JP2001316895A

JP2001316895A - 電解メッキ装置及び電解メッキ方法

Info

Publication number: JP2001316895A
Application number: JP2000135246A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Yagi; 靖司八木
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2000-05-08
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】隔膜６を有する電解メッキ浴槽１の場合に
は、アノード室１Ｃ内のメッキ液３の銅イオン濃度が徐
々に高くなるため、メッキ液３の一部を廃液処理する一
方、硫酸溶液等を補充して銅イオン濃度を調整する。そ
のため、初期の濃度まで低減させた上で電解メッキ処理
を行っていた。ところが、廃液による環境への影響があ
り、また、硫酸溶液の補充設備が必要になり、装置が大
型化する。【解決手段】本発明の電解メッキ装置１０は、アノー
ド室１３内にアノード１６を囲む第３の電極２８を配置
し、第３の電極２８をアノードとして使用し、アノード
１６をカソードとして使用し、アノード室１３内の銅イ
オン濃度を低減させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電解メッキ装置及
び電解メッキ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程ではスパッタリング法、
ＣＶＤ法等の種々の成膜方法が用いられている。そし
て、従来から配線材料としてアルミニウム等が広く用い
られているが、半導体装置の微細化、薄膜化に伴ってよ
り抵抗率の低い材料が求められている。最近ではアルミ
ニウムに替わる配線材料として更に抵抗率の低い銅が注
目されている。ところが、スパッタリング法による銅の
成膜には溝や孔に対する埋め込み性に問題があり、ま
た、ＣＶＤ法による銅の成膜には成膜後のエッチングが
難しいという問題がある。そこで、メッキ法による成膜
技術がクローズアップされている。メッキ法は前二者の
方法と比較して装置コストが安く、プロセスコストも安
い。特に、電解メッキはメッキ液として硫酸銅と種々の
添加剤を使用するため、プロセスが安定し、管理し安
く、成膜速度も速いとう種々の利点がある。そのため、
電解メッキ法が銅の成膜技術として種々研究されてい
る。

【０００３】そこで、図３を参照しながら従来の電解メ
ッキ装置について説明する。従来の電解メッキ装置は、
例えば同図に示すように、電解メッキ浴槽１、被処理体
（例えば半導体ウエハ）Ｗを保持する保持体２を備えて
いる。電解メッキ浴槽１には硫酸銅や添加剤等を含むメ
ッキ液３が収容され、メッキ浴槽１の下部にはリング状
のアノード４が配置されている。アノード４は例えば銅
を主成分とする含リン銅が用いられる。一方、保持体２
の下端には載置部２Ａが形成され、この載置部２Ａで半
導体ウエハＷを外周縁部で支持する。この載置部２Ａの
上面には全周に渡ってカソード（図示せず）が装着さ
れ、このカソードは載置部２Ａに載置された半導体ウエ
ハＷのシード層（図示せず）と導通可能になっている。
そして、カソードとアノード４は配線５Ａを介して定電
流電源５に接続され、メッキ処理時に電圧を印加する
と、カソードとアノード４間に電流が流れ、半導体ウエ
ハＷの表面に銅メッキを施すことができる。尚、カソー
ドの内径側にはリング状のシール部材（図示せず）が装
着され、電解メッキ時にメッキ液３がカソード側へ入り
込まないようになっている。

【０００４】また、電解メッキ浴槽１は、例えば内槽１
Ａと外槽１Ｂとからなり、側壁が二重構造になってい
る。更に、内槽１Ａ内は隔膜６を介して下室（以下、
「アノード室」と称す。）１Ｃと上室（以下、「カソー
ド室」と称す。）１Ｄに区画され、アノード室１Ｃにア
ノード４が配置されている。隔膜６はアノード室１Ｃ内
での生成物のカソード室１Ｄ内への透過を防止してい
る。また、電解メッキ浴槽１の底面中央を供給管７が貫
通し、この供給管７は循環配管８を介して内槽１Ａと外
槽１Ｂで形成される環状室１Ｅに連結されている。この
循環配管８にはタンク８Ａ及びポンプ８Ｂが配置され、
ポンプ８Ｂを介してカソード室１Ｄとタンク８Ａ間でメ
ッキ液３を循環させると共に半導体ウエハＷに対してメ
ッキ液３を上昇流で供給するようにしている。また、ア
ノード室１Ｃにも循環配管９が連結され、この循環配管
９に配置されたタンク９Ａ及びポンプ９Ｂを介してタン
ク９Ａとアノード室１Ｃ間でメッキ液３を循環させてい
る。

【０００５】次に動作について説明する。ポンプ８Ｂ、
９Ｂを駆動し、アノード室１Ｃ及びカソード室１Ｄ内の
メッキ液３をそれぞれのタンク８Ａ、９Ａとの間で循環
させる。この状態で保持体２を介して半導体ウエハＷを
図３に示すように電解メッキ浴槽１のカソード室１Ｄに
浸漬し、所定の電圧を印加すると、メッキ液３を介して
アノード４とカソード間に電流が流れ、半導体ウエハＷ
に対して銅メッキが施される。この際、カソード室１Ｄ
内では矢印で示すようにメッキ液３の上昇流が形成され
ているため、半導体ウエハＷに接触するメッキ液３を常
に更新し、安定した銅メッキが行われる。一方、アノー
ド室１Ｃ内ではアノード４がイオン化して銅イオンが生
成すると共に種々の不純物が生成する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示す従来の電解メッキ装置の場合には、半導体ウエハＷ
のメッキを継続して行うと、アノード室１Ｃ内のメッキ
液３の銅イオン濃度が徐々に高くなり、許容濃度を超え
るとアノード表面において銅の異常析出が起こる、アノ
ード本来の機能が阻害されるという課題があった。その
ため、アノード室１Ｃ内にメッキ液３の廃液として一部
を抜き出し、硫酸溶液等を補充して銅イオン濃度を初期
の濃度まで低減させた上で電解メッキ処理を行ってい
た。ところが、硫酸溶液等を補充する方法では固有の配
管やバルブ等が必要となり、電解メッキ装置が大型化す
ると共に高コスト化するという課題があった。しかも、
環境への影響の大きな高濃度の銅イオンを含む廃液が大
量に発生するため、その廃液処理が問題となり、電解メ
ッキのコストが益々高くなるという課題があった。

【０００７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、金属イオンを含む廃液を格段に削減して環
境への影響を防止すると共に、装置の小型化及び低コス
ト化を実現することができる電解メッキ装置及び電解メ
ッキ方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の電解メッキ装置は、被処理体にメッキ処理を施すため
のメッキ液を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッ
キ浴槽内を第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、
この隔膜を介して区画された第１の領域内に配置された
アノードと、このアノードと対をなすカソードとを備
え、上記電解メッキ浴槽内を循環するメッキ液に上記被
処理体を浸漬してメッキ処理を施す電解メッキ装置であ
って、上記第１の領域内の上記メッキ液の金属イオン濃
度を低減させる手段を設けたことを特徴とするものであ
る。

【０００９】また、本発明の請求項２に記載の電解メッ
キ装置は、被処理体にメッキ処理を施すためのメッキ液
を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽内を
第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔膜を
介して区画された第１の領域内に配置されたアノード
と、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記電
解メッキ浴槽内を循環するメッキ液に上記被処理体を浸
漬してメッキ処理を施す電解メッキ装置であって、上記
第１の領域内に第３の電極を設け、第３の電極をアノー
ドとして使用すると共に上記アノードをカソードとして
使用して上記第１の領域内の上記メッキ液の金属イオン
濃度を低減させることを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明の請求項３に記載の電解メッ
キ装置は、請求項２に記載の発明において、第３の電極
が白金族系の金属からなることを特徴とするものであ
る。

【００１１】また、本発明の請求項４に記載の電解メッ
キ装置は、被処理体にメッキ処理を施すためのメッキ液
を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽内を
第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔膜を
介して区画された第１の領域内に配置されたアノード
と、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記電
解メッキ浴槽内を循環するメッキ液に上記被処理体を浸
漬してメッキ処理を施す電解メッキ装置であって、上記
第１の領域内のメッキ液が循環可能な補助槽を設け、こ
の補助槽内に第２のアノード及び第２のカソードを配置
し、第２のアノードと第２のカソードを使用して上記第
１の領域内と上記補助槽間で循環するメッキ液の金属イ
オン濃度を低減させることを特徴とするものである。

【００１２】また、本発明の請求項５に記載の電解メッ
キ方法は、被処理体にメッキ処理を施すためのメッキ液
を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽内を
第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔膜を
介して区画された第１の領域内に配置されたアノード
と、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記電
解メッキ浴槽内を循環するメッキ液に上記被処理体を浸
漬してメッキ処理を施す電解メッキ方法であって、上記
第１の領域内を循環する上記メッキ液の金属イオン濃度
を低減させる工程を有することを特徴とするものであ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図１及び図２に示す実施形
態に基づいて本発明を説明する。本実施形態の電解メッ
キ装置１０は、例えば図１の（ａ）、（ｂ）に示すよう
に、被処理体（例えば、半導体ウエハ）Ｗに銅メッキを
施すためのメッキ液１１を収容する電解メッキ浴槽１２
と、この電解メッキ浴槽１２内を第１の領域（以下、
「下室」と称す）１３と第２の領域（以下、「上室」と
称す）１４に区画する隔膜１５と、この隔膜１５を介し
て区画された下室１３内に配置されたアノード１６と、
このアノード１６と対をなすカソード１７を有し且つ半
導体ウエハＷをカソード１７（図１の（ｂ）参照）と導
通可能に保持する保持体１８とを備え、電解メッキ浴槽
１２内のメッキ液１１に半導体ウエハＷを浸漬して銅メ
ッキを施すようにしてある。尚、以下では下室はアノー
ド室、上室はカソード室として説明する。

【００１４】而して、上記電解メッキ浴槽１２は、例え
ば内槽１２Ａと外槽１２Ｂを備えた二重壁構造として構
成されている。この電解メッキ浴槽１２の底面には供給
管１９が貫通して設けられている。隔膜１５は中央に孔
を有している。隔膜１５の孔は９の上端部に連結され、
その外周端は内槽１２Ａの周壁に連結され、隔膜１５を
介して上述のように電解メッキ浴槽１２が上下に区画さ
れている。また、アノード１６は例えば銅を主成分とす
る含リン銅によって形成され、カソード１７は例えば白
金メッキが施されたステンレスによって櫛歯状に形成さ
れている。保持体１８は図示しない駆動機構を介して少
なくとも適宜の設定速度で昇降及び回転するように構成
されている。この隔膜１５は例えば酸化チタンが含有さ
れたポリフッ化ビニリデンを延伸成形したメンブレンフ
ィルタとして形成され、例えばアノード室１３内で生成
した不純物が透過しないようにしてある。

【００１５】上記供給管１９の上端はカソード室１４内
で開口し、その下端は循環配管２０の一端に接続されて
いる。この循環配管２０にはタンク２０Ａ及びポンプ２
０Ｂが配置され、循環配管２０の他端は内槽１２Ａと外
槽１２Ｂ間の環状室２１の底面に接続されている。従っ
て、ポンプ２０Ｂの駆動によりタンク２０Ａ内のメッキ
液１１が供給管１９を経由してカソード室１４内へ供給
され、その殆どがカソード室１４を上昇して半導体ウエ
ハＷの被処理面に接触した後、カソード室１４から環状
室２１へオーバーフローする。オーバーフローしたメッ
キ液１１は循環配管２０を経由してタンク２０Ａ内へ戻
り、カソード室１４とタンク２０Ａ間で繰り返し循環す
る。また、アノード室１３の底面にも循環配管２２が接
続され、この循環配管２２にはタンク２２Ａ及びポンプ
２２Ｂが配置されている。従って、タンク２２Ａ内のメ
ッキ液１１はカソード室１４の場合と同様にポンプ２２
Ｂの駆動によりアノード室１３とタンク２２Ａとの間で
繰り返し循環する。

【００１６】また、図１の（ａ）示すように上記保持体
１８は例えば上端が閉じた筒状に形成され、その下端に
内方へ水平に延設された半導体ウエハＷの載置部１８Ａ
がフランジ状に形成されている。また、この保持体１８
には例えば昇降可能に構成された真空チャック２４及び
クランプ機構２５が取り付けられ、これらの機構２４、
２５を介して図示しないウエハ搬送機構との間で半導体
ウエハＷの受け渡しを行うようになっている。保持体１
８の載置部１８Ａには同図の（ｂ）に示すように櫛歯状
のカソード１７が全周に渡って装着され、カソード１７
の内側には弾性のあるシール部材２３が装着されてい
る。真空チャック２４は半導体ウエハＷの中央を真空吸
着して保持する。クランプ機構２５はリング状に形成さ
れ、半導体ウエハＷの外周縁部を押圧、固定する。クラ
ンプ機構２５は、必要に応じて陣笠状等適宜の形状を採
用することができる。そして、保持体１８の周壁には半
導体ウエハＷを搬出入するための開口部（図示せず）が
形成され、この開口部から保持体１８内に搬入された半
導体ウエハＷを真空チャック２４によって真空吸着した
後、真空チャック２４が下降して半導体ウエハＷを載置
部１８Ａへ載置する。引き続き真空チャック２４が上昇
すると共にクランプ機構２５が下降して半導体ウエハＷ
の外周縁部を載置部１８Ａへ押圧する。これにより半導
体ウエハＷはシール部材２３で保持体１８内を外部から
遮断すると共に、半導体ウエハＷに形成されたシード層
（図示せず）がカソード１７と電気的に導通自在にな
る。

【００１７】上記アノード１６とカソード１７は、図１
の（ａ）に示すように、配線２６を介して定電流電源２
７に接続されている。従って、保持体１８を介して半導
体ウエハＷを電解メッキ浴槽１２のカソード室１４内に
浸漬し、定電流電源１７を印加するとメッキ液１１を介
して電気的に導通自在になり、カソード室１４では半導
体ウエハＷの被処理面に銅メッキが施されてメッキ面が
形成され、アノード室１３ではアノード１６から銅イオ
ンが溶出する。

【００１８】更に、本実施形態ではアノード室１３内に
はアノード１６を囲む第３の電極２８が配置されてい
る。第３の電極２８は種々の金属によって形成すること
ができるが、その材料としては例えば銅よりも酸化還元
電位の高い金属、例えば白金、白金を主成分とする合金
等の白金族系の金属が好ましい。この電極２８とアノー
ド１６は、図１の（ａ）に示すように、配線２９を介し
て定電流電源３０に接続されている。そして、電解メッ
キ処理を中断している時に、第２のアノード３１及び第
２のカソード３２に電圧を印加すると第３の電極２８が
アノードとして機能し、アノード１６がカソードとして
機能するようにしてある。従って、定電流電源３０から
の印加によりカソードとして機能するアノード１６表面
に銅メッキが施され、アノード室１３内の銅イオンを減
少させる。即ち、これらの両電極１６、３０が銅イオン
濃度を低減させる手段として機能する。

【００１９】次に、動作について説明する。図示しない
ウエハ搬送機構を介して半導体ウエハＷを保持体１８の
開口部から保持体１８内へ搬入すると、真空チャック２
４が駆動して半導体ウエハＷを真空吸着すると共にウエ
ハ搬送機構が保持体１８内から後退する。次いで、真空
チャック２４が載置部１８Ａまで下降して半導体ウエハ
Ｗを載置部１８Ａ上へ載置すると共にクランプ機構２５
が下降して半導体ウエハＷの外周縁部を載置部１８Ａ上
に押圧する。この間に真空チャック２４が上昇する。こ
れによりシール部材１３が弾性変形し保持体１８内を外
部から遮断すると共に半導体ウエハＷのシード層とカソ
ード１７が電気的に接触し、これら両者Ｗ、１７が導通
可能な状態になる。

【００２０】また、ポンプ２０Ｂ、２２Ｂが駆動し、タ
ンク２０Ａ、２２Ａ内のメッキ液１１をカソード室１４
及びアノード室１３内へ供給し、カソード室１４及びア
ノード室１３とそれぞれのタンク２０Ａ、２２Ａとの間
でメッキ液１１が循環し、カソード室１４内では常にメ
ッキ液１１の上昇流が形成されている。

【００２１】メッキ液１１が循環している時、保持体１
８を介して半導体ウエハＷが下降しするとその被処理面
がカソード室１４のメッキ液１１と接触し、所定の速度
で回転する。そして、定電流電源２７を印加すると、ア
ノード１６とカソード１７間がメッキ液１１を介して電
気的に導通する。カソード室１４では銅イオンが半導体
ウエハＷのシード層で電子を受け取って還元され、銅メ
ッキが施される。この時メッキ液１１は上昇流で循環し
ているため、半導体ウエハＷの接液面全体の銅イオン濃
度は略一定に保たれ、全面に均一なメッキ面が形成され
る。一方、アノード室１３ではアノード１６から銅イオ
ンを放出し、銅イオン濃度が徐々に高くなる。アノード
室１３内で不純物が生成してもカソード室１４が隔膜１
５によってアノード室１３から隔離されているため、ア
ノード室１３内からカソード室１４へ不純物が移動する
ことはなくカソード室１４の清浄度を殆ど初期の状態の
まま維持することができ、半導体ウエハＷに対して良好
な銅メッキを施すことができる。

【００２２】ところが、電解メッキ処理を継続している
と、アノード室１３内の銅イオン濃度が許容値を超え、
銅がアノード室１３内に析出してその機能が低下する虞
がある。そのため、銅イオン濃度がある程度高くなった
場合には、電解メッキ処理を一時中断し、アノード室１
３内の銅イオン濃度を初期値まで減少させる。それに
は、定電流電源２７からアノード室１３内のアノード１
６及び第３の電極２８に電圧を印加し、メッキ液１１を
介してアノード１６と第３の電極２８間で導通させる。
この時、第３の電極２８がアノードとして機能し、アノ
ード１６がカソードとして機能するため、高濃度化した
銅イオンがカソードとして機能するアノード１６におい
て電子の授受が起こり、カソードとして機能するアノー
ド１６に銅メッキが施されてアノード室１３内の銅イオ
ン濃度が低減する。この操作を例えば初期の銅イオン濃
度になるまで行う。アノード室１３内のメッキ液１１が
初期の銅イオン濃度に戻った時点で再び本来の銅メッキ
処理を実施する。

【００２３】以上説明したように本実施形態によれば、
アノード室１３内に第３の電極２８を設け、この第３の
電極２８をアノードとして使用し、アノード室１３内の
アノード１６をカソードとして使用するようにしたた
め、電解メッキ浴槽１２内での半導体ウエハＷの銅メッ
キ処理を継続して行い、アノード室１３内の銅イオン濃
度が高濃度化しても、電解メッキ浴槽１２での銅メッキ
処理を一時中断し、第３の電極２８とアノード１６に電
圧を印加することによりアノード室１３内で高濃度化し
た銅イオンをアノード１６表面に逆メッキしてアノード
室１３内の銅イオン濃度を初期濃度まで低減することが
できる。従って、従来のようにアノード１６が収容され
る部屋の内部に銅が析出して機能を低下させることはな
い。また、既設のアノード室１３内に第３の電極２８を
配置し、第３の電極２８とアノード１６とを通電可能に
するという極めて簡単な構造でアノード室１３内の銅イ
オン濃度を低減させることができるため、新たな設置ス
ペースが殆ど必要なく、電解メッキ装置１０を低コスト
で製造することができ、装置自体もコンパクト化するこ
とができる。更に、アノード室１３内のメッキ液１１を
廃棄することなく繰り返し使用することができるため、
廃液量が少なく環境への負荷を低減することができる。

【００２４】また、図２は本発明の他の実施形態の要部
を示す図である。上記実施形態でアノード室１３内に第
３の電極２８を設けた場合について説明したが、本実施
形態ではアノード室１３に接続されたタンク２２Ａ内に
第２のアノード３１及び第２のカソード３２を設けたも
のである。そして、第２のアノード３１と第２のカソー
ド３２を配線３３を介して定電流電源３４に接続し、第
２のアノード３１と第２のカソード３２がメッキ液１１
を介して導通し、第２のカソード３２に銅イオンメッキ
を施すようにしたものである。第２のアノード３１及び
第２のカソード３２は種々の金属によって形成すること
ができるが、例えば銅よりも酸化還元電位の高い金属、
例えば白金、白金を主成分とする合金等の白金族系の金
属が好ましい。

【００２５】従って、本実施形態のおいても、アノード
室１３との間でメッキ液１１を循環させる既設のタンク
２２Ａをそのまま利用して、その内部に第２のアノード
２１及び第２のカソード３２を配置するため、上記実施
形態と同様の作用効果を期することができる。

【００２６】尚、上記各実施形態では銅イオン濃度を低
減させる手段をアノード室１３内及びタンク２２Ａ内に
設けた場合について説明したが、メッキ液の循環する経
路との途中であれば他の位置に設けても良い。また、上
記各実施形態では銅メッキを施す電解メッキ装置につい
て説明したが、銅以外の金属をメッキする場合について
も本発明を適用することができる。また、上記各実施形
態ではメッキ液を循環させるものについて説明したが、
メッキ液を循環させないものについても本発明を適用す
ることができる。また、上記各実施形態では被処理体と
して半導体ウエハを例に挙げて説明したが、本発明はＬ
ＣＤ用基板についても適用することができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項４に記載の発
明によれば、金属イオンを含む廃液を格段に削減して環
境への影響を防止すると共に、装置の小型化及び低コス
ト化を実現することができる電解メッキ装置及び電解メ
ッキ方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電解メッキ装置の一実施形態を示す模
式図である。

【図２】本発明の他の実施形態の要部を示す模式図であ
る。

【図３】従来の電解メッキ装置の一例を示す模式図であ
る。

【符号の説明】

１０電解メッキ装置１１メッキ液１２電解メッキ浴槽１３アノード室（下室）１４カソード室（上室）１５隔膜１６アノード１７カソード１８保持体２８第３の電極３１第２のアノード３２第２のカソードＷ半導体ウエハ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２５Ｄ 17/00 Ｃ２５Ｄ 17/00 Ｋ 17/10 17/10 Ｃ１０１１０１Ａ 21/16 21/16 ＡＨ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ // Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 ＮＦターム(参考） 4K024 AA09 AB01 AB08 BA11 BA15 BB09 BB12 BC10 CB02 CB03 CB06 CB07 CB08 CB15 CB26 FA05 GA16 4M104 BB04 DD52 HH20 5E343 AA02 AA22 AA26 BB24 BB71 DD43 FF16 FF18 GG11 GG20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体にメッキ処理を施すためのメッ
キ液を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽
内を第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔
膜を介して区画された第１の領域内に配置されたアノー
ドと、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記
電解メッキ浴槽内のメッキ液に上記被処理体を浸漬して
メッキ処理を施す電解メッキ装置であって、上記第１の
領域内を循環する上記メッキ液の金属イオン濃度を低減
させる手段を設けたことを特徴とする電解メッキ装置。
【請求項２】被処理体にメッキ処理を施すためのメッ
キ液を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽
内を第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔
膜を介して区画された第１の領域内に配置されたアノー
ドと、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記
電解メッキ浴槽内のメッキ液に上記被処理体を浸漬して
メッキ処理を施す電解メッキ装置であって、上記第１の
領域内に第３の電極を設け、第３の電極をアノードとし
て使用すると共に上記アノードをカソードとして使用し
て上記第１の領域内を循環する上記メッキ液の金属イオ
ン濃度を低減させることを特徴とする電解メッキ装置。
【請求項３】第３の電極が白金族系の金属からなるこ
とを特徴とする請求項２に記載の電解メッキ装置。
【請求項４】被処理体にメッキ処理を施すためのメッ
キ液を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽
内を第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔
膜を介して区画された第１の領域内に配置されたアノー
ドと、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記
電解メッキ浴槽内のメッキ液に上記被処理体を浸漬して
メッキ処理を施す電解メッキ装置であって、上記第１の
領域内を循環するメッキ液が循環可能な補助槽を設け、
この補助槽内に第２のアノード及び第２のカソードを配
置し、第２のアノードと第２のカソードを使用して上記
第１の領域内と上記補助槽間で循環するメッキ液の金属
イオン濃度を低減させることを特徴とする電解メッキ装
置。
【請求項５】被処理体にメッキ処理を施すためのメッ
キ液を収容する電解メッキ浴槽と、この電解メッキ浴槽
内を第１の領域と第２の領域に区画する隔膜と、この隔
膜を介して区画された第１の領域内に配置されたアノー
ドと、このアノードと対をなすカソードとを備え、上記
電解メッキ浴槽内を循環するメッキ液に上記被処理体を
浸漬してメッキ処理を施す電解メッキ方法であって、上
記第１の領域内を循環する上記メッキ液の金属イオン濃
度を低減させる工程を有することを特徴とする電解メッ
キ方法。