JP2001308695A - 出力バッファ回路 - Google Patents

出力バッファ回路

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JP2001308695A JP2000119892A JP2000119892A JP2001308695A JP 2001308695 A JP2001308695 A JP 2001308695A JP 2000119892 A JP2000119892 A JP 2000119892A JP 2000119892 A JP2000119892 A JP 2000119892A JP 2001308695 A JP2001308695 A JP 2001308695A
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Tadayuki Inamura
忠之 稲村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 メインバッファの十分な駆動能力とプリバッ
ファの所定のFan−inとを維持したまま、入力すべ
き微小信号に対して出力信号を高速化できる出力バッフ
ァ回路を提供する。 【解決手段】 本発明に係る出力バッファ回路は、同一
の微小信号を増幅する二つの電流増幅器からなるプリバ
ッファと、それぞれの電流増幅器による増幅信号を安定
化させながら増幅する二つのカレントミラー回路からな
るメインバッファとを有している。また、これらのカレ
ントミラー回路における二つの出力段を相補回路に構成
して一つの出力端子としたものであり、一つの相補出力
からなる出力信号が得られる回路である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おいて、微小電流の電流増幅器をプリバッファとし、そ
の後段の電流増幅器をメインバッファとして所定容量の
出力電流を得る出力バッファ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、集積回路技術により各種の演算
システムなどを構成したシステムLSIが知られてい
る。このようなシステムLSIは、同じく集積回路技術
による多様な周辺回路、たとえば各種の入出力回路など
をシステムバスを介して多数有しており、これにより互
換性のある所定のインターフェイスによって、さらに他
のLSI素子などと任意な接続ができる構成にしてあ
る。
【0003】このため、これら多数の周辺回路を作動さ
せるための大きな駆動電流(以下、Fan−outとい
う)を有していることが必要になり、システムLSIの
駆動部を十分なFan−outの出力バッファで構成し
てある。このような出力バッファ回路には、一般にサイ
ズの大きなトランジスタで構成した電流増幅器(以下、
メインバッファという)が用いられる。
【0004】図6は、一従来例による出力バッファ回路
の回路図である。この従来例1は、前段の電流増幅器
(以下、プリバッファという)と、前述したメインバッ
ファから構成してある。プリバッファのP型トランジス
タでは、トランジスタのゲート長Lを0.24としてト
ランジスタのゲート幅Wを3.0とし、また、N型トラ
ンジスタでは、同じLに対してWを1.0とする。同様
に、メインバッファでは、二つのトランジスタのLを
0.28、そのうちP型トランジスタのWを1500、
N型トランジスタのWを600とする。
【0005】また、プリバッファには、図示しない演算
回路との整合を図るドライバーから、演算回路の処理結
果である微小信号(電流)H02を入力させて、この微
小信号H02を先ずプリバッファで電流増幅する。そし
て、その増幅信号B1によりメインバッファを駆動して
所要の大きなFan−outを有した出力信号N02が
得られるように構成してある。
【0006】この場合に、電源電圧として、たとえば
2.3Vを出力バッファ回路に供給すると、そのタイミ
ング特性の一例としては次のような遅れ時間が得られ
る。ここに、RISEは、入力信号に対する出力信号の
立ち上がり遅れ時間であり、FALLは、同じく立ち下
がり遅れ時間であって、これらのRISE、FALLを
それぞれナノ秒を単位として示してある。
【0007】図3は、図6に示す従来例1の出力バッフ
ァ回路の出力波形を、後述する本発明の実施例と比較し
たタイムチャートであり、図3(a)〜(c)が本発明
の実施例を、また、図3(a)、(d)、(e)が従来
例1を示している。図3を併せて参照すると、図3
(a)に示す入力波形(微小信号H02の波形)がプリ
バッファに導入される。
【0008】このとき、図6に示すプリバッファでは、
その増幅信号B1が電源レベルからグランドレベルまで
フルスイングしなければならないため、メインバッファ
の出力信号N02が低速で動作することになる。このよ
うな従来の回路構成であっても、その出力バッファの遅
れ時間Tpdだけであれば、ある程度は改善させること
も可能である。
【0009】図7は、別の一従来例による出力バッファ
回路の回路図である。この従来例2は、プリバッファの
P型トランジスタでは、Wを9.0とし、また、N型ト
ランジスタでは、Wを3.0として、従来例1と同様の
メインバッファを用いて互換性を保つ構成にしてある。
【0010】この場合の出力信号の遅れ時間Tpdで
は、次のように、ある程度の改善がみられる。
【0011】以上、デジタル技術における微小信号H0
2のバッファリングについて述べたが、一般に、バイポ
ーラトランジスタを用いた差動増幅器がアナログ信号の
バッファリング技術の分野で知られている。このような
差動増幅器としては、従来より、最終段のメインバッフ
ァとは別に構成したカレントミラー回路をプリバッファ
として用いる構成のものがあった。
【0012】たとえば、特開平9−8569号公報に開
示された差動増幅回路による従来例3があり、メインバ
ッファを駆動するためのプリバッファをカレントミラー
回路で構成してある。この従来例3では、出力信号の電
圧特性において、その非線形性の改善を目的としてお
り、差動増幅機能を有するメインバッファの出力信号の
線形性が、そのプリバッファに入力する微小信号に対し
て広範囲にわたって保たれ得る。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来例1〜3による出力バッファ回路をシステムLS
Iに用いた場合には、次に述べるような種々の問題点が
生じてしまう。
【0014】従来例1では、十分なFan−outを保
たせるために、出力信号の遅れ時間が、入力された微小
信号に対してかなり大きな数値になってしまう。このた
め、演算回路による処理結果をバッファリングする出力
バッファ回路としては、その後段に他のLSIなどを接
続する必要がある場合に、これら他のLSIに適した十
分なタイミング特性を確保することができない。
【0015】また、従来例2では、この出力信号の遅れ
時間が多少は改善されるものの、メインバッファを高速
に駆動させるためにプリバッファの駆動力も大きくする
必要がある。ところが、それぞれのプリバッファの作動
に必要な駆動電流(以下、Fan−inという)が従来
例1の回路と比較して3倍程度になってしまうため、プ
リバッファを駆動するためのドライバーもまた3倍の駆
動能力を持つものに変更し、さらに、このドライバーを
駆動する演算回路の出力部も大きな出力のものが必要に
なる。
【0016】このように、プリバッファ、その駆動用の
ドライバ、さらに演算回路の出力部について、これらの
駆動能力を大きくしようとすると、それぞれの回路パタ
ーンのサイズを必然的に大きくしなければならない。こ
のことは、極力小型化しなければならないシステムLS
Iの技術課題に逆行する重大な問題点であった。
【0017】さらに、従来例3では、もともとアナログ
信号を差動増幅することが前提であって、その場合の出
力信号の非線形性を改善することが目的であるため、前
述した従来例1、2と比較してみても複雑で大きな回路
構成を採り得る。しかし、システムLSIの出力バッフ
ァ回路が目的ではないため、デジタル信号のバッファリ
ングには適さないことが問題点であった。
【0018】したがって、本発明の目的は、これらの技
術課題を一括して解決するものであり、メインバッファ
の十分な駆動能力とプリバッファの所定のFan−in
とを維持したまま、入力すべき微小信号に対して出力信
号を高速化できる出力バッファ回路を提供することにあ
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る出力バッファ回路は、一つの微小電流
を増幅する二つの電流増幅器と、それぞれの電流増幅器
による増幅信号を安定化させながらさらに増幅する二つ
のカレントミラー回路とを有しており、これらのカレン
トミラー回路における二つの出力段を相補回路に構成し
て一つの出力信号を得たことを特徴とする構成である。
【0020】この出力バッファ回路では、それぞれの電
流増幅器がプリバッファとして微小信号のFan−in
を小さく抑えるとともに、いずれかのカレントミラー回
路が遅れ時間を短くしたままで出力信号のFan−ou
tを大きなものにする。
【0021】本発明の請求項2に係る出力バッファ回路
は、前記カレントミラー回路の出力段が非線形増幅器で
あることを特徴とする構成である。これにより、カレン
トミラー回路の出力段のしきい値近傍で入力段をスイン
グさせる。
【0022】本発明の請求項3に係る出力バッファ回路
は、前記相補回路が、P型トランジスタとN型トランジ
スタとからなることを特徴とする構成である。これによ
り、出力バッファ回路を集積化させる。
【0023】本発明の請求項4に係る出力バッファ回路
は、前記相補回路の出力段が、増幅能力を有したP型M
OSFETと、N型MOSFETとからなることを特徴
とする構成である。これにより、他の周辺回路群との駆
動特性のマッチングを図る。
【0024】本発明の請求項5に係る出力バッファ回路
は、前記電流増幅器が、P型MOSFETと、N型MO
SFETとからなることを特徴とする構成である。これ
により、前段のドライバによる駆動特性とのマッチング
を図る。
【0025】本発明の請求項6に係る出力バッファ回路
は、前記相補回路の出力信号が所定の論理レベルを有し
たデジタル信号であることを特徴とする構成である。こ
れにより、出力信号により他の論理回路を作動させる。
【0026】本発明の請求項7に係る出力バッファ回路
は、前記カレントミラー回路の入力段が、微少電流のス
イッチング期間内で電流増幅器の増幅信号を抑止するゲ
ート回路を有することを特徴とする構成としてある。こ
れにより、少なくとも一方の電流増幅器が増幅電流の出
力を遅延させるため、二つの電流増幅器に同時に増幅電
流を流すタイミングが生じない。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づいて本
発明の実施の形態を説明する。図1〜3を参照しなが
ら、本発明に係る出力バッファ回路の一実施形態につい
て詳しく説明する。
【0028】図1は、本発明の一実施形態に適した出力
バッファ回路の一構成例の回路図である。この構成例の
出力バッファ回路は、同一の微小信号を増幅するための
二つの電流増幅器と、それぞれの電流増幅器による増幅
信号を安定化させながら増幅する二つのカレントミラー
回路とを有している。このうち、二つの電流増幅器から
プリバッファを、また、二つのカレントミラー回路から
メインバッファを構成している。
【0029】さらに、この出力バッファ回路は、これら
のカレントミラー回路における二つの出力段を相補回路
に構成して一つの出力端子としたものであり、一つの相
補出力からなる出力信号が得られる回路である。以下、
MOS型の電界効果トランジスタによる一例を述べる
が、接合型その他のものであっても適切なバイアスを設
定することにより、いずれを用いた構成を採ることもで
きる。
【0030】それぞれの電流増幅器は、Nチャネル形M
OS電界効果トランジスタ(以下、N形トランジスタと
いう)2と、Pチャネル形MOS電界効果トランジスタ
(以下、P形トランジスタという)3とである。これら
N形トランジスタ2およびP形トランジスタ3の二つの
ゲート入力を共通接続にして一つの微小信号の入力端子
とする。
【0031】N形トランジスタ2の後段に一方のカレン
トミラー回路を付加し、このカレントミラー回路の入力
段および出力段をP形トランジスタ1または5とする。
そして、これらのP形トランジスタ1、5のゲート入力
をP形トランジスタ1のドレインとともに共通接続し、
さらにN形トランジスタ2のドレイン出力とも接続す
る。
【0032】また、P形トランジスタ3の後段に他方の
カレントミラー回路を付加し、この他方のカレントミラ
ー回路の入力段および出力段をN形トランジスタ4また
は6とする。そして、これらN形トランジスタ4、6の
ゲート入力をN形トランジスタ4のドレインとともに共
通接続し、さらにP形トランジスタ3のドレイン出力と
も接続する。
【0033】各カレントミラー回路の出力段を構成する
P形トランジスタ5およびN形トランジスタ6は、それ
ぞれの入力段を構成するP形トランジスタ1またはN形
トランジスタ4と比べると、さらに大きな電流容量を有
したものでおり、他の後段の周辺回路に対する十分なF
an−out(駆動能力)を確保できるトランジスタで
ある。
【0034】〔動作の説明〕先ず、この構成例の動作に
ついてそのスイッチング作用を説明する。前準備とし
て、出力バッファ回路の電源(図では△印で示す)には
2.3Vの電圧が加えられる。図示しない演算回路の処
理結果に伴って駆動用のドライバーから微小信号が出力
され、たとえば低電位レベル(以下、Lレベルという)
から高電位レベル(以下、Hレベルという)になる。
【0035】すると、プリバッファのP形トランジスタ
3はOFFするが、N形トランジスタ2がONする。こ
れにより、N形トランジスタ2の増幅信号A1の電位
が、P形トランジスタ1の駆動能力(電位降下分に相
当)と釣り合う電位まで下がる。このためP形トランジ
スタ5がONする。
【0036】また、P形トランジスタ3のOFFによ
り、その増幅信号A2の電位が下がってN形トランジス
タ4がOFFするとともにN形トランジスタ6もOFF
する。このときP形トランジスタ5がONしているた
め、出力バッファの出力信号がHレベルになる。
【0037】次に、ドライバーによる微小信号がHレベ
ルからLレベルになると、こんどはN形トランジスタ2
はOFFするが、P形トランジスタ3がONする。これ
により、P形トランジスタ3の増幅信号A2の電位が、
N形トランジスタ4の駆動能力と釣り合う電位まで上が
る。このためN形トランジスタ6がONする。
【0038】また、N形トランジスタ2のOFFによ
り、その増幅信号A1の電位が下がってP形トランジス
タ1がOFFするとともにP形トランジスタ5もOFF
する。このときN形トランジスタ6がONしているた
め、出力バッファの出力信号はLレベルになる。したが
って、微小信号を増幅させた出力信号が得られる。
【0039】続いて、以上のスイッチング作用における
遅れ時間Tpdを、前述した従来例と比較しながら考察
する。前提として、駆動用のドライバーからみた入力端
子のFan−in、出力端子における駆動能力、および
電源の電圧が、それら従来例の場合と同じ値であるもの
とする。
【0040】図2は、図1に示す構成例の各トランジス
タに、サイズを表す数値の一例を記載した図である。図
2を参照すると、プリバッファの二つのトランジスタの
Lを0.24とし、メインバッファの出力段の二つのト
ランジスタのLを0.28、Wを1500または600
として、いずれも従来例1と同じ値とした。
【0041】また、プリバッファのN形トランジスタの
Wを1.0としてP形トランジスタのWを3.0とし
た。このため、実施例と従来例1との回路構成では、そ
れぞれの入力端子のFan−inおよびメインバッファ
の出力段のサイズが揃っており、また、同じ大きさの駆
動力を有したドライバーで駆動することができる。
【0042】この場合には、次に示す通りの遅れ時間T
pdが計測された。なお、従来例1による遅れ時間Tp
dを比較のために付記する。
【0043】図3(a)、(b)を併せて参照すると、
プリバッファの増幅信号A1,A2は、従来例1に比べ
ると狭い範囲でスイングしている。そして、この範囲内
に、メインバッファの出力段におけるトランジスタのし
きい値Vtが設定されている。言い換えると、このしき
い値Vtの近傍でのみ増幅信号A1,A2がスイングし
ている間に、出力段の各トランジスタがスイッチングを
行うことができる。このため、出力信号N01の遅れ時
間Tpdが削減されて結果的にスイッチングが高速に動
作できることになる。
【0044】したがって、本構成例と従来例1とでは、
入力端子のFan−inと出力端子の駆動能力が同じ値
であるから、駆動用のドライバと後段の他の回路に何ら
変更を加えることなく出力バッファ回路の置き換えが可
能である。一般的なシステムLSIでは、従来例1によ
る出力バッファ回路を用いていた場合であっても、単に
本構成例の出力バッファ回路に置き換えただけで、前述
した出力信号の高速化が可能になった。
【0045】なお、本構成例では、プリバッファのP形
トランジスタとメインバッファのN形トランジスタとの
駆動力が釣り合う状態で、プリバッファの増幅信号A
1、A2の電位が安定する。このため、メインバッファ
のトランジスタがONしているときに、そのプリバッフ
ァを貫通する電流が流れることになる。そこで、クロッ
ク信号を用いることにより、その立ち上がりエッジに同
期させて、このプリバッファを貫通する電流が流れるの
を阻止させることができる。
【0046】図4は、本発明の一実施形態に適した別の
一構成例の回路図であり、この構成例では、クロック信
号に同期してプリバッファの貫通電流が止められる。図
4を参照すると、トランジスタ1〜6による回路構成お
よびその回路動作は先の構成例と同じである。これに対
して、先の構成例のP形トランジスタ1のソースにP形
トランジスタ7のドレインを接続し、このP形トランジ
スタ7をP形トランジスタ1と電源との間に挿入する。
また、P形トランジスタ7のゲート入力には、論理和反
転(以下、NORという)回路10の出力端子を接続す
る。
【0047】同様にして、N形トランジスタ4のソース
とグランドとの間にN形トランジスタ9を挿入し、ま
た、N形トランジスタ9のゲート入力には、論理積反転
(以下、NANDという)回路11の出力端子を接続す
る。さらに、NOR回路10の二つの入力端子には、プ
リバッファの増幅信号A1およびインバータ回路12の
出力端子を接続する。NAND回路11の二つの入力端
子には、増幅信号A2およびクロック端子を接続する。
また、インバータ回路12の入力端子にもクロック端子
を接続する。
【0048】図5は、図4に示す別の構成例のスイッチ
ング動作に伴う波形図であり、図5(a)はクロック信
号の波形を示す。図5(b)は微小信号がHレベルの場
合の入力の、図5(c)は(b)の場合のプリバッファ
による二つの増幅信号の、図5(d)は同じく(b)の
場合の出力信号の、それぞれの波形を示す。また、図5
(e)は微小信号がLレベルの場合の入力の、図5
(f)は(e)の場合のプリバッファによる二つの増幅
信号の、図5(g)は同じく(e)の場合の出力信号
の、それぞれの波形を示してある。
【0049】図5を併せて参照すると、この別の構成例
では、クロック信号がLレベルのときに、それぞれ挿入
したP形トランジスタ7とN形トランジスタ9とが、い
ずれもONすることになる。これに対して、クロック信
号がHレベルのときは、駆動用のドライバによる微小信
号の入力がHレベルであればP形トランジスタ7がOF
Fする。また、この微小信号の入力がLレベルであれば
N形トランジスタ8がOFFする。
【0050】このため、プリバッファのN形トランジス
タ2とP形トランジスタ3とが同時にONしている状態
が生じなくなる。そして、プリバッファの増幅信号A1
またはA2の電位が、電源またはグランドの電圧レベル
のいずれか一方に常に固定される。このため、プリバッ
ファを貫通する電流が流れる状態がなくなり、したがっ
て、出力信号をいっそう安定させるとともに、余計な電
流消費を抑制することができる。また、一般に、システ
ムLSIではクロック同期を伴う回路を用いる場合がほ
とんどであるため、その場合にはクロック信号を特別に
用意する必要がない。
【0051】
【発明の効果】以上、詳しく説明したことから明らかな
ように、本発明の出力バッファ回路によれば、プリバッ
ファをそのまま用いてメインバッファ全体をカレントミ
ラー回路で構成した。このため、入力端子のFan−i
nと出力端子の駆動能力(Fan−out)とを維持し
たままで、微小信号の入力に対する出力信号の遅れ時間
が減少し、したがって、出力信号の高速化が可能な出力
バッファ回路を提供することができる。また、微少電流
のスイッチング期間内で増幅信号を抑止して少なくとも
一方の増幅電流の出力を遅延させる。このため一層安定
した出力信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の出力バッファの回路の一実施形態に適
した一構成例の回路図である。
【図2】図1に示す構成例の各トランジスタに、それら
のサイズを表す数値の一例を記載した図である。
【図3】図6に示す従来例1の出力バッファ回路の出力
波形を本発明の一実施形態と比較したタイムチャートで
ある。
【図4】本発明の一実施形態に適した別の一構成例の回
路図であり、クロック信号に同期させてプリバッファの
貫通電流を止める回路を示す。
【図5】図4に示す別の構成例のスイッチング動作に伴
う波形図である。
【図6】一従来例による出力バッファ回路の回路図であ
る。
【図7】別の一従来例による出力バッファ回路の回路図
である。
【符号の説明】
1、3、5 P形トランジスタ 2、4、6 N形トランジスタ A1、A2 増幅信号 H01 微小信号 N01 出力信号
フロントページの続き Fターム(参考) 5J056 AA04 BB02 BB12 BB15 BB17 BB19 CC00 CC02 DD13 DD29 EE11 FF01 FF08 HH01 HH02 KK01 5J069 AA01 AA18 AA43 AA54 AC03 CA81 CA85 FA10 FA18 FA20 HA10 HA16 HA17 HA39 KA04 KA09 KA15 KA33 KA47 KA56 MA02 MA08 MA21 TA01 TA06 5J091 AA01 AA18 AA43 AA54 CA81 CA85 FA10 FA18 FA20 HA10 HA16 HA17 HA39 KA04 KA09 KA15 KA33 KA47 KA56 MA02 MA08 MA21 TA01 TA06 UW09

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一つの微小電流を増幅する二つの電流増
    幅器と、 それぞれの電流増幅器による増幅信号を安定化させなが
    らさらに増幅する二つのカレントミラー回路とを有して
    おり、 これらのカレントミラー回路における二つの出力段を相
    補回路に構成して一つの出力信号を得たことを特徴とす
    る出力バッファ回路。
  2. 【請求項2】 前記カレントミラー回路の出力段が非線
    形増幅器であることを特徴とする請求項1記載の出力バ
    ッファ回路。
  3. 【請求項3】 前記相補回路が、P型トランジスタとN
    型トランジスタとからなることを特徴とする請求項1記
    載の出力バッファ回路。
  4. 【請求項4】 前記相補回路が、増幅能力を有したP型
    MOSFETと、N型MOSFETとからなることを特
    徴とする請求項1記載の出力バッファ回路。
  5. 【請求項5】 前記電流増幅器が、P型MOSFET
    と、N型MOSFETとからなることを特徴とする請求
    項1記載の出力バッファ回路。
  6. 【請求項6】 前記相補回路の出力信号が所定の論理レ
    ベルを有したデジタル信号であることを特徴とする請求
    項1記載の出力バッファ回路。
  7. 【請求項7】 前記カレントミラー回路の入力段が、微
    少電流のスイッチング期間内で電流増幅器の増幅信号を
    抑止するゲート回路を有することを特徴とする請求項1
    記載の出力バッファ回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013519327A (ja) * 2010-02-09 2013-05-23 トーシバ・リサーチ・ヨーロッパ・リミテッド 高パワー広帯域増幅器及び方法
US11316504B2 (en) 2018-08-02 2022-04-26 Fuji Electric Co., Ltd. Apparatus comprising a differential amplifier

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