JP3901199B2 - Ｓｅｍ式回路パターン検査装置 - Google Patents

Description

本発明は，静電レンズに電磁レンズを重畳させた磁界重畳型電子銃に関するものであり，磁界重畳型電子銃の小型化，かつ安定動作の構造に関する。

静電レンズの電界と電磁レンズの磁界を重畳させた磁界重畳型電子銃は，静電レンズのみにより構成される静電型電子銃と比較し，収差係数が小さく，短焦点化が可能などの特徴を持つ。磁界重畳型電子銃の従来例を以下に示す。

Optik 57 , NO.3 (1980) p401に記載されている電子銃の構成図を図５に示す。電子銃は電子銃ヘッド部１，接地されたアノード電極２，真空容器３で構成されている。ここで電子銃ヘッド部１はタングステンチップで形成された電子源４と電磁レンズ部６，支柱２５で構成されており，高電圧が印加された電子源４及び電磁レンズ部６が支柱２５に釣り下がる構造になっている。また，電磁レンズ部６はコイル７，磁極２３で構成されており，磁極２３の一部は引き出し電極５を兼ねた構造になっている。 電子銃の機械的軸調整は，電子銃ヘッド部１が上記構造となっているため，支柱２５を動かすことにより，電子源４及び電磁レンズ部６をアノード電極２に対して相対的に動かして行われる。また，電磁レンズ部６に対する電子源４の軸調整は機械的な組み立て精度で決まる。Optik 57 , NO.3 (1980) p401に記載されている電子銃の電子銃ヘッド部１近傍の構成と軸上電位分布，軸上磁界分布及び電子ビーム８軌道の模式図を図６に示す。電子源４に所望の加速電圧 -V0を印加し，引き出し電極５及び磁極２３に電圧 -V0+V1を印加することにより，電子源４の先端から電子ビーム８が放出される。引き出し電極５及び磁極２３は磁性体で構成されており，コイル７に電流を流すことにより軸上に磁界を発生させる。そして，電子源４より放出された電子ビーム８は軸上に発生した磁界により収束される。

特開平２−２９７８５２に記載されている電子銃を図７に示す。電子銃は電子銃ヘッド部１，電磁レンズ部６，アノード電極２で構成されている。ここで，電子銃ヘッド部１は電子源４，サプレッサ電極９，支柱２５により構成されており，電子源４とサプレッサ電極９が支柱２５に釣り下がる構造となっている。電磁レンズ部６はコイル７，磁極a１０，磁極b１１，磁極c１２，非磁性金属１３，碍子２４で構成されており，非磁性金属１３はコイル７より発生した磁界の影響で，磁極a１０，磁極b１１間に引力が働く際，磁極の変形を防ぐために置かれている。また，磁極b１１，磁極c１２間は碍子２４で隔てられており，磁極c１２は引き出し電圧が印加され，引き出し電極５としての役割を果たしている。電子銃の機械的軸調整は，電子銃ヘッド部１が上記構造をとっているため，支柱２５を動かすことにより，電子源４及びサップレッサ電極９が磁極c１２に対して相対的に動かして行われる。特開平２−２９７８５２に記載されている電子銃の電子源４近傍の構成，及び軸上電位分布，軸上磁界分布と電子ビーム８の軌道の模式図を図８に示す。電子源４に加速電圧V0を印加し磁極c１２に引き出し電圧-V0+V1を印加することにより，電子源４の先端から電子ビーム８が放出される。コイル７に電流を流すことにより引き出し電極５兼磁極c１２と磁極a１０の間に収束磁界を発生させる。この電子銃は，電磁レンズ部６により形成される軸上磁界分布が最大となる位置より下方に電子源４先端を配置する構造を特徴としている。

特開平５−２１１８４８では，静電レンズにおける収差が最も顕著になる位置に，電磁レンズにより形成される磁束密度分布が最大となる位置を重畳する構造，及び重畳するよう電磁レンズの位置を制御する技術が開示されている。

特開平１０−１８８８６８では，引き出し電極とアノード電極の間の減速電界に磁界を重畳させる構造を開示している。

特開平７−１９２６７４では，イオンポンプの磁石により形成される磁界を用いた磁界重畳型電子銃が開示されている。

特開平２−２９７８５２号公報

磁界重畳型電子銃において低収差化及び短焦点化は，電子源近傍に磁極を配置し，その形状を小型化すること，さらに電磁レンズの励磁を大きくすることで達成される。また，電子銃の機械的軸調整機構は，電磁レンズの中心に対して電子源の軸を合わせる調整機構が必要である。

Optik 57 , NO.3 (1980) p401に示された電子銃のように，電磁レンズ部６を高電圧が印加された電子源４と一体化させた場合，真空容器３内を超高真空に保つためにはコイル７を密閉する必要がある。また，コイル７の発熱が電子源４近傍の局所的な真空度の劣化を招き，電子源４の電子放出特性の不安定化，放電などの問題を引き起こす可能性がある。電子銃の機械的軸調整機構については，電子銃ヘッド部１が一体となっているため，アノード電極２に対する電子銃ヘッド部１の軸調整のみが可能となる。電磁レンズに対する電子源４の軸調整は機械的な組み立て精度のみで決定されることになる。

一方，特開平２−２９７８５２に示された電子銃のように，磁極と電子源４を分離させた場合，高電圧印加された電子銃ヘッド部１と接地された磁極a１０との耐電圧を保証するため，磁極a１０の内径を十分大きくしなければならない。
また，この電子銃では電磁レンズが作り出す軸上磁界の最大となる位置より下方に電子源４を配置することを特徴としていることから，所望の焦点距離を得るためには，コイル７を約10000[AT]もの励磁で使用する必要があり，コイル７の大型化は避けられない。また，冷却水を流すスペースを必要とすることから電子銃自体が大きなものとなってしまう。電子銃の機械的軸調整の機構は，電子銃ヘッド部１が前記で示した構造をとるため，引き出し電極５を兼ねた磁極c１２に対して電子銃ヘッド部１を相対的に移動させる機構となる。この軸調整機構では，電子源４と引き出し電極５間で高い電界強度が発生しているため，放電の危険性は免れない。

これらの理由から，従来の技術による磁界重畳型電子銃では，電子源近傍の真空度劣化による電子放出の不安定及び放電の危険性，軸調整時の放電の危険性などの安定性に関する問題と，電子銃の大型化という問題が発生する。

本発明の課題は，磁界重畳型電子銃において小型かつ安定に動作する，磁界重畳型電子銃を実現することである。

本発明では上記課題を解決するために，電磁レンズを形成する磁極を複数に分割し，固定磁極と電子銃軸調整で動かすことが可能な可動磁極とに分割した。そして，固定磁極を接地電位とし，可動磁極を高電圧が印加された引き出し電極と，もしくは電子源と一体化し，可動磁極を小型化できるようにした。電子銃ヘッド部では，電子源に対して引き出し電極と可動磁極が一体となって相対的に移動させる調整機構を設けた。そして，電子銃ヘッド部が水平移動，もしくは傾斜のうち少なくとも1種類の移動する機構を設けることにより，高電圧が印加された電子源，引き出し電極，可動磁極が下磁極に対して相対的に水平移動，傾斜する構造にした。また，コイルを脱着可能の構造にし，電子銃ベーキング時にコイルが外せるようにし，電磁レンズを形成する固定磁極と下磁極の間を非磁性金属で充填した。

さらに，電子銃ヘッド部に内部ヒータを設けることにより，ベーキング時に電子源近傍の温度が十分上がるようにした。

以上に述べたように，本発明によれば静電レンズの電界と電磁レンズの磁界を重畳させた電子銃を小型かつ安定に動作させることが可能となる。

（実施例１）
本発明の第１の実施例を図を用いて説明する。 図１は本発明の実施形態における電子銃全体構成を説明するための断面図，図２はその平面図である。図は電子銃ヘッド部１，脱着可能コイル部２６，固定磁極１５，下磁極１９，電子銃ヘッド部水平移動ネジ１７，電子銃ヘッド部傾斜ネジ１８，水平駆動部３０，傾斜駆動部３１，外部ヒータ２０で構成される。ここで電子銃ヘッド部１は電子源４，サプレッサ電極９，引き出し電極５，可動磁極１４，碍子２４，内部ヒータ１６で構成されており，電子源４，サップレッサ電極９，引き出し電極５，可動磁極１４，内部ヒータ１６が碍子２４に釣り下られる構造になっている。また，脱着可能コイル部２６は，コイル７，磁極２３，コイル固定金具２７で構成されており，コイル７はコイル固定金具２７により磁極２３に固定されている。そして，脱着可能コイル２６はベーキングの際，電子銃から取り外すことができる構造になっている。可動磁極１４と固定磁極１５は空間を隔てて配置されている。

電子銃ヘッド部１は傾斜駆動部３１に固定され，さらに傾斜駆動部３１が水平駆動部３０の曲面に乗る構造になっている。電子銃ヘッド部傾斜ネジ１８は水平駆動部３０に取り付けられ，電子銃ヘッド部傾斜ネジ１８は脱着可能コイル２６の磁極２３に取り付けられている。電子銃ヘッド部水平移動ネジ１７は，水平駆動部３０を押すことにより，電子銃ヘッド部１を下磁極１９に対して相対的に水平方向に移動させる。また，電子銃ヘッド部傾斜ネジ１８は，傾斜駆動部３１を押すことにより，電子源４を支点として電子銃ヘッド部１を傾斜させる構造になっている。

次に，電子銃ヘッド部１における電子源４と引き出し電極５の軸調整法を説明するため，電子銃ヘッド部を説明するための断面図を図３に，その平面図を図４に示す。図は電子源４，サプレッサ電極９，引き出し電極５，可動磁極１４，碍子２４，軸調整ネジ２１，サプレッサ電極台座２８，電子源加熱用支柱２９で構成されている。電子源４は電子源加熱用支柱２９に固定され，サプレッサ電極９はサプレッサ電極台座２８に固定されている。また，引き出し電極５，可動磁極１４は碍子２４と一体になっており，サップレッサ電極台座２８に取り付けられた軸調整ネジ２１が碍子２４を固定する構造になっている。電子源４に対する引き出し電極５の軸調整は，電子源４を装着する際に碍子２４を軸調整ネジ２１で押すことにより，碍子２４と一体化した可動磁極１４及び引き出し電極５を電子源４に対して相対的に平行移動させて中心を合わせた後に固定することで実施する。電子銃の機械的軸調整は，電子源４を装着する際行う，電子源４と引き出し電極及び可動磁極１４の軸調整と，電子ビームを引き出した状態で行う，電子銃ヘッド部１とアノード電極２及び下磁極１９の軸調整とを併用することにより行う。上記２つの軸調整を併用することにより，電磁レンズに対する電子源４の軸調整はより精密に行うことができる。

可動磁極１４と固定磁極１５の間は耐電圧に十分な距離を確保する必要があるが，それらの距離を離しすぎると強い軸上磁界を発生できなくなり，電子銃の光学条件を同じにするためには，強い励磁が必要になる。

固定磁極１５と可動磁極１４の耐電圧を考えると，それらの距離をS[mm]，電子銃ヘッド部１の水平移動量を+1[mm]，傾斜を+100[mrad]とした場合，軸調整により電子銃ヘッド部１の可動磁極１４が最も固定磁極１５に近づいた距離は約(S-1.5)[mm]となり，空間における耐電圧の保証値を5[kV/mm]とすると，可動磁極１４と固定磁極１５の空間の耐電圧は5(S-1.5)[kV]保証されることになる。

次に固定磁極１５と可動磁極１４の位置関係と，コイルの励磁の関係を考える。図１２は，可動磁極１４と固定磁極１５の間の距離Sとコイルの消費電力の関係を示しており，加速電圧10[kV]で，電子源４から160[mm]の位置にクロスオーバを形成したときの計算結果である。可動磁極１４と固定磁極１５の距離Sを離すことにより，コイルの消費電力が大きくなる。コイルの消費電力が17[W]以上になる条件では，コイルの発熱による電子銃の長期安定性に問題があるため，消費電力が17[W]以下になるよう距離Sを調整する必要がある。従ってこの場合，可動磁極１４と固定磁極１５の間の距離は10[mm]以下にすることが必要となる。また，図１３は可動磁極１４と固定磁極１５の高さ方向の相対的距離tを変えた場合の計算結果であり，加速電圧10[kV]で，電子源４から160[mm]の位置にクロスオーバを形成したときの計算結果である。この計算結果よりt>0の条件，つまり可動磁極１４を固定磁極１５より相対的に高くすることにより少ない消費電力で同じ光学条件を実現することができる。

図１０は上記の電子銃構造において，1000[T]のコイル７に1[A]を流した場合の磁界分布の計算結果で，電子源４近傍を拡大したものである。計算結果の図は可動磁極１４，固定磁極１５，下磁極１９で構成されており，計算結果として等磁力線を示している。また，可動磁極１４及び下磁極の内径はF14[mm]で，可動磁極１４と下磁極１９の距離は8[mm]で計算を行った。この結果より，可動磁極１４と固定磁極１５の距離を8[mm]とした場合においても，その空間で磁気結合することにより，軸上に強い磁界を発生させることが可能であることがわかる。
図１１は図１０と同条件の計算結果で軸上磁界分布を示したものである。電磁レンズの主面の位置で約0.07[Teslas]の磁界が発生することがわかる。特開平２−２９７８５２に示された電子銃では，高電圧が印加された電子源４と磁極a１０との間の耐電圧をもたせるため，磁極a１０の内径を大きくしている。また，軸上磁界分布が最大となる位置より下方に電子源４を配置していることから，電磁レンズの主面の位置で0.1[Teslas]の磁界を発生させるために，10000[AT]以上もの励磁を用いる必要がある。また，本発明の電子銃で上記条件におけるコイル７の発熱量は約15[W]で冷却水を使用する必要はない。

上記の電子銃構造を用いることにより，磁界重畳型電子銃を小型にし，なお且つ安定に動作させることができた。

（実施例２）
本発明の第２の実施例を図を用いて説明する。図９は本発明の電子銃のベーキング時の形態を説明するための断面図で，電子銃ヘッド部１，アノード電極２，下磁極１９，固定磁極１５，非磁性金属１３，外部ヒータ２０，プレートヒータ２２，脱着可能コイル部２６，水平駆動部３０，傾斜駆動部３１で構成され，非磁性金属１３は固定磁極１５と下磁極１９の間に充填されている。ここで，電子銃ヘッド部１は可動磁極１４，引き出し電極５，サプレッサ電極９，電子源４，内部ヒータ１６，碍子２４で構成されており，可動磁極１４，引き出し電極５，サプレッサ電極９，電子源４，内部ヒータ１６が碍子２４に釣り下げられる構造になっている。脱着可能コイル部２６はコイル７，コイル固定金具２７，磁極２３で構成されており，コイル７はコイル固定金具２７により磁極２３に固定されている。電子銃ベーキングの際は，脱着可能コイル部２６を外しプレートヒータ２２を取り付け，外部ヒータ２０，プレートヒータ２２，内部ヒータ１６によりベーキングを行う。ベーキングでは，内部ヒータ１６による電子銃ヘッド部１のベーキングを行うことにより，電子銃ヘッド部１は十分加熱される。また，固定磁極１５と下磁路の間を非磁性金属１３で充填することにより，外部ヒータ２０とプレートヒータ２２の熱を効率良く電子銃に行き渡らすことができる。これらの構成を用いることにより，ベーキングを効率的に行うことができ，電子銃の到達真空度の向上，電子源近傍の真空度の向上などの理由から，電子銃を安定に動作させることができる。

尚，本実施例は上記本発明の実施の形態で示した電子銃の構造にそのまま適応でき，発明の効果を全く損なうものではない。

（実施例３）
本発明の第３の実施例を図を用いて説明する。図１４は本発明の電子銃の機械的軸調整をモータ駆動で行う場合の構成を示したもので，電子銃部４２とモータ制御部４１で構成されている。ここで電子銃部４２は，電子銃ヘッド部１，水平駆動部３０，脱着可能コイル部２６，モータ固定金具３２，水平駆動モータa３３，水平駆動モータb３４，水平駆動モータc３５，水平駆動モータd３６，傾斜駆動モータa３７，傾斜駆動モータb３８，傾斜駆動モータc３９，傾斜駆動モータd４０で構成されている。また，図１５はその断面図を示したもので，脱着可能コイル２６，電子銃ヘッド部１，水平駆動部３０，傾斜駆動部３１，水平駆動モータa３３，水平駆動モータc３５，傾斜駆動モータa３７，傾斜駆動モータc３９で構成されており，脱着可能コイル２６はコイル７磁極２３，コイル固定金具２７で構成されている。ここで，それぞれのモータは電子銃の機械的軸調整のときのみ駆動し，水平駆動部３０及び傾斜駆動部３１を動かし，それ以外のときは水平駆動部３０及び傾斜駆動部３１が動かないよう固定した状態で停止しているものとする。電子銃の機械的軸調整は，それぞれのモータが水平駆動部３０，傾斜駆動部３１を押すことにより行われる。モータの制御はモータ制御部４１により行われる。その制御は，水平駆動モータa３３が時計方向に回転する場合，それと１８０°の位相関係にある水平駆動モータc３５が反時計方向に回転し，なお且つそれぞれのモータが同一の回転速度で駆動することにより水平駆動部３０を一定の力で押すように行われる。また，その他のモータについても上記と同様の制御を行うものとする。この構成では，電子銃の機械的軸調整を手動でなく電気的制御行なうことができるため，より簡単に機械的軸調整ができるようになる。

尚，本実施例は上記本発明の実施の形態で示した電子銃の構造にそのまま適応でき，発明の効果を全く損なうものではない。

（実施例４）
本発明の第４の実施例を図を用いて説明する。図１６は本発明の電子銃を欠陥レビュー機能付きのSEM式回路パターン外観検査装置に搭載した場合の構成図である。図は電子銃部４２，鏡体部６０，ステージ部５８，画像処理部５７，画像表示装置５９，偏向制御部５４，レンズ制御部５５，リターディング電源５６，電子銃電源５３で構成されている。

電子銃部４２は脱着可能コイル２６，コイル７，固定磁極１５，アノード電極２，下磁極１９，可動磁極１４，引き出し電極５，サップレッサ電極９，電子源４で構成されている。ここで，電子源４は電子銃電源５３より電子源加熱電流Ifが供給され，所望の加速電圧V0が印加できる構造とする。さらに，電子源４に対して逆バイアスの電圧Vsがサプレッサ電極９に，正バイアスの電圧V1が引き出し電極５にそれぞれ印加できる構造となっていることとする。

鏡体部６０は可動絞り４３，ブランキングプレート４４，ファラデーカップ４５，コンデンサレンズ４７，半導体検出器４９，検出器７１，偏向器４６，対物レンズ４８，ExB６２，反射板６３で構成されている。ここで半導体検出器４９は１０MHz〜２００MHzのサンプリング周波数で動作するものとし，試料５０から発生した二次電子を半導体検出器４９に吸引するため，高電圧が印加できる構造になっている。また，検出器７１は〜１０MHz程度のサンプリング周波数で動作する検出器であり，半導体検出器４９と同様に高電圧が印加できる構造になっている。また，ExB６２は検査条件とレビュー条件とで，ExB６２の静電偏向器及び電磁偏向器の極性が反転できるようになっている。

ステージ部５８は，試料５０，試料ホルダ５１，碍子２４，ステージ駆動装置５２，試料室６１で構成されている。ここで，試料５０及び試料ホルダ５１とステージ駆動装置５２は，碍子２４で電気的に絶縁されており，リターディング電圧Vrが印加可能な構造になっている。

電子ビーム８は，V0の電圧が印加された電子源４に電子源加熱電流Ifを供給し，電子源４に対して正バイアスのV1を引き出し電極５に，逆バイアスのVsをサプレッサ電極９にそれぞれ印加することにより，V0のエネルギーで放出される。

検査の条件において，放出された電子ビーム８は電子銃部４２の脱着可能コイル２６より発生される磁界により収束され，ブランキングプレート４４にクロスオーバを形成する。そして，光学系の総合倍率が0.5〜1.5倍になるよう，コンデンサレンズ４７の励磁を調整し，対物レンズ４８で試料５０にフォーカスさせられる。ここで，電子ビーム８のプローブ電流は可動絞り４３の絞り径と電子ビーム８の放射角電流密度で決まり，20[nA]〜200[nA]まで調整可能となっている。
また，試料５０にはリターディング電源５６からリターディング電圧Vrが印加されており，その印加電圧を調整することにより，電子ビーム８の入射エネルギーを調整できるものとする。

偏向制御部５４では偏向信号として１０kHz〜２００kHzの鋸状波を発生し，偏向器４６で電子ビーム８を偏向させる。また，偏向制御部５４は電子ビームを偏向する方向に対して直行する方向にステージ５１を動かし，試料５０に対して電子ビーム８が二次元的に走査するようステージ駆動装置５２を制御するものとする。また，偏向制御部５４では試料５０に電子ビーム８を試料５０に照射しない場合にファラデーカップ４５で電子ビーム８を遮るようブランキングプレート４４に電圧を印加できるものとする。

試料５０から発生した二次電子６５は，試料５０から発生した二次電子６５のみ光軸から分離させるよう調整されたExB６２で反射板６３に当てられ半導体検出器４９に吸引される。半導体検出器４９で検出された二次電子６５はADコンバータ６４でデジタル信号に変換され画像処理部５７で画像化される。

画像処理部５７では，最初に取り込んだ基準画像６６と，ウェーハ上の基準画像６６と異なる箇所で取り込んだ比較画像６７との差画像を計算し，その差画像を欠陥画像６８として画像表示装置５９へ送る。また，画像処理部５７は画像中に欠陥が存在する比較画像を画像表示装置５９へ送ることができる。

例えば，このSEM式回路パターン外観検査装置で0.1[mm]のパターン寸法のウェーハを検査する場合，試料５０におけるプローブサイズは0.1[mm]以下であることが好ましい。

対物レンズ４８の焦点距離が30〜40[mm]，かつプローブ電流が50〜150[nA]の条件で上記検査を行う場合，対物レンズ４８の色収差を抑えるため光学系の総合倍率を0.5〜1.5倍で使用することが必然となり，電子銃の収差を抑える必要がある。静電型の電子銃でこの条件の検査を行う場合，物面側に定義した電子銃の色収差が45〜60[nm]，球面収差が35〜50[nm]と大きいため，試料５０におけるプローブサイズは0.15〜0.3[mm]となってしまう。ここで，本発明の電子銃を加速電圧10[kV]，励磁800〜1000[AT]で使用することにより，物面側に換算した電子銃の焦点距離として8〜11[mm]を達成することができ，物面側に定義した電子銃の色収差は15〜20[nm]，球面収差は1〜2[nm]となり，試料５０におけるプローブサイズは0.05〜0.1[mm]を達成することができる。また，本発明の電子銃を5〜10倍の倍率で使用し，コンデンサレンズ４７と対物レンズ４８で0.1〜0.5に縮小する光学系を採用することにより，ブランキングプレート４４，可動絞り４３，ファラデーカップ４５に付着したコンタミネーションの影響を緩和することができる。例えば，全てのレンズを１倍の倍率で使用した場合のコンタミネーションによる像ドリフト量を0.5[mm]とすると，上記光学条件を採用することにより，そのドリフトは0.05〜0.1[mm]まで減らすことができる。

一方，検出した回路パターン上の欠陥を高分解能で鮮明な画像で確認するためには，光学条件をレビューの条件にして欠陥画像の観察を行う。レビューの条件においては，コイル７の励磁を，電子ビーム６９が可動絞りより上方にクロスオーバをつくり，かつプローブ電流が100[pA]〜5[nA]になるよう調整する。そして，光学系の総合倍率が0.2〜0.3になるようコンデンサレンズ４７の励磁を調整し，対物レンズ４８で試料５０にフォーカスされる。試料５０から発生した二次電子７０は，ExB６２を検査の調整に対して反転した極性で使用することにより検出器７１で検出される。

そして，検出された二次電子７０は画像表示装置５９で画像化される。

本発明の電子銃をレビュー機能付きSEM式回路パターン外観検査装置に搭載し，電子銃を上記のように調整することにより検査条件とレビュー条件を瞬時に切り替え，なお且つ大電流で安定な検査装置を実現することができる。

本発明の実施形態における電子銃全体構成を説明するための断面図。 本発明の実施形態における電子銃全体構成を説明するための平面図。 本発明の電子銃の電子銃ヘッド部構成を説明するための断面図。 本発明の電子銃の電子銃ヘッド部構成を説明するための平面図。 従来の磁界重畳型電子銃の構成を説明するための図。 従来の磁界重畳型電子銃の電子源近傍の軸上電位分布，軸上磁界分布，電子ビーム軌道を説明するための図。 従来の磁界重畳型電子銃の構成を説明するための図。 従来の磁界重畳型電子銃の電子源近傍の軸上電位分布，軸上磁界分布，電子ビーム軌道を説明するための図。 本発明の電子銃のベーキング時の形態を説明するための断面図。 本発明の電子銃の磁界分布計算結果を説明するための図。 本発明の電子銃の軸上磁界分布計算結果を説明するための図。 本発明電子銃の可動磁極と固定磁極間の距離とコイル消費電力の関係を説明するための図。 本発明電子銃の可動磁極と固定磁極の相対的な高さ関係とコイル消費電力の関係を説明するための図。 本発明電子銃のモータによる機械的軸調整の方法を説明するための平面図。 本発明電子銃のモータによる機械的軸調整の方法を説明するための断面図。 本発明の電子銃を欠陥レビュー機能付きSEM式回路パターン外観検査装置に適応させた場合の図。

符号の説明

１…電子銃ヘッド部１，２…アノード電極２，３…真空容器３，
４…電子源４，５…引き出し電極５，６…電磁レンズ部６，７…コイル７，
８…電子ビーム８，９…サプレッサ電極９，１０…磁極a１０，１１…磁極b１１，
１２…磁極c１２，１３…非磁性金属１３
１４…可動磁極１４，１５…固定磁極１５，１６…内部ヒータ１６，
１７…電子銃ヘッド部水平移動ネジ１７，
１８…電子銃ヘッド部傾斜ネジ１８，１９…下磁極１９，２０…外部ヒータ２０，
２１…軸調整ネジ２１，２２…プレートヒータ２２，２３…磁極２３，２４…碍子２４，
２５…支柱２５，２６…脱着可能コイル２６，２７…コイル固定金具２７，
２８…サップレッサ電極台座２８，２９…電子源加熱用支柱２９，
３０…水平駆動部３０，３１…傾斜駆動部３１，３２…モータ固定金具３２，
３３…水平駆動モータa３３，３４…水平駆動モータb３４，
３５…水平駆動モータc３５，３６…水平駆動モータd３６，
３７…傾斜駆動モータa３７，３８…傾斜駆動モータb３８，
３９…傾斜駆動モータc３９，４０…傾斜駆動モータd４０，
４１…モータ制御部４１，４２…電子銃部４２，４３…可動絞り４３，
４４…ブランキングプレート４４，４５…ファラデーカップ４５，４６…偏向器４６，
４７…コンデンサレンズ４７，４８…対物レンズ４８，４９…半導体検出器４９，
５０…試料５０，５１…試料ホルダ５１，５２…ステージ駆動装置５２，
５３…電子銃電源５３，５４…偏向制御部５４，５５…レンズ制御部５５，
５６…リターディング電源５６，５７…画像処理部５７，５８…ステージ部５８，
５９…画像表示装置５９，６０…鏡体部６０，６１…試料室６１，６２…ExB６２，
６３…反射板６３，６４…ADコンバータ６４，６５…二次電子６５，
６６…基準画像６６，６７…取得画像６７，６８…欠陥画像６８，
６９…レビュー条件での電子ビーム６９，７０…レビュー条件での二次電子７０，
７１…検出器７１。

Claims (4)

1. 電子線を発生する電子銃部と、
   被検査試料を載置する試料ステージを有するステージ部と、
   該被検査試料に対して前記電子線を走査し、該電子線走査により前記被検査試料から発生する二次電子を検出する機能を備えた鏡体部と、
   検出された二次電子を元に前記被検査試料の欠陥を検出する手段とを有し、
   前記電子銃部は、
   電子源と、該電子源を制御するための静電レンズ及び電磁レンズとを有し，
   該電磁レンズは、
   少なくとも1つの固定磁極と、
   該固定磁極に対して相対的に、前記電子源と一体となって移動可能な移動磁極とを備えることを特徴とするＳＥＭ式回路パターン検査装置。
2. 被検査試料に対して電子線を照射し、発生する二次電子を検出して該被検査試料の欠陥検査を行うＳＥＭ式回路パターン検査装置であって、
   電子線を発生する電子銃部と、
   被検査試料を載置する試料ステージを有するステージ部と、
   該被検査試料に対して前記電子線を走査し、該電子線走査により前記被検査試料から発生する二次電子を検出する機能を備えた鏡体部と、
   検出された二次電子を元に前記被検査試料の欠陥を検出する手段とを有し、
   前記電子銃部は、
   電子源と、該電子源を制御するための静電レンズ及び電磁レンズとを有し，
   該電磁レンズは、
   少なくとも1つの固定磁極と、該固定磁極に対して相対的に、前記電子源と一体となって移動可能な移動磁極とを備え、
   前記鏡体部は、
   第１の検出器と、第２の検出器と、Ｅ×Ｂ偏向器とを備え、
   該Ｅ×Ｂ偏向器を構成する静電偏向器及び電磁偏向器の極性が反転可能に構成されたことを特徴とするＳＥＭ式回路パターン検査装置。
3. 請求項２に記載のＳＥＭ式回路パターン検査装置において、
   前記第１の検出器は前記被検査試料のレビュー時に使用され、前記第２の検出器は前記被検査試料の欠陥検査時に使用されることを特徴とするＳＥＭ式回路パターン検査装置。
4. 請求項１または２に記載のＳＥＭ式回路パターン検査装置において、
   前記可動磁極を可動させるためのモータを備えたことを特徴とするＳＥＭ式回路パターン検査装置。

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