JP2001295044A - ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイヤモンド被覆部材の本体を疵付けること
なく、ダイヤモンド被膜を短時間で確実に除去できるよ
うにする。 【解決手段】 ダイヤモンド被覆工具２４をワーク支持
具２６に挿入して反応炉１２内に配置した後、マイクロ
波発生装置１４によりダイヤモンド被覆工具２４の温度
が８００℃程度になるように加熱するとともに、真空ポ
ンプ１８で反応炉１２内の圧力を９３０Ｐａ程度に減圧
しながら酸素ガス供給装置１６により酸素ガスを０．２
Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で反応炉１２内に導入し、更に電
磁コイル２０に励磁電流を通電して励磁することによ
り、ダイヤモンド被覆工具２４のダイヤモンド被膜を酸
素と反応させて燃焼除去する。
なく、ダイヤモンド被膜を短時間で確実に除去できるよ
うにする。 【解決手段】 ダイヤモンド被覆工具２４をワーク支持
具２６に挿入して反応炉１２内に配置した後、マイクロ
波発生装置１４によりダイヤモンド被覆工具２４の温度
が８００℃程度になるように加熱するとともに、真空ポ
ンプ１８で反応炉１２内の圧力を９３０Ｐａ程度に減圧
しながら酸素ガス供給装置１６により酸素ガスを０．２
Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で反応炉１２内に導入し、更に電
磁コイル２０に励磁電流を通電して励磁することによ
り、ダイヤモンド被覆工具２４のダイヤモンド被膜を酸
素と反応させて燃焼除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイヤモンド被覆
部材からダイヤモンド被膜を除去する方法、およびダイ
ヤモンド被膜が除去された本体を再使用してダイヤモン
ド被覆部材を製造する方法に関するものである。
部材からダイヤモンド被膜を除去する方法、およびダイ
ヤモンド被膜が除去された本体を再使用してダイヤモン
ド被覆部材を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エンドミルやバイト等の工具、或いは半
導体レーザ、半導体センサ等の半導体装置において、例
えば特公昭５９−２７７５３号公報や特許第２５１９０
３７号公報などに記載されているように、表面にダイヤ
モンド被膜をコーティングして耐摩耗性や表面硬さなど
を向上させるようにしたものがある。ダイヤモンド被膜
のコーティング方法としては、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ（化学気相成長）法や高周波プラズマＣＶＤ法、イオ
ンビーム法など、種々の方法が提案されている。
導体レーザ、半導体センサ等の半導体装置において、例
えば特公昭５９−２７７５３号公報や特許第２５１９０
３７号公報などに記載されているように、表面にダイヤ
モンド被膜をコーティングして耐摩耗性や表面硬さなど
を向上させるようにしたものがある。ダイヤモンド被膜
のコーティング方法としては、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ（化学気相成長）法や高周波プラズマＣＶＤ法、イオ
ンビーム法など、種々の方法が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ダイヤモンド被覆部材のダイヤモンド被膜が摩耗したり
損傷したりした場合、或いは製造時にコーティング不良
などで不良品が発生した場合には、ダイヤモンド被膜を
研磨して除去することにより、工具母材や半導体装置な
どの本体を再使用することが考えられるが、ダイヤモン
ド被膜は非常に硬いため研磨し難く、処理時間が長くか
かるとともに、取り残したり本体を疵付けたりする可能
性があった。
ダイヤモンド被覆部材のダイヤモンド被膜が摩耗したり
損傷したりした場合、或いは製造時にコーティング不良
などで不良品が発生した場合には、ダイヤモンド被膜を
研磨して除去することにより、工具母材や半導体装置な
どの本体を再使用することが考えられるが、ダイヤモン
ド被膜は非常に硬いため研磨し難く、処理時間が長くか
かるとともに、取り残したり本体を疵付けたりする可能
性があった。
【０００４】本発明は以上の事情を背景として為された
もので、その目的とするところは、ダイヤモンド被覆部
材の本体を疵付けることなく、ダイヤモンド被膜を短時
間で確実に除去できるようにすることにある。
もので、その目的とするところは、ダイヤモンド被覆部
材の本体を疵付けることなく、ダイヤモンド被膜を短時
間で確実に除去できるようにすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、第１発明は、本体の表面にダイヤモンド被膜がコ
ーティングされているダイヤモンド被覆部材のそのダイ
ヤモンド被膜をその本体から除去する方法であって、所
定圧力に減圧された反応炉内で前記ダイヤモンド被覆部
材を加熱するとともに酸素ガスを導入し、その酸素によ
り前記ダイヤモンド被膜を燃焼させて前記本体から除去
することを特徴とする。
めに、第１発明は、本体の表面にダイヤモンド被膜がコ
ーティングされているダイヤモンド被覆部材のそのダイ
ヤモンド被膜をその本体から除去する方法であって、所
定圧力に減圧された反応炉内で前記ダイヤモンド被覆部
材を加熱するとともに酸素ガスを導入し、その酸素によ
り前記ダイヤモンド被膜を燃焼させて前記本体から除去
することを特徴とする。
【０００６】第２発明は、第１発明のダイヤモンド被膜
除去方法において、前記ダイヤモンド被膜を燃焼させる
際に、前記反応炉の外周部に設けられた電磁コイルに通
電して励磁することを特徴とする。
除去方法において、前記ダイヤモンド被膜を燃焼させる
際に、前記反応炉の外周部に設けられた電磁コイルに通
電して励磁することを特徴とする。
【０００７】第３発明は、第１発明または第２発明のダ
イヤモンド被膜除去方法において、前記反応炉内の圧力
は３０００Ｐａ以下で、前記ダイヤモンド被覆部材の加
熱温度は６００〜１０００℃の範囲内で、前記酸素ガス
の導入流量は０．１〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内である
ことを特徴とする。
イヤモンド被膜除去方法において、前記反応炉内の圧力
は３０００Ｐａ以下で、前記ダイヤモンド被覆部材の加
熱温度は６００〜１０００℃の範囲内で、前記酸素ガス
の導入流量は０．１〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内である
ことを特徴とする。
【０００８】第４発明は、第１発明〜第３発明の何れか
のダイヤモンド被膜除去方法において、前記反応炉は、
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応炉で、マイクロ波
によって前記ダイヤモンド被覆部材を加熱することを特
徴とする。
のダイヤモンド被膜除去方法において、前記反応炉は、
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応炉で、マイクロ波
によって前記ダイヤモンド被覆部材を加熱することを特
徴とする。
【０００９】第５発明は、本体の表面にダイヤモンド被
膜がコーティングされているダイヤモンド被覆部材のそ
の本体を再使用して新たなダイヤモンド被覆部材を製造
する方法であって、(a) 前記ダイヤモンド被覆部材の前
記ダイヤモンド被膜を燃焼させて前記本体から除去する
被膜除去工程と、(b) そのダイヤモンド被膜が除去され
た前記本体の表面に新たにダイヤモンド被膜をコーティ
ングする再コーティング工程と、を有することを特徴と
する。
膜がコーティングされているダイヤモンド被覆部材のそ
の本体を再使用して新たなダイヤモンド被覆部材を製造
する方法であって、(a) 前記ダイヤモンド被覆部材の前
記ダイヤモンド被膜を燃焼させて前記本体から除去する
被膜除去工程と、(b) そのダイヤモンド被膜が除去され
た前記本体の表面に新たにダイヤモンド被膜をコーティ
ングする再コーティング工程と、を有することを特徴と
する。
【００１０】第６発明は、第５発明のダイヤモンド被覆
部材の製造方法において、前記被膜除去工程は、前記第
１発明〜第４発明の何れかのダイヤモンド被膜除去方法
に従って前記ダイヤモンド被膜を除去するものであるこ
とを特徴とする。
部材の製造方法において、前記被膜除去工程は、前記第
１発明〜第４発明の何れかのダイヤモンド被膜除去方法
に従って前記ダイヤモンド被膜を除去するものであるこ
とを特徴とする。
【００１１】第７発明は、第５発明または第６発明のダ
イヤモンド被覆部材の製造方法において、前記ダイヤモ
ンド被覆部材は、前記本体である工具母材の表面に前記
ダイヤモンド被膜をコーティングしたダイヤモンド被覆
工具であることを特徴とする。
イヤモンド被覆部材の製造方法において、前記ダイヤモ
ンド被覆部材は、前記本体である工具母材の表面に前記
ダイヤモンド被膜をコーティングしたダイヤモンド被覆
工具であることを特徴とする。
【００１２】第８発明は、第５発明または第６発明のダ
イヤモンド被覆部材の製造方法において、前記ダイヤモ
ンド被覆部材は、前記本体である半導体装置の表面に前
記ダイヤモンド被膜をコーティングしたダイヤモンド被
覆半導体装置であることを特徴とする。
イヤモンド被覆部材の製造方法において、前記ダイヤモ
ンド被覆部材は、前記本体である半導体装置の表面に前
記ダイヤモンド被膜をコーティングしたダイヤモンド被
覆半導体装置であることを特徴とする。
【００１３】
【発明の効果】第１発明のダイヤモンド被膜除去方法に
よれば、所定圧力に減圧された反応炉内でダイヤモンド
被覆部材を加熱するとともに酸素ガスを導入し、その酸
素によりダイヤモンド被膜を燃焼させて本体から除去す
るため、研磨して除去する場合に比較して、本体を疵付
けることなく短時間で確実にダイヤモンド被膜を除去で
きるようになる。
よれば、所定圧力に減圧された反応炉内でダイヤモンド
被覆部材を加熱するとともに酸素ガスを導入し、その酸
素によりダイヤモンド被膜を燃焼させて本体から除去す
るため、研磨して除去する場合に比較して、本体を疵付
けることなく短時間で確実にダイヤモンド被膜を除去で
きるようになる。
【００１４】第２発明では、反応炉の外周部に配設され
た電磁コイルを励磁するようになっているため、その電
磁力の作用で酸素ガスが活性化されるとともにイオン化
している酸素がダイヤモンド被覆部材に押し付けられ、
燃焼反応が促進されてダイヤモンド被膜が更に良好に燃
焼除去されるとともに処理時間が短縮される。
た電磁コイルを励磁するようになっているため、その電
磁力の作用で酸素ガスが活性化されるとともにイオン化
している酸素がダイヤモンド被覆部材に押し付けられ、
燃焼反応が促進されてダイヤモンド被膜が更に良好に燃
焼除去されるとともに処理時間が短縮される。
【００１５】第３発明では、反応炉内の圧力が３０００
Ｐａ以下で、ダイヤモンド被覆部材の加熱温度が６００
〜１０００℃の範囲内で、酸素ガスの導入流量が０．１
〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内であるため、ダイヤモンド
被膜が良好に燃焼させられる。
Ｐａ以下で、ダイヤモンド被覆部材の加熱温度が６００
〜１０００℃の範囲内で、酸素ガスの導入流量が０．１
〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内であるため、ダイヤモンド
被膜が良好に燃焼させられる。
【００１６】第４発明では、ダイヤモンド被膜のコーテ
ィングなどに使用されるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
の反応炉を用いて、マイクロ波によってダイヤモンド被
覆部材を加熱するようになっているため、既存の設備を
利用してダイヤモンド被膜を一層簡単且つ低コストで除
去できる。
ィングなどに使用されるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
の反応炉を用いて、マイクロ波によってダイヤモンド被
覆部材を加熱するようになっているため、既存の設備を
利用してダイヤモンド被膜を一層簡単且つ低コストで除
去できる。
【００１７】第５発明では、ダイヤモンド被覆部材のダ
イヤモンド被膜が摩耗したり損傷したりした場合、或い
は製造時にダイヤモンド被膜のコーティング不良などで
不良品が発生した場合に、ダイヤモンド被膜を燃焼させ
て本体から除去した後、その本体を再使用して新たにダ
イヤモンド被膜をコーティングし直してダイヤモンド被
覆部材を製造するため、本体が有効利用され、歩留りが
向上するなどして製造コストが低減されるとともに、半
導体装置や工具母材などの本体を最初から作り直す場合
に比較して、目的とするダイヤモンド被覆部材を速やか
に製造することができる。また、ダイヤモンド被膜を燃
焼させて除去するため、研磨して除去する場合に比較し
て、本体を疵付けることなく短時間で確実にダイヤモン
ド被膜を除去でき、ダイヤモンド被膜の再コーティング
を良好に行うことができる。
イヤモンド被膜が摩耗したり損傷したりした場合、或い
は製造時にダイヤモンド被膜のコーティング不良などで
不良品が発生した場合に、ダイヤモンド被膜を燃焼させ
て本体から除去した後、その本体を再使用して新たにダ
イヤモンド被膜をコーティングし直してダイヤモンド被
覆部材を製造するため、本体が有効利用され、歩留りが
向上するなどして製造コストが低減されるとともに、半
導体装置や工具母材などの本体を最初から作り直す場合
に比較して、目的とするダイヤモンド被覆部材を速やか
に製造することができる。また、ダイヤモンド被膜を燃
焼させて除去するため、研磨して除去する場合に比較し
て、本体を疵付けることなく短時間で確実にダイヤモン
ド被膜を除去でき、ダイヤモンド被膜の再コーティング
を良好に行うことができる。
【００１８】第６発明は、第１発明〜第４発明の何れか
のダイヤモンド被膜除去方法に従ってダイヤモンド被膜
を除去するため、第１発明〜第４発明と同様の効果が得
られる。
のダイヤモンド被膜除去方法に従ってダイヤモンド被膜
を除去するため、第１発明〜第４発明と同様の効果が得
られる。
【００１９】第７発明は、ダイヤモンド被覆工具の製造
方法に関するもので、本体である工具母材が有効利用さ
れて製造コストが低減される。
方法に関するもので、本体である工具母材が有効利用さ
れて製造コストが低減される。
【００２０】第８発明は、ダイヤモンド被覆半導体装置
の製造方法に関するもので、本体である半導体装置が有
効利用されて製造コストが低減される。
の製造方法に関するもので、本体である半導体装置が有
効利用されて製造コストが低減される。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明は、第７発明、第８発明に
記載のダイヤモンド被覆工具やダイヤモンド被覆半導体
装置に好適に適用されるが、ダイヤモンド被膜の燃焼で
本体を損傷する恐れがない種々のダイヤモンド被覆部材
に適用され得る。
記載のダイヤモンド被覆工具やダイヤモンド被覆半導体
装置に好適に適用されるが、ダイヤモンド被膜の燃焼で
本体を損傷する恐れがない種々のダイヤモンド被覆部材
に適用され得る。
【００２２】本発明は、ダイヤモンド被膜を酸素で燃焼
させて除去するものであるが、燃焼後の本体の表面には
不純物などによる燃えかすが付着しているため、燃焼さ
せた後に微細な砥粒入りの布で表面を拭くなどして燃え
かすを取り除く工程を設けることが望ましい。また、除
去後にダイヤモンド被膜を再コーティングする第５発明
では、本体の表面からダイヤモンド被膜をできる限り完
全に除去することが望ましい。
させて除去するものであるが、燃焼後の本体の表面には
不純物などによる燃えかすが付着しているため、燃焼さ
せた後に微細な砥粒入りの布で表面を拭くなどして燃え
かすを取り除く工程を設けることが望ましい。また、除
去後にダイヤモンド被膜を再コーティングする第５発明
では、本体の表面からダイヤモンド被膜をできる限り完
全に除去することが望ましい。
【００２３】第３発明では、反応炉内の圧力が３０００
Ｐａ以下で、ダイヤモンド被覆部材の加熱温度が６００
〜１０００℃の範囲内で、酸素ガスの導入流量が０．１
〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内であるが、これはあくまで
も一例で、総てのダイヤモンド被膜の除去にこの燃焼条
件が適用される必要はなく、ダイヤモンド被膜のコーテ
ィング方法や本体の材質などに応じて適宜変更すること
が可能である。第３発明の燃焼条件は、マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用いて超硬合金の本体にコーティング
されたダイヤモンド被膜を除去する場合に好適に適用さ
れ、更に好ましくは、例えば反応炉内の圧力は１０００
Ｐａ以下で、ダイヤモンド被覆部材の加熱温度は８００
℃程度で、酸素ガスの導入流量は０．２Ｌ／ｍｉｎ程度
に設定される。なお、反応炉内の圧力の下限値は特に制
限がなく、真空に近い方が好ましいが、本発明の実施に
際しては例えば１００Ｐａ程度までの範囲で装置の性能
などに応じて適宜定められれば良い。また、ダイヤモン
ド被覆部材の加熱温度は、ダイヤモンド被膜の燃焼時に
おける表面の温度で、輻射温度計（放射温度計）によっ
て測定した値である。
Ｐａ以下で、ダイヤモンド被覆部材の加熱温度が６００
〜１０００℃の範囲内で、酸素ガスの導入流量が０．１
〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内であるが、これはあくまで
も一例で、総てのダイヤモンド被膜の除去にこの燃焼条
件が適用される必要はなく、ダイヤモンド被膜のコーテ
ィング方法や本体の材質などに応じて適宜変更すること
が可能である。第３発明の燃焼条件は、マイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置を用いて超硬合金の本体にコーティング
されたダイヤモンド被膜を除去する場合に好適に適用さ
れ、更に好ましくは、例えば反応炉内の圧力は１０００
Ｐａ以下で、ダイヤモンド被覆部材の加熱温度は８００
℃程度で、酸素ガスの導入流量は０．２Ｌ／ｍｉｎ程度
に設定される。なお、反応炉内の圧力の下限値は特に制
限がなく、真空に近い方が好ましいが、本発明の実施に
際しては例えば１００Ｐａ程度までの範囲で装置の性能
などに応じて適宜定められれば良い。また、ダイヤモン
ド被覆部材の加熱温度は、ダイヤモンド被膜の燃焼時に
おける表面の温度で、輻射温度計（放射温度計）によっ
て測定した値である。
【００２４】また、上記第３発明の燃焼条件でダイヤモ
ンド被膜を燃焼させた場合、例えば２０分〜３０分程度
で燃焼させることができるが、燃焼時間は被膜厚さや面
積、同時に処理するダイヤモンド被覆部材の数量などに
応じて適宜定められれば良い。
ンド被膜を燃焼させた場合、例えば２０分〜３０分程度
で燃焼させることができるが、燃焼時間は被膜厚さや面
積、同時に処理するダイヤモンド被覆部材の数量などに
応じて適宜定められれば良い。
【００２５】第４発明では、マイクロ波プラズマＣＶＤ
装置が用いられ、マイクロ波によってダイヤモンド被覆
部材を加熱するようになっているが、他の発明の実施に
際しては、ダイヤモンド被膜コーティング用の他の装置
を用いたり、ダイヤモンド被膜のコーティングとは関係
ない他の反応炉を用いたりしても良い。ダイヤモンド被
覆部材の加熱についても、抵抗加熱ヒータなど６００〜
１０００℃程度に加熱できる他の加熱方法を、本体の材
質などに応じて適宜採用できる。
装置が用いられ、マイクロ波によってダイヤモンド被覆
部材を加熱するようになっているが、他の発明の実施に
際しては、ダイヤモンド被膜コーティング用の他の装置
を用いたり、ダイヤモンド被膜のコーティングとは関係
ない他の反応炉を用いたりしても良い。ダイヤモンド被
覆部材の加熱についても、抵抗加熱ヒータなど６００〜
１０００℃程度に加熱できる他の加熱方法を、本体の材
質などに応じて適宜採用できる。
【００２６】ダイヤモンド被覆部材に設けられているダ
イヤモンド被膜のコーティング方法、或いは第５発明の
再コーティング工程で用いられるコーティング方法は、
マイクロ波プラズマＣＶＤ法や高周波プラズマＣＶＤ
法、イオンビーム法など、種々の方法を採用できる。第
４発明においても、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
いてダイヤモンド被膜がコーティングされている場合に
限定されるものではない。
イヤモンド被膜のコーティング方法、或いは第５発明の
再コーティング工程で用いられるコーティング方法は、
マイクロ波プラズマＣＶＤ法や高周波プラズマＣＶＤ
法、イオンビーム法など、種々の方法を採用できる。第
４発明においても、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
いてダイヤモンド被膜がコーティングされている場合に
限定されるものではない。
【００２７】第７発明のダイヤモンド被覆工具は、例え
ばエンドミルやバイトのように切れ刃を有する切削工
具、塑性変形させて成形する転造工具など、種々の加工
工具が対象になる。工具母材としては、超硬合金が好適
に用いられるが、サーメットやセラミックスなどの他の
工具材料が用いられても良い。このようなダイヤモンド
被覆工具の場合、ダイヤモンド被膜を除去した後再コー
ティングする前に、必要に応じて工具母材の切れ刃等を
再研削するようにしても良い。
ばエンドミルやバイトのように切れ刃を有する切削工
具、塑性変形させて成形する転造工具など、種々の加工
工具が対象になる。工具母材としては、超硬合金が好適
に用いられるが、サーメットやセラミックスなどの他の
工具材料が用いられても良い。このようなダイヤモンド
被覆工具の場合、ダイヤモンド被膜を除去した後再コー
ティングする前に、必要に応じて工具母材の切れ刃等を
再研削するようにしても良い。
【００２８】第８発明のダイヤモンド被覆半導体装置
は、例えば光電効果を利用したホトダイオードやホトト
ランジスタなどの光センサ、磁気抵抗効果を利用した変
位センサ、抵抗の温度依存性を利用したサーミスタ、圧
電効果を利用した圧力センサ、ホール効果を利用した磁
気センサ、ガス吸着による電気抵抗変化を利用したガス
センサ、などの各種の半導体センサ、或いは半導体歪ゲ
ージ、半導体記憶素子、半導体スイッチング素子、半導
体レーザなど、半導体を用いて構成されている種々の半
導体装置が対象になる。
は、例えば光電効果を利用したホトダイオードやホトト
ランジスタなどの光センサ、磁気抵抗効果を利用した変
位センサ、抵抗の温度依存性を利用したサーミスタ、圧
電効果を利用した圧力センサ、ホール効果を利用した磁
気センサ、ガス吸着による電気抵抗変化を利用したガス
センサ、などの各種の半導体センサ、或いは半導体歪ゲ
ージ、半導体記憶素子、半導体スイッチング素子、半導
体レーザなど、半導体を用いて構成されている種々の半
導体装置が対象になる。
【００２９】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ
詳細に説明する。図１は、本発明方法に従ってダイヤモ
ンド被膜を燃焼により良好に除去できるダイヤモンド被
膜除去装置１０の概略構成図で、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ装置を利用したものであり、供給ガスの種類を変更
することによりダイヤモンド被膜のコーティングにも使
用することが可能である。ダイヤモンド被膜除去装置１
０は、反応炉１２、マイクロ波発生装置１４、酸素ガス
供給装置１６、真空ポンプ１８、および電磁コイル２０
を備えて構成されており、円筒状の反応炉１２内にはテ
ーブル２２が設けられ、ダイヤモンド被膜を除去すべき
ダイヤモンド被覆部材として、複数のダイヤモンド被覆
工具２４がワーク支持具２６に支持されて載置されるよ
うになっている。
詳細に説明する。図１は、本発明方法に従ってダイヤモ
ンド被膜を燃焼により良好に除去できるダイヤモンド被
膜除去装置１０の概略構成図で、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ装置を利用したものであり、供給ガスの種類を変更
することによりダイヤモンド被膜のコーティングにも使
用することが可能である。ダイヤモンド被膜除去装置１
０は、反応炉１２、マイクロ波発生装置１４、酸素ガス
供給装置１６、真空ポンプ１８、および電磁コイル２０
を備えて構成されており、円筒状の反応炉１２内にはテ
ーブル２２が設けられ、ダイヤモンド被膜を除去すべき
ダイヤモンド被覆部材として、複数のダイヤモンド被覆
工具２４がワーク支持具２６に支持されて載置されるよ
うになっている。
【００３０】図２は、上記ダイヤモンド被覆工具２４の
一例で、エンドミルの場合であり、超硬合金にて構成さ
れている工具母材（本体）２８にはシャンクおよび刃部
３０が一体に設けられている。刃部３０には、切れ刃と
して外周刃および底刃が設けられているとともに、その
刃部３０の表面にはマイクロ波プラズマＣＶＤ装置など
のコーティング装置によりダイヤモンド被膜３２がコー
ティングされている。図２の斜線部はダイヤモンド被膜
３２を表しており、複数のダイヤモンド被覆工具２４
は、ダイヤモンド被膜３２がコーティングされた刃部３
０が上向きになる姿勢で、前記ワーク支持具２６に配置
されている。これ等のダイヤモンド被覆工具２４は、使
用によりダイヤモンド被膜３２が摩耗したり損傷したり
した中古品、或いは製造時にダイヤモンド被膜３２のコ
ーティング不良などによって生じた不良品である。な
お、ワーク支持具２６はステンレス鋼にて構成されてい
る。
一例で、エンドミルの場合であり、超硬合金にて構成さ
れている工具母材（本体）２８にはシャンクおよび刃部
３０が一体に設けられている。刃部３０には、切れ刃と
して外周刃および底刃が設けられているとともに、その
刃部３０の表面にはマイクロ波プラズマＣＶＤ装置など
のコーティング装置によりダイヤモンド被膜３２がコー
ティングされている。図２の斜線部はダイヤモンド被膜
３２を表しており、複数のダイヤモンド被覆工具２４
は、ダイヤモンド被膜３２がコーティングされた刃部３
０が上向きになる姿勢で、前記ワーク支持具２６に配置
されている。これ等のダイヤモンド被覆工具２４は、使
用によりダイヤモンド被膜３２が摩耗したり損傷したり
した中古品、或いは製造時にダイヤモンド被膜３２のコ
ーティング不良などによって生じた不良品である。な
お、ワーク支持具２６はステンレス鋼にて構成されてい
る。
【００３１】図１に戻って、マイクロ波発生装置１４
は、例えば２．４５ＧＨｚ等のマイクロ波を発生する装
置で、このマイクロ波が反応炉１２内へ導入されること
によりダイヤモンド被覆工具２４が加熱されるととも
に、マイクロ波発生装置１４の電力制御によって加熱温
度が調節される。反応炉１２には、ダイヤモンド被覆工
具２４の刃部３０の加熱温度（表面温度）を検出する輻
射温度計３４が設けられており、予め定められた所定の
加熱温度になるようにマイクロ波発生装置１４の電力が
フィードバック制御される。また、反応炉１２内の上部
には、マイクロ波の逆流を防止するための反射鏡３６が
設けられている。
は、例えば２．４５ＧＨｚ等のマイクロ波を発生する装
置で、このマイクロ波が反応炉１２内へ導入されること
によりダイヤモンド被覆工具２４が加熱されるととも
に、マイクロ波発生装置１４の電力制御によって加熱温
度が調節される。反応炉１２には、ダイヤモンド被覆工
具２４の刃部３０の加熱温度（表面温度）を検出する輻
射温度計３４が設けられており、予め定められた所定の
加熱温度になるようにマイクロ波発生装置１４の電力が
フィードバック制御される。また、反応炉１２内の上部
には、マイクロ波の逆流を防止するための反射鏡３６が
設けられている。
【００３２】酸素ガス供給装置１６は、酸素ガスが充填
されたガスボンベ、流量を制御する流量制御弁、および
流量計などを備えて構成されており、酸素ガスを予め定
められた所定の流量で反応炉１２内へ供給する。真空ポ
ンプ１８は、反応炉１２内の気体を吸引して減圧するた
めのもので、圧力計３８によって検出される反応炉１２
内の圧力値が予め定められた所定の圧力値になるよう
に、真空ポンプ１８のモータ電流などがフィードバック
制御される。電磁コイル２０は、反応炉１２を取り巻く
ように反応炉１２の外周側に円環状に配設されており、
励磁電流が供給されて励磁されることにより、電磁力の
作用で酸素ガスを活性化するとともにイオン化している
酸素を下方へ押圧してダイヤモンド被覆工具２４の表面
に押し付ける。
されたガスボンベ、流量を制御する流量制御弁、および
流量計などを備えて構成されており、酸素ガスを予め定
められた所定の流量で反応炉１２内へ供給する。真空ポ
ンプ１８は、反応炉１２内の気体を吸引して減圧するた
めのもので、圧力計３８によって検出される反応炉１２
内の圧力値が予め定められた所定の圧力値になるよう
に、真空ポンプ１８のモータ電流などがフィードバック
制御される。電磁コイル２０は、反応炉１２を取り巻く
ように反応炉１２の外周側に円環状に配設されており、
励磁電流が供給されて励磁されることにより、電磁力の
作用で酸素ガスを活性化するとともにイオン化している
酸素を下方へ押圧してダイヤモンド被覆工具２４の表面
に押し付ける。
【００３３】次に、このようなダイヤモンド被膜除去装
置１０を用いてダイヤモンド被膜３２を除去した後、そ
のダイヤモンド被膜３２が除去された工具母材２８にダ
イヤモンド被膜３２を再コーティングして、新たにダイ
ヤモンド被覆工具２４を製造する場合の手順を、図３の
フローチャートに従って説明する。
置１０を用いてダイヤモンド被膜３２を除去した後、そ
のダイヤモンド被膜３２が除去された工具母材２８にダ
イヤモンド被膜３２を再コーティングして、新たにダイ
ヤモンド被覆工具２４を製造する場合の手順を、図３の
フローチャートに従って説明する。
【００３４】図３のステップＳ１では、上記ダイヤモン
ド被膜除去装置１０を用いて、ダイヤモンド被覆工具２
４の刃部３０にコーティングされているダイヤモンド被
膜３２を燃焼させて、できる限り完全に工具母材２８か
ら除去する。具体的には、ダイヤモンド被覆工具２４を
ワーク支持具２６に挿入して反応炉１２内に配置した
後、マイクロ波発生装置１４によりダイヤモンド被覆工
具２４の刃部３０の温度が８００℃程度になるように加
熱するとともに、真空ポンプ１８で反応炉１２内の圧力
を９３０Ｐａ程度に減圧しながら酸素ガス供給装置１６
により酸素ガスを０．２Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で反応炉
１２内に導入し、更に電磁コイル２０に励磁電流を通電
して励磁することにより、ダイヤモンド被膜３２を酸素
と反応させて燃焼させる。燃焼時間は２０分〜３０分程
度である。このステップＳ１は、第５発明の被膜除去工
程に相当する。
ド被膜除去装置１０を用いて、ダイヤモンド被覆工具２
４の刃部３０にコーティングされているダイヤモンド被
膜３２を燃焼させて、できる限り完全に工具母材２８か
ら除去する。具体的には、ダイヤモンド被覆工具２４を
ワーク支持具２６に挿入して反応炉１２内に配置した
後、マイクロ波発生装置１４によりダイヤモンド被覆工
具２４の刃部３０の温度が８００℃程度になるように加
熱するとともに、真空ポンプ１８で反応炉１２内の圧力
を９３０Ｐａ程度に減圧しながら酸素ガス供給装置１６
により酸素ガスを０．２Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で反応炉
１２内に導入し、更に電磁コイル２０に励磁電流を通電
して励磁することにより、ダイヤモンド被膜３２を酸素
と反応させて燃焼させる。燃焼時間は２０分〜３０分程
度である。このステップＳ１は、第５発明の被膜除去工
程に相当する。
【００３５】上記ステップＳ１でダイヤモンド被膜３２
が燃焼させられた工具母材２８には、不純物などによる
燃えかすが刃部３０の表面に付着しているため、続くス
テップＳ２では、その工具母材２８を反応炉１２から取
り出し、微細な砥粒入りの布で刃部３０の表面を拭くな
どして燃えかすを取り除く。また、ステップＳ３は、工
具母材２８の刃部３０に形成された切れ刃を再研削する
工程で、使用によって工具母材２８まで摩耗やチッピン
グが生じている場合などに、必要に応じて行われる。
が燃焼させられた工具母材２８には、不純物などによる
燃えかすが刃部３０の表面に付着しているため、続くス
テップＳ２では、その工具母材２８を反応炉１２から取
り出し、微細な砥粒入りの布で刃部３０の表面を拭くな
どして燃えかすを取り除く。また、ステップＳ３は、工
具母材２８の刃部３０に形成された切れ刃を再研削する
工程で、使用によって工具母材２８まで摩耗やチッピン
グが生じている場合などに、必要に応じて行われる。
【００３６】ステップＳ４では、マイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法や高周波プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法など
のコーティング手法を用いて、上記工具母材２８の刃部
３０の表面に再びダイヤモンド被膜３２をコーティング
する。上記ダイヤモンド被膜除去装置１０を用いて、マ
イクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド被膜３２
をコーティングすることも可能で、酸素ガス供給装置１
６により酸素ガスを供給する代わりに、メタン（Ｃ
Ｈ4 ）や水素（Ｈ2 ）、一酸化炭素（ＣＯ）などの原料
ガスを反応炉１２内に供給すれば良い。それ等の原料ガ
スの導入流量や反応炉１２内の圧力、工具母材２８の加
熱温度などは、適宜設定される。これにより、刃部３０
の表面にダイヤモンド被膜３２がコーティングし直され
た新たなダイヤモンド被覆工具２４が得られる。このス
テップＳ４は、第５発明の再コーティング工程に相当す
る。
ＶＤ法や高周波プラズマＣＶＤ法、イオンビーム法など
のコーティング手法を用いて、上記工具母材２８の刃部
３０の表面に再びダイヤモンド被膜３２をコーティング
する。上記ダイヤモンド被膜除去装置１０を用いて、マ
イクロ波プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド被膜３２
をコーティングすることも可能で、酸素ガス供給装置１
６により酸素ガスを供給する代わりに、メタン（Ｃ
Ｈ4 ）や水素（Ｈ2 ）、一酸化炭素（ＣＯ）などの原料
ガスを反応炉１２内に供給すれば良い。それ等の原料ガ
スの導入流量や反応炉１２内の圧力、工具母材２８の加
熱温度などは、適宜設定される。これにより、刃部３０
の表面にダイヤモンド被膜３２がコーティングし直され
た新たなダイヤモンド被覆工具２４が得られる。このス
テップＳ４は、第５発明の再コーティング工程に相当す
る。
【００３７】このように、本実施例ではダイヤモンド被
覆工具２４のダイヤモンド被膜３２が摩耗したり損傷し
たりした場合、或いは製造時にダイヤモンド被膜３２の
コーティング不良などで不良品が発生した場合には、ダ
イヤモンド被膜３２を燃焼させて工具母材２８から除去
した後、その工具母材２８を再使用して新たにダイヤモ
ンド被膜３２をコーティングし直してダイヤモンド被覆
工具２４を製造するため、工具母材２８が有効利用さ
れ、歩留りが向上するなどして製造コストが低減され
る。
覆工具２４のダイヤモンド被膜３２が摩耗したり損傷し
たりした場合、或いは製造時にダイヤモンド被膜３２の
コーティング不良などで不良品が発生した場合には、ダ
イヤモンド被膜３２を燃焼させて工具母材２８から除去
した後、その工具母材２８を再使用して新たにダイヤモ
ンド被膜３２をコーティングし直してダイヤモンド被覆
工具２４を製造するため、工具母材２８が有効利用さ
れ、歩留りが向上するなどして製造コストが低減され
る。
【００３８】また、工具母材２８を最初から作り直す場
合に比較して、目的とするダイヤモンド被覆工具２４を
速やかに製造することが可能で、ダイヤモンド被膜３２
のコーティング不良などに起因する納品遅れを回避しつ
つ、不良品の発生を見込んで余分に製造する必要がなく
なり、この点でも製造コストが低減される。
合に比較して、目的とするダイヤモンド被覆工具２４を
速やかに製造することが可能で、ダイヤモンド被膜３２
のコーティング不良などに起因する納品遅れを回避しつ
つ、不良品の発生を見込んで余分に製造する必要がなく
なり、この点でも製造コストが低減される。
【００３９】また、ダイヤモンド被膜３２を燃焼させて
除去するため、研磨して除去する場合に比較して、工具
母材２８を疵付けることなく短時間で確実にダイヤモン
ド被膜３２を除去でき、ダイヤモンド被膜３２の再コー
ティングを良好に行うことができる。
除去するため、研磨して除去する場合に比較して、工具
母材２８を疵付けることなく短時間で確実にダイヤモン
ド被膜３２を除去でき、ダイヤモンド被膜３２の再コー
ティングを良好に行うことができる。
【００４０】特に、本実施例では反応炉１２内の圧力が
９３０Ｐａ程度で、ダイヤモンド被覆工具２４の加熱温
度が８００℃程度で、酸素ガスの導入流量が０．２Ｌ／
ｍｉｎ程度であるため、ダイヤモンド被膜３２が良好に
燃焼させられる。
９３０Ｐａ程度で、ダイヤモンド被覆工具２４の加熱温
度が８００℃程度で、酸素ガスの導入流量が０．２Ｌ／
ｍｉｎ程度であるため、ダイヤモンド被膜３２が良好に
燃焼させられる。
【００４１】また、反応炉１２の外周部に電磁コイル２
０が配設されて励磁されるようになっているため、その
電磁力の作用で酸素ガスが活性化されるとともにイオン
化している酸素がダイヤモンド被覆工具２４に良好に押
し付けられ、燃焼反応が促進されてダイヤモンド被膜３
２が更に良好に燃焼除去されるとともに処理時間が短縮
される。
０が配設されて励磁されるようになっているため、その
電磁力の作用で酸素ガスが活性化されるとともにイオン
化している酸素がダイヤモンド被覆工具２４に良好に押
し付けられ、燃焼反応が促進されてダイヤモンド被膜３
２が更に良好に燃焼除去されるとともに処理時間が短縮
される。
【００４２】また、本実施例のダイヤモンド被膜除去装
置１０は、ダイヤモンド被膜３２のコーティングなどに
使用されるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を利用したも
ので、マイクロ波によってダイヤモンド被覆工具２４を
加熱するようになっているため、既存の設備を利用して
ダイヤモンド被膜３２を一層簡単且つ低コストで除去で
きる。
置１０は、ダイヤモンド被膜３２のコーティングなどに
使用されるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を利用したも
ので、マイクロ波によってダイヤモンド被覆工具２４を
加熱するようになっているため、既存の設備を利用して
ダイヤモンド被膜３２を一層簡単且つ低コストで除去で
きる。
【００４３】なお、上例ではダイヤモンド被覆工具２４
のダイヤモンド被膜３２を燃焼させて工具母材２８から
除去した後、その工具母材２８を再使用して新たにダイ
ヤモンド被膜３２をコーティングし直してダイヤモンド
被覆工具２４を製造する場合について説明したが、図４
に示すように、半導体レーザや半導体センサ等の半導体
装置４０の表面にダイヤモンド被膜４２をコーティング
したダイヤモンド被覆半導体装置４４にも同様に適用さ
れ得る。すなわち、ダイヤモンド被覆半導体装置４４の
ダイヤモンド被膜４２を、前記ダイヤモンド被膜除去装
置１０により例えば前記燃焼条件と同じ条件で燃焼させ
て半導体装置４０から除去した後、その半導体装置４０
を再使用して新たにダイヤモンド被膜４２をコーティン
グし直してダイヤモンド被覆半導体装置４４を製造する
のである。ダイヤモンド被覆半導体装置４４はダイヤモ
ンド被覆部材に相当し、半導体装置４０は本体に相当す
る。なお、この場合は、前記ステップＳ３の再研削工程
が不要である。
のダイヤモンド被膜３２を燃焼させて工具母材２８から
除去した後、その工具母材２８を再使用して新たにダイ
ヤモンド被膜３２をコーティングし直してダイヤモンド
被覆工具２４を製造する場合について説明したが、図４
に示すように、半導体レーザや半導体センサ等の半導体
装置４０の表面にダイヤモンド被膜４２をコーティング
したダイヤモンド被覆半導体装置４４にも同様に適用さ
れ得る。すなわち、ダイヤモンド被覆半導体装置４４の
ダイヤモンド被膜４２を、前記ダイヤモンド被膜除去装
置１０により例えば前記燃焼条件と同じ条件で燃焼させ
て半導体装置４０から除去した後、その半導体装置４０
を再使用して新たにダイヤモンド被膜４２をコーティン
グし直してダイヤモンド被覆半導体装置４４を製造する
のである。ダイヤモンド被覆半導体装置４４はダイヤモ
ンド被覆部材に相当し、半導体装置４０は本体に相当す
る。なお、この場合は、前記ステップＳ３の再研削工程
が不要である。
【００４４】以上、本発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明したが、これ等はあくまでも一実施形態であ
り、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更，改良
を加えた態様で実施することができる。
細に説明したが、これ等はあくまでも一実施形態であ
り、本発明は当業者の知識に基づいて種々の変更，改良
を加えた態様で実施することができる。
【図１】本発明方法を好適に実施できるダイヤモンド被
膜除去装置の一例を説明する概略構成図である。
膜除去装置の一例を説明する概略構成図である。
【図２】図１の装置によってダイヤモンド被膜が除去さ
れるダイヤモンド被覆工具の一例を示す正面図である。
れるダイヤモンド被覆工具の一例を示す正面図である。
【図３】図２のダイヤモンド被覆工具のダイヤモンド被
膜を除去した後、その工具母材を再使用して新たにダイ
ヤモンド被膜をコーティングし直してダイヤモンド被覆
工具を製造する際の手順を示すフローチャートである。
膜を除去した後、その工具母材を再使用して新たにダイ
ヤモンド被膜をコーティングし直してダイヤモンド被覆
工具を製造する際の手順を示すフローチャートである。
【図４】本発明方法が好適に適用されるダイヤモンド被
覆半導体装置を説明する概略斜視図である。
覆半導体装置を説明する概略斜視図である。
１０：ダイヤモンド被膜除去装置 １２：反応炉
１４：マイクロ波発生装置 １６：酸素ガス供給装置
１８：真空ポンプ ２０：電磁コイル ２４：ダイヤモンド被覆工具（ダイヤモンド被覆部材）
２８：工具母材（本体） ３２：ダイヤモンド被
膜 ４０：半導体装置（本体） ４２：ダイヤモン
ド被膜 ４４：ダイヤモンド被覆半導体装置（ダイヤ
モンド被覆部材） ステップＳ１：被膜除去工程 ステップＳ４：再コーティング工程
１４：マイクロ波発生装置 １６：酸素ガス供給装置
１８：真空ポンプ ２０：電磁コイル ２４：ダイヤモンド被覆工具（ダイヤモンド被覆部材）
２８：工具母材（本体） ３２：ダイヤモンド被
膜 ４０：半導体装置（本体） ４２：ダイヤモン
ド被膜 ４４：ダイヤモンド被覆半導体装置（ダイヤ
モンド被覆部材） ステップＳ１：被膜除去工程 ステップＳ４：再コーティング工程
フロントページの続き (72)発明者 田中 正廣 愛知県豊川市本野ヶ原１丁目15番地 オー エスジー株式会社内 Ｆターム(参考） 3C046 HH08 4K030 BA28 CA03 CA05 DA03 FA01 LA11 LA15 LA16 LA21 LA22
Claims (8)
- 【請求項１】 本体の表面にダイヤモンド被膜がコーテ
ィングされているダイヤモンド被覆部材の該ダイヤモン
ド被膜を該本体から除去する方法であって、 所定圧力に減圧された反応炉内で前記ダイヤモンド被覆
部材を加熱するとともに酸素ガスを導入し、該酸素によ
り前記ダイヤモンド被膜を燃焼させて前記本体から除去
することを特徴とするダイヤモンド被膜除去方法。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンド被膜を燃焼させる際
に、前記反応炉の外周部に設けられた電磁コイルに通電
して励磁することを特徴とする請求項１に記載のダイヤ
モンド被膜除去方法。 - 【請求項３】 前記反応炉内の圧力は３０００Ｐａ以下
で、前記ダイヤモンド被覆部材の加熱温度は６００〜１
０００℃の範囲内で、前記酸素ガスの導入流量は０．１
〜０．５Ｌ／ｍｉｎの範囲内であることを特徴とする請
求項１または２に記載のダイヤモンド被膜除去方法。 - 【請求項４】 前記反応炉は、マイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置の反応炉で、マイクロ波によって前記ダイヤモン
ド被覆部材を加熱することを特徴とする請求項１〜３の
何れか１項に記載のダイヤモンド被膜除去方法。 - 【請求項５】 本体の表面にダイヤモンド被膜がコーテ
ィングされているダイヤモンド被覆部材の該本体を再使
用して新たなダイヤモンド被覆部材を製造する方法であ
って、 前記ダイヤモンド被覆部材の前記ダイヤモンド被膜を燃
焼させて前記本体から除去する被膜除去工程と、 該ダイヤモンド被膜が除去された前記本体の表面に新た
にダイヤモンド被膜をコーティングする再コーティング
工程と、 を有することを特徴とするダイヤモンド被覆部材の製造
方法。 - 【請求項６】 前記被膜除去工程は、前記請求項１〜４
の何れか１項に記載のダイヤモンド被膜除去方法に従っ
て前記ダイヤモンド被膜を除去するものであることを特
徴とする請求項５に記載のダイヤモンド被覆部材の製造
方法。 - 【請求項７】 前記ダイヤモンド被覆部材は、前記本体
である工具母材の表面に前記ダイヤモンド被膜をコーテ
ィングしたダイヤモンド被覆工具であることを特徴とす
る請求項５または６に記載のダイヤモンド被覆部材の製
造方法。 - 【請求項８】 前記ダイヤモンド被覆部材は、前記本体
である半導体装置の表面に前記ダイヤモンド被膜をコー
ティングしたダイヤモンド被覆半導体装置であることを
特徴とする請求項５または６に記載のダイヤモンド被覆
部材の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109484A JP3439423B2 (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法 |
| US09/822,425 US6610611B2 (en) | 2000-04-11 | 2001-04-02 | Method of removing diamond coating and method of manufacturing diamond-coated body |
| DE10117867A DE10117867A1 (de) | 2000-04-11 | 2001-04-10 | Verfahren zum Entfernen einer Diamantbeschichtung und Verfahren zum Herstellen eines diamantbeschichteten Körpers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109484A JP3439423B2 (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001295044A true JP2001295044A (ja) | 2001-10-26 |
| JP3439423B2 JP3439423B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=18622171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000109484A Expired - Lifetime JP3439423B2 (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | ダイヤモンド被膜除去方法およびダイヤモンド被覆部材の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6610611B2 (ja) |
| JP (1) | JP3439423B2 (ja) |
| DE (1) | DE10117867A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116522A1 (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Osg Corporation | ダイヤモンド被膜の脱膜方法 |
| JP2011178616A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Tatsuhiko Aizawa | 炭素系物質除去方法及び該除去方法を備えた部品等の製造方法・リサイクル方法 |
| JP2014525982A (ja) * | 2011-06-07 | 2014-10-02 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 硬質の炭素層のためのコーティング除去方法 |
| JP2016002603A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 学校法人 芝浦工業大学 | 脱膜方法及び脱膜装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7189940B2 (en) * | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
| DE102008053254A1 (de) | 2008-10-25 | 2010-04-29 | Ab Solut Chemie Gmbh | Verfahren zum substratschonenden Entfernen von Hartstoffschichten |
| CN104475005B (zh) * | 2014-11-26 | 2017-01-25 | 贵州远盛钾业科技有限公司 | 一种化工原料微波浓缩装置及其浓缩方法 |
| KR101864877B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2018-06-07 | 신메이와 고교 가부시키가이샤 | 이온 조사에 의한 피복재의 탈막 방법 및 탈막 장치 |
| CN105695949A (zh) * | 2016-02-24 | 2016-06-22 | 苏州乐晶新材料科技有限公司 | 一种金刚石涂层刀具退涂的方法 |
| DE102017204109B4 (de) | 2017-03-13 | 2019-03-14 | Gühring KG | Verwendung einer mit Fremdatomen dotierten Diamantschicht zur Erfassung des Abnutzungsgrades einer undotierten diamantenen Funktionsschicht eines Werkzeugs |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927753A (ja) | 1982-08-05 | 1984-02-14 | Nippon Steel Metal Prod Co Ltd | 鋼の鋳造用添加剤の基材の製造方法 |
| US5310512A (en) * | 1990-11-15 | 1994-05-10 | Norton Company | Method for producing synthetic diamond structures |
| JPH05339758A (ja) | 1992-06-08 | 1993-12-21 | Nachi Fujikoshi Corp | ダイヤモンド被覆工具の再研磨・再被覆方法 |
| US6083354A (en) * | 1992-07-24 | 2000-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Treatment method for diamonds |
| US5665435A (en) * | 1995-08-31 | 1997-09-09 | University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education | Method for fluorination of diamond surfaces |
| JP2856192B2 (ja) | 1997-04-10 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| KR100305315B1 (ko) * | 1999-04-09 | 2001-09-13 | 박호군 | 다이아몬드 막이 코팅된 절삭공구 및 그 제조방법 |
| US6814130B2 (en) * | 2000-10-13 | 2004-11-09 | Chien-Min Sung | Methods of making diamond tools using reverse casting of chemical vapor deposition |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000109484A patent/JP3439423B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-02 US US09/822,425 patent/US6610611B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-04-10 DE DE10117867A patent/DE10117867A1/de not_active Ceased
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007116522A1 (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-18 | Osg Corporation | ダイヤモンド被膜の脱膜方法 |
| JP2011178616A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Tatsuhiko Aizawa | 炭素系物質除去方法及び該除去方法を備えた部品等の製造方法・リサイクル方法 |
| JP2014525982A (ja) * | 2011-06-07 | 2014-10-02 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 硬質の炭素層のためのコーティング除去方法 |
| JP2016002603A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 学校法人 芝浦工業大学 | 脱膜方法及び脱膜装置 |
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