JP2001277426A - 金属箔張積層板及びこれへの非貫通孔の穿孔方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 炭酸ガスレーザの照射によってめっき付き回
り性の良好な非貫通孔を穿孔することのできる金属箔張
積層板を提供する。 【解決手段】 樹脂含浸基材１によって絶縁層２が形成
されると共に、絶縁層２の表面に金属箔３を重ね合わせ
て積層成形される金属箔張積層板に関する。基材４の厚
み方向の中心５が絶縁層２の厚み方向の中心６より金属
箔３側に偏在する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、炭酸ガスレーザの
照射で非貫通孔が穿孔される金属箔張積層板、及びこの
金属箔張積層板に非貫通孔を穿孔する非貫通孔の穿孔方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層プリント基板において、下層の回路
８を形成する導体と、上層の回路８を形成する導体との
間には絶縁層２が設けられている。そしてこの絶縁層２
は以下のようにして形成されているものである。すなわ
ち、まずガラスクロス等のガラスで形成される基材４
に、エポキシ樹脂等の樹脂をワニスとして含浸させ、半
硬化させることによって樹脂含浸基材１を作製する。次
にこの樹脂含浸基材１の一方の面に金属箔３を重ねると
共に、他方の面を予め回路８が形成された下層の導体に
対向して重ね、加熱加圧等を行うことによって積層成形
する。この後、樹脂含浸基材１に重ねた金属箔３に回路
８を形成することによって上層の回路８を形成する導体
が形成されるものである。このように絶縁層２は樹脂含
浸基材１からなるものであり、樹脂で形成される層内に
これと平行して基材４が存在しているものである。

【０００３】そして、この上下の導体の導通をとるため
に、下層の導体を被覆する絶縁層２の一部を除去し、底
面にこの導体が露出される非貫通孔７を穿孔し、この非
貫通孔７の内壁面に無電解めっき及び電解めっきを施
し、めっき層を設けてビアホール１１が形成されるもの
である。

【０００４】上記のような非貫通孔７を穿孔するにあた
って、炭酸ガスレーザＬを利用する方法が広く行われて
いる。すなわち、予め絶縁層２を被覆する上層の導体に
エッチングレジストの塗布、露光、現像、エッチング等
を順に施して開口部を形成しておき、次いで絶縁層２の
表面が露出したこの開口部に向けて炭酸ガスレーザＬを
照射すると、下層の回路８を形成する導体が底面に露出
する非貫通孔７を穿孔することができるものである。ま
た、光学系で炭酸ガスレーザＬのビーム径を絞ることで
所望の径を有する非貫通孔７を穿孔することができるも
のである。そして、穿孔後は上記と同様にめっき処理を
施してビアホール１１を形成し、上下の導体の導通をと
るものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５
（ａ）に示す従来例のようにガラスクロス等の基材４が
絶縁層２の一部として存在していると、炭酸ガスレーザ
Ｌを利用して非貫通孔７を穿孔した場合、図５（ｂ）に
示すように完全に除去されなかった基材４が非貫通孔７
の内壁面から突出した突出部９として残存することが多
く見られる。これは穿孔時に絶縁層２内の樹脂に比べ
て、基材４の方が炭酸ガスレーザＬの熱エネルギーをよ
り多く必要とするが、実際には樹脂及び基材４が受ける
熱エネルギーにはあまり差が無く、これにより基材４が
加工され難くなるためであると考えられる。

【０００６】そして、このように突出部９を残したまま
無電解めっきや電解めっきを施してしまうと、この突出
部９に形成されるめっき層がその他の箇所に形成される
ものよりも早く成長し、非貫通孔７の開口部を閉塞する
などして内壁面にめっき層を均一に設けることが困難と
なって、めっき付き回り性が悪化するものであった。

【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、炭酸ガスレーザＬの照射によってめっき付き回り
性の良好な非貫通孔７を穿孔することのできる金属箔張
積層板、及びこの金属箔張積層板にめっき付き回り性の
良好な非貫通孔７を穿孔する非貫通孔７の穿孔方法を提
供することを目的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
金属箔張積層板は、樹脂含浸基材１によって絶縁層２が
形成されると共に、絶縁層２の表面に金属箔３を重ね合
わせて積層成形される金属箔張積層板において、基材４
の厚み方向の中心５が絶縁層２の厚み方向の中心６より
金属箔３側に偏在されて成ることを特徴とするものであ
る。

【０００９】また請求項２の発明は、樹脂含浸基材１に
よって絶縁層２が形成されると共に、絶縁層２の片側表
面に金属箔３を重ね合わせて積層成形される金属箔張積
層板において、基材４の厚み方向の中心５が絶縁層２の
厚み方向の中心６より金属箔３側に偏在されて成ること
を特徴とするものである。

【００１０】また請求項３の発明は、請求項１におい
て、絶縁層２の厚みが２０〜２００μｍであることを特
徴とするものである。

【００１１】また請求項４の発明は、請求項２におい
て、絶縁層２の厚みが２０〜２００μｍであることを特
徴とするものである。

【００１２】また請求項５に係る金属箔張積層板への非
貫通孔７の穿孔方法は、請求項１乃至４のいずれかに記
載の金属箔張積層板の基材４を偏在させた側と反対側の
絶縁層２の表面に炭酸ガスレーザＬを照射して絶縁層２
に非貫通孔７を形成することを特徴とするものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１４】本発明において基材４としては、特に限定
されるものではなく、例えば、ガラスクロス、ガラスマ
ット、ガラスペーパーなどのガラス基材を用いることが
できる。

【００１５】また樹脂としては、特に限定されるもので
はなく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂などを用いることができる。このような樹脂
に硬化剤、硬化促進剤、添加剤などを混合し、必要に応
じて水や有機溶剤で希釈することによってワニスを調製
することができる。

【００１６】樹脂含浸基材１を作製するにあたって、従
来法と同様にまず上記の基材４にワニスを含浸させる。
樹脂含有率は樹脂含浸基材１の全量に対して３０〜８０
質量％となるように含浸させることが好ましい。次にワ
ニスが含浸された基材４を乾燥させるものであるが、こ
のとき図２に示すように基材４を境界として、基材４の
一方の面に形成される樹脂層１０の厚みが他方の面に形
成される樹脂層１０の厚みよりも厚くなるようにして乾
燥させ、半硬化状態とするものであり、基材４はその厚
み方向の中心５が樹脂含浸基材１の厚み方向の中心６よ
り一方の表面側に偏在しているものである。

【００１７】ここで、ワニスが含浸された基材４を上記
のように乾燥させるにあたって、乾燥機としては、横型
乾燥機を用いるのが好ましい。この横型乾燥機を用いる
と、未硬化の樹脂含浸基材１を横型乾燥機内を略水平方
向に送って乾燥する際、未硬化のワニスが重力により全
体として下方へ移動するので、このような状態で乾燥さ
せて半硬化状態とすると、基材４を境界として、基材４
の下面に形成される樹脂層１０の厚みが上面に形成され
る樹脂層１０の厚みよりも厚い樹脂含浸基材１が作製さ
れるものである。なお、温度や時間などのワニスの硬化
条件は適宜選定することができる。

【００１８】一方、乾燥機として縦型乾燥機を用いる
と、この縦型乾燥機は未硬化の樹脂含浸基材１を略鉛直
方向に移動させつつ乾燥させるものであるから、上記の
ように基材４の一方の面に設けられる樹脂層１０と、他
方の面に設けられる樹脂層１０との厚みを変化させるこ
とは困難であり、基材４の両面に設けられる樹脂層１０
の厚みは略等しくなるものである。

【００１９】図１（ｂ）は、本発明の実施の形態の一例
であり、上記のようにして作製した樹脂含浸基材１の１
枚の片側に金属箔３を重ねて積層成形することによっ
て、プリント配線板に加工するための金属箔張積層板を
製造することができる。つまり、これは片面金属箔張積
層板であるが、図１（ａ）に示すように上記の樹脂含浸
基材１の１枚の両側に金属箔３を重ねて積層成形するこ
とによって、両面金属箔張積層板を製造することもでき
る。なお、以下で特に区別しない限り、金属箔張積層板
とは上記の２種のものを意味するものとする。ここで金
属箔３としては、銅箔、アルミニウム箔、ステンレス箔
などを用いることができる。このように本発明に係る金
属箔張積層板は、１枚の樹脂含浸基材１によって絶縁層
２が形成されているため、複数枚の樹脂含浸基材１から
なる絶縁層２を有する金属箔張積層板に比べて、樹脂含
浸基材１の積層枚数の差だけ厚みを薄くすることができ
るものである。

【００２０】そして、図１（ｂ）に示すように、上記の
ようにして製造される片面金属箔張積層板において、基
材４の厚み方向の中心５は絶縁層２の厚み方向の中心６
よりも金属箔３側に偏在しているものである。また図１
（ａ）に示すように、上記のようにして製造される両面
金属箔張積層板においては、基材４の厚み方向の中心５
が絶縁層２の厚み方向の中心６よりも一方の金属箔３側
に偏在されているものである。ここで、基材４の厚み方
向の中心５と、基材４が偏在する側の絶縁層２の表面と
の距離は、絶縁層２全体の厚みの１／７〜３／７である
ことが好ましい。また、このときの絶縁層２の厚みは２
０〜２００μｍであることが好ましい。絶縁層２の厚み
が２０μｍ未満であると、厚み方向の絶縁信頼性が確保
し難くなるおそれがある。逆に２００μｍを超えると、
小型軽量化を目的とするビルドアップ工法の概念から外
れる傾向になるおそれがある。なお、上記で絶縁層２の
厚みとは、基材４の厚みとその両面に形成される樹脂層
１０の厚みとを合わせたものであり、絶縁層２全体の厚
みともいい、下記においても同様である。

【００２１】そして、本発明に係る金属箔張積層板に非
貫通孔７を穿孔するにあたっては、基材４を偏在させた
側と反対側の絶縁層２の表面に炭酸ガスレーザＬを照射
して絶縁層２に非貫通孔７を形成するものである。すな
わち、片面金属箔張積層板に非貫通孔７を穿孔する場合
は、図１（ｃ）に示すように金属箔３で被覆されていな
い絶縁層２の表面に向けて炭酸ガスレーザＬを照射する
ものであり、他方、図１（ａ）に示すように両面金属箔
張積層板に非貫通孔７を穿孔する場合は、基材４を偏在
させた側と反対側の絶縁層２の表面を被覆している金属
箔３を、予めエッチング等によって除去することによっ
て図１（ｂ）と同様な状態とし、これによって露出され
た絶縁層２の表面に向けて炭酸ガスレーザＬを照射する
ものである。

【００２２】ここで、炭酸ガスレーザＬの照射を開始し
てから非貫通孔７の底面が形成されるまでの間は、主と
して炭酸ガスレーザＬの入射光が絶縁層２の除去を行う
ものであるが、絶縁層２を形成する樹脂と基材４とは異
なる素材であるため、入射光だけではこれらを等しく除
去することはできず、加工性の悪い基材４が非貫通孔７
の内壁面に突出部９として残るものである。しかしなが
ら、炭酸ガスレーザＬの照射を続けると非貫通孔７の底
面となる金属箔３が露出され、この金属箔３で炭酸ガス
レーザＬが反射されるようになる。このとき本発明に係
る金属箔張積層板にあっては、従来のものと比較して基
材４が金属箔３側に偏在されているため、上記の基材４
の突出部９と非貫通孔７の底面の金属箔３との距離が短
くなり、炭酸ガスレーザＬの反射光が基材４の突出部９
に照射され易くなるものである。つまり、炭酸ガスレー
ザＬの入射光に加えて反射光も基材４の突出部９の除去
に大きく寄与することができ、図１（ｃ）に示すように
基材４の突出部９を非貫通孔７の内壁面から完全に除去
することができるようになるものである。従って、穿孔
された非貫通孔７の内壁面の全面は滑らかな状態とな
り、めっき付き回り性が大幅に高められると共に、この
非貫通孔７の内壁面に無電解めっき及び電解めっきが施
されて形成されるビアホール１１は、優れた導通信頼性
を有するものとなるものである。

【００２３】なお、基材４の厚み方向の中心５が絶縁層
２の厚み方向の中心６と一致したり、図５（ａ）に示す
ように、基材４の厚み方向の中心５が絶縁層２の厚み方
向の中心６より金属箔３側と反対側に偏在したりするよ
うな金属箔張積層板にあっては、炭酸ガスレーザＬの照
射によって非貫通孔７を穿孔しようとしても、図５
（ｂ）に示すような状態となって、めっき付き回り性の
良い非貫通孔７を得ることは不可能であり、このため導
通信頼性の高いビアホール１１を得ることもできないも
のである。

【００２４】図３は、本発明に係る金属箔張積層板を用
いて多層プリント配線板を製造する工程の一例を示すも
のであり、金属箔張積層板中の基材４は図示省略してい
る。そしてこの例において、まず本発明に係る金属箔張
積層板の両面にサブトラクティブ法などで回路８を形成
すると共に、前述したように炭酸ガスレーザＬを必要箇
所に照射して非貫通孔７を穿孔し、無電解めっき及び電
解めっきを施し、ビアホール１１を形成して両面に形成
された回路８間の導通をとる。ここでこのビアホール１
１は、多層プリント配線板の製造後においてインナービ
アホール（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ Ｖｉａ Ｈｏｌ
ｅと同義であり、以下ではＩＶＨとする）となるもので
ある。次いで、このようにして得られたものを内層材と
して、図３（ａ）に示すように、この内層材の両側にエ
ポキシ樹脂等の樹脂からなる樹脂シート１３を配し、積
層成形する。その後、図３（ｂ）に示すように、樹脂シ
ート１３の表面に向けて炭酸ガスレーザＬを必要箇所に
照射し、非貫通孔７を穿孔するものであるが、一般にこ
の樹脂シート１３はガラスクロス等の基材４を含まない
ため、従来法に基づいてめっき付き回り性の良い非貫通
孔７を得ることができる。そして、樹脂シート１３で形
成された樹脂層１０の表面にアディティブ法などで回路
８を形成すると共に、穿孔された非貫通孔７に無電解め
っき及び電解めっきを施し、ビアホール１１を形成して
内層材に形成された回路８と、樹脂層１０の表面に形成
された回路８との間の導通をとることによって、図３
（ｃ）に示すような４層を有する多層プリント配線板を
得ることができるものである。なお、必要に応じて上記
の操作を繰り返すことにより、より多くの層を有する多
層プリント配線板を得ることができるものである。

【００２５】また図４は、本発明に係る金属箔張積層板
と従来のものとを併用して多層プリント配線板を製造す
る工程の一例を示すものであり、金属箔張積層板中の基
材４は図示省略している。そしてこの例において、先の
例と同様にして回路８及びビアホール１１が形成された
金属箔張積層板を用いることができる。一方、複数枚の
樹脂含浸基材１からなる従来の金属箔張積層板（図４に
示すものは２枚の樹脂含浸基材１からなる）の両面にサ
ブトラクティブ法などで回路８を形成すると共に、貫通
孔を穿孔し、無電解めっき及び電解めっきを施し、スル
ーホール１２を形成して両面に形成された回路８間の導
通をとる。そして、図４（ａ）に示すように回路８及び
ビアホール１１が形成された本発明に係る金属箔張積層
板の片側と、回路８及びスルーホール１２が形成された
従来の金属箔張積層板の片側とで、エポキシ樹脂等の樹
脂からなる樹脂シート１３を挟み込んで積層成形する。
このようにして図４（ｂ）に示すような４層を有する多
層プリント配線板を得ることができるものである。つま
り、この例は、予め複数の金属箔張積層板のそれぞれに
回路８及びビアホール１１等を形成しておき、次いでこ
れらを積層成形して、より多くの層を有する多層プリン
ト配線板を製造するものである。なお、必要に応じて上
記の操作や先の例で示した操作を繰り返すことにより、
より多くの層を有する多層プリント配線板を得ることも
できる。

【００２６】上記のようにして製造される多層プリント
配線板は、金属箔張積層板として１枚の樹脂含浸基材１
からなるものを用いているため、複数枚の樹脂含浸基材
１からなる従来の金属箔張積層板だけを用いて製造され
る多層プリント配線板よりも薄いものであり、電気・電
子機器の小型化を可能とするものである。つまり、本発
明に係る金属箔張積層板を用いることで、従来のものと
同一の厚みを有する多層プリント配線板を製造するにあ
たって、より多くの層を有するものを製造することがで
きる。一方、従来のものと同一の層数を有する多層プリ
ント配線板を製造するにあたって、より薄いものを製造
することができるものである。さらに、この多層プリン
ト配線板中のビアホール１１は、めっき付き回り性の良
好な非貫通孔７を基にして形成されているため、各層間
の導通信頼性は高いものである。

【００２７】

【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。 （実施例１）エポキシ樹脂としてブロム化エポキシ樹脂
（東都化成社製「ＹＤＢ−５００」、エポキシ当量５０
０、臭素含有量２１質量％）を９０質量％、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製
「Ｎ−６９０」、エポキシ当量２２５）を１０質量％混
合したエポキシ樹脂に、硬化剤としてジシアンジアミド
を２．５質量％、硬化促進剤として２−エチル−４−メ
チルイミダゾールを０．１質量％配合し、さらに溶剤と
して質量比でメチルエチルケトン：ジメチルホルムアミ
ド＝１：１を混合した液を、上記のエポキシ樹脂組成物
の含有率が６０質量％となるように配合し、混合してワ
ニスを得た。

【００２８】次に上記のワニスを、基材４としてＭＩＬ
規格仕様２１１６タイプのガラス基材（旭シュエーベル
社製「２１６Ｌ」）に樹脂含有率が樹脂含浸基材１の全
量に対して４５質量％となるように含浸し、横型乾燥機
で乾燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒となるように
樹脂含浸基材１を作製した。

【００２９】上記の樹脂含浸基材１の１枚の両側に、金
属箔３として１８μｍの銅箔を配した積層体を金属プレ
ート間に挟み、熱盤間に挿入した。樹脂含浸基材１に含
浸した樹脂が溶融するまでの間、温度１３０〜１３５
℃、初期の加圧を０．９８ＭＰａの低圧で行い、次いで
２段目の加圧を２．９４ＭＰａで熱盤温度を１７０℃に
上昇させて加熱加圧し、樹脂を完全に硬化させ、厚み
０．１ｍｍの両面銅張積層板を得た。

【００３０】その後、樹脂含浸基材１乾燥時に下面とな
った側の銅箔をエッチングした。 （実施例２）基材４としてＭＩＬ規格仕様１０８０タイ
プのガラス基材（旭シュエーベル社製「１０８０」）に
実施例１と同じワニスを用いて樹脂含有率が樹脂含浸基
材１の全量に対して５６質量％となるように含浸し、横
型乾燥機で乾燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒とな
るように樹脂含浸基材１を作製した。

【００３１】上記の樹脂含浸基材１の１枚の乾燥時に上
面となった側に、金属箔３として１８μｍの銅箔を配
し、その反対側に離型箔を配した積層体を金属プレート
間に挟み、熱盤間に挿入した。樹脂含浸基材１に含浸し
た樹脂が溶融するまでの間、温度１３０〜１３５℃、初
期の加圧を０．９８ＭＰａの低圧で行い、次いで２段目
の加圧を２．９４ＭＰａで熱盤温度を１７０℃に上昇さ
せて加熱加圧し、樹脂を完全に硬化させ、離型箔を剥が
すことにより厚み０．０６ｍｍの片面銅張積層板を得
た。 （実施例３）基材４としてＭＩＬ規格仕様１０６タイプ
のガラス基材（日東紡績社製「ＷＥＡ１０６」）に実施
例１と同じワニスを用いて樹脂含有率が樹脂含浸基材１
の全量に対して６５質量％となるように含浸し、横型乾
燥機で乾燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒となるよ
うに樹脂含浸基材１を作製した。

【００３２】上記の樹脂含浸基材１の１枚の乾燥時に上
面となった側に、金属箔３として１８μｍの銅箔を配
し、その反対側に離型箔を配した積層体を金属プレート
間に挟み、熱盤間に挿入した。樹脂含浸基材１に含浸し
た樹脂が溶融するまでの間、温度１３０〜１３５℃、初
期の加圧を０．９８ＭＰａの低圧で行い、次いで２段目
の加圧を２．９４ＭＰａで熱盤温度を１７０℃に上昇さ
せて加熱加圧し、樹脂を完全に硬化させ、離型箔を剥が
すことにより厚み０．０４ｍｍの片面銅張積層板を得
た。 （実施例４）樹脂成分として、臭素化３官能型エポキシ
樹脂（三井化学社製「ＶＦ−２８０２」、エポキシ当量
３７５）をメチルエチルケトンで希釈して固形分濃度７
５質量％にしたもの８２ｇと、３官能型エポキシ樹脂
（三井化学社製「ＶＧ−３１０１」、エポキシ当量２１
０）をメチルエチルケトンで希釈して固形分濃度８０質
量％にしたもの２４ｇと臭素化ビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（東都化成社製「ＹＤＢ−４００」、エポキシ
当量４００）１９ｇとを混合して調製したものを用い
た。また硬化剤としてジシアンジアミド２．５ｇ、硬化
促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール０．
０６ｇを用いた。そしてこれらをジメチルホルムアミド
４３ｇの溶媒に混合することによって、ワニスを得た。

【００３３】基材４としてＭＩＬ規格仕様１０４タイプ
のガラス基材（日東紡績社製「ＷＥＡ１０４」）に上記
のワニスを用いて樹脂含有率が樹脂含浸基材１の全量に
対して６４質量％となるように含浸し、横型乾燥機で乾
燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒となるように樹脂
含浸基材１を作製した。

【００３４】上記の樹脂含浸基材１の１枚の乾燥時に上
面となった側に、金属箔３として１８μｍの銅箔を配
し、その反対側に離型箔を配した積層体を金属プレート
間に挟み、熱盤間に挿入した。樹脂含浸基材１に含浸し
た樹脂が溶融するまでの間、温度１３０〜１３５℃、初
期の加圧を０．９８ＭＰａの低圧で行い、次いで２段目
の加圧を２．９４ＭＰａで熱盤温度を１７０℃に上昇さ
せて加熱加圧し、樹脂を完全に硬化させ、離型箔を剥が
すことにより厚み０．０３ｍｍの片面銅張積層板を得
た。 （実施例５）日本ＧＥプラスチック社製の数平均分子量
（Ｍｎ）２００００のポリフェニレンエーテル（ＰＰ
Ｅ）５０ｇと、スチレンブタジエンコポリマー（旭化成
工業社製「タフプレンＡ」）５ｇと、トリアリルイソシ
アヌレート（ＴＡＩＣ）（日本化成社製）４５ｇと、ト
ルエン１８０ｇとを配合して、９０℃で６０分間撹拌
後、反応開始剤として日本油脂社製「パーブチルＰ」を
１．５ｇ加えた後、３０℃まで冷却しワニスを得た。

【００３５】次に上記のワニスを、基材４としてＭＩＬ
規格仕様２１１６タイプのガラス基材（旭シュエーベル
社製「２１６Ｌ」）に樹脂含有率が樹脂含浸基材１の全
量に対して５０質量％となるように含浸し、１３０℃、
４分間横型乾燥機で乾燥し、樹脂含浸基材１を作製し
た。

【００３６】上記の樹脂含浸基材１の１枚の両側に、金
属箔３として１８μｍの銅箔を配して重ね合わせ、次い
で温度２１０℃、圧力２．９４ＭＰａで６０分間加熱加
圧して厚み０．１ｍｍの両面銅張積層板を得た。

【００３７】その後、樹脂含浸基材１乾燥時に下面とな
った側の銅箔をエッチングした。 （実施例６）基材４としてＭＩＬ規格仕様７６２８タイ
プのガラス基材（日東紡績社製「ＷＥＡ７６２８」）に
実施例４と同じワニスを用いて樹脂含有率が樹脂含浸基
材１の全量に対して４５質量％となるように含浸し、横
型乾燥機で乾燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒とな
るように樹脂含浸基材１を作製した。

【００３８】上記の樹脂含浸基材１の１枚の乾燥時に上
面となった側に、金属箔３として１８μｍの銅箔を配
し、その反対側に離型箔を配した積層体を金属プレート
間に挟み、熱盤間に挿入した。樹脂含浸基材１に含浸し
た樹脂が溶融するまでの間、温度１３０〜１３５℃、初
期の加圧を０．９８ＭＰａの低圧で行い、次いで２段目
の加圧を２．９４ＭＰａで熱盤温度を１７０℃に上昇さ
せて加熱加圧し、樹脂を完全に硬化させ、離型箔を剥が
すことにより厚み０．２ｍｍの片面銅張積層板を得た。 （比較例１）基材４としてＭＩＬ規格仕様２１１６タイ
プのガラス基材（旭シュエーベル社製「２１６Ｌ」）に
実施例１と同じワニスを用いて樹脂含有率が樹脂含浸基
材１の全量に対して４５質量％となるように含浸し、縦
型乾燥機で乾燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒とな
るように樹脂含浸基材１を作製した。

【００３９】上記の樹脂含浸基材１の１枚の片側に、金
属箔３として１８μｍの銅箔を配し、その反対側に離型
箔を配した積層体を金属プレート間に挟み、熱盤間に挿
入した。樹脂含浸基材１に含浸した樹脂が溶融するまで
の間、温度１３０〜１３５℃、初期の加圧を０．９８Ｍ
Ｐａの低圧で行い、次いで２段目の加圧を２．９４ＭＰ
ａで熱盤温度を１７０℃に上昇させて加熱加圧し、樹脂
を完全に硬化させ、離型箔を剥がすことにより厚み０．
１ｍｍの片面銅張積層板を得た。 （比較例２）基材４としてＭＩＬ規格仕様１０８０タイ
プのガラス基材（旭シュエーベル社製「１０８０」）に
実施例４と同じワニスを用いて樹脂含有率が樹脂含浸基
材１の全量に対して５６質量％となるように含浸し、縦
型乾燥機で乾燥し、硬化時間が１７０℃で１５０秒とな
るように樹脂含浸基材１を作製した。

【００４０】上記の樹脂含浸基材１の１枚の両側に、金
属箔３として１８μｍの銅箔を配した積層体を金属プレ
ート間に挟み、熱盤間に挿入した。樹脂含浸基材１に含
浸した樹脂が溶融するまでの間、温度１３０〜１３５
℃、初期の加圧を０．９８ＭＰａの低圧で行い、次いで
２段目の加圧を２．９４ＭＰａで熱盤温度を１７０℃に
上昇させて加熱加圧し、樹脂を完全に硬化させ、厚み
０．０６ｍｍの両面銅張積層板を得た。

【００４１】その後、片側の銅箔をエッチングした。

【００４２】表１に上記の各実施例及び比較例で用いた
基材４のタイプを示すと共に、各基材４の偏在の程度を
数値で示す。

【００４３】

【表１】

【００４４】（めっき付き回り性）ＩＶＨの形状を比較
するため、めっき付き回り性の評価を行った。

【００４５】まず、実施例及び比較例で得た各銅張積層
板に、三菱電機社製炭酸ガスレーザ「ＭＬ６０５ＧＴＸ
−５１００Ｕ」を用いて加工を実施し（マスクイメージ
ング加工、バーストモード）、各銅張積層板の表面に非
貫通孔７を１０００個穿孔した。なお、炭酸ガスレーザ
Ｌは銅箔の無い側に向けて照射した。

【００４６】次に、この非貫通孔７にセミアディティブ
法によってめっき加工を実施した。炭酸ガスレーザＬに
よって加工した非貫通孔７の内壁面を保持するため、デ
スミア粗化処理は実施しなかった。めっき加工として、
まず給電層としての無電解銅めっきを実施した。ここ
で、めっき液としては、シプレイ・ファーイースト社製
「キューポジット２５３」を標準条件にて使用した。そ
の後、電気銅めっきによって銅皮膜を形成した。ここ
で、電気銅めっき条件は、非貫通孔７内部へのめっき析
出性を考慮して、電流密度を１Ａ／ｄｍ²、めっき時間
を８０分とした。

【００４７】そして、電気銅めっき処理を施して形成さ
れた１０００個のＩＶＨうち、１０個をランダムに選
び、その断面を観察した。評価は以下の方法で行った。

【００４８】銅張積層板の表面のめっき厚みを測定した
後、ＩＶＨ内の最も薄い部分のめっき厚みを測定し、そ
の厚みが銅張積層板の表面のめっき厚みに対して７０％
以上であれば「○」、７０％未満であれば「×」とし
た。表２に結果を示す。

【００４９】

【表２】

【００５０】実施例及び比較例を比較すると、実施例の
方がめっき付き回り性が良好であることが確認される。

【００５１】

【発明の効果】上記のように本発明の請求項１に係る金
属箔張積層板は、樹脂含浸基材によって絶縁層が形成さ
れると共に、絶縁層の表面に金属箔を重ね合わせて積層
成形される金属箔張積層板において、基材の厚み方向の
中心が絶縁層の厚み方向の中心より金属箔側に偏在され
て成るので、炭酸ガスレーザの照射によって容易にめっ
き付き回り性の良好な非貫通孔を穿孔することができ
て、導通信頼性の優れたビアホールを形成することがで
きるものである。

【００５２】また請求項２の発明は、樹脂含浸基材によ
って絶縁層が形成されると共に、絶縁層の片側表面に金
属箔を重ね合わせて積層成形される金属箔張積層板にお
いて、基材の厚み方向の中心が絶縁層の厚み方向の中心
より金属箔側に偏在されて成るので、炭酸ガスレーザの
照射によって容易にめっき付き回り性の良好な非貫通孔
を穿孔することができて、導通信頼性の優れたビアホー
ルを形成することができるものである。

【００５３】また請求項３の発明は、請求項１におい
て、絶縁層の厚みが２０〜２００μｍであるので、炭酸
ガスレーザの照射によって容易にめっき付き回り性の良
好な非貫通孔を穿孔することができて、導通信頼性の優
れたビアホールを形成することができるものである。

【００５４】また請求項４の発明は、請求項２におい
て、絶縁層の厚みが２０〜２００μｍであるので、炭酸
ガスレーザの照射によって容易にめっき付き回り性の良
好な非貫通孔を穿孔することができて、導通信頼性の優
れたビアホールを形成することができるものである。

【００５５】また請求項５に係る金属箔張積層板への非
貫通孔の穿孔方法は、請求項１乃至４のいずれかに記載
の金属箔張積層板の基材を偏在させた側と反対側の絶縁
層の表面に炭酸ガスレーザを照射して絶縁層に非貫通孔
を形成するので、非貫通孔の内壁面の全面は滑らかな状
態となってめっき付き回り性が向上し、導通信頼性の優
れたビアホールを形成することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）は両面金属箔張積層板の断面図、（ｂ）は片面金
属箔張積層板の断面図、（ｃ）は非貫通孔が穿孔された
金属箔張積層板の断面図である。

【図２】本発明に係る金属箔張積層板の製造に用いる樹
脂含浸基材を示す断面図である。

【図３】本発明の金属箔張積層板を用いた多層プリント
配線板の製造の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）
はそれぞれ各工程の断面図である。

【図４】本発明の金属箔張積層板を用いた多層プリント
配線板の製造の他例を示すものであり、（ａ），（ｂ）
はそれぞれ各工程の断面図である。

【図５】従来例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ 樹脂含浸基材 ２ 絶縁層 ３ 金属箔 ４ 基材 ５ 中心 ６ 中心 ７ 非貫通孔 Ｌ 炭酸ガスレーザ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42 (72)発明者 高田 俊治 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 Ｆターム(参考） 4E068 AF00 DA11 DB14 4F100 AB01B AB01C AB17 AB33B AB33C AG00 AK01A AK53 AR00A BA02 BA03 BA06 BA10B BA10C BA25 BA25A BA42 DC12 DC12C DG06 DG10 DG15 EJ33C EJ82A GB43 JG04A JL01 JL02 YY00 YY00A 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD22 DD32 EE06 EE09 FF03 FF07 FF15 GG15 GG17 GG28 HH11

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂含浸基材によって絶縁層が形成され
   ると共に、絶縁層の表面に金属箔を重ね合わせて積層成
   形される金属箔張積層板において、基材の厚み方向の中
   心が絶縁層の厚み方向の中心より金属箔側に偏在されて
   成ることを特徴とする金属箔張積層板。
2. 【請求項２】 樹脂含浸基材によって絶縁層が形成され
   ると共に、絶縁層の片側表面に金属箔を重ね合わせて積
   層成形される金属箔張積層板において、基材の厚み方向
   の中心が絶縁層の厚み方向の中心より金属箔側に偏在さ
   れて成ることを特徴とする金属箔張積層板。
3. 【請求項３】 絶縁層の厚みが２０〜２００μｍである
   ことを特徴とする請求項１に記載の金属箔張積層板。
4. 【請求項４】 絶縁層の厚みが２０〜２００μｍである
   ことを特徴とする請求項２に記載の金属箔張積層板。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の金属
   箔張積層板の基材を偏在させた側と反対側の絶縁層の表
   面に炭酸ガスレーザを照射して絶縁層に非貫通孔を形成
   することを特徴とする金属箔張積層板への非貫通孔の穿
   孔方法。