JP2001291697A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2001291697A
JP2001291697A JP2000107639A JP2000107639A JP2001291697A JP 2001291697 A JP2001291697 A JP 2001291697A JP 2000107639 A JP2000107639 A JP 2000107639A JP 2000107639 A JP2000107639 A JP 2000107639A JP 2001291697 A JP2001291697 A JP 2001291697A
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chemical
pressure
liquid
processing
supply pipe
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JP2000107639A
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English (en)
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Hiroyuki Araki
浩之 荒木
Kenji Sugimoto
賢司 杉本
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 タンク内の処理液に気体圧を作用させること
により処理液を基板処理部に圧送する装置において、供
給される処理液の圧力を速やかに、しかも簡単な構成で
一定圧力に調整、保持する。 【解決手段】 給水管14を通じて純水を処理槽12に
供給しつつミキシングバルブ18に接合した薬液供給管
20〜22を介して薬液を給水管14に合流させるよう
にした。各薬液供給管20〜22は、上流端をそれぞれ
異なる種類の薬液を貯留した薬液タンクに接続した。各
薬液供給管20〜22にはバッファタンク26を介設し
て一旦薬液を貯留し、このバッファタンク26にガス供
給管30を介して窒素ガスを供給することにより、この
ガス圧により薬液供給管20〜22を通じて薬液を圧送
(供給)するようにした。また、バッファタンク26の
下流側に、パイロット管34を通じて与えられるパイロ
ット圧に応じた圧力で薬液を流通させる薬液レギュレー
タ28を介設した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶用ガラス基板等の基板を処理する基板処理装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体ウエハ等の基板を処理
槽内の処理液に浸漬して処理する基板処理装置として、
処理槽内に純水を供給する給水管を設けるとともに、こ
の給水管に対して複数の薬液供給管を接合し、処理中
は、給水管内の純水に薬液供給管を通じて選択的に薬液
を供給して(合流させ)所定濃度の薬液を調製しつつ処
理槽に供給し、あるいは薬液の供給を停止して純水のみ
を処理槽に供給することにより、薬液や純水(以下、処
理液という)を処理槽に貯留しつつオーバーフローさせ
るようにした装置が知られている。
【0003】このような装置においては、例えば、各薬
液供給管の上流端が薬液を貯留したタンクに接続され、
このタンク内に窒素[N2]等の不活性ガスを供給して
そのガス圧を液面に作用させることにより薬液を供給す
ることが行われている。この際、例えば、薬液供給管を
通じて供給される薬液の圧力を検出し、当該圧力値が予
め設定された一定の圧力値となるように、タンクに与え
る不活性ガスの圧力を検出圧力値に基づいてフィードバ
ック制御することも行われている。すなわち、薬液供給
管の径は一定であるため、上記のように薬液供給管を通
じて供給される薬液の圧力を一定に保つことで薬液の流
量が一定に保たれ、これにより調製される薬液濃度が一
定に保たれるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、薬液の検出
圧力に基づいてタンクに与える不活性ガスの圧力をフィ
ードバック制御する上記従来の装置では、薬液の圧力が
一定圧力に調整されるまでにタイムラグがあり、応答性
において改善の余地がある。
【0005】また、不活性ガスの圧力をフィードバック
制御するための制御系統が必要であるため構成が複雑で
ある。そのため、供給される薬液の圧力をより簡単な構
成で一定圧力に保つことができるような構成が望まれて
いる。
【0006】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、タンク内に貯留された処理液に気体圧
を作用させることにより処理液供給管を通じて基板処理
部に処理液を圧送するようにしながら、供給される処理
液の圧力を速やかに、しかも簡単な構成で一定圧力に調
整、保持することができる基板処理装置を提供すること
を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の基板処理装置は、タンク内に貯留した処理
液に気体圧を作用させることにより、タンクに接続され
た処理液供給管を通じて基板を処理する基板処理部に処
理液を供給するとともに、上記処理液供給管にパイロッ
ト圧に応じた圧力で処理液を流通させるレギュレータを
介設したものである(請求項1)。
【0008】この装置によると、処理液がレギュレータ
を通過することにより、処理液の圧力がパイロット圧に
応じた一定の圧力に調整される。そのため、タンクに供
給する気体圧をフィードバック制御する従来装置と比較
すると処理液の圧力を速やかに一定圧力に調整すること
ができる。しかも、フィードバック制御のための制御系
統が必要ないため、簡単な構成で上記作用効果を得るこ
とができる。
【0009】なお、上記基板処理部に給水管を通じて純
水を供給するとともに、上記処理液供給管として薬液を
供給する薬液供給管をこの給水管に接合するようにすれ
ば(請求項2)、一定濃度の薬液を適切に調整しつつ基
板処理部に供給することが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。
【0011】図1は、本発明に係る基板処理装置の一の
実施の形態を概略的に示している。この図に示す基板処
理装置10は、単一の処理槽に各種薬液や純水を順次貯
留しながら、半導体ウエハ等の基板Wをこの処理液に浸
漬して表面処理を行う、いわゆるワンバス方式の基板処
理装置であって、基板処理部である処理槽12と、これ
に対する処理液の給排系とを備えている。
【0012】処理槽12は、例えば断面矩形の箱型に形
成されているとともに、その開口周囲には液受け部12
aが設けられ、その全体は例えばPTFE(ポリテトラ
フロロエチレン)、PVDF(フッ化ビニリデン)等の
耐侵食性に優れた材料から構成されている。
【0013】処理槽12には、処理液の給排系を構成す
る給水管14及び排液管16がそれぞれ接続されてい
る。
【0014】給水管14は、その上流端側が図外の機械
式ポンプを介して純水供給源となる純水の貯留タンクに
接続される一方、下流端が処理槽12の底部に接続され
て処理槽12内に連通している。そして、給水管14に
は開閉バルブ17、ミキシングバルブ18および三方バ
ルブ19がその上流側から順に介設されるとともに、上
記ミキシングバルブ18に並設された開閉バルブ18a
〜18cにそれぞれ薬液供給管20,21,22の下流
端が接続され、これら薬液供給管20,21,22の上
流端がそれぞれ異なる種類の薬液の供給源に至ってい
る。すなわち、給水管14の開閉バルブ17が開かれた
状態でミキシングバルブ18の開閉バルブ18a〜18
cのうちのいずれかの開閉バルブが開かれることによ
り、給水管14を通じて給送される純水に一種類の薬液
が混入されて処理槽12に給送される一方、全ての開閉
バルブ18a〜18cが閉じられることにより、純水の
みが処理槽12に給送されるようになっている。これに
より給水管14が純水及び薬液の供給通路として共通化
されている。なお、必要に応じて開閉バルブ18a〜1
8cのすべて、あるいは2つを選択的に開いて複数の薬
液を純水に混入して処理に適した処理液を処理槽12に
供給するようにしてもよい。
【0015】同図に示すように、薬液供給管20の途中
には、それぞれ開閉バルブ24,バッファタンク26お
よび薬液レギュレータ28が上流側から順に介設されて
いる。また、上記バッファタンク26には、上流端が図
外の不活性ガス(当実施の形態では窒素[N2])の供
給源に接続されたガス供給管30が接続され、このガス
供給管30に開閉バルブ32が介設されている。
【0016】上記薬液レギュレータ28は、後述するよ
うに、薬液供給管20を通じて供給される薬液を一定圧
力に保つもので、パイロット管34を介して与えられる
パイロット圧に応じて開弁動作を制御し、上記パイロッ
ト圧に対応した圧力で薬液を流通させるように構成され
ている。パイロット管34は、図外の不活性ガス(当実
施の形態では窒素[N2])の供給源に接続されるとと
もに、その途中には電空レギュレータ36が介設されて
いる。この電空レギュレータ36は、流体(薬液)の圧
力を印加電圧に応じた圧力に調整するいわゆる電気圧力
比例型の圧力調整弁であり、このレギュレータ36に一
定の電圧が印加されることにより上記薬液レギュレータ
28に対して窒素ガスによる一定のパイロット圧が与え
られるようになっている。
【0017】ここで、上記薬液レギュレータ28の構成
について説明する。
【0018】図2は上記薬液レギュレータ28を示す断
面概略図である。この図に示すように、薬液レギュレー
タ28は、内部に上下(同図で上下)に延びる薬液の流
路42を備えるとともに、この流路42に通じる上下に
オフセットされた入口側および出口側の各ポート44,
46を左右(同図で左右)両側に有しており、薬液供給
管20がこれら各ポート44,46に接続されている。
【0019】流路42内には、後述するように弁体48
が上下方向に変位可能に支持され、この弁体48に形成
された円錐状部分48cと流路42の途中に形成された
断面円形状の絞り部42cとによりオリフィス56を形
成している。
【0020】流路42の下方には、弁体48の下部48
aを収容する弁体下部収容室42aが形成され、流路4
2の上方には、弁体48の上部48bを収容する弁体上
部収容室42bが形成されている。そして、弁体48の
下部48aが下側ダイアフラム50aにより弁体下部収
容室42a内にフランジ支持状に支えられる一方、同上
部48bが弁体上部収容室42b内に上側ダアヤフラム
50bによりフランジ支持状に支えられている。これに
より、弁体48が流路42内に上下方向に変位可能に支
持されている。
【0021】前記の下側ダイアフラム50aは弁体下部
収容室42aを上下に区分しており、ダイアフラム50
aの上側に流路42に臨む入口側流体圧作用空間51a
を形成する一方、ダイアフラム50aの下側に下部ポー
ト54aを介して前記パイロット管34に連通する下側
のパイロット圧作用空間52aを形成している。また、
上側ダイアフラム50bも弁体上部収容室42bを上下
に区分しており、ダイアフラム50bの下側に流路42
に臨む出口側流体圧作用空間51bを形成する一方、ダ
イアフラム50bの上側に上部ポート54bを介して前
記パイロット管34に連通する上側のパイロット圧作用
空間52bを形成している。
【0022】そして、図2に示すように上記弁体上部収
容室42bが弁体下部収容室42aより広く(径が大き
く)形成されることにより、上側のパイロット圧作用空
間52bにおける上側ダイアフラム50b及び弁体48
の窒素ガスの受圧面積が下側のパイロット圧作用空間5
2aにおける下側ダイアフラム50a及び弁体48の窒
素ガスの受圧面積よりも大きくなるように構成されると
ともに、出口側流体圧作用空間51bにおける上側ダイ
アフラム50b及び弁体48の薬液の受圧面積が入口側
流体圧作用空間51aにおける下側ダイアフラム50a
及び弁体48の薬液の受圧面積よりも大きくなるように
構成されている。
【0023】この構成において、上記入口側ポート44
を通じて薬液を供給するとともに、両ポート54a,5
4bを通じて窒素ガスを与えると、オリフィス56通過
前の薬液の圧力により弁体42を押し下げる力、オリフ
ィス56通過後の薬液の圧力により弁体42を押し上げ
る力、下側のパイロット圧作用空間52aに供給される
窒素ガス圧により弁体42を押し上げる力、上側のパイ
ロット圧作用空間52bに供給される窒素ガス圧により
弁体42を押し下げる力、弁体42の自重および弾性変
形した両ダイヤフラム50a、50bの復帰力が弁体4
2に作用するが、上述のように下側ダイアフラム50a
等の窒素ガスの受圧面積よりも上側ダイアフラム50b
等の窒素ガスの受圧面積の方が大きく設定されているこ
とにより、薬液及び窒素ガス圧を与えた状態で、この窒
素ガス圧を漸次高めると、窒素ガス圧の増加に伴って弁
体48を押し下げる力が増大し、その結果、弁体48が
下方へ変位した所定位置でバランスすることとなる。
【0024】つまり、窒素ガス圧を漸次高めると、次第
にオリフィスの面積が増して出口側のポート46での薬
液の圧力が増すため、所要の圧力が得られた時点の窒素
ガスの圧力を所定のパイロット圧として設定しておく。
【0025】このように所定パイロット圧を与えておけ
ば、その後、バッファタンク26側の薬液に圧力変動が
生じても、上記流量調節弁20が次にように動作するこ
とにより圧力が一定に維持される。すなわち、例えばバ
ッファタンク26側の圧力が高まると、上述したように
入口側流体圧作用空間51aにおける下側ダイアフラム
50等の薬液の受圧面積よりも出口側流体圧作用空間5
1bにおける上側ダイアフラム50b等の薬液の受圧面
積が広く構成されていることにより、出口側流体圧作用
空間51bにおいて弁体48を上方へ変位させる力の増
加分が入口側流体圧作用空間51aにおいて弁体48を
下方へ変位させる力の増加分よりも大きくなり、その結
果、弁体48が上方へ変位してオリフィス56の面積が
狭まり、出口側のポート46での薬液の圧力がパイロッ
ト圧に応じた一定圧力に維持されることとなる。また、
バッファタンク26側の圧力が低下すると、逆に弁体4
8が下方へ変位してオリフィス56の面積が拡大し、出
口側のポート46での薬液の圧力がパイロット圧に応じ
た一定圧力に維持されることとなる。
【0026】なお、パイロット圧の設定は、幾種類かの
所望の薬液圧力毎に行なうことで、各薬液圧力に応じた
パイロット圧を設定することができる。
【0027】なお、以上は一の薬液供給管20の構成に
ついのみ説明したが、他の薬液供給管21,22につい
ても同様に構成されている。
【0028】一方、上記排水管16は、図1に示すよう
に、その上流端が処理槽12の液受け部12aに接続さ
れる一方、下流端が図外の廃液タンクに接続されてい
る。また、排水管16には、その途中に分岐管16aが
設けられ、この分岐管16aが給水管14の三方バルブ
19に接続されている。すなわち、処理槽12から液受
け部12aにオーバーフローした純水、あるいは薬液
(以下、特に区別する場合を除き処理液という)を排水
管16を介して廃液タンクに導入しつつ、例えば、処理
槽12内の処理液を全て排出する必要がある場合には、
三方バルブ19を切替えることにより、給水管14、三
方バルブ19、分岐管16a及び排水管16を介して処
理槽12内の処理液を廃液タンクに導入するようになっ
ている。
【0029】以上のように構成された基板処理装置10
では、各薬液供給管20〜22のバッファタンク26に
一定量の薬液が貯留された状態で処理が開始される。
【0030】そして、まず、例えば各薬液供給管20〜
22の開閉バルブ24、各ガス供給管30の開閉バルブ
32およびミキシングバルブ18の各開閉バルブ18a
〜18cが閉じられ、給水管14を通じて純水のみが処
理槽12に給送されつつ液受け部12aにオーバーフロ
ーさせられる。これにより処理槽12内に純水の上昇流
が形成され、この状態で基板Wが処理槽12内に浸漬さ
せられることにより基板Wに対して水洗処理が施され
る。
【0031】こうして一定時間だけ水洗処理が施される
と、次に、いずれかの薬液供給管20〜22のバッファ
タンク26に接続されたガス供給管30の開閉バルブ3
2が開かれるとともに、ミキシングバルブ18の開閉バ
ルブ18a〜18cのうちこの薬液供給管20〜22に
対応する開閉バルブ18a〜18cが開かれることによ
り給水管14に薬液が導入される。すなわち、薬液供給
管20については、開閉バルブ32が開かれることによ
りバッファタンク26に貯留された薬液の液面に窒素N
2の圧力が作用してバッファタンク26内の薬液が薬液
供給管20を通じて給水管14内に圧送される。これに
より、所定濃度の薬液が調製されつつ処理槽12に給送
され、基板Wに対して薬液による処理が施されることと
なる。
【0032】この際、薬液レギュレータ28には一定の
パイロット圧が与えられており、これにより薬液レギュ
レータ28からミキシングバルブ18に至る薬液の流量
が一定に保たれる。すなわち、薬液供給管20の径は一
定であり、また、薬液供給管20を通じて供給される薬
液の圧力は薬液レギュレータ28を介して一定圧に調整
されるため、これにより薬液の流量が一定に保たれる。
従って、このように一定流量で薬液が供給されることに
より、所定濃度の薬液が適切に調整されて処理槽12に
供給されることとなる。
【0033】こうして、以後、各薬液供給管20〜22
のバッファタンク26に接続されたガス供給管30の開
閉バルブ32が順次選択的に開かれるとともに、その薬
液供給管20〜22に対応する開閉バルブ18a〜18
cが開かれることにより異なる処理液が処理槽12内に
供給され、これにより基板Wに対して複数種類の処理液
による処理が順次施される。なお、このときも、処理槽
12に連続的に薬液が供給されて液受け部12aにオー
バーフローすることによって処理残渣等が処理槽12外
へと導出される。また、各薬液供給管20〜22におい
てバッファタンク26内の薬液が所定量以下まで消費さ
れると、ガス供給管30の開閉バルブ32が閉じられた
状態で薬液供給管20の開閉バルブ24が開かれ、これ
によりバッファタンク26内に薬液が導入されてタンク
内の薬液が補われる。
【0034】そして、すべての薬液による処理が終了す
ると、再び純水のみが処理槽12に供給されて基板Wに
対して水洗処理が施され、一定時間水洗処理が行われる
と、処理槽12への純水の供給が停止され、基板Wが処
理槽12から取り出されて基板処理装置10による基板
Wの処理が完了する。
【0035】以上説明したように、上記基板処理装置1
0では、各薬液供給管20〜22において、バッファタ
ンク26とミキシングバルブ18との間に薬液レギュレ
ータ28を介設し、薬液をこのレギュレータ28に流通
させることにより薬液の圧力を一定圧に調整するように
しているため、タンクに与える不活性ガスの圧力をフィ
ードバック制御する従来のこの種の装置のように薬液の
圧力が一定圧力となるまでのタイムラグがない。そのた
め、この装置10によれば、薬液の圧力を速やかに一定
圧力に調整して該圧力に保つことができる。
【0036】しかも、タンクに与える不活性ガスの圧力
をフィードバック制御するための制御系統が不要である
ため、従来装置と比べると簡単な構成で薬液の圧力を一
定圧に保つことができるという効果もある。
【0037】なお、上記実施の形態の装置では、薬液供
給管20〜22の構成について本発明を適用している
が、例えば、給水管14の構成について本発明を適用す
るようにしてもよい。すなわち、給水管14における開
閉バルブ17の上流側にバッファタンクを設けるととも
にこのタンクの下流側に薬液レギュレータ28と同一構
成の純水レギュレータを介設し、上記タンクに純水を一
旦貯留しつつこのタンク内へ不活性ガスを供給すること
により、純水をタンクから純水レギュレータを介して処
理槽12に供給するようにしてもよい。このようにすれ
ば、薬液のみならず純水についてもその圧力を一定圧に
保つことができる。従って、薬液および純水の流量を共
に一定に保つことができ、これにより一定濃度の薬液を
より適切に調整することができる。
【0038】また、上記の実施の形態では、本発明を、
基板Wを処理液に浸漬して表面処理を行う基板処理装置
のうち、いわゆるワンバス方式の基板処理装置に適用し
ているが、本発明は、ワンバス方式の基板処理装置以外
に、異なる処理液を貯留した複数の処理槽に順次基板W
を移し替えながら浸漬するタイプの基板処理装置にも適
用可能である。また、このように基板Wを処理液に浸漬
して表面処理を行うタイプの基板処理装置以外に、基板
Wを搬送しながら該基板Wに処理液をスプレーして表面
処理等を行う、いわゆるスプレー方式の基板処理装置に
ついても勿論適用可能である。要は、タンク内に貯留さ
れた処理液に気体圧を作用させることにより、上記タン
クに接続された処理液供給管を通じて基板処理部に処理
液を供給する基板処理装置であれば、本発明を適用する
ことができる。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置は、タンク内の処理液に気体圧を作用させることに
より処理液供給管を通じて基板処理部に処理液を供給す
るとともに、処理液供給管に介設したレギュレータに薬
液を流通させることにより、供給する薬液の圧力を一定
圧に調整するようにしているため、処理液の検出圧力に
基づいてタンクに与える気体圧をフィードバック制御す
る従来のこの種の装置のように処理液の圧力が一定圧力
となるまでのタイムラグがなく、処理液の圧力を速やか
に一定圧力に調整して該圧力に保つことができる。しか
も、従来のようなフィードバック制御のための制御系統
が不要なため、簡単な構成で処理液の圧力を一定圧に保
つことができる。
【0040】なお、上記基板処理部に給水管を通じて純
水を供給するとともに、上記処理液供給管として薬液を
供給する薬液供給管をこの給水管に接合するようにすれ
ば、薬液の圧力を一定圧に保つことにより薬液供給管を
通じて供給される薬液の流量を一定に保つことができ
る。従って、これにより一定濃度の薬液を適切に調整し
つつ基板処理部に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一の実施の形態を
示す全体構成図である。
【図2】薬液供給管に介設される薬液レギュレータを示
す断面図である。
【符号の説明】
10 基板処理装置 12 処理槽 14 給水管 16 排液管 16a 分岐管 18 ミキシングバルブ 17,18a〜18c,24,32 開閉バルブ 19 三方バルブ 20,21,22 薬液供給管 26 バッファタンク 28 薬液レギュレータ 30 ガス供給管 34 パイロット管 36 電空レギュレータ W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 賢司 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 3J071 AA21 BB05 BB14 CC11 EE01 EE24 FF11 4F042 AA07 AA10 CB03 CB10 CB11 CB19 5F046 LA09 LA12 LA14

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 タンク内に貯留された処理液に気体圧を
    作用させることにより、上記タンクに接続された処理液
    供給管を通じて基板を処理する基板処理部に処理液を供
    給するとともに、上記処理液供給管にパイロット圧に応
    じた圧力で処理液を流通させるレギュレータを介設した
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 上記基板処理部に給水管を通じて純水を
    供給するとともに、上記処理液供給管として薬液を供給
    する薬液供給管をこの給水管に接合したことを特徴とす
    る請求項1記載の基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006054669A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-26 Ebara Corporation Treatment liquid supply apparatus, substrate treatment apparatus and treatment liquid preparation method

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