JP2001291262A - クロスイレーズ抑制装置 - Google Patents
クロスイレーズ抑制装置Info
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- JP2001291262A JP2001291262A JP2000092353A JP2000092353A JP2001291262A JP 2001291262 A JP2001291262 A JP 2001291262A JP 2000092353 A JP2000092353 A JP 2000092353A JP 2000092353 A JP2000092353 A JP 2000092353A JP 2001291262 A JP2001291262 A JP 2001291262A
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1381—Non-lens elements for altering the properties of the beam, e.g. knife edges, slits, filters or stops
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1398—Means for shaping the cross-section of the beam, e.g. into circular or elliptical cross-section
Abstract
(57)【要約】
【課題】 書き込み可能な光ディスクのクロスイレーズ
を抑制する。 【解決手段】 遮光素子からなるＣＥＥ７を、対物レン
ズ１０への入射光、即ち、対物レンズ１０の開口１０ａ
内の光束のうち中央部分を遮光するように配置する。こ
の場合、ＣＥＥ７はトラック方向ａのスポット径が小さ
くなるように、トラック方向ａよりも線速度方向により
多くの遮光面積を有するように配置される。このように
開口１０ａの中央部を遮光することにより、スポットは
超解像現象を起こし、通常のフラット光入射によるスポ
ットよりも小さなスポットを形成することができる。
を抑制する。 【解決手段】 遮光素子からなるＣＥＥ７を、対物レン
ズ１０への入射光、即ち、対物レンズ１０の開口１０ａ
内の光束のうち中央部分を遮光するように配置する。こ
の場合、ＣＥＥ７はトラック方向ａのスポット径が小さ
くなるように、トラック方向ａよりも線速度方向により
多くの遮光面積を有するように配置される。このように
開口１０ａの中央部を遮光することにより、スポットは
超解像現象を起こし、通常のフラット光入射によるスポ
ットよりも小さなスポットを形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、書き込み可能な光
ディスクのクロスイレーズを抑制するためのクロスイレ
ーズ抑制装置に関するものである。
ディスクのクロスイレーズを抑制するためのクロスイレ
ーズ抑制装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、書き込み可能な光ディスクの高密
度化の要求に伴い、ディスク上に投射される光スポット
に比してトラックピッチが小さくなってきている。この
ため、書き込みの際に、書き込みトラックに隣接したト
ラック上の既記録ピットを再加熱して劣化させてしまう
クロスイレーズと呼ばれる現象が発生することがあっ
た。
度化の要求に伴い、ディスク上に投射される光スポット
に比してトラックピッチが小さくなってきている。この
ため、書き込みの際に、書き込みトラックに隣接したト
ラック上の既記録ピットを再加熱して劣化させてしまう
クロスイレーズと呼ばれる現象が発生することがあっ
た。
【０００３】従来、クロスイレーズを抑制するための方
法として、ウェッジプリズムを使用したビーム整形や、
コリメータレンズのＮＡ（開口数）を調整することによ
り、所望のrim intensity（対物レンズの中心強度に対
する対物レンズの周辺強度の比率）を設定する方法が行
われている。
法として、ウェッジプリズムを使用したビーム整形や、
コリメータレンズのＮＡ（開口数）を調整することによ
り、所望のrim intensity（対物レンズの中心強度に対
する対物レンズの周辺強度の比率）を設定する方法が行
われている。
【０００４】また、光源としてのＬＤ（レーザダイオー
ド）は、積層方向に水平な方向に対して垂直な方向の光
量分布が広く、rim intensityが大きいほどスポット径
は小さくなるため、積層方向に垂直な方向をトラック方
向に向けることにより、トラック方向の高密度化に対応
する方法が行われている。
ド）は、積層方向に水平な方向に対して垂直な方向の光
量分布が広く、rim intensityが大きいほどスポット径
は小さくなるため、積層方向に垂直な方向をトラック方
向に向けることにより、トラック方向の高密度化に対応
する方法が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ウ
ェッジプリズムを使用したビーム整形や、コリメータレ
ンズのＮＡを調整する方法では、rim intensityを１以
上にすることができないという問題があった。また、フ
ラットな光量分布でのスポット径が、これの光学系にお
ける最小のスポット径を形成するが、ＬＤからディスク
上のスポットまでの光利用率は低下する。書き込み用の
光ピックアップは光利用率を高くしておく必要があるた
め、実際にはフラットな光量分布を形成することはでき
ないという問題があった。
ェッジプリズムを使用したビーム整形や、コリメータレ
ンズのＮＡを調整する方法では、rim intensityを１以
上にすることができないという問題があった。また、フ
ラットな光量分布でのスポット径が、これの光学系にお
ける最小のスポット径を形成するが、ＬＤからディスク
上のスポットまでの光利用率は低下する。書き込み用の
光ピックアップは光利用率を高くしておく必要があるた
め、実際にはフラットな光量分布を形成することはでき
ないという問題があった。
【０００６】また、上記ＬＤの積層方向に垂直な方向を
トラック方向に向ける方法では、ディスクの線速度方向
の強度分布が狭くなり、線速度方向の光学的なＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）が低下する。即
ち、クロスイレーズ現象を改善すると、読み取り性能が
劣化するという問題があった。
トラック方向に向ける方法では、ディスクの線速度方向
の強度分布が狭くなり、線速度方向の光学的なＭＴＦ
（Modulation Transfer Function）が低下する。即
ち、クロスイレーズ現象を改善すると、読み取り性能が
劣化するという問題があった。
【０００７】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、スポット径を縮小させて、クロスイレーズ
を改善することのできるクロスイレーズ抑制装置を提供
することを目的としている。
れたもので、スポット径を縮小させて、クロスイレーズ
を改善することのできるクロスイレーズ抑制装置を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、第１の手段として、光ディスク上に入
射されてスポットを形成するための光束の中央部を遮光
する遮光手段を設けるという手段を採用する。
に、本発明では、第１の手段として、光ディスク上に入
射されてスポットを形成するための光束の中央部を遮光
する遮光手段を設けるという手段を採用する。
【０００９】また、第２の手段として、上記第１の手段
において、遮光手段は光ディスクのトラック方向より線
速度方向に多くの遮光面積を有するという手段を採用す
る。
において、遮光手段は光ディスクのトラック方向より線
速度方向に多くの遮光面積を有するという手段を採用す
る。
【００１０】第３の手段として、上記第１の手段におい
て、遮光手段はレーザ光源と１／４λ板との間の光学系
に設けるという手段を採用する。
て、遮光手段はレーザ光源と１／４λ板との間の光学系
に設けるという手段を採用する。
【００１１】第４の手段として、上記第１の手段におい
て、光ディスクの書き込み時に遮光手段を使用し、読み
取り時には不使用とする制御手段を設けるという手段を
採用する。
て、光ディスクの書き込み時に遮光手段を使用し、読み
取り時には不使用とする制御手段を設けるという手段を
採用する。
【００１２】さらに、第５の手段として、光ディスク上
に入射されてスポットを形成するための光束の中央部に
配され、電圧が印加されることにより光の屈折率が変化
する位相変調手段を設けるという手段を採用する。
に入射されてスポットを形成するための光束の中央部に
配され、電圧が印加されることにより光の屈折率が変化
する位相変調手段を設けるという手段を採用する。
【００１３】第６の手段として、上記第５の手段におい
て、上記光ディスクの書き込み時に上記位相変調手段に
電圧を印加し、読み取り時には電圧を印加しない制御手
段を設けるという手段を採用する。
て、上記光ディスクの書き込み時に上記位相変調手段に
電圧を印加し、読み取り時には電圧を印加しない制御手
段を設けるという手段を採用する。
【００１４】第７の手段として、上記第５の手段におい
て、上記位相変調手段に印加する電圧を上記スポット径
が所定の大きさとなるように調整する調整手段を設ける
という手段を採用する。
て、上記位相変調手段に印加する電圧を上記スポット径
が所定の大きさとなるように調整する調整手段を設ける
という手段を採用する。
【００１５】第８の手段として、上記第５の手段におい
て、位相変調手段はレーザ光源と１／４λ板との間の光
学系に設けるという手段を採用する。
て、位相変調手段はレーザ光源と１／４λ板との間の光
学系に設けるという手段を採用する。
【００１６】第９の手段として、上記第５の手段におい
て、位相変調手段は液晶又は非線型光学結晶からなると
いう手段を採用する。
て、位相変調手段は液晶又は非線型光学結晶からなると
いう手段を採用する。
【００１７】第１０の手段として、上記第５の手段にお
いて、位相変調手段はＬｉＮｂＯからなるという手段を
採用する。
いて、位相変調手段はＬｉＮｂＯからなるという手段を
採用する。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わるクロスイレーズ抑制装置の実施形態について説明
する。
係わるクロスイレーズ抑制装置の実施形態について説明
する。
【００１９】図１は、第１実施形態に係わるクロスイレ
ーズ抑制装置を示す構成図である。この図１において、
光ディスク１の書き込み時には、ＬＤ２から発光された
レーザ光３は、コリメータレンズ４、ウェッジプリズム
５、プリズム６及び本実施の形態によるクロスイレーズ
抑制素子（以下、ＣＥＥ：Cross Erase suppression
Elementという。）７を通り、さらにミラー８で反射
された後に、１／４λ板９を通って対物レンズ１０で集
光されることにより、光ディスク１上にスポットが形成
される。そして、光ディスク１上のトラックにピットが
記録される。
ーズ抑制装置を示す構成図である。この図１において、
光ディスク１の書き込み時には、ＬＤ２から発光された
レーザ光３は、コリメータレンズ４、ウェッジプリズム
５、プリズム６及び本実施の形態によるクロスイレーズ
抑制素子（以下、ＣＥＥ：Cross Erase suppression
Elementという。）７を通り、さらにミラー８で反射
された後に、１／４λ板９を通って対物レンズ１０で集
光されることにより、光ディスク１上にスポットが形成
される。そして、光ディスク１上のトラックにピットが
記録される。
【００２０】また、読み取り時には、光ディスク１から
反射された光は上記とは逆の順序でプリズム６に達し、
プリズム６で反射され、センサレンズ１２を介してＰＤ
１３で受光される。なお、後述するように、ＣＥＥ７は
ＣＥＥ制御回路１４によって制御されるものである。
反射された光は上記とは逆の順序でプリズム６に達し、
プリズム６で反射され、センサレンズ１２を介してＰＤ
１３で受光される。なお、後述するように、ＣＥＥ７は
ＣＥＥ制御回路１４によって制御されるものである。
【００２１】さらに、上記ＣＥＥ７について追加説明す
る。本実施形態では、ＣＥＥ７として遮光素子を用いて
いる。図２は、遮光素子からなるＣＥＥ７を用いた場合
のＣＥＥ７の配置を示すもので、符号１０ａは対物レン
ズ１０の開口を示している。図示するように、ＣＥＥ７
は光ディスク１の書き込み時に、対物レンズ１０への入
射光、すなわち、上記開口１０ａ内の光束のうち中央部
分を遮光するように配置されている。また、ＣＥＥ７は
トラック方向（Ｒａｄ方向）ａのスポット径が小さくな
るように、トラック方向ａよりも線速度方向（Ｔａｎ方
向）により多くの遮光面積を有するように配置されてい
る。
る。本実施形態では、ＣＥＥ７として遮光素子を用いて
いる。図２は、遮光素子からなるＣＥＥ７を用いた場合
のＣＥＥ７の配置を示すもので、符号１０ａは対物レン
ズ１０の開口を示している。図示するように、ＣＥＥ７
は光ディスク１の書き込み時に、対物レンズ１０への入
射光、すなわち、上記開口１０ａ内の光束のうち中央部
分を遮光するように配置されている。また、ＣＥＥ７は
トラック方向（Ｒａｄ方向）ａのスポット径が小さくな
るように、トラック方向ａよりも線速度方向（Ｔａｎ方
向）により多くの遮光面積を有するように配置されてい
る。
【００２２】上述したように、開口１０ａの中央部を遮
光することにより、スポットは超解像現象を起こし、前
述したフラット光の入射時のスポットよりも小さなスポ
ットを形成することができる。
光することにより、スポットは超解像現象を起こし、前
述したフラット光の入射時のスポットよりも小さなスポ
ットを形成することができる。
【００２３】一方、超解像現象を起こしたスポットで
は、読み取り時の性能が劣化する。例えば、ＣＥＥ７を
ＴＮ液晶のように偏光角を電圧により回転させることが
可能な材料と偏光フィルターとの組み合わせによって構
成することを考える。読み取り時は、全ての光が同一方
向に偏光するので偏光フィルターを通過するが、書き込
み時には中央部のみ電圧を印加して偏光角を９０゜回転
させることにより、当該中央部のみ偏光フィルターによ
って遮光される。すなわち、書き込み時は中央部を遮光
し、読み取り時には、ＣＥＥ制御回路１４によってＣＥ
Ｅ７を入射光から待避させることができる。
は、読み取り時の性能が劣化する。例えば、ＣＥＥ７を
ＴＮ液晶のように偏光角を電圧により回転させることが
可能な材料と偏光フィルターとの組み合わせによって構
成することを考える。読み取り時は、全ての光が同一方
向に偏光するので偏光フィルターを通過するが、書き込
み時には中央部のみ電圧を印加して偏光角を９０゜回転
させることにより、当該中央部のみ偏光フィルターによ
って遮光される。すなわち、書き込み時は中央部を遮光
し、読み取り時には、ＣＥＥ制御回路１４によってＣＥ
Ｅ７を入射光から待避させることができる。
【００２４】次に、第２実施形態に係わるクロスイレー
ズ抑制装置について説明する。尚、本実施形態の構成
は、上述した図１、図２と実質的に同一である。
ズ抑制装置について説明する。尚、本実施形態の構成
は、上述した図１、図２と実質的に同一である。
【００２５】本実施形態においては、ＣＥＥ７として位
相変調型素子を用いている。この位相変調型素子として
は、例えば液晶や非線形型光学結晶で作られた素子、例
えばＬｉＮｂＯが用いられる。
相変調型素子を用いている。この位相変調型素子として
は、例えば液晶や非線形型光学結晶で作られた素子、例
えばＬｉＮｂＯが用いられる。
【００２６】このような位相変調型素子は、電圧を印加
されると素子の周囲と異なる屈折率になるという性質を
有している。光の速度は屈折率に反比例するので、適当
な電圧を印加することにより、周囲に対して適当な光の
位相差を設定することができる。
されると素子の周囲と異なる屈折率になるという性質を
有している。光の速度は屈折率に反比例するので、適当
な電圧を印加することにより、周囲に対して適当な光の
位相差を設定することができる。
【００２７】図２は、上記ＬｉＮｂＯからなるＣＥＥ７
を用いた場合におけるＣＥＥ７の配置を示すもので、当
該ＣＥＥ７は、図示のようにトラック方向ａのスポット
径を小さくするように配置されている。
を用いた場合におけるＣＥＥ７の配置を示すもので、当
該ＣＥＥ７は、図示のようにトラック方向ａのスポット
径を小さくするように配置されている。
【００２８】このように位相差が生じた状態において
も、上述した第１実施形態と同様に、対物レンズ１０で
集光されたスポットは超解像現象を示し、これによって
フラット光によるスポットより小さなスポットを形成す
ることができる。また、回析限界以下のスポット形成が
可能である。許容できるパワーにもよるが、おおよそ９
０％程度まで可能である。
も、上述した第１実施形態と同様に、対物レンズ１０で
集光されたスポットは超解像現象を示し、これによって
フラット光によるスポットより小さなスポットを形成す
ることができる。また、回析限界以下のスポット形成が
可能である。許容できるパワーにもよるが、おおよそ９
０％程度まで可能である。
【００２９】図３のカーブｂに示すように、ＬＤ２の放
射角が広がるにつれてスポット径は小さくなるが、ある
点で飽和する。この図において２重丸は、直径に対して
幅５％の領域を位相λ／２ずらしたときのＣＥＥであ
る。この図は、従来の光学系の限界スポット径の９０％
まで縮小することが可能であることを示している。な
お、この図におけるＬＤ発散角度は、コリメータレンズ
のＮＡを固定して考えたときのＬＤ発散角度である。
射角が広がるにつれてスポット径は小さくなるが、ある
点で飽和する。この図において２重丸は、直径に対して
幅５％の領域を位相λ／２ずらしたときのＣＥＥであ
る。この図は、従来の光学系の限界スポット径の９０％
まで縮小することが可能であることを示している。な
お、この図におけるＬＤ発散角度は、コリメータレンズ
のＮＡを固定して考えたときのＬＤ発散角度である。
【００３０】次に、超解像状態でのスポットはサイドピ
ークが大きいため、読み取り時には隣接トラックからの
漏れ込みが多くなり、読み取り性能が劣化することにな
る。このため、ＣＥＥ制御回路１４によって書き込み時
のみＣＥＥ７に電圧を印加して大幅なスポット径の縮小
を実現させ、読み取り時には電圧を印加せずに通常の光
学系として動作させ読み取り性能が劣化しないようにし
ている。
ークが大きいため、読み取り時には隣接トラックからの
漏れ込みが多くなり、読み取り性能が劣化することにな
る。このため、ＣＥＥ制御回路１４によって書き込み時
のみＣＥＥ７に電圧を印加して大幅なスポット径の縮小
を実現させ、読み取り時には電圧を印加せずに通常の光
学系として動作させ読み取り性能が劣化しないようにし
ている。
【００３１】また、書き込み時の超解像スポットでは、
トラック方向のスポット径を縮小できると共に、線速度
方向のスポット径も縮小することができる。すなわり、
トラック方向のスポット径と線速度方向のスポット径と
の比を任意に設定することができ、同一のＮＡ及び波長
で通常の光学系では達成し得ない小さなスポット形状を
得ることができる。
トラック方向のスポット径を縮小できると共に、線速度
方向のスポット径も縮小することができる。すなわり、
トラック方向のスポット径と線速度方向のスポット径と
の比を任意に設定することができ、同一のＮＡ及び波長
で通常の光学系では達成し得ない小さなスポット形状を
得ることができる。
【００３２】図４（ａ）は、ＣＥＥ使用時（電圧印加
時）にスポット径がトラック方向に縮小されていること
を示す。図４（ｂ）は、ＣＥＥ使用時のスポットの光特
性を示すもので、図示のようにサイドピークｓｐが発生
している。図４（ｃ）は、電圧を印加しない通常光学と
して使用した時の略円形のスポットを示す。さらに、図
４（ｄ）は、通常光学として使用した時（ＣＥＥ不使用
時）のスポットの光特性を示すもので、図示のようにサ
イドピークは発生していない。
時）にスポット径がトラック方向に縮小されていること
を示す。図４（ｂ）は、ＣＥＥ使用時のスポットの光特
性を示すもので、図示のようにサイドピークｓｐが発生
している。図４（ｃ）は、電圧を印加しない通常光学と
して使用した時の略円形のスポットを示す。さらに、図
４（ｄ）は、通常光学として使用した時（ＣＥＥ不使用
時）のスポットの光特性を示すもので、図示のようにサ
イドピークは発生していない。
【００３３】次に、図３のカーブｂに示すように、ＬＤ
２の放射角特性が異なると光ディスク上のスポット径が
異なり、書き込み性能が機器によりばらつくことにな
る。一方、図５は、第２の実施形態において、変化させ
る位相の量を変えたときのスポット径変化である。位相
変化は印加電圧によって制御可能であるから、印加電圧
に応じてスポット径が変化することになる。そこで、こ
のことを利用して、各機器においてＣＥＥ７に印加する
電圧を調整し設定しておく。
２の放射角特性が異なると光ディスク上のスポット径が
異なり、書き込み性能が機器によりばらつくことにな
る。一方、図５は、第２の実施形態において、変化させ
る位相の量を変えたときのスポット径変化である。位相
変化は印加電圧によって制御可能であるから、印加電圧
に応じてスポット径が変化することになる。そこで、こ
のことを利用して、各機器においてＣＥＥ７に印加する
電圧を調整し設定しておく。
【００３４】なお、上述した各実施形態において、ＣＥ
Ｅ７を設ける位置は、図２のようにミラー８とプリズム
６との間となっているが、ＣＥＥ７は、図２の２点鎖線
で示す位置に設けても良い。すなわち、ＬＤ２から見て
１／４λ板９の手前に配置すれば良い。
Ｅ７を設ける位置は、図２のようにミラー８とプリズム
６との間となっているが、ＣＥＥ７は、図２の２点鎖線
で示す位置に設けても良い。すなわち、ＬＤ２から見て
１／４λ板９の手前に配置すれば良い。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるク
ロスイレーズ抑制装置によれば、以下のような効果を奏
することができる。 （１）光ディスク上にスポットを形成する光束の中央部
に遮光手段、あるいは位相変調手段を設けたことによ
り、スポット径を大幅に縮小させて通常光学系では達成
できない小さなスポット径とすることが可能であり、こ
れによって書き込み時に隣接トラックを劣化させること
を軽減することができる。 （２）上記遮光手段、位相変調手段を書き込み時のみ使
用するように構成することにより、読み取り時の性能劣
化をなくすことができる。
ロスイレーズ抑制装置によれば、以下のような効果を奏
することができる。 （１）光ディスク上にスポットを形成する光束の中央部
に遮光手段、あるいは位相変調手段を設けたことによ
り、スポット径を大幅に縮小させて通常光学系では達成
できない小さなスポット径とすることが可能であり、こ
れによって書き込み時に隣接トラックを劣化させること
を軽減することができる。 （２）上記遮光手段、位相変調手段を書き込み時のみ使
用するように構成することにより、読み取り時の性能劣
化をなくすことができる。
【図１】 本発明の第１及び第２実施形態に係わるクロ
スイレーズ抑制装置の構成図である。
スイレーズ抑制装置の構成図である。
【図２】 図１の要部を拡大した平面図である。
【図３】 本発明の第１及び第２実施形態に係わるＬＤ
発散角−スポット径変化を示す特性図である。
発散角−スポット径変化を示す特性図である。
【図４】 本発明の第１及び第２実施形態に係わるＣＥ
Ｅ使用時及び不使用時のスポット及びスポットの特性図
である。
Ｅ使用時及び不使用時のスポット及びスポットの特性図
である。
【図５】 本発明の第１及び第２実施形態に係わるスポ
ット縮小効果を従来と比較して示す特性図である。
ット縮小効果を従来と比較して示す特性図である。
１ 光ディスク ２ ＬＤ ３ レーザ光 ４ コリメータレンズ ５ ウェッジプリズム ６ プリズム ７ ＣＥＥ（クロスイレーズ抑制素子） ８ ミラー ９ １／４λ板 １０ 対物レンズ １０ａ 対物レンズの開口 １２ センサレンズ １３ ＰＤ １４ ＣＥＥ制御回路
Claims (10)
- 【請求項１】 光ディスク上に入射されてスポットを形
成するための光束の中央部を遮光する遮光手段を設けた
ことを特徴とするクロスイレーズ抑制装置。 - 【請求項２】 上記遮光手段は、上記光ディスクのトラ
ック方向より線速度方向に多くの遮光面積を有すること
を特徴とする請求項１記載のクロスイレーズ抑制装置。 - 【請求項３】 上記遮光手段は、レーザ光源と１／４λ
板との間の光学系に設けたことを特徴とする請求項１記
載のクロスイレーズ抑制装置。 - 【請求項４】 上記光ディスクの書き込み時に上記遮光
手段を使用し、読み取り時には不使用とする制御手段を
設けたことを特徴とする請求項１記載のクロスイレーズ
抑制装置。 - 【請求項５】 光ディスク上に入射されてスポットを形
成するための光束の中央部に配され、電圧が印加される
ことにより光の屈折率が変化する位相変調手段を設けた
ことを特徴とするクロスイレーズ抑制装置。 - 【請求項６】 上記光ディスクの書き込み時に上記位相
変調手段に電圧を印加し、読み取り時には電圧を印加し
ない制御手段を設けたことを特徴とする請求項５記載の
クロスイレーズ抑制装置。 - 【請求項７】 上記位相変調手段に印加する電圧を上記
スポット径が所定の大きさとなるように調整する調整手
段を設けたことを特徴とする請求項５記載のクロスイレ
ーズ抑制装置。 - 【請求項８】 上記位相変調手段は、レーザ光源と１／
４λ板との間の光学系に設けたことを特徴とする請求項
５記載のクロスイレーズ抑制装置。 - 【請求項９】 上記位相変調手段は、液晶又は非線型光
学結晶からなることを特徴とする請求項５記載のクロス
イレーズ抑制装置。 - 【請求項１０】 上記位相変調手段は、ＬｉＮｂＯから
なることを特徴とする請求項５記載のクロスイレーズ抑
制装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000092353A JP2001291262A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | クロスイレーズ抑制装置 |
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| KR10-2001-0016342A KR100436723B1 (ko) | 2000-03-29 | 2001-03-28 | 크로스 이레이즈 억제장치 |
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