JP2001298247A - 絶縁金属ベ−ス回路基板及びそれを用いたモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁金属ベース回路基板の絶縁層として、特定
の物性を備えた材料を用いることにより、熱サイクル時
の耐半田クラック性に優れ、高い信頼性を有するモジュ
ールを提供する。 【解決手段】２３３Ｋにおける貯蔵弾性率（単位；ＧＰ
ａ）をＥ、３００Ｋで規格化されたガラス転移点をＴ
（Ｔ＝Ｔｇ／３００Ｋ）としたとき、Ｌ＝−１．４０Ｅ
＋４．４５×１０^-3E²＋３．７２Ｔ−１．８６Ｔ²が、
１．０以上である絶縁層を有する絶縁金属ベース回路基
板を用いたモジュールである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田クラックに対
する耐久性を向上させた絶縁金属ベ−ス回路基板とそれ
を用いたモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、高発熱性電子部品を実装する
回路基板として、金属板上に無機フィラ−を充填したエ
ポキシ樹脂等からなる絶縁層を設け、該絶縁層上に導電
回路を設けた絶縁金属ベース回路基板が用いられてい
る。

【０００３】一方、車載用電子機器について、その小型
化、省スペ−ス化と共に、電子機器をエンジンル−ム内
に設置することが要望されている。エンジンル−ム内は
温度が高く、温度変化が大きいなど過酷な環境であり、
また、放熱性に優れる回路基板が必要とされる。このよ
うな用途に対して、放熱性に優れる前記絶縁金属ベ−ス
回路基板が注目されている。

【０００４】絶縁金属ベース回路基板の回路には一般的
に各種の電子部品が半田を介して接合されている。ま
た、絶縁金属ベ−ス回路基板は、熱放散性や経済的な理
由から金属ベースとしてアルミニウム板を用いることが
多い。しかし、アルミニウム板と電子部品、特にセラミ
ックチップ部品との熱膨張率の差が大きいため、実使用
下における温度上昇／温度下降の繰り返しを受けて、電
子部品を固定している半田部分或いはその近傍にクラッ
クが発生することがあり、その結果、熱の伝導経路が遮
断され、高発熱性電子部品の放熱が充分に行われずに、
電子部品の温度上昇が起こり、熱的劣化が生じ、機能が
停止してしまう、或いは電気的信頼性が低下するという
問題が発生する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたものであり、温度上昇／温度下降を繰
り返し受けても、半田或いはその近傍でクラック発生等
の異常を生じ難い、絶縁金属ベ−ス回路基板を提供する
ことを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、有限要素法
を用いた熱弾塑性解析において、いろいろな絶縁金属ベ
ース回路基板上に種々の電子部品を半田により接合した
モジュールについて、２３３Ｋから３９８Ｋの範囲の熱
サイクルを負荷する計算を行い、半田の塑性ひずみ範囲
が特定の値以下となるような金属ベース回路基板を探索
し、その結果、前記特定の構造を有する絶縁金属ベース
回路基板を用いるときに、耐半田クラック性に富む、高
い信頼性を有するモジュールが得られることを見出し、
本発明に至ったものである。

【０００７】さらに、本発明者は、上記知見に基づき、
いろいろに実験的に検討し、次の知見を得て本発明に至
ったものである。即ち、半田のクラックは、モジュール
に加熱冷却を繰り返すことにより、基板の金属板と電子
部品との熱膨張差により発生する熱ひずみが半田に負荷
されることにより発生すると考えられ、熱ひずみを基板
の絶縁層で緩和することが重要になってくる。金属板と
電子部品との間で発生する熱ひずみを充分に緩和するた
めには、絶縁層の各種物性の制御が必要になってくる
が、特に、絶縁層のガラス転移点と低温の貯蔵弾性率を
制御することが重要である。また、モジュールとした場
合には、半田の弾性率と絶縁層の弾性率との関係を負荷
される温度範囲で制御することが重要である。

【０００８】即ち、本発明は、金属板上に絶縁層を介し
て導体回路を設けてなる絶縁金属ベ−ス回路基板であっ
て、前記絶縁層の温度２３３Ｋにおける貯蔵弾性率（単
位；ＧＰａ）をＥ、３００Ｋで規格化されたガラス転移
点をＴ（Ｔ＝Ｔｇ／３００Ｋ）としたとき、 Ｌ＝−１．４０Ｅ＋４．４５×10^-3Ｅ² ＋３．７２Ｔ−
１．８６Ｔ² が、１．０以上であることを特徴とする絶縁金属ベ−ス
回路基板であり、好ましくは、Ｌが１．０以上５．０以
下であることを特徴とする前記の絶縁金属ベ−ス回路基
板であり、そのような絶縁金属ベース回路基板を用いて
なることを特徴とするモジュールである。

【０００９】また、本発明は、金属板上に絶縁層を介し
て導体回路を設けてなる絶縁金属ベ−ス回路基板上に各
種電子部品を半田を用いて搭載したモジュールであっ
て、前記半田の弾性率を２３３Ｋから３９８Ｋの範囲に
おいて温度で積分した値から、前記絶縁層の弾性率を２
３３Ｋから３９８Ｋの範囲において温度で積分した値を
引いた値ΔＥｄＴが２．０ＴＰａ・Ｋ以上であることを
特徴とするモジュールであり、好ましくは、ΔＥｄＴが
２．０ＴＰａ・Ｋ以上５０ＴＰａ・Ｋ以下であることを
特徴とする前記のモジュールである。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の絶縁金属ベース回路基板
は、金属板上に絶縁層を有し、前記絶縁層上に導体回路
が設けられている。前記絶縁金属ベース回路基板の導体
回路上に、例えば抵抗チップなどの電子部品が半田によ
り固定されているものが本発明のモジュールであり、こ
のモジュールは、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイ
ド）等からなる各種樹脂ケース等に取り付けられる場合
もあれば、エポキシ樹脂等に包埋される場合もある。電
子部品は、二つの導体回路上に設けられていても、一つ
の導体回路に設けられていても構わない。また、本発明
において、導体回路が単一の金属箔で構成されているも
のであっても、２つ以上の複数の金属を積層したクラッ
ド箔から構成されているものでも構わない。さらに、本
発明において、絶縁層は１層以上の単位絶縁層から構成
され、単位絶縁層が一層であっても、複数の単位絶縁層
から構成されていても構わない。

【００１１】絶縁層は、絶縁金属ベース回路基板の熱放
散性を高く維持するためにいろいろな無機充填剤を含有
することが好ましい。また、絶縁層が多層構造を有する
場合には、樹脂の種類、無機充填剤の種類、樹脂への添
加剤等の種類、或いはそれらの量的割合を変更した少な
くとも２種類以上の単位絶縁層で構成されている。例え
ば、単位絶縁層が３層以上で構成されている場合、いず
れの単位絶縁層が異なる組成であっても、また隣り合う
単位絶縁層が異なる組成で、隣り合わない単位絶縁層が
同一組成であっても構わない。

【００１２】半田は、鉛−錫を含む各種の２元、３元系
半田であっても、鉛を含まない各種の２元、３元系半
田、例えば金、銀、銅、錫、亜鉛、ビスマス、インジウ
ム、アンチモンなどを含む半田であっても構わない。

【００１３】本発明者らは、耐電圧特性が高く、しかも
高熱伝導率を有するという特性を損なうことなく、耐半
田クラック性に優れる絶縁層を見いだすべく、鋭意検討
した結果、ガラス転移点と弾性率をコントロールした樹
脂組成物を絶縁層として用いれば、耐半田クラック性に
優れる絶縁金属ベース回路基板を得ることができるとい
う知見を得、さらに、半田の弾性率と絶縁層の弾性率と
の関係を負荷される温度範囲で制御することで耐半田ク
ラック性に優れるモジュールを得ることができるという
知見を得て、本発明に至ったものである。

【００１４】本発明に於いては、絶縁層について、温度
２３３Ｋにおける貯蔵弾性率（単位；ＧＰａ）をＥ、３
００Ｋで規格化されたガラス転移点をＴ（Ｔ＝Ｔｇ／３
００Ｋ）としたとき、 Ｌ＝−１．４０Ｅ＋４．４５×10^-3Ｅ² ＋３．７２Ｔ−
１．８６Ｔ² が、１．０以上であることが重要であり、好ましくは、
Ｌが１．０以上５．０以下であることが重要である。Ｌ
が１．０を下回ると熱ひずみを緩和する効果が充分に発
揮されなくなり、５．０を越えると熱ひずみを緩和する
効果が充分に発揮されない場合があるからである。

【００１５】また、本発明に於いては、半田の弾性率を
２３３Ｋから３９８Ｋの範囲において温度で積分した値
から、絶縁層の弾性率を２３３Ｋから３９８Ｋの範囲に
おいて温度で積分した値を引いた値ΔＥｄＴが２．０Ｔ
Ｐａ・Ｋ以上であること、好ましくは、ΔＥｄＴが２．
０ＴＰａ・Ｋ以上５０ＴＰａ・Ｋ以下であることが重要
である。ΔＥｄＴが２．０ＴＰａ・Ｋを下回ると、熱ひ
ずみを緩和する効果が充分に発揮されなくなり、５０Ｔ
Ｐａ・Ｋを越えると製造上困難になるためである。

【００１６】本発明の絶縁層に用いられる樹脂として
は、耐熱性、電気絶縁性に優れた樹脂であればどのよう
なものであっても良いが、耐熱性や寸法安定性の点から
熱硬化性樹脂が好ましく、更に熱硬化性樹脂の中では、
常温または加熱下で比較的低粘度で取扱い易く、耐熱性
や電気絶縁性や接着性等に優れるエポキシ樹脂が好まし
い。エポキシ樹脂としてはビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂などの可撓性を有しないエポキシ樹脂やダイマー酸
エポキシ樹脂などの可撓性を有するエポキシ樹脂が使用
できる。またアクリルゴムなどで予め変性したエポキシ
樹脂も使用できる。硬化剤についてはフェノール樹脂な
どの可撓性を有しない硬化剤や脂肪族系炭化水素のジア
ミンなどの可撓性を有する硬化剤が使用でき、これらの
硬化剤とエポキシ樹脂の組み合わせで、本発明に適合す
る配合が選択できる。硬化促進剤についても必要に応じ
て使用してもよい。またこれらの硬化剤以外にポリイミ
ド樹脂、フェノキシ樹脂などの樹脂成分やシリコーンゴ
ムなどのゴム等をブレンドして貯蔵弾性率とガラス転移
点を調整することができる。

【００１７】絶縁層に用いられる無機充填剤としては、
電気絶縁性が良好で、しかも高熱伝導率のものが用いら
れ、このようなものとして酸化アルミニウム、窒化アル
ミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素等があげられ、これら
の単独でも複数を組み合わせても用いることができる。
特に、酸化アルミニウムは粒子形状が球状で高充填可能
なものが安価に、容易に入手できるという理由から好ま
しく、窒化ホウ素は誘電率が低いという理由で好まし
い。

【００１８】又、前記無機充填剤の添加量は絶縁層をな
す樹脂組成物中４０〜７５体積％が好ましい。４０％未
満では放熱性の効果が低下し実用上用途が制限されるこ
とがあるし、７５％を超えると樹脂中への分散が難しく
なるし、また接着性の低下やボイド残存による耐電圧の
低下をきたすためである。

【００１９】本発明において、絶縁層全体の厚みは１０
〜５００μｍ程度あれば充分であるが、２０〜１５０μ
ｍとするときは金属ベース回路基板を生産性高く製造で
きるという利点も有することから好ましい。

【００２０】導体回路を構成する金属箔としては、銅、
アルミニウム、ニッケル、鉄、錫、金、銀、モリブデ
ン、チタニウムのいずれか、これらの金属を２種類以上
含む合金、或いは前記金属又は合金を使用したクラッド
箔等を用いることができる。尚、前記金属箔の製造方法
は電解法でも圧延法で作製したものでもよく、また、金
属箔上にはＮｉメッキ、Ｎｉ−Ａｕメッキ、半田メッキ
などの金属メッキがほどこされていてもかまわない。
尚、絶縁層との接着性の点から、導体回路の絶縁層に接
する側の表面はエッチングやメッキ等により予め粗化処
理されていることが一層好ましい。

【００２１】本発明に用いられる金属板は、アルミニウ
ム、鉄、銅およびそれらの合金、もしくはこれらのクラ
ッド材等からなり、その厚みは特に規定するものではな
いが、熱放散性に富みしかも経済的であることから、厚
み０．５〜５．０ｍｍのアルミニウムが一般的に選択さ
れる。

【００２２】尚、本発明の絶縁金属ベース回路基板の製
造方法に関しては、無機充填剤を含有する樹脂に適宜硬
化剤等の添加剤を添加した絶縁材料を複数準備し、金属
板及び／又は導体箔上に多層塗布しながら、必要に応じ
て加熱処理等を施して、硬化させ、その後導体箔よりエ
ッチング等により回路形成する方法、或いは予め絶縁材
料からなるシ−トを作製しておき、前記シートを介して
金属板や導体箔を張り合わせた後エッチング等により回
路形成する方法等の従来公知の方法で得ることができ
る。

【００２３】

【実施例】〔実施例１〕厚さ２．０ｍｍのアルミニウム
板上に、酸化アルミニウムを６０体積％含有するビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製）からなる樹脂組成物Ａにより、硬化後の厚さが１０
０μｍの絶縁層を形成し、４２３Ｋで１５分加熱した。

【００２４】更に、硬化した樹脂組成物Ａの上に、厚さ
が７０μｍの銅箔をプレス積層した後、４２３Ｋで５時
間の条件で樹脂組成物Ａを硬化させて、絶縁金属ベ−ス
基板を作製し、次に、銅箔をエッチングしてパッド部を
有する所望の回路を形成して、絶縁金属ベース回路基板
とした。

【００２５】尚、上記樹脂組成物Ａについて、上述の樹
脂組成物の硬化条件と同一の条件で硬化させた試片を用
意し、２３３Ｋから３９８Ｋの温度範囲で貯蔵弾性率と
損失弾性率を測定した。測定には、動的粘弾性測定器
（東洋ボールドウィン社製；ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ Ｄ
ＤＶ−３−ＥＰ型）を用い、周波数１１Ｈｚ、昇温速度
２Ｋ／分の条件で測定した。損失弾性率と貯蔵弾性率の
比が極大値をもつ温度をガラス転移点とした。樹脂組成
物Ａの温度２３３Ｋにおける貯蔵弾性率（単位；ＧＰ
ａ）をＥ、３００Ｋで規格化されたガラス転移点をＴ
（Ｔ＝Ｔｇ／３００Ｋ）としたとき、Ｌは１．１であっ
た。

【００２６】次に、前記操作で得た絶縁金属ベース回路
基板の銅箔パッド間にチップサイズ２．０ｍｍ×１．２
５ｍｍ、３．２ｍｍ×２．５ｍｍの２種類のチップ抵抗
を各１０個ずつ搭載しモジュールとした。チップ抵抗の
搭載に際しては、鉛−錫共晶半田を用い、５００Ｋの温
度でリフローにより半田付けを行なった。

【００２７】上記モジュールに関して、液相中において
２３３Ｋ７分保持〜３９８Ｋ７分保持を１サイクルとし
て所定回数処理するヒートサイクル試験を行い、試験後
のモジュールを光学顕微鏡で主に半田部分のクラックの
発生の有無を観察した。その結果を表１に示したとお
り、５００回経過後に何ら異常がなく、良好であった。

【００２８】

【表１】

【００２９】〔実施例２〕厚さ２．０ｍｍのアルミニウ
ム板上に、酸化アルミニウム７０体積％含有するダイマ
ー酸グリシジルエステル（油化シェルエポキシ（株）
製）からなる樹脂組成物Ｂにより、硬化後の厚さが１２
０μｍの絶縁層を形成し、４２３Ｋで１０分加熱した。
更に、その上に厚さが１００μｍのアルミ箔をプレス積
層した後、４２３Ｋで５時間の条件で樹脂組成物を硬化
させて金属ベ−ス基板を作製し、更に、アルミ箔をエッ
チングしてパッド部を有する所望の回路を形成して、絶
縁金属ベース回路基板とした。この絶縁金属ベース回路
基板を用いて、実施例１と同様にモジュールを作成し
て、ヒートサイクル試験を実施し、結果を表１に示し
た。

【００３０】また、実施例１で記したとおりに、樹脂組
成物Ｂの硬化体についてＬを求めたところ、１．４であ
った。

【００３１】〔実施例３〕厚さ２．０ｍｍのアルミニウ
ム板上に、酸化アルミニウムを６５体積％含有するＣＴ
ＢＮ（カルボキシル基末端ブタジエン−アクリロニトリ
ル共重合体）変性型エポキシ樹脂（東都化成（株）製）
からなる樹脂組成物Ｃを、硬化後の厚さが５０μｍにな
るように１層目を形成し、４２３Ｋで１５分加熱した。

【００３２】次に、硬化した樹脂組成物Ｃの上に、酸化
アルミニウムを７０体積％含有するビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製）からなる
樹脂組成物Ｄにより、硬化後の厚さが８０μｍの２層目
を形成し、４２３Ｋで１０分加熱した。

【００３３】更に、硬化した樹脂組成物Ｄの上に、厚さ
が７０μｍの銅箔をプレス積層した後、４２３Ｋで５時
間の条件で樹脂組成物Ｃ、Ｄを硬化させて、絶縁金属ベ
−ス基板を作製し、次に、銅箔をエッチングしてパッド
部を有する所望の回路を形成して、金属ベース回路基板
とした。この金属ベース回路基板を用いて、実施例１と
同様にモジュールを作成して、ヒートサイクル試験を実
施し、結果を表１に示した。

【００３４】尚、上記樹脂組成物Ｃの上に樹脂組成物Ｄ
を積層させた硬化体について、実施例１で記したとおり
にＬを求めたところ、４．１であった。

【００３５】〔実施例４〕厚さ２．０ｍｍのアルミニウ
ム板上に、酸化アルミニウム６５体積％含有するダイマ
ー酸グリシジルエステル（油化シェルエポキシ（株）
製）からなる樹脂組成物Ｅにより、硬化後の厚さが１０
０μｍの絶縁層を形成し、４２３Ｋで１０分加熱した。
更に、その上に厚さが７０μｍの銅箔をプレス積層した
後、４２３Ｋで５時間の条件で樹脂組成物を硬化させて
絶縁金属ベ−ス基板を作製し、更に、銅箔をエッチング
してパッド部を有する所望の回路を形成して、絶縁金属
ベース回路基板とした。この絶縁金属ベース回路基板を
用いて、実施例１と同様にモジュールを作成して、ヒー
トサイクル試験を実施し、結果を表１に示した。

【００３６】尚、上記樹脂組成物Ｅについて、上述の樹
脂組成物の硬化条件と同一の条件で硬化させた試片を用
意し、２３３Ｋから３９８Ｋの温度範囲で実施例１と同
様に弾性率（貯蔵弾性率）を測定した。また、鉛−錫共
晶半田について、２３３、３００、３４５、３９８Ｋの
各温度で砂時計形の円柱試料を用いて、引張試験を行
い、変位量と荷重の関係を基に弾性率を決め、各温度の
間の弾性率は線形補間して決めた。このようにして得
た、温度毎の弾性率を基にΔＥｄＴを求めたところ、
２．３ＴＰａ・Ｋであった。

【００３７】〔実施例５〕厚さ２．０ｍｍのアルミニウ
ム板上に、酸化アルミニウム７０体積％含有するビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製）からなる樹脂組成物Ｆにより、硬化後の厚さが１０
０μｍの絶縁層を形成し、４２３Ｋで１０分加熱した。
更に、その上に厚さが７０μｍの銅箔をプレス積層した
後、４２３Ｋで５時間の条件で樹脂組成物を硬化させて
絶縁金属ベ−ス基板を作製し、更に、銅箔をエッチング
してパッド部を有する所望の回路を形成して、絶縁金属
ベース回路基板とした。次に、前記操作で得た絶縁金属
ベース回路基板の銅箔パッド間にチップサイズ２．０ｍ
ｍ×１．２５ｍｍ、３．２ｍｍ×２．５ｍｍの２種類の
チップ抵抗を各１０個ずつ搭載しモジュールとした。チ
ップ抵抗の搭載に際しては、鉛を含まない３元系半田で
ある錫3.9銀0.6銅を用い、５３０Ｋの温度でリフローに
より半田付けを行なった。

【００３８】上記モジュールに関して、液相中において
２３３Ｋ７分保持〜３９８Ｋ７分保持を１サイクルとし
て所定回数処理するヒートサイクル試験を行い、試験後
のモジュールを光学顕微鏡で主に半田部分のクラックの
発生の有無を観察した。その結果を表１に示したとお
り、５００回経過後に何ら異常がなく、良好であった。

【００３９】尚、上記樹脂組成物Ｆについて、上述の樹
脂組成物の硬化条件と同一の条件で硬化させた試片を用
意し、２３３Ｋから３９８Ｋの温度範囲で実施例１と同
様に弾性率（貯蔵弾性率）を測定した。また、錫3.9銀
0.6銅半田について、２３３、３００、３４５、３９８
Ｋの各温度で砂時計形の円柱試料を用いて、引張試験を
行い、変位量と荷重の関係を基に弾性率を決め、各温度
の間の弾性率は線形補間して決めた。このようにして得
た、温度毎の弾性率を基にΔＥｄＴを求めたところ、１
４．２ＴＰａ・Ｋであった。

【００４０】〔比較例〕厚さ２．０ｍｍのアルミニウム
板上に、酸化アルミニウムを７０体積％含有するビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製）からなる樹脂組成物Ｇを、硬化後の厚さが１００μ
ｍになるように形成し、４２３Ｋで１５分加熱した。そ
の後、実施例１と同じ操作で絶縁金属ベース回路基板、
更にモジュールを作製し、ヒートサイクル試験を実施し
た。この結果を表１に示した。

【００４１】また、実施例１で記したとおりに、樹脂組
成物Ｇの硬化体についてＬを求めたところ、０．５であ
った。

【００４２】

【発明の効果】本発明の絶縁金属ベ−ス回路基板は、２
３３Ｋにおける貯蔵弾性率(単位；ＧＰａ)をＥ、３００
Ｋで規格化されたガラス転移点をＴ（Ｔ＝Ｔｇ／３００
Ｋ）としたとき、 Ｌ＝−１．４０Ｅ＋４．４５×10^-3Ｅ² ＋３．７２Ｔ−
１．８６Ｔ² が、１．０以上の絶縁層を有することから、実使用条件
下で受ける厳しい温度変化によっても半田及びその周辺
部にクラックを生じることがなく信頼性の高いモジュー
ルを提供することができる。

【００４３】本発明のモジュールは、半田の弾性率を２
３３Ｋから３９８Ｋの範囲において温度で積分した値か
ら、絶縁層の弾性率を２３３Ｋから３９８Ｋの範囲にお
いて温度で積分した値を引いた値ΔＥｄＴが２．０ＴＰ
ａ・Ｋ以上であることから、例えば、２３３Ｋ〜３９８
Ｋの繰り返しのような厳しい温度変化を受けた際にも、
半田及びその周辺部にクラックを生じることがなく、信
頼性が高く産業上有用である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】金属板上に絶縁層を介して導体回路を設け
   てなる絶縁金属ベ−ス回路基板であって、前記絶縁層の
   温度２３３Ｋにおける貯蔵弾性率（単位；ＧＰａ）を
   Ｅ、３００Ｋで規格化されたガラス転移点をＴ（Ｔ＝Ｔ
   ｇ／３００Ｋ）としたとき、 Ｌ＝−１．４０Ｅ＋４．４５×10^-3Ｅ² ＋３．７２Ｔ−
   １．８６Ｔ² が、１．０以上であることを特徴とする絶縁金属ベ−ス
   回路基板。
2. 【請求項２】請求項１記載の絶縁金属ベース回路基板を
   用いてなることを特徴とするモジュール。
3. 【請求項３】金属板上に絶縁層を介して導体回路を設け
   てなる絶縁金属ベ−ス回路基板上に各種電子部品を半田
   を用いて搭載したモジュールであって、前記半田の弾性
   率を２３３Ｋから３９８Ｋの範囲において温度で積分し
   た値から、前記絶縁層の弾性率を２３３Ｋから３９８Ｋ
   の範囲において温度で積分した値を引いた値が２．０Ｔ
   Ｐａ・Ｋ以上であることを特徴とするモジュール。