JP2001274557A - プリント基板の製造方法 - Google Patents
プリント基板の製造方法Info
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- JP2001274557A JP2001274557A JP2000085908A JP2000085908A JP2001274557A JP 2001274557 A JP2001274557 A JP 2001274557A JP 2000085908 A JP2000085908 A JP 2000085908A JP 2000085908 A JP2000085908 A JP 2000085908A JP 2001274557 A JP2001274557 A JP 2001274557A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱的影響の少ない高品位かつ高精度の非貫通
孔を良好な生産性で製造するプリント基板の製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板上にそれぞれ絶縁層を介して複数層
の回路パターンが形成されており、前記絶縁層に前記回
路パターン間を電気的機械的に接続するための所定の各
非貫通孔または各座繰り部を、所定スキャンエリアを走
査するパルス発振レーザーのｎ回のパルスレーザービー
ム照射により加工形成するプリント基板の製造方法にお
いて、ｎ−１回の前記パルスレーザービーム照射を連続
して前記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または前記
各座繰り部を形成すべき個所に、順次行った後、１回の
前記レーザーパルス照射を前記スキャンエリア内の前記
各非貫通孔または前記各座繰り部を形成すべき個所に、
順次行い、前記所定の各非貫通孔または各座繰り部を加
工形成する。
孔を良好な生産性で製造するプリント基板の製造方法を
提供する。 【解決手段】 基板上にそれぞれ絶縁層を介して複数層
の回路パターンが形成されており、前記絶縁層に前記回
路パターン間を電気的機械的に接続するための所定の各
非貫通孔または各座繰り部を、所定スキャンエリアを走
査するパルス発振レーザーのｎ回のパルスレーザービー
ム照射により加工形成するプリント基板の製造方法にお
いて、ｎ−１回の前記パルスレーザービーム照射を連続
して前記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または前記
各座繰り部を形成すべき個所に、順次行った後、１回の
前記レーザーパルス照射を前記スキャンエリア内の前記
各非貫通孔または前記各座繰り部を形成すべき個所に、
順次行い、前記所定の各非貫通孔または各座繰り部を加
工形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の回路パター
ン層が絶縁層を介して積層されたプリント基板の製造方
法に係わり、特に層間の回路パターンを接続するための
非貫通孔を絶縁層に形成するのに使用されるレーザー加
工方法に関するものである。
ン層が絶縁層を介して積層されたプリント基板の製造方
法に係わり、特に層間の回路パターンを接続するための
非貫通孔を絶縁層に形成するのに使用されるレーザー加
工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の回路パターン層を有するプ
リント基板が多用されている。これらのプリント基板に
おいては、回路パターン層間には、絶縁層が形成されて
おり、回路パターン層を電気的機械的に接続するために
絶縁層の所定位置に、ビアホールすなわち非貫通孔また
は座繰り部が形成される。非貫通孔の形成には、レーザ
ービームを所定の個所に照射して、絶縁層を除去するレ
ーザー加工が多く用いられている。レーザーとしては、
ＣＯ2レーザー、短パルスＣＯ2レーザー、エキシマレー
ザー、ＹＡＧレーザー等、いずれもが用いられるが、加
工時間の迅速さより、短パルスＣＯ2レーザーが多く用
いられている。
リント基板が多用されている。これらのプリント基板に
おいては、回路パターン層間には、絶縁層が形成されて
おり、回路パターン層を電気的機械的に接続するために
絶縁層の所定位置に、ビアホールすなわち非貫通孔また
は座繰り部が形成される。非貫通孔の形成には、レーザ
ービームを所定の個所に照射して、絶縁層を除去するレ
ーザー加工が多く用いられている。レーザーとしては、
ＣＯ2レーザー、短パルスＣＯ2レーザー、エキシマレー
ザー、ＹＡＧレーザー等、いずれもが用いられるが、加
工時間の迅速さより、短パルスＣＯ2レーザーが多く用
いられている。
【０００３】図４は、レーザー加工機の概略構成を示す
図である。レーザ発振器１から射出されたレーザービー
ムは、２組のガルバノミラー２a、２bによりＸ、Ｙ軸方
向の所定の向きに反射された後、レーザービームを集光
するためのレンズ３を通過して加工面スキャンエリア４
に照射される。加工面スキャンエリア４は例えば、５０
ｍｍ×５０ｍｍの大きさであり、レーザービームは、こ
の中の任意の位置にスキャンされ、その部分の加工を行
う。
図である。レーザ発振器１から射出されたレーザービー
ムは、２組のガルバノミラー２a、２bによりＸ、Ｙ軸方
向の所定の向きに反射された後、レーザービームを集光
するためのレンズ３を通過して加工面スキャンエリア４
に照射される。加工面スキャンエリア４は例えば、５０
ｍｍ×５０ｍｍの大きさであり、レーザービームは、こ
の中の任意の位置にスキャンされ、その部分の加工を行
う。
【０００４】図５は、レーザーの発振を示す図である。
図５の（ａ）には連続発振タイプが示されており、図５
の（ｂ）には、パルス発振時間ｔでパルス間隔Ｔのパル
ス発振タイプの出力−時間に対する関係が示されてい
る。上述のように、特に複数層の回路パターンを有する
プリント基板における、レーザーによる非貫通穴加工及
び大面積の座繰り加工においては、パルス発振レーザー
が用いられている。
図５の（ａ）には連続発振タイプが示されており、図５
の（ｂ）には、パルス発振時間ｔでパルス間隔Ｔのパル
ス発振タイプの出力−時間に対する関係が示されてい
る。上述のように、特に複数層の回路パターンを有する
プリント基板における、レーザーによる非貫通穴加工及
び大面積の座繰り加工においては、パルス発振レーザー
が用いられている。
【０００５】以下、従来のレーザーを用いた非貫通孔の
加工法について説明する。図２は、従来例のプリント基
板の製造法であるバースト加工を説明するための工程図
である。従来、複数層からなるプリント基板におけるレ
ーザにビームによる非貫通孔加工及び座繰り加工におい
ては、１つの非貫通孔を形成するのに１ｍｓｅｃ以下の
レーザーパルス（パルス発振時間ｔ）を複数回連続して
照射するバースト加工が標準的である。ここでは、基板
１０上に所定形状の内層回路パターン１３が形成されて
おり、その上に形成されている絶縁層１２に非貫通孔を
３個形成する例を説明する。レーザービームを４回照射
すると、所望の非貫通孔が得られるとする。
加工法について説明する。図２は、従来例のプリント基
板の製造法であるバースト加工を説明するための工程図
である。従来、複数層からなるプリント基板におけるレ
ーザにビームによる非貫通孔加工及び座繰り加工におい
ては、１つの非貫通孔を形成するのに１ｍｓｅｃ以下の
レーザーパルス（パルス発振時間ｔ）を複数回連続して
照射するバースト加工が標準的である。ここでは、基板
１０上に所定形状の内層回路パターン１３が形成されて
おり、その上に形成されている絶縁層１２に非貫通孔を
３個形成する例を説明する。レーザービームを４回照射
すると、所望の非貫通孔が得られるとする。
【０００６】まず左端の非貫通孔を形成すべき場所に１
回目のパルスレーザービーム１１の照射が行われ（図２
の（ａ））、続けて同じ場所にそれぞれ所定時間空け
て、２回目の照射（図２の（ｂ））、３回目の照射（図
２の（ｃ））、４回目の照射（図２の（ｄ））が行わ
れ、非貫通孔２４が形成される。次に、中央部に非貫通
孔を形成すべく、レーザービーム１１は所定位置にスキ
ャンされ照射される（図２の（ｅ））。中央部の非貫通
孔２４が形成されると次に、右端の非貫通孔を形成すべ
き場所にレーザービームが所定回数照射されて、非貫通
孔２４が形成される（図２の（ｆ））。
回目のパルスレーザービーム１１の照射が行われ（図２
の（ａ））、続けて同じ場所にそれぞれ所定時間空け
て、２回目の照射（図２の（ｂ））、３回目の照射（図
２の（ｃ））、４回目の照射（図２の（ｄ））が行わ
れ、非貫通孔２４が形成される。次に、中央部に非貫通
孔を形成すべく、レーザービーム１１は所定位置にスキ
ャンされ照射される（図２の（ｅ））。中央部の非貫通
孔２４が形成されると次に、右端の非貫通孔を形成すべ
き場所にレーザービームが所定回数照射されて、非貫通
孔２４が形成される（図２の（ｆ））。
【０００７】このように、バースト加工においては、非
貫通孔を１個づつ順番に形成するが、各レーザーパルス
間のパルス間隔Ｔは所定の範囲内にしか設定できないの
で、レーザーパルスによる絶縁層１２に対する熱的相互
作用により（先のレーザー照射後、その個所が十分冷却
しないうちに次のレーザー照射があるため）、高品位な
加工が困難である。
貫通孔を１個づつ順番に形成するが、各レーザーパルス
間のパルス間隔Ｔは所定の範囲内にしか設定できないの
で、レーザーパルスによる絶縁層１２に対する熱的相互
作用により（先のレーザー照射後、その個所が十分冷却
しないうちに次のレーザー照射があるため）、高品位な
加工が困難である。
【０００８】これに対応するために、サイクル加工が知
られている。図３は、従来例のプリント基板の製造法で
あるサイクル加工を説明するための工程図である。ここ
では、基板１０上に所定形状の内層回路パターン１３が
形成されており、その上に形成されている絶縁層１２に
非貫通孔を３個形成する例を説明する。レーザービーム
を４回照射すると、所望の非貫通孔が得られるとする。
られている。図３は、従来例のプリント基板の製造法で
あるサイクル加工を説明するための工程図である。ここ
では、基板１０上に所定形状の内層回路パターン１３が
形成されており、その上に形成されている絶縁層１２に
非貫通孔を３個形成する例を説明する。レーザービーム
を４回照射すると、所望の非貫通孔が得られるとする。
【０００９】まず左端の非貫通孔を形成すべき場所に１
回目のパルスレーザービーム１１の照射が行われ（図３
の（ａ））、次に、レーザービーム１１はスキャンされ
て、中央部の非貫通孔を形成すべき場所に１回目の照射
が行われる（図３の（ｂ））。次に、右端の非貫通孔を
形成すべき場所に１回目のレーザービームの照射が行わ
れ、さらに、左端、次には中央部に、２回目のレーザー
ビーム照射が行われる（図３の（ｃ））。次に、右端の
非貫通孔を形成すべき場所に２回目のレーザービーム１
１の照射が行われ、さらに、左端、次には中央部に、３
回目のレーザービーム１１の照射が行われる（図３の
（ｄ））。同様に四回目のレーザービーム１１の照射
が、左端、次いで中央部に行われ、非貫通孔３４が形成
され（図２の（ｅ）），続けて、右端に４回目のレーザ
ービーム１１の照射が行われ非貫通孔３４が形成され
る。
回目のパルスレーザービーム１１の照射が行われ（図３
の（ａ））、次に、レーザービーム１１はスキャンされ
て、中央部の非貫通孔を形成すべき場所に１回目の照射
が行われる（図３の（ｂ））。次に、右端の非貫通孔を
形成すべき場所に１回目のレーザービームの照射が行わ
れ、さらに、左端、次には中央部に、２回目のレーザー
ビーム照射が行われる（図３の（ｃ））。次に、右端の
非貫通孔を形成すべき場所に２回目のレーザービーム１
１の照射が行われ、さらに、左端、次には中央部に、３
回目のレーザービーム１１の照射が行われる（図３の
（ｄ））。同様に四回目のレーザービーム１１の照射
が、左端、次いで中央部に行われ、非貫通孔３４が形成
され（図２の（ｅ）），続けて、右端に４回目のレーザ
ービーム１１の照射が行われ非貫通孔３４が形成され
る。
【００１０】上述のような、スキャンエリア内の非貫通
孔を形成すべき場所にレーザービームパルスを１パルス
づつ照射していき、これが終了したら、次に最初からこ
れを繰り返し、所定のパルス数に達するまで行うサイク
ル加工においては、注目する非貫通孔の形成すべき場所
に照射されるレーザービームのパルス間隔は、スキャン
エリア内の全非貫通孔の形成されるべき場所へのレーザ
ー照射の１パルス照射終了後となるので、絶縁層の冷却
が十分為される間隔となり、熱影響の少ないすなわち高
品位かつ高精度の加工が可能となる。
孔を形成すべき場所にレーザービームパルスを１パルス
づつ照射していき、これが終了したら、次に最初からこ
れを繰り返し、所定のパルス数に達するまで行うサイク
ル加工においては、注目する非貫通孔の形成すべき場所
に照射されるレーザービームのパルス間隔は、スキャン
エリア内の全非貫通孔の形成されるべき場所へのレーザ
ー照射の１パルス照射終了後となるので、絶縁層の冷却
が十分為される間隔となり、熱影響の少ないすなわち高
品位かつ高精度の加工が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、サイクル加工により熱影響の少ない高品位な非貫通
孔の形成を行うことができるが、レーザー照射パルス数
がｎである加工条件においては、ガルバノミラー２ａ，
２ｂは非貫通孔となるべき場所をn回走査することにな
る。一般にレーザを照射している時間ｔ及びパルス間隔
Ｔは、ガルバノミラーが移動している時間よりも十分に
短いので、パルス数nの加工条件でのサイクル加工によ
る加工時間は、同じくパルス数nの加工条件でのパース
ト加工による加工時間の約n倍必要となることになり、
生産性を大幅に低下させることになリ、この課題の解決
が求められていた。
に、サイクル加工により熱影響の少ない高品位な非貫通
孔の形成を行うことができるが、レーザー照射パルス数
がｎである加工条件においては、ガルバノミラー２ａ，
２ｂは非貫通孔となるべき場所をn回走査することにな
る。一般にレーザを照射している時間ｔ及びパルス間隔
Ｔは、ガルバノミラーが移動している時間よりも十分に
短いので、パルス数nの加工条件でのサイクル加工によ
る加工時間は、同じくパルス数nの加工条件でのパース
ト加工による加工時間の約n倍必要となることになり、
生産性を大幅に低下させることになリ、この課題の解決
が求められていた。
【００１２】そこで、本発明は、上記課題を解決し、プ
リント基板の製造方法において、熱的影響の少ない高品
位かつ高精度の非貫通孔を良好な生産性で製造するプリ
ント基板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
リント基板の製造方法において、熱的影響の少ない高品
位かつ高精度の非貫通孔を良好な生産性で製造するプリ
ント基板の製造方法を提供することを目的とするもので
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、本発明のプリント基板の製造方法は、基
板上にそれぞれ絶縁層を介して複数層の回路パターンが
形成されており、前記絶縁層に前記回路パターン間を電
気的機械的に接続するための所定の各非貫通孔または各
座繰り部を、所定スキャンエリアを走査するパルス発振
レーザーのｎ回のパルスレーザービーム照射により加工
形成するプリント基板の製造方法において、ｎ−１回の
前記パルスレーザービーム照射を連続して前記スキャン
エリア内の前記各非貫通孔または前記各座繰り部を形成
すべき個所に、順次行った後、１回の前記レーザーパル
ス照射を前記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または
前記各座繰り部を形成すべき個所に、順次行い、前記所
定の各非貫通孔または各座繰り部を加工形成することを
特徴とするプリント基板の製造方法を提供しようとする
ものである。
の手段として、本発明のプリント基板の製造方法は、基
板上にそれぞれ絶縁層を介して複数層の回路パターンが
形成されており、前記絶縁層に前記回路パターン間を電
気的機械的に接続するための所定の各非貫通孔または各
座繰り部を、所定スキャンエリアを走査するパルス発振
レーザーのｎ回のパルスレーザービーム照射により加工
形成するプリント基板の製造方法において、ｎ−１回の
前記パルスレーザービーム照射を連続して前記スキャン
エリア内の前記各非貫通孔または前記各座繰り部を形成
すべき個所に、順次行った後、１回の前記レーザーパル
ス照射を前記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または
前記各座繰り部を形成すべき個所に、順次行い、前記所
定の各非貫通孔または各座繰り部を加工形成することを
特徴とするプリント基板の製造方法を提供しようとする
ものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。従来例と同一
の構成については同一の参照符号を付しその説明を省略
する。上述の従来の技術で説明したように、複数層の回
路パターンが絶縁層を介して形成されたプリント配線板
において、絶縁層にレーザによる非貫通孔または座繰り
部を加工形成する場合、スキャンエリア内の非貫通孔な
どを形成すべき部分に順次１回目のレーザー照射を行
い、これを繰り返して、最終的に非貫通孔などを形成す
るサイクル加工により、熱影響の少ない高品位及び高精
度の良好な加工が可能になる。
て、添付図面を参照して詳細に説明する。従来例と同一
の構成については同一の参照符号を付しその説明を省略
する。上述の従来の技術で説明したように、複数層の回
路パターンが絶縁層を介して形成されたプリント配線板
において、絶縁層にレーザによる非貫通孔または座繰り
部を加工形成する場合、スキャンエリア内の非貫通孔な
どを形成すべき部分に順次１回目のレーザー照射を行
い、これを繰り返して、最終的に非貫通孔などを形成す
るサイクル加工により、熱影響の少ない高品位及び高精
度の良好な加工が可能になる。
【００１５】この非貫通孔の形成過程について、詳細に
検討した結果、この「熱影響の少ない良好な加工」と
は、主に非貫通孔の底部または座繰り部の底部に関する
ことが判明した。すなわち、連続してレーザーパルスを
照射して、１個づつ順次非貫通孔を形成するバースト加
工を行うと、熱的影響のため、回路パターンに接する絶
縁層が場合によっては、１μｍほどの厚さで残存し、こ
れは、後の洗浄工程においても十分に除去できず、良好
な形状の非貫通孔を得られないことがわかった。
検討した結果、この「熱影響の少ない良好な加工」と
は、主に非貫通孔の底部または座繰り部の底部に関する
ことが判明した。すなわち、連続してレーザーパルスを
照射して、１個づつ順次非貫通孔を形成するバースト加
工を行うと、熱的影響のため、回路パターンに接する絶
縁層が場合によっては、１μｍほどの厚さで残存し、こ
れは、後の洗浄工程においても十分に除去できず、良好
な形状の非貫通孔を得られないことがわかった。
【００１６】さらに、ｎ回のレーザーパルス照射によ
り、非貫通孔を形成する場合、最後のｎ回目のレーザー
パルス照射を、それまでのレーザーパルス照射による温
度の影響がない状態までまって行えば良好な形状の非貫
通孔を得られることが判明した。すなわち、それまでの
ｎ−１回のパルスレーザービーム照射を同一場所に連続
して行っても、特に影響がないことも判明した。以上の
知見に基づき、本発明が為されたのである。
り、非貫通孔を形成する場合、最後のｎ回目のレーザー
パルス照射を、それまでのレーザーパルス照射による温
度の影響がない状態までまって行えば良好な形状の非貫
通孔を得られることが判明した。すなわち、それまでの
ｎ−１回のパルスレーザービーム照射を同一場所に連続
して行っても、特に影響がないことも判明した。以上の
知見に基づき、本発明が為されたのである。
【００１７】図１は、本発明によるプリント基板の製造
方法の実施例を説明するための工程図である。基板１０
上に所定形状の第１の回路パターン１３が形成されてお
り、この上に絶縁層１２が形成されている。図示しない
絶縁層１２上に形成される第２の回路パターンと第１の
回路パターンとを電気的機械的に接続するため非貫通孔
を絶縁層１２に形成する。
方法の実施例を説明するための工程図である。基板１０
上に所定形状の第１の回路パターン１３が形成されてお
り、この上に絶縁層１２が形成されている。図示しない
絶縁層１２上に形成される第２の回路パターンと第１の
回路パターンとを電気的機械的に接続するため非貫通孔
を絶縁層１２に形成する。
【００１８】ここで、基板は銅張積層板を用いても良い
し、絶縁性を有するものであれば、特に限定されるもの
ではなく、例えば、ガラス基板、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート
等のポリエチレン類、ポリイミド等の高分子樹脂がある
が中でも、樹脂基板が好ましい。回路パターンとして
は、銅張積層板の銅を所定形状に加工する場合や、無電
解銅メッキ層、電解銅メッキ層を用いても良い。
し、絶縁性を有するものであれば、特に限定されるもの
ではなく、例えば、ガラス基板、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート
等のポリエチレン類、ポリイミド等の高分子樹脂がある
が中でも、樹脂基板が好ましい。回路パターンとして
は、銅張積層板の銅を所定形状に加工する場合や、無電
解銅メッキ層、電解銅メッキ層を用いても良い。
【００１９】絶縁層としては、エポキシ樹脂、アライミ
ド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）、フェ
ノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビス
マレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、フッ素樹脂、
熱硬化型ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）樹脂などい
ずれを用いてもよく、特にエポキシ樹脂を主成分とする
樹脂が好ましい。
ド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ）、フェ
ノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビス
マレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、フッ素樹脂、
熱硬化型ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）樹脂などい
ずれを用いてもよく、特にエポキシ樹脂を主成分とする
樹脂が好ましい。
【００２０】本実施例では、パルスレーザービームを４
回照射することによって各非貫通孔形成し、全部で３個
の非貫通孔を形成する場合を例にとり説明する。エポキ
シ樹脂を主成分とする絶縁層１２の厚さは、回路パタン
が２層の場合は、例えば５０−１６０μｍであり、ここ
に照射されるパルスレーザービームの直径は、例えば１
５０−２２０μｍであり、レーザーパルス幅は、例えば
５０−６０μｓｅｃであり、パルス間隔は例えば５０−
６０μｓｅｃである。
回照射することによって各非貫通孔形成し、全部で３個
の非貫通孔を形成する場合を例にとり説明する。エポキ
シ樹脂を主成分とする絶縁層１２の厚さは、回路パタン
が２層の場合は、例えば５０−１６０μｍであり、ここ
に照射されるパルスレーザービームの直径は、例えば１
５０−２２０μｍであり、レーザーパルス幅は、例えば
５０−６０μｓｅｃであり、パルス間隔は例えば５０−
６０μｓｅｃである。
【００２１】左端の非貫通孔の形成すべき場所に１回目
のパルスレーザービーム１１の照射が行われる（図１の
（ａ））。次に、同じ左端の非貫通孔の形成すべき場所
に２回目及び３回目のパルスレーザービーム１１の照射
が所定パルス間隔で連続して行われる（図１の
（ｂ））。次に、中央の非貫通孔の形成すべき場所に１
回目から３回目までのパルスレーザービーム１１の照射
が所定パルス間隔で連続して行われる（図１の
（ｃ））。次に、右端の非貫通孔の形成すべき場所に１
回目から３回目までのパルスレーザービーム１１の照射
が所定パルス間隔で連続して行われる（図１の
（ｄ））。
のパルスレーザービーム１１の照射が行われる（図１の
（ａ））。次に、同じ左端の非貫通孔の形成すべき場所
に２回目及び３回目のパルスレーザービーム１１の照射
が所定パルス間隔で連続して行われる（図１の
（ｂ））。次に、中央の非貫通孔の形成すべき場所に１
回目から３回目までのパルスレーザービーム１１の照射
が所定パルス間隔で連続して行われる（図１の
（ｃ））。次に、右端の非貫通孔の形成すべき場所に１
回目から３回目までのパルスレーザービーム１１の照射
が所定パルス間隔で連続して行われる（図１の
（ｄ））。
【００２２】このようにレーザービーム１１の所定のス
キャンエリア内にあるすべての非貫通孔の形成される場
所に、連続して３回のパルスレーザービーム１１の照射
が順次行われると、次に左端の非貫通孔の形成されるべ
き場所に４回目のパルスレーザビーム１１を照射して、
非貫通孔４を形成し、続いて中央の非貫通孔の形成され
るべき場所に４回目のパルスレーザービーム１１を照射
して、非貫通孔４を形成する（図１の（ｅ））。最後
に、右端の非貫通孔の形成されるべき場所に４回目のパ
ルスレーザービーム１１を照射して、非貫通孔４を形成
する（図１の（ｆ））。こうして得られる非貫通孔１４
は、底部に熱的の影響のない高品位で高精度の良好な形
状をしている。
キャンエリア内にあるすべての非貫通孔の形成される場
所に、連続して３回のパルスレーザービーム１１の照射
が順次行われると、次に左端の非貫通孔の形成されるべ
き場所に４回目のパルスレーザビーム１１を照射して、
非貫通孔４を形成し、続いて中央の非貫通孔の形成され
るべき場所に４回目のパルスレーザービーム１１を照射
して、非貫通孔４を形成する（図１の（ｅ））。最後
に、右端の非貫通孔の形成されるべき場所に４回目のパ
ルスレーザービーム１１を照射して、非貫通孔４を形成
する（図１の（ｆ））。こうして得られる非貫通孔１４
は、底部に熱的の影響のない高品位で高精度の良好な形
状をしている。
【００２３】ここでは、スキャンエリア内に３個の非貫
通孔を形成する場合を説明したが、通常のスキャンエリ
アは例えば、５０ｍｍ×５０ｍｍ程度であり、スキャン
エリア最初のレーザー照射を終了して、次に、再びスキ
ャンエリアの最初のレーザー照射を行うまでには、例え
ば最低でも１ｓｅｃ程度必要であり、この間にレーザー
ビーム照射による熱的影響は除去される。もちろん、こ
の冷却時間が適当になるように、スキャンエリアの大き
さ、形成される非貫通孔の数により調整すれば良い。ま
た、座繰り部の形成においても同様に上記の方法が適用
される。
通孔を形成する場合を説明したが、通常のスキャンエリ
アは例えば、５０ｍｍ×５０ｍｍ程度であり、スキャン
エリア最初のレーザー照射を終了して、次に、再びスキ
ャンエリアの最初のレーザー照射を行うまでには、例え
ば最低でも１ｓｅｃ程度必要であり、この間にレーザー
ビーム照射による熱的影響は除去される。もちろん、こ
の冷却時間が適当になるように、スキャンエリアの大き
さ、形成される非貫通孔の数により調整すれば良い。ま
た、座繰り部の形成においても同様に上記の方法が適用
される。
【００２４】加工時間に関しては、非貫通孔の形成にｎ
回のパルスレーザービームの照射を必要とすると、本発
明においては、ｎ−１回のバースト加工と１回のサイク
ル加工の組み合わせとなるので、ｎの大きさに係わら
ず、バースト加工の約２倍の時間にすることができる。
ｎ回のサイクル加工に比べ、２／ｎ倍の所要時間です
む。
回のパルスレーザービームの照射を必要とすると、本発
明においては、ｎ−１回のバースト加工と１回のサイク
ル加工の組み合わせとなるので、ｎの大きさに係わら
ず、バースト加工の約２倍の時間にすることができる。
ｎ回のサイクル加工に比べ、２／ｎ倍の所要時間です
む。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプリント
基板の製造方法は、基板上にそれぞれ絶縁層を介して複
数層の回路パターンが形成されており、前記絶縁層に前
記回路パターン間を電気的機械的に接続するための所定
の各非貫通孔または各座繰り部を、所定スキャンエリア
を走査するパルス発振レーザーのｎ回のパルスレーザー
ビーム照射により加工形成するプリント基板の製造方法
において、ｎ−１回の前記パルスレーザービーム照射を
連続して前記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または
前記各座繰り部を形成すべき個所に、順次行った後、１
回の前記レーザーパルス照射を前記スキャンエリア内の
前記各非貫通孔または前記各座繰り部を形成すべき個所
に、順次行い、前記所定の各非貫通孔または各座繰り部
を加工形成することにより、熱的影響の少ない高品位か
つ高精度の非貫通孔を良好な生産性で製造するプリント
基板の製造方法を提供することができるという効果があ
る。
基板の製造方法は、基板上にそれぞれ絶縁層を介して複
数層の回路パターンが形成されており、前記絶縁層に前
記回路パターン間を電気的機械的に接続するための所定
の各非貫通孔または各座繰り部を、所定スキャンエリア
を走査するパルス発振レーザーのｎ回のパルスレーザー
ビーム照射により加工形成するプリント基板の製造方法
において、ｎ−１回の前記パルスレーザービーム照射を
連続して前記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または
前記各座繰り部を形成すべき個所に、順次行った後、１
回の前記レーザーパルス照射を前記スキャンエリア内の
前記各非貫通孔または前記各座繰り部を形成すべき個所
に、順次行い、前記所定の各非貫通孔または各座繰り部
を加工形成することにより、熱的影響の少ない高品位か
つ高精度の非貫通孔を良好な生産性で製造するプリント
基板の製造方法を提供することができるという効果があ
る。
【図１】本発明によるプリント基板の製造方法の実施例
を説明するための工程図である。
を説明するための工程図である。
【図２】従来例のプリント基板の製造法であるバースト
加工を説明するための工程図である。
加工を説明するための工程図である。
【図３】従来例のプリント基板の製造法であるサイクル
加工を説明するための工程図である。
加工を説明するための工程図である。
【図４】レーザー加工機の概略構成を示す図である。
【図５】レーザーの発振を示す図である。
１…レーザ発振器、２ａ…ガルバノミラー、２ｂ…ガル
バノミラー、３…レンズ、４…加工面スキャンエリア、
１０…基板、１１…レーザービーム、１２…絶縁層、１
３…回路パターン、１４…非貫通孔、２４…非貫通孔、
３４…非貫通孔。
バノミラー、３…レンズ、４…加工面スキャンエリア、
１０…基板、１１…レーザービーム、１２…絶縁層、１
３…回路パターン、１４…非貫通孔、２４…非貫通孔、
３４…非貫通孔。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にそれぞれ絶縁層を介して複数層の
回路パターンが形成されており、前記絶縁層に前記回路
パターン間を電気的機械的に接続するための所定の各非
貫通孔または各座繰り部を、所定スキャンエリアを走査
するパルス発振レーザーのｎ回のパルスレーザービーム
照射により加工形成するプリント基板の製造方法におい
て、 ｎ−１回の前記パルスレーザービーム照射を連続して前
記スキャンエリア内の前記各非貫通孔または前記各座繰
り部を形成すべき個所に、順次行った後、１回の前記レ
ーザーパルス照射を前記スキャンエリア内の前記各非貫
通孔または前記各座繰り部を形成すべき個所に、順次行
い、前記所定の各非貫通孔または各座繰り部を加工形成
することを特徴とするプリント基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085908A JP2001274557A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085908A JP2001274557A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | プリント基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274557A true JP2001274557A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18602156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000085908A Pending JP2001274557A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274557A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1931495A2 (en) * | 2005-10-03 | 2008-06-18 | Aradigm Corporation | Method and system for laser machining |
| JP2016222485A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP2018015795A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| CN111434192A (zh) * | 2017-09-08 | 2020-07-17 | 奥钢联钢铁公司 | 用于在覆有覆层的板材上建立电联接接触部的方法 |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000085908A patent/JP2001274557A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1931495A2 (en) * | 2005-10-03 | 2008-06-18 | Aradigm Corporation | Method and system for laser machining |
| EP1931495A4 (en) * | 2005-10-03 | 2009-08-26 | Aradigm Corp | METHOD AND SYSTEM FOR LASER MACHINING |
| US7767930B2 (en) | 2005-10-03 | 2010-08-03 | Aradigm Corporation | Method and system for LASER machining |
| JP2016222485A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
| JP2018015795A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のレーザー加工方法およびレーザー加工装置 |
| CN107662055A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 三星钻石工业株式会社 | 脆性材料基板的激光加工方法及激光加工装置 |
| KR20180013679A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료 기판의 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 |
| CN107662055B (zh) * | 2016-07-29 | 2021-04-13 | 三星钻石工业株式会社 | 脆性材料基板的激光加工方法及激光加工装置 |
| TWI725137B (zh) * | 2016-07-29 | 2021-04-21 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | 脆性材料基板之雷射加工方法及雷射加工裝置 |
| KR102353478B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2022-01-21 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료 기판의 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 |
| CN111434192A (zh) * | 2017-09-08 | 2020-07-17 | 奥钢联钢铁公司 | 用于在覆有覆层的板材上建立电联接接触部的方法 |
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Legal Events
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060407 |