JP2001304981A - 密閉容器内温度測定モニタ - Google Patents
密閉容器内温度測定モニタInfo
- Publication number
- JP2001304981A JP2001304981A JP2000125310A JP2000125310A JP2001304981A JP 2001304981 A JP2001304981 A JP 2001304981A JP 2000125310 A JP2000125310 A JP 2000125310A JP 2000125310 A JP2000125310 A JP 2000125310A JP 2001304981 A JP2001304981 A JP 2001304981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monitor
- temperature
- glass
- chip
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 40
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 claims description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000006121 base glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000092 linear low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004707 linear low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910020410 SiO2—B2O3—PbO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020444 SiO2—PbO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 231100000241 scar Toxicity 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Monitoring And Testing Of Nuclear Reactors (AREA)
- Incineration Of Waste (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】密閉容器内において計測線を容易に挿入できな
い環境の温度を容易に測定する。 【解決手段】表面処理を施した軟化温度の異なるモニタ
チップ４を所定の配列に複数並べたモニタセンサ６と、
モニタセンサを保持するホルダー８とを備え、ホルダー
を被温度測定物である密閉容器内に設置した密閉容器内
温度測定モニタであって、モニタセンサのモニタチップ
は、少なくとも隣接するモニタチップ同士の軟化温度が
異なる配列とされている。
い環境の温度を容易に測定する。 【解決手段】表面処理を施した軟化温度の異なるモニタ
チップ４を所定の配列に複数並べたモニタセンサ６と、
モニタセンサを保持するホルダー８とを備え、ホルダー
を被温度測定物である密閉容器内に設置した密閉容器内
温度測定モニタであって、モニタセンサのモニタチップ
は、少なくとも隣接するモニタチップ同士の軟化温度が
異なる配列とされている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は密閉容器内温度測定
モニタに係わり、特に原子炉、真空容器、焼却炉などの
密閉容器内において計測線を容易に挿入できない環境の
温度を測定する密閉容器内温度測定モニタに関する。
モニタに係わり、特に原子炉、真空容器、焼却炉などの
密閉容器内において計測線を容易に挿入できない環境の
温度を測定する密閉容器内温度測定モニタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、原子炉、真空容器、焼却炉な
どの密閉容器内の温度測定のためには、計測線のついた
熱電対を挿入していた。原子炉などは、厳密な械密性が
要求されるため、計測線の挿入を行うには、特殊なシー
リング技術が必要であり、費用が多くかかるという問題
点があった。そのため、温度計測は、最小限に押さえら
れ必要な温度計測も十分にできないこともある（特開平
１０−１０４３６０号、特開平１１−３８１４７号公
報）。
どの密閉容器内の温度測定のためには、計測線のついた
熱電対を挿入していた。原子炉などは、厳密な械密性が
要求されるため、計測線の挿入を行うには、特殊なシー
リング技術が必要であり、費用が多くかかるという問題
点があった。そのため、温度計測は、最小限に押さえら
れ必要な温度計測も十分にできないこともある（特開平
１０−１０４３６０号、特開平１１−３８１４７号公
報）。
【０００３】このため、計測線なしで密閉容器内の温度
を測定する装置が求められていた。そこで、この種の温
度を計測線なしで測定するにあたっては、下記のような
計測技術が提案されている。
を測定する装置が求められていた。そこで、この種の温
度を計測線なしで測定するにあたっては、下記のような
計測技術が提案されている。
【０００４】（１）照射スエリングにより伸びる記録板
と、バイメタル形式で振れる記録計とを用いることによ
って記録板に傷痕を残すように構成したもの（特開平５
−１０００７６号公報）。
と、バイメタル形式で振れる記録計とを用いることによ
って記録板に傷痕を残すように構成したもの（特開平５
−１０００７６号公報）。
【０００５】（２）容器や配管の外部管壁に接して送信
変換器と、これに対向する受信変換器とを取付け、両変
換器はそれぞれケーブルを介してパルス発生器/前置増
幅器に接続し、これを経時時間測定、音速計算及び温度
計算を行なう信号処理器に接続して構成したもの（特開
平７−２６０５９７号公報）。
変換器と、これに対向する受信変換器とを取付け、両変
換器はそれぞれケーブルを介してパルス発生器/前置増
幅器に接続し、これを経時時間測定、音速計算及び温度
計算を行なう信号処理器に接続して構成したもの（特開
平７−２６０５９７号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】これらの温度測定技術
においては、この種の温度を測定するにあたって測定装
置の測定精度や構成の煩雑さなどから未だ満足できるも
のに至ってはいないという難点があった。
においては、この種の温度を測定するにあたって測定装
置の測定精度や構成の煩雑さなどから未だ満足できるも
のに至ってはいないという難点があった。
【０００７】本発明は上述した難点に鑑みなされたもの
で、原子炉、真空容器、焼却炉などの密閉容器内におい
て計測線を容易に挿入できない環境の温度を容易に測定
する密閉容器内温度測定モニタを提供することを目的と
している。
で、原子炉、真空容器、焼却炉などの密閉容器内におい
て計測線を容易に挿入できない環境の温度を容易に測定
する密閉容器内温度測定モニタを提供することを目的と
している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の密閉容器内温度測定モニタは、表面処理を施し
た軟化温度の異なるモニタチップを所定の配列に複数並
べたモニタセンサと、モニタセンサを保持するホルダー
とを備え、ホルダーを被温度測定物である密閉容器内に
設置した密閉容器内温度測定モニタであって、モニタセ
ンサのモニタチップは、少なくとも隣接するモニタチッ
プ同士の軟化温度が異なる配列とされている。
本発明の密閉容器内温度測定モニタは、表面処理を施し
た軟化温度の異なるモニタチップを所定の配列に複数並
べたモニタセンサと、モニタセンサを保持するホルダー
とを備え、ホルダーを被温度測定物である密閉容器内に
設置した密閉容器内温度測定モニタであって、モニタセ
ンサのモニタチップは、少なくとも隣接するモニタチッ
プ同士の軟化温度が異なる配列とされている。
【０００９】モニタセンサのモニタチップは、モニタチ
ップの軟化温度の高低順に配列されている。
ップの軟化温度の高低順に配列されている。
【００１０】モニタチップは、表面を粗く研磨したもの
である。
である。
【００１１】モニタチップは、同一の表面粗さに研磨さ
れている。
れている。
【００１２】モニタチップは、少なくとも温度モニタ中
に、溶融によりホルダーより離脱しない材料から選択さ
れている。
に、溶融によりホルダーより離脱しない材料から選択さ
れている。
【００１３】モニタチップは、軟化最高温度による表面
軟化状態を保持する機能を持つ。
軟化状態を保持する機能を持つ。
【００１４】モニタチップは、放射線照射環境におい
て、材料特性が不可変である。
て、材料特性が不可変である。
【００１５】ホルダーは、少なくとも放射線照射におい
て、破損しない材質である。
て、破損しない材質である。
【００１６】密閉容器内にモニタセンサを搭載したホル
ダーを複数設置する場合には、各モニタセンサのモニタ
チップは同一仕様とされる。
ダーを複数設置する場合には、各モニタセンサのモニタ
チップは同一仕様とされる。
【００１７】モニタチップは、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ナイロンの樹脂からなる群から選ばれた軟化温
度の異なる１つ以上の材料から成る。
ピレン、ナイロンの樹脂からなる群から選ばれた軟化温
度の異なる１つ以上の材料から成る。
【００１８】モニタチップは、As-Se-I系ガラス、As-S-
Tl系ガラス、As-Se-Ge系ガラス、PbF2-SnF2-P2O5系ガラ
ス、TeO2-Tl2O-PbO系ガラス、P2O5-PbO-ZnO系ガラス、B
2O3-PbO-ZnO系ガラス、SiO2-PbO系ガラス、SiO2-B2O3-P
bO系ガラス、Na2O-Al2O3-SiO 2系ガラス、SiO2-Al2O3-B2
O3系ガラスからなる群から選ばれた軟化温度の異なる１
つ以上の材料から成る。
Tl系ガラス、As-Se-Ge系ガラス、PbF2-SnF2-P2O5系ガラ
ス、TeO2-Tl2O-PbO系ガラス、P2O5-PbO-ZnO系ガラス、B
2O3-PbO-ZnO系ガラス、SiO2-PbO系ガラス、SiO2-B2O3-P
bO系ガラス、Na2O-Al2O3-SiO 2系ガラス、SiO2-Al2O3-B2
O3系ガラスからなる群から選ばれた軟化温度の異なる１
つ以上の材料から成る。
【００１９】この密閉容器内温度測定モニタにおいて、
複数のモニタチップを含むモニタセンサを使用して密閉
容器内の履歴温度を測定するにあたり、複数のモニタチ
ップを含むモニタセンサは、温度測定前は表面散乱のた
め、不透明となっている。密閉容器内で、モニタセンサ
が或る温度に保持されると、軟化温度がその温度以下の
モニタチップは、軟化現象により表面が滑らかで透明に
なる。しかしながら、軟化温度がその温度以上のモニタ
チップは軟化しないため、粗い表面で不透明のままであ
る。
複数のモニタチップを含むモニタセンサを使用して密閉
容器内の履歴温度を測定するにあたり、複数のモニタチ
ップを含むモニタセンサは、温度測定前は表面散乱のた
め、不透明となっている。密閉容器内で、モニタセンサ
が或る温度に保持されると、軟化温度がその温度以下の
モニタチップは、軟化現象により表面が滑らかで透明に
なる。しかしながら、軟化温度がその温度以上のモニタ
チップは軟化しないため、粗い表面で不透明のままであ
る。
【００２０】したがって、モニタチップの表面粗さの境
界を光学測定器で順次スキャンして検出することによ
り、モニタチップが保たれていた最高温度が測定でき
る。
界を光学測定器で順次スキャンして検出することによ
り、モニタチップが保たれていた最高温度が測定でき
る。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の密閉容器内温度測
定モニタにおける好ましい実施の形態例を図面にしたが
って説明する。
定モニタにおける好ましい実施の形態例を図面にしたが
って説明する。
【００２２】図１において、本発明の密閉容器内温度測
定モニタＭは、原子炉、真空容器、焼却炉などの密閉容
器１（図３）内の温度を測定するのに適している。この
密閉容器内温度測定モニタＭは、表面処理を施した軟化
温度の異なるモニタチップ４を所定の配列に複数並べた
モニタセンサ６と、モニタセンサ６を保持するホルダー
８とを備えている。
定モニタＭは、原子炉、真空容器、焼却炉などの密閉容
器１（図３）内の温度を測定するのに適している。この
密閉容器内温度測定モニタＭは、表面処理を施した軟化
温度の異なるモニタチップ４を所定の配列に複数並べた
モニタセンサ６と、モニタセンサ６を保持するホルダー
８とを備えている。
【００２３】モニタセンサ６をホルダー８に保持した密
閉容器内温度測定モニタＭにおいて、このモニタセンサ
６を保持したホルダー８は被温度測定物である密閉容器
１内に設置して使用される。
閉容器内温度測定モニタＭにおいて、このモニタセンサ
６を保持したホルダー８は被温度測定物である密閉容器
１内に設置して使用される。
【００２４】図示の例において、ホルダー８は、モニタ
チップ４を収納する溝１０ａ、１０ｂと、モニタチップ
４を露出する窓１２ａ、１２ｂが設けられた上ケース１
４ａ、下ケース１４ｂから成る。モニタチップ４をホル
ダー８に収納するには、モニタチップ４をホルダー８の
上ケース１４ａ、下ケース１４ｂ間における溝１０ａ、
１０ｂに嵌合し、固定具１６で上ケース１４ａ、下ケー
ス１４ｂを固定すれば、モニタチップ４は窓１２ａ、１
２ｂから露出して密閉容器内温度測定モニタＭのモニタ
センサ６が作成される。
チップ４を収納する溝１０ａ、１０ｂと、モニタチップ
４を露出する窓１２ａ、１２ｂが設けられた上ケース１
４ａ、下ケース１４ｂから成る。モニタチップ４をホル
ダー８に収納するには、モニタチップ４をホルダー８の
上ケース１４ａ、下ケース１４ｂ間における溝１０ａ、
１０ｂに嵌合し、固定具１６で上ケース１４ａ、下ケー
ス１４ｂを固定すれば、モニタチップ４は窓１２ａ、１
２ｂから露出して密閉容器内温度測定モニタＭのモニタ
センサ６が作成される。
【００２５】ホルダー８は、少なくとも放射線照射にお
いて、破損しない材質で作成され、例えば金属製または
石英ガラスで形成することができる。金属製ホルダーで
は作製、取扱いが容易である利点がある反面、材質によ
り放射化する難点がある。石英ガラス製ホルダーでは放
射化の影響がない利点があるが、取扱いが困難、割れる
可能性があるという難点がある。
いて、破損しない材質で作成され、例えば金属製または
石英ガラスで形成することができる。金属製ホルダーで
は作製、取扱いが容易である利点がある反面、材質によ
り放射化する難点がある。石英ガラス製ホルダーでは放
射化の影響がない利点があるが、取扱いが困難、割れる
可能性があるという難点がある。
【００２６】モニタセンサ６のモニタチップ４は、少な
くとも隣接するモニタチップ４同士の軟化温度が異なる
配列とされている。
くとも隣接するモニタチップ４同士の軟化温度が異なる
配列とされている。
【００２７】１つの形態例において、モニタセンサ６の
モニタチップ４は、モニタチップ４の軟化温度の高低順
に配列されている（図１）。
モニタチップ４は、モニタチップ４の軟化温度の高低順
に配列されている（図１）。
【００２８】モニタチップ４は、表面を粗く研磨したも
のである。好ましくは、モニタチップ４は、同一の表面
粗さに研磨されている。
のである。好ましくは、モニタチップ４は、同一の表面
粗さに研磨されている。
【００２９】また、モニタチップ４は、少なくとも温度
モニタ中に、溶融によりホルダー８より離脱しない材料
から選択されている。
モニタ中に、溶融によりホルダー８より離脱しない材料
から選択されている。
【００３０】さらに、モニタチップ４は、軟化最高温度
による表面軟化状態を保持する機能を持つ。
による表面軟化状態を保持する機能を持つ。
【００３１】また、モニタチップ４は、放射線照射環境
において、材料特性が不可変である。
において、材料特性が不可変である。
【００３２】密閉容器１内にモニタセンサ６を搭載した
ホルダー８を複数設置する場合には、各モニタセンサ６
のモニタチップ４は同一仕様とされる。即ち、実際に
は、原子炉密閉容器内に同一仕様のモニタセンサ６を２
０から３０個複数箇所に配置して測定することが多い。
モニタチップ４は、軟化温度が異なれば、材質が異なる
ので基本的に全てのモニタチップを同一研磨面にする必
要はないが、モニタセンサ６を複数個密閉容器１内に配
置する場合は、同一仕様とするのが好ましい。
ホルダー８を複数設置する場合には、各モニタセンサ６
のモニタチップ４は同一仕様とされる。即ち、実際に
は、原子炉密閉容器内に同一仕様のモニタセンサ６を２
０から３０個複数箇所に配置して測定することが多い。
モニタチップ４は、軟化温度が異なれば、材質が異なる
ので基本的に全てのモニタチップを同一研磨面にする必
要はないが、モニタセンサ６を複数個密閉容器１内に配
置する場合は、同一仕様とするのが好ましい。
【００３３】これらの条件を満足して密閉容器内温度測
定モニタＭに適するモニタセンサ６のモニタチップ４と
しては、ガラスや熱可塑性樹脂など、熱による軟化現象
を示す物質はすべて使用することができる。
定モニタＭに適するモニタセンサ６のモニタチップ４と
しては、ガラスや熱可塑性樹脂など、熱による軟化現象
を示す物質はすべて使用することができる。
【００３４】特に、モニタセンサ６のモニタチップ４
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロンの樹脂か
らなる群から選ばれた軟化温度の異なる１つ以上の材料
で形成することができる。
は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロンの樹脂か
らなる群から選ばれた軟化温度の異なる１つ以上の材料
で形成することができる。
【００３５】また、モニタチップ４は、As-Se-I系ガラ
ス、As-S-Tl系ガラス、As-Se-Ge系ガラス、PbF２-SnF２
-P２O５系ガラス、TeO２-Tl２O-PbO系ガラス、P２O５-P
bO-ZnO系ガラス、B２O３-PbO-ZnO系ガラス、SiO２-PbO
系ガラス、SiO２-B２O３-PbO系ガラス、Na２O-Al２O３-
SiO２系ガラス、SiO２-Al２O３-B２O３系ガラスからな
る群から選ばれた軟化温度の異なる１つ以上の材料で形
成することができる。
ス、As-S-Tl系ガラス、As-Se-Ge系ガラス、PbF２-SnF２
-P２O５系ガラス、TeO２-Tl２O-PbO系ガラス、P２O５-P
bO-ZnO系ガラス、B２O３-PbO-ZnO系ガラス、SiO２-PbO
系ガラス、SiO２-B２O３-PbO系ガラス、Na２O-Al２O３-
SiO２系ガラス、SiO２-Al２O３-B２O３系ガラスからな
る群から選ばれた軟化温度の異なる１つ以上の材料で形
成することができる。
【００３６】表１、図２に、これらのモニタチップ４と
して使用することができる材料の例と、使用温度範囲を
示す。
して使用することができる材料の例と、使用温度範囲を
示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】上述したように本発明の軟化温度の異なる
複数のモニタセンサ６を含む密閉容器内温度測定モニタ
Ｍは、密閉容器１（図３）である原子炉圧力容器内の温
度測定に用いられる。密閉容器内温度測定モニタＭは、
保護容器１６である照射試験体に入れられ、温度測定部
１８である炉心に保持される。密閉容器１の原子炉の運
転が終了した後、密閉容器内温度測定モニタＭを含む保
護容器１６は密閉容器１から取り出され、原子炉設備内
の水路２０を通過し、照射後試験設備２２に送られる。
そこで所定の測定を行なうことにより、原子炉内の経過
温度が測定される。
複数のモニタセンサ６を含む密閉容器内温度測定モニタ
Ｍは、密閉容器１（図３）である原子炉圧力容器内の温
度測定に用いられる。密閉容器内温度測定モニタＭは、
保護容器１６である照射試験体に入れられ、温度測定部
１８である炉心に保持される。密閉容器１の原子炉の運
転が終了した後、密閉容器内温度測定モニタＭを含む保
護容器１６は密閉容器１から取り出され、原子炉設備内
の水路２０を通過し、照射後試験設備２２に送られる。
そこで所定の測定を行なうことにより、原子炉内の経過
温度が測定される。
【００３９】これらの複数のモニタチップ４を含むモニ
タセンサ６を使用して密閉容器１内の履歴温度を測定す
るにあたり、その密閉容器内温度測定装置は、複数のモ
ニタチップ４の何れかが密閉容器１内の履歴温度により
軟化温度の前後の経歴に応じて変動する表面平滑度の変
化を光学的に測定して履歴温度を測定する光学測定器２
４を備えている（図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ））。
タセンサ６を使用して密閉容器１内の履歴温度を測定す
るにあたり、その密閉容器内温度測定装置は、複数のモ
ニタチップ４の何れかが密閉容器１内の履歴温度により
軟化温度の前後の経歴に応じて変動する表面平滑度の変
化を光学的に測定して履歴温度を測定する光学測定器２
４を備えている（図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ））。
【００４０】この光学測定器２４は、密閉容器１内の温
度により軟化温度の前後の経歴に応じて変動するそれぞ
れのモニタチップ４の表面平滑度の変化を、光源３２か
らスポットビームをモニタチップ４に入射し、その透過
率により表面平滑度を検出器３４で光学的に測定して温
度を測定する透過率測定器２６で構成してもよい（図４
（ａ））。
度により軟化温度の前後の経歴に応じて変動するそれぞ
れのモニタチップ４の表面平滑度の変化を、光源３２か
らスポットビームをモニタチップ４に入射し、その透過
率により表面平滑度を検出器３４で光学的に測定して温
度を測定する透過率測定器２６で構成してもよい（図４
（ａ））。
【００４１】また、光学測定器２４は、密閉容器１内の
温度により軟化温度の前後の経歴に応じて変動するそれ
ぞれのモニタチップ４の表面平滑度の変化を、光源３６
からスポットビームをモニタチップ４に入射し、その反
射光の広がりに応じた表面散乱反射率により表面平滑度
を検出器３８に入射する光強度で光学的に測定して温度
を測定する表面散乱反射率測定器２８で構成してもよい
（図４（ｂ））。
温度により軟化温度の前後の経歴に応じて変動するそれ
ぞれのモニタチップ４の表面平滑度の変化を、光源３６
からスポットビームをモニタチップ４に入射し、その反
射光の広がりに応じた表面散乱反射率により表面平滑度
を検出器３８に入射する光強度で光学的に測定して温度
を測定する表面散乱反射率測定器２８で構成してもよい
（図４（ｂ））。
【００４２】さらに、光学測定器２４は、密閉容器１内
の温度により軟化温度の前後の経歴に応じて変動するそ
れぞれのモニタチップの表面平滑度の変化を、光源４０
からスポットビームをモニタチップ４に入射し、そのラ
ンダム偏光を検出器４２で測光することにより光学的に
測定して温度を測定する偏光測定器３０で構成してもよ
い（図４（ｃ））。この反射光の偏光測定では、直線偏
光を入射し、反射光の偏光状態測定する。滑らかな面で
の反射光は直線偏光のままであるが、粗い面での反射光
はランダム偏光となる。偏光成分の比によって、表面粗
さを評価する。
の温度により軟化温度の前後の経歴に応じて変動するそ
れぞれのモニタチップの表面平滑度の変化を、光源４０
からスポットビームをモニタチップ４に入射し、そのラ
ンダム偏光を検出器４２で測光することにより光学的に
測定して温度を測定する偏光測定器３０で構成してもよ
い（図４（ｃ））。この反射光の偏光測定では、直線偏
光を入射し、反射光の偏光状態測定する。滑らかな面で
の反射光は直線偏光のままであるが、粗い面での反射光
はランダム偏光となる。偏光成分の比によって、表面粗
さを評価する。
【００４３】なお、モニタチップの表面平滑度を検出す
るには、上記の方法が考えられるが、実際の検出には、
上記の方法を複合させて測定すると、確度が向上するも
のと考えられる。
るには、上記の方法が考えられるが、実際の検出には、
上記の方法を複合させて測定すると、確度が向上するも
のと考えられる。
【００４４】この密閉容器内温度測定モニタＭにおい
て、複数のモニタチップ４を含むモニタセンサ６を使用
して密閉容器１内の履歴温度を測定するにあたり、複数
のモニタチップ４を含むモニタセンサ６は、温度測定前
は表面散乱のため、不透明となっている（図５
（ａ））。密閉容器１内で、モニタセンサ６が或る温度
Ａに保持されたとすると、軟化温度がＡ以下のモニタチ
ップ４は、軟化現象により表面が滑らかで透明になる
（図５（ｂ））。しかし、軟化温度がＡ以上のモニタチ
ップ４は軟化しないため、粗い表面で不透明のままであ
る。
て、複数のモニタチップ４を含むモニタセンサ６を使用
して密閉容器１内の履歴温度を測定するにあたり、複数
のモニタチップ４を含むモニタセンサ６は、温度測定前
は表面散乱のため、不透明となっている（図５
（ａ））。密閉容器１内で、モニタセンサ６が或る温度
Ａに保持されたとすると、軟化温度がＡ以下のモニタチ
ップ４は、軟化現象により表面が滑らかで透明になる
（図５（ｂ））。しかし、軟化温度がＡ以上のモニタチ
ップ４は軟化しないため、粗い表面で不透明のままであ
る。
【００４５】したがって、モニタチップ４の表面粗さの
境界を光学測定器２４で順次スキャンして検出すること
により、モニタチップ４が保たれていた温度が測定でき
る。
境界を光学測定器２４で順次スキャンして検出すること
により、モニタチップ４が保たれていた温度が測定でき
る。
【００４６】
【実施例１】モニタチップとして表２に示すSiO2-PbO系
ガラスの表面を研磨紙（320番）で粗面に仕上げ、温度
勾配炉内で加熱した。雰囲気は空気で加熱時間は16hで
ある。その後、図４（ａ）に示すHe-Neレーザー(λ=633
nm)とパワーメーターで透過率を測定した。結果を図６
に示す。
ガラスの表面を研磨紙（320番）で粗面に仕上げ、温度
勾配炉内で加熱した。雰囲気は空気で加熱時間は16hで
ある。その後、図４（ａ）に示すHe-Neレーザー(λ=633
nm)とパワーメーターで透過率を測定した。結果を図６
に示す。
【００４７】
【表２】
【００４８】それぞれの加熱温度に対して、透過率が変
化しており、10℃の温度差で顕著な違いが見られる。ま
た、比較的良い再現性も得られている。
化しており、10℃の温度差で顕著な違いが見られる。ま
た、比較的良い再現性も得られている。
【００４９】また、同様の実験をHe雰囲気、N2雰囲気中
で行ったところ、空気中での実験とほぼ同じ結果を得て
いる。
で行ったところ、空気中での実験とほぼ同じ結果を得て
いる。
【００５０】図７に、図６に示すSiO2-PbO系ガラスの透
過率５０％の温度と透過率がピ−クを示す温度をプロッ
トした。透過率５０％の温度と透過率がピ−クを示す温
度は、ほぼ直線関係（リニア）にあることがわかる。つ
まり、ガラス組成を一定の割合で変化させれば、透過率
ピ−ク温度、透過率５０％温度も直線関係に変化するモ
ニタチップが得られる。
過率５０％の温度と透過率がピ−クを示す温度をプロッ
トした。透過率５０％の温度と透過率がピ−クを示す温
度は、ほぼ直線関係（リニア）にあることがわかる。つ
まり、ガラス組成を一定の割合で変化させれば、透過率
ピ−ク温度、透過率５０％温度も直線関係に変化するモ
ニタチップが得られる。
【００５１】図８に軟化温度の組成依存性を示す。軟化
温度が組成に対して直線関係にあることがわかる。この
直線関係により、図７に示す直線関係は理解できる。
温度が組成に対して直線関係にあることがわかる。この
直線関係により、図７に示す直線関係は理解できる。
【００５２】これらにおいて測定に用いたモニタチップ
の厚さは１ｍｍである。
の厚さは１ｍｍである。
【００５３】表２に示すSiO2-PbO系ガラスのうち試料番
号Ｂについて、表面粗さまたは表面平滑度の変化を触針
式粗さ計により測定した。結果を図９に示す（縦軸は表
面粗さ（単位×１０3Å）、横軸は測定距離（単位μ
ｍ）を表す）。最初の粗い表面が軟化により平滑にな
り、その後、結晶化により凹凸が発生するのがわかる。
号Ｂについて、表面粗さまたは表面平滑度の変化を触針
式粗さ計により測定した。結果を図９に示す（縦軸は表
面粗さ（単位×１０3Å）、横軸は測定距離（単位μ
ｍ）を表す）。最初の粗い表面が軟化により平滑にな
り、その後、結晶化により凹凸が発生するのがわかる。
【００５４】なお、３０SiO2-７０PbO、６０P2O5-４０P
bO、３０B2O3-７０PbOの各ガラスについて軟化温度を測
定したところ、それぞれ３８８℃、３４９℃、３２９℃
であった。
bO、３０B2O3-７０PbOの各ガラスについて軟化温度を測
定したところ、それぞれ３８８℃、３４９℃、３２９℃
であった。
【００５５】
【実施例２】表３に示す熱可塑性樹脂である低密度ポリ
エチレン（LDPE ）、直鎖状低密度ポリエチレン（LLDP
E）、高密度ポリエチレン（HDPE）の各ポリエチレンを
モニタチップとした場合の透過率と温度の関係を図１０
のグラフに示す。この場合も、ガラスを用いたモニタチ
ップのときと同様に、加熱温度により、透過率が変わる
ことが確かめられた。
エチレン（LDPE ）、直鎖状低密度ポリエチレン（LLDP
E）、高密度ポリエチレン（HDPE）の各ポリエチレンを
モニタチップとした場合の透過率と温度の関係を図１０
のグラフに示す。この場合も、ガラスを用いたモニタチ
ップのときと同様に、加熱温度により、透過率が変わる
ことが確かめられた。
【００５６】
【表３】
【００５７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の密閉容器内温度測定モニタは、原子炉、真空容器、焼
却炉などの密閉容器内において計測線を容易に挿入でき
ない環境の温度を測定するのに有効である。本発明の密
閉容器内温度測定モニタによれば、計測線なしで密閉容
器内の最高温度が記録され、その温度を測定することが
できる。また、本発明の密閉容器内温度測定モニタによ
れば、軟化現象を光学的に透過率、反射率、散乱などで
測定するため、測定が容易で、小型であり、狭い場所に
も設置でき、モニタチップの選択により、測定温度範
囲、分解能が自由に調整できる。
の密閉容器内温度測定モニタは、原子炉、真空容器、焼
却炉などの密閉容器内において計測線を容易に挿入でき
ない環境の温度を測定するのに有効である。本発明の密
閉容器内温度測定モニタによれば、計測線なしで密閉容
器内の最高温度が記録され、その温度を測定することが
できる。また、本発明の密閉容器内温度測定モニタによ
れば、軟化現象を光学的に透過率、反射率、散乱などで
測定するため、測定が容易で、小型であり、狭い場所に
も設置でき、モニタチップの選択により、測定温度範
囲、分解能が自由に調整できる。
【図１】本発明の密閉容器内温度測定モニタの一実施例
を示す斜視図。
を示す斜視図。
【図２】本発明の密閉容器内温度測定モニタにおいて複
数のモニタセンサとして使用することができる材料の例
と使用温度範囲を示す図。
数のモニタセンサとして使用することができる材料の例
と使用温度範囲を示す図。
【図３】本発明の密閉容器内温度測定モニタが密閉容器
である原子炉内で使用される状況を示す説明図。
である原子炉内で使用される状況を示す説明図。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明の密
閉容器内温度測定モニタの複数のモニタセンサに含まれ
る複数のモニタセンサを使用する密閉容器内温度測定装
置の実施例を示す説明図。
閉容器内温度測定モニタの複数のモニタセンサに含まれ
る複数のモニタセンサを使用する密閉容器内温度測定装
置の実施例を示す説明図。
【図５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の密閉容器内
温度測定モニタの複数のモニタセンサに含まれる複数の
モニタセンサの加熱前後を示す説明図。
温度測定モニタの複数のモニタセンサに含まれる複数の
モニタセンサの加熱前後を示す説明図。
【図６】本発明の密閉容器内温度測定モニタの複数のモ
ニタセンサでSiO2-PbO系ガラスをモニタチップとして使
用した加熱温度と透過率を示すグラフ。
ニタセンサでSiO2-PbO系ガラスをモニタチップとして使
用した加熱温度と透過率を示すグラフ。
【図７】本発明の密閉容器内温度測定モニタの複数のモ
ニタセンサとしてSiO2-PbO系ガラスによる透過率ピ−ク
温度、透過率５０％温度をパラメータとしたSiO2組成と
温度を示すグラフ。
ニタセンサとしてSiO2-PbO系ガラスによる透過率ピ−ク
温度、透過率５０％温度をパラメータとしたSiO2組成と
温度を示すグラフ。
【図８】本発明の密閉容器内温度測定モニタの複数のモ
ニタセンサとしてSiO2-PbO系ガラスによるSiO2組成と軟
化温度を示すグラフ。
ニタセンサとしてSiO2-PbO系ガラスによるSiO2組成と軟
化温度を示すグラフ。
【図９】本発明の表２に示すSiO2-PbO系ガラスのうち試
料番号Ｂについて、表面粗さの変化を触針式粗さ計によ
り測定した表面粗さと測定距離を示すグラフ。
料番号Ｂについて、表面粗さの変化を触針式粗さ計によ
り測定した表面粗さと測定距離を示すグラフ。
【図１０】本発明の密閉容器内温度測定モニタの複数の
モニタセンサでポリエチレンをモニタチップとして使用
した加熱温度と透過率を示すグラフ。
モニタセンサでポリエチレンをモニタチップとして使用
した加熱温度と透過率を示すグラフ。
Ｍ・・・・・密閉容器内温度測定モニタ １・・・・・密閉容器 ４・・・・・モニタチップ ６・・・・・モニタセンサ ８・・・・・ホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森下 裕一 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 野呂 治人 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 渡辺 秀 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 菅 智史 神奈川県川崎市川崎区小田栄２丁目１番１ 号 昭和電線電纜株式会社内 (72)発明者 河村 弘 茨城県東茨城郡大洗町成田町新堀3607番地 日本原子力研究所大洗研究所内 (72)発明者 中道 勝 茨城県東茨城郡大洗町成田町新堀3607番地 日本原子力研究所大洗研究所内 Ｆターム(参考） 2F056 VF07 VF10 VF11 VF20 2G075 AA01 BA03 CA40 DA03 FA11 FC14 3K062 AC01 BA05 CA01 CB03 DA01
Claims (11)
- 【請求項１】表面処理を施した軟化温度の異なるモニタ
チップを所定の配列に複数並べたモニタセンサと、前記
モニタセンサを保持するホルダーとを備え、 前記ホルダーを被温度測定物である密閉容器内に設置し
た密閉容器内温度測定モニタであって、 前記モニタセンサのモニタチップは、少なくとも隣接す
るモニタチップ同士の軟化温度が異なる配列とされてい
ることを特徴とする密閉容器内温度測定モニタ。 - 【請求項２】前記モニタセンサのモニタチップは、前記
モニタチップの軟化温度の高低順に配列されていること
を特徴とする請求項１記載の密閉容器内温度測定モニ
タ。 - 【請求項３】前記モニタチップは、表面を粗く研磨した
ことを特徴とする請求項１記載の密閉容器内温度測定モ
ニタ。 - 【請求項４】前記モニタチップは、同一の表面粗さに研
磨されていることを特徴とする請求項１記載の密閉容器
内温度測定モニタ。 - 【請求項５】前記モニタチップは、少なくとも温度モニ
タ中に、溶融により前記ホルダーより離脱しない材料か
ら選択されていることを特徴とする請求項１記載の密閉
容器内温度測定モニタ。 - 【請求項６】前記モニタチップは、軟化最高温度による
表面軟化状態を保持する機能を持つことを特徴とする請
求項１記載の密閉容器内温度測定モニタ。 - 【請求項７】前記モニタチップは、放射線照射環境にお
いて、材料特性が不可変であることを特徴とする請求項
１記載の密閉容器内温度測定モニタ。 - 【請求項８】前記ホルダーは、少なくとも放射線照射に
おいて、破損しない材質であることを特徴とする請求項
１記載の密閉容器内温度測定モニタ。 - 【請求項９】前記密閉容器内にモニタセンサを搭載した
ホルダーを複数設置する場合には、各モニタセンサのモ
ニタチップは同一仕様とされることを特徴とする請求項
１記載の密閉容器内温度測定モニタ。 - 【請求項１０】前記モニタチップは、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、ナイロンの樹脂からなる群から選ばれた
軟化温度の異なる１つ以上の材料から成ることを特徴と
する請求項１記載の密閉容器内温度測定モニタ。 - 【請求項１１】前記モニタチップは、As-Se-I系ガラ
ス、As-S-Tl系ガラス、As-Se-Ge系ガラス、PbF2-SnF2-P
2O5系ガラス、TeO2-Tl2O-PbO系ガラス、P2O5-PbO-ZnO系
ガラス、B 2O3-PbO-ZnO系ガラス、SiO2-PbO系ガラス、Si
O2-B2O3-PbO系ガラス、Na2O-Al2O3-SiO2系ガラス、SiO2
-Al2O3-B2O3系ガラスからなる群から選ばれた軟化温度
の異なる１つ以上の材料から成ることを特徴とする請求
項１記載の密閉容器内温度測定モニタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000125310A JP4534049B2 (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 密閉容器内温度測定モニタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000125310A JP4534049B2 (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 密閉容器内温度測定モニタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001304981A true JP2001304981A (ja) | 2001-10-31 |
| JP4534049B2 JP4534049B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=18635288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000125310A Expired - Fee Related JP4534049B2 (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 密閉容器内温度測定モニタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4534049B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006153644A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Toshiba Corp | 光導波路基板用キャリア |
| JP2011214998A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Kmew Co Ltd | 加熱処理時の到達温度評価方法 |
| US9506812B2 (en) | 2013-10-25 | 2016-11-29 | Rolls-Royce Plc | Temperature indicator |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117694U (ja) * | 1984-07-05 | 1986-02-01 | 石川島播磨重工業株式会社 | 原子炉圧力容器の監視試験用温度モニタ− |
| JPH04238232A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-26 | Toppan Printing Co Ltd | 温度表示材及び温度表示方法並びに温度履歴判定方法 |
| JP2001228031A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Aida Kagaku Kogyo Kk | 温度検知材、温度検知方法、及び貴金属製品の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000125310A patent/JP4534049B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117694U (ja) * | 1984-07-05 | 1986-02-01 | 石川島播磨重工業株式会社 | 原子炉圧力容器の監視試験用温度モニタ− |
| JPH04238232A (ja) * | 1991-01-22 | 1992-08-26 | Toppan Printing Co Ltd | 温度表示材及び温度表示方法並びに温度履歴判定方法 |
| JP2001228031A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Aida Kagaku Kogyo Kk | 温度検知材、温度検知方法、及び貴金属製品の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006153644A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Toshiba Corp | 光導波路基板用キャリア |
| JP4550562B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2010-09-22 | 株式会社東芝 | 光導波路基板用キャリア |
| JP2011214998A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Kmew Co Ltd | 加熱処理時の到達温度評価方法 |
| US9506812B2 (en) | 2013-10-25 | 2016-11-29 | Rolls-Royce Plc | Temperature indicator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4534049B2 (ja) | 2010-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Rosencwaig et al. | Thin‐film thickness measurements with thermal waves | |
| Ueda et al. | Studies on temperature of abrasive grains in grinding—application of infrared radiation pyrometer | |
| JP2001304981A (ja) | 密閉容器内温度測定モニタ | |
| US4167109A (en) | Process for measuring temperature with solid state track recorders | |
| Morikawa et al. | Thermal and optical properties of femtosecond-laser-structured PMMA | |
| WO2001073410A1 (en) | Detecting inclusions in transparent sheets | |
| Venerus et al. | Measurement of thermal diffusivity in polymer melts using forced Rayleigh light scattering | |
| Bauer et al. | Pulsed electrothermal technique for measuring the thermal diffusivity of dielectric films on conducting substrates | |
| Welsch et al. | Separation of optical thin‐film and substrate absorption by means of photothermal surface deformation technique | |
| Baillon et al. | Production of 300 paraboloidal mirrors with high reflectivity for use in the Barrel RICH counter in DELPHI at LEP | |
| Ueda et al. | Temperature of work materials irradiated with CO2 laser | |
| Exarhos | Vibrational Raman studies of particle induced damage in oxide glasses | |
| Saad et al. | Scanning Aged CR-39 SSNTDs with etched alpha tracks by using transmitted laser light | |
| Hansen et al. | UV/ozone cleaning of a replica grating | |
| JP3261339B2 (ja) | 細孔分布測定装置 | |
| JPH0972841A (ja) | レーザ回折式粒度分布測定装置 | |
| Welsch et al. | Absolute measurement of thermophysical and optical thin-film properties by photothermal methods for the investigation of laser damage | |
| Chirico et al. | Rotational diffusion and internal motions of circular DNA. II. Depolarized photon correlation spectroscopy | |
| Kojima et al. | The gamma-ray response of clear polymethylmethacrylate dosimeter radix RN15® | |
| Ali et al. | Development of real-time low energy electron calorimeter | |
| Fournier et al. | Thermal wave probing of the optical electronic and thermal properties of semiconductors | |
| JPH0875652A (ja) | ラマン分光測定方法 | |
| Meriaudeau et al. | New fiber optic sensor: application to refractive index sensing | |
| Hirvi et al. | Economical device for measuring thickness of a thin polymer film | |
| JP2003194941A (ja) | 中性子測定用線量計素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060223 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060330 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060331 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060331 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060830 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090417 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090813 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091013 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100507 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100521 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |