JP2001326208A - ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法 - Google Patents
ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法Info
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- JP2001326208A JP2001326208A JP2000139819A JP2000139819A JP2001326208A JP 2001326208 A JP2001326208 A JP 2001326208A JP 2000139819 A JP2000139819 A JP 2000139819A JP 2000139819 A JP2000139819 A JP 2000139819A JP 2001326208 A JP2001326208 A JP 2001326208A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板のエッチング時間を短縮しつつ、
残渣の早期発見を行ない、不良品の発生を最小限に抑え
ることができるウェットエッチング装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板を一枚ずつ水平に搬送する搬
送手段と、該搬送手段により搬送されるガラス基板の表
面の金属膜をエッチング液でエッチングするエッチング
手段とが設けられた処理室を有するウェットエッチング
装置であって、前記エッチングしたガラス基板の上下を
挟むように基板搬送路に設置される複数の透過センサに
より、透過光量の変化を感知しエッチング残渣を検出す
る検出手段を備えている。
残渣の早期発見を行ない、不良品の発生を最小限に抑え
ることができるウェットエッチング装置を提供する。 【解決手段】 ガラス基板を一枚ずつ水平に搬送する搬
送手段と、該搬送手段により搬送されるガラス基板の表
面の金属膜をエッチング液でエッチングするエッチング
手段とが設けられた処理室を有するウェットエッチング
装置であって、前記エッチングしたガラス基板の上下を
挟むように基板搬送路に設置される複数の透過センサに
より、透過光量の変化を感知しエッチング残渣を検出す
る検出手段を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェットエッチング
装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法に関
する。さらに詳しくは、ウェットエッチング装置の処理
室内に配置したノズルからエッチング液を枚葉タイプの
ガラス基板にスプレーする、または処理室内に溜めたエ
ッチング液にガラス基板を浸して、ガラス表面の金属膜
をエッチングするウェットエッチング装置および該装置
に用いるエッチング残渣検出方法に関する。
装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法に関
する。さらに詳しくは、ウェットエッチング装置の処理
室内に配置したノズルからエッチング液を枚葉タイプの
ガラス基板にスプレーする、または処理室内に溜めたエ
ッチング液にガラス基板を浸して、ガラス表面の金属膜
をエッチングするウェットエッチング装置および該装置
に用いるエッチング残渣検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の製造工程においては、ガ
ラス基板の表面上に成膜された金属膜をエッチングし、
回路パターンを形成するウェットエッチング装置が用い
られている。一般に、かかるウェットエッチング装置で
は、予め設定した時間だけエッチングする方法やセンサ
を使用してエッチングの終了を検出する方法が用いられ
ている。
ラス基板の表面上に成膜された金属膜をエッチングし、
回路パターンを形成するウェットエッチング装置が用い
られている。一般に、かかるウェットエッチング装置で
は、予め設定した時間だけエッチングする方法やセンサ
を使用してエッチングの終了を検出する方法が用いられ
ている。
【０００３】近年、液晶表示装置の大型化および量産化
にともない、ガラス基板も大型化し、表面を均一にエッ
チングすることがますます重要となっている。しかし、
一方でガラス基板の大型化にともない、ガラス基板の歪
みは大きくなり、エッチング装置の一般的な搬送手段で
ある搬送ローラでは、ガラス基板の自重に加え基板表面
にスプレーされたエッチング液の重さにより、ガラス基
板に撓みを生じさせることがある。この場合、搬送ロー
ラの数を増やしてガラス基板の支点を増やすことによ
り、ガラス基板の撓みを少なくすることができるが、搬
送ローラとガラス基板のあいだへのエッチング液の浸入
不足による処理ムラを招いたり、ローラ跡が付いたりし
てエッチング性が損なわれるため、ローラの数を増やす
にも限界がある。そのため、隣接するローラ間において
ガラス基板に撓みが生じやすくなる。この撓みのため基
板表面に液溜まりが生じ、エッチングが不均一になりや
すい。
にともない、ガラス基板も大型化し、表面を均一にエッ
チングすることがますます重要となっている。しかし、
一方でガラス基板の大型化にともない、ガラス基板の歪
みは大きくなり、エッチング装置の一般的な搬送手段で
ある搬送ローラでは、ガラス基板の自重に加え基板表面
にスプレーされたエッチング液の重さにより、ガラス基
板に撓みを生じさせることがある。この場合、搬送ロー
ラの数を増やしてガラス基板の支点を増やすことによ
り、ガラス基板の撓みを少なくすることができるが、搬
送ローラとガラス基板のあいだへのエッチング液の浸入
不足による処理ムラを招いたり、ローラ跡が付いたりし
てエッチング性が損なわれるため、ローラの数を増やす
にも限界がある。そのため、隣接するローラ間において
ガラス基板に撓みが生じやすくなる。この撓みのため基
板表面に液溜まりが生じ、エッチングが不均一になりや
すい。
【０００４】また、エッチングの終了を検出する1個の
エンドポイントセンサは通常、スプレーの邪魔にならな
いように、ガラス基板上の一箇所に設置されているた
め、エンドポイントセンサ付近のエッチングが終了して
いてもガラス基板の一部には金属膜が残っていることが
多い。一般にガラス基板の表面に生じるエッチングの不
均一性を補うため、一定時間または一定割合のオーバー
エッチングを実施しているが、前述のようにエンドポイ
ントセンサは基板上の一点のみ監視するためガラス基板
全体のエッチング終了を検出することは困難である。し
たがって、前述のオーバーエッチングは余裕を充分もた
せた時間または割合にする必要があり、これがエッチン
グ装置の生産性を低下させていた。かりにオーバーエッ
チングの時間を短くした場合は、ガラス基板上の一部に
金属膜が残ったまま処理が終了する可能性が高くなり、
この残渣は製造工程中に実施される検査工程まで発見で
きないため、そのあいだに不良品が大量に発生するとい
う不具合がある。
エンドポイントセンサは通常、スプレーの邪魔にならな
いように、ガラス基板上の一箇所に設置されているた
め、エンドポイントセンサ付近のエッチングが終了して
いてもガラス基板の一部には金属膜が残っていることが
多い。一般にガラス基板の表面に生じるエッチングの不
均一性を補うため、一定時間または一定割合のオーバー
エッチングを実施しているが、前述のようにエンドポイ
ントセンサは基板上の一点のみ監視するためガラス基板
全体のエッチング終了を検出することは困難である。し
たがって、前述のオーバーエッチングは余裕を充分もた
せた時間または割合にする必要があり、これがエッチン
グ装置の生産性を低下させていた。かりにオーバーエッ
チングの時間を短くした場合は、ガラス基板上の一部に
金属膜が残ったまま処理が終了する可能性が高くなり、
この残渣は製造工程中に実施される検査工程まで発見で
きないため、そのあいだに不良品が大量に発生するとい
う不具合がある。
【０００５】これに対し、ウエハの周囲に配置した複数
個のノズルからエッチング液をスプレーし、複数個のラ
インセンサによってウエハ表面のエッチングの進行状態
を検出し、ノズルのスプレー量を制御するウェットエッ
チング装置がある（特開平４−１５９７１５号公報参
照）。この装置では、均一なエッチングを得ることがで
きる。
個のノズルからエッチング液をスプレーし、複数個のラ
インセンサによってウエハ表面のエッチングの進行状態
を検出し、ノズルのスプレー量を制御するウェットエッ
チング装置がある（特開平４−１５９７１５号公報参
照）。この装置では、均一なエッチングを得ることがで
きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
ウェットエッチング装置では、スプレー量および圧力な
どを各ノズルごとに制御するため、ポンプまたは制御機
構がノズルの個数分設置する必要がある。また、一般的
にエッチング液は所定の温度に制御したのち、ポンプに
より液タンクからエッチング処理室に供給され、再度タ
ンクに戻り、循環されるが、エッチングの進行状況によ
り温度と濃度をノズルごとに制御するのは困難である。
たとえノズルごとにヒータおよび濃度調整機構を設けて
も、液タンクに戻ったエッチング液は各ノズルからのエ
ッチング液の温度および濃度が混ざってしまうからであ
る。したがって、従来の装置は設置コストおよびスペー
ス面から現実的ではない。
ウェットエッチング装置では、スプレー量および圧力な
どを各ノズルごとに制御するため、ポンプまたは制御機
構がノズルの個数分設置する必要がある。また、一般的
にエッチング液は所定の温度に制御したのち、ポンプに
より液タンクからエッチング処理室に供給され、再度タ
ンクに戻り、循環されるが、エッチングの進行状況によ
り温度と濃度をノズルごとに制御するのは困難である。
たとえノズルごとにヒータおよび濃度調整機構を設けて
も、液タンクに戻ったエッチング液は各ノズルからのエ
ッチング液の温度および濃度が混ざってしまうからであ
る。したがって、従来の装置は設置コストおよびスペー
ス面から現実的ではない。
【０００７】本発明は、叙上の事情に鑑み、ガラス基板
のエッチング時間を短縮しつつ、残渣の早期発見を行な
い、不良品の発生を最小限に抑えることができるウェッ
トエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣
検出方法を提供することを目的とする。
のエッチング時間を短縮しつつ、残渣の早期発見を行な
い、不良品の発生を最小限に抑えることができるウェッ
トエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣
検出方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１のウェ
ットエッチング装置は、ガラス基板を一枚ずつ水平に搬
送する搬送手段と、該搬送手段により搬送されるガラス
基板の表面の金属膜をエッチング液でエッチングするエ
ッチング手段とが設けられた処理室を有するウェットエ
ッチング装置であって、前記エッチングしたガラス基板
の上下を挟むように基板搬送路に設置される複数の透過
センサにより、透過光量の変化を感知しエッチング残渣
を検出する検出手段を備えてなることを特徴とする。
ットエッチング装置は、ガラス基板を一枚ずつ水平に搬
送する搬送手段と、該搬送手段により搬送されるガラス
基板の表面の金属膜をエッチング液でエッチングするエ
ッチング手段とが設けられた処理室を有するウェットエ
ッチング装置であって、前記エッチングしたガラス基板
の上下を挟むように基板搬送路に設置される複数の透過
センサにより、透過光量の変化を感知しエッチング残渣
を検出する検出手段を備えてなることを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項２のウェットエッチング装
置は、前記複数の透過センサが、ガラス基板の画素パタ
ーンの位置および該画素パターン以外の位置に向けて配
置されている。
置は、前記複数の透過センサが、ガラス基板の画素パタ
ーンの位置および該画素パターン以外の位置に向けて配
置されている。
【００１０】本発明の請求項３のウェットエッチング装
置は、前記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に
基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送り、ガラ
ス基板のエッチング処理を中止する制御手段を備えてい
る。
置は、前記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に
基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送り、ガラ
ス基板のエッチング処理を中止する制御手段を備えてい
る。
【００１１】本発明の請求項４のウェットエッチング装
置は、前記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に
基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送り、ガラ
ス基板のエッチング処理時間を延長する制御手段を備え
ている。
置は、前記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に
基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送り、ガラ
ス基板のエッチング処理時間を延長する制御手段を備え
ている。
【００１２】本発明の請求項５のウェットエッチング装
置は、前記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に
基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送り、前記
残渣を検出したガラス基板を前記搬送手段により処理室
に戻し、追加のエッチング処理を行なわせる制御手段を
備えている。
置は、前記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に
基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送り、前記
残渣を検出したガラス基板を前記搬送手段により処理室
に戻し、追加のエッチング処理を行なわせる制御手段を
備えている。
【００１３】さらに本発明の請求項６のエッチング残渣
検出方法は、エッチング処理されたガラス基板を一枚ず
つ水平に搬送する工程と、前記ガラス基板の上下を挟む
ように基板搬送路に設置される複数の透過センサによ
り、透過光量の変化を感知しエッチング残渣を前記ガラ
ス基板の搬送中に検出する工程を含むことを特徴とす
る。
検出方法は、エッチング処理されたガラス基板を一枚ず
つ水平に搬送する工程と、前記ガラス基板の上下を挟む
ように基板搬送路に設置される複数の透過センサによ
り、透過光量の変化を感知しエッチング残渣を前記ガラ
ス基板の搬送中に検出する工程を含むことを特徴とす
る。
【００１４】また本発明の請求項７のエッチング残渣検
出方法は、前記複数の透過センサが、ガラス基板の画素
パターンの位置および該画素パターン以外の位置に向け
て配置されており、前記画素パターンの位置の透過セン
サが予め正常な画素パターンの透過光量の場合には感知
しないように感度調整されている。
出方法は、前記複数の透過センサが、ガラス基板の画素
パターンの位置および該画素パターン以外の位置に向け
て配置されており、前記画素パターンの位置の透過セン
サが予め正常な画素パターンの透過光量の場合には感知
しないように感度調整されている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
のウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチ
ング残渣検出方法を説明する。
のウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチ
ング残渣検出方法を説明する。
【００１６】実施の形態１ ウェットエッチング装置としては、ガラス基板を一枚ず
つ水平に搬送する搬送手段と、該搬送手段により搬送さ
れるガラス基板の表面の金属膜をエッチング液でエッチ
ングするエッチング手段とが設けられた処理室を有する
装置とすることができる。図１〜２は本発明の実施の形
態１にかかわるウェットエッチング装置を示す概略図で
ある。図１〜２において、１はガラス基板、２は搬送手
段の１つの構成部品である搬送ローラ、３は基板搬送路
に設置される、検出手段の１つの構成部品である発光素
子と受光素子とからなる透過センサである。前記搬送手
段の他の構成部品としては、駆動モータ、回転伝達手段
および回転制御回路などとすることができる。また前記
検出手段は、エッチング残渣を検出する手段であり、他
の構成部品としては、エッチング残渣の判定回路、感度
調整回路および警報器などとすることができる。
つ水平に搬送する搬送手段と、該搬送手段により搬送さ
れるガラス基板の表面の金属膜をエッチング液でエッチ
ングするエッチング手段とが設けられた処理室を有する
装置とすることができる。図１〜２は本発明の実施の形
態１にかかわるウェットエッチング装置を示す概略図で
ある。図１〜２において、１はガラス基板、２は搬送手
段の１つの構成部品である搬送ローラ、３は基板搬送路
に設置される、検出手段の１つの構成部品である発光素
子と受光素子とからなる透過センサである。前記搬送手
段の他の構成部品としては、駆動モータ、回転伝達手段
および回転制御回路などとすることができる。また前記
検出手段は、エッチング残渣を検出する手段であり、他
の構成部品としては、エッチング残渣の判定回路、感度
調整回路および警報器などとすることができる。
【００１７】図示しないエッチング処理室の出口または
出口以降にセンサ取付板７をガラス基板１の進行方向と
直角な方向に、ガラス基板１を上下に挟むように水平に
設置する。センサ取付板７には複数個、たとえば５個の
透過センサ３が直線状に設置され、図２に示されるよう
に、そのうちの３個の透過センサ３ａをガラス基板１に
形成された画素パターン４上を通過するように配置し、
残りの２個の透過センサ３ｂを画素パターン４外のパタ
ーンが形成されていないエリア上を通過するように配置
する。なお、透過センサ３ａの総数は、画素パターン４
に少なくとも２個あればよく、透過センサ３ａ、３ｂの
それぞれの間隔は任意で構わないが、センサの配置は、
残渣の生じやすい場所、たとえば搬送ローラに支持され
る箇所やスプレーシャワーのあたりにくい箇所の延長線
上に配置するのが望ましい。画素パターン４は所定の透
過率をもつように形成されるので、画素パターン４上に
配置された透過センサ３ａは予め感度調整により正常な
画素パターンによる透過光量の変化では感知しないレベ
ルに設定されている。
出口以降にセンサ取付板７をガラス基板１の進行方向と
直角な方向に、ガラス基板１を上下に挟むように水平に
設置する。センサ取付板７には複数個、たとえば５個の
透過センサ３が直線状に設置され、図２に示されるよう
に、そのうちの３個の透過センサ３ａをガラス基板１に
形成された画素パターン４上を通過するように配置し、
残りの２個の透過センサ３ｂを画素パターン４外のパタ
ーンが形成されていないエリア上を通過するように配置
する。なお、透過センサ３ａの総数は、画素パターン４
に少なくとも２個あればよく、透過センサ３ａ、３ｂの
それぞれの間隔は任意で構わないが、センサの配置は、
残渣の生じやすい場所、たとえば搬送ローラに支持され
る箇所やスプレーシャワーのあたりにくい箇所の延長線
上に配置するのが望ましい。画素パターン４は所定の透
過率をもつように形成されるので、画素パターン４上に
配置された透過センサ３ａは予め感度調整により正常な
画素パターンによる透過光量の変化では感知しないレベ
ルに設定されている。
【００１８】つぎに図３にガラス基板上の残渣のパター
ンの一例を示すとともに、表１にその残渣の検出アルゴ
リズムの一例を示す。なお、表１中、○印はセンサが遮
光されていることを示し、×印はセンサが遮光されてい
ないことを示している。
ンの一例を示すとともに、表１にその残渣の検出アルゴ
リズムの一例を示す。なお、表１中、○印はセンサが遮
光されていることを示し、×印はセンサが遮光されてい
ないことを示している。
【００１９】
【表１】
【００２０】図３および表１に示されるように、ガラス
基板１が搬送ローラによって透過センサ３ａ、３ｂを通
過する際、画素パターン４が透過センサ３ａの位置に達
するまではパターンが形成されていないエリアのため透
過センサ３ａおよび透過センサ３ｂに光量の変化は生じ
ない。画素パターン４が透過センサ３ａの位置に差し掛
かる際、一般に画素パターン４の周囲には画素パターン
４を囲むように配線５が形成されているため、透過セン
サ３ａが配線５の位置を通過するとき同時に遮光され
る。配線５はその配線幅とガラス基板１の搬送スピード
から透過センサ３ａを遮光する時間が予測される。ここ
で、配線５による遮光時間は、その配線幅から予測され
るようにごく僅かな時間であり、一方残渣はその発生状
況から一定の幅で発生することはほとんどありえず、配
線幅よりも太く残ることが多い。したがって、透過セン
サ３ａがすべて同時に、しかも予測された時間だけ遮光
した場合は正常なパターンと判断して通過させる。画素
パターン４が透過センサ３ａの位置を通過していると
き、透過センサ３ａには透過光量の変化が生じるが、前
述の感度調整により正常なパターンでは感知しない。ガ
ラス基板１上の残渣６が透過センサ３ａ、３ｂの位置を
通過するとき、透過センサ３ａおよび／または画素パタ
ーン４外に配置された透過センサ３ｂは予め設定した値
より大きな光量の変化を感知するため残渣と判断して、
図示しない警報器にて警報を発し、不良の発生をいち早
く作業者に知らせる。
基板１が搬送ローラによって透過センサ３ａ、３ｂを通
過する際、画素パターン４が透過センサ３ａの位置に達
するまではパターンが形成されていないエリアのため透
過センサ３ａおよび透過センサ３ｂに光量の変化は生じ
ない。画素パターン４が透過センサ３ａの位置に差し掛
かる際、一般に画素パターン４の周囲には画素パターン
４を囲むように配線５が形成されているため、透過セン
サ３ａが配線５の位置を通過するとき同時に遮光され
る。配線５はその配線幅とガラス基板１の搬送スピード
から透過センサ３ａを遮光する時間が予測される。ここ
で、配線５による遮光時間は、その配線幅から予測され
るようにごく僅かな時間であり、一方残渣はその発生状
況から一定の幅で発生することはほとんどありえず、配
線幅よりも太く残ることが多い。したがって、透過セン
サ３ａがすべて同時に、しかも予測された時間だけ遮光
した場合は正常なパターンと判断して通過させる。画素
パターン４が透過センサ３ａの位置を通過していると
き、透過センサ３ａには透過光量の変化が生じるが、前
述の感度調整により正常なパターンでは感知しない。ガ
ラス基板１上の残渣６が透過センサ３ａ、３ｂの位置を
通過するとき、透過センサ３ａおよび／または画素パタ
ーン４外に配置された透過センサ３ｂは予め設定した値
より大きな光量の変化を感知するため残渣と判断して、
図示しない警報器にて警報を発し、不良の発生をいち早
く作業者に知らせる。
【００２１】本実施の形態１では、残渣の発生を確実に
検出できるため、オーバーエッチングの時間を必要最小
限に設定することができる。その結果、エッチング時間
の短縮を図ることができる。また、残渣が製造工程の検
査工程を行なわずに検出できることから、不良品の発生
が最小限に抑えられる。
検出できるため、オーバーエッチングの時間を必要最小
限に設定することができる。その結果、エッチング時間
の短縮を図ることができる。また、残渣が製造工程の検
査工程を行なわずに検出できることから、不良品の発生
が最小限に抑えられる。
【００２２】実施の形態２ 本実施の形態２では、前記実施の形態１にかかわるエッ
チング装置にエッチング処理を制御する第１の制御手段
を備えている。すなわち前記検出手段によるエッチング
残渣の検出結果に基づいて、ウェットエッチング装置に
おける第１の制御手段に信号を送り、以降のガラス基板
のエッチング処理を中止する。これにより、さらに不良
品の発生を最小限に抑えることができる。
チング装置にエッチング処理を制御する第１の制御手段
を備えている。すなわち前記検出手段によるエッチング
残渣の検出結果に基づいて、ウェットエッチング装置に
おける第１の制御手段に信号を送り、以降のガラス基板
のエッチング処理を中止する。これにより、さらに不良
品の発生を最小限に抑えることができる。
【００２３】実施の形態３ 本実施の形態３では、前記実施の形態２とは異なり、前
記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に基づい
て、ウェットエッチング装置における第２の制御手段に
信号を送り、以降のガラス基板のエッチング処理時間を
予め設定した時間だけ延長する。これにより、再び残渣
の発生をなくし、さらに不良品の発生を最小限に抑える
ことができる。
記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に基づい
て、ウェットエッチング装置における第２の制御手段に
信号を送り、以降のガラス基板のエッチング処理時間を
予め設定した時間だけ延長する。これにより、再び残渣
の発生をなくし、さらに不良品の発生を最小限に抑える
ことができる。
【００２４】実施の形態４ 本実施の形態４では、前記実施の形態２とは異なり、前
記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に基づい
て、ウェットエッチング装置における第３の制御手段に
信号を送り、前記残渣を検出したガラス基板を前記搬送
手段により搬送ローラを逆転させて処理室に戻し、予め
設定した時間だけ再び追加のエッチング処理を行なう。
これにより、さらに不良品の発生を最小限に抑えること
ができる。
記検出手段によるエッチング残渣の検出結果に基づい
て、ウェットエッチング装置における第３の制御手段に
信号を送り、前記残渣を検出したガラス基板を前記搬送
手段により搬送ローラを逆転させて処理室に戻し、予め
設定した時間だけ再び追加のエッチング処理を行なう。
これにより、さらに不良品の発生を最小限に抑えること
ができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
エッチングの不均一によるエッチング残渣を容易に検出
することができ、オーバーエッチングの時間を必要最小
限に設定することができる。その結果、エッチング時間
の短縮を図ることができる。また、残渣が製造工程の検
査工程を行なわずに検出できることから、不良品の発生
を最小限に抑えることができる。
エッチングの不均一によるエッチング残渣を容易に検出
することができ、オーバーエッチングの時間を必要最小
限に設定することができる。その結果、エッチング時間
の短縮を図ることができる。また、残渣が製造工程の検
査工程を行なわずに検出できることから、不良品の発生
を最小限に抑えることができる。
【図１】本発明の実施の形態１にかかわるウェットエッ
チング装置を示す概略側面図である。
チング装置を示す概略側面図である。
【図２】図１におけるウェットエッチング装置の概略平
面図である
面図である
【図３】ガラス基板上の残渣のパターンの一例を示す平
面図である。
面図である。
１ ガラス基板 ２ 搬送ローラ ３、３ａ 透過センサ ３ｂ ４ 画素パターン ５ 配線 ６ 残渣 ７ センサ取付板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 泰志 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 坂田 勲 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内 (72)発明者 生田 美和 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 吉田 和夫 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 木之下 儀美 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4K057 WA14 WA19 WB15 WB17 WJ01 WJ10 WM18 WN02 WN04 4M106 AA20 BA04 CA38 CA42 CA43 DB02 DB07 DB11 DB21 DH01 DH12 DH31 DH40 DH55 DJ20 DJ27 5E339 AA01 AB05 BC01 BE13 EE03 5F043 AA30 DD23 DD25 EE36 EE40 GG10
Claims (7)
- 【請求項１】 ガラス基板を一枚ずつ水平に搬送する搬
送手段と、該搬送手段により搬送されるガラス基板の表
面の金属膜をエッチング液でエッチングするエッチング
手段とが設けられた処理室を有するウェットエッチング
装置であって、前記エッチングしたガラス基板の上下を
挟むように基板搬送路に設置される複数の透過センサに
より、透過光量の変化を感知しエッチング残渣を検出す
る検出手段を備えてなることを特徴とするウェットエッ
チング装置。 - 【請求項２】 前記複数の透過センサが、ガラス基板の
画素パターンの位置および該画素パターン以外の位置に
向けて配置されてなる請求項１記載のウェットエッチン
グ装置。 - 【請求項３】 前記検出手段によるエッチング残渣の検
出結果に基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送
り、ガラス基板のエッチング処理を中止する制御手段を
備えてなる請求項１または２記載のウェットエッチング
装置。 - 【請求項４】 前記検出手段によるエッチング残渣の検
出結果に基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送
り、ガラス基板のエッチング処理時間を延長する制御手
段を備えてなる請求項１または２記載のウェットエッチ
ング装置。 - 【請求項５】 前記検出手段によるエッチング残渣の検
出結果に基づいて、ウェットエッチング装置に信号を送
り、前記残渣を検出したガラス基板を前記搬送手段によ
り処理室に戻し、追加のエッチング処理を行なわせる制
御手段を備えてなる請求項１または２記載のウェットエ
ッチング装置。 - 【請求項６】 エッチング処理されたガラス基板を一枚
ずつ水平に搬送する工程と、前記ガラス基板の上下を挟
むように基板搬送路に設置される複数の透過センサによ
り、透過光量の変化を感知しエッチング残渣を前記ガラ
ス基板の搬送中に検出する工程を含むことを特徴とする
エッチング残渣検出方法。 - 【請求項７】 前記複数の透過センサが、ガラス基板の
画素パターンの位置および該画素パターン以外の位置に
向けて配置されており、前記画素パターンの位置の透過
センサが予め正常な画素パターンの透過光量の場合には
感知しないように感度調整されている請求項６記載のエ
ッチング残渣検出方法。
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| JP2000139819A JP3772070B2 (ja) | 2000-05-12 | 2000-05-12 | ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法 |
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