326698 A JP 2001326698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- ask modulation
- resistance
- gain
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単一の基準電源のみの簡易な回路構成によ
り、安定した高精度な変調特性を実現する。 【解決手段】 トランジスタＱ３のベースに印加された
信号発生器１０の搬送波は、負荷抵抗１２と第１のエミ
ッタ抵抗１３ａおよび第２のエミッタ抵抗１３ｂとの比
による利得倍される。トランジスタＱ３のエミッタ抵抗
値は、入力端子１４ａのＡＳＫ変調データに応じたＦＥ
ＴＱ４のオンで第１のエミッタ抵抗１３ａと第２のエミ
ッタ抵抗１３ｂの並列接続、ＦＥＴＱ４のオフで第１の
エミッタ抵抗１３ａとなる。エミッタ抵抗により直流的
な利得も切り替わりＡＳＫ変調信号は振幅だけでなく直
流成分も変化するが、低周波阻止用コンデンサ１５で低
周波成分が除去され出力端子１６の搬送波には２値ＡＳ
Ｋ変調された上下対称の波形が現れる。単一基準電源の
トランジスタ回路の利得をＡＳＫ変調データに応じて切
り替え変調精度を管理できる。
り、安定した高精度な変調特性を実現する。 【解決手段】 トランジスタＱ３のベースに印加された
信号発生器１０の搬送波は、負荷抵抗１２と第１のエミ
ッタ抵抗１３ａおよび第２のエミッタ抵抗１３ｂとの比
による利得倍される。トランジスタＱ３のエミッタ抵抗
値は、入力端子１４ａのＡＳＫ変調データに応じたＦＥ
ＴＱ４のオンで第１のエミッタ抵抗１３ａと第２のエミ
ッタ抵抗１３ｂの並列接続、ＦＥＴＱ４のオフで第１の
エミッタ抵抗１３ａとなる。エミッタ抵抗により直流的
な利得も切り替わりＡＳＫ変調信号は振幅だけでなく直
流成分も変化するが、低周波阻止用コンデンサ１５で低
周波成分が除去され出力端子１６の搬送波には２値ＡＳ
Ｋ変調された上下対称の波形が現れる。単一基準電源の
トランジスタ回路の利得をＡＳＫ変調データに応じて切
り替え変調精度を管理できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、振幅変調回路に関
し、特にデータ通信機器の出力回路に用いられるＡＳＫ
（amplitude shift keying）変調回路に関するものであ
る。
し、特にデータ通信機器の出力回路に用いられるＡＳＫ
（amplitude shift keying）変調回路に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡＳＫ変調回路は、有線，無線共
にデータ通信機器の拡大が進む中で，ＯＡ機器，情報関
連機器において広く利用されている。
にデータ通信機器の拡大が進む中で，ＯＡ機器，情報関
連機器において広く利用されている。
【０００３】以下、従来のＡＳＫ変調回路について説明
する。図６は従来のＡＳＫ変調回路の構成を示すもので
ある。図６において、１０は搬送波（キャリア）の信号
発生器、Ｑ１及びＱ２からなる回路はインバータ（ある
いはバッファ）、１６はＡＳＫ変調信号の出力端子であ
る。２０ａは直流電圧Ｖｄｄ１を発生する第１基準電源
で、２０ｂは直流電圧Ｖｄｄ２を発生する第２基準電源
である。２１ａ，２１ｂは、トランスファーゲートなど
のスイッチで、インバータ２３により入力端子１４ｆか
ら入力されるＡＳＫ変調データのハイ，ローに応じて、
交互にオン，オフする。２２ａ，２２ｂはダイオード
で、前記直流電圧Ｖｄｄ１とＶｄｄ２を相互に分離する
働きをする。また、２４ａ，２４ｂはＡＣ成分平滑用コ
ンデンサである。
する。図６は従来のＡＳＫ変調回路の構成を示すもので
ある。図６において、１０は搬送波（キャリア）の信号
発生器、Ｑ１及びＱ２からなる回路はインバータ（ある
いはバッファ）、１６はＡＳＫ変調信号の出力端子であ
る。２０ａは直流電圧Ｖｄｄ１を発生する第１基準電源
で、２０ｂは直流電圧Ｖｄｄ２を発生する第２基準電源
である。２１ａ，２１ｂは、トランスファーゲートなど
のスイッチで、インバータ２３により入力端子１４ｆか
ら入力されるＡＳＫ変調データのハイ，ローに応じて、
交互にオン，オフする。２２ａ，２２ｂはダイオード
で、前記直流電圧Ｖｄｄ１とＶｄｄ２を相互に分離する
働きをする。また、２４ａ，２４ｂはＡＣ成分平滑用コ
ンデンサである。
【０００４】以上のように構成されたＡＳＫ変調回路の
動作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬
送波（キャリア）はＱ１，Ｑ２より構成されるインバー
タ（あるいはバッファ）に印加される。一方、Ｑ１，Ｑ
２より構成されるインバータ（あるいはバッファ）の電
源電圧Ｖｄは、入力端子１４ｆからのＡＳＫ変調データ
のハイ，ローに応じてオン，オフするスイッチ２１ａ，
２１ｂにより、第１基準電源２０ａの直流電圧Ｖｄｄ１
と第２基準電源２０ｂの直流電圧Ｖｄｄ２を選択的に切
り替えて印加されるが、ダイオード２２ａ，２２ｂによ
り分離されている。
動作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬
送波（キャリア）はＱ１，Ｑ２より構成されるインバー
タ（あるいはバッファ）に印加される。一方、Ｑ１，Ｑ
２より構成されるインバータ（あるいはバッファ）の電
源電圧Ｖｄは、入力端子１４ｆからのＡＳＫ変調データ
のハイ，ローに応じてオン，オフするスイッチ２１ａ，
２１ｂにより、第１基準電源２０ａの直流電圧Ｖｄｄ１
と第２基準電源２０ｂの直流電圧Ｖｄｄ２を選択的に切
り替えて印加されるが、ダイオード２２ａ，２２ｂによ
り分離されている。
【０００５】スイッチ２１ａがオンの場合、Ｑ１，Ｑ２
より構成されるインバータ（あるいはバッファ）の電源
電圧Ｖｄは、(数１)で表される。
より構成されるインバータ（あるいはバッファ）の電源
電圧Ｖｄは、(数１)で表される。
【０００６】
【数１】Ｖｄ＝Ｖｄｄ１−Ｖ２１ａ−Ｖ２２ａ 但し、Ｖ２１ａはスイッチ２１ａの損失電圧、Ｖ２２ａ
はダイオード２２ａの順方向オン電圧である。
はダイオード２２ａの順方向オン電圧である。
【０００７】また、スイッチ２１ｂがオンの場合、Ｑ
１，Ｑ２より構成されるインバータ（あるいはバッフ
ァ）の電源電圧Ｖｄは、(数２)で表される。
１，Ｑ２より構成されるインバータ（あるいはバッフ
ァ）の電源電圧Ｖｄは、(数２)で表される。
【０００８】
【数２】Ｖｄ＝Ｖｄｄ２−Ｖ２１ｂ−Ｖ２２ｂ 但し、Ｖ２１ｂはスイッチ２１ｂの損失電圧、Ｖ２２ｂ
はダイオード２２ｂの順方向オン電圧である。
はダイオード２２ｂの順方向オン電圧である。
【０００９】したがって、Ｑ１，Ｑ２より構成されるイ
ンバータ（あるいはバッファ）の出力振幅は、入力端子
１４ｆからのＡＳＫ変調データのハイ，ローに応じて、
前記電源電圧に準じた振幅に切り替わるため、ＡＳＫ変
調信号の出力端子１６には、信号発生器１０からの搬送
波が２値ＡＳＫ変調された信号が現れる。
ンバータ（あるいはバッファ）の出力振幅は、入力端子
１４ｆからのＡＳＫ変調データのハイ，ローに応じて、
前記電源電圧に準じた振幅に切り替わるため、ＡＳＫ変
調信号の出力端子１６には、信号発生器１０からの搬送
波が２値ＡＳＫ変調された信号が現れる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成のＡＳＫ変調回路では、２値ＡＳＫ変調の場合
に前記のような第１基準電源，第２基準電源という２系
統の基準電源回路（多値ＡＳＫ変調の場合、そのＡＳＫ
値に応じた数の基準電源回路）を必要とするために、そ
の回路規模とそれに伴い消費電流が大きくなる。また、
基準電源を切り替えるためのトランスファーゲートなど
のスイッチ手段および複数の電源を分離するためのダイ
オードなどによって、電圧損失のばらつきや温度特性変
動が生じるという問題があった。
うな構成のＡＳＫ変調回路では、２値ＡＳＫ変調の場合
に前記のような第１基準電源，第２基準電源という２系
統の基準電源回路（多値ＡＳＫ変調の場合、そのＡＳＫ
値に応じた数の基準電源回路）を必要とするために、そ
の回路規模とそれに伴い消費電流が大きくなる。また、
基準電源を切り替えるためのトランスファーゲートなど
のスイッチ手段および複数の電源を分離するためのダイ
オードなどによって、電圧損失のばらつきや温度特性変
動が生じるという問題があった。
【００１１】本発明は、前記従来技術の問題を解決する
ことに指向するものであり、単一の基準電源のみの簡易
な回路構成により、安定した高精度な変調特性を実現す
るＡＳＫ変調回路を提供することを目的とする。
ことに指向するものであり、単一の基準電源のみの簡易
な回路構成により、安定した高精度な変調特性を実現す
るＡＳＫ変調回路を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係るＡＳＫ変調回路は、搬送波を生成する
信号発生器と、搬送波を入力して、出力される利得の切
り替え手段を有するトランジスタ回路と、トランジスタ
回路の出力部に設けられた低周波阻止用コンデンサとを
備えたことを特徴とする。
に、本発明に係るＡＳＫ変調回路は、搬送波を生成する
信号発生器と、搬送波を入力して、出力される利得の切
り替え手段を有するトランジスタ回路と、トランジスタ
回路の出力部に設けられた低周波阻止用コンデンサとを
備えたことを特徴とする。
【００１３】また、前記ＡＳＫ変調回路に信号発生器の
出力に接続される低域通過フィルタを備えたこと、さら
に、前記トランジスタ回路に有する利得の切り替え手段
として、ＦＥＴを用いたスイッチ手段、または複数のス
イッチ手段を備え、このスイッチ手段により、エミッタ
側のインピーダンスの値を変化させてトランジスタ回路
から出力される利得を切り替えること、あるいは、コレ
クタ側のインピーダンスの値を変化させてトランジスタ
回路から出力される利得を切り替えるように構成したも
のである。
出力に接続される低域通過フィルタを備えたこと、さら
に、前記トランジスタ回路に有する利得の切り替え手段
として、ＦＥＴを用いたスイッチ手段、または複数のス
イッチ手段を備え、このスイッチ手段により、エミッタ
側のインピーダンスの値を変化させてトランジスタ回路
から出力される利得を切り替えること、あるいは、コレ
クタ側のインピーダンスの値を変化させてトランジスタ
回路から出力される利得を切り替えるように構成したも
のである。
【００１４】前記構成によれば、単一の基準電源のみの
簡易な回路構成によって、トランジスタ回路における利
得をスイッチ手段の選択により決定し切り替えて、変調
度を管理することができる。
簡易な回路構成によって、トランジスタ回路における利
得をスイッチ手段の選択により決定し切り替えて、変調
度を管理することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明にお
ける実施の形態を詳細に説明する。
ける実施の形態を詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明の実施の形態１であるＡＳＫ
変調回路の構成を示す図である。図１において、１０は
搬送波（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジス
タ、１１ａ，１１ｂはトランジスタＱ３のベースバイア
ス抵抗、１２は負荷抵抗、１３ａはトランジスタＱ３の
第１のエミッタ抵抗、１３ｂはトランジスタＱ３の第２
のエミッタ抵抗、Ｑ４は入力端子１４ａからのＡＳＫ変
調データのハイ，ローに応じてオン，オフするＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）、１５は低周波阻止用コンデ
ンサ、１６はＡＳＫ変調信号の出力端子、１７は搬送波
信号の低周波阻止用コンデンサ、ＶＣＣは電源電圧であ
る。なお、図１では、信号発生器１０の搬送波(キャリ
ア)を正弦波のイメージで描いているが、矩形波等も含
みその種類は限定しない。
変調回路の構成を示す図である。図１において、１０は
搬送波（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジス
タ、１１ａ，１１ｂはトランジスタＱ３のベースバイア
ス抵抗、１２は負荷抵抗、１３ａはトランジスタＱ３の
第１のエミッタ抵抗、１３ｂはトランジスタＱ３の第２
のエミッタ抵抗、Ｑ４は入力端子１４ａからのＡＳＫ変
調データのハイ，ローに応じてオン，オフするＦＥＴ
（電界効果トランジスタ）、１５は低周波阻止用コンデ
ンサ、１６はＡＳＫ変調信号の出力端子、１７は搬送波
信号の低周波阻止用コンデンサ、ＶＣＣは電源電圧であ
る。なお、図１では、信号発生器１０の搬送波(キャリ
ア)を正弦波のイメージで描いているが、矩形波等も含
みその種類は限定しない。
【００１７】以上のように構成されたＡＳＫ変調回路の
動作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬
送波（キャリア）は低周波阻止用コンデンサ１７を介し
てトランジスタＱ３のベースに入力される。トランジス
タＱ３のベースにはベースバイアス抵抗１１ａ，１１ｂ
により、所定のバイアス電圧が印加される。トランジス
タＱ３のベースに印加された信号発生器１０からの搬送
波は、トランジスタＱ３の負荷抵抗１２と、第１のエミ
ッタ抵抗１３ａおよび第２のエミッタ抵抗１３ｂとの比
で決まる利得倍されて、トランジスタＱ３のコレクタに
出力電圧として現れ、低周波阻止用コンデンサ１５を介
して、ＡＳＫ変調信号の出力端子１６へ出力される。こ
こで、トランジスタＱ３の第２のエミッタ抵抗１３ｂ
は、入力端子１４ａからのＡＳＫ変調データのハイ，ロ
ーに応じてオン，オフするＦＥＴＱ４により、トランジ
スタＱ３のエミッタとグランド、あるいはトランジスタ
Ｑ３のエミッタとハイインピーダンス電位に接続が切り
替わるため、トランジスタＱ３のエミッタ抵抗値は、
（ＦＥＴＱ４のオン抵抗が第２のエミッタ抵抗１３ｂに
対して十分小さいとすると、）ＦＥＴＱ４がオンのと
き、第１のエミッタ抵抗１３ａと第２のエミッタ抵抗１
３ｂの並列接続となり、(数３)で表され,
動作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬
送波（キャリア）は低周波阻止用コンデンサ１７を介し
てトランジスタＱ３のベースに入力される。トランジス
タＱ３のベースにはベースバイアス抵抗１１ａ，１１ｂ
により、所定のバイアス電圧が印加される。トランジス
タＱ３のベースに印加された信号発生器１０からの搬送
波は、トランジスタＱ３の負荷抵抗１２と、第１のエミ
ッタ抵抗１３ａおよび第２のエミッタ抵抗１３ｂとの比
で決まる利得倍されて、トランジスタＱ３のコレクタに
出力電圧として現れ、低周波阻止用コンデンサ１５を介
して、ＡＳＫ変調信号の出力端子１６へ出力される。こ
こで、トランジスタＱ３の第２のエミッタ抵抗１３ｂ
は、入力端子１４ａからのＡＳＫ変調データのハイ，ロ
ーに応じてオン，オフするＦＥＴＱ４により、トランジ
スタＱ３のエミッタとグランド、あるいはトランジスタ
Ｑ３のエミッタとハイインピーダンス電位に接続が切り
替わるため、トランジスタＱ３のエミッタ抵抗値は、
（ＦＥＴＱ４のオン抵抗が第２のエミッタ抵抗１３ｂに
対して十分小さいとすると、）ＦＥＴＱ４がオンのと
き、第１のエミッタ抵抗１３ａと第２のエミッタ抵抗１
３ｂの並列接続となり、(数３)で表され,
【００１８】
【数３】トランジスタＱ３のエミッタ抵抗値Ｒｅ＝（Ｒ
１３ａ×Ｒ１３ｂ）／（Ｒ１３ａ＋Ｒ１３ｂ） また、ＦＥＴＱ４がオフのときは、(数４)となる。
１３ａ×Ｒ１３ｂ）／（Ｒ１３ａ＋Ｒ１３ｂ） また、ＦＥＴＱ４がオフのときは、(数４)となる。
【００１９】
【数４】 トランジスタＱ３のエミッタ抵抗値Ｒｅ＝Ｒ１３ａ 但し、Ｒ１３ａ，Ｒ１３ｂはそれぞれ第１，第２のエミ
ッタ抵抗１３ａ，１３ｂの抵抗値とする。
ッタ抵抗１３ａ，１３ｂの抵抗値とする。
【００２０】したがって、この回路の利得Ｇは、負荷抵
抗１２とエミッタ抵抗の比として、ＦＥＴＱ４がオンの
ときは、(数５)で表され,
抗１２とエミッタ抵抗の比として、ＦＥＴＱ４がオンの
ときは、(数５)で表され,
【００２１】
【数５】利得Ｇ＝Ｒ１２／（（Ｒ１３ａ×Ｒ１３ｂ）／
（Ｒ１３ａ＋Ｒ１３ｂ）） また、ＦＥＴＱ４がオフのときは、（数６)となる。
（Ｒ１３ａ＋Ｒ１３ｂ）） また、ＦＥＴＱ４がオフのときは、（数６)となる。
【００２２】
【数６】利得Ｇ＝Ｒ１２／Ｒ１３ａ 但し、Ｒ１２は負荷抵抗１２の抵抗値とする。
【００２３】このようにして、この回路が線形動作範囲
の場合には、信号発生器１０の搬送波がＡＳＫ変調デー
タに応じて切り替わる利得倍の振幅でトランジスタＱ３
のコレクタに現れる。
の場合には、信号発生器１０の搬送波がＡＳＫ変調デー
タに応じて切り替わる利得倍の振幅でトランジスタＱ３
のコレクタに現れる。
【００２４】また、図２は本実施の形態１のＡＳＫ変調
された波形を示し、図２（ａ）はトランジスタＱ３のコ
レクタにおける波形、図２（ｂ）はＡＳＫ変調信号の出
力端子１６における波形である。
された波形を示し、図２（ａ）はトランジスタＱ３のコ
レクタにおける波形、図２（ｂ）はＡＳＫ変調信号の出
力端子１６における波形である。
【００２５】本実施の形態１では、２種類のエミッタ抵
抗を切り替えることにより直流的な利得も切り替わるた
め、トランジスタＱ３のコレクタのＡＳＫ変調信号は振
幅だけでなく直流成分も変化する。しかし、低周波阻止
用コンデンサ１５を介して低周波成分を除去することに
より出力端子１６には、信号発生器１０からの搬送波が
２値ＡＳＫ変調された信号が上下対称の波形で現れる。
抗を切り替えることにより直流的な利得も切り替わるた
め、トランジスタＱ３のコレクタのＡＳＫ変調信号は振
幅だけでなく直流成分も変化する。しかし、低周波阻止
用コンデンサ１５を介して低周波成分を除去することに
より出力端子１６には、信号発生器１０からの搬送波が
２値ＡＳＫ変調された信号が上下対称の波形で現れる。
【００２６】また、第２のエミッタ抵抗１３ｂの代わり
にコンデンサ等を用いた場合は、トランジスタＱ３のコ
レクタのＡＳＫ変調信号においても振幅だけ変化する上
下対称のＡＳＫ変調波形を得られる。
にコンデンサ等を用いた場合は、トランジスタＱ３のコ
レクタのＡＳＫ変調信号においても振幅だけ変化する上
下対称のＡＳＫ変調波形を得られる。
【００２７】このように、本実施の形態１のＡＳＫ変調
回路は、単一基準電源のトランジスタ回路における利得
をＡＳＫ変調データに応じて切り替えることにより、回
路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコレクタ
とエミッタの各インピーダンスの相対精度により変調精
度を管理することができる優れた効果が得られる。
回路は、単一基準電源のトランジスタ回路における利得
をＡＳＫ変調データに応じて切り替えることにより、回
路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコレクタ
とエミッタの各インピーダンスの相対精度により変調精
度を管理することができる優れた効果が得られる。
【００２８】図３は本実施の形態２であるＡＳＫ変調回
路の構成を示す図である。以下、本実施の形態２につい
て図面を参照しながら説明する。ここで、前記図１にお
いて説明した構成要件に対応し実質的に同等の機能を有
するものには同一の符号を付してこれを示し、以下の各
図においても同様とする。図３において、１０は搬送波
（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジスタ、１１
ａ，１１ｂはトランジスタＱ３のベースバイアス抵抗、
１２ａはトランジスタＱ３の第１の負荷抵抗、１２ｂは
トランジスタＱ３の第２の負荷抵抗、１３はトランジス
タＱ３のエミッタ抵抗、Ｑ５は入力端子１４ｂからのＡ
ＳＫ変調データのロー，ハイに応じてオン，オフするＦ
ＥＴ、１５は低周波阻止用コンデンサ、１６はＡＳＫ変
調信号の出力端子、１７は搬送波信号の低周波阻止用コ
ンデンサ、ＶＣＣは電源電圧である。また、図３におい
ても図１と同様に信号発生器１０の搬送波(キャリア)を
正弦波のイメージで描いているが、矩形波等も含みその
種類は限定しない。
路の構成を示す図である。以下、本実施の形態２につい
て図面を参照しながら説明する。ここで、前記図１にお
いて説明した構成要件に対応し実質的に同等の機能を有
するものには同一の符号を付してこれを示し、以下の各
図においても同様とする。図３において、１０は搬送波
（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジスタ、１１
ａ，１１ｂはトランジスタＱ３のベースバイアス抵抗、
１２ａはトランジスタＱ３の第１の負荷抵抗、１２ｂは
トランジスタＱ３の第２の負荷抵抗、１３はトランジス
タＱ３のエミッタ抵抗、Ｑ５は入力端子１４ｂからのＡ
ＳＫ変調データのロー，ハイに応じてオン，オフするＦ
ＥＴ、１５は低周波阻止用コンデンサ、１６はＡＳＫ変
調信号の出力端子、１７は搬送波信号の低周波阻止用コ
ンデンサ、ＶＣＣは電源電圧である。また、図３におい
ても図１と同様に信号発生器１０の搬送波(キャリア)を
正弦波のイメージで描いているが、矩形波等も含みその
種類は限定しない。
【００２９】前記図１の構成と異なるのは入力端子１４
ｂのＡＳＫ変調データによって、トランジスタＱ３のエ
ミッタ側のインピーダンスを切り替えるのではなく、ト
ランジスタＱ３のコレクタ側のインピーダンスを切り替
える点である。
ｂのＡＳＫ変調データによって、トランジスタＱ３のエ
ミッタ側のインピーダンスを切り替えるのではなく、ト
ランジスタＱ３のコレクタ側のインピーダンスを切り替
える点である。
【００３０】以上のように構成されたＡＳＫ変調回路の
動作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬
送波（キャリア）は低周波阻止用コンデンサ１７を介し
てトランジスタＱ３のベースに入力される。トランジス
タＱ３のベースにはベースバイアス抵抗１１ａ，１１ｂ
により、所定のバイアス電圧が印加される。トランジス
タＱ３のベースに印加された搬送波は、トランジスタＱ
３の第１の負荷抵抗１２ａおよび第２の負荷抵抗１２ｂ
と、エミッタ抵抗１３の比で決まる利得倍されて、トラ
ンジスタＱ３のコレクタに出力電圧として現れ、低周波
阻止用コンデンサ１５を介して、ＡＳＫ変調信号の出力
端子１６へ出力される。トランジスタＱ３の第２のコレ
クタ抵抗１２ｂは、入力端子１４ａからのＡＳＫ変調デ
ータのロー，ハイに応じてオン，オフするＦＥＴＱ５に
より、トランジスタＱ３のコレクタとＶＣＣ、あるいは
トランジスタＱ３のコレクタとハイインピーダンス電位
に接続が切り替わるため、トランジスタＱ３のコレクタ
抵抗値は（ＦＥＴＱ５のオン抵抗が第２の負荷抵抗１２
ｂに対して十分小さいとすると）、ＦＥＴＱ５がオンの
とき、第１の負荷抵抗１２ａと第２の負荷抵抗１２ｂの
並列接続となり、(数７)のように表され、
動作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬
送波（キャリア）は低周波阻止用コンデンサ１７を介し
てトランジスタＱ３のベースに入力される。トランジス
タＱ３のベースにはベースバイアス抵抗１１ａ，１１ｂ
により、所定のバイアス電圧が印加される。トランジス
タＱ３のベースに印加された搬送波は、トランジスタＱ
３の第１の負荷抵抗１２ａおよび第２の負荷抵抗１２ｂ
と、エミッタ抵抗１３の比で決まる利得倍されて、トラ
ンジスタＱ３のコレクタに出力電圧として現れ、低周波
阻止用コンデンサ１５を介して、ＡＳＫ変調信号の出力
端子１６へ出力される。トランジスタＱ３の第２のコレ
クタ抵抗１２ｂは、入力端子１４ａからのＡＳＫ変調デ
ータのロー，ハイに応じてオン，オフするＦＥＴＱ５に
より、トランジスタＱ３のコレクタとＶＣＣ、あるいは
トランジスタＱ３のコレクタとハイインピーダンス電位
に接続が切り替わるため、トランジスタＱ３のコレクタ
抵抗値は（ＦＥＴＱ５のオン抵抗が第２の負荷抵抗１２
ｂに対して十分小さいとすると）、ＦＥＴＱ５がオンの
とき、第１の負荷抵抗１２ａと第２の負荷抵抗１２ｂの
並列接続となり、(数７)のように表され、
【００３１】
【数７】トランジスタＱ３のコレクタ抵抗値Ｒｃ＝（Ｒ
１２ａ×Ｒ１２ｂ）／（Ｒ１２ａ＋Ｒ１２ｂ） また、ＦＥＴＱ５がオフのときは、(数８)となる。
１２ａ×Ｒ１２ｂ）／（Ｒ１２ａ＋Ｒ１２ｂ） また、ＦＥＴＱ５がオフのときは、(数８)となる。
【００３２】
【数８】 トランジスタＱ３のコレクタ抵抗値Ｒｃ＝Ｒ１２ａ 但し、Ｒ１２ａ、Ｒ１２ｂはそれぞれ第１，第２の負荷
抵抗１２ａ，１２ｂの抵抗値とする。
抵抗１２ａ，１２ｂの抵抗値とする。
【００３３】したがって、この回路の利得Ｇは、第１，
第２の負荷抵抗１２ａ，１２ｂとエミッタ抵抗１３の比
として、ＦＥＴＱ５がオンのときは、(数９)で表され,
第２の負荷抵抗１２ａ，１２ｂとエミッタ抵抗１３の比
として、ＦＥＴＱ５がオンのときは、(数９)で表され,
【００３４】
【数９】利得Ｇ＝（（Ｒ１２ａ×Ｒ１２ｂ）／（Ｒ１２
ａ＋Ｒ１２ｂ））／Ｒ１３ また、ＦＥＴＱ５がオフのときは、(数１０)となる。
ａ＋Ｒ１２ｂ））／Ｒ１３ また、ＦＥＴＱ５がオフのときは、(数１０)となる。
【００３５】
【数１０】利得Ｇ＝Ｒ１２ａ／Ｒ１３ 但し、Ｒ１３はエミッタ抵抗１３の抵抗値とする。
【００３６】このようにして、この回路が線形動作範囲
の場合には、信号発生器１０からの搬送波が入力端子１
４ｂのＡＳＫ変調データに応じて切り替わる利得倍の振
幅でトランジスタＱ３のコレクタに現れる。本実施の形
態２では、２種類のコレクタ負荷抵抗を切り替えること
により直流的な利得も切り替わるため、トランジスタＱ
３のコレクタのＡＳＫ変調信号は振幅だけでなく直流成
分も変化する。しかし、低周波阻止用コンデンサ１５を
介して低周波成分を除去することにより出力端子１６に
は、搬送波が２値ＡＳＫ変調された信号が上下対称の波
形で現れる。
の場合には、信号発生器１０からの搬送波が入力端子１
４ｂのＡＳＫ変調データに応じて切り替わる利得倍の振
幅でトランジスタＱ３のコレクタに現れる。本実施の形
態２では、２種類のコレクタ負荷抵抗を切り替えること
により直流的な利得も切り替わるため、トランジスタＱ
３のコレクタのＡＳＫ変調信号は振幅だけでなく直流成
分も変化する。しかし、低周波阻止用コンデンサ１５を
介して低周波成分を除去することにより出力端子１６に
は、搬送波が２値ＡＳＫ変調された信号が上下対称の波
形で現れる。
【００３７】このように、本実施の形態２によるＡＳＫ
変調回路は、単一基準電源のトランジスタ回路における
利得をＡＳＫ変調データに応じ切り替えることにより、
回路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコレク
タとエミッタの各インピーダンスの相対精度で変調精度
を管理することができる優れた効果が得られる。
変調回路は、単一基準電源のトランジスタ回路における
利得をＡＳＫ変調データに応じ切り替えることにより、
回路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコレク
タとエミッタの各インピーダンスの相対精度で変調精度
を管理することができる優れた効果が得られる。
【００３８】図４は本発明の実施の形態３であるＡＳＫ
変調回路の構成を示す図である。図４において、１０は
搬送波（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジス
タ、１２はトランジスタＱ３の負荷抵抗、１３ｃはトラ
ンジスタＱ３の第１のエミッタ抵抗、１３ｄはトランジ
スタＱ３の第２のエミッタ抵抗、１３ｅはトランジスタ
Ｑ３の第３のエミッタ抵抗、１８ａ，１８ｂ，１８ｃは
トランスファーゲートなどのスイッチであり、第１入力
端子１４ｃ，第２入力端子１４ｄ，第３入力端子１４ｅ
からのビット（デジタル）化された第１，第２，第３の
ＡＳＫ変調データのハイ，ローに応じてオン，オフす
る。１５は低周波阻止用コンデンサ、１６はＡＳＫ変調
信号の出力端子、ＶＣＣは電源電圧である。図４は信号
発生器１０の搬送波(キャリア)を正弦波のイメージで描
いているが、矩形波等も含みその種類は限定しない。
変調回路の構成を示す図である。図４において、１０は
搬送波（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジス
タ、１２はトランジスタＱ３の負荷抵抗、１３ｃはトラ
ンジスタＱ３の第１のエミッタ抵抗、１３ｄはトランジ
スタＱ３の第２のエミッタ抵抗、１３ｅはトランジスタ
Ｑ３の第３のエミッタ抵抗、１８ａ，１８ｂ，１８ｃは
トランスファーゲートなどのスイッチであり、第１入力
端子１４ｃ，第２入力端子１４ｄ，第３入力端子１４ｅ
からのビット（デジタル）化された第１，第２，第３の
ＡＳＫ変調データのハイ，ローに応じてオン，オフす
る。１５は低周波阻止用コンデンサ、１６はＡＳＫ変調
信号の出力端子、ＶＣＣは電源電圧である。図４は信号
発生器１０の搬送波(キャリア)を正弦波のイメージで描
いているが、矩形波等も含みその種類は限定しない。
【００３９】前記図１に示した構成と異なる点はビット
（デジタル）化された第１のＡＳＫ変調データ，第２の
ＡＳＫ変調データ，第３のＡＳＫ変調データによって、
トランジスタＱ３のエミッタインピーダンスを多値に切
り替える点である。以上のように構成されたＡＳＫ変調
回路の動作について説明する。
（デジタル）化された第１のＡＳＫ変調データ，第２の
ＡＳＫ変調データ，第３のＡＳＫ変調データによって、
トランジスタＱ３のエミッタインピーダンスを多値に切
り替える点である。以上のように構成されたＡＳＫ変調
回路の動作について説明する。
【００４０】まず、信号発生器１０からの搬送波（キャ
リア）は、トランジスタＱ３のベースに入力される。図
４では省略しているがトランジスタＱ３のベースには所
定のバイアス電圧が印加される。トランジスタＱ３のベ
ースに印加された搬送波は、トランジスタＱ３の負荷抵
抗１２とエミッタ抵抗の比で決まる利得倍されて、トラ
ンジスタＱ３のコレクタに出力電圧として現れ、低周波
阻止用コンデンサ１５を介してＡＳＫ変調信号の出力端
子１６へ出力される。トランジスタＱ３のエミッタ抵抗
値は、入力端子１４ｃ，１４ｄ，１４ｅからの第１のＡ
ＳＫ変調データ，第２のＡＳＫ変調データ，第３のＡＳ
Ｋ変調データのロー，ハイに応じてオン，オフするスイ
ッチ１８ａ，１８ｂ，１８ｃにより、この例では最大８
通りの値に可変することができ、負荷抵抗１２の値との
比として決まる利得を最大８通りに可変することができ
る。
リア）は、トランジスタＱ３のベースに入力される。図
４では省略しているがトランジスタＱ３のベースには所
定のバイアス電圧が印加される。トランジスタＱ３のベ
ースに印加された搬送波は、トランジスタＱ３の負荷抵
抗１２とエミッタ抵抗の比で決まる利得倍されて、トラ
ンジスタＱ３のコレクタに出力電圧として現れ、低周波
阻止用コンデンサ１５を介してＡＳＫ変調信号の出力端
子１６へ出力される。トランジスタＱ３のエミッタ抵抗
値は、入力端子１４ｃ，１４ｄ，１４ｅからの第１のＡ
ＳＫ変調データ，第２のＡＳＫ変調データ，第３のＡＳ
Ｋ変調データのロー，ハイに応じてオン，オフするスイ
ッチ１８ａ，１８ｂ，１８ｃにより、この例では最大８
通りの値に可変することができ、負荷抵抗１２の値との
比として決まる利得を最大８通りに可変することができ
る。
【００４１】このようにして、この回路が線形動作範囲
の場合には、搬送波がビット（デジタル）化された第
１，第２，第３入力端子１４ｃ，１４ｄ，１４ｅからの
第１，第２，第３のＡＳＫ変調データに応じて最大８通
りに切り替えられる利得倍の振幅でトランジスタＱ３の
コレクタに現れる。
の場合には、搬送波がビット（デジタル）化された第
１，第２，第３入力端子１４ｃ，１４ｄ，１４ｅからの
第１，第２，第３のＡＳＫ変調データに応じて最大８通
りに切り替えられる利得倍の振幅でトランジスタＱ３の
コレクタに現れる。
【００４２】本実施の形態３では、前記実施の形態１と
同様に、複数のエミッタ抵抗（最大８種類）を切り替え
ることにより直流的な利得も切り替わるため、トランジ
スタＱ３のコレクタのＡＳＫ変調信号は振幅だけでなく
直流成分も変化する。しかし、低周波阻止用コンデンサ
１５を介して低周波成分を除去することにより出力端子
１６には、搬送波が８値ＡＳＫ変調された信号が上下対
称の波形で現れる。
同様に、複数のエミッタ抵抗（最大８種類）を切り替え
ることにより直流的な利得も切り替わるため、トランジ
スタＱ３のコレクタのＡＳＫ変調信号は振幅だけでなく
直流成分も変化する。しかし、低周波阻止用コンデンサ
１５を介して低周波成分を除去することにより出力端子
１６には、搬送波が８値ＡＳＫ変調された信号が上下対
称の波形で現れる。
【００４３】このように、本実施の形態３によるＡＳＫ
変調回路は、２値よりも大きい多値ＡＳＫ変調回路を実
現する場合にも、単一基準電源のトランジスタ回路にお
ける利得をＡＳＫ変調データに応じて切り替えることに
より、多値の次数に相当する複数の基準電源を具備する
必要がないために、回路規模や消費電流を犠牲にするこ
となく、またコレクタとエミッタの各インピーダンスの
相対精度で変調精度を管理することができるという優れ
た効果が得られる。
変調回路は、２値よりも大きい多値ＡＳＫ変調回路を実
現する場合にも、単一基準電源のトランジスタ回路にお
ける利得をＡＳＫ変調データに応じて切り替えることに
より、多値の次数に相当する複数の基準電源を具備する
必要がないために、回路規模や消費電流を犠牲にするこ
となく、またコレクタとエミッタの各インピーダンスの
相対精度で変調精度を管理することができるという優れ
た効果が得られる。
【００４４】なお、本実施の形態３においても、前記実
施の形態２として説明したようにトランジスタＱ３のコ
レクタ側のインピーダンスを可変するように構成しても
良い。
施の形態２として説明したようにトランジスタＱ３のコ
レクタ側のインピーダンスを可変するように構成しても
良い。
【００４５】図５は本発明の実施の形態４におけるＡＳ
Ｋ変調回路の構成を示す図である。図５において、１０
は搬送波（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジス
タ、１１ａ，１１ｂはトランジスタＱ３のベースバイア
ス抵抗、１２は負荷抵抗、１３ａはトランジスタＱ３の
第１のエミッタ抵抗、１３ｂはトランジスタＱ３の第２
のエミッタ抵抗、Ｑ４は入力端子１４ａからのＡＳＫ変
調データのハイ，ローに応じてオン，オフするＦＥＴ、
１５は低周波阻止用コンデンサ、１６はＡＳＫ変調信号
の出力端子、１９は低域通過フィルタ（ＬＰＦ）、ＶＣ
Ｃは電源電圧である。図５では、信号発生器１０の搬送
波(キャリア)を正弦波のイメージで描いているが、矩形
波等も含みその種類は限定しない。
Ｋ変調回路の構成を示す図である。図５において、１０
は搬送波（キャリア）の信号発生器、Ｑ３はトランジス
タ、１１ａ，１１ｂはトランジスタＱ３のベースバイア
ス抵抗、１２は負荷抵抗、１３ａはトランジスタＱ３の
第１のエミッタ抵抗、１３ｂはトランジスタＱ３の第２
のエミッタ抵抗、Ｑ４は入力端子１４ａからのＡＳＫ変
調データのハイ，ローに応じてオン，オフするＦＥＴ、
１５は低周波阻止用コンデンサ、１６はＡＳＫ変調信号
の出力端子、１９は低域通過フィルタ（ＬＰＦ）、ＶＣ
Ｃは電源電圧である。図５では、信号発生器１０の搬送
波(キャリア)を正弦波のイメージで描いているが、矩形
波等も含みその種類は限定しない。
【００４６】このように構成されたＡＳＫ変調回路の動
作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬送
波（キャリア）は、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１９を
介してトランジスタＱ３のベースに入力される。トラン
ジスタＱ３のベースにはベースバイアス抵抗１１ａ，１
１ｂにより、所定のバイアス電圧が印加されている。ト
ランジスタＱ３のベースに印加された搬送波は、およ
そ、トランジスタＱ３の負荷抵抗１２と、第１，第２の
のエミッタ抵抗１３ａ，１３ｂとの比で決まる利得倍さ
れて、トランジスタＱ３のコレクタに出力電圧として現
れ、低周波阻止用コンデンサ１５を介して、ＡＳＫ変調
信号の出力端子１６へ出力される。
作について説明する。まず、信号発生器１０からの搬送
波（キャリア）は、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）１９を
介してトランジスタＱ３のベースに入力される。トラン
ジスタＱ３のベースにはベースバイアス抵抗１１ａ，１
１ｂにより、所定のバイアス電圧が印加されている。ト
ランジスタＱ３のベースに印加された搬送波は、およ
そ、トランジスタＱ３の負荷抵抗１２と、第１，第２の
のエミッタ抵抗１３ａ，１３ｂとの比で決まる利得倍さ
れて、トランジスタＱ３のコレクタに出力電圧として現
れ、低周波阻止用コンデンサ１５を介して、ＡＳＫ変調
信号の出力端子１６へ出力される。
【００４７】前記実施の形態１を示す図１の構成と異な
るのは搬送波（キャリア）を、低域通過フィルタ１９を
介して、搬送波（キャリア）の周波数成分のうち不要な
高調波成分を除去した後に、トランジスタＱ３のベース
に入力するように構成した点である。
るのは搬送波（キャリア）を、低域通過フィルタ１９を
介して、搬送波（キャリア）の周波数成分のうち不要な
高調波成分を除去した後に、トランジスタＱ３のベース
に入力するように構成した点である。
【００４８】このように、本実施の形態４によるＡＳＫ
変調回路は、単一基準電源のトランジスタ回路における
利得をＡＳＫ変調データに応じて切り替えることによ
り、回路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコ
レクタとエミッタの各インピーダンスの相対精度で変調
精度を管理することができる点で優れた効果が得られる
と共に、搬送波の不要な高調波成分を除去する低域通過
フィルタ１９を具備することにより、不要輻射などの雑
音特性を同時に改善することができる。
変調回路は、単一基準電源のトランジスタ回路における
利得をＡＳＫ変調データに応じて切り替えることによ
り、回路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコ
レクタとエミッタの各インピーダンスの相対精度で変調
精度を管理することができる点で優れた効果が得られる
と共に、搬送波の不要な高調波成分を除去する低域通過
フィルタ１９を具備することにより、不要輻射などの雑
音特性を同時に改善することができる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
トランジスタ回路の利得切り替え手段として、エミッタ
側（あるいはコレクタ側）のインピーダンスの値を変化
させるスイッチ手段、あるいは、複数のスイッチ手段に
よって２値及びそれよりも大きい多値ＡＳＫ変調回路を
構成し、単一基準電源のトランジスタ回路における利得
をＡＳＫ変調データの入力に応じて切り替えることによ
り、２値及び多値に相当する複数の基準電源を必要とせ
ずに回路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコ
レクタとエミッタの各インピーダンスの相対精度で変調
精度を管理することができる。また、搬送波の不要な高
調波成分を除去する低域通過フィルタを具備し、不要輻
射などの雑音特性を同時に改善することができるという
効果を奏する。
トランジスタ回路の利得切り替え手段として、エミッタ
側（あるいはコレクタ側）のインピーダンスの値を変化
させるスイッチ手段、あるいは、複数のスイッチ手段に
よって２値及びそれよりも大きい多値ＡＳＫ変調回路を
構成し、単一基準電源のトランジスタ回路における利得
をＡＳＫ変調データの入力に応じて切り替えることによ
り、２値及び多値に相当する複数の基準電源を必要とせ
ずに回路規模や消費電流を犠牲にすることなく、またコ
レクタとエミッタの各インピーダンスの相対精度で変調
精度を管理することができる。また、搬送波の不要な高
調波成分を除去する低域通過フィルタを具備し、不要輻
射などの雑音特性を同時に改善することができるという
効果を奏する。
【図１】本発明の実施の形態１であるＡＳＫ変調回路の
構成を示す図
構成を示す図
【図２】（ａ）は本発明の実施の形態１におけるトラン
ジスタＱ３のコレクタにおける波形、（ｂ）はＡＳＫ変
調信号の出力端子における波形を示ず図
ジスタＱ３のコレクタにおける波形、（ｂ）はＡＳＫ変
調信号の出力端子における波形を示ず図
【図３】本発明の実施の形態２であるＡＳＫ変調回路の
構成を示す図
構成を示す図
【図４】本発明の実施の形態３であるＡＳＫ変調回路の
構成を示す図
構成を示す図
【図５】本発明の実施の形態４であるＡＳＫ変調回路の
構成を示す図
構成を示す図
【図６】従来のＡＳＫ変調回路の構成を示す図
【符号の説明】 １０ 信号発生器 １１ａ，１１ｂ ベースバイアス抵抗 １２ 負荷抵抗 １２ａ 第１の負荷抵抗 １２ｂ 第２の負荷抵抗 １３ エミッタ抵抗 １３ａ，１３ｃ 第１のエミッタ抵抗 １３ｂ，１３ｄ 第２のエミッタ抵抗 １３ｅ 第３のエミッタ抵抗 １４ 入力端子 １５，１７ 低周波阻止用コンデンサ １６ 出力端子 １８ａ，１８ｂ，１８ｃ スイッチ １９ 低域通過フィルタ（ＬＰＦ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 基樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5K004 AA03 DD01
Claims (6)
- 【請求項１】 搬送波を生成する信号発生器と、前記搬
送波を入力して、出力される利得の切り替え手段を有す
るトランジスタ回路と、前記トランジスタ回路の出力部
に設けられた低周波阻止用コンデンサとを備えたことを
特徴とするＡＳＫ変調回路。 - 【請求項２】 搬送波を生成する信号発生器と、前記信
号発生器の出力に接続される低域通過フィルタと、前記
低域通過フィルタ通過後の搬送波を入力して、出力され
る利得の切り替え手段を有するトランジスタ回路と、前
記トランジスタ回路の出力部に設けられた低周波阻止用
コンデンサとを備えたことを特徴とするＡＳＫ変調回
路。 - 【請求項３】 前記トランジスタ回路における利得の切
り替え手段として、ＦＥＴを用いたスイッチ手段を備え
たことを特徴とする請求項１または２記載のＡＳＫ変調
回路。 - 【請求項４】 前記トランジスタ回路における利得の切
り替え手段として、複数のスイッチ手段を備えたことを
特徴とする請求項１または２記載のＡＳＫ変調回路。 - 【請求項５】 前記スイッチ手段により、エミッタ側の
インピーダンスの値を変化させてトランジスタ回路から
出力される利得を切り替えることを特徴とする請求項３
または４記載のＡＳＫ変調回路。 - 【請求項６】 前記スイッチ手段により、コレクタ側の
インピーダンスの値を変化させてトランジスタ回路から
出力される利得を切り替えることを特徴とする請求項３
または４記載のＡＳＫ変調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146486A JP2001326698A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Ａｓｋ変調回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146486A JP2001326698A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Ａｓｋ変調回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326698A true JP2001326698A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18652835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000146486A Pending JP2001326698A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Ａｓｋ変調回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001326698A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1411694A2 (en) | 2002-10-16 | 2004-04-21 | Sony Corporation | Amplitude modulation with wave shaping |
| WO2007148691A1 (ja) * | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | パルス変調回路及びパルス変調方法 |
| JP2010193087A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Renesas Electronics Corp | Ａｓｋ変調器 |
-
2000
- 2000-05-18 JP JP2000146486A patent/JP2001326698A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1411694A2 (en) | 2002-10-16 | 2004-04-21 | Sony Corporation | Amplitude modulation with wave shaping |
| EP1411694A3 (en) * | 2002-10-16 | 2007-01-17 | Sony Corporation | Amplitude modulation with wave shaping |
| CN100405737C (zh) * | 2002-10-16 | 2008-07-23 | 索尼株式会社 | 电子电路、调制方法、信息处理装置以及信息处理方法 |
| WO2007148691A1 (ja) * | 2006-06-20 | 2007-12-27 | Panasonic Corporation | パルス変調回路及びパルス変調方法 |
| US8599944B2 (en) | 2006-06-20 | 2013-12-03 | Panasonic Corporation | Pulse modulation circuit and pulse modulation method |
| JP2010193087A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Renesas Electronics Corp | Ａｓｋ変調器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4742229B2 (ja) | ５レベルインバータとその駆動方法 | |
| JP3528203B2 (ja) | リング発振器および電圧制御発振器 | |
| JP2011147149A (ja) | デューティサイクル補正を行う方法 | |
| Thiyagarajan | Simulation analysis of 51-level inverter topology with reduced switch count | |
| JP2001326698A (ja) | Ａｓｋ変調回路 | |
| US4609839A (en) | Noise inverter circuit for a power line communication system | |
| JP3850470B2 (ja) | スルーレート制御駆動回路 | |
| US5764094A (en) | Level shift circuit for analog signal and signal waveform generator including the same | |
| US7236058B2 (en) | Low frequency doubler | |
| JP2003134799A5 (ja) | ||
| JP3141587B2 (ja) | Ｉｃ回路 | |
| JPH0338925A (ja) | デジタル／アナログ変換器 | |
| JP2675742B2 (ja) | ピーク検出機能付きクランプ回路 | |
| KR101079194B1 (ko) | 저전압 믹서 회로 | |
| US6803815B1 (en) | Amplitude modulation demodulation circuit | |
| JPH10303715A (ja) | パルスデューティ調整装置 | |
| US6222405B1 (en) | Apparatus and method for generating accurate quadrature over a frequency range | |
| JP2001169541A (ja) | Ｐｗｍ波生成回路 | |
| US20070018507A1 (en) | Device and method for mixing circuits | |
| US4591811A (en) | Generator for generating an amplitude modulated signal corresponding to a carrier signal modulated by an information signal | |
| US20020180507A1 (en) | Resistor network | |
| SU1647883A1 (ru) | Ключевой генератор | |
| SU1462461A1 (ru) | Демодул тор-модул тор | |
| JP2002009656A (ja) | Ａｓｋ変調回路および高周波通信装置 | |
| JP3311380B2 (ja) | リミッタ回路 |