JP2001297993A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クリーンユニットのファンの径が大きいとき
にも、半導体製造装置の幅を小さくする。 【解決手段】 半導体ウェハを熱処理する反応室２６を
設け、反応室２６のシールキャップ２５を昇降するエレ
ベータ２４を設け、エレベータ２４に対向してボートを
移動させるボート交換装置２７を設け、天井面に空気導
入口３３を設け、空気導入口３３に連通して空気導入ダ
クト３４を設け、ボート交換装置２７の近傍にクリーン
ユニット４０を設け、クリーンユニット４０の本体４１
の前部に空気導入ダクト３４に連結された空気導入路４
２を設け、本体４１の後部にチャンバ４４を設け、空気
導入路４２とチャンバ４４との間にターボファン４３を
設け、本体４１にフィルタ４５を着脱可能に取り付け、
ターボファン４３の回転面とフィルタ４５の表面とをほ
ぼ平行かつ並列に配置する。
にも、半導体製造装置の幅を小さくする。 【解決手段】 半導体ウェハを熱処理する反応室２６を
設け、反応室２６のシールキャップ２５を昇降するエレ
ベータ２４を設け、エレベータ２４に対向してボートを
移動させるボート交換装置２７を設け、天井面に空気導
入口３３を設け、空気導入口３３に連通して空気導入ダ
クト３４を設け、ボート交換装置２７の近傍にクリーン
ユニット４０を設け、クリーンユニット４０の本体４１
の前部に空気導入ダクト３４に連結された空気導入路４
２を設け、本体４１の後部にチャンバ４４を設け、空気
導入路４２とチャンバ４４との間にターボファン４３を
設け、本体４１にフィルタ４５を着脱可能に取り付け、
ターボファン４３の回転面とフィルタ４５の表面とをほ
ぼ平行かつ並列に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルタを通過した
気流を装置内に送出するクリーンユニットを具備する縦
形拡散・ＣＶＤ装置等の半導体製造装置に関するもので
ある。
気流を装置内に送出するクリーンユニットを具備する縦
形拡散・ＣＶＤ装置等の半導体製造装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の半導体製造装置に使用され
るクリーンユニットを示す斜視図、図９は図８に示した
クリーンユニットを示す断面図である。図に示すよう
に、本体１内の後部すなわち図９紙面上部にチャンバ２
が設けられ、チャンバ２に空気導入ダクト３が連通さ
れ、本体１の前部すなわち図９紙面下部にフィルタ５が
着脱可能に取り付けられ、チャンバ２とフィルタ５との
間にファン４が設けられている。
るクリーンユニットを示す斜視図、図９は図８に示した
クリーンユニットを示す断面図である。図に示すよう
に、本体１内の後部すなわち図９紙面上部にチャンバ２
が設けられ、チャンバ２に空気導入ダクト３が連通さ
れ、本体１の前部すなわち図９紙面下部にフィルタ５が
着脱可能に取り付けられ、チャンバ２とフィルタ５との
間にファン４が設けられている。
【０００３】このクリーンユニットにおいては、ファン
４を作動すると、空気導入ダクト３を介して空気がチャ
ンバ２内に取り込まれ、チャンバ２内の空気はフィルタ
５を通過して、クリーンエアが本体１の前面に送出され
る。
４を作動すると、空気導入ダクト３を介して空気がチャ
ンバ２内に取り込まれ、チャンバ２内の空気はフィルタ
５を通過して、クリーンエアが本体１の前面に送出され
る。
【０００４】図１０は従来の他の半導体製造装置に使用
されるクリーンユニットを示す正面図、図１１は図１０
に示したクリーンユニットを示す平面図である。図に示
すように、本体１１内の上部すなわち図１０紙面上部に
チャンバ１２が設けられ、チャンバ１２に空気導入路１
９を介して送風装置１３が接続され、送風装置１３にモ
ータ１４、モータ１４によって駆動されるファン１５、
外部に開口した空気取入口１６および空気導入路１９に
連通した空気導入口１７が設けられ、本体１の下部すな
わち図１０紙面下部にフィルタ１８が設けられている。
されるクリーンユニットを示す正面図、図１１は図１０
に示したクリーンユニットを示す平面図である。図に示
すように、本体１１内の上部すなわち図１０紙面上部に
チャンバ１２が設けられ、チャンバ１２に空気導入路１
９を介して送風装置１３が接続され、送風装置１３にモ
ータ１４、モータ１４によって駆動されるファン１５、
外部に開口した空気取入口１６および空気導入路１９に
連通した空気導入口１７が設けられ、本体１の下部すな
わち図１０紙面下部にフィルタ１８が設けられている。
【０００５】このクリーンユニットにおいては、送風装
置１３を作動すると、空気導入路１９を介して空気がチ
ャンバ１２内に取り込まれ、チャンバ１２内の空気はフ
ィルタ１８を通過して、クリーンエアが本体１１の下面
に送出される。
置１３を作動すると、空気導入路１９を介して空気がチ
ャンバ１２内に取り込まれ、チャンバ１２内の空気はフ
ィルタ１８を通過して、クリーンエアが本体１１の下面
に送出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図８、図９に
示したクリーンユニットにおいては、チャンバ２、ファ
ン４、フィルタ５が直列に配置されているから、フィル
タ５が設けられた部分のクリーンユニットのユニット幅
すなわち図９紙面上下方向寸法が大きくなるので、半導
体製造装置の幅を小さくすることができない。
示したクリーンユニットにおいては、チャンバ２、ファ
ン４、フィルタ５が直列に配置されているから、フィル
タ５が設けられた部分のクリーンユニットのユニット幅
すなわち図９紙面上下方向寸法が大きくなるので、半導
体製造装置の幅を小さくすることができない。
【０００７】また、図１０、図１１に示したクリーンユ
ニットにおいては、ファン１５とフィルタ１８は並列に
配置されているものの、ファン１５の回転面とフィルタ
１８の表面とは垂直に配置されているから、すなわちフ
ァン１５とフィルタ１８とが図１０紙面左右方向に並べ
られているものの、ファン１５の回転中心線がフィルタ
１８の表面と平行であるから、クリーンユニットのユニ
ット幅すなわち図１０紙面上下方向寸法がファン１５の
径に依存するので、ファン１５の径が大きいときには、
ユニット幅が大きくなるため、半導体製造装置の幅を小
さくすることができない。
ニットにおいては、ファン１５とフィルタ１８は並列に
配置されているものの、ファン１５の回転面とフィルタ
１８の表面とは垂直に配置されているから、すなわちフ
ァン１５とフィルタ１８とが図１０紙面左右方向に並べ
られているものの、ファン１５の回転中心線がフィルタ
１８の表面と平行であるから、クリーンユニットのユニ
ット幅すなわち図１０紙面上下方向寸法がファン１５の
径に依存するので、ファン１５の径が大きいときには、
ユニット幅が大きくなるため、半導体製造装置の幅を小
さくすることができない。
【０００８】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、クリーンユニットのファンの径が大きいと
きにも、半導体製造装置の幅を小さくすることができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。
れたもので、クリーンユニットのファンの径が大きいと
きにも、半導体製造装置の幅を小さくすることができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、ファンと、フィルタと、上記フ
ァンにより生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有
し、上記フィルタを通過した気流を装置内に送出するク
リーンユニットを具備する半導体製造装置において、上
記クリーンユニットの上記ファンの回転面と上記フィル
タの表面とをほぼ平行かつ並列に配置する。
め、本発明においては、ファンと、フィルタと、上記フ
ァンにより生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有
し、上記フィルタを通過した気流を装置内に送出するク
リーンユニットを具備する半導体製造装置において、上
記クリーンユニットの上記ファンの回転面と上記フィル
タの表面とをほぼ平行かつ並列に配置する。
【００１０】この場合、上記クリーンユニットの上記フ
ィルタを上記ファンの両側に配置してもよい。
ィルタを上記ファンの両側に配置してもよい。
【００１１】これらの場合、基板を熱処理する反応室
と、上記反応室内で複数枚の基板を保持するボートとを
有し、上記クリーンユニットの上記フィルタを上記反応
室から引き出した上記ボートに対向する位置に設けても
よい。
と、上記反応室内で複数枚の基板を保持するボートとを
有し、上記クリーンユニットの上記フィルタを上記反応
室から引き出した上記ボートに対向する位置に設けても
よい。
【００１２】また、基板を熱処理する反応室と、上記反
応室内で複数枚の基板を保持するボートと、上記ボート
に対し上記基板を移載する基板移載位置、上記基板が装
填された上記ボートを上記反応室内にロード／アンロー
ドするロード／アンロード位置、上記ボートを一時的に
退避させる退避位置に上記ボートを移動させるボート交
換装置とを有し、上記クリーンユニットの上記フィルタ
を上記基板移載位置、上記退避位置の上記ボートに対向
するように配置してもよい。
応室内で複数枚の基板を保持するボートと、上記ボート
に対し上記基板を移載する基板移載位置、上記基板が装
填された上記ボートを上記反応室内にロード／アンロー
ドするロード／アンロード位置、上記ボートを一時的に
退避させる退避位置に上記ボートを移動させるボート交
換装置とを有し、上記クリーンユニットの上記フィルタ
を上記基板移載位置、上記退避位置の上記ボートに対向
するように配置してもよい。
【００１３】この場合、上記反応室における熱処理後の
上記基板が装填されたボートを上記ボート交換装置によ
り上記退避位置に搬送し、保持するようにしてもよい。
上記基板が装填されたボートを上記ボート交換装置によ
り上記退避位置に搬送し、保持するようにしてもよい。
【００１４】また、上記ボート交換装置のアームを回動
する本体を、上記クリーンユニットの上記ファンに隣接
して設置してもよい。
する本体を、上記クリーンユニットの上記ファンに隣接
して設置してもよい。
【００１５】これらの場合、天井面に外部から上記クリ
ーンユニット内に空気を取り込むための空気導入口が設
けられ、上記空気導入口から取り込まれた空気は空気導
入ダクトを介して上記クリーンユニット内に取り込まれ
るようにしてもよい。
ーンユニット内に空気を取り込むための空気導入口が設
けられ、上記空気導入口から取り込まれた空気は空気導
入ダクトを介して上記クリーンユニット内に取り込まれ
るようにしてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る半導体製造装
置を示す概略斜視図、図２は図１に示した半導体製造装
置を示す平面図、図３は図１、図２に示した半導体製造
装置に使用するクリーンユニットを示す斜視図、図４は
図３に示したクリーンユニットを示す正面図、図５は図
４のＡ−Ａ断面図、図６は図４のＢ−Ｂ断面図、図７は
図４のＣ−Ｃ断面図である。図に示すように、基板であ
る半導体ウェハ（図示せず）を移載する移載機２２を昇
降するエレベータ２１が設けられ、半導体ウェハのノッ
チを合わせるノッチ合わせ装置２３が設けられ、半導体
ウェハを熱処理する反応室（ヒータ）２６が設けられ、
反応室２６内で複数枚の半導体ウェハを保持するボート
（図示せず）が設けられ、反応室２６のシールキャップ
２５を昇降するエレベータ２４が設けられ、エレベータ
２４に対向してボート交換装置２７が設けられ、ボート
交換装置２７は本体３０と本体３０によって回動される
２本のアーム２８、２９とを有しており、ボート交換装
置２７はボートに対し半導体ウェハを移載する基板移載
位置すなわち図２のアーム２８の位置、半導体ウェハが
装填されたボートを反応室２６内にロード／アンロード
するロード／アンロード位置すなわち図２のシールキャ
ップ２５の位置、ボートを一時的に退避させる退避位置
すなわち図２のアーム２９の位置にボートを移動させる
ことができ、とくに反応室２６における熱処理後の半導
体ウェハが装填されたボートを退避位置に搬送し、保持
することができる。また、ノッチ合わせ装置２３の上方
に複数枚の半導体ウェハ（基板）を収納した基板収納容
器（図示せず）を複数個保持することができる回転棚３
１が設けられ、回転棚３１の近傍の天井面３２に空気導
入口３３が設けられ、空気導入口３３に連通して空気導
入ダクト３４が設けられている。また、ボート交換装置
２７の近傍にクリーンユニット４０が設けられ、クリー
ンユニット４０の本体４１の前部すなわち図５紙面下部
に空気導入路４２が設けられ、空気導入路４２はフラン
ジ３５により空気導入ダクト３４に連結されている。ま
た、本体４１の後部すなわち図５紙面上部にチャンバ４
４が設けられ、空気導入路４２とチャンバ４４との間に
ターボファン４３が設けられ、本体４１にフィルタ４５
が着脱可能に取り付けられ、ターボファン４３の回転面
とフィルタ４５の表面とがほぼ平行かつ並列に配置され
ている。すなわち、ターボファン４３の回転中心線とフ
ィルタ４５の表面とが直角であり、フィルタ４５とター
ボファン４３とが図５紙面左右方向に並んでおり、フィ
ルタ４５がターボファン４３の両側に配置されている。
そして、チャンバ４４はターボファン４３により生ずる
気流をフィルタ４５に導く空間を構成している。また、
フィルタ４５は反応室２６から引き出したボートに対向
する位置に設けられ、フィルタ４５は基板移載位置、退
避位置のボートに対向するように配置されている。な
お、フィルタ４５はロード／アンロード位置のボートに
対向するように配置してもよい。また、ボート交換装置
２７は本体３０がターボファン４３に隣接して設置され
ている。
置を示す概略斜視図、図２は図１に示した半導体製造装
置を示す平面図、図３は図１、図２に示した半導体製造
装置に使用するクリーンユニットを示す斜視図、図４は
図３に示したクリーンユニットを示す正面図、図５は図
４のＡ−Ａ断面図、図６は図４のＢ−Ｂ断面図、図７は
図４のＣ−Ｃ断面図である。図に示すように、基板であ
る半導体ウェハ（図示せず）を移載する移載機２２を昇
降するエレベータ２１が設けられ、半導体ウェハのノッ
チを合わせるノッチ合わせ装置２３が設けられ、半導体
ウェハを熱処理する反応室（ヒータ）２６が設けられ、
反応室２６内で複数枚の半導体ウェハを保持するボート
（図示せず）が設けられ、反応室２６のシールキャップ
２５を昇降するエレベータ２４が設けられ、エレベータ
２４に対向してボート交換装置２７が設けられ、ボート
交換装置２７は本体３０と本体３０によって回動される
２本のアーム２８、２９とを有しており、ボート交換装
置２７はボートに対し半導体ウェハを移載する基板移載
位置すなわち図２のアーム２８の位置、半導体ウェハが
装填されたボートを反応室２６内にロード／アンロード
するロード／アンロード位置すなわち図２のシールキャ
ップ２５の位置、ボートを一時的に退避させる退避位置
すなわち図２のアーム２９の位置にボートを移動させる
ことができ、とくに反応室２６における熱処理後の半導
体ウェハが装填されたボートを退避位置に搬送し、保持
することができる。また、ノッチ合わせ装置２３の上方
に複数枚の半導体ウェハ（基板）を収納した基板収納容
器（図示せず）を複数個保持することができる回転棚３
１が設けられ、回転棚３１の近傍の天井面３２に空気導
入口３３が設けられ、空気導入口３３に連通して空気導
入ダクト３４が設けられている。また、ボート交換装置
２７の近傍にクリーンユニット４０が設けられ、クリー
ンユニット４０の本体４１の前部すなわち図５紙面下部
に空気導入路４２が設けられ、空気導入路４２はフラン
ジ３５により空気導入ダクト３４に連結されている。ま
た、本体４１の後部すなわち図５紙面上部にチャンバ４
４が設けられ、空気導入路４２とチャンバ４４との間に
ターボファン４３が設けられ、本体４１にフィルタ４５
が着脱可能に取り付けられ、ターボファン４３の回転面
とフィルタ４５の表面とがほぼ平行かつ並列に配置され
ている。すなわち、ターボファン４３の回転中心線とフ
ィルタ４５の表面とが直角であり、フィルタ４５とター
ボファン４３とが図５紙面左右方向に並んでおり、フィ
ルタ４５がターボファン４３の両側に配置されている。
そして、チャンバ４４はターボファン４３により生ずる
気流をフィルタ４５に導く空間を構成している。また、
フィルタ４５は反応室２６から引き出したボートに対向
する位置に設けられ、フィルタ４５は基板移載位置、退
避位置のボートに対向するように配置されている。な
お、フィルタ４５はロード／アンロード位置のボートに
対向するように配置してもよい。また、ボート交換装置
２７は本体３０がターボファン４３に隣接して設置され
ている。
【００１７】この半導体製造装置においては、まず移載
機２２が基板収納容器から熱処理を行なうべき半導体ウ
ェハを取り入れ、ノッチ合わせ装置２３に半導体ウェハ
を搬送すると、ノッチ合わせ装置２３が半導体ウェハの
ノッチ合わせを行ない、こののち移載機２２が半導体ウ
ェハを基板移載位置に保持された空の第１のボートに充
填する。つぎに、アーム２８が半導体ウェハの充填され
た第１のボートをロード／アンロード位置すなわちシー
ルキャップ２５上に搬送する。つぎに、エレベータ２４
がシールキャップ２５上の第１のボートを反応室２６内
に搬送し、反応室２６で第１のボートに充填された半導
体ウェハを熱処理する。この反応室２６での第１のボー
トに充填された半導体ウェハの熱処理が行なわれている
ときに、アーム２９が退避位置に保持された空の第２の
ボートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして基
板移載位置にある空の第２のボートにノッチ合わせをし
た半導体ウェハを充填する。そして、反応室２６での第
１のボートに充填された半導体ウェハの熱処理が終了し
たときには、エレベータ２４がシールキャップ２５とと
もに反応室２６内の第１のボートを下降し、アーム２９
がシールキャップ２５上の第１のボートすなわち反応室
２６から引き出した第１のボートを退避位置まで搬送す
る。つぎに、アーム２８が基板移載位置にありかつ半導
体ウェハの充填された第２のボートをロード／アンロー
ド位置すなわちシールキャップ２５上に搬送する。つぎ
に、エレベータ２４がシールキャップ２５上の第２のボ
ートを反応室２６内に搬送し、反応室２６で第２のボー
トに充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室
２６で第２のポートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム２９が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第１のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、移載機２２が熱処理済
みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、移載機２２が
未処理の半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処
理を行なうべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせ
装置２３によりノッチ合わせが行なわれた半導体ウェハ
を基板移載位置に保持された空の第１のボートに充填す
る。そして、反応室２６での第２のボートに充填された
半導体ウェハの熱処理が終了したときには、エレベータ
２４がシールキャップ２５とともに反応室２６内の第２
のボートを下降し、アーム２９がシールキャップ２５上
の第２のボートを退避位置まで搬送する。つぎに、アー
ム２８が半導体ウェハの充填された第１のボートをシー
ルキャップ２５上に搬送し、反応室２６で第１のボート
に充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室２
６での第１のボートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム２９が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第２のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして熱処
理済みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、未処理の
半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処理を行な
うべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせが行なわ
れた半導体ウェハを基板移載位置に保持された空の第２
のボートに充填する。以下、同様にして半導体ウェハを
熱処理する。すなわち、基板移載位置に保持された第１
のボートに充填された半導体ウェハを反応室２６で熱処
理している間に、退避位置に保持された第２のボートに
充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位置に
て回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェハを
第２のボートに充填し、また基板移載位置に保持された
第２のボートに充填された半導体ウェハを反応室２６で
熱処理している間に、退避位置に保持された第１のボー
トに充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位
置にて回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェ
ハを第１のボートに充填する。
機２２が基板収納容器から熱処理を行なうべき半導体ウ
ェハを取り入れ、ノッチ合わせ装置２３に半導体ウェハ
を搬送すると、ノッチ合わせ装置２３が半導体ウェハの
ノッチ合わせを行ない、こののち移載機２２が半導体ウ
ェハを基板移載位置に保持された空の第１のボートに充
填する。つぎに、アーム２８が半導体ウェハの充填され
た第１のボートをロード／アンロード位置すなわちシー
ルキャップ２５上に搬送する。つぎに、エレベータ２４
がシールキャップ２５上の第１のボートを反応室２６内
に搬送し、反応室２６で第１のボートに充填された半導
体ウェハを熱処理する。この反応室２６での第１のボー
トに充填された半導体ウェハの熱処理が行なわれている
ときに、アーム２９が退避位置に保持された空の第２の
ボートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして基
板移載位置にある空の第２のボートにノッチ合わせをし
た半導体ウェハを充填する。そして、反応室２６での第
１のボートに充填された半導体ウェハの熱処理が終了し
たときには、エレベータ２４がシールキャップ２５とと
もに反応室２６内の第１のボートを下降し、アーム２９
がシールキャップ２５上の第１のボートすなわち反応室
２６から引き出した第１のボートを退避位置まで搬送す
る。つぎに、アーム２８が基板移載位置にありかつ半導
体ウェハの充填された第２のボートをロード／アンロー
ド位置すなわちシールキャップ２５上に搬送する。つぎ
に、エレベータ２４がシールキャップ２５上の第２のボ
ートを反応室２６内に搬送し、反応室２６で第２のボー
トに充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室
２６で第２のポートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム２９が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第１のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、移載機２２が熱処理済
みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、移載機２２が
未処理の半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処
理を行なうべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせ
装置２３によりノッチ合わせが行なわれた半導体ウェハ
を基板移載位置に保持された空の第１のボートに充填す
る。そして、反応室２６での第２のボートに充填された
半導体ウェハの熱処理が終了したときには、エレベータ
２４がシールキャップ２５とともに反応室２６内の第２
のボートを下降し、アーム２９がシールキャップ２５上
の第２のボートを退避位置まで搬送する。つぎに、アー
ム２８が半導体ウェハの充填された第１のボートをシー
ルキャップ２５上に搬送し、反応室２６で第１のボート
に充填された半導体ウェハを熱処理する。この反応室２
６での第１のボートに充填された半導体ウェハの熱処理
が行なわれているときに、アーム２９が退避位置に保持
された熱処理済みの半導体ウェハの充填された第２のボ
ートを基板移載位置まで搬送し、上述と同様にして熱処
理済みの半導体ウェハを基板収納容器に戻し、未処理の
半導体ウェハを収納した基板収納容器から熱処理を行な
うべき半導体ウェハを取り入れ、ノッチ合わせが行なわ
れた半導体ウェハを基板移載位置に保持された空の第２
のボートに充填する。以下、同様にして半導体ウェハを
熱処理する。すなわち、基板移載位置に保持された第１
のボートに充填された半導体ウェハを反応室２６で熱処
理している間に、退避位置に保持された第２のボートに
充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位置に
て回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェハを
第２のボートに充填し、また基板移載位置に保持された
第２のボートに充填された半導体ウェハを反応室２６で
熱処理している間に、退避位置に保持された第１のボー
トに充填された熱処理済みの半導体ウェハを基板移載位
置にて回収するとともに、次に熱処理すべき半導体ウェ
ハを第１のボートに充填する。
【００１８】また、ターボファン４３を作動させると、
装置の天井面３２に設けられた空気導入口３３、空気導
入ダクト３４を介して空気が空気導入路４２内に取り込
まれ、空気導入路４２内の空気がチャンバ４４、フィル
タ４５を通過して、クリーンエアすなわち気流が本体４
１の前面にすなわち装置内にほぼ水平な方向に送出され
る。
装置の天井面３２に設けられた空気導入口３３、空気導
入ダクト３４を介して空気が空気導入路４２内に取り込
まれ、空気導入路４２内の空気がチャンバ４４、フィル
タ４５を通過して、クリーンエアすなわち気流が本体４
１の前面にすなわち装置内にほぼ水平な方向に送出され
る。
【００１９】このような半導体製造装置においては、フ
ィルタ４５が設けられた部分ではチャンバ４４とフィル
タ４５とが直列に配置されており、ターボファン４３は
直列に配置されていないから、フィルタ４５が設けられ
た部分のクリーンユニット４０のユニット幅すなわち図
５紙面上下方向寸法が小さく、またターボファン４３の
回転面とフィルタ４５の表面とがほぼ平行かつ並列に配
置されているから、クリーンユニット４０のユニット幅
がターボファン４３の径に依存することはないので、タ
ーボファン４３の径が大きいときにも、半導体製造装置
の幅を小さくすることができる。また、フィルタ４５を
ターボファン４３を挟んでターボファン４３の両側に配
置しているから、１つのファンにて複数の異なる個所に
効率よくクリーンエアを送出することができる。また、
フィルタ４５を反応室２６から引き出した第１、第２の
ボートに対向する位置に設けているから、反応室２６で
の熱処理後の加熱された半導体ウェハを冷却することが
できる。また、フィルタ４５を基板移載位置、退避位
置、あるいはロード／アンロード位置のボートに対向す
るように配置しているから、第１、第２のボートに充填
された半導体ウェハに直接クリーンエアを送出すること
ができる。また、ボート交換装置２７が反応室２６にお
ける熱処理後の半導体ウェハが装填されたボートを退避
位置に搬送し、保持しているから、効率よく半導体ウェ
ハの熱処理作業（半導体ウェハ冷却等）を行なうことが
できる。また、ボート交換装置２７の本体３０をターボ
ファン４３に隣接して設置しているから、クリーンユニ
ット４０のユニット幅が小さいフィルタ４５が設けられ
た部分に対向してアーム２８、２９を位置させることが
できるので、半導体製造装置の幅をより小さくすること
ができる。また、装置の天井面３２に外部からクリーン
ユニット４０内に空気を取り込むための空気導入口３３
を設け、空気導入口３３から取り込まれた空気を空気導
入ダクト３４を介してクリーンユニット４０内に取り込
むから、効率よく、装置上方より空気をクリーンユニッ
ト４０内に取り込み、装置内にほぼ水平な方向のエアー
フローを形成することができる。また、フィルタ４５が
本体４１に着脱可能に取り付けられているから、フィル
タ４５に目詰まりが生じた場合には、フィルタ４５を交
換することができる。
ィルタ４５が設けられた部分ではチャンバ４４とフィル
タ４５とが直列に配置されており、ターボファン４３は
直列に配置されていないから、フィルタ４５が設けられ
た部分のクリーンユニット４０のユニット幅すなわち図
５紙面上下方向寸法が小さく、またターボファン４３の
回転面とフィルタ４５の表面とがほぼ平行かつ並列に配
置されているから、クリーンユニット４０のユニット幅
がターボファン４３の径に依存することはないので、タ
ーボファン４３の径が大きいときにも、半導体製造装置
の幅を小さくすることができる。また、フィルタ４５を
ターボファン４３を挟んでターボファン４３の両側に配
置しているから、１つのファンにて複数の異なる個所に
効率よくクリーンエアを送出することができる。また、
フィルタ４５を反応室２６から引き出した第１、第２の
ボートに対向する位置に設けているから、反応室２６で
の熱処理後の加熱された半導体ウェハを冷却することが
できる。また、フィルタ４５を基板移載位置、退避位
置、あるいはロード／アンロード位置のボートに対向す
るように配置しているから、第１、第２のボートに充填
された半導体ウェハに直接クリーンエアを送出すること
ができる。また、ボート交換装置２７が反応室２６にお
ける熱処理後の半導体ウェハが装填されたボートを退避
位置に搬送し、保持しているから、効率よく半導体ウェ
ハの熱処理作業（半導体ウェハ冷却等）を行なうことが
できる。また、ボート交換装置２７の本体３０をターボ
ファン４３に隣接して設置しているから、クリーンユニ
ット４０のユニット幅が小さいフィルタ４５が設けられ
た部分に対向してアーム２８、２９を位置させることが
できるので、半導体製造装置の幅をより小さくすること
ができる。また、装置の天井面３２に外部からクリーン
ユニット４０内に空気を取り込むための空気導入口３３
を設け、空気導入口３３から取り込まれた空気を空気導
入ダクト３４を介してクリーンユニット４０内に取り込
むから、効率よく、装置上方より空気をクリーンユニッ
ト４０内に取り込み、装置内にほぼ水平な方向のエアー
フローを形成することができる。また、フィルタ４５が
本体４１に着脱可能に取り付けられているから、フィル
タ４５に目詰まりが生じた場合には、フィルタ４５を交
換することができる。
【００２０】なお、上述実施の形態においては、ファン
としてターボファン４３を用いたが、他のファンを用い
てもよい。
としてターボファン４３を用いたが、他のファンを用い
てもよい。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る半導体製造装置において
は、クリーンユニットのユニット幅がファンの径に依存
することはないから、ファンの径が大きいときにも、半
導体製造装置の幅を小さくすることができる。
は、クリーンユニットのユニット幅がファンの径に依存
することはないから、ファンの径が大きいときにも、半
導体製造装置の幅を小さくすることができる。
【００２２】また、クリーンユニットのフィルタをファ
ンの両側に配置したときには、効率よく気流を送出する
ことができる。
ンの両側に配置したときには、効率よく気流を送出する
ことができる。
【００２３】また、基板を熱処理する反応室と、反応室
内で複数枚の基板を保持するボートとを設け、クリーン
ユニットのフィルタを反応室から引き出したボートに対
向する位置に設けたときには、反応室での熱処理後の加
熱された基板を冷却することができる。
内で複数枚の基板を保持するボートとを設け、クリーン
ユニットのフィルタを反応室から引き出したボートに対
向する位置に設けたときには、反応室での熱処理後の加
熱された基板を冷却することができる。
【００２４】また、基板を熱処理する反応室と、反応室
内で複数枚の基板を保持するボートと、ボートに基板を
移載する基板移載位置、基板が装填されたボートを反応
室内にロード／アンロードするロード／アンロード位
置、ボートを一時的に退避させる退避位置にボートを移
動させるボート交換装置とを設け、クリーンユニットの
フィルタを基板移載位置、退避位置のボートに対向する
ように配置したときには、ボートに充填された基板に直
接気流を送出することができる。なお、ロード／アンロ
ード位置のボートに対向するように配置すると、さらに
好ましい。
内で複数枚の基板を保持するボートと、ボートに基板を
移載する基板移載位置、基板が装填されたボートを反応
室内にロード／アンロードするロード／アンロード位
置、ボートを一時的に退避させる退避位置にボートを移
動させるボート交換装置とを設け、クリーンユニットの
フィルタを基板移載位置、退避位置のボートに対向する
ように配置したときには、ボートに充填された基板に直
接気流を送出することができる。なお、ロード／アンロ
ード位置のボートに対向するように配置すると、さらに
好ましい。
【００２５】また、反応室における熱処理後の基板が装
填されたボートをボート交換装置により退避位置に搬送
し、保持するようにしたときには、効率よく基板の熱処
理作業を行なうことができる。
填されたボートをボート交換装置により退避位置に搬送
し、保持するようにしたときには、効率よく基板の熱処
理作業を行なうことができる。
【００２６】また、ボート交換装置のアームを回動する
本体を、上記クリーンユニットのファンに隣接して設置
したときには、半導体製造装置の幅をより小さくするこ
とができる。
本体を、上記クリーンユニットのファンに隣接して設置
したときには、半導体製造装置の幅をより小さくするこ
とができる。
【００２７】また、天井面に外部からクリーンユニット
内に空気を取り込むための空気導入口が設けられ、空気
導入口から取り込まれた空気は空気導入ダクトを介して
クリーンユニット内に取り込まれるようにしたときに
は、効率よく空気をクリーンユニット内に取り込み、装
置内にほぼ水平な方向のエアーフローを形成することが
できる。
内に空気を取り込むための空気導入口が設けられ、空気
導入口から取り込まれた空気は空気導入ダクトを介して
クリーンユニット内に取り込まれるようにしたときに
は、効率よく空気をクリーンユニット内に取り込み、装
置内にほぼ水平な方向のエアーフローを形成することが
できる。
【図１】図１は本発明に係る半導体製造装置を示す概略
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１に示した半導体製造装置を示す平面図であ
る。
る。
【図３】図１、図２に示した半導体製造装置に使用する
クリーンユニットを示す斜視図である。
クリーンユニットを示す斜視図である。
【図４】図３に示したクリーンユニットを示す正面図で
ある。
ある。
【図５】図４のＡ−Ａ断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】図４のＣ−Ｃ断面図である。
【図８】従来の半導体製造装置に使用されるクリーンユ
ニットを示す斜視図である。
ニットを示す斜視図である。
【図９】図８に示したクリーンユニットを示す断面図で
ある。
ある。
【図１０】従来の他の半導体製造装置に使用されるクリ
ーンユニットを示す正面図である。
ーンユニットを示す正面図である。
【図１１】図１０に示したクリーンユニットを示す平面
図である。
図である。
２６…反応室 ２７…ボート交換装置 ２８…アーム ２９…アーム ３０…本体 ３２…天井面 ３３…空気導入口 ３４…空気導入ダクト ４０…クリーンユニット ４２…空気導入路 ４３…ターボファン ４４…チャンバ ４５…フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｃ２３Ｃ 16/44 Ｆ 16/54 16/54 (72)発明者 小竹 繁 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 BD01 DA00 DA01 GA01 KA02 KA09 4K030 DA09 GA12 GA13 KA08 KA49 LA15 5F031 CA02 FA01 FA05 FA07 FA11 FA12 GA02 GA47 GA48 GA49 GA50 HA67 MA28 NA03 5F045 BB08 BB14 EM08 EM10
Claims (7)
- 【請求項１】ファンと、フィルタと、上記ファンにより
生ずる気流を上記フィルタに導く空間とを有し、上記フ
ィルタを通過した気流を装置内に送出するクリーンユニ
ットを具備する半導体製造装置において、上記クリーン
ユニットの上記ファンの回転面と上記フィルタの表面と
をほぼ平行かつ並列に配置したことを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項２】上記クリーンユニットの上記フィルタを上
記ファンの両側に配置したことを特徴とする請求項１に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】基板を熱処理する反応室と、上記反応室内
で複数枚の基板を保持するボートとを有し、上記クリー
ンユニットの上記フィルタを上記反応室から引き出した
上記ボートに対向する位置に設けたことを特徴とする請
求項１または２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】基板を熱処理する反応室と、上記反応室内
で複数枚の基板を保持するボートと、上記ボートに対し
上記基板を移載する基板移載位置、上記基板が装填され
た上記ボートを上記反応室内にロード／アンロードする
ロード／アンロード位置、上記ボートを一時的に退避さ
せる退避位置に上記ボートを移動させるボート交換装置
とを有し、上記クリーンユニットの上記フィルタを上記
基板移載位置、上記退避位置の上記ボートに対向するよ
うに配置したことを特徴とする請求項２に記載の半導体
製造装置。 - 【請求項５】上記反応室における熱処理後の上記基板が
装填されたボートを上記ボート交換装置により上記退避
位置に搬送し、保持することを特徴とする請求項４に記
載の半導体製造装置。 - 【請求項６】上記ボート交換装置のアームを回動する本
体を、上記クリーンユニットの上記ファンに隣接して設
置したことを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装
置。 - 【請求項７】天井面に外部から上記クリーンユニット内
に空気を取り込むための空気導入口が設けられ、上記空
気導入口から取り込まれた空気は空気導入ダクトを介し
て上記クリーンユニット内に取り込まれることを特徴と
する請求項１〜６のいずれかに記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000114581A JP2001297993A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000114581A JP2001297993A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297993A true JP2001297993A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18626367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000114581A Pending JP2001297993A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001297993A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114150272A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-08 | 江苏威森美微电子有限公司 | 一种半导体加工用蒸发台的自清洁装置 |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000114581A patent/JP2001297993A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114150272A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-08 | 江苏威森美微电子有限公司 | 一种半导体加工用蒸发台的自清洁装置 |
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