JP2001297991A - 処理チャンバ用加熱器 - Google Patents
処理チャンバ用加熱器Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/3244—Gas supply means
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の半径方向に対し角度を成して基板の縁
部へガスの流れを向けるガス送出装置および方法を提供
する。 【解決手段】 装置は、ガス送出装置の中心を端緒とす
る半径線に対して角度を成す複数の溝の上に、ガス開口
部からガスを向ける。続いて、ガスは基板３６の一部分
の上に流され、反応性ガスが基板の選択部分上へ堆積す
ることを阻止する。
部へガスの流れを向けるガス送出装置および方法を提供
する。 【解決手段】 装置は、ガス送出装置の中心を端緒とす
る半径線に対して角度を成す複数の溝の上に、ガス開口
部からガスを向ける。続いて、ガスは基板３６の一部分
の上に流され、反応性ガスが基板の選択部分上へ堆積す
ることを阻止する。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明は、半導体基板処理装置の分野に
関する。より詳細には、本発明は処理中に基板を支持す
る装置および方法に関する。
関する。より詳細には、本発明は処理中に基板を支持す
る装置および方法に関する。
【０００２】
【関連技術の背景】集積回路の製造において、真空環境
から基板を取去ることなく処理ステップの幾つかのシー
ケンスを遂行することによって基板処理を自動化するた
めに装置が開発されできており、それにより、基板の搬
送時間と汚染を低減している。そのような装置は、例え
ば、Maydan他の米国特許第４，９５１，６０１号に開示
されており、そこでは複数の処理チャンバがひとつの搬
送チャンバへ接続される。集中搬送チャンバ内のロボッ
トが、接続された種々の処理チャンバへスリット弁を介
して基板を送り込み、処理が完了した後にそれらの基板
をチャンバから取出す。
から基板を取去ることなく処理ステップの幾つかのシー
ケンスを遂行することによって基板処理を自動化するた
めに装置が開発されできており、それにより、基板の搬
送時間と汚染を低減している。そのような装置は、例え
ば、Maydan他の米国特許第４，９５１，６０１号に開示
されており、そこでは複数の処理チャンバがひとつの搬
送チャンバへ接続される。集中搬送チャンバ内のロボッ
トが、接続された種々の処理チャンバへスリット弁を介
して基板を送り込み、処理が完了した後にそれらの基板
をチャンバから取出す。
【０００３】真空チャンバで行われる処理ステップは、
普通には、基板の表面上への金属、誘電体、および半導
体の多数層の堆積またはエッチングを必要とする。その
ようなプロセスの例には、化学気相成長（ＣＶＤ）、物
理気相成長（ＰＶＤ）およびエッチングプロセスがあ
る。
普通には、基板の表面上への金属、誘電体、および半導
体の多数層の堆積またはエッチングを必要とする。その
ようなプロセスの例には、化学気相成長（ＣＶＤ）、物
理気相成長（ＰＶＤ）およびエッチングプロセスがあ
る。
【０００４】真空チャンバではＣＶＤが用いられ半導体
基板上に薄膜を堆積する。普通には、前駆ガスが、基板
上に位置するガスマニホールドプレートを介して真空チ
ャンバ内へ充填される。熱プロセスにおいて、基板は、
普通には所望プロセス温度まで加熱される。チャンバ内
へ充填された前駆ガスは、加熱された基板表面上で反応
し、その上に薄層を堆積する。
基板上に薄膜を堆積する。普通には、前駆ガスが、基板
上に位置するガスマニホールドプレートを介して真空チ
ャンバ内へ充填される。熱プロセスにおいて、基板は、
普通には所望プロセス温度まで加熱される。チャンバ内
へ充填された前駆ガスは、加熱された基板表面上で反応
し、その上に薄層を堆積する。
【０００５】ＣＶＤで遭遇する難向は、基板の縁部およ
び裏側上および支持部材上への材料の堆積を含む。基板
の縁部および裏側上への堆積は、例えば、化学機械研磨
（ＣＭＰ）等の後続プロセスに関し、基板を不適合にさ
せる可能性がある。基板縁部に堆積した材料はＣＭＰ後
に縁部に残留することがあり、潜在的に、粒子ソースを
創出したり、あるいは、プロセスで形成された素子の完
全性を危うくする可能性がある。加えて、基板の縁部お
よび裏側の材料は剥離して、同様に粒子ソースとなる可
能性がある。更に、基板および支持部材上に堆積した材
料は、基板を支持部材に貼り付けて、基板上に形成され
た素子の完全性を傷つける可能性がある。
び裏側上および支持部材上への材料の堆積を含む。基板
の縁部および裏側上への堆積は、例えば、化学機械研磨
（ＣＭＰ）等の後続プロセスに関し、基板を不適合にさ
せる可能性がある。基板縁部に堆積した材料はＣＭＰ後
に縁部に残留することがあり、潜在的に、粒子ソースを
創出したり、あるいは、プロセスで形成された素子の完
全性を危うくする可能性がある。加えて、基板の縁部お
よび裏側の材料は剥離して、同様に粒子ソースとなる可
能性がある。更に、基板および支持部材上に堆積した材
料は、基板を支持部材に貼り付けて、基板上に形成され
た素子の完全性を傷つける可能性がある。
【０００６】基板および支持部材上への望ましくない堆
積の問題を緩和するために、シャドーリング (shadow r
ing) およびパージガスが使われるようになってきた。
シャドーリングは、堆積中に基板の外周を覆って基板の
縁部を隠すことにより、堆積ガスが基板の縁部および裏
側に接触することを阻止する。しかし、例えばＷＦ6等
の幾つかの前駆ガスの揮発性に起因して、シャドーリン
グだけでは基板上の縁部および裏側の堆積を阻止しな
い。
積の問題を緩和するために、シャドーリング (shadow r
ing) およびパージガスが使われるようになってきた。
シャドーリングは、堆積中に基板の外周を覆って基板の
縁部を隠すことにより、堆積ガスが基板の縁部および裏
側に接触することを阻止する。しかし、例えばＷＦ6等
の幾つかの前駆ガスの揮発性に起因して、シャドーリン
グだけでは基板上の縁部および裏側の堆積を阻止しな
い。
【０００７】基板の背後又は基板縁部へ向けられるパー
ジガスを用いて、縁部および裏側の堆積を阻止してい
た。パージガスは基板の周辺部近傍に正圧を及ぼし、そ
の正圧は、処理ガスが基板の縁部および裏側、並びに基
板を保持する支持部材へ到達するであろう可能性を低減
する。パージガスを使用する装置では、支持部材に形成
されて離間する複数のパージガスオリフィスが、基板の
縁部へパージガスを送出する。しかし、従来のパージガ
ス装置は、被覆を目的とされる基板の表面上へ材料の不
均一な堆積をもたらす。
ジガスを用いて、縁部および裏側の堆積を阻止してい
た。パージガスは基板の周辺部近傍に正圧を及ぼし、そ
の正圧は、処理ガスが基板の縁部および裏側、並びに基
板を保持する支持部材へ到達するであろう可能性を低減
する。パージガスを使用する装置では、支持部材に形成
されて離間する複数のパージガスオリフィスが、基板の
縁部へパージガスを送出する。しかし、従来のパージガ
ス装置は、被覆を目的とされる基板の表面上へ材料の不
均一な堆積をもたらす。
【０００８】半導体デバイス製造においてより大きなス
ループットと効率に対する要望が増えてきたので、基板
縁部での堆積膜の厚さと均一性を管理する集積回路メー
カーの要求内容は、より厳格になった。現在の業界標準
は、基板の面取り縁部上には膜堆積が無いこと、そして
基板縁部から３ｍｍ以内の領域（「除外帯域 (exclusio
nary zone)」として知られる）を除き、基板縁部から３
ｍｍ地点で膜厚が、基板の中心での膜厚の９０パーセン
ト以上の膜厚であり、±５パーセントより良好な厚さ均
一性を要求する。
ループットと効率に対する要望が増えてきたので、基板
縁部での堆積膜の厚さと均一性を管理する集積回路メー
カーの要求内容は、より厳格になった。現在の業界標準
は、基板の面取り縁部上には膜堆積が無いこと、そして
基板縁部から３ｍｍ以内の領域（「除外帯域 (exclusio
nary zone)」として知られる）を除き、基板縁部から３
ｍｍ地点で膜厚が、基板の中心での膜厚の９０パーセン
ト以上の膜厚であり、±５パーセントより良好な厚さ均
一性を要求する。
【０００９】従って、裏側堆積を阻止し且つ業界の縁部
除外要求 (edge exclusion demands) を満足させる一方
で、基板の表面全体の堆積均一性に悪影響を及ぼさない
装置および方法に対するニーズがある。
除外要求 (edge exclusion demands) を満足させる一方
で、基板の表面全体の堆積均一性に悪影響を及ぼさない
装置および方法に対するニーズがある。
【００１０】
【発明の概要】一般的に、本発明の実施例は、基板支持
部材上に配置される基板の縁部へガスを送出する装置お
よび方法を含む。より詳細には、本発明は、基板近くに
配置される偏向部材の中心を端緒とする半径線に対して
角度を持って基板縁部へパージガスを向けるガス送出装
置を提供する。
部材上に配置される基板の縁部へガスを送出する装置お
よび方法を含む。より詳細には、本発明は、基板近くに
配置される偏向部材の中心を端緒とする半径線に対して
角度を持って基板縁部へパージガスを向けるガス送出装
置を提供する。
【００１１】本発明のひとつの局面で、ガス流れの角度
は、ガス送出装置に形成される溝または他のガス偏向構
造を通してガスを流すことによって制御される。ガス
は、流体通路を提供する環状の開口部内へ流され、それ
によってガスは基板と接触するよう流される。
は、ガス送出装置に形成される溝または他のガス偏向構
造を通してガスを流すことによって制御される。ガス
は、流体通路を提供する環状の開口部内へ流され、それ
によってガスは基板と接触するよう流される。
【００１２】本発明の別の局面は、基板処理装置で用い
られるガス送出装置を提供する。ガス送出装置は、表面
に基板を支持するように適合される支持部材の周辺部分
上に配設される。パージガス通路は支持部材に形成さ
れ、ガス供給装置を環状溝に接続する。偏向部材の少な
くとも一部分が、環状溝上に配設されて、環状溝から供
給されるパージガスの所望の流れを果たすように適合さ
れる複数の溝または他のガス偏向構造を含む。
られるガス送出装置を提供する。ガス送出装置は、表面
に基板を支持するように適合される支持部材の周辺部分
上に配設される。パージガス通路は支持部材に形成さ
れ、ガス供給装置を環状溝に接続する。偏向部材の少な
くとも一部分が、環状溝上に配設されて、環状溝から供
給されるパージガスの所望の流れを果たすように適合さ
れる複数の溝または他のガス偏向構造を含む。
【００１３】本発明の別の局面で、処理装置においてガ
スの流れを指向させるパージガスアセンブリは、偏向部
材の中心軸を端緒とする半径線に対して角度を持ってガ
スの流れを指向させるように適合された偏向面を画成す
る下側表面を有する偏向部材と、偏向部材の上面の少な
くとも一部分の上に配設可能であって、内側の環状リッ
プを備える縁部リングとを備え、偏向部材および縁部リ
ングはパージガス通路の一部分を画成する。
スの流れを指向させるパージガスアセンブリは、偏向部
材の中心軸を端緒とする半径線に対して角度を持ってガ
スの流れを指向させるように適合された偏向面を画成す
る下側表面を有する偏向部材と、偏向部材の上面の少な
くとも一部分の上に配設可能であって、内側の環状リッ
プを備える縁部リングとを備え、偏向部材および縁部リ
ングはパージガス通路の一部分を画成する。
【００１４】本発明の更なる別の局面で、基板を処理す
る装置は基板受容表面を有する支持部材と、基板受容表
面の外方へ配設されそこに形成されたガス送出溝を有す
る支持部材の肩部分とを備える。偏向部材は肩部分上に
位置決めされ、縁部リングは偏向部材の上に少なくとも
部分的に配置される。偏向部材は、偏向部材の表面と肩
部分の表面との間の境界面を画成する。境界面に配設さ
れる偏向表面は、偏向部材および肩部分の少なくとも一
方に形成され、偏向面上を流れるガスの接線方向流れを
生じるように適合される。ひとつの実施例では、縁部リ
ングに形成される排気ポートが、縁部リングによって少
なくとも部分的に画成される空間に出口を与えるように
適合される。
る装置は基板受容表面を有する支持部材と、基板受容表
面の外方へ配設されそこに形成されたガス送出溝を有す
る支持部材の肩部分とを備える。偏向部材は肩部分上に
位置決めされ、縁部リングは偏向部材の上に少なくとも
部分的に配置される。偏向部材は、偏向部材の表面と肩
部分の表面との間の境界面を画成する。境界面に配設さ
れる偏向表面は、偏向部材および肩部分の少なくとも一
方に形成され、偏向面上を流れるガスの接線方向流れを
生じるように適合される。ひとつの実施例では、縁部リ
ングに形成される排気ポートが、縁部リングによって少
なくとも部分的に画成される空間に出口を与えるように
適合される。
【００１５】本発明のなお別の局面では、プロセスチャ
ンバにおける支持部材の上側面上に支持される基板へガ
スを送出する方法が提供される。ひとつの実施例で、こ
の方法は、支持部材の肩部上に配設されるガス送出アセ
ンブリを提供するステップであって、ガス送出アセンブ
リは偏向部材と偏向部材上に配設される少なくとも一部
分を有する縁部リングとを備える、アセンブリ提供ステ
ップと；支持部材に形成されるガス送出チャネル内へガ
スを流すステップと；ガスの流れの方向へ接線方向成分
を提供するよう偏向部材および肩部のひとつ以上の上に
配設される偏向面上にガスを流すステップと；次いで、
ガス送出アセンブリと縁部リング間に形成される環状の
開口部内へガスの少なくとも一部分を流すステップとを
含む。
ンバにおける支持部材の上側面上に支持される基板へガ
スを送出する方法が提供される。ひとつの実施例で、こ
の方法は、支持部材の肩部上に配設されるガス送出アセ
ンブリを提供するステップであって、ガス送出アセンブ
リは偏向部材と偏向部材上に配設される少なくとも一部
分を有する縁部リングとを備える、アセンブリ提供ステ
ップと；支持部材に形成されるガス送出チャネル内へガ
スを流すステップと；ガスの流れの方向へ接線方向成分
を提供するよう偏向部材および肩部のひとつ以上の上に
配設される偏向面上にガスを流すステップと；次いで、
ガス送出アセンブリと縁部リング間に形成される環状の
開口部内へガスの少なくとも一部分を流すステップとを
含む。
【００１６】上記で列挙した本発明の特徴、利点、およ
び目的が達成される様式が詳細に理解できるように、上
記で簡単に概要された本発明のより詳細な説明を、付帯
図面に例示されるその実施例を参照して行う。
び目的が達成される様式が詳細に理解できるように、上
記で簡単に概要された本発明のより詳細な説明を、付帯
図面に例示されるその実施例を参照して行う。
【００１７】しかし、付帯図面は本発明の典型的な実施
例だけを例示しており、従ってその範囲を限定するとは
みなされず、本発明は他に等しく効果的な実施例を許容
し得ることに留意されたい。
例だけを例示しており、従ってその範囲を限定するとは
みなされず、本発明は他に等しく効果的な実施例を許容
し得ることに留意されたい。
【００１８】
【好適な実施例の詳細な説明】ガス送出装置は、特にＣ
ＶＤ処理チャンバで有用であり、以下の説明は、説明と
理解を容易にするよう主としてこれらのＣＶＤプロセス
を引用する。しかし、ガス送出装置はＰＶＤおよびエッ
チング装置等の、他のプロセス、プロセスチャンバ、お
よび装置へ適用できるので、本明細書に記述された正確
な形態に限定されるものではない。
ＶＤ処理チャンバで有用であり、以下の説明は、説明と
理解を容易にするよう主としてこれらのＣＶＤプロセス
を引用する。しかし、ガス送出装置はＰＶＤおよびエッ
チング装置等の、他のプロセス、プロセスチャンバ、お
よび装置へ適用できるので、本明細書に記述された正確
な形態に限定されるものではない。
【００１９】図１は、処理チャンバ１０、例示として化
学気相成長チャンバ、の概略表示である。処理チャンバ
１０は本体１１と、本体１１の上側端部に配設されるリ
ッド１２とを含む。シャワーヘッド１３が、リッド１２
と本体１１との間に配設され、複数のポート１４を含
み、それを通しガスが流される。ガスは、処理チャンバ
１０内で遂行される特定のプロセスに従い種々の不活性
および反応性のガスを含有するプロセス流体供給モジュ
ール１５によって供給される。用途によっては、処理チ
ャンバ１０内に維持されるプラズマを必要とする。従っ
て、シャワーヘッド１３は電源装置アセンブリ１６へ結
合され、それは発電機、変圧器、整合回路、およびこの
技術で既知の他の装置のいずれの組合せを含み得る。
学気相成長チャンバ、の概略表示である。処理チャンバ
１０は本体１１と、本体１１の上側端部に配設されるリ
ッド１２とを含む。シャワーヘッド１３が、リッド１２
と本体１１との間に配設され、複数のポート１４を含
み、それを通しガスが流される。ガスは、処理チャンバ
１０内で遂行される特定のプロセスに従い種々の不活性
および反応性のガスを含有するプロセス流体供給モジュ
ール１５によって供給される。用途によっては、処理チ
ャンバ１０内に維持されるプラズマを必要とする。従っ
て、シャワーヘッド１３は電源装置アセンブリ１６へ結
合され、それは発電機、変圧器、整合回路、およびこの
技術で既知の他の装置のいずれの組合せを含み得る。
【００２０】基板支持部材３０が処理チャンバ１０内に
配設され、主幹部３２と、主幹部３２の上側端部へ取付
けられた支持プレート３４とを含む。支持部材３０は、
主幹部３２の下側端部へ接続された作動装置１７の動作
の下で処理チャンバ１０内で昇降可能である。支持プレ
ート３４は、基板３６を上側面３８上に支持するように
適合される。昇降可能な昇降フィンガ３３が支持プレー
ト３４に配置され、上側面３８に対する基板の位置決め
を支援する。好ましくは、等間隔に置かれた３個の昇降
フィンガ３３が、基板３６を下降または上昇させるため
に基板３６の裏側に接触するよう位置決めされる。昇降
フィンガ３３の作動は、例えば、モータ１９および昇降
機プレート２０によって果される。
配設され、主幹部３２と、主幹部３２の上側端部へ取付
けられた支持プレート３４とを含む。支持部材３０は、
主幹部３２の下側端部へ接続された作動装置１７の動作
の下で処理チャンバ１０内で昇降可能である。支持プレ
ート３４は、基板３６を上側面３８上に支持するように
適合される。昇降可能な昇降フィンガ３３が支持プレー
ト３４に配置され、上側面３８に対する基板の位置決め
を支援する。好ましくは、等間隔に置かれた３個の昇降
フィンガ３３が、基板３６を下降または上昇させるため
に基板３６の裏側に接触するよう位置決めされる。昇降
フィンガ３３の作動は、例えば、モータ１９および昇降
機プレート２０によって果される。
【００２１】多数の周辺装置が、様々なプロセスに必要
とされ得る際に、支持部材３０へ接続される。例示とし
て、電源装置１８、ポンプ４６、およびパージガス供給
装置５２が、支持部材３０へ接続されて示され、その各
々は後に更に詳細に説明する。
とされ得る際に、支持部材３０へ接続される。例示とし
て、電源装置１８、ポンプ４６、およびパージガス供給
装置５２が、支持部材３０へ接続されて示され、その各
々は後に更に詳細に説明する。
【００２２】チャンバ１０および種々の関連する構成要
素の操作は、好ましくはコンピュータシステム２１によ
って制御される。コンピュータシステム２１の概略表示
を図２に示す。コンピュータシステム２１は中央演算処
理装置（ＣＰＵ）２３と、メモリ２４と、ＣＰＵ２３に
対する支援回路２５とを結合するバス系路２２を備え
る。ＣＰＵ２３は、種々のチャンバおよびサブプロセッ
サを制御するために工業環境で使用できるいずれかの汎
用コンピュータプロセッサであってもよい。支援回路２
５は、従来の様式でプロセッサを支援するためにＣＰＵ
２３へ結合される。これらの回路は、キャッシュ、電
源、クロック回路、入力／出力回路、および、サブシス
テムなどを含む。メモリ２４またはコンピュータ可読な
媒体が、ＣＰＵ２３へ結合され、随時書込み読出メモリ
（ＲＡＭ）、読出専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピディ
スクドライブ、ハードディスク、またはいずれか他の形
態のデジタル記憶装置等、近在のまたは遠隔の容易に利
用可能なメモリのひとつ以上であってもよい。メモリ２
４は単一の実体として示されるとはいえ、メモリ２４は
実際には複数のモジュールから構成されてもよく、高速
のレジスタおよびキャッシュから低速だがより大きなＤ
ＲＡＭチップまでの多レベルで存在し得ると理解された
い。堆積プロセスは、一般的にメモリ２４内に、普通に
はソフトウエアルーチン２６として格納される。ソフト
ウエアルーチン２６はコンピュータシステム２１がそれ
を必要とする際に、プログラム製品（すなわち信号保持
媒体）からメモリ２４内へロードされることができる。
例示のプログラム製品は、(i) 書換不可記憶媒体上に不
変に格納された情報（例えば、ＣＤ−ＲＯＭドライブで
読出可能なＣＤ−ＲＯＭディスク等のコンピュータ内の
読出専用メモリ装置）；(ii)書換可能記憶媒体上に格納
された可変情報（例えば、ディスケットドライブ内のフ
ロッピディスクまたはハードディスクドライブ）；また
は (iii) 無線通信を含む、コンピュータまたは電話の
ネットワークを介するような、通信媒体によってコンピ
ュータへ伝達された情報；を含む。ソフトウエアルーチ
ン２６は、ＣＰＵ２３によって制御されるハードウエア
から遠隔配置される第２ＣＰＵ（図示せず）によっても
格納および／または実行されてもよい。ソフトウエアル
ーチン２６は、多数のサブルーチン２７を含み、その各
々は後に説明する種々の操作を遂行するように適合され
る。
素の操作は、好ましくはコンピュータシステム２１によ
って制御される。コンピュータシステム２１の概略表示
を図２に示す。コンピュータシステム２１は中央演算処
理装置（ＣＰＵ）２３と、メモリ２４と、ＣＰＵ２３に
対する支援回路２５とを結合するバス系路２２を備え
る。ＣＰＵ２３は、種々のチャンバおよびサブプロセッ
サを制御するために工業環境で使用できるいずれかの汎
用コンピュータプロセッサであってもよい。支援回路２
５は、従来の様式でプロセッサを支援するためにＣＰＵ
２３へ結合される。これらの回路は、キャッシュ、電
源、クロック回路、入力／出力回路、および、サブシス
テムなどを含む。メモリ２４またはコンピュータ可読な
媒体が、ＣＰＵ２３へ結合され、随時書込み読出メモリ
（ＲＡＭ）、読出専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピディ
スクドライブ、ハードディスク、またはいずれか他の形
態のデジタル記憶装置等、近在のまたは遠隔の容易に利
用可能なメモリのひとつ以上であってもよい。メモリ２
４は単一の実体として示されるとはいえ、メモリ２４は
実際には複数のモジュールから構成されてもよく、高速
のレジスタおよびキャッシュから低速だがより大きなＤ
ＲＡＭチップまでの多レベルで存在し得ると理解された
い。堆積プロセスは、一般的にメモリ２４内に、普通に
はソフトウエアルーチン２６として格納される。ソフト
ウエアルーチン２６はコンピュータシステム２１がそれ
を必要とする際に、プログラム製品（すなわち信号保持
媒体）からメモリ２４内へロードされることができる。
例示のプログラム製品は、(i) 書換不可記憶媒体上に不
変に格納された情報（例えば、ＣＤ−ＲＯＭドライブで
読出可能なＣＤ−ＲＯＭディスク等のコンピュータ内の
読出専用メモリ装置）；(ii)書換可能記憶媒体上に格納
された可変情報（例えば、ディスケットドライブ内のフ
ロッピディスクまたはハードディスクドライブ）；また
は (iii) 無線通信を含む、コンピュータまたは電話の
ネットワークを介するような、通信媒体によってコンピ
ュータへ伝達された情報；を含む。ソフトウエアルーチ
ン２６は、ＣＰＵ２３によって制御されるハードウエア
から遠隔配置される第２ＣＰＵ（図示せず）によっても
格納および／または実行されてもよい。ソフトウエアル
ーチン２６は、多数のサブルーチン２７を含み、その各
々は後に説明する種々の操作を遂行するように適合され
る。
【００２３】図３は、支持部材３０の側面断面図であ
り、その更なる詳細を例示する。基板３６が所望のプロ
セス温度に維持されるようにするために、多数ループの
ヒーター要素３５が支持プレート３４へ埋込まれる。ヒ
ーター要素３５は、金属シース内でＭｇＯ絶縁材で取囲
まれたニクロム線のような従来の材料で構成されるひと
つ以上のコイルでよい。金属シースは、IncoloyTM、Inc
onelTM、ステンレス鋼、または、鋳造／溶接中に達する
高温に耐えることができる他の金属で作成されてもよ
い。ヒーター要素３５の各端での電極３７は、プロセス
中にヒーター要素３５にエネルギー供給するように適合
される電源１８（図１に示す）へ結合され得る。ヒータ
ー要素３５は、支持プレート３４の均一加熱を提供しそ
の上に搭載される基板３６を均一加熱するために、好ま
しくは支持プレートの本体と全ての側面で接触してい
る。
り、その更なる詳細を例示する。基板３６が所望のプロ
セス温度に維持されるようにするために、多数ループの
ヒーター要素３５が支持プレート３４へ埋込まれる。ヒ
ーター要素３５は、金属シース内でＭｇＯ絶縁材で取囲
まれたニクロム線のような従来の材料で構成されるひと
つ以上のコイルでよい。金属シースは、IncoloyTM、Inc
onelTM、ステンレス鋼、または、鋳造／溶接中に達する
高温に耐えることができる他の金属で作成されてもよ
い。ヒーター要素３５の各端での電極３７は、プロセス
中にヒーター要素３５にエネルギー供給するように適合
される電源１８（図１に示す）へ結合され得る。ヒータ
ー要素３５は、支持プレート３４の均一加熱を提供しそ
の上に搭載される基板３６を均一加熱するために、好ま
しくは支持プレートの本体と全ての側面で接触してい
る。
【００２４】特定のヒーター要素およびその構成は、支
持部材３０および特に支持プレート３４の材料に部分的
に依存してもよい。ひとつの実施例で、支持プレート３
４は、ステンレス鋼で作成され、信頼性および製造容易
性を改善する。しかし、支持プレート３４は、セラミッ
クおよびアルミニウム等の他の材料で形成されてもよ
い。
持部材３０および特に支持プレート３４の材料に部分的
に依存してもよい。ひとつの実施例で、支持プレート３
４は、ステンレス鋼で作成され、信頼性および製造容易
性を改善する。しかし、支持プレート３４は、セラミッ
クおよびアルミニウム等の他の材料で形成されてもよ
い。
【００２５】支持プレート３４は、基板を支持プレート
３４へチャックする能力のある真空系統を装備され、処
理中に支持プレート３４と基板３６との間の良好な熱接
触を維持する。複数の真空チャネル４０が支持プレート
に分散され、複数の真空ポート４２へ接続される。真空
チャネル４０は、多数の相互接続されたチャネル分節で
構成され、分節は支持プレート３４の中心部分から支持
プレート３４の周辺部分へ横方向に延在する。真空ポー
ト４２は真空チャネル４０へ結合され、表面３８へ垂直
に上方へ延在する。図示されていないが、上側面３８
は、裏側真空が表面３８と基板３６との間に維持される
溝または凹みを含んでもよい。真空はポンプ４６で生成
され、ポンプはその一部分が主幹部３２を通り延在する
真空チューブ４８によって真空チャネル４０へ接続され
る。
３４へチャックする能力のある真空系統を装備され、処
理中に支持プレート３４と基板３６との間の良好な熱接
触を維持する。複数の真空チャネル４０が支持プレート
に分散され、複数の真空ポート４２へ接続される。真空
チャネル４０は、多数の相互接続されたチャネル分節で
構成され、分節は支持プレート３４の中心部分から支持
プレート３４の周辺部分へ横方向に延在する。真空ポー
ト４２は真空チャネル４０へ結合され、表面３８へ垂直
に上方へ延在する。図示されていないが、上側面３８
は、裏側真空が表面３８と基板３６との間に維持される
溝または凹みを含んでもよい。真空はポンプ４６で生成
され、ポンプはその一部分が主幹部３２を通り延在する
真空チューブ４８によって真空チャネル４０へ接続され
る。
【００２６】主幹部３２は、遠隔に配置されたパージガ
ス供給装置５２へ接続されるパージガスチューブ５０も
収容する。パージガス供給装置５２は、アルゴン等のパ
ージガスをチューブ５０へ供給する。チューブ５０は、
上側端部で支持プレート３４に形成されたパージガス取
入口５６へ接続される。取入口５６はガス流れ経路の分
節を形成し、それは支持プレート３４を通り延在し、支
持プレート３４の周辺部分に位置決めされたガス送出ア
センブリ６０へパージガスを送出する。
ス供給装置５２へ接続されるパージガスチューブ５０も
収容する。パージガス供給装置５２は、アルゴン等のパ
ージガスをチューブ５０へ供給する。チューブ５０は、
上側端部で支持プレート３４に形成されたパージガス取
入口５６へ接続される。取入口５６はガス流れ経路の分
節を形成し、それは支持プレート３４を通り延在し、支
持プレート３４の周辺部分に位置決めされたガス送出ア
センブリ６０へパージガスを送出する。
【００２７】図４は、図３の支持プレート３４およびガ
ス送出アセンブリ６０の４−４部分断面を示す。ガス通
路６２が支持プレート３４の下側面近くに形成され、パ
ージガス取入口５６から外方へ支持プレート３４の周辺
部分へ一般的に半径方向に延在し、パージガス取入口５
６をガス送出アセンブリ６０へ流体で結合する。より詳
細には、ガス通路６２はオリフィス６３へ接続され、オ
リフィスは、今度はガス送出アセンブリ６０の下に配設
された環状溝６５へ接続される。オリフィス６３は、好
ましくは、支持プレート３４に形成された等間隔を置く
開口部である。ひとつの実施例で、１２のオリフィスが
設けられて、ガス通路６２を環状溝６５と結合する。
ス送出アセンブリ６０の４−４部分断面を示す。ガス通
路６２が支持プレート３４の下側面近くに形成され、パ
ージガス取入口５６から外方へ支持プレート３４の周辺
部分へ一般的に半径方向に延在し、パージガス取入口５
６をガス送出アセンブリ６０へ流体で結合する。より詳
細には、ガス通路６２はオリフィス６３へ接続され、オ
リフィスは、今度はガス送出アセンブリ６０の下に配設
された環状溝６５へ接続される。オリフィス６３は、好
ましくは、支持プレート３４に形成された等間隔を置く
開口部である。ひとつの実施例で、１２のオリフィスが
設けられて、ガス通路６２を環状溝６５と結合する。
【００２８】オプションとして、環状溝６５はそこに配
設されたコイル６７を有する。ひとつの実施例で、コイ
ル６７は、パージガスを基板３６の縁部へ均一に送出す
ることを支援するように適合された螺旋コイルである。
更に、コイル６７は金属で製作され、ガス送出アセンブ
リ６０が支持プレート３４へ適切に接地されることを確
実にする。ガス送出アセンブリ６０を接地するうえでの
不首尾は、電荷の蓄積を招くことがあり、それは結果と
してアーク放電をもたらす可能性がある。アーク放電
は、基板への損傷およびチャンバ汚染の可能性があるの
で、望ましくない。有利に使用できるコイル６７の一例
は、カルフォルニア州 North Hollywoodの Spira Manuf
acturing Corporation から入手可能な SpiraTM ガスケ
ットである。
設されたコイル６７を有する。ひとつの実施例で、コイ
ル６７は、パージガスを基板３６の縁部へ均一に送出す
ることを支援するように適合された螺旋コイルである。
更に、コイル６７は金属で製作され、ガス送出アセンブ
リ６０が支持プレート３４へ適切に接地されることを確
実にする。ガス送出アセンブリ６０を接地するうえでの
不首尾は、電荷の蓄積を招くことがあり、それは結果と
してアーク放電をもたらす可能性がある。アーク放電
は、基板への損傷およびチャンバ汚染の可能性があるの
で、望ましくない。有利に使用できるコイル６７の一例
は、カルフォルニア州 North Hollywoodの Spira Manuf
acturing Corporation から入手可能な SpiraTM ガスケ
ットである。
【００２９】図５は、図４の支持プレート３４およびガ
ス送出アセンブリ６０の５−５部分断面図である。ガス
送出アセンブリ６０は、一般的に、縁部リング７０およ
び偏向部材７６を備え、それらは支持プレート３４の肩
部８０上に配設される。縁部リング７０および偏向部材
７６は、一般的に支持プレート３４の形状に倣う形にさ
れた環状構成要素である。図３〜５に示す実施例で、縁
部リング７０および偏向部材７６はリング形状である。
しかし、それらは長方形、正方形、またはいずれか他の
形状であり得よう。
ス送出アセンブリ６０の５−５部分断面図である。ガス
送出アセンブリ６０は、一般的に、縁部リング７０およ
び偏向部材７６を備え、それらは支持プレート３４の肩
部８０上に配設される。縁部リング７０および偏向部材
７６は、一般的に支持プレート３４の形状に倣う形にさ
れた環状構成要素である。図３〜５に示す実施例で、縁
部リング７０および偏向部材７６はリング形状である。
しかし、それらは長方形、正方形、またはいずれか他の
形状であり得よう。
【００３０】偏向部材７６は、支持プレート３４の肩部
分８０に形成された凹み８４に着座される。偏向部材７
６は偏向表面９０を含み、その一部は凹み８４の床面９
２上に配置され、別の部分は溝６５の上にエンクロージ
ャを形成する。偏向部材７６は、図３に示すもののよう
にねじ９４によって支持プレート３４へ固定される。よ
り一般的に、支持プレート３４からの偏向部材７６の容
易な取外しを実現するいずれの締着具を使用されてもよ
い。
分８０に形成された凹み８４に着座される。偏向部材７
６は偏向表面９０を含み、その一部は凹み８４の床面９
２上に配置され、別の部分は溝６５の上にエンクロージ
ャを形成する。偏向部材７６は、図３に示すもののよう
にねじ９４によって支持プレート３４へ固定される。よ
り一般的に、支持プレート３４からの偏向部材７６の容
易な取外しを実現するいずれの締着具を使用されてもよ
い。
【００３１】図６は偏向部材７６の平面図である。偏向
部材７６はリング形であり、中央開口部９８、外側取付
部分９９、および内側溝付き部分１０１を画成する。外
側取付部分９９は、そこに形成された孔１０２を有し、
孔は図３に示すねじ９４等の締着具を収容するように適
合される。加えて、取付部分９９は、切り欠き１１０
（図５にも示す）を含み、後に説明するように、縁部リ
ング７０（図５）を肩部分８０（図５）上に位置合せす
るのを助ける。偏向表面９０は、偏向部材７６の直径で
の内側部分１０１上に形成され、その上に形成された複
数の溝１００を含む。溝１００の詳細な例示は、偏向部
材７６の部分平面図を示す図７に提供される。溝１００
は、偏向部材７６の全円周のまわりに相互に接近して離
間する。一実施例で、溝１００の数は約１２０と約１８
０との間である。一般的に、溝１００の数は偏向部材７
６の直径と共に増える。好ましくは、溝１００は相互に
等間隔であり、それからガスを均一に送出する。溝１０
０は、偏向部材７６の中心を端緒とする半径線１０４に
対し角度θで配向される。溝１００の角度は、そこを流
れるパージガスを半径線に対し速度接線で流れさせる。
正確な角度θおよび結果としての流れの角度は、厳密な
用途およびガス流量等のその変数に依存して変化しても
よい。しかし、一実施例では、半径線１０４に対する溝
１００の角度θは約６０度と約７５度との間である。特
定の用途では、基板３６の半径方向に対する流れの角度
は約７５度であり、ここで基板３６は３００ｍｍの直径
を有する。
部材７６はリング形であり、中央開口部９８、外側取付
部分９９、および内側溝付き部分１０１を画成する。外
側取付部分９９は、そこに形成された孔１０２を有し、
孔は図３に示すねじ９４等の締着具を収容するように適
合される。加えて、取付部分９９は、切り欠き１１０
（図５にも示す）を含み、後に説明するように、縁部リ
ング７０（図５）を肩部分８０（図５）上に位置合せす
るのを助ける。偏向表面９０は、偏向部材７６の直径で
の内側部分１０１上に形成され、その上に形成された複
数の溝１００を含む。溝１００の詳細な例示は、偏向部
材７６の部分平面図を示す図７に提供される。溝１００
は、偏向部材７６の全円周のまわりに相互に接近して離
間する。一実施例で、溝１００の数は約１２０と約１８
０との間である。一般的に、溝１００の数は偏向部材７
６の直径と共に増える。好ましくは、溝１００は相互に
等間隔であり、それからガスを均一に送出する。溝１０
０は、偏向部材７６の中心を端緒とする半径線１０４に
対し角度θで配向される。溝１００の角度は、そこを流
れるパージガスを半径線に対し速度接線で流れさせる。
正確な角度θおよび結果としての流れの角度は、厳密な
用途およびガス流量等のその変数に依存して変化しても
よい。しかし、一実施例では、半径線１０４に対する溝
１００の角度θは約６０度と約７５度との間である。特
定の用途では、基板３６の半径方向に対する流れの角度
は約７５度であり、ここで基板３６は３００ｍｍの直径
を有する。
【００３２】代替の実施例で、溝１００は、リング上に
フィン、壁のようなガイド、または他の構造物を配置す
ることによって形成可能である。フィンまたはガイドは
溝を画成でき、これらの溝がパージガスの流れに、或る
角度成分つまり接線成分を移すのである。溝１００は直
線か、放物線か、そうでなければ所望角度の流れを生成
するような長さで形作られてもよい。
フィン、壁のようなガイド、または他の構造物を配置す
ることによって形成可能である。フィンまたはガイドは
溝を画成でき、これらの溝がパージガスの流れに、或る
角度成分つまり接線成分を移すのである。溝１００は直
線か、放物線か、そうでなければ所望角度の流れを生成
するような長さで形作られてもよい。
【００３３】再度図５を参照すると、縁部リング７０
は、偏向部材７６を実質的に覆い肩部８０上に位置決め
されて示される。好適な実施例では、縁部リング７０は
上側縁部リング７２および下側縁部リング７４を備え
る。上側と下側の縁部リング７２、７４は、リング７
２、７４が容易に結合および離脱されることを可能にす
る複数のねじ１０６または類似の締着具によって相互に
結合されることができる。上側と下側の縁部リング７
２、７４を結合することに加えて、ねじ１０６は、縁部
リング７０の位置合せも容易にする。従って、ねじ１０
６の頭部１０８は、偏向部材７６の切り欠き１１０内に
配置され、縁部リング７０と偏向部材７６を相互に揃え
る。
は、偏向部材７６を実質的に覆い肩部８０上に位置決め
されて示される。好適な実施例では、縁部リング７０は
上側縁部リング７２および下側縁部リング７４を備え
る。上側と下側の縁部リング７２、７４は、リング７
２、７４が容易に結合および離脱されることを可能にす
る複数のねじ１０６または類似の締着具によって相互に
結合されることができる。上側と下側の縁部リング７
２、７４を結合することに加えて、ねじ１０６は、縁部
リング７０の位置合せも容易にする。従って、ねじ１０
６の頭部１０８は、偏向部材７６の切り欠き１１０内に
配置され、縁部リング７０と偏向部材７６を相互に揃え
る。
【００３４】一実施例で、縁部リング７０は支持プレー
ト３４または偏向部材７６のいずれの部分にも固定され
ず、それによってその取外しを容易にする。縁部リング
７０は、それ自体の重量の圧力の下でおよび種々の点と
の摩擦接触によって肩部分８０の上に安定化される。図
５に示すように、下側縁部リング７４は、偏向部材７６
を通し配置されたピン１３１の上側端部で支持される。
加えて、肩部分８０の周辺まわりに配置されたガスケッ
ト１３０が、上側縁部リング７２の環状スカート１１２
との別の接触点を提供する。ガスケット１３０は、好ま
しくは金属部材であり、上側縁部リング７２と支持プレ
ート３４との間に電気的接触を提供し、電荷が上側縁部
リング７２から流出すること可能にする。一実施例で、
ガスケット１３０は、カリフォルニア州 North Hollywo
od にある Spira ManufacturingCorporation から入手
可能な SpiraTM ガスケットである。
ト３４または偏向部材７６のいずれの部分にも固定され
ず、それによってその取外しを容易にする。縁部リング
７０は、それ自体の重量の圧力の下でおよび種々の点と
の摩擦接触によって肩部分８０の上に安定化される。図
５に示すように、下側縁部リング７４は、偏向部材７６
を通し配置されたピン１３１の上側端部で支持される。
加えて、肩部分８０の周辺まわりに配置されたガスケッ
ト１３０が、上側縁部リング７２の環状スカート１１２
との別の接触点を提供する。ガスケット１３０は、好ま
しくは金属部材であり、上側縁部リング７２と支持プレ
ート３４との間に電気的接触を提供し、電荷が上側縁部
リング７２から流出すること可能にする。一実施例で、
ガスケット１３０は、カリフォルニア州 North Hollywo
od にある Spira ManufacturingCorporation から入手
可能な SpiraTM ガスケットである。
【００３５】上側縁部リング７２は、環状スカート１１
２および上部分１１４を含む。スカート１１２は、支持
プレート３４の肩部８０に沿い垂直に配設され、ガスが
支持プレート３４の表面上に堆積することを阻止するシ
ールドとして働く。上部分１１４は、半径方向内方へス
カート１１２に対し実質的に直角に延在する。上部分１
１４は、支持プレート３４の上側面３８およびその上に
支持される基板の上に距離をおいて位置決めされる上側
面１１６を含む。傾斜表面１１８が、上側面１１６の直
径方向内方へ設けられ、リップ１２０で終結する。リッ
プ１２０の上側面は、支持部材３０の上側面３８の僅か
に下の平面上に位置決めされる。加えて、リップ１２０
は基板３６の外縁から半径方向内方へ延在する。運転
中、基板３６の外縁は、リップ１２０の少なくとも一部
分の上に位置決めされ、その間に空間１２８を形成す
る。空間１２８の高さは調節でき、空間１２８を通り流
れるパージガスの速度に影響を及ぼす。一般的に、空間
１２８が縮小されるとガスの速度は高まり、その一方空
間１２８内の圧力は減少する。
２および上部分１１４を含む。スカート１１２は、支持
プレート３４の肩部８０に沿い垂直に配設され、ガスが
支持プレート３４の表面上に堆積することを阻止するシ
ールドとして働く。上部分１１４は、半径方向内方へス
カート１１２に対し実質的に直角に延在する。上部分１
１４は、支持プレート３４の上側面３８およびその上に
支持される基板の上に距離をおいて位置決めされる上側
面１１６を含む。傾斜表面１１８が、上側面１１６の直
径方向内方へ設けられ、リップ１２０で終結する。リッ
プ１２０の上側面は、支持部材３０の上側面３８の僅か
に下の平面上に位置決めされる。加えて、リップ１２０
は基板３６の外縁から半径方向内方へ延在する。運転
中、基板３６の外縁は、リップ１２０の少なくとも一部
分の上に位置決めされ、その間に空間１２８を形成す
る。空間１２８の高さは調節でき、空間１２８を通り流
れるパージガスの速度に影響を及ぼす。一般的に、空間
１２８が縮小されるとガスの速度は高まり、その一方空
間１２８内の圧力は減少する。
【００３６】上側縁部リング７２、下側縁部リング７
４、および偏向部材７６は協働して外側表面１２２を形
成し、外側表面は、支持プレート３４の壁部１２４に対
して間を隔てて置き対面して配設される。その結果、環
状のパージガス開口部１２６が壁部１２４と外側表面１
２２との間に形成される。環状のパージガス開口部１２
６は、リップ１２０でおよび基板３６の僅かに下の点で
終結する。一実施例で、環状のパージガス開口部１２６
は、約３６０度にわたって途切れなくできる。従って、
環状のパージガス開口部１２６から出るガスの流れは、
環状のパージガス開口部１２６内に配置される構造物ま
たは構成物によって影響されない。
４、および偏向部材７６は協働して外側表面１２２を形
成し、外側表面は、支持プレート３４の壁部１２４に対
して間を隔てて置き対面して配設される。その結果、環
状のパージガス開口部１２６が壁部１２４と外側表面１
２２との間に形成される。環状のパージガス開口部１２
６は、リップ１２０でおよび基板３６の僅かに下の点で
終結する。一実施例で、環状のパージガス開口部１２６
は、約３６０度にわたって途切れなくできる。従って、
環状のパージガス開口部１２６から出るガスの流れは、
環状のパージガス開口部１２６内に配置される構造物ま
たは構成物によって影響されない。
【００３７】縁部リング７０は、好ましくは、支持プレ
ート３４および他の構成要素とできるだけ接触しない。
パージガス送出アセンブリ６０の温度を制御するため
に、数多くの熱的絞り部が、上側縁部リング７２、下側
縁部リング７４、偏向部材７６および支持プレート３４
間に設けられる。例えば、下側縁部リング７４は偏向部
材７６の上にピン１３１上で支持され、その間に間隙１
３６を画成する。加えて、上側縁部リングは下側縁部リ
ング上に配設され、下側縁部リングにその縁部で接触す
る。凹み１３２が、上側縁部リング７２の上部分１１４
の下側表面に形成される。凹み１３２は、上側と下側の
縁部リング７２、７４の間に環状空間１３４を形成す
る。図５に示すように、空間１３６、１３８が、それぞ
れ、下側縁部リング７４と偏向部材７６との間、およ
び、スカート１１２と肩部８０の外側表面との間に設け
られる。加えて、空間１４０が偏向部材７６と肩部８０
との間に用意される。空間１３４、１３６、１３８、お
よび１４０は、種々の構成要素間の熱伝導を最少化す
る。
ート３４および他の構成要素とできるだけ接触しない。
パージガス送出アセンブリ６０の温度を制御するため
に、数多くの熱的絞り部が、上側縁部リング７２、下側
縁部リング７４、偏向部材７６および支持プレート３４
間に設けられる。例えば、下側縁部リング７４は偏向部
材７６の上にピン１３１上で支持され、その間に間隙１
３６を画成する。加えて、上側縁部リングは下側縁部リ
ング上に配設され、下側縁部リングにその縁部で接触す
る。凹み１３２が、上側縁部リング７２の上部分１１４
の下側表面に形成される。凹み１３２は、上側と下側の
縁部リング７２、７４の間に環状空間１３４を形成す
る。図５に示すように、空間１３６、１３８が、それぞ
れ、下側縁部リング７４と偏向部材７６との間、およ
び、スカート１１２と肩部８０の外側表面との間に設け
られる。加えて、空間１４０が偏向部材７６と肩部８０
との間に用意される。空間１３４、１３６、１３８、お
よび１４０は、種々の構成要素間の熱伝導を最少化す
る。
【００３８】支持プレート３４とのその近接性および接
触の結果として、偏向部材７６は、普通には、上側と下
側の縁部リング７２、７４より相対的に高い温度に維持
されるであろう。逆に、上側縁部リング７２は、下側縁
部リング７４および偏向部材７６より相対的に低い温度
に維持されるであろう。結果として、低下する温度勾配
が、偏向部材７６から上側縁部リング７２へ維持され
る。例えば、普通のＴｉＮ堆積プロセスでは、上側縁部
リング７２の温度は、好ましくは支持プレート３４より
低い約１００℃と約１２０℃の間の温度に維持される。
結果としての温度勾配は、堆積が望まれない領域上への
堆積の量を低減する。堆積は、一般的に、堆積される表
面の温度に関連し、より高い温度は普通にはより多い堆
積を提供する。従って、堆積は、支持部材３０の相対的
に冷たい領域上で相対的に少ないと予測される。
触の結果として、偏向部材７６は、普通には、上側と下
側の縁部リング７２、７４より相対的に高い温度に維持
されるであろう。逆に、上側縁部リング７２は、下側縁
部リング７４および偏向部材７６より相対的に低い温度
に維持されるであろう。結果として、低下する温度勾配
が、偏向部材７６から上側縁部リング７２へ維持され
る。例えば、普通のＴｉＮ堆積プロセスでは、上側縁部
リング７２の温度は、好ましくは支持プレート３４より
低い約１００℃と約１２０℃の間の温度に維持される。
結果としての温度勾配は、堆積が望まれない領域上への
堆積の量を低減する。堆積は、一般的に、堆積される表
面の温度に関連し、より高い温度は普通にはより多い堆
積を提供する。従って、堆積は、支持部材３０の相対的
に冷たい領域上で相対的に少ないと予測される。
【００３９】運転中、基板は、プロセスのために支持部
材３０の上側面３８上に位置決めされる。基板の位置決
めは、従来のロボット（図示せず）を使用して行われる
ことができる。基板を運搬中、ロボットは、上側面３８
の上の位置へ移動される。次に、昇降フィンガ３３が上
昇されて基板をロボットから持上げる。ロボットの後退
後に、支持部材３０へ接続された移動作動装置が、支持
部材３０を上下方向上方へ昇降フィンガ３３の上部を過
ぎて移動させ、基板３６を昇降フィンガ３３から持上
げ、それによって基板３６を上側面３８上に残す。これ
らのステップを逆の順序で遂行することが、支持部材３
０からロボットへの基板３６の搬送を完了するよう操作
する。
材３０の上側面３８上に位置決めされる。基板の位置決
めは、従来のロボット（図示せず）を使用して行われる
ことができる。基板を運搬中、ロボットは、上側面３８
の上の位置へ移動される。次に、昇降フィンガ３３が上
昇されて基板をロボットから持上げる。ロボットの後退
後に、支持部材３０へ接続された移動作動装置が、支持
部材３０を上下方向上方へ昇降フィンガ３３の上部を過
ぎて移動させ、基板３６を昇降フィンガ３３から持上
げ、それによって基板３６を上側面３８上に残す。これ
らのステップを逆の順序で遂行することが、支持部材３
０からロボットへの基板３６の搬送を完了するよう操作
する。
【００４０】位置決め中に、基板３６が支持部材３０に
対して位置合せ不良になることが多い。位置合せ不良を
矯正し、適正な堆積を確実にする助けをするために、位
置合せ装置を用いて、基板３６を支持部材３０上へ位置
合わせする。位置合せに使用される特定の方法または装
置は、本発明の限定ではなく、既知および未知の技術の
いずれの組合せも含むことができる。一実施例で、傾斜
表面１１８が、基板の位置合せを助けるように適合され
る。傾斜表面１１８は、上側端で相対的に大きな直径を
下側端で相対的に小さな直径を有する環状の表面であ
り、結果として内方へ傾斜する面となる。従って、基板
が支持プレート３４の表面３８上へ降下される際に、傾
斜表面１１８と接触して、基板はプレート３４に対して
中心位置へ追いやられる。
対して位置合せ不良になることが多い。位置合せ不良を
矯正し、適正な堆積を確実にする助けをするために、位
置合せ装置を用いて、基板３６を支持部材３０上へ位置
合わせする。位置合せに使用される特定の方法または装
置は、本発明の限定ではなく、既知および未知の技術の
いずれの組合せも含むことができる。一実施例で、傾斜
表面１１８が、基板の位置合せを助けるように適合され
る。傾斜表面１１８は、上側端で相対的に大きな直径を
下側端で相対的に小さな直径を有する環状の表面であ
り、結果として内方へ傾斜する面となる。従って、基板
が支持プレート３４の表面３８上へ降下される際に、傾
斜表面１１８と接触して、基板はプレート３４に対して
中心位置へ追いやられる。
【００４１】基板３６が位置決めされ、支持部材３０上
に位置合せされた後に、支持部材は処理位置へ上昇され
て堆積シーケンスが開始される。堆積シーケンスは、基
板３６の上側面近くの区域へガスを流すことを伴う。ガ
スは、基板３６に接触しその上で反応することを可能に
され、膜を形成する。
に位置合せされた後に、支持部材は処理位置へ上昇され
て堆積シーケンスが開始される。堆積シーケンスは、基
板３６の上側面近くの区域へガスを流すことを伴う。ガ
スは、基板３６に接触しその上で反応することを可能に
され、膜を形成する。
【００４２】基板の縁部および裏側上への望ましくない
堆積を阻止するために、アルゴン等のパージガスが基板
３６の縁部へ供給される。パージガスは、パージガス供
給装置５２によって供給され、チューブ５０、取入口５
６およびガス通路６２を経由してオリフィス６３へ流さ
れる。パージガスは、オリフィス６３から環状溝６５内
へ送出される。環状溝６５は、環状ガス開口部１２６内
へ流れる前に、偏向プレート７６の下へのパージガスの
ある程度均一な配分を可能にする。オプションとしてコ
イル６７が提供され、ガス送出の均一性を更に確保す
る。コイル６７は、ガスがコイル６７の中央環状のキャ
ビティ内へ流れることを可能にする間隔を含み得る。ガ
スの一部分は、コイル６７のキャビティ内へ環状に流さ
れ、ここでそれは均一に配分された後、コイル６７から
外へ流される。
堆積を阻止するために、アルゴン等のパージガスが基板
３６の縁部へ供給される。パージガスは、パージガス供
給装置５２によって供給され、チューブ５０、取入口５
６およびガス通路６２を経由してオリフィス６３へ流さ
れる。パージガスは、オリフィス６３から環状溝６５内
へ送出される。環状溝６５は、環状ガス開口部１２６内
へ流れる前に、偏向プレート７６の下へのパージガスの
ある程度均一な配分を可能にする。オプションとしてコ
イル６７が提供され、ガス送出の均一性を更に確保す
る。コイル６７は、ガスがコイル６７の中央環状のキャ
ビティ内へ流れることを可能にする間隔を含み得る。ガ
スの一部分は、コイル６７のキャビティ内へ環状に流さ
れ、ここでそれは均一に配分された後、コイル６７から
外へ流される。
【００４３】環状溝６５から、パージガスは偏向部材７
６の偏向面９０上を流される。偏向面９０に形成された
溝１００の角度付き配向は、到来するガスを偏向部材７
６の半径線１０４に対して角度を成して（図６〜７に示
す）流れるよう向きを変えさせる。その結果、ガスの流
れは接線方向成分を与えられる。それから、ガスは、壁
部１２４と外側表面１２２との間、すなわち環状開口部
１２６を通り上方へ流れる。環状の開口部１２６は約３
６０度にわたって連続しており、それにより、ガスの流
れは基板３６の全外周のまわりに送出される、それによ
ってプロセスガスが基板３６の裏側および縁部と接触し
てその上に堆積することを阻害する。基板３６の下側面
に到達すると、ガスは、空間１２８を通り傾斜表面１１
８の上に流れる。傾斜表面１１８は、基板３６の縁部に
対して上方へおよび半径方向外方へ流れるように適合さ
れ、それによって流れの流動に捕捉された材料を基板３
６から取去って流れる。
６の偏向面９０上を流される。偏向面９０に形成された
溝１００の角度付き配向は、到来するガスを偏向部材７
６の半径線１０４に対して角度を成して（図６〜７に示
す）流れるよう向きを変えさせる。その結果、ガスの流
れは接線方向成分を与えられる。それから、ガスは、壁
部１２４と外側表面１２２との間、すなわち環状開口部
１２６を通り上方へ流れる。環状の開口部１２６は約３
６０度にわたって連続しており、それにより、ガスの流
れは基板３６の全外周のまわりに送出される、それによ
ってプロセスガスが基板３６の裏側および縁部と接触し
てその上に堆積することを阻害する。基板３６の下側面
に到達すると、ガスは、空間１２８を通り傾斜表面１１
８の上に流れる。傾斜表面１１８は、基板３６の縁部に
対して上方へおよび半径方向外方へ流れるように適合さ
れ、それによって流れの流動に捕捉された材料を基板３
６から取去って流れる。
【００４４】溝１００の結果として、パージガスは、基
板３６の縁部の周りに保護的竜巻状のガスの壁を形成す
ると信じられる。偏向部材７６の円周のまわりに離間す
る全ての溝１００からの流れの連合として概観する場
合、溝１００は、基板３６の外周の周りにパージガスの
壁を創出する。従って、本発明は、基板の外周のまわり
に更に均一なパージガスの流れを確保し、圧力差の影響
を低減し、それによって基板上への高度な堆積均一性を
達成する。
板３６の縁部の周りに保護的竜巻状のガスの壁を形成す
ると信じられる。偏向部材７６の円周のまわりに離間す
る全ての溝１００からの流れの連合として概観する場
合、溝１００は、基板３６の外周の周りにパージガスの
壁を創出する。従って、本発明は、基板の外周のまわり
に更に均一なパージガスの流れを確保し、圧力差の影響
を低減し、それによって基板上への高度な堆積均一性を
達成する。
【００４５】別の実施例のガス送出アセンブリ２００を
図８に示す。簡略化のために、共通の構成要素は、共通
して番号付けされた。ガス送出アセンブリ２００は、一
般的に、支持プレート３４上に配置された縁部リングア
センブリ２０２および偏向部材７６を備える。縁部リン
グアセンブリ２０２は下側縁部リング２０４と上側縁部
リング２０６を備え、それらは、好ましくはボルトまた
は類似の締着具によって結合された別個の構成要素であ
る。
図８に示す。簡略化のために、共通の構成要素は、共通
して番号付けされた。ガス送出アセンブリ２００は、一
般的に、支持プレート３４上に配置された縁部リングア
センブリ２０２および偏向部材７６を備える。縁部リン
グアセンブリ２０２は下側縁部リング２０４と上側縁部
リング２０６を備え、それらは、好ましくはボルトまた
は類似の締着具によって結合された別個の構成要素であ
る。
【００４６】下側縁部リング２０４は偏向部材７６の上
に配置され、ピン１３１によって支持される。下側縁部
リング２０４と偏向部材７６とは一緒に外側表面２０８
を画成する。外側表面２０８は、支持プレート３４の壁
部１２４から離間し、環状パージガス開口部１２６を画
成する。外側表面２０８の一部分は、下側縁部リング２
０４の内径に配置されたリップ２１０によって画成さ
れ、基板３６の周辺部分の下に位置決め可能である。リ
ップ２１０の上側端部および基板３６の下側面は、プロ
セス中にガスが流れる間隙２１２を画成する。一実施例
で、間隙２１２は約．０１０インチと約．０２５インチ
との間である。
に配置され、ピン１３１によって支持される。下側縁部
リング２０４と偏向部材７６とは一緒に外側表面２０８
を画成する。外側表面２０８は、支持プレート３４の壁
部１２４から離間し、環状パージガス開口部１２６を画
成する。外側表面２０８の一部分は、下側縁部リング２
０４の内径に配置されたリップ２１０によって画成さ
れ、基板３６の周辺部分の下に位置決め可能である。リ
ップ２１０の上側端部および基板３６の下側面は、プロ
セス中にガスが流れる間隙２１２を画成する。一実施例
で、間隙２１２は約．０１０インチと約．０２５インチ
との間である。
【００４７】上側縁部リング２０６はＬ字形であり、下
側縁部リング２０４上を半径方向外方へ延在する上部分
２１４と、支持プレート３４を囲む上側縁部リング２０
６の環状スカート２１６とを有する。上部分２１４は、
下側縁部リング２０４に間を置いて覆い、環状空間２１
８を画成する。ポート２２０が上側縁部リング２０６に
形成され、間隙２１８と流体連通する。ポート２２０
は、間隙２１２に出口を与えるよう上側縁部リング２０
６のまわりに等間隔に置かれることができる。ポート２
２０が占有する面積は、間隙２１８へ露出された環状ス
カート２１６の全面積に関連され得る。一実施例で、ポ
ート２２０の面積は全面積の約５０％と約８０％の間で
あり、ここで環状スカート２１６の円周はＣであり、間
隙２１８の高さはＤであり、全露出面積は、ＣｘＤ＝Ａ
CDである。別の間隙２１９が、上部分２１４の直径方向
の内側面２１７と、基板３６の縁部２２１とによって画
成される。一実施例で、間隙２１９の幅は約．０１０イ
ンチと約．０３０インチの間である。
側縁部リング２０４上を半径方向外方へ延在する上部分
２１４と、支持プレート３４を囲む上側縁部リング２０
６の環状スカート２１６とを有する。上部分２１４は、
下側縁部リング２０４に間を置いて覆い、環状空間２１
８を画成する。ポート２２０が上側縁部リング２０６に
形成され、間隙２１８と流体連通する。ポート２２０
は、間隙２１２に出口を与えるよう上側縁部リング２０
６のまわりに等間隔に置かれることができる。ポート２
２０が占有する面積は、間隙２１８へ露出された環状ス
カート２１６の全面積に関連され得る。一実施例で、ポ
ート２２０の面積は全面積の約５０％と約８０％の間で
あり、ここで環状スカート２１６の円周はＣであり、間
隙２１８の高さはＤであり、全露出面積は、ＣｘＤ＝Ａ
CDである。別の間隙２１９が、上部分２１４の直径方向
の内側面２１７と、基板３６の縁部２２１とによって画
成される。一実施例で、間隙２１９の幅は約．０１０イ
ンチと約．０３０インチの間である。
【００４８】運転中、ガスはガス通路６２、オリフィス
６３、環状溝６５、溝１００、および環状パージガス開
口部１２６内を通り、図３〜７を参照して上記で説明し
た様式で流される。環状パージガス開口部１２６からの
ガスの流れパターンは矢印で示される。ガスは最初に間
隙２１２を通って流れる。ガスの一部は、次に基板３６
の縁部２２１と上側縁部リング２０６の直径方向内側面
２１７との間の間隙２１９を通って流れる。ガスの別の
部分は、環状空間２１８を通り、次にポート２２０を通
って流れる。その結果、ガス送出アセンブリ２００は、
ガスが間隙２１２を通って流された後に、少なくとも２
つの別個の流れ経路に沿いガスを向ける。この実施例
は、基板３６の上側面、すなわち処理される表面近くの
区域内へ流れるガスの容積を低減する。従って、基板３
６の上側面上への材料の堆積との干渉は低減される一
方、それでも十分な容積のガスが、間隙２１２を通って
流され、基板３６の裏側および縁部への堆積を阻止す
る。
６３、環状溝６５、溝１００、および環状パージガス開
口部１２６内を通り、図３〜７を参照して上記で説明し
た様式で流される。環状パージガス開口部１２６からの
ガスの流れパターンは矢印で示される。ガスは最初に間
隙２１２を通って流れる。ガスの一部は、次に基板３６
の縁部２２１と上側縁部リング２０６の直径方向内側面
２１７との間の間隙２１９を通って流れる。ガスの別の
部分は、環状空間２１８を通り、次にポート２２０を通
って流れる。その結果、ガス送出アセンブリ２００は、
ガスが間隙２１２を通って流された後に、少なくとも２
つの別個の流れ経路に沿いガスを向ける。この実施例
は、基板３６の上側面、すなわち処理される表面近くの
区域内へ流れるガスの容積を低減する。従って、基板３
６の上側面上への材料の堆積との干渉は低減される一
方、それでも十分な容積のガスが、間隙２１２を通って
流され、基板３６の裏側および縁部への堆積を阻止す
る。
【００４９】上記は本発明の好適な実施例へ向けられた
が、本発明の他のおよび更なる実施例は、その基本範囲
から逸脱することなく考案されることができ、その範囲
は先に記載の特許請求の範囲によって定められる。
が、本発明の他のおよび更なる実施例は、その基本範囲
から逸脱することなく考案されることができ、その範囲
は先に記載の特許請求の範囲によって定められる。
【図１】処理チャンバ１０の概略表示である。
【図２】コンピュータシステムの概略表示である。
【図３】ガス送出装置を有する支持部材の断面側面図で
ある。
ある。
【図４】ガス送出装置を有する支持部材の断面側面図で
ある。
ある。
【図５】図４の支持部材の５−５区画の断面側面図であ
る。
る。
【図６】角度付き溝を有する偏向部材の平面図である。
【図７】図６での７−７の部分平面図であり、偏向部材
の溝を示す。
の溝を示す。
【図８】ガス送出装置の代替の実施例の断面側面図であ
る。
る。
１０ チャンバ １０ 処理チャンバ １１ 本体 １２ リッド １３ シャワーヘッド １４ ポート １５ プロセス流体供給モジュール １６ 電源装置アセンブリ １７ 作動装置 １８ 電源 １８ 電源装置 １９ モータ ２０ 昇降機プレート ２１ コンピュータシステム ２２ バス系路 ２３ ＣＰＵ ２４ メモリ ２５ 支援回路 ２６ ソフトウエアルーチン ２７ サブルーチン ３０ 基板支持部材 ３０ 支持部材 ３２ 主幹部 ３３ 昇降フィンガ ３４ プレート ３４ 支持プレート ３５ ヒーター要素 ３６ 基板 ３７ 電極 ３８ 上側面 ３８ 表面 ４０ 真空チャネル ４２ 真空ポート ４６ ポンプ ４８ 真空チューブ ５０ チューブ ５０ パージガスチューブ ５２ パージガス供給装置 ５６ パージガス取入口 ５６ 取入口 ６０ ガス送出アセンブリ ６０ パージガス送出アセンブリ ６２ ガス通路 ６３ オリフィス ６５ 溝 ６５ 環状溝 ６７ コイル ７０ 縁部リング ７２ リング ７２ 上側縁部リング ７２ 縁部リング ７４ 下側縁部リング ７６ 偏向プレート ７６ 偏向部材 ８０ 肩部 ８０ 肩部分 ９０ 偏向表面 ９０ 偏向面 ９２ 床面 ９８ 中央開口部 ９９ 取付部分 ９９ 外側取付部分 １００ 溝 １０１ 内側部分 １０１ 部分 １０２ 孔 １０４ 半径線 １０８ 頭部 １１２ スカート １１２ 環状スカート １１４ 上部分 １１６ 上側面 １１８ 傾斜表面 １２０ リップ １２２ 外側表面 １２４ 壁部 １２６ パージガス開口部 １２６ 環状ガス開口部 １２６ 環状パージガス開口部 １２６ 環状開口部 １２６ 開口部 １２８ 一方空間 １２８ 空間 １３０ ガスケット １３１ ピン １３４ 環状空間 １３４ 空間 １３６ 空間 １３６ 間隙 １４０ 空間 ２００ ガス送出アセンブリ ２０２ 縁部リングアセンブリ ２０４ 下側縁部リング ２０６ 上側縁部リング ２０８ 外側表面 ２１０ リップ ２１２ 間隙 ２１４ 上部分 ２１６ 環状スカート ２１７ 内側面 ２１７ 直径方向内側面 ２１８ 環状空間 ２１８ 間隙 ２１９ 間隙 ２２０ ポート ２２１ 縁部／ 鋳造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セミョン シャースティンスキー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン フランシスコ， 32エヌディ アヴ ェニュー 742 (72)発明者 アリソン ギリアム アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， ワバナ ストリート 47827 (72)発明者 ポール エフ． スミス アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， イー． テイラー ストリ ート 225 ナンバー４ (72)発明者 レオネル エー． ズニガ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， パインゲイト ウェイ 3278 (72)発明者 テッド ヨシドメ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， オークランド， プレスリー ウェイ 5744 (72)発明者 ニティン クフラナ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ミルピタス， グラスゴー コート 568 (72)発明者 ロデリック クレーグ モーズレー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， プレザントン， ディアヴィラ アヴェニ ュー 4337 (72)発明者 ウーメシュ ケルカール アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， エヌ． マティルダ 330 ナンバー606 (72)発明者 ジョセフ ユドヴスキー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， キャンベル， スモーキー コート 594 (72)発明者 アラン ポピオルコヴスキー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， ロス バノス， ジー ジー アヴェニュ ー 228
Claims (28)
- 【請求項１】 処理装置においてガスの流れを向けるよ
うに適合されるパージガスアセンブリであって：偏向面
上に偏向部材の中心軸から導かれる半径線に対して角度
を成して前記ガスの前記流れを指向させるように適合さ
れた前記偏向面を画成する下側面を有する前記偏向部材
と；前記偏向部材の上側面の少なくとも一部分の上に配
置可能であり、内側の環状リップを備える縁部リング
と、を備え、 前記偏向部材および前記縁部リングはパージガス通路の
一部分を画成する、パージガスアセンブリ。 - 【請求項２】 前記環状リップの直径方向の内側部分
は、前記パージガス通路の別の部分を画成する支持部材
の基板受容面上に配設される基板の周辺部分の下に配設
可能である、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記縁部リングは、相互に結合される第
１部分および第２部分を備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 前記縁部リングは、前記縁部リングの中
心軸に対して実質的に半径方向外方へ延在する複数のパ
ージガス排気ポートを画成する、請求項１記載の装置。 - 【請求項５】 前記縁部リングは：上面と前記環状リッ
プとの間に配設される傾斜面を有する第１部分と；前記
第１部分の下面へ結合され、前記偏向部材と対面して配
設される第２部分と、を備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項６】 前記第１部分の前記下面および前記第２
部分の上面は、その間にひとつ以上の空間を画成する、
請求項５記載の装置。 - 【請求項７】 前記縁部リングの前記第１部分および前
記第２部分は締着具によって結合される、請求項５記載
の装置。 - 【請求項８】 前記偏向面は、そこに少なくとも部分的
に形成されるひとつ以上の流体溝を備える、請求項１記
載の装置。 - 【請求項９】 前記ひとつ以上の溝は、前記偏向部材の
中心軸を端緒とする半径線に対し角度を成して前記偏向
部材の内径から外方へ延在する、請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 前記角度は約６０と７５度の間であ
る、請求項９記載の装置。 - 【請求項１１】 前記縁部リングは、パージガス排気通
路の一部分を形成する環状の上側部分を備え、前記縁部
リングは更に、前記パージガス排気通路に出口を与える
ポートを備える、請求項１記載の装置。 - 【請求項１２】 前記環状リップの直径方向の内側部分
は、前記基板の前記縁部と実質的に等しい高さに配置可
能である、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 基板を処理する装置であって：基板受
容面を有する支持部材と；前記基板受容面の外方に配置
され、そこに形成されるガス送出溝を有する前記支持部
材の肩部分と；偏向部材の表面と前記肩部分の表面との
間に境界面を画成するよう前記肩部分上に位置決めされ
る前記偏向部材と；前記境界面に配置され、前記偏向部
材および前記肩部分のうちの少なくともひとつの上に形
成される偏向面であって、前記偏向面は前記偏向面上で
ガスの接線方向流れを生じるように適合される、偏向面
と；前記偏向部材上に少なくとも部分的に配設される縁
部リングと、を備える、基板処理装置。 - 【請求項１４】 前記縁部リングは第１部分と前記第１
部分の下側面へ結合される第２部分とを備える、請求項
１３記載の装置。 - 【請求項１５】 更に、前記ガスの溝へ流体結合される
パージガス供給装置を備える、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１６】 前記偏向部材は、前記偏向部材の半径
に対し角度を成して前記偏向部材の内径面から外方へ延
在するひとつ以上の溝を前記偏向面に画成する、請求項
１３記載の装置。 - 【請求項１７】 前記角度は約６０と７５度の間であ
る、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１８】 前記縁部リングは、前記基板受容面に
対して実質的に半径方向外方へ延在する複数のパージガ
ス排気ポートを画成する、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１９】 前記縁部リングは上側部分および下側
部分を備え、その間にパージガス通路を形成し、前記上
側部分および下側部分の少なくとも一方は前記パージガ
ス通路に出口を与える排気ポートを画成する、請求項１
３記載の装置。 - 【請求項２０】 前記第１部分および前記第２部分は締
着具によって相互に結合される、請求項１９記載の装
置。 - 【請求項２１】 プロセスチャンバにおいて支持部材の
上側面上に支持される基板へガスを送出する方法であっ
て： ａ） 前記支持部材の肩部上に配設されるガス送出アセ
ンブリを提供するステップであって、前記ガス送出アセ
ンブリは偏向部材と前記偏向部材の上に配設される少な
くとも一部分を有する縁部リングとを備える、ガス送出
アセンブリ提供ステップと； ｂ） 前記支持部材に形成されるガス送出チャネル内へ
ガスを流すステップと； ｃ） ガス流の方向に接線成分を提供するよう前記偏向
部材および前記肩部のひとつ以上の上に配設される偏向
面の上にガスを流すステップと； ｄ） 前記ガス送出アセンブリと前記縁部リングの間に
形成される環状の開口部内へ前記ガスの少なくとも一部
分を流すステップと、を含む方法。 - 【請求項２２】 更に、前記縁部リングに画成されるひ
とつ以上のポートを通し前記ガスの一部分を流すステッ
プを含む、請求項２１記載の方法。 - 【請求項２３】 更に、前記縁部リングに画成されるひ
とつ以上のポートを通し前記ガスの第１部分を流すステ
ップと、前記縁部リングのリップと前記基板の外縁の間
に形成される空間に前記ガスの第２部分を流すステップ
とを含む、請求項２１記載の方法。 - 【請求項２４】 前記ガスは、前記偏向部材の半径に対
し約６０度と約７５度との間の角度で指向される、請求
項２１記載の方法。 - 【請求項２５】 ｃ）は、前記偏向面によって画成され
るひとつ以上の溝を通し前記ガスを流すステップを含
む、請求項２１記載の方法。 - 【請求項２６】 ｃ）は、前記偏向面によって画成され
るひとつ以上の溝を通し前記ガスを流すステップを含
み、前記偏向面は、前記肩部の表面に対面する前記偏向
部材の表面上に配設される、請求項２１記載の方法。 - 【請求項２７】 ｃ）は、前記偏向面によって画成され
るひとつ以上の溝を通し前記ガスを流すステップを含
み、前記偏向面は、前記偏向部材の表面に対面する前記
肩部の表面上に配設される、請求項２１記載の方法。 - 【請求項２８】 更に、前記基板の周辺部分の方へ前記
ガスを流すステップを含む、請求項２１記載の方法。
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