JP2001274441A

JP2001274441A - 太陽電池パネルの一括切断処理方法

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Publication number: JP2001274441A
Application number: JP2000082742A
Authority: JP
Inventors: Eishiro Sasagawa; 英四郎笹川; Moichi Ueno; 茂一上野; Taizo Fujiyama; 泰三藤山; Yasuhiro Yamauchi; 康弘山内; Tatsufumi Aoi; 辰史青井
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2000-03-23
Filing date: 2000-03-23
Publication date: 2001-10-05

Abstract

(57)【要約】【課題】同一製造ラインで任意サイズの太陽電池製品
を製造することができる太陽電池パネルの一括切断処理
方法を提供する。【解決手段】カバーガラスとなるガラス基板上に透明
電極層、発電層、金属電極層を順次積層し形成する工程
と、前記ガラス基板の積層面に接着性シートおよび裏面
カバーシートを順次重ね合わせ、これを接着性シートの
接着雰囲気にて加圧することにより前記ガラス基板と前
記裏面カバーシートとを接着させて一体化したパネルを
形成する工程と、前記パネルを切断手段を用いて切断す
ることにより所望サイズに分割する工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池パネルの
一括切断処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のアモルファスシリコン（以下、ａ
−Ｓｉという）や微結晶シリコン、薄膜多結晶シリコン
などの基板上に発電膜を形成する太陽電池は、厚いカバ
ーガラス４と裏面カバーシート５との間に太陽電池モジ
ュール２を挟み込む構造としている。太陽電池モジュー
ル２は厚さ１ｍｍ程度の薄いガラス基板上に透明電極
層、ａ−Ｓｉなどの発電層、金属電極層を順次積層して
なるものである。

【０００３】ラミネート処理においては、図７に示すよ
うに、複数枚例えば４枚の太陽電池モジュール２の光入
射面側にはカバーガラス４を重ね合わせ、太陽電池モジ
ュール２を適宜に直列・並列に電気的集電する接続を行
い、裏面側には裏面カバーシート５を重ね合わせ、例え
ば熱接着性のＥＶＡシート３をカバーガラス４と電池モ
ジュール２との相互間および裏面カバーシート５と電池
モジュール２との相互間にそれぞれ挿入し、これを加熱
加圧する。予め所定寸法として用意したカバーガラスの
サイズの太陽電池となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の太陽
電池モジュール２は最終製品に近いサイズを想定して予
め設定されているために、カバーガラス４のサイズは電
池モジュール２のサイズのほぼ整数倍に固定化されてい
る。このため規格から外れたサイズは特注品扱いとな
り、コストおよび納期の面で問題があるので量産工場で
は実際には規格外のサイズを製造することはできない。

【０００５】そこで、任意サイズのカバーガラスに太陽
電池機能層を直接積層し、ラミネート処理により裏面カ
バーシートを貼り合わせてパネル化し、パネルを切断し
て所望サイズに分割化することにより顧客の多様な要求
に応えるようにすることが考えられる。

【０００６】しかし、カバーガラスを切断しようとする
と周囲に亀裂が進展して細かな小断片にばらばらに分か
れてしまい、切断予定線に沿ってシャープに切断するこ
とができない。これはカバーガラスの軽量化のために薄
めの板厚でも十分な強度が得られるように強化ガラスを
用いていることに起因しており、強化ガラスの表面に切
り欠きを生じると、表層に存在する高い残留応力が切り
欠きによって解消され、見掛け上の引張り強度が低下
し、周囲に多数の亀裂が進展してしまうからである。こ
のため強化ガラスを受け入れ状態のままで太陽電池機能
用ガラス基板と保護用カバーガラスとに兼用して製造し
た後に所望サイズに分断することが事実上できないとい
う問題がある。

【０００７】また、量産工場では製品サイズ毎に対応す
る製造ラインをもつ必要があり、異なるサイズの製品を
同一の製造ラインに流すにはハンドリング装置、位置決
め装置をはじめ様々な制約を受けるので、事実上は規格
外の異サイズ製品を同一ラインでは製造することができ
ない。このため顧客の種々の要求・要望に応えることが
できないという問題がある。

【０００８】本発明は上記の課題を解決するためになさ
れたものであって、同一製造ラインで任意サイズの太陽
電池製品を製造することができる太陽電池パネルの一括
切断処理方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】ガラスは圧縮に対しては
強いが、引張りに対しては弱い材料である。また、ガラ
スの表層にはグリフィスフローと呼ばれる表面欠陥が存
在するため、ガラスが破壊されるときには表層が破壊の
起点となりやすい。そこで、強化ガラスでは表層に圧縮
応力を人為的に付与することにより見掛け上の引張り強
度を向上させている。

【００１０】強化ガラスには物理（熱）強化ガラス、化
学強化ガラス、積層強化ガラスの三種類がある。例えば
物理強化ガラスは、軟化点近傍温度まで昇温後に急冷す
る熱処理によって表層部分に高い圧縮の残留応力を付与
し、生板ガラスの２〜３倍以上の強度を有するように強
化されている。このような強化ガラスの表面に切り欠き
を生じると、表層の残留応力が切り欠きにより解消さ
れ、見掛け上の引張り強度が低下し、周囲に多数の亀裂
が進展する結果、そのままの状態では容易に切断するこ
とができない。そこで、半強化処理により強化ガラス表
層の過大な圧縮残留応力を緩和してやることにより、ガ
ラスの見掛け上の引張り強度を低下させ、カバーガラス
としての必要な強度を確保しつつ切断容易な半強化ガラ
ス（生板ガラスの約１．５倍の強度）とする。

【００１１】本発明に係る太陽電池パネルの一括切断処
理方法は、カバーガラスとなるガラス基板上に透明電極
層、発電層、金属電極層を順次積層し形成する工程と、
前記ガラス基板の積層面に接着性シートおよび裏面カバ
ーシートを順次重ね合わせ、これを接着性シートの接着
雰囲気にて加圧することにより前記ガラス基板と前記裏
面カバーシートとを接着させて一体化したパネルを形成
する工程と、前記パネルを切断手段を用いて切断するこ
とにより所望サイズに分割する工程と、を具備すること
を特徴とする。

【００１２】なお、上記切断手段としてガラス基板より
も硬質の刃先をもつカッター刃を用いてガラス基板の切
断予定線に沿って所定深さの傷を付け、かつ裏面カバー
シートの切断予定線に沿って裏面カバーシートを切り離
しておき、前記傷付けたガラス基板を押し割りすること
が好ましい。

【００１３】ここで硬質のカッター刃を適切に選定する
ことにより、裏面カバーシートを切り離すと同時にガラ
ス基板裏面側から積層膜と一括してガラス基板まで所定
の深さの傷を付け、押し割ることもできる。

【００１４】また、上記切断手段としてガスレーザーな
どのエネルギービーム切断法を用いて裏面カバーシート
の切断予定線に沿ってレーザー光を走査照射し、ガスレ
ーザー切断された部位を順次冷却するようにしてもよ
い。またこのレーザー光を走査照査した部位を冷却して
も予定の深さまでの傷（クラック）は発生しても基板を
切断できない厚さの基板のものに対しては、押し割りを
併用してもよい。これらの場合に、エネルギービームと
してＣＯ₂ガスレーザーを用いることが最も望ましい。
ＣＯ₂ガスレーザーの波長（１０．６μｍ）はガラスに
吸収されやすいからである。

【００１５】また、上記切断手段として水ジェット切断
法を用いてガラス基板又は裏面カバーシートの切断予定
線に沿って砥粒を含む水ジェット流を吹き付けるように
してもよい。この場合に水ジェットに含ませる砥粒には
例えばガーネット粒子を用いてもよい。

【００１６】さらに、パネルをＸＹテーブル上に載置
し、該ＸＹテーブルとともにパネルを移動させながら上
記切断手段により該パネルを切断するようにしてもよ
い。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。

【００１８】先ず図１乃至図３を参照してアモルファス
シリコン太陽電池を例とした太陽電池製造方法の概要を
説明する。

【００１９】太陽電池製造ラインのうちの少なくとも透
明電極形成工程Ｓ１から分割工程Ｓ７までの区間は、ガ
ラス基板４が搬送路上を次々に流れるようにコンピュー
タ制御された全自動一貫製造ラインとして構成されてい
る。発電検査工程Ｓ８から後の区間は、作業者が製品サ
イズ毎に仕分け、検査装置を用いてそれぞれ個別に検査
し、封止装置を用いて封止材を太陽電池パネル周辺およ
び端子台などシール必要部分に注入処理し、一時保管場
所に保管して封止材をエージングし、梱包装置を用いて
梱包処理する半自動ラインである。

【００２０】基板受入部にガラス基板４を受け入れ、基
板４をロット毎に分別して一時収納庫に保管する。ガラ
ス基板４のサイズは例えば板厚３ｍｍ×幅１０００ｍｍ
×長さ１０００ｍｍである。一時収納庫からガラス基板
４を１枚ずつ取り出し、搬送路上に載せ、バーコード印
字装置に搬送し、基板４に識別用のバーコードを印字す
る。さらに基板４を洗浄処理装置に搬送し、基板４を洗
浄し、表面から付着異物を除去する。

【００２１】基板４を熱処理炉に搬入し、所定温度に予
熱する。予熱した基板４を熱ＣＶＤ装置（またはイオン
プレーティング装置又はスパッタ装置）に搬入し、ガラ
ス基板４の片面（洗浄面）に所定膜厚の透明電極１１を
積層形成する（工程Ｓ１）。最初の透明電極１１の膜厚
は約７５０ｎｍである。

【００２２】受け入れた基板４が強化ガラスである場合
は、上記工程Ｓ１で基板の予熱に用いた熱処理炉を利用
して基板４を加熱し、さらに急冷し、ガラスの強度を半
減させる（半強化処理）。これによりガラス基板４の強
度は初期強度の約５０％（生板ガラスの約１．５倍）と
なり太陽電池カバーガラスとしての必要強度を確保しつ
つ、切断予定線に沿って切断可能な強度レベルとなる。
なお、本実施形態では透明電極形成前の予熱に用いる熱
処理炉をガラス基板の半強化処理に利用するようにして
いるが、これとは別に設けられた他の熱処理炉を用いて
ガラス基板を半強化処理するようにしてもよい。また、
受け入れた基板４が強化ガラスでない場合、例えば生板
ガラスの１．５倍程度の強度レベルの半強化状態にある
場合や、重量増加という難点があるものの板厚を増すこ
とで必要強度を確保した生板ガラスにおいてはこの熱処
理は不要である。

【００２３】更には受け入れ基板４に生板ガラスを用い
て所定膜厚の透明電極１１を歪点（４８０〜５１０℃）
近くで高温形成して急冷する、または透明電極１１を積
層形成した後に歪み点近くまで基板を加熱して急冷する
ことで、半強化処理することもできる。

【００２４】熱処理後、洗浄処理装置に基板４を搬送
し、基板４を洗浄処理し、次いで例えばレーザーエッチ
ング装置に基板４を搬送し、透明電極１１を所定パター
ンにエッチングする（工程Ｓ２）。

【００２５】次いで、プラズマＣＶＤ製膜装置に基板４
を搬送し、パターンエッチングされた透明電極１１の上
にアモルファスシリコン層１２を製膜する（工程Ｓ
３）。ａ−Ｓｉ層１２の合計膜厚は例えば約４００ｎｍ
である。

【００２６】次いで、例えばレーザーエッチング装置に
基板４を搬送し、ａ−Ｓｉ層１２を所定パターンにエッ
チングする（工程Ｓ４）。

【００２７】次いで、イオンプレーティング装置（又は
スパッタ装置またはＣＶＤ装置）に基板４を搬送し、パ
ターンエッチングされたａ−Ｓｉ層１２の上に例えばア
ルミニウムからなる金属電極１３を所定厚さに積層形成
する（工程Ｓ５）。金属電極１３の膜厚は例えば約５０
０ｎｍである。

【００２８】次いで、例えばレーザーエッチング装置に
基板４を搬送し、金属電極１３を所定パターンにエッチ
ングする（工程Ｓ６）。このエッチング工程Ｓ６では後
述する分割工程Ｓ７の切断予定線に沿って透明電極１１
までを完全除去する絶縁帯域を形成しておくことで切断
面での電気的短絡を防止する。

【００２９】このように基板４上に発電機能層１１，１
２，１３が順次積層形成された積層体９をラミネーター
装置に搬送し、例えば熱接着性のＥＶＡシート３および
耐水性の裏面カバーシート５を積層体９の積層面に重ね
合わせ、これを約１５０℃に加熱しながら所定圧力でプ
レスし、接合して一体化したパネル１０とする。パネル
１０から外側にはみ出した接着剤をトリミングユニット
で除去し、さらに架橋炉内で加熱して接着剤の架橋反応
を促進させ、その後クーリングユニット内で室温まで冷
却する。次いで、端子台取付部にパネル１０を搬送し、
透明電極１１にプラス端子を取り付け、金属電極１３に
マイナス端子を取り付け、配線する。パネル１０をエー
ジングユニットに搬送し、接着剤を乾燥硬化させる。

【００３０】次いで、パネル１０をカッティングマシン
に搬送し、ガラス基板４の側または裏面カバーシート５
の側からパネル１０を一括に切断する（工程Ｓ７）。パ
ネル１０をＸＹテーブル上に載置し、ＸＹテーブルとと
もにパネルを移動させながら切断手段によりパネル１０
を切断する。これによりパネル１０は複数の所望サイズ
の太陽電池１Ａに分割される。本実施例では図１の
（ａ）に示す１枚のパネル１０から図１の（ｂ）に示す
４枚の同サイズ小型太陽電池１Ａを得るように等分割す
る。分割された太陽電池１Ａのサイズはおよそ幅５００
ｍｍ×長さ５００ｍｍである。

【００３１】なお、切断手段としてのカッティングマシ
ンは後述するように種々の手段および方法を用いること
ができる。また、本実施例ではパネルを４つに等分割す
る例について説明したが、本発明はこれのみに限られず
切断予定線を変えることによってパネルを異なるサイズ
の太陽電池に不等分に分割することも可能であるし、ま
たパネルを２分割、６分割、８分割などへすることも可
能である。

【００３２】太陽電池１Ａをトリミングユニットに搬送
し、切断端面を研削研磨し、端子間を配線する。次い
で、発電検査装置を用いてガラス基板４の側に模擬太陽
光を照射し、両電極１１，１３間に接続した負荷に発電
電流を流して太陽電池１Ａの発電能力を検査する（工程
Ｓ８）。

【００３３】工程Ｓ８で合格した太陽電池１Ａは、製品
サイズ毎に仕分けられる。サイズ毎に封止装置を用いて
太陽電池１Ａ周辺および端子台などのシール必要部分に
封止材を注入するとともに、必要に応じて外周端部にゴ
ム枠やアルミフレーム枠を嵌め込み接着し、一時保管場
所に保管して封止材をエージングする。これにより太陽
電池１Ａは製品として完成し、梱包装置により梱包され
て出荷される。

【００３４】次に、上記分割工程Ｓ７に用いる切断手段
および方法について図４〜図６を参照して説明する。

【００３５】（実施例１）実施例１の切断手段として図
４および図５に示すホイールカッター２０を用いた。ホ
イールカッター２０のカッター刃２４は硬質ガラスより
も硬い超硬合金でできている。カッター刃２４は軸２３
まわりに回転可能にホルダ２２に支持され、さらにホル
ダ２２は図示しないロボットにより駆動される支持アー
ム２１に連結支持されている。ロボットは光学センサを
備えており、光学センサで切断予定線を検出するか、予
めその位置をプログラムで数値設定しておき、これに基
づき支持アーム２１を駆動制御し、ホイールカッター２
０のカッター刃２４がガラス基板４に対して所定圧力で
押し付けられるとともに切断予定線位置に相対移動され
るようになっている。またはパネル１０をＸＹテーブル
上に載せ、パネル１０の切断予定線上にカッター刃２４
を押し付け、パネル１０をＸＹテーブルとともに移動さ
せることによりパネル１０に切り欠きをつける。

【００３６】カッター刃２４の刃先をガラス基板４の表
面に押し付けた状態で移動させ、深さ約０．５ｍｍ未満
の切り欠き８ａを形成する。次いで、もしくは同時に、
裏面カバーシート５の切断予定線に倣って他のカッター
刃で裏面カバーシート５を切断する。次いで、切り欠き
８ａの部分に押圧力を印可してガラス基板４を押し割
る。このとき切り欠き８ａから垂直クラック８ｂのみが
進展し、水平クラック８ｃは実質的にまったく進展しな
いので、きれいな切断面となる。このようなガラスの押
し割り方法は、例えばやすりによるアンプル切断や一般
ガラス細工に利用されている原理と同じである。その
後、切断端面部に欠けやクラックなどが残らないように
面取り研磨する。

【００３７】本実施例のホイールカッター２０を用いた
場合に、切断速度は約４〜６ｍ／分であった。また、本
実施例の切断方法によれば切断代を０．２ｍｍ以下に抑
えることができた。また、ＸＹテーブルを用いることに
より切断手段に対してパネルを高精度に相対移動させる
ことができ、切断予定線から僅か±１ｍｍ以内（実力は
±０．５ｍｍ以内）に抑えることができた。

【００３８】また、ここで硬質のカッター刃を適切に選
定することで、裏面カバーシートを切り離すと同時にガ
ラス基板裏面側から積層膜と一括してガラス基板まで所
定の深さの傷を付け、押し割ることもできる。

【００３９】なお、本実施例では超硬合金製のホイール
カッターを用いてガラス基板に切り欠きを形成する例に
ついて説明したが、この他にダイヤモンドカッターを使
用しても同様の効果が得られる。

【００４０】（実施例２）次に、図６を参照しながら実
施例２の切断手段および方法について説明する。

【００４１】実施例２の切断手段としてエネルギービー
ム、たとえばＣＯ₂ガスレーザー切断装置を用いた。Ｃ
Ｏ₂ガスレーザー光の波長（１０．６μｍ）はガラスに
吸収されやすく、熱エネルギー変換効率が高い。このた
め照射レーザー光がガラスの切断に必要な熱エネルギー
量を供給しうるからである。ＣＯ₂ガスレーザー切断装
置は、自動焦点位置合せ機構、倣いセンサ、または位置
をプログラム数値設定する機能、走査アームに支持され
たレーザー射出部を備えている。発振器から励起された
レーザー光３０が発振され、複数の光学レンズによりパ
ネル１０の裏面カバーシート５の切断予定線にレーザー
光３０の焦点が合うように自動焦点位置調節され、倣い
センサにより切断予定線を検出し、検出信号に基づき走
査アームの動作を制御するか、予め数値設定したプログ
ラムで動作を制御することによりレーザー射出部から射
出されるレーザー光が切断予定線位置に走査照射される
ようになっている。なお、レーザービームの径は最小
０．０５ｍｍまで絞ることができる。

【００４２】また、ガス冷却機構のノズルがレーザー射
出部に追従するように走査され、切断直後の部位に冷却
ガスが吹き付けられるようになっている。ガス冷却機構
のノズルはパネル切断部の両面に同時に冷却ガスを吹き
付けるようにすることが望ましい。なお、冷却ガスとし
ては低温度エアや窒素ガスを用いることが好ましい。

【００４３】レーザー光が照射されると、先ず裏面カバ
ーシート５が焼き切られ、次いで照射点３１からガラス
基板４にほぼ垂直または反射光がレーザ射出部へ戻らな
いよう少し斜めに光が入射し、ガラスが急熱され、その
直後に冷却ガスの吹き付けにより急冷される。この急熱
急冷によりガラス基板４は割面３２に沿って割れる。

【００４４】また板厚の厚いものにおいては、急冷によ
りガラス基板４を十分に切断できない場合がある。この
時はレーザー光によりパネル切断予定線にそって裏面カ
バーシート５が焼き切られ、ガラス基板４の表層に垂直
クラックが入った後に押し割りを併用することで、割面
３２にそって分断される。

【００４５】ここで、ＣＯ₂ガスレーザーは裏面カバー
シート５側から一括して切断する手法を述べたが、ガラ
ス基板４の切断精度を上げるために、ガラス基板表側と
裏面カバーシート５の両方側からＣＯ₂ガスレーザーを
照射する場合もある。その後、切断端面部に欠けやクラ
ックなどが残らないように面取り研磨する。

【００４６】本実施例として約１０ｋＷ出力のＣＯ₂ガ
スレーザー切断装置を用いた場合に、切断速度は約５〜
１０ｍ／分であった。また、本実施例の切断方法によれ
ば切断代を０．３ｍｍ以下に抑えることができた。ま
た、ＸＹテーブルを用いることにより切断手段に対して
パネルを高精度に相対移動させることができ、切断予定
線から僅か±１ｍｍ以内（実力は±０．５ｍｍ以内）に
抑えることができた。

【００４７】（実施例３）実施例３の切断手段として水
ジェット切断装置を用いた。ガラス基板４又は裏面カバ
ーシート５の切断予定線に沿って砥粒を含む水ジェット
流を吹き付ける。この場合に水ジェットに含ませる砥粒
には例えばガーネット粒子を用いることが好ましい。こ
れにより切断後の面取り研磨作業を省略できるか又は軽
減することができる。

【００４８】本実施例の水ジェット切断装置を用いて約
＃１５０のガーネット砥粒に水圧力約３００Ｐａを印加
した場合に、切断速度は約０．５〜３ｍ／分であった。
また、本実施例の切断方法によれば切断代を１〜２ｍｍ
とすることができた。また、ＸＹテーブルを用いること
により切断手段に対してパネルを高精度に相対移動させ
ることができ、切断予定線から僅か±１ｍｍ以内（実力
は±０．５ｍｍ以内）に抑えることができた。

【００４９】なお、上記実施形態では厚さ３ｍｍ×幅１
０００ｍｍ×長さ１０００ｍｍサイズのパネルを一括切
断する場合について説明したが、本発明はこれのみに限
られることなく例えば厚さ３〜６ｍｍ×幅１５００〜２
５００ｍｍ×長さ１５００〜３０００ｍｍサイズの大型
パネルを一括切断することも可能である。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、保
護用カバーガラスに発電機能層を直接積層し、これを所
望サイズに一括切断することができるので、同一製造ラ
インで異サイズの太陽電池製品を製造することができ
る。

【００５１】また、従来の薄い基板上への太陽電池モジ
ュールの製造が不要になるので、工程および材料を大幅
に節減することができる。例えばモジュール用の薄いガ
ラス基板を不用とし、更にはラミネート処理工程では熱
接着性のＥＶＡシートの使用量を半減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の方法を説明するために切断前
のパネルを示す分解斜視図、（ｂ）は本発明の方法を説
明するために切断後のパネルを示す分解斜視図。

【図２】本発明の実施形態に係るアモルファスシリコン
太陽電池パネルを例とした一括切断処理方法用いた太陽
電池の製造工程を示すフローチャート。

【図３】アモルファスシリコン太陽電池を例とした太陽
電池パネルの一部を拡大して示す断面模式図。

【図４】第１実施形態の方法を用いて切断中のガラス基
板を切断線に直交する方向から見て示す部分断面模式
図。

【図５】第１実施形態の方法を用いて切断中のガラス基
板を切断線に平行な方向から見て示す部分断面模式図。

【図６】第２実施形態の方法を用いて切断中のガラス基
板を示す斜視図。

【図７】（ａ）は従来の方法を説明するために切断前の
パネルを示す分解斜視図、（ｂ）は従来の方法を説明す
るために切断後のパネルを示す分解斜視図。

【符号の説明】

１…パネル、１Ａ…太陽電池、２…太陽電池モジュール、３…接着シート（ＥＶＡシート）、４…ガラス基板（カバーガラス）、５…裏面カバーシート、８ａ…切り欠き、８ｂ，８ｃ…クラック、９…積層体、１０…パネル、１１…透明電極、１２…ａ−Ｓｉ膜、１３…金属電極、２０…ホイールカッター、２１…支持アーム、２２…ホルダ、２３…軸、２４…カッター刃、３０…レーザー光、３１…照射点、３２…割面。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤山泰三長崎県長崎市飽の浦町１番１号三菱重工業株式会社長崎造船所内 (72)発明者山内康弘長崎県長崎市飽の浦町１番１号三菱重工業株式会社長崎造船所内 (72)発明者青井辰史長崎県長崎市飽の浦町１番１号三菱重工業株式会社長崎造船所内Ｆターム(参考） 5F051 EA08 EA09 EA10 EA11 EA16 GA03 JA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カバーガラスとなるガラス基板上に透明
電極層、発電層、金属電極層を順次積層し形成する工程
と、前記ガラス基板の積層面に接着性シートおよび裏面
カバーシートを順次重ね合わせ、これを接着性シートの
接着雰囲気にて加圧することにより前記ガラス基板と前
記裏面カバーシートとを接着させて一体化したパネルを
形成する工程と、前記パネルを切断手段を用いて切断す
ることにより所望サイズに分割する工程と、を具備する
ことを特徴とする太陽電池パネルの一括切断処理方法。
【請求項２】上記切断手段としてガラス基板よりも硬
質の刃先をもつカッター刃を用いてガラス基板の切断予
定線に沿って所定深さの傷を付け、かつ裏面カバーシー
トの切断予定線に沿って裏面カバーシートを切り離して
おき、前記傷付けたガラス基板を押し割りすることを特
徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】上記切断手段としてガスレーザーなどの
エネルギービームによる切断法を用いて裏面カバーシー
トの切断予定線に沿ってレーザー光を走査照射し、ガス
レーザー切断された部位を冷却することを特徴とする請
求項１記載の方法。
【請求項４】上記切断手段として請求項３に記載の手
法にて、ガスレーザーなどのエネルギービーム切断され
た部位を特別に冷却することなく、押し割りすることを
特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】上記切断手段として水ジェット切断法を
用いてガラス基板又は裏面カバーシートの切断予定線に
沿って砥粒を含む水ジェット流を吹き付けることを特徴
とする請求項１記載の方法。
【請求項６】上記切断手段をＸＹ駆動装置により移動
させるか、または上記パネルをＸＹテーブル上に載置
し、該ＸＹテーブルとともにパネルを移動させながら上
記切断手段により該パネルを切断することを特徴とする
請求項１記載の方法。
【請求項７】上記ガラス基板は、強化ガラスを焼鈍熱
処理することにより強度レベルを低下させた半強化ガラ
スからなることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】上記ガラス基板は、生板ガラスを加熱後
冷却処理することにより強度レベルを少し増加させた半
強化ガラスからなることを特徴とする請求項１記載の方
法。
【請求項９】上記ガラス基板は、太陽電池用カバーガ
ラスとして必要な強度を確保するために板厚を増加する
ようにした生板ガラスからなることを特徴とする請求項
１記載の方法。