JP2001312986A - 電子銃 - Google Patents

電子銃

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JP2001312986A
JP2001312986A JP2000131521A JP2000131521A JP2001312986A JP 2001312986 A JP2001312986 A JP 2001312986A JP 2000131521 A JP2000131521 A JP 2000131521A JP 2000131521 A JP2000131521 A JP 2000131521A JP 2001312986 A JP2001312986 A JP 2001312986A
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浩士 牧野
Hiroyuki Shinada
博之 品田
Yutaka Kaneko
金子  豊
Hisaya Murakoshi
久弥 村越
Norifumi Tanimoto
憲史 谷元
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は,静電レンズの電界と電磁レ
ンズの磁界を重畳させた磁界重畳型電子銃を小型かつ安
定に動作させることである。 【解決手段】 磁界重畳型電子銃の電磁レンズを形成す
る磁極を,接地電位である固定磁極と電子銃軸調整で動
かすことができる高電圧が印加された可動磁極とに空間
を隔てて分割する 【効果】 接地電位である固定磁極と高電圧が印加され
た可動磁極の内径を小さくし,固定磁極と可動磁極の間
を耐電圧に十分な空間を空け,その空間で磁気結合させ
ることにより,コイルの励磁を必要以上に大きくするこ
となく,軸上に強い磁界を発生させることができる。そ
の結果,電子銃の小型化かつ安定動作を達成することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,静電レンズに電磁
レンズを重畳させた磁界重畳型電子銃に関するものであ
り,磁界重畳型電子銃の小型化,かつ安定動作の構造に
関する。
【0002】
【従来の技術】静電レンズの電界と電磁レンズの磁界を
重畳させた磁界重畳型電子銃は,静電レンズのみにより
構成される静電型電子銃と比較し,収差係数が小さく,
短焦点化が可能などの特徴を持つ。磁界重畳型電子銃の
従来例を以下に示す。
【0003】Optik 57 , NO.3 (1980) p401に記載され
ている電子銃の構成図を図5に示す。電子銃は電子銃ヘ
ッド部1,接地されたアノード電極2,真空容器3で構
成されている。ここで電子銃ヘッド部1はタングステン
チップで形成された電子源4と電磁レンズ部6,支柱2
5で構成されており,高電圧が印加された電子源4及び
電磁レンズ部6が支柱25に釣り下がる構造になってい
る。また,電磁レンズ部6はコイル7,磁極23で構成
されており,磁極23の一部は引き出し電極5を兼ねた
構造になっている。 電子銃の機械的軸調整は,電子銃
ヘッド部1が上記構造となっているため,支柱25を動
かすことにより,電子源4及び電磁レンズ部6をアノー
ド電極2に対して相対的に動かして行われる。また,電
磁レンズ部6に対する電子源4の軸調整は機械的な組み
立て精度で決まる。Optik 57 , NO.3 (1980) p401に記
載されている電子銃の電子銃ヘッド部1近傍の構成と軸
上電位分布,軸上磁界分布及び電子ビーム8軌道の模式
図を図6に示す。電子源4に所望の加速電圧 -V0を印加
し,引き出し電極5及び磁極23に電圧 -V0+V1を印加
することにより,電子源4の先端から電子ビーム8が放
出される。引き出し電極5及び磁極23は磁性体で構成
されており,コイル7に電流を流すことにより軸上に磁
界を発生させる。そして,電子源4より放出された電子
ビーム8は軸上に発生した磁界により収束される。
【0004】特開平2−297852に記載されている
電子銃を図7に示す。電子銃は電子銃ヘッド部1,電磁
レンズ部6,アノード電極2で構成されている。ここ
で,電子銃ヘッド部1は電子源4,サプレッサ電極9,
支柱25により構成されており,電子源4とサプレッサ
電極9が支柱25に釣り下がる構造となっている。電磁
レンズ部6はコイル7,磁極a10,磁極b11,磁極c
12,非磁性金属13,碍子24で構成されており,非
磁性金属13はコイル7より発生した磁界の影響で,磁
極a10,磁極b11間に引力が働く際,磁極の変形を防
ぐために置かれている。また,磁極b11,磁極c12間
は碍子24で隔てられており,磁極c12は引き出し電
圧が印加され,引き出し電極5としての役割を果たして
いる。電子銃の機械的軸調整は,電子銃ヘッド部1が上
記構造をとっているため,支柱25を動かすことによ
り,電子源4及びサップレッサ電極9が磁極c12に対
して相対的に動かして行われる。特開平2−29785
2に記載されている電子銃の電子源4近傍の構成,及び
軸上電位分布,軸上磁界分布と電子ビーム8の軌道の模
式図を図8に示す。電子源4に加速電圧V0を印加し磁極
c12に引き出し電圧-V0+V1を印加することにより,電
子源4の先端から電子ビーム8が放出される。コイル7
に電流を流すことにより引き出し電極5兼磁極c12と
磁極a10の間に収束磁界を発生させる。この電子銃
は,電磁レンズ部6により形成される軸上磁界分布が最
大となる位置より下方に電子源4先端を配置する構造を
特徴としている。
【0005】特開平5−211848では,静電レンズ
における収差が最も顕著になる位置に,電磁レンズによ
り形成される磁束密度分布が最大となる位置を重畳する
構造,及び重畳するよう電磁レンズの位置を制御する技
術が開示されている。
【0006】特開平10−188868では,引き出し
電極とアノード電極の間の減速電界に磁界を重畳させる
構造を開示している。
【0007】特開平7−192674では,イオンポン
プの磁石により形成される磁界を用いた磁界重畳型電子
銃が開示されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】磁界重畳型電子銃にお
いて低収差化及び短焦点化は,電子源近傍に磁極を配置
し,その形状を小型化すること,さらに電磁レンズの励
磁を大きくすることで達成される。また,電子銃の機械
的軸調整機構は,電磁レンズの中心に対して電子源の軸
を合わせる調整機構が必要である。
【0009】Optik 57 , NO.3 (1980) p401に示された
電子銃のように,電磁レンズ部6を高電圧が印加された
電子源4と一体化させた場合,真空容器3内を超高真空
に保つためにはコイル7を密閉する必要がある。また,
コイル7の発熱が電子源4近傍の局所的な真空度の劣化
を招き,電子源4の電子放出特性の不安定化,放電など
の問題を引き起こす可能性がある。電子銃の機械的軸調
整機構については,電子銃ヘッド部1が一体となってい
るため,アノード電極2に対する電子銃ヘッド部1の軸
調整のみが可能となる。電磁レンズに対する電子源4の
軸調整は機械的な組み立て精度のみで決定されることに
なる。
【0010】一方,特開平2−297852に示された
電子銃のように,磁極と電子源4を分離させた場合,高
電圧印加された電子銃ヘッド部1と接地された磁極a1
0との耐電圧を保証するため,磁極a10の内径を十分
大きくしなければならない。また,この電子銃では電磁
レンズが作り出す軸上磁界の最大となる位置より下方に
電子源4を配置することを特徴としていることから,所
望の焦点距離を得るためには,コイル7を約10000[AT]
もの励磁で使用する必要があり,コイル7の大型化は避
けられない。また,冷却水を流すスペースを必要とする
ことから電子銃自体が大きなものとなってしまう。電子
銃の機械的軸調整の機構は,電子銃ヘッド部1が前記で
示した構造をとるため,引き出し電極5を兼ねた磁極c
12に対して電子銃ヘッド部1を相対的に移動させる機
構となる。この軸調整機構では,電子源4と引き出し電
極5間で高い電界強度が発生しているため,放電の危険
性は免れない。
【0011】これらの理由から,従来の技術による磁界
重畳型電子銃では,電子源近傍の真空度劣化による電子
放出の不安定及び放電の危険性,軸調整時の放電の危険
性などの安定性に関する問題と,電子銃の大型化という
問題が発生する。
【0012】本発明の課題は,磁界重畳型電子銃におい
て小型かつ安定に動作する,磁界重畳型電子銃を実現す
ることである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために,電磁レンズを形成する磁極を複数に分割
し,固定磁極と電子銃軸調整で動かすことが可能な可動
磁極とに分割した。そして,固定磁極を接地電位とし,
可動磁極を高電圧が印加された引き出し電極と,もしく
は電子源と一体化し,可動磁極を小型化できるようにし
た。電子銃ヘッド部では,電子源に対して引き出し電極
と可動磁極が一体となって相対的に移動させる調整機構
を設けた。そして,電子銃ヘッド部が水平移動,もしく
は傾斜のうち少なくとも1種類の移動する機構を設ける
ことにより,高電圧が印加された電子源,引き出し電
極,可動磁極が下磁極に対して相対的に水平移動,傾斜
する構造にした。また,コイルを脱着可能の構造にし,
電子銃ベーキング時にコイルが外せるようにし,電磁レ
ンズを形成する固定磁極と下磁極の間を非磁性金属で充
填した。
【0014】さらに,電子銃ヘッド部に内部ヒータを設
けることにより,ベーキング時に電子源近傍の温度が十
分上がるようにした。
【0015】
【発明の実施の形態】(実施例1)本発明の第1の実施
例を図を用いて説明する。 図1は本発明の実施形態に
おける電子銃全体構成を説明するための断面図,図2は
その平面図である。図は電子銃ヘッド部1,脱着可能コ
イル部26,固定磁極15,下磁極19,電子銃ヘッド
部水平移動ネジ17,電子銃ヘッド部傾斜ネジ18,水
平駆動部30,傾斜駆動部31,外部ヒータ20で構成
される。ここで電子銃ヘッド部1は電子源4,サプレッ
サ電極9,引き出し電極5,可動磁極14,碍子24,
内部ヒータ16で構成されており,電子源4,サップレ
ッサ電極9,引き出し電極5,可動磁極14,内部ヒー
タ16が碍子24に釣り下られる構造になっている。ま
た,脱着可能コイル部26は,コイル7,磁極23,コ
イル固定金具27で構成されており,コイル7はコイル
固定金具27により磁極23に固定されている。そし
て,脱着可能コイル26はベーキングの際,電子銃から
取り外すことができる構造になっている。可動磁極14
と固定磁極15は空間を隔てて配置されている。
【0016】電子銃ヘッド部1は傾斜駆動部31に固定
され,さらに傾斜駆動部31が水平駆動部30の曲面に
乗る構造になっている。電子銃ヘッド部傾斜ネジ18は
水平駆動部30に取り付けられ,電子銃ヘッド部傾斜ネ
ジ18は脱着可能コイル26の磁極23に取り付けられ
ている。電子銃ヘッド部水平移動ネジ17は,水平駆動
部30を押すことにより,電子銃ヘッド部1を下磁極1
9に対して相対的に水平方向に移動させる。また,電子
銃ヘッド部傾斜ネジ18は,傾斜駆動部31を押すこと
により,電子源4を支点として電子銃ヘッド部1を傾斜
させる構造になっている。
【0017】次に,電子銃ヘッド部1における電子源4
と引き出し電極5の軸調整法を説明するため,電子銃ヘ
ッド部を説明するための断面図を図3に,その平面図を
図4に示す。図は電子源4,サプレッサ電極9,引き出
し電極5,可動磁極14,碍子24,軸調整ネジ21,
サプレッサ電極台座28,電子源加熱用支柱29で構成
されている。電子源4は電子源加熱用支柱29に固定さ
れ,サプレッサ電極9はサプレッサ電極台座28に固定
されている。また,引き出し電極5,可動磁極14は碍
子24と一体になっており,サップレッサ電極台座28
に取り付けられた軸調整ネジ21が碍子24を固定する
構造になっている。電子源4に対する引き出し電極5の
軸調整は,電子源4を装着する際に碍子24を軸調整ネ
ジ21で押すことにより,碍子24と一体化した可動磁
極14及び引き出し電極5を電子源4に対して相対的に
平行移動させて中心を合わせた後に固定することで実施
する。電子銃の機械的軸調整は,電子源4を装着する際
行う,電子源4と引き出し電極及び可動磁極14の軸調
整と,電子ビームを引き出した状態で行う,電子銃ヘッ
ド部1とアノード電極2及び下磁極19の軸調整とを併
用することにより行う。上記2つの軸調整を併用するこ
とにより,電磁レンズに対する電子源4の軸調整はより
精密に行うことができる。
【0018】可動磁極14と固定磁極15の間は耐電圧
に十分な距離を確保する必要があるが,それらの距離を
離しすぎると強い軸上磁界を発生できなくなり,電子銃
の光学条件を同じにするためには,強い励磁が必要にな
る。
【0019】固定磁極15と可動磁極14の耐電圧を考
えると,それらの距離をS[mm],電子銃ヘッド部1の水
平移動量を+1[mm],傾斜を+100[mrad]とした場合,軸調
整により電子銃ヘッド部1の可動磁極14が最も固定磁
極15に近づいた距離は約(S-1.5)[mm]となり,空間に
おける耐電圧の保証値を5[kV/mm]とすると,可動磁極1
4と固定磁極15の空間の耐電圧は5(S-1.5)[kV]保証さ
れることになる。
【0020】次に固定磁極15と可動磁極14の位置関
係と,コイルの励磁の関係を考える。図12は,可動磁
極14と固定磁極15の間の距離Sとコイルの消費電力
の関係を示しており,加速電圧10[kV]で,電子源4から
160[mm]の位置にクロスオーバを形成したときの計算結
果である。可動磁極14と固定磁極15の距離Sを離す
ことにより,コイルの消費電力が大きくなる。コイルの
消費電力が17[W]以上になる条件では,コイルの発熱に
よる電子銃の長期安定性に問題があるため,消費電力が
17[W]以下になるよう距離Sを調整する必要がある。従っ
てこの場合,可動磁極14と固定磁極15の間の距離は
10[mm]以下にすることが必要となる。また,図13は可
動磁極14と固定磁極15の高さ方向の相対的距離tを
変えた場合の計算結果であり,加速電圧10[kV]で,電子
源4から160[mm]の位置にクロスオーバを形成したとき
の計算結果である。この計算結果よりt>0の条件,つま
り可動磁極14を固定磁極15より相対的に高くするこ
とにより少ない消費電力で同じ光学条件を実現すること
ができる。
【0021】図10は上記の電子銃構造において,1000
[T]のコイル7に1[A]を流した場合の磁界分布の計算結
果で,電子源4近傍を拡大したものである。計算結果の
図は可動磁極14,固定磁極15,下磁極19で構成さ
れており,計算結果として等磁力線を示している。ま
た,可動磁極14及び下磁極の内径はF14[mm]で,可動
磁極14と下磁極19の距離は8[mm]で計算を行った。
この結果より,可動磁極14と固定磁極15の距離を8
[mm]とした場合においても,その空間で磁気結合するこ
とにより,軸上に強い磁界を発生させることが可能であ
ることがわかる。図11は図10と同条件の計算結果で
軸上磁界分布を示したものである。電磁レンズの主面の
位置で約0.07[Teslas]の磁界が発生することがわかる。
特開平2−297852に示された電子銃では,高電圧
が印加された電子源4と磁極a10との間の耐電圧をも
たせるため,磁極a10の内径を大きくしている。ま
た,軸上磁界分布が最大となる位置より下方に電子源4
を配置していることから,電磁レンズの主面の位置で0.
1[Teslas]の磁界を発生させるために,10000[AT]以上も
の励磁を用いる必要がある。また,本発明の電子銃で上
記条件におけるコイル7の発熱量は約15[W]で冷却水を
使用する必要はない。
【0022】上記の電子銃構造を用いることにより,磁
界重畳型電子銃を小型にし,なお且つ安定に動作させる
ことができた。
【0023】(実施例2)本発明の第2の実施例を図を
用いて説明する。図9は本発明の電子銃のベーキング時
の形態を説明するための断面図で,電子銃ヘッド部1,
アノード電極2,下磁極19,固定磁極15,非磁性金
属13,外部ヒータ20,プレートヒータ22,脱着可
能コイル部26,水平駆動部30,傾斜駆動部31で構
成され,非磁性金属13は固定磁極15と下磁極19の
間に充填されている。ここで,電子銃ヘッド部1は可動
磁極14,引き出し電極5,サプレッサ電極9,電子源
4,内部ヒータ16,碍子24で構成されており,可動
磁極14,引き出し電極5,サプレッサ電極9,電子源
4,内部ヒータ16が碍子24に釣り下げられる構造に
なっている。脱着可能コイル部26はコイル7,コイル
固定金具27,磁極23で構成されており,コイル7は
コイル固定金具27により磁極23に固定されている。
電子銃ベーキングの際は,脱着可能コイル部26を外し
プレートヒータ22を取り付け,外部ヒータ20,プレ
ートヒータ22,内部ヒータ16によりベーキングを行
う。ベーキングでは,内部ヒータ16による電子銃ヘッ
ド部1のベーキングを行うことにより,電子銃ヘッド部
1は十分加熱される。また,固定磁極15と下磁路の間
を非磁性金属13で充填することにより,外部ヒータ2
0とプレートヒータ22の熱を効率良く電子銃に行き渡
らすことができる。これらの構成を用いることにより,
ベーキングを効率的に行うことができ,電子銃の到達真
空度の向上,電子源近傍の真空度の向上などの理由か
ら,電子銃を安定に動作させることができる。
【0024】尚,本実施例は上記本発明の実施の形態で
示した電子銃の構造にそのまま適応でき,発明の効果を
全く損なうものではない。
【0025】(実施例3)本発明の第3の実施例を図を
用いて説明する。図14は本発明の電子銃の機械的軸調
整をモータ駆動で行う場合の構成を示したもので,電子
銃部42とモータ制御部41で構成されている。ここで
電子銃部42は,電子銃ヘッド部1,水平駆動部30,
脱着可能コイル部26,モータ固定金具32,水平駆動
モータa33,水平駆動モータb34,水平駆動モータc
35,水平駆動モータd36,傾斜駆動モータa37,傾
斜駆動モータb38,傾斜駆動モータc39,傾斜駆動モ
ータd40で構成されている。また,図15はその断面
図を示したもので,脱着可能コイル26,電子銃ヘッド
部1,水平駆動部30,傾斜駆動部31,水平駆動モー
タa33,水平駆動モータc35,傾斜駆動モータa3
7,傾斜駆動モータc39で構成されており,脱着可能
コイル26はコイル7磁極23,コイル固定金具27で
構成されている。ここで,それぞれのモータは電子銃の
機械的軸調整のときのみ駆動し,水平駆動部30及び傾
斜駆動部31を動かし,それ以外のときは水平駆動部3
0及び傾斜駆動部31が動かないよう固定した状態で停
止しているものとする。電子銃の機械的軸調整は,それ
ぞれのモータが水平駆動部30,傾斜駆動部31を押す
ことにより行われる。モータの制御はモータ制御部41
により行われる。その制御は,水平駆動モータa33が
時計方向に回転する場合,それと180°の位相関係に
ある水平駆動モータc35が反時計方向に回転し,なお
且つそれぞれのモータが同一の回転速度で駆動すること
により水平駆動部30を一定の力で押すように行われ
る。また,その他のモータについても上記と同様の制御
を行うものとする。この構成では,電子銃の機械的軸調
整を手動でなく電気的制御行なうことができるため,よ
り簡単に機械的軸調整ができるようになる。
【0026】尚,本実施例は上記本発明の実施の形態で
示した電子銃の構造にそのまま適応でき,発明の効果を
全く損なうものではない。
【0027】(実施例4)本発明の第4の実施例を図を
用いて説明する。図16は本発明の電子銃を欠陥レビュ
ー機能付きのSEM式回路パターン外観検査装置に搭載し
た場合の構成図である。図は電子銃部42,鏡体部6
0,ステージ部58,画像処理部57,画像表示装置5
9,偏向制御部54,レンズ制御部55,リターディン
グ電源56,電子銃電源53で構成されている。
【0028】電子銃部42は脱着可能コイル26,コイ
ル7,固定磁極15,アノード電極2,下磁極19,可
動磁極14,引き出し電極5,サップレッサ電極9,電
子源4で構成されている。ここで,電子源4は電子銃電
源53より電子源加熱電流Ifが供給され,所望の加速電
圧V0が印加できる構造とする。さらに,電子源4に対し
て逆バイアスの電圧Vsがサプレッサ電極9に,正バイア
スの電圧V1が引き出し電極5にそれぞれ印加できる構造
となっていることとする。
【0029】鏡体部60は可動絞り43,ブランキング
プレート44,ファラデーカップ45,コンデンサレン
ズ47,半導体検出器49,検出器71,偏向器46,
対物レンズ48,ExB62,反射板63で構成されてい
る。ここで半導体検出器49は10MHz〜200MHzのサ
ンプリング周波数で動作するものとし,試料50から発
生した二次電子を半導体検出器49に吸引するため,高
電圧が印加できる構造になっている。また,検出器71
は〜10MHz程度のサンプリング周波数で動作する検出
器であり,半導体検出器49と同様に高電圧が印加でき
る構造になっている。また,ExB62は検査条件とレビ
ュー条件とで,ExB62の静電偏向器及び電磁偏向器の
極性が反転できるようになっている。
【0030】ステージ部58は,試料50,試料ホルダ
51,碍子24,ステージ駆動装置52,試料室61で
構成されている。ここで,試料50及び試料ホルダ51
とステージ駆動装置52は,碍子24で電気的に絶縁さ
れており,リターディング電圧Vrが印加可能な構造にな
っている。
【0031】電子ビーム8は,V0の電圧が印加された電
子源4に電子源加熱電流Ifを供給し,電子源4に対して
正バイアスのV1を引き出し電極5に,逆バイアスのVsを
サプレッサ電極9にそれぞれ印加することにより,V0の
エネルギーで放出される。
【0032】検査の条件において,放出された電子ビー
ム8は電子銃部42の脱着可能コイル26より発生され
る磁界により収束され,ブランキングプレート44にク
ロスオーバを形成する。そして,光学系の総合倍率が0.
5〜1.5倍になるよう,コンデンサレンズ47の励磁を調
整し,対物レンズ48で試料50にフォーカスさせられ
る。ここで,電子ビーム8のプローブ電流は可動絞り4
3の絞り径と電子ビーム8の放射角電流密度で決まり,
20[nA]〜200[nA]まで調整可能となっている。また,試
料50にはリターディング電源56からリターディング
電圧Vrが印加されており,その印加電圧を調整すること
により,電子ビーム8の入射エネルギーを調整できるも
のとする。
【0033】偏向制御部54では偏向信号として10kH
z〜200kHzの鋸状波を発生し,偏向器46で電子ビー
ム8を偏向させる。また,偏向制御部54は電子ビーム
を偏向する方向に対して直行する方向にステージ51を
動かし,試料50に対して電子ビーム8が二次元的に走
査するようステージ駆動装置52を制御するものとす
る。また,偏向制御部54では試料50に電子ビーム8
を試料50に照射しない場合にファラデーカップ45で
電子ビーム8を遮るようブランキングプレート44に電
圧を印加できるものとする。
【0034】試料50から発生した二次電子65は,試
料50から発生した二次電子65のみ光軸から分離させ
るよう調整されたExB62で反射板63に当てられ半導
体検出器49に吸引される。半導体検出器49で検出さ
れた二次電子65はADコンバータ64でデジタル信号に
変換され画像処理部57で画像化される。
【0035】画像処理部57では,最初に取り込んだ基
準画像66と,ウェーハ上の基準画像66と異なる箇所
で取り込んだ比較画像67との差画像を計算し,その差
画像を欠陥画像68として画像表示装置59へ送る。ま
た,画像処理部57は画像中に欠陥が存在する比較画像
を画像表示装置59へ送ることができる。
【0036】例えば,このSEM式回路パターン外観検査
装置で0.1[mm]のパターン寸法のウェーハを検査する場
合,試料50におけるプローブサイズは0.1[mm]以下で
あることが好ましい。
【0037】対物レンズ48の焦点距離が30〜40[mm],
かつプローブ電流が50〜150[nA]の条件で上記検査を行
う場合,対物レンズ48の色収差を抑えるため光学系の
総合倍率を0.5〜1.5倍で使用することが必然となり,電
子銃の収差を抑える必要がある。静電型の電子銃でこの
条件の検査を行う場合,物面側に定義した電子銃の色収
差が45〜60[nm],球面収差が35〜50[nm]と大きいため,
試料50におけるプローブサイズは0.15〜0.3[mm]とな
ってしまう。ここで,本発明の電子銃を加速電圧10[k
V],励磁800〜1000[AT]で使用することにより,物面側
に換算した電子銃の焦点距離として8〜11[mm]を達成す
ることができ,物面側に定義した電子銃の色収差は15〜
20[nm],球面収差は1〜2[nm]となり,試料50における
プローブサイズは0.05〜0.1[mm]を達成することができ
る。また,本発明の電子銃を5〜10倍の倍率で使用し,
コンデンサレンズ47と対物レンズ48で0.1〜0.5に縮
小する光学系を採用することにより,ブランキングプレ
ート44,可動絞り43,ファラデーカップ45に付着
したコンタミネーションの影響を緩和することができ
る。例えば,全てのレンズを1倍の倍率で使用した場合
のコンタミネーションによる像ドリフト量を0.5[mm]と
すると,上記光学条件を採用することにより,そのドリ
フトは0.05〜0.1[mm]まで減らすことができる。
【0038】一方,検出した回路パターン上の欠陥を高
分解能で鮮明な画像で確認するためには,光学条件をレ
ビューの条件にして欠陥画像の観察を行う。レビューの
条件においては,コイル7の励磁を,電子ビーム69が
可動絞りより上方にクロスオーバをつくり,かつプロー
ブ電流が100[pA]〜5[nA]になるよう調整する。そして,
光学系の総合倍率が0.2〜0.3になるようコンデンサレン
ズ47の励磁を調整し,対物レンズ48で試料50にフ
ォーカスされる。試料50から発生した二次電子70
は,ExB62を検査の調整に対して反転した極性で使用
することにより検出器71で検出される。
【0039】そして,検出された二次電子70は画像表
示装置59で画像化される。
【0040】本発明の電子銃をレビュー機能付きSEM式
回路パターン外観検査装置に搭載し,電子銃を上記のよ
うに調整することにより検査条件とレビュー条件を瞬時
に切り替え,なお且つ大電流で安定な検査装置を実現す
ることができる。
【0041】
【発明の効果】以上に述べたように,本発明によれば静
電レンズの電界と電磁レンズの磁界を重畳させた電子銃
を小型かつ安定に動作させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における電子銃全体構成を説
明するための断面図。
【図2】本発明の実施形態における電子銃全体構成を説
明するための平面図。
【図3】本発明の電子銃の電子銃ヘッド部構成を説明す
るための断面図。
【図4】本発明の電子銃の電子銃ヘッド部構成を説明す
るための平面図。
【図5】従来の磁界重畳型電子銃の構成を説明するため
の図。
【図6】従来の磁界重畳型電子銃の電子源近傍の軸上電
位分布,軸上磁界分布,電子ビーム軌道を説明するため
の図。
【図7】従来の磁界重畳型電子銃の構成を説明するため
の図。
【図8】従来の磁界重畳型電子銃の電子源近傍の軸上電
位分布,軸上磁界分布,電子ビーム軌道を説明するため
の図。
【図9】本発明の電子銃のベーキング時の形態を説明す
るための断面図。
【図10】本発明の電子銃の磁界分布計算結果を説明す
るための図。
【図11】本発明の電子銃の軸上磁界分布計算結果を説
明するための図。
【図12】本発明電子銃の可動磁極と固定磁極間の距離
とコイル消費電力の関係を説明するための図。
【図13】本発明電子銃の可動磁極と固定磁極の相対的
な高さ関係とコイル消費電力の関係を説明するための
図。
【図14】本発明電子銃のモータによる機械的軸調整の
方法を説明するための平面図。
【図15】本発明電子銃のモータによる機械的軸調整の
方法を説明するための断面図。
【図16】本発明の電子銃を欠陥レビュー機能付きSEM
式回路パターン外観検査装置に適応させた場合の図。
【符号の説明】
1…電子銃ヘッド部1,2…アノード電極2,3…真空
容器3,4…電子源4,5…引き出し電極5,6…電磁
レンズ部6,7…コイル7,8…電子ビーム8,9…サ
プレッサ電極9,10…磁極a10,11…磁極b11,
12…磁極c12,13…非磁性金属13 14…可動磁極14,15…固定磁極15,16…内部
ヒータ16,17…電子銃ヘッド部水平移動ネジ17,
18…電子銃ヘッド部傾斜ネジ18,19…下磁極1
9,20…外部ヒータ20,21…軸調整ネジ21,2
2…プレートヒータ22,23…磁極23,24…碍子
24,25…支柱25,26…脱着可能コイル26,2
7…コイル固定金具27,28…サップレッサ電極台座
28,29…電子源加熱用支柱29,30…水平駆動部
30,31…傾斜駆動部31,32…モータ固定金具3
2,33…水平駆動モータa33,34…水平駆動モー
タb34,35…水平駆動モータc35,36…水平駆動
モータd36,37…傾斜駆動モータa37,38…傾斜
駆動モータb38,39…傾斜駆動モータc39,40…
傾斜駆動モータd40,41…モータ制御部41,42
…電子銃部42,43…可動絞り43,44…ブランキ
ングプレート44,45…ファラデーカップ45,46
…偏向器46,47…コンデンサレンズ47,48…対
物レンズ48,49…半導体検出器49,50…試料5
0,51…試料ホルダ51,52…ステージ駆動装置5
2,53…電子銃電源53,54…偏向制御部54,5
5…レンズ制御部55,56…リターディング電源5
6,57…画像処理部57,58…ステージ部58,5
9…画像表示装置59,60…鏡体部60,61…試料
室61,62…ExB62,63…反射板63,64…AD
コンバータ64,65…二次電子65,66…基準画像
66,67…取得画像67,68…欠陥画像68,69
…レビュー条件での電子ビーム69,70…レビュー条
件での二次電子70,71…検出器71。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 豊 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 村越 久弥 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 谷元 憲史 茨城県ひたちなか市市毛882番地 株式会 社日立製作所計測器グル−プ内 Fターム(参考) 5C030 BB01 BB05 BB07 BB17

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子源より放出される電子ビームを静電レ
    ンズと該静電レンズに近接させた電磁レンズを用いて制
    御する電子銃において,該電磁レンズを構成する磁極を
    複数に分割し,その分割された該磁極のうち,少なくと
    も1つの該磁極がその他の固定磁極に対して相対的に動
    かすことのできる可動磁極であること特徴とする電子
    銃。
  2. 【請求項2】前記可動磁極を駆動させる手段として手動
    もしくは,モータによる駆動を特徴とする請求項1記載
    の電子銃。
  3. 【請求項3】前記電磁レンズを構成する該可動磁極に高
    電圧が印加され,該固定磁極が接地電位であることを特
    徴とする請求項1記載の電子銃。
  4. 【請求項4】前記固定磁極と下磁極の空間が非磁性の金
    属で充填されていることを特徴とする電子銃。
  5. 【請求項5】電子源と前記電子源の周囲に配置された第
    1の磁極と、前記第の磁極の周囲でかつ離間した位置に
    配置された第2の磁極と、前記第2の磁極を構成する磁
    路に磁界を供給する側の端部に着脱可能にした第3の磁
    極と、を具備したことを特徴する電子銃。
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