JP2001305446A - レーザ描画装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基準スケールに複雑な構成の特異点を設ける
ことなく簡易な構成で走査画素の記録密度むらを補正す
るレーザ描画装置を提供すること。 【解決手段】 ラスターデータに基づいて変調されたレ
ーザビームをポリゴンミラー６７で主走査方向に偏向さ
せて描画ステージ５上の基板に照射させるとともに、描
画ステージ５を副走査方向に移動させてパターン描画す
るレーザ描画装置において、光の透過特性が異なる第
１，第２領域とが交互に主走査方向に並べられこれらの
領域にポリゴンミラー６７で偏向されたレーザビームが
照射される基準スケール７５と、基準スケール７５から
のレーザビームを検出する光検出器７６と、光検出器７
６からの基準クロック信号ａに基づいて描画クロック信
号ｆを生成する描画クロック生成回路１２２とを備え、
基準スケール７５は、走査開始側の先頭領域がこれに後
続する第１，第２領域の主走査方向の幅よりも広く形成
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
などの処理対象物に対してレーザビームを照射して所望
のパターンを描画するレーザ描画装置に係り、特に、画
素の記録密度むらを補正する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のレーザ描画装置は、感光材料が被
着されたプリント配線基板を載置するテーブルと、描画
用のレーザビームを主走査方向に偏向させるポリゴンミ
ラーやｆθレンズなどを含む結像光学系と、テーブルを
副走査方向に移動させる移動機構とを備えている。この
装置は、描画クロックで読み出されるラスターデータに
基づいてレーザビームを変調し、この変調されたレーザ
ビームを主走査方向に偏向させてテーブル上のプリント
配線基板に照射させるとともに、副走査方向にこのテー
ブルを移動させることにより、所望のパターンをプリン
ト配線基板に描画している。

【０００３】ｆθレンズとしては、図５（ａ）で破線で
示すような直線等速度の走査光学特性（像高特性）とな
るものが望まれている。しかしながら、実際のｆθレン
ズの走査光学特性は、図５（ａ）で実線で示すように、
レーザビームのスポットが一走査期間において微小時間
（画素単位程度の時間）単位レベルで完全な直線等速度
にならずに、歪みを有するものになっている。その結
果、レーザスポットの主走査速度は、図５（ｂ）で実線
で示すように、一走査期間の端部で速くなる特性となっ
ている。このため、一定周波数の描画クロックを用いる
場合、間隔ムラがありかつ不均一に配列された画素で描
画パターンがプリント配線基板に描画されるという不均
一性、すなわち画素の記録密度むら（描画パターンの位
置ずれ＝走査歪み）が発生してしまう。

【０００４】そこで、この画素の記録密度むらを補正す
るために、この従来例装置には、描画用のレーザビーム
とは別に同一の結像光学系を経由させる参照用のレーザ
ビームと、この参照用のレーザビームを透過させるスリ
ット部と参照用のレーザビームを遮光する遮光部とが交
互に一定のピッチで主走査方向に並べられた基準スケー
ルと、この基準スケールから出射される参照用のレーザ
ビームの強弱を検出する光検出器と、レーザビームの主
走査方向への走査開始を検出して描画開始位置を特定す
るための描画開始信号を出力するスタートセンサとが備
えられている。この装置では、画素の記録密度むらを補
正する処理を、以下のように行っている。光検出器は、
基準スケールから出射された参照用のレーザビームの強
弱を検出して、ｆθレンズの走査歪に応じた基準クロッ
ク信号を出力する。スタートセンサは、レーザビームの
主走査方向への走査開始を検出して描画開始位置を特定
するための描画開始信号を出力する。光検出器からの走
査歪に応じた基準クロック信号と、スタートセンサから
の描画開始信号とに基づいて描画クロック信号を生成
し、この描画クロック信号を用いてレーザ描画してい
る。このように、ｆθレンズの走査歪に応じた基準クロ
ック信号を用いることで、画素の記録密度むらを補正し
ている。

【０００５】しかしながら、基準スケールからなる光検
出器に加えてスタートセンサがあると、基準スケールや
スタートセンサの位置調整に時間がかかる等、装置が複
雑化するという問題がある。

【０００６】そこで、装置を複雑化させないためにスタ
ートセンサを用いないものとして、例えば、特開昭54-6
8256号公報，特開昭62-246010 号公報に示すようなレー
ザ描画装置がある。これらの装置では、基準スケールの
一部分（描画開始位置に相当する部分）にそのパターン
を変えた特異点を設け、この特異点を検出することで描
画開始信号を生成している。よって、スタートセンサを
用いることなく描画開始信号を生成できる。具体的に
は、図６（ａ）に示すように、この基準スケール８の特
異点Ｓp は、他の部分とは面積比が異なるようにスリッ
ト部８ａと遮光部８ｂとが形成されている。この特異点
Ｓp では、他の部分とは位相及びデューティの異なる信
号が検出される。また、これ以外の特異点Ｓp として
は、図６（ｂ），（ｃ）に示すようなものがある。図６
（ｂ）では、基準スケール８の間隔Ｄの領域をｘ方向に
レーザビームが照射され、この領域において他の部分と
は光透過率が異なるように、スリット部８Ａまたは遮光
部８Ｂの形状を変えて特異点Ｓp を形成している。ここ
では、スリット部８Ａの形状を変えている。この特異点
Ｓp では、他の部分とは光強度の異なる信号が検出され
る。図６（ｃ）では、スリット部８ｃと遮光部８ｄとは
別の光透過率を有する特殊スリット部８ｅを設けて特異
点Ｓp を形成している。ここでは、この特殊スリット部
８ｅを、スリット部８ｃまたは遮光部８ｄよりさらに光
透過率の高いものとしている。この特異点Ｓp では、他
の部分とは光強度の異なる信号が検出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。基準スケールの描画開始位置に相当する部分に、
前述したような複雑な構成の特異点を設けるようにして
この基準スケールを設計する必要がある。さらに、基準
スケールの特異点の位置を実際の描画開始位置に合わせ
るためにこの基準スケールの取り付け位置の微調整が必
要であるという問題がある。また、この基準スケールの
等ピッチのスリット部のパターンを検出して走査歪に応
じた基準クロック信号を生成する以外に、この基準スケ
ールの特異点を検出するための専用の特別な検出回路が
必要となり、その部分の調整も必要であるという問題が
ある。また、ポリゴンミラーの面毎の角度むらなどによ
り、ポリゴンミラーの面毎に走査速度が変動すると、基
準スケールを走査する走査開始位置が変動する。具体的
には、この走査開始位置の変動は１スリット以内に収ま
らず、走査が開始されるスリット位置が１スリット以上
にわたってばらつき、位置的にも不安定である。また、
スリットの途中位置（中間位置）から走査が開始される
場合もあり、この走査開始位置の検出波形は歪んだもの
となり、信号的にも不安定である。そのため、基準スケ
ールの走査開始側のある程度の距離を置いた箇所以降で
は、レーザビームの走査開始位置の変動による影響を受
けないし、安定した信号が得られるという理由から、基
準スケールのある程度の距離を置いた位置に前述の特異
点を設けなければならず、さらに基準スケールが大きく
なるという問題がある。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、複雑な構成の特異点やこれを検出する
ための特別な検出回路を設けることなく簡易な構成で画
素の記録密度むらの補正処理を高精度に行うレーザ描画
装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載のレーザ描画装置は、描画クロック
で読み出されるラスターデータに基づいて生成される描
画信号によりレーザビームを変調し、この変調されたレ
ーザビームを偏向手段で主走査方向に偏向させて処理対
象物に照射させるとともに、副走査方向にレーザビーム
と前記処理対象物とを移動手段で相対的に移動させるこ
とにより所望のパターンを前記処理対象物に描画するレ
ーザ描画装置において、光特性が異なる第１領域と第２
領域とが交互に主走査方向に並べられ、これらの領域に
前記偏向手段で偏向されたレーザビームが照射される格
子部と、前記格子部からのレーザビームを検出する検出
手段と、前記検出手段からの検出信号に基づいて前記描
画クロックを生成する信号生成手段とを備えるととも
に、前記格子部は、走査開始側にあたる先頭領域がこれ
に後続する第１および第２領域の主走査方向の幅よりも
広く形成されていることを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項２に記載のレーザ描画装置
は、請求項１に記載のレーザ描画装置において、前記信
号生成手段は、前記検出手段からの検出信号をカウント
したカウント値が所定の設定値に到達すると描画開始信
号を出力するカウンタ部と、前記カウンタ部からの描画
開始信号を受けると、これ以降に前記検出手段から検出
された検出信号に基づいて描画クロックを生成して出力
する描画クロック発生手段とを備えていることを特徴と
するものである。

【００１１】また、請求項３に記載のレーザ描画装置
は、請求項２に記載のレーザ描画装置において、前記カ
ウンタ部で用いるための設定値を記憶する記憶手段を備
えていることを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項４に記載のレーザ描画装置
は、請求項２に記載のレーザ描画装置において、処理対
象物のサイズに応じて値の異なる設定値をそれぞれ記憶
する記憶手段と、描画しようとする処理対象物のサイズ
に応じた設定値を前記記憶手段から読み出して前記カウ
ンタ部に設定する制御部とを備えていることを特徴とす
るものである。

【００１３】また、請求項５に記載のレーザ描画装置
は、請求項１に記載のレーザ描画装置において、前記格
子部の先頭領域の幅を主走査方向に変更する変更手段を
備えていることを特徴とするものである。

【００１４】

【作用】請求項１に記載の装置発明の作用は次のとおり
である。格子部は、光特性が異なる第１領域と第２領域
とが交互に主走査方向に並べられ、走査開始側にあたる
先頭領域がこれに後続する第１および第２領域の主走査
方向の幅よりも広く形成されている。偏向手段で偏向さ
れたレーザビームは、格子部にその先頭領域から主走査
方向に照射される。検出手段は、格子部からのレーザビ
ームを検出する。信号生成手段は、検出手段からの検出
信号に基づいて描画クロックを生成する。したがって、
偏向手段で偏向されたレーザビームの格子部における照
射開始位置が偏向手段などによりばらついたとしても、
必ず、先頭領域に後続する最初の第１または第２領域を
横切るようにレーザビームが照射されるので、格子部の
走査開始側の最初の検出位置から安定した描画クロック
が得られる。

【００１５】また、請求項２に記載の装置発明によれ
ば、カウンタ部は、検出手段からの検出信号をカウント
したカウント値が所定の設定値に到達すると描画開始信
号を出力する。描画クロック発生手段は、カウンタ部か
らの描画開始信号を受けると、これ以降に検出手段から
検出された検出信号に基づいて描画クロックを生成して
出力する。したがって、格子部における設定値に対応す
る検出位置から描画クロックが得られる。

【００１６】また、請求項３に記載の装置発明によれ
ば、記憶手段は、カウンタ部で用いるための設定値を記
憶する。したがって、格子部の任意の検出位置を描画開
始位置として設定できる。

【００１７】また、請求項４に記載の装置発明によれ
ば、記憶手段は、処理対象物のサイズに応じて値の異な
る設定値をそれぞれ記憶する。制御部は、描画しようと
する処理対象物のサイズに応じた設定値を記憶手段から
読み出してカウンタ部に設定する。したがって、描画し
ようとする処理対象物のサイズに応じて格子部の検出位
置を変更できる。

【００１８】また、請求項５に記載の装置発明によれ
ば、変更手段は、格子部の先頭領域の幅を主走査方向に
変更する。したがって、格子部の走査開始側の最初の検
出位置を任意に変更することができ、描画開始位置を任
意の位置に変更できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。本発明に係るレーザ描画装置の一
例であるプリント配線基板製造装置は、以下に示すよう
な第１，第２制御機能を備えている。 （１）第１制御機能は、基準スケールに複雑な構成の特
異点を形成することなく基準スケールの任意の検出位置
から描画クロック信号を生成する機能である。 （第１制御例） （２）第２制御機能は、描画しようとするプリント配線
基板のサイズに応じて基準スケールの検出位置を変更す
る機能である。（第２制御例）このような第１，第２制
御機能を備えたプリント配線基板製造装置は、以下の通
りに構成されている。

【００２０】図１は、本発明に係るレーザ描画装置の一
例であるプリント配線基板製造装置の概略構成を示す斜
視図である。

【００２１】本実施例に係るプリント配線基板製造装置
は、図１に示すように、大きく分けて、感光材料が被着
されたプリント配線基板（処理対象物）Ｓを載置する描
画ステージ５と、描画用のレーザビームＬＢや参照用の
レーザビームＬＢ’を主走査方向（ｘ方向）に偏向させ
るポリゴンミラー６７やｆθレンズ６８などを含む結像
光学系２１と、描画ステージ５を副走査方向（ｙ方向）
に移動させる移動機構と、ＣＡＤ（Computer Aided Des
ign ）を使って設計されたプリント配線基板のアートワ
ークデータを処理するデータ処理部１０１と、このデー
タ処理部１０１からのデータに基づいて描画制御する描
画制御部１０２とで構成されている。

【００２２】描画ステージ５の移動機構は以下のように
構成されている。この装置の基台１の上面には、一対の
ガイドレール３が配設されており、それらのガイドレー
ル３の間には、サーボモータ７によって回転される送り
ネジ９が配備されている。この送りネジ９には、描画ス
テージ５がその下部で螺合されている。描画ステージ５
は、ガイドレール３に沿って摺動自在に取り付けられた
ステージ基台１０と、プリント配線基板Ｓを吸着載置す
るための載置テーブル１５を備えている。

【００２３】なお、上述したガイドレール３と、サーボ
モータ７と、送りネジ９とで構成される移動機構が本発
明における移動手段に相当する。

【００２４】描画ステージ５がサーボモータ７の駆動に
より移動されるｙ方向（副走査方向）には、処理位置Ｐ
Ｙにて描画用のレーザビームＬＢや参照用のレーザビー
ムＬＢ’をｘ方向（主走査方向）に偏向しながら下方に
向けて照射する結像光学系２１が配設されている。この
結像光学系２１は門型状のフレームによって基台１の上
部に配設されており、サーボモータ７が駆動されると描
画ステージ５が結像光学系２１に対して進退するように
なっている。

【００２５】次に、結像光学系２１について説明する。
レーザ光源４１は、例えば、半導体を励起光源とした波
長５３２μｍの固体レーザである。このレーザ光源４１
から射出されたレーザビームＬＢａは、分離ミラー４２
によって、そのまま直進してコーナーミラー４３に入射
されるレーザビームＬＢａ’と、方向をほぼ９０°変え
られて参照光レンズ４４に入射されるレーザビームＬＢ
ａ”とに分離される。

【００２６】レーザビームＬＢａ’はコーナーミラー４
３によって方向をほぼ９０°変えられ、ビームエキスパ
ンダー４５に入射される。このビームエキスパンダー４
５によって所定のビーム径に調整されたレーザビームＬ
Ｂａ’は、ビームスプリッタ４７によって例えば８本の
レーザビームＬＢｂに分割される（図１中では省略して
ある）。８本に分割されたレーザビームＬＢｂは、集光
レンズ４９およびコーナーミラー５１によって各々、音
響光学変調器（acousto optical modulator ：ＡＯＭ）
５３に対して平行に入射されるとともに、音響光学変調
器５３内の結晶中で結像し、後述する描画制御部１０２
からの制御信号により各々が独立してラスターデータに
基づいて生成される描画信号によって変調されるように
なっている。音響光学変調器５３で変調されたレーザビ
ームＬＢｃは、コーナーミラー５５で反射されてリレー
レンズ系５７を介してビーム合成器５８に入射される。

【００２７】レーザビームＬＢａ”は、参照光レンズ４
４を通過し、コーナーミラー４６によって方向をほぼ９
０°変えられ、ビーム合成器５８に入射される。

【００２８】ビーム合成器５８で合成されたレーザビー
ムＬＢｃとレーザビームＬＢａ”とは、シリンドリカル
レンズ５９と、コーナーミラー６１と、球面レンズ６３
と、コーナーミラー６５とを介してポリゴンミラー６７
に導かれる。そして、ポリゴンミラー６７の各面上で主
走査方向（ｘ方向）に長い線状のスポットを形成する。

【００２９】本発明の偏向手段に相当するポリゴンミラ
ー６７の回転によって水平面内で偏向走査された線状の
レーザビームＬＢｃとレーザビームＬＢａ”とは、ｆθ
レンズ６８を通った後、主走査方向に長尺の折り返しミ
ラー６９で下方に向けて折り返される。そして、このレ
ーザビームＬＢｃとレーザビームＬＢａ”とは、露光面
への入射角がほぼ垂直になるようにフィールドレンズ７
１で補正された後、シリンドリカルレンズ７３を通過す
るよう照射される。シリンドリカルレンズ７３は、主走
査方向に長尺であり、副走査方向にのみパワーを有して
いる。シリンドリカルレンズ７３を介したレーザビーム
ＬＢｃは載置テーブル１５に向けて照射され、シリンド
リカルレンズ７３を介したレーザビームＬＢａ”はミラ
ー７４に照射され基準スケール７５の方に反射されるよ
うになっている。この基準スケール７５に照射されたレ
ーザビームＬＢａ”は、光検出器７６で検出される。

【００３０】上述したポリゴンミラー６７上のレーザビ
ームＬＢｃの線状スポットは、ｆθレンズ６８と、フィ
ールドレンズ７１と、シリンドリカルレンズ７３との作
用によって、載置テーブル１５上で所定径のスポットを
形成して結像し、ポリゴンミラー６７が回転することに
より主走査方向（ｘ方向）に移動するレーザビームＬＢ
（最大８本のレーザビームからなる）を形成する。ま
た、このポリゴンミラー６７上のレーザビームＬＢａ”
の線状スポットは、ｆθレンズ６８と、フィールドレン
ズ７１と、シリンドリカルレンズ７３との作用によっ
て、基準スケール７５上で所定径のスポットを形成して
結像し、ポリゴンミラー６７が回転することにより主走
査方向（ｘ方向）に移動する参照用のレーザビームＬ
Ｂ’を形成する。このように、レーザビームＬＢｃとレ
ーザビームＬＢａ”とは、結像光学系２１のビーム合成
器５８からシリンドリカルレンズ７３までの同一光路を
経由しているが、これらの各光学部材におけるレーザビ
ームＬＢｃ，ＬＢａ”の通過あるいは反射ポイントは、
厳密には僅かにずらした所としている。

【００３１】ここで、基準スケール７５について図２を
用いて説明する。図２（ａ）は基準スケール７５の構成
を示す平面図であり、図２（ｂ）は基準スケール７５に
よる基準クロック信号ａの出力タイミングを示す図であ
る。基準スケール７５は、光特性（光の透過率）が異な
る第１領域と第２領域としてのレーザビームを透過する
スリット部７５ａとレーザビームを遮光する遮光部７５
ｂとが交互に主走査方向に並べられており、さらに、こ
の走査開始側にあたる先頭領域がこれに後続するスリッ
ト部７５ａおよび遮光部７５ｂの主走査方向の幅よりも
広く形成されている。この先頭領域は、例えば、遮光部
７５ｂとしている。この先頭領域の遮光部７５ｂを除い
て、これに後続するスリット部７５ａと遮光部７５ｂと
は等ピッチに形成されている。例えば、ポリゴンミラー
６７の各ポリゴン面の角度にばらつきがあると、ポリゴ
ン面毎の走査速度にばらつきが生じてしまい、レーザビ
ームの基準スケール７５への照射開始位置がポリゴン面
毎に変動することになる。そこで、この先頭領域の遮光
部７５ｂは、このようなレーザビームの基準スケール７
５への照射開始位置の変動分を十分に吸収できる程度の
大きさとしている。なお、この基準スケール７５は、そ
の最初の検出位置が実際に描画可能な描画有効範囲にお
ける描画開始側の最初の位置（図１に示す描画基準位置
ＰＸ）に一致するように配置されている。

【００３２】なお、上述した基準スケール７５が本発明
における格子部に相当する。

【００３３】続いて、光検出器７６について説明する。
図１に示すように、基準スケール７５のレーザビームの
入射側とは反対側（裏面）には、光検出器７６が対向配
置されている。光検出器７６は、基準スケール７５の裏
面に沿うように長手形状でこの基準スケール７５を介し
たレーザビームを内部に伝搬させて端部の方に集光する
集光器７６ａと、この集光されたレーザビームを検出す
るように集光器７６ａの両端にそれぞれ設けられた光検
出部７６ｂとを備えている。光検出器７６は、基準スケ
ール７５によるレーザビームＬＢａ”の強弱を検出して
いる。この光検出器７６で検出されるレーザビームＬＢ
ａ”の強弱（光の強弱）は、基準スケール７５のスリッ
ト部７５ａと遮光部７５ｂとにより周期的に変化し、そ
の周期的な変化は参照用のレーザビームの走査速度に応
じたものとなる。光検出器７６は、この光の強弱を電気
的なパルス信号に変換して、参照用のレーザビームの走
査速度に応じた基準クロック信号ａを出力する。

【００３４】なお、上述した光検出器７６が本発明にお
ける検出手段に相当する。

【００３５】描画ステージ５の最下層に配備されている
ステージ基台１０の結像光学系２１側には、検出部９１
が主走査方向に並んで二つ配設されている。各検出部９
１は、ステージ基台１０から処理位置ＰＹに向けて立設
されたアーム９３と、このアーム９３の上部に配備され
た描画基準位置センサ９５とを備えている。このアーム
９３は、描画基準位置センサ９５が載置テーブル１５の
高さ位置とほぼ同じ高さ位置となるようにするものであ
る。

【００３６】この描画基準位置センサ９５は、この受光
面に照射されたレーザビームの主走査方向および副走査
方向の位置が検出可能なセンサである。この描画基準位
置センサ９５として、例えば、ＣＣＤ型二次元撮像素子
を用いている。二つの描画基準位置センサ９５は、描画
ステージ５が待機位置にある際には、ともにそのｙ方向
の中央部分が処理位置ＰＹに位置し、主走査開始側に近
い方の描画基準位置センサ９５はそのｘ方向の中央部分
が描画基準位置ＰＸに位置し、主走査開始側から遠い方
の描画基準位置センサ９５（図１参照）はそのｘ方向の
中央部分が描画終了位置ＰＸ’に位置するようにして、
上述したアーム９３の上部に配設されている。

【００３７】これらの描画基準位置センサ９５は、図１
に示すように、描画基準位置ＰＸをレーザビーム検出位
置としこの描画基準位置ＰＸにレーザビームが照射され
るとこれを検出して描画基準位置信号ｈを出力し、描画
終了位置ＰＸ’をレーザビーム照射終了位置としこの描
画終了位置ＰＸ’にレーザビームが照射されるとこれを
検出して描画終了位置信号ｈ’を出力するものとする。
このように、描画基準位置信号ｈと描画終了位置信号
ｈ’とを後述するメインコントローラ１２１に出力する
ことで、レーザビームの描画有効範囲を特定している。

【００３８】次に、データ処理部１０１と描画制御部１
０２とについて、図３を用いて説明する。図３は、プリ
ント配線基板製造装置の概略構成を示すブロック図であ
る。データ処理部１０１は、ＣＡＤを使って設計された
プリント配線基板のアートワークデータが入力され、ラ
スター走査描画のためのランレングスデータに変換す
る。このデータ処理部１０１として、例えば、ワークス
テーションやパーソナルコンピュータなどを用いてい
る。

【００３９】描画制御部１０２は、ランレングスデータ
バッファ１１２と、ラスタ変換回路１１３と、描画デー
タバッファメモリ１１４と、描画処理部１１５とで構成
されている。

【００４０】ランレングスデータバッファ１１２は、デ
ータ処理部１０１で変換されたランレングスデータ全て
を一旦記憶する。ラスタ変換回路１１３は、順次読み出
されたランレングスデータを画素単位のラスターデータ
に変換する。描画データバッファメモリ１１４は、１走
査毎にラスターデータを記憶する。描画処理部１１５
は、ラスタ変換回路１１３にラスタ変換指示を与え、描
画データバッファメモリ１１４に記憶されているラスタ
ーデータを、後述する描画クロック生成回路１２２から
の描画クロック信号ｆで読み出して音響光学変調器５３
に出力する。音響光学変調器５３は、この読み出された
ラスターデータによって生成される描画信号に基づいて
レーザビームを変調する。

【００４１】この描画処理部１１５は、メインコントロ
ーラ１２１と、描画クロック生成回路１２２と、ポリゴ
ン回転制御部１２３と、Ｙ軸同期制御部１２４とを備え
ている。

【００４２】メインコントローラ１２１には、描画開始
位置指定データ（設定値）ｃや、描画基準位置センサ９
５で検出した描画基準位置信号ｈや、ポリゴン面検出器
１２６からの面信号ｉ（ポリゴンミラー６７のレーザビ
ームが照射されている面を示す信号）などが入力され
る。メインコントローラ１２１は、描画開始位置指定デ
ータｃに基づいて描画クロック生成回路１２２を制御
し、ポリゴン回転制御部１２３とＹ軸同期制御部１２４
とを制御する。

【００４３】なお、ポリゴン面検出器１２６は、レーザ
ビームが照射されているポリゴンミラー６７の面を検出
するためのものである。このポリゴン面検出器１２６
は、例えば、ポリゴンミラー６７に形成されているマー
クを光学的に検出してポリゴンミラー６７の第１面を検
出し、面信号ｉをメインコントローラ１２１に出力す
る。メインコントローラ１２１は、ポリゴンミラー６７
の残りの第２面から第ｎ面については後述する描画開始
信号生成回路１３１からの描画開始信号ｂをカウントす
ることで検出している。

【００４４】描画クロック生成回路１２２は、光検出器
７６からの検出信号である基準クロック信号ａに基づい
て描画クロック信号ｆを生成するものであり、描画開始
信号生成回路１３１と描画クロック発生回路１３２とを
備えている。ポリゴン回転制御部１２３は、メインコン
トローラ１２１からの指示に従ってポリゴンミラー６７
を回転制御する。Ｙ軸同期制御部１２４は、メインコン
トローラ１２１からの指示に従って、レーザ描画に同期
させて描画ステージ５をｙ軸方向に駆動制御する。

【００４５】描画開始信号生成回路１３１は、図４に示
すように、描画開始位置設定レジスタ１４１と、基準ク
ロック信号用カウンタ１４２と、比較器１４３とを備え
ている。図４は、描画制御部の要部の構成を示すブロッ
ク図である。この描画開始信号生成回路１３１は、光検
出器７６からの基準クロック信号ａをカウントしたカウ
ント値が所定の設定値としての描画開始位置指定データ
ｃに到達すると描画開始信号ｂを出力する。なお、メイ
ンコントローラ１２１は、入力された描画開始位置指定
データｃを描画開始位置設定レジスタ１４１に設定す
る。ここで、この描画開始位置指定データｃとは、描画
クロック発生回路１３２からの描画クロック信号ｆの出
力タイミングを設定するためのものである。

【００４６】描画開始位置設定レジスタ１４１は、メイ
ンコントローラ１２１から設定される描画開始位置指定
データｃを記憶保持する。この設定値に相当する描画開
始位置指定データｃは、比較器１４３に出力される。基
準クロック信号用カウンタ１４２は、光検出器７６から
の基準クロック信号ａをカウントしたカウント値を比較
器１４３に出力する。比較器１４３は、基準クロック信
号用カウンタ１４２からのカウント値が設定値に到達す
ると、描画クロック発生回路１３２に描画開始信号ｂを
出力する。

【００４７】描画クロック発生回路１３２は、描画開始
信号ｂを受けると、これ以降に光検出器７６から検出さ
れた基準クロック信号ａに基づいて描画クロック信号ｆ
を生成して描画データバッファメモリ１１４に出力す
る。ここでは、描画開始信号ｂを受けた以降の光検出器
７６からの基準クロック信号ａをそのまま描画クロック
信号ｆとして描画データバッファメモリ１１４に出力し
ている。

【００４８】このように描画クロック生成回路１２２か
らの描画クロック信号ｆに従って、描画データバッファ
メモリ１１４から各チャンネル毎のラスターデータがそ
れぞれ読み出される。そして、チャンネル毎の描画信号
で対応するレーザビームがそれぞれ変調され、変調され
た描画用の各レーザビームがプリント配線基板Ｓに照射
され、位置ずれ補正された描画パターンがプリント配線
基板Ｓに形成される。このように、ポリゴンミラー６７
やｆθレンズ６８などによる走査歪に応じた描画クロッ
ク信号ｆを用いることで、走査画素の記録密度むらの補
正処理を高精度に行うことができる。

【００４９】なお、上述した描画クロック生成回路１２
２が本発明における信号生成手段に相当し、上述した描
画開始信号生成回路１３１が本発明におけるカウンタ部
に相当し、上述した描画クロック発生回路１３２が本発
明における描画クロック発生手段に相当し、上述した描
画開始位置設定レジスタ１４１が本発明における記憶手
段に相当する。

【００５０】続いて、以上の構成を有する実施例のプリ
ント配線基板製造装置において、前述の第１，第２制御
例について順に説明する。 〈第１制御例〉ここでは、以上の構成を有する実施例の
プリント配線基板製造装置において、基準スケール７５
に複雑な構成の特異点を形成することなくこの基準スケ
ール７５の任意の検出位置から描画クロック信号を生成
する動作（第１制御機能）について説明する。

【００５１】図４に示すように、プリント配線基板Ｓへ
のレーザ描画を開始する前に、描画開始位置指定データ
ｃ（例えば、設定値を「５」としている。）がＣＰＵ
（中央処理装置）等によって予めメインコントローラ１
２１に入力される。メインコントローラ１２１は、この
描画開始位置指定データｃ（設定値「５」）を描画開始
位置設定レジスタ１４１に設定する。また、基準スケー
ル７５に参照用のレーザビームの走査が開始される前
に、メインコントローラ１２１からの指示ｄに基づいて
基準クロック信号用カウンタ１４２のカウント値が初期
化される。

【００５２】次に、この状態で参照用のレーザビームの
基準スケール７５への走査が開始されると、図２（ａ）
に示すように、参照用のレーザビームが基準スケール７
５の先頭領域から主走査方向（ｘ方向）に照射される。
基準スケール７５のスリット部７５ａでは参照用のレー
ザビームは透過して光検出器７６に到達し、基準スケー
ル７５の遮光部７５ｂでは参照用のレーザビームは遮光
されて光検出器７６に到達しない。このようにして、光
検出器７６は、基準スケール７５による参照用のレーザ
ビームの周期的な強弱を検出する。光検出器７６は、図
４に示すように、この周期的な強弱に応じた基準クロッ
ク信号ａを描画クロック生成回路１２２に出力する。具
体的には、この周期的な強弱に応じた基準クロック信号
ａは、描画開始信号生成回路１３１内の基準クロック信
号用カウンタ１４２と、描画クロック発生回路１３２と
に入力される。

【００５３】基準クロック信号用カウンタ１４２は、こ
の基準クロック信号ａをカウントしそのカウント値を比
較器１４３に順次出力する。比較器１４３には、描画開
始位置設定レジスタ１４１に設定された描画開始位置指
定データｃ（設定値「５」）も入力されている。比較器
１４３は、基準クロック信号用カウンタ１４２からの基
準クロック信号ａのカウント値が設定値「５」に到達す
ると、描画開始信号ｂを描画クロック発生回路１３２に
出力する。描画クロック発生回路１３２は、描画開始信
号ｂを受けた以降の光検出器７６からの基準クロック信
号ａをそのまま描画クロック信号ｆとして描画データバ
ッファメモリ１１４に出力する。

【００５４】なお、基準クロック信号用カウンタ１４２
のカウント値の初期化は、参照用のレーザビームが基準
スケール７５に対して入射されない期間（走査無効期
間）に行われる。このように、走査無効期間に基準クロ
ック信号用カウンタ１４２のカウント値の初期化を行っ
ておくことで、次の走査有効期間（参照用のレーザビー
ムが基準スケール７５に対して入射される期間）に入力
される基準クロック信号ａを最初からカウントでき、走
査毎に必ず、基準スケール７５の最初の検出位置を描画
開始位置基準とすることができる。

【００５５】描画クロック発生回路１３２からの走査歪
に応じた描画クロック信号ｆでラスターデータが読み出
される。音響光学変調器５３は、描画信号に基づいてレ
ーザビームを変調する。変調された描画用のレーザビー
ムがプリント配線基板Ｓに照射され、位置ずれ補正され
た描画パターンがプリント配線基板Ｓに形成される。具
体的には、図５（ｃ）に示すように、ポリゴンミラー６
７やｆθレンズ６８などによる走査歪に応じた描画クロ
ック信号ｆを用いることで、図５（ｄ）に示すように等
間隔でかつ均等に配列された画素で描画パターンがプリ
ント配線基板Ｓに描画され、走査画素の記録密度むらの
補正処理が高精度に行われている。

【００５６】このように、基準スケール７５の先頭領域
をこれに後続するスリット部７５ａおよび遮光部７５ｂ
の主走査方向の幅よりも広く形成しているので、ポリゴ
ンミラー６７で偏向されたレーザビームの基準スケール
７５における照射開始位置がポリゴンミラー６７の面毎
の角度むらなどによりばらついたとしても、必ず、先頭
領域に後続する最初のスリット部７５ａまたは遮光部７
５ｂを横切るようにレーザビームが照射されることにな
り、基準スケール７５の走査開始側の最初の検出位置か
ら安定した描画クロックが得られる。したがって、前述
の従来例のような複雑な構成の特異点を基準スケール７
５に形成することなく、この基準スケール７５の指定さ
れた検出位置から安定した描画クロック信号ｆを得るこ
とができる。前記の複雑な構成の特異点を用いないの
で、この複雑な構成の特異点を検出するための前述の従
来例のような特別な検出構成も不要にできる。その結
果、簡易な構成で、走査画素の記録密度むらの補正処理
を高精度に行うことができる。また、描画開始位置指定
データｃ（設定値）を適宜変更することによって、基準
スケール７５の任意の検出位置から安定した描画クロッ
ク信号ｆを得ることができる。具体的には、設定値を
「０」とすると、基準スケール７５の走査開始側の最初
の検出位置から安定した描画クロック信号ｆを得ること
ができる。また、設定値を前記の「０」，「５」以外の
値としても、基準スケール７５のその設定値に対応する
検出位置から安定した描画クロック信号ｆを得ることが
できる。

【００５７】なお、この第１制御例では、基準スケール
７５を、その最初の検出位置が実際に描画可能な描画有
効範囲における描画開始側の最初の位置（図１に示す描
画基準位置ＰＸ）に一致するように配置しているが、こ
の基準スケール７５を大体の取り付け位置に取り付ける
だけでも良い。この場合は、基準スケール７５における
実際の描画開始位置に相当する検出位置を描画開始位置
として適宜変更するだけで良く、基準スケール７５の取
り付け位置を実際に移動させて微調整する必要はない。
したがって、基準スケール７５の取り付け調整を簡単に
行うことができ、描画開始位置を容易に任意の位置に変
更できる。

【００５８】〈第２制御例〉続いて、描画しようとする
プリント配線基板Ｓのサイズに応じて基準スケール７５
の検出位置を変更する動作（第２制御機能）について説
明する。

【００５９】本実施例装置は、描画しようとするプリン
ト配線基板Ｓのサイズに応じて基準スケール７５の検出
位置を変更するために、プリント配線基板Ｓのサイズに
応じて値の異なる描画開始位置指定データｃ（設定値）
をそれぞれ記憶する描画開始位置設定レジスタ１４１
と、描画しようとするプリント配線基板Ｓのサイズに応
じた設定値を描画開始位置設定レジスタ１４１から読み
出して基準クロック信号用カウンタ１４２に設定するメ
インコントローラ１２１とを備えている。

【００６０】なお、この描画開始位置設定レジスタ１４
１とが本発明における記憶手段に相当し、メインコント
ローラ１２１が本発明における制御部に相当する。

【００６１】続いて、この実施例装置において、描画し
ようとするプリント配線基板Ｓのサイズに応じて基準ス
ケール７５の検出位置を変更する動作について説明す
る。

【００６２】例えば、描画しようとするプリント配線基
板Ｓのサイズは１種類とは限らず、種々の異なるサイズ
のものも取り扱われることがある。

【００６３】図４に示すように、プリント配線基板Ｓへ
のレーザ描画を開始する前に、プリント配線基板Ｓのサ
イズに応じて値の異なる複数個（ｎ個）の描画開始位置
指定データｃ₁ 〜ｃ_n がＣＰＵ（中央演算装置）等によ
って予めメインコントローラ１２１に入力される。メイ
ンコントローラ１２１は、この複数個の描画開始位置指
定データｃ₁ 〜ｃ_n を描画開始位置設定レジスタ１４１
に設定する。また、基準スケール７５に参照用のレーザ
ビームの走査が開始される前に、メインコントローラ１
２１からの指示ｄに基づいて基準クロック信号用カウン
タ１４２のカウント値が初期化される。

【００６４】これから描画しようとするプリント配線基
板Ｓのサイズに対応する描画開始位置指定データ（例え
ば、ｃ₃ とし、このｃ₃ の設定値は「10」であるとす
る。）がＣＰＵからメインコントローラ１２１に指示さ
れる。メインコントローラ１２１は、ＣＰＵから指示さ
れたプリント配線基板Ｓのサイズに対応する描画開始位
置指定データｃ₃ （設定値「10」）を描画開始位置設定
レジスタ１４１から読み出して比較器１４３に設定す
る。この状態で参照用のレーザビームの基準スケール７
５への走査が開始されると、参照用のレーザビームが基
準スケール７５の先頭領域から主走査方向に照射され、
基準スケール７５による参照用のレーザビームの周期的
な強弱が光検出器７６で検出される。光検出器７６は、
図４に示すように、この周期的な強弱に応じた基準クロ
ック信号ａを描画クロック生成回路１２２に出力する。
具体的には、この周期的な強弱に応じた基準クロック信
号ａは、描画開始信号生成回路１３１内の基準クロック
信号用カウンタ１４２と、描画クロック発生回路１３２
とに入力される。

【００６５】基準クロック信号用カウンタ１４２は、こ
の基準クロック信号ａをカウントしそのカウント値を比
較器１４３に順次出力する。比較器１４３は、基準クロ
ック信号用カウンタ１４２からの基準クロック信号ａの
カウント値が設定値「10」に到達すると、描画開始信号
ｂを描画クロック発生回路１３２に出力する。描画クロ
ック発生回路１３２は、描画開始信号ｂを受けた以降の
光検出器７６からの基準クロック信号ａをそのまま描画
クロック信号ｆとして描画データバッファメモリ１１４
に出力する。

【００６６】この描画クロック発生回路１３２からの走
査歪に応じた描画クロック信号ｆでラスターデータが読
み出される。音響光学変調器５３は、描画信号に基づい
てレーザビームを変調する。変調された描画用のレーザ
ビームがプリント配線基板Ｓに照射され、位置ずれ補正
された描画パターンがプリント配線基板Ｓに形成され
る。具体的には、図５（ｃ）に示すように、ポリゴンミ
ラー６７やｆθレンズ６８などによる走査歪に応じた描
画クロック信号ｆを用いることで、図５（ｄ）に示すよ
うに等間隔でかつ均等に配列された画素で描画パターン
がプリント配線基板Ｓに描画され、走査画素の記録密度
むらの補正処理が高精度に行われている。

【００６７】このように、プリント配線基板Ｓのサイズ
に応じて値の異なる複数個（ｎ個）の描画開始位置指定
データｃ（設定値）をそれぞれ記憶する描画開始位置設
定レジスタ１４１と、描画しようとするプリント配線基
板Ｓのサイズに応じた設定値を描画開始位置設定レジス
タ１４１から読み出して比較器１４３に設定するメイン
コントローラ１２１とを備えているので、前述の従来例
のような複雑な構成の特異点を基準スケール７５に形成
することなく、描画しようとするプリント配線基板Ｓの
サイズに応じて基準スケール７５の検出位置を変更で
き、この検出位置から安定した描画クロック信号ｆを得
ることができる。また、前記の複雑な構成の特異点を用
いないので、この複雑な構成の特異点を検出するための
前述の従来例のような特別な検出構成も不要にできる。
したがって、描画しようとするプリント配線基板Ｓのサ
イズに応じて描画開始位置を変更でき、サイズの異なる
複数種類のプリント配線基板Ｓに対しても良好なレーザ
描画を行うことができ、利用範囲を拡張できる。

【００６８】なお、この第２制御例では、プリント配線
基板Ｓのサイズに応じて値の異なる複数個（ｎ個）の描
画開始位置指定データｃ₁ 〜ｃ_n を描画開始位置設定レ
ジスタ１４１に記憶させているが、これから描画しよう
とするプリント配線基板Ｓのサイズを変更する毎に、そ
れに応じた単一の描画開始位置指定データｃのみを描画
開始位置設定レジスタ１４１に記憶させるようにしても
良い。

【００６９】なお、本発明は以下のように変形実施する
ことも可能である。

【００７０】（１）上述した実施例装置では、レーザ光
源４１と音響光学変調器５３を使用しているが、これら
に代えてレーザダイオードを使用してもよい。この場合
には、レーザダイオードを直接オンオフ制御すればよ
く、構造的に簡易化を図ることができる。

【００７１】（２）上述した実施例では、結像光学系２
１が固定で描画ステージ５が移動する構成であったが、
逆に結像光学系２１が移動する構成であっても本発明を
適用可能である。

【００７２】（３）上述した実施例では、遮光部７５ｂ
はレーザビームを遮光する領域としているが、この遮光
部７５ｂはスリット部７５ａに比べてレーザビームの透
過量を減じるものであっても構わない。

【００７３】（４）上述した実施例では、描画用とは別
の参照用のレーザビームを結像光学系２１のｆθレンズ
６８より以前で生成し、この参照用のレーザビームを基
準スケール７５に照射しているが、描画用のレーザビー
ムを描画ステージ５と基準スケール７５との方に分離し
て出力するハーフミラーをｆθレンズ６８以降に設け、
このハーフミラーで分離された一方の描画用のレーザビ
ームを基準スケールに照射するようにしても良い。

【００７４】（５）上述した実施例では、基準スケール
７５のスリット部７５ａと遮光部７５ｂとにより参照用
のレーザビームに強弱を生じさせ、基準スケール７５を
介した参照用のレーザビームを光検出器７６で検出する
ことでその参照用のレーザビームの強弱を検出している
が、参照用のレーザビームが透過するスリット部と参照
用のレーザビームを反射させる反射部とを交互に主走査
方向に並べた基準スケール７５で参照用のレーザビーム
に強弱を生じさせ、基準スケール７５からの反射光を光
検出器７６で検出することでその参照用のレーザビーム
の強弱を検出するようにしても良い。なお、このときの
基準スケール７５の先頭領域はスリット部としている。
また、参照用のレーザビームが透過するスリット部と参
照用のレーザビームを反射させる反射部とを交互に主走
査方向に並べるようにしたパターンをミラー７４に形成
し、このミラー７４からの反射光を光検出器７６で検出
することで参照用のレーザビームの強弱を検出するよう
にしても良い。さらに、このミラー７４からの反射光
を、同一経路に沿って戻すように、シリンドリカルレン
ズ７３，フィールドレンズ７１，折り返しミラー６９，
ｆθレンズ６８，ポリゴンミラー６７，コーナーミラー
６５の順に逆光させ、このコーナーミラー６５をポリゴ
ンミラー６７からの反射光を透過させるハーフミラーと
し、このハーフミラーを透過したミラー７４からの反射
光を光検出器７６で検出することで参照用のレーザビー
ムの強弱を検出するようにしても良い。

【００７５】（６）上述した実施例では、基準スケール
７５の先頭領域の主走査方向の幅は固定の大きさとして
いるが、基準スケール７５の先頭領域の幅を主走査方向
に変更する変更手段を設けた場合では、基準スケール７
５の取り付け調整を第１，第２領域のピッチで簡単に行
うことができ、基準スケール７５の描画開始位置を任意
の位置に変更できる。具体的には、この変更手段は、基
準スケール７５の先頭領域における第１または第２領域
の幅を後続する第１および第２領域に向けて長さを変え
るように主走査方向に機械的に可動させて基準スケール
７５の検出領域を覆う範囲を拡大または縮小するシャッ
ター機構とすることで実現できる。ただし、変更する領
域は、検出信号が不安定とならないように、基準スケー
ル７５の検出領域単位（スリット部と遮光部またはスリ
ット部と反射部）で変更するものとする。

【００７６】（７）上述した実施例ではプリント配線基
板製造装置を例に採って説明したが、本発明はこのよう
な装置に限定されるものではなく、レーザビームを用い
て露光処理を行う装置に適用できる。

【００７７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の装置発明によれば、光特性が異なる第１領域
と第２領域とが交互に主走査方向に並べられ、これらの
領域に前記偏向手段で偏向されたレーザビームが照射さ
れる格子部と、前記格子部からのレーザビームを検出す
る検出手段と、前記検出手段からの検出信号に基づいて
前記描画クロックを生成する信号生成手段とを備えると
ともに、前記格子部は、走査開始側にあたる先頭領域が
これに後続する第１および第２領域の主走査方向の幅よ
りも広く形成されているので、偏向手段で偏向されたレ
ーザビームの格子部における照射開始位置が偏向手段な
どによりばらついたとしても、必ず、先頭領域に後続す
る最初の第１または第２領域を横切るようにレーザビー
ムが照射されるので、格子部の走査開始側の最初の検出
位置から安定した描画クロックが得られる。前述の従来
例のような複雑な構成の特異点を格子部に形成すること
を不要にでき、この複雑な構成の特異点を検出するため
の特別な検出構成も不要にできる。

【００７８】また、請求項２に記載の装置発明によれ
ば、信号生成手段は、検出手段からの検出信号をカウン
トしたカウント値が所定の設定値に到達すると描画開始
信号を出力するカウンタ部と、前記カウンタ部からの描
画開始信号を受けると、これ以降に前記検出手段から検
出された検出信号に基づいて描画クロックを生成して出
力する描画クロック発生手段とを備えているので、格子
部における設定値に対応する検出位置から描画クロック
を得ることができる。

【００７９】また、請求項３に記載の装置発明によれ
ば、カウンタ部で用いるための設定値を記憶する記憶手
段を備えているので、格子部を大体の取り付け位置に取
り付けるだけで良く、格子部の取り付け位置を実際に移
動させて微調整する必要はなく、格子部における描画開
始位置に相当する検出位置を描画開始位置として適宜変
更することで微調整を行うことができる。したがって、
格子部の取り付け調整を簡単に行うことができ、描画開
始位置を容易に任意の位置に変更できる。

【００８０】また、請求項４に記載の装置発明によれ
ば、処理対象物のサイズに応じて値の異なる設定値をそ
れぞれ記憶する記憶手段と、描画しようとする処理対象
物のサイズに応じた設定値を前記記憶手段から読み出し
て前記カウンタ部に設定する制御部とを備えているの
で、描画しようとする処理対象物のサイズに応じて、格
子部の検出位置を変更できる。したがって、描画しよう
とする処理対象物のサイズに応じて描画開始位置を変更
でき、サイズの異なる複数種類の処理対象物に対しても
良好なレーザ描画を行うことができ、利用範囲を拡張で
きる。

【００８１】また、請求項５に記載の装置発明によれ
ば、格子部の先頭領域の幅を主走査方向に変更する変更
手段を備えているので、格子部の取り付け調整を簡単に
行うことができ、格子部の描画開始位置を任意の位置に
変更できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るレーザ描画装置の一例であるプリ
ント配線基板製造装置の概略構成を示す斜視図である。

【図２】（ａ）は基準スケールの構成を示す平面図であ
り、（ｂ）は基準スケールによる基準クロック信号ａの
出力タイミングを示す図である。

【図３】実施例のプリント配線基板製造装置の概略構成
を示すブロック図である。

【図４】描画制御部の要部の構成を示すブロック図であ
る。

【図５】（ａ）は、理想と実際の走査光学特性を示す図
であり、（ｂ）は、レーザビームの主走査速度の特性を
示す図であり、（ｃ）は、補正後の描画クロック信号を
示す図であり、（ｄ）は、調整後の主走査描画特性を示
す図である。

【図６】従来の複雑な構成の特異点を有する基準スケー
ルを示す図である。

【符号の説明】

１ … 基台 ３ … ガイドレール（移動手段） ５ … 描画ステージ ７ … サーボモータ（移動手段） ９ … 送りネジ（移動手段） １５ … 載置テーブル ２１ … 結像光学系 ４１ … レーザ光源 ５３ … 音響光学変調器 ６７ … ポリゴンミラー（偏向手段） ７３ … シリンドリカルレンズ ７５ … 基準スケール（格子部） ７６ … 光検出器（検出手段） ９５ … 描画基準位置センサ １２１ … メインコントローラ（制御部） １２２ … 描画クロック生成回路（信号生成手段） １２６ … ポリゴン面検出器 １３１ … 描画開始信号生成回路（カウンタ部） １３２ … 描画クロック発生回路（描画クロック発生
手段） １４１ … 描画開始位置設定レジスタ（記憶手段） Ｓ … プリント配線基板（処理対象物） ＬＢ … 描画用のレーザビーム ＬＢ’… 参照用のレーザビーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2C362 BB09 BB29 BB30 BB31 BB32 BB37 BB38 BB39 CB71 2H045 AA01 BA26 BA32 CA85 CA89 CA98 DA02 5C072 AA03 BA02 BA17 HA02 HA13 HB08 HB11 UA11 UA14 5C074 AA02 BB03 CC22 CC26 DD16 EE02 EE06

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 描画クロックで読み出されるラスターデ
   ータに基づいて生成される描画信号によりレーザビーム
   を変調し、この変調されたレーザビームを偏向手段で主
   走査方向に偏向させて処理対象物に照射させるととも
   に、副走査方向にレーザビームと前記処理対象物とを移
   動手段で相対的に移動させることにより所望のパターン
   を前記処理対象物に描画するレーザ描画装置において、 光特性が異なる第１領域と第２領域とが交互に主走査方
   向に並べられ、これらの領域に前記偏向手段で偏向され
   たレーザビームが照射される格子部と、 前記格子部からのレーザビームを検出する検出手段と、 前記検出手段からの検出信号に基づいて前記描画クロッ
   クを生成する信号生成手段とを備えるとともに、 前記格子部は、走査開始側にあたる先頭領域がこれに後
   続する第１および第２領域の主走査方向の幅よりも広く
   形成されていることを特徴とするレーザ描画装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のレーザ描画装置におい
   て、 前記信号生成手段は、 前記検出手段からの検出信号をカウントしたカウント値
   が所定の設定値に到達すると描画開始信号を出力するカ
   ウンタ部と、 前記カウンタ部からの描画開始信号を受けると、これ以
   降に前記検出手段から検出された検出信号に基づいて描
   画クロックを生成して出力する描画クロック発生手段と
   を備えていることを特徴とするレーザ描画装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のレーザ描画装置におい
   て、 前記カウンタ部で用いるための設定値を記憶する記憶手
   段を備えていることを特徴とするレーザ描画装置。
4. 【請求項４】 請求項２に記載のレーザ描画装置におい
   て、 処理対象物のサイズに応じて値の異なる設定値をそれぞ
   れ記憶する記憶手段と、 描画しようとする処理対象物のサイズに応じた設定値を
   前記記憶手段から読み出して前記カウンタ部に設定する
   制御部とを備えていることを特徴とするレーザ描画装
   置。
5. 【請求項５】 請求項１に記載のレーザ描画装置におい
   て、 前記格子部の先頭領域の幅を主走査方向に変更する変更
   手段を備えていることを特徴とするレーザ描画装置。