JP2001281643A - 液晶光学素子およびその製造方法 - Google Patents
液晶光学素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001281643A JP2001281643A JP2000100803A JP2000100803A JP2001281643A JP 2001281643 A JP2001281643 A JP 2001281643A JP 2000100803 A JP2000100803 A JP 2000100803A JP 2000100803 A JP2000100803 A JP 2000100803A JP 2001281643 A JP2001281643 A JP 2001281643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- optical element
- layer
- crystal optical
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Abstract
晶光学素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 ギャップの定まった2枚の基板間に液晶
材料がマトリックス樹脂中に分散した調光層6と液晶層
5が存在する液晶光学素子10である。この液晶光学素
子10は高精細なRGB表示画素並置型のHPDLC素
子を実現する。また、この液晶光学素子の製造方法によ
れば、一種類のレーザーと一種類のHPDLC前駆体溶
液でRGBの全てが作製できるため、製造工程が簡便と
なる。
Description
ィルターが不要な選択反射型のホログラフィック高分子
分散液晶光学素子(HPDLC)等に関し、詳しくは、
文字、図形等を表示する表示装置、入射光の反射または
透過と遮断を制御するライトバルブ等に利用される液晶
光学素子に関する。
トが不要な反射型の液晶光学素子が提案されている(特
開平5−134266号公報、以下、従来技術1と呼
ぶ、参照)。従来技術1において、液晶と高分子から構
成された反射型の液晶素子が開示されている。この開示
技術の液晶光学素子では、規則的に並んだ液晶滴と高分
子材料の屈折率差に起因する光の干渉を利用して光の反
射/透過を制御しており、ホログラフィック高分子分散
液晶素子(HPDLC)と呼ばれている。この高分子分
散液晶素子中の高分子材料の屈折率は、液晶材料の常光
屈折率近傍に設定されている。電圧無印加状態では、液
晶滴中の液晶分子はランダムに配向しており、高分子材
料と屈折率差が生じている。この屈折率差と液晶滴の周
期により特定の波長の光が選択的に反射される。
いくと、高分子材料と液晶滴との屈折率差が小さくな
り、選択反射光強度が低下していく。この液晶光学素子
は、特公平3−52843号公報等で開示されている液
晶をカプセル化し高分子材料中に分散した透過/散乱型
の液晶光学素子と同様に偏光板を要しないため光の利用
効率が高いということ、TFT(薄膜トランジスタ)、
MIM等のアクティブ素子での駆動が可能であるという
利点を有している。なお、この液晶光学素子では、液晶
滴の間隔の設定により選択反射波長が異なる液晶光学素
子が製造できるため、RGB(赤、緑、青)の各波長を
選択反射する画素を並置あるいは積層することによりカ
ラー表示がカラーフィルター無しで実現できる。
ック高分子分散液晶においては、RGBの各画素が並置
された構造を製造する方法として、RGBの各色ごとに
レーザーの波長や交差角を変える方法が提案されてい
る。
のRGBを並置したHPDLC素子の製造方法において
は、各画素ごとにレーザーの波長や交差角を変える必要
があり、結果として3回のレーザー干渉露光が必要とな
る。即ち、RGBの各画素を別々に作製していくわけで
あるが、この製造方法では、通常のLCDに利用される
ような微細な画素パターンを作製することは困難であ
る。
DLC素子を製造において、レーザー光線は基板の法線
方向から入射されず、それ以外のある特定の角度から入
射される。このため、内部での反射が発生し隣の画素部
分も硬化する。
透明ではなく、レーザー光が散乱して隣りの未硬化の画
素部分も硬化させてしまう。
合のラジカルが横方向に移動して硬化部分がさらに広が
るという問題もある。また、波長の異なる複数のレーザ
ーを使用するには、それに対応したHPDLC前駆体材
料を必要とするが、2つ以上の異なる材料を基板面内の
微細な各表示画素ごとに配置するには複雑なプロセスが
必要となる。このように、高精細なRGB並置HPDL
C素子を簡単な方法で実現する構造および製造方法は開
示されていない。
RGB並置HPDLC素子を簡単な方法で実現する液晶
光学素子およびその製造方法を提供することにある。
プの定まった2枚の基板間に液晶材料がマトリックス樹
脂中に分散した調光層と液晶層が存在することを特徴と
する液晶光学素子が得られる。
において、前記液晶層が連続層であることを特徴とする
液晶光学素子が得られる。
晶光学素子において、前記調光層では、液晶材料が周期
的に分散していることを特徴とする液晶光学素子が得ら
れる。
晶光学素子において、前記調光層が可視光を選択反射す
ることを特徴とする液晶光学素子が得られる。
晶光学素子において、前記液晶層の厚みが異なる2つ以
上のドメインを有することを特徴とする液晶光学素子が
得られる。
晶光学素子において、前記調光層は、互いに選択反射波
長が異なる2つ以上の調光層によって構成されているこ
とを特徴とする液晶光学素子が得られる。
た2枚の基板間に液晶材料がマトリックス樹脂中に分散
した調光層と液晶層が存在する液晶光学素子を製造する
方法であって、前記調光層を収縮させることによって、
選択反射波長を変化させることを特徴とする液晶光学素
子の製造方法が得られる。
の製造方法において、前記選択反射波長の変化は短波長
化であることを特徴とする液晶光学素子の製造方法が得
られる。
た2枚の基板間に特定の波長を選択反射する調光層を製
造した後、前記調光層の少なくとも一部を収縮させて選
択反射波長を変化させ、さらに収縮した調光層に光照射
または熱処理により選択反射波長を固定化することを特
徴とする液晶光学素子の製造方法が得られる。
った2枚の基板間に特定の波長を選択反射する調光層を
製造した後、前記調光層の少なくとも一部を収縮させて
選択反射波長を変化させる液晶光学素子の製造方法であ
って、前記調光層が収縮している途中で2つ以上の異な
るドメインに光照射または熱処理を順次行い、選択反射
波長の異なる2つ以上のドメインを製造することを特徴
とする液晶光学素子の製造方法が得られる。
て、添付した図面を参照しながら詳述する。
の実施の形態による液晶光学素子の概略構成を示す断面
図である。図1を参照すると、ギャップの定まった基板
1,2の対向面に電極層3,4が夫々形成され、それら
の間の電極層3側には連続層の液晶層5が、電極層4側
には、液晶材料がマトリックス樹脂中に分散した調光層
6が形成されている。
ラスチック等が使用できる。この基板1,2は光学素子
として機能するために、使用の際には少なくとも一方が
透明であることが必要である。
ことが望ましい。そして、基板1,2の間隔(ギャッ
プ)設定には、通常の液晶素子に用いられるガラスまた
は高分子樹脂等から成るロッド状、球状のスペーサーを
使用することができ、その間隔は3μm以上30μm以
下程度が望ましい。
素子10は、後に詳しく述べる他の実施の形態において
も同様に、特定の波長を回折し選択的に反射する反射型
液晶素子に利用できるが、反射型の液晶光学素子とする
場合は、更に、光吸収層18を付加することが望まし
い。この光吸収層の設置場所としては調光層6を形成し
た基板の反対の面に光吸収層を付加することもできる
し、電極層を形成した調光層6の上に光吸収層を直接形
成することもできる。この場合、光吸収層と調光層6の
間にガラス等に基板が無いため、不要な反射等を抑制で
きる。
めに、保護膜や保護基板を付与することもできる。ここ
で、光吸収層は可視光を吸収する材料で構成されていれ
ば無機材料でも有機材料でも構わない。吸収強度または
吸収波長は目的とする素子特性により任意に変更できる
が、一般に黒色であることが望ましい。
晶光学素子10は、後に詳しく説明する他の実施の形態
においても同様に、反射型のみならず透過型としても用
いることができる。すなわち、透過型としては、特定の
波長を通さないフィルターとして利用できる。
O等の通常の電極材料が利用できる。また、使用する基
板自身が導電性を有している場合は、基板1,2を電極
としても利用することもできる。
ルインシュレーターメタル(MIM)等のアクティブ素
子を付加することもできる。必要に応じ電極層をパター
ニングすることもできる。
る液晶層5を構成する液晶材料としては、後述する他の
実施の形態においても同様に、ネマチック液晶、スメク
チック液晶、コレステリック液晶等などが使用可能であ
る。
り正の誘電異方性を有する液晶材料を利用することもで
きるし、負の誘電異方性を有する液晶材料を利用するこ
ともできる。
化する2周波駆動液晶も利用できる。低駆動電圧および
高反射率特性の点からは、誘電率の異方性が大きく、屈
折率の異方性が大きいものが望ましい。
晶素子10をTFT等の能動素子で駆動させるために
は、液晶材料の電気抵抗が大きく、電荷保持率の大きい
ことが望ましく、フッ素系、塩素系等の高抵抗の液晶材
料が利用できる。
る。図2に示すように、調光層6において、液晶材料8
がマトリックス樹脂9中に周期的に分散しているもので
ある。この調光層6は、可視光線の特定の波長を選択的
に反射するホログラフィック層からなる。
ックス樹脂中に液晶材料が分散した構成である。マトリ
ックス樹脂中に分散する液晶材料はネットワーク上に連
結していても構わない。
ク高分子分散液晶がある。ホログラフィック高分子分散
液晶においては可視光を選択反射するように液晶材料は
マトリックス樹脂中に周期性を有して分散している。そ
れらの周期性は目的とする選択反射波長により任意に設
定することができる。
て、液晶光学素子10における調光層6の表示画素と
は、一般の液晶ディスプレイにおける一つの画素を示し
ており、電極を含んだ繰り返し表示部の一つである。こ
れは、他の実施の形態においても同様である。
ず、他の実施の形態も含む本発明において、調光層に利
用されるマトリックス樹脂はマトリックス樹脂前駆体が
光により高分子化すなわち光重合したものである。
−エチルヘキシルアクリレート、ブチルエチルアクリレ
ート、ブトキシエチルアクリレート、2−シアノエチル
アクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシル
アクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、
2−エトキシエチルアクリレート、N,N−ジエチルア
ミノエチルアクリレート、N,N−ジメチルアミノエチ
ルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジ
シクロペンテニルアクリレート、グリシジルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソボニル
アクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアク
リレート、モルホリンアクリレート、フェノキシエチル
アクリレート、フェノキシジエチレングリコールアクリ
レート、2,2,2−トリフルオロエチルアクリレー
ト、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアク
レート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピルアク
リレート、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブ
チルアクリレート等の単官能アクリレート化合物、2−
エチルヘキシルメタクリレート、ブチルエチルメタクリ
レート、ブトキシエチルメタクリレート、2−シアノエ
チルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタ
クリレート、2−エトキシエチルアクリレート、N,N
−ジエチルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジメ
チルアミノエチルメタクリレート、ジシクロペンタニル
メタクリレート、ジシクロペンテニルメタクリレート、
グリシジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメ
タクリレート、イソボニルメタクリレート、イソデシル
メタクリレート、ラウリルメタクリレート、モルホリン
メタクリレート、フェノキシエチルメタクリレート、フ
ェノキシジエチレングリコールメタクリレート、2,
2,2−トリフルオロエチルメタクリレート、2,2,
3,3−テトラフルオロプロピルメタクリレート、2,
2,3,4,4,4−ヘキサフルオロブチルメタクリレ
ート等の単官能メタクリレート化合物、4,4′−ビフ
ェニルジアクリレート、ジエチルスチルベストロールジ
アクリレート、1,4−ビスアクリロイルオキシベンゼ
ン、4,4′−ビスアクリロイルオキシジフェニルエー
テル、4,4′−ビスアクリロイルオキシジフェニルメ
タン、3.9−ビス[1,1−ジメチル−2−アクリロ
イルオキシエチル]−2,4,8,10−テトラスピロ
[5,5]ウンデカン、α、α′−ビス[4−アクリロ
イルオキシフェニル]−1,4−ジイソプロピルベンゼ
ン、1,4−ビスアクリロイルオキシテトラフルオロベ
ンゼン、4,4′−ビスアクリロイルオキシオクタフル
オロビフェニル、ジエチレングリコールジアクリレー
ト、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,3−
ブチレングリコールジアクリレート、ジシクロペンタニ
ルジアクリレート、グリセロールジアクリレート、1,
6−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグ
リコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジ
アクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリアクリレート、ジトリメチロールプ
ロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘ
キサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロ
キシペンタアクリレート、4,4′−ジアクリロイルオ
キシスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキシジメ
チルスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキシジエ
チルスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキシジプ
ロピルスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキシジ
ブチルスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキシジ
ペンチルスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキシ
ジヘキシルスチルベン、4,4′−ジアクリロイルオキ
シジフルオロスチルベン、2,2,3,3,4,4−ヘ
キサフルオロペンタンジオール 1,5−ジアクリレー
ト、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル
−1,3−ジアクリレート、ウレタンアクリレートオリ
ゴマー等の多官能アクリレート化合物、ジエチレングリ
コールジメタクリレート、1,4−ブタンジオールジメ
タクリレート、1,3−ブチレングリコールジメタクリ
レート、ジシクロペンタニルジメタクリレートグリセロ
ールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメ
タクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレー
ト、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリ
メチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリス
リトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトール
トリメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ
メタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタク
リレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペン
タメタクリレート、2,2,3,3,4,4−ヘキサフ
ルオロペンタンジオール 1,5−ジメタクリレート、
ウレタンメタクリレートオリゴマー等の多官能メタクリ
レート化合物、スチレン、アミノスチレン、酢酸ビニル
等がある。さらにフッ素元素を含マトリックス樹脂前駆
体として、2,2,3,3,4,4−ヘキサフルオロペ
ンタンジオール 1,5−ジアクリレート、1,1,
2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル−1,3−ジ
アクリレート、2,2,2−トリフルオロエチルアクリ
レート、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル
アクレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル
アクリレート、2,2,3,4,4,4−ヘキサフルオ
ロブチルアクリレート、2,2,2−トリフルオロエチ
ルメタクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプ
ロピルメタクリレート、2,2,3,4,4,4−ヘキ
サフルオロブチルメタクリレート、フッ素含有ウレタン
アクリレートオリゴマー等を含む化合物が挙げられるが
これに限定されるものではない。これらのマトリックス
樹脂前駆体は単独で利用することもできるし、二種類以
上を混合することもできるが、光硬化後のマトリックス
樹脂の強度や安定性から、マトリックス樹脂前駆体は少
なくとも1種類の多官能性の化合物を含有していること
が好ましい。
リックス樹脂は、光学的に等方性であることに限定され
ず、光学異方性を有していても良い。すなわち、マトリ
ックス樹脂の前駆体は液晶性を有していても構わない。
性は目的とする液晶光学素子の反射または透過特性によ
り任意に設定できる。その一例としては、高分子材料の
屈折率は液晶材料の常光屈折率またはその近くに設定し
た場合がある。マトリックス樹脂前駆体には、光照射に
よる重合を起こしやすくするために光重合開始剤を添加
することが望ましい。具体的には、光重合開始剤として
は、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサンソン系等の通常の光重合開始剤が使用で
きる。例えば、カンファーキノン、5,7−ヨード−3
−ブトキシ−6−フルオレン、ジエトキシアセトフェノ
ン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパ
ン−1−オン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイン
エチルエーテル、4−フェニルベンゾフェノン、2−ク
ロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン等およ
びこれらの化合物の誘導体がある。
ないが素子の均一性の点から液晶中に溶解または相溶す
るものが望ましい。
の前駆体の30重量%以下が好ましい。
ミン、4−ジメチルアミノ安息香酸等の光開始助剤を添
加することもできる。
合に使用する可視光の光源の波長と合わなければ、長波
長の可視の光を吸収して重合開始剤にエネルギートラン
スファーする色素増感剤を添加することができる。
素、ケトクマリン系色素、ローダミン系色素、オキサジ
ン系色素、カルボシアニン系色素、ジカルボシアン系色
素、トリカルボシアン系色素、テトラカルボシアン系色
素、ペンタカルボシアン系色素、オキソノール系色素、
スチリル系色素、キサンテン系色素、メロシアニン系色
素、ローダシアニン系色素、ポルフィリン系色素、アク
リジン系色素等が挙げられるが、これに限定されるもの
では無い。色素増感剤は可視光により励起され、エネル
ギーを光重合開始に移動させるものであればいずれのも
の構わない。
の実施の形態による液晶光学素子の概略構成を示す断面
図である。また、図4は本発明の第2の実施の形態によ
る液晶光学素子の製造方法の説明に供せられる図であ
る。図5は本発明の第2の実施の形態による液晶光学素
子におけるレーザー干渉露光の模式的な光学系を示す図
である。図6は本発明の第2の実施の形態における液晶
層の厚みが異なる2つのドメインを有する液晶光学素子
の模式的な断面図である。
液晶層の厚みが異なる2つ以上のドメイン5a,5bを
有している。即ち、液晶層が厚みの異なるということ
は、2枚の基板1,2間のギャップは一定であるので、
そのドメインに対応する調光層の厚みが異なることを意
味している。
て、厚みが薄い短波長反射調光層6aが形成され、薄い
ドメイン5bに対応した厚い長波長反射調光層6bが形
成されている。このように、調光層の厚みによって、選
択反射波長が異なっている。
述する別の実施の形態も含む、本発明において、液晶層
とは、ある厚みを有した連続的な液晶の層であり、調光
層に分散している液晶材料と同じ液晶材料であるが、そ
の存在位置や形状が異なる。そして、液晶層は、調光層
と基板の間に存在する。すなわち、液晶層はある厚みを
有した連続層であり、調光層の収縮により、液晶材料が
調光層から出てくることにより形成される。
調光層を製造した直後は、この液晶層は形成されにくい
が、形成されていても構わない。なお、調光層の収縮に
より調光層の選択反射波長は短波長化する。
る二つ以上のドメインとは、ギャップの定まった二枚の
基板間に厚みの異なる調光層が二つ以上存在することを
示す。
形態による調光層を形成するマトリックス樹脂の前駆体
の光重合に用いられる光線としては可視光レーザーが利
用できる。特に、調光層内に格子状に高分子材料を配置
するために光重合は、図4の符号21,22に示すよう
に、2光束レーザー干渉露光により行う。この時、選択
反射波長はレーザー波長および交差角度の調整により任
意に設定できる、異なる波長のレーザー光源を使用す
る。ここで、レーザー光源としては、アルゴンイオンレ
ーザー等のガスレーザーや各種の半導体レーザー等が使
用できる。
構成を示す図である。図5に示すように、レーザー干渉
露光装置20は、レーザービーム24を放射するレーザ
ー光源23と、放射されたレーザー光を2方向に分離す
るビームスプリッタ25と、ビームスプリッタ25によ
って透過したレーザービーム、反射して分離されたレー
ザービームは夫々ミラー26,27で反射して表裏両面
の2方向から液晶セル28内に入射する。
20において、レーザー光源23として波長488nm
のアルゴンイオンレーザーを使用し、90度の交差角度
で2光束を入射させて液晶光学素子の調光層を製造する
と、電圧印加時に約530nmの選択反射を示す特性が
得られる。
遮蔽膜を使用し、任意のパターンを形成することもでき
る。なお、1つの調光層中に液晶滴間隔の異なる2つの
周期構造すなわち回折格子を作製するために2光束以上
のレーザー光束を使用しても構わない。この時、波長の
異なる2つのレーザーを使用して4光束を同時に照射す
ることができるし、また、レーザー照射時に電場あるい
は磁場等を調光層の前駆体に印加することもできる。
2つのドメインを有する液晶光学素子12において、二
枚の基板1,2間のギャップは一定であり、調光層6
a,6bの厚みが異なることは、調光層と一方の基板と
の間の空間に存在する液晶層の厚みも異なるものであ
る。
が存在する必要はなく、少なくとも一部のドメインが液
晶層と調光層から構成されていれば良い。
されており、二色を表示する場合、一つのドメインは基
板間に調光層だけが存在していても構わない。
ち液晶層の厚みが厚くなるに従い、調光層の選択反射波
長は短波長となる。図6の例においては、基板2の表面
には、反射型の液晶光学素子の特長である光吸収層18
が形成されている。
光学素子の表示部の一部分を示し、例えば、通常の液晶
ディスプレイのように一画素がRBGの3つに空間分割
されている場合は、3つに分割されたうちの一つを示
す。
異なる2つ以上のドメインを並置した単層構造のみなら
ず積層構造にも適応でき、その積層数に制限はないが、
カラー反射型の液晶光学素子として利用する場合は、赤
色反射層、緑色反射層、青色反射層の3層を積層するこ
とによりフルカラーの表示が可能となり特に有効であ
る。赤色反射層、緑色反射層、青色反射層の3層を積層
する場合、積層の順番、各層の厚み等は任意に選択でき
る。
収縮により選択反射波長が短波長化する。この短波長化
を停止させる方法としては、光照射または熱処理があ
り、光としては紫外線、可視光線、電子線等が使用でき
るが、特に紫外線照射が望ましい。この短波長化を停止
させるための光照射には、通常のフォトマスクを使用す
ることができ、任意のドメインに光照射することが可能
である。
成する液晶材料とマトリックス樹脂の材料物性、液晶材
料とマトリックス樹脂の混合比率、重合開始剤濃度、レ
ーザーの二光束干渉露光後の硬化率、調光層と基板との
接着性等に依存し、これらの条件は、素子の反射特性に
合わせて任意に設定することができる。収縮率や収縮速
度を促進する一つの方法として、少なくとも一方の基板
の電極層と調光層のマトリックス材料との接着仕事を小
さくする方法がある。この時、接着仕事は85mN/m
以下が好ましい。なお、接着仕事を制御するために、電
極層表面を他の材料でコーティングしても構わない。
素子の製造方法は、次の通りである。尚、各材料は第1
の実施の形態において、挙げたものと同様なものを用い
ることができる。
った2枚の電極層3,4付き透明基板1,2間に、液晶
材料とマトリックス樹脂前駆体と重合開始剤の混合溶液
(HPDLC前駆体溶液)を液晶セルに注入する。
いてレーザーの二光束干渉露光を行い特定の波長を選択
反射する調光層を製造した後、収縮して選択反射波長を
変化している調光層に紫外線等を照射して選択反射波長
を固定化する。
2色以上のドメインの製造方法として、調光層が収縮し
ている途中で2つ以上の異なるドメインに紫外線等を順
次照射する。この調光層は収縮により、選択反射波長は
短波長化する。
の実施の形態におけるの2つの表示ドメインを有する液
晶光学素子の模式的な上面図である。図8は本発明の第
3の実施の形態による液晶光学素子における製造方法に
係わる模式的な紫外線照射方法を示す図である。図9は
本発明の第3の実施の形態による液晶光学素子の模式的
な断面図である。図10は本発明の第3の実施の形態に
よる液晶光学素子における製造方法に係わる模式的な紫
外線照射方法である。図11は、本発明の第3の実施の
形態による液晶光学素子の模式的な断面図である。
の実施の形態における緑色反射ドメインと青色反射ドメ
インの2つのドメインを並置した液晶光学素子の製造方
法の一例を示していく。
った2枚の電極層3,4付き透明基板1,2間に液晶材
料とマトリックス樹脂前駆体と重合開始剤の混合溶液
(HPDLC前駆体溶液)を液晶セルに注入する。この
液晶材料とマトリックス樹脂前駆体と重合開始剤の混合
溶液は、第1及び第2の実施の形態において例示したも
のと同様のものを使用することができる。
置を用いてレーザーの二光束干渉露光を表示部の全面に
行う。
2を用いて表示部の一部に紫外線51を照射する。
の調光層を収縮させて調光層7cと液晶層5cの積層を
形成する。
択反射波長が短波長化し、任意の値となった時点で残り
の部分にフォトマスク54を介して紫外線53を照射
し、図11に示す選択反射色の異なる2つの調光層7
b,7c’を並置した液晶光学素子を製造する。なお、
収縮の飽和により短波長を反射する調光層が製造できる
ため、必ずしも短波長反射調光層(ドメイン)に紫外線
を照射する必要は無い。
の実施の形態による赤(R)・緑(G)・青(B)の画
素を有する液晶光学素子の製造方法を図12乃至図14
を参照して説明する。
造方法に係わる模式的な紫外線照射方法を示す図であ
る。また、図13は本発明の第4の実施の形態による液
晶光学素子における製造方法に係わる模式的な断面図で
ある。また、図14は本発明の第4の実施の形態による
液晶光学素子における製造方法に係わる模式的な紫外線
照射方法を示す図である。また、図15は本発明の第4
の実施の形態による液晶光学素子における製造方法に係
わる模式的な断面図である。また、図16は本発明の第
4の実施の形態による液晶光学素子における製造方法に
係わる模式的な紫外線照射方法を示す図である。さら
に、図17は本発明におけるの3つの表示ドメインを有
するの液晶光学素子の模式的な上面図である。
った2枚の基板間に赤色反射調光層7aを製造する。次
に、図12に示すように、フォトマスク57の部分に赤
色表示用のドメイン部分に紫外線を照射し、収縮を停止
させ選択反射波長を固定化させる。
ドメイン以外の調光層を収縮させて液晶層5cと緑色反
射調光層7bとを形成し、選択反射波長を緑色にする。
59を介して、緑色表示用のドメインに紫外線58を照
射して選択反射波長を固定化する。
示用のドメイン以外の調光層を収縮させて、青色反射調
光層7cと、液晶層5cとの2層構造を形成し、選択反
射波長を青色にする。
のドメインに紫外線61を照射して選択反射波長を固定
化させて、図17に示す赤色反射ドメイン33、緑色反
射ドメイン31、及び青色反射ドメイン32を備えた液
晶光学素子を得る。なお、収縮の飽和により青色を反射
する調光層となるものであれば、必ずしも青色表示用の
ドメインに、図16に示すような紫外線61を照射する
必要は無い。
学素子の具体的な製造例について説明する。
ーとして、ITO電極を有する2枚のガラス基板を使用
し空セルを作製した。正の誘電率異方性のネマチック液
晶BL36(メルク社製)0.3部とマトリックス樹脂
前駆体ラックストラックLCR208(東亜合成社製)
0.69部、光重合開始剤カンファーキノン0.005
部、光重合開始助剤ジエタノールアミン0.005部の
混合溶液を作製した空セルに注入し、室温下でこの液晶
セルに波長488nmのアルゴンレーザーを二光束干渉
露光し、光硬化を行う。レーザーの交差角度は90度と
した。製造された液晶光学素子は電圧無印加時で緑色の
選択反射状態を示した。この選択反射波長は経時的に短
波長化し、青色で飽和した。この青色の素子に電圧(1
00Hz、100Vの矩形波)を印加したところ青色の
選択反射波長は消失した。
ーとして、ITO電極を有する2枚のガラス基板を使用
し空セルを作製した。正の誘電率異方性のネマチック液
晶E8(メルク社製)0.3部とマトリックス樹脂前駆
体ラックストラックLCR208(東亜合成社製)0.
69部、光重合開始剤カンファーキノン0.005部、
光重合開始助剤ジエタノールアミン0.005部の混合
溶液を作製した空セルに注入し、室温下でこの液晶セル
に波長488nmのアルゴンレーザーを二光束干渉露光
し、光硬化を行う。レーザーの交差角度は90度とし
た。製造された液晶光学素子は電圧無印加時で緑色の選
択反射状態を示した。この緑色反射部分の一部をマスク
した後、365nm、強度10mW/cm2の紫外線を
照射した。この紫外線を照射した部分は選択反射光波長
の経時変化はなかった。マスクした部分の選択反射波長
は経時的に短波長化し、青色で飽和した。結果として緑
色反射ドメインと青色反射ドメインが表示部に形成され
た。
ーとして、ITO電極を有する2枚のガラス基板を使用
し空セルを作製した。正の誘電率異方性のネマチック液
晶BL36(メルク社製)0.3部とマトリックス樹脂
前駆体ラックストラックLCR208(東亜合成社製)
0.69部、重合開始剤BTTB0.005部および光
増感色素0.005部の混合溶液を作製した空セルに注
入し、室温下でこの液晶セルに波長532nmの半導体
レーザーを二光束干渉露光し、光硬化を行う。レーザー
の交差角度は60度とした。製造された液晶光学素子は
電圧無印加時で赤色の選択反射状態を示した。この緑色
反射部分の一部をマスクした後、波長365nm、強度
10mW/cm2の紫外線を照射した。この紫外線を照
射した部分では選択反射光波長の経時変化はなかった。
マスクした部分の選択反射波長は経時的に短波長化し、
緑色になった。この緑色の一部をマスクした後、波長3
65nm、強度10mW/cm2の紫外線を照射した。
紫外線を照射した部分では選択反射光波長の経時変化は
なかった。紫外線未照射部の選択反射波長は経時的に短
波長化し、青色で飽和した。結果として赤色反射ドメイ
ンと緑色反射ドメインと青色反射ドメインが表示部に形
成された。
発明の技術思想の範囲内において、適宜決められ得るこ
とは明らかである。
素子およびその製造方法によれば、高精細なRGB表示
画素並置型のHPDLC素子を実現できる。
よれば、一種類のレーザーと一種類のHPDLC前駆体
溶液でRGBの全てが作製できるため、製造工程が簡便
となる。
択反射波長を任意に選択できるため、カラーバランスの
調整が容易である。
の概略構成を示す断面図である。
の概略構成を示す断面図である。
の製造方法の説明に供せられる図である。
におけるレーザー干渉露光の模式的な光学系を示す図で
ある。
みが異なる2つのドメインを有する液晶光学素子の模式
的な断面図である。
示ドメインを有する液晶光学素子の模式的な上面図であ
る。
における製造方法に係わる模式的な紫外線照射方法を示
す図である。
の模式的な断面図である。
子における製造方法に係わる模式的な紫外線照射方法を
示す図である。
子の模式的な断面図である。
わる模式的な紫外線照射方法を示す図である。
子における製造方法に係わる模式的な断面図である。
子における製造方法に係わる模式的な紫外線照射方法を
示す図である。
子における製造方法に係わる模式的な断面図である。
子における製造方法に係わる模式的な紫外線照射方法を
示す図である。
表示ドメインを有するの液晶光学素子の模式的な上面図
である。
Claims (10)
- 【請求項1】 ギャップの定まった2枚の基板間に液晶
材料がマトリックス樹脂中に分散した調光層と液晶層が
存在することを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項2】 請求項1記載の液晶光学素子において、
前記液晶層が連続層であることを特徴とする液晶光学素
子。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の液晶光学素子にお
いて、前記調光層では、液晶材料が周期的に分散してい
ることを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項4】 請求項1乃至3の内のいずれかに記載の
液晶光学素子において、前記調光層が可視光を選択反射
することを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項5】 請求項1乃至4の内のいずれかに記載の
液晶光学素子において、前記液晶層の厚みが異なる2つ
以上のドメインを有することを特徴とする液晶光学素
子。 - 【請求項6】 請求項1乃至3の内のいずれかに記載の
液晶光学素子において、前記調光層は、互いに選択反射
波長が異なる2つ以上の調光層によって構成されている
ことを特徴とする液晶光学素子。 - 【請求項7】 ギャップの定まった2枚の基板間に液晶
材料がマトリックス樹脂中に分散した調光層と液晶層が
存在する液晶光学素子を製造する方法であって、前記調
光層を収縮させることによって、選択反射波長を変化さ
せることを特徴とする液晶光学素子の製造方法。 - 【請求項8】 請求項7記載の液晶光学素子の製造方法
において、前記選択反射波長の変化は短波長化であるこ
とを特徴とする液晶光学素子の製造方法。 - 【請求項9】 ギャップの定まった2枚の基板間に特定
の波長を選択反射する調光層を製造した後、前記調光層
の少なくとも一部を収縮させて選択反射波長を変化さ
せ、さらに収縮した調光層に光照射または熱処理により
選択反射波長を固定化することを特徴とする液晶光学素
子の製造方法。 - 【請求項10】 ギャップの定まった2枚の基板間に特
定の波長を選択反射する調光層を製造した後、前記調光
層の少なくとも一部を収縮させて選択反射波長を変化さ
せる液晶光学素子の製造方法であって、前記調光層が収
縮している途中で2つ以上の異なるドメインに光照射ま
たは熱処理を順次行い、選択反射波長の異なる2つ以上
のドメインを製造することを特徴とする液晶光学素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000100803A JP2001281643A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000100803A JP2001281643A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001281643A true JP2001281643A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18614949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000100803A Pending JP2001281643A (ja) | 2000-04-03 | 2000-04-03 | 液晶光学素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001281643A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005036279A1 (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-21 | Tdk Corporation | ホログラフィック記録媒体及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-04-03 JP JP2000100803A patent/JP2001281643A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005036279A1 (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-21 | Tdk Corporation | ホログラフィック記録媒体及びその製造方法 |
US7545546B2 (en) | 2003-10-09 | 2009-06-09 | Tdk Corporation | Holographic recording medium and method for manufacturing the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6538775B1 (en) | Holographically-formed polymer dispersed liquid crystals with multiple gratings | |
JP2953444B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP4475813B2 (ja) | ホログラフィー照明装置 | |
JP3202831B2 (ja) | 反射形カラー液晶ディスプレイの製造方法 | |
US20240160150A1 (en) | Systems and Methods for High Volume Manufacturing of Waveguides | |
JP2002372605A (ja) | 光学素子及びこれを用いた表示体 | |
JP2002156617A (ja) | 画像表示装置 | |
JP4122762B2 (ja) | 偏光選択性ホログラム光学素子及び画像表示装置 | |
JP3196742B2 (ja) | 液晶光学素子及びその製造方法 | |
JP2001281643A (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP4348806B2 (ja) | 光学装置 | |
JP2776351B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
JPH06160822A (ja) | 液晶パネルおよびそれを用いた液晶投写装置 | |
JP2980064B2 (ja) | 液晶光学素子 | |
JP2001249329A (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP2001056460A (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP2002244116A (ja) | 液晶光学素子及びその製造方法 | |
JP2001154179A (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP3092564B2 (ja) | 液晶光学素子 | |
JPH10221677A (ja) | 液晶光学素子及びその製造方法 | |
JP2001056482A (ja) | 液晶光学素子の製造方法及び駆動方法 | |
JP3197702B2 (ja) | 光学素子およびその形成方法ならびに光学装置 | |
JP2002148601A (ja) | 光学素子およびその駆動方法と製造方法 | |
JP3047966B2 (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法 | |
JP2000275675A (ja) | 液晶光学素子およびその製造方法およびその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20071015 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090825 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090731 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090910 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091209 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100310 |