JP2001274233A - イオン注入による伝導領域の形成方法 - Google Patents
イオン注入による伝導領域の形成方法Info
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３次元的なイオン注入による伝導領域の形成
方法に関する。 【解決手段】 本発明によるイオン注入による伝導領域
の形成方法は、高分子化合物で制作された対象物の表面
に加速されたイオンを注入することで伝導領域を形成す
ることを特徴とする。従って、対象物母材の軽量化で物
流運送費用を節減し、対象物固有の透明性を維持するこ
とができるようにし、表面に全体的に均一な伝導領域を
形成することができるし、対象物の表面硬度を増大させ
ることができるし、高価なカーボン及びカーボンファイ
バー等を使用しないので製造経費を節減する効果があ
る。
方法に関する。 【解決手段】 本発明によるイオン注入による伝導領域
の形成方法は、高分子化合物で制作された対象物の表面
に加速されたイオンを注入することで伝導領域を形成す
ることを特徴とする。従って、対象物母材の軽量化で物
流運送費用を節減し、対象物固有の透明性を維持するこ
とができるようにし、表面に全体的に均一な伝導領域を
形成することができるし、対象物の表面硬度を増大させ
ることができるし、高価なカーボン及びカーボンファイ
バー等を使用しないので製造経費を節減する効果があ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入による
伝導領域の形成方法に関するもので、より詳しくは高分
子化合物からなる対象物の表面にイオン注入工程によっ
て伝導領域を形成するイオン注入による伝導領域の形成
方法に関するものである。
伝導領域の形成方法に関するもので、より詳しくは高分
子化合物からなる対象物の表面にイオン注入工程によっ
て伝導領域を形成するイオン注入による伝導領域の形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、電子素子、半導体素子などの回路
素子は設計図面によって順次的な素子製造工程を遂行す
ることで完成され、完成された回路素子は移送道具とし
ての運搬箱に積載されて目的地に移送される。そして、
移送過程の回路素子が運搬箱の内面と接触するようにな
って回路素子と運搬箱の境界面には静電気が発生し、発
生した静電気によって回路素子は致命的な損傷を受ける
ようになる。
素子は設計図面によって順次的な素子製造工程を遂行す
ることで完成され、完成された回路素子は移送道具とし
ての運搬箱に積載されて目的地に移送される。そして、
移送過程の回路素子が運搬箱の内面と接触するようにな
って回路素子と運搬箱の境界面には静電気が発生し、発
生した静電気によって回路素子は致命的な損傷を受ける
ようになる。
【０００３】従って、回路素子を運搬する移送道具は伝
導性が加えられた高分子化合物で制作している。ここ
で、移送道具は、ＣＳＰタイプの半導体キャリアテープ
（Chipscale package type Semiconductor carrier tap
e）、半導体ウェーハ移送用キャリア、印刷回路基板運
搬箱、電子モジュール製品運搬箱、ＬＣＤ（Liquid Cry
stal Display）運搬箱、ＬＣＤ薄膜フィルム運搬箱、Ｌ
ＣＤモジュール運搬箱、回路素子包装容器及びトレー
（Tray）などがある。
導性が加えられた高分子化合物で制作している。ここ
で、移送道具は、ＣＳＰタイプの半導体キャリアテープ
（Chipscale package type Semiconductor carrier tap
e）、半導体ウェーハ移送用キャリア、印刷回路基板運
搬箱、電子モジュール製品運搬箱、ＬＣＤ（Liquid Cry
stal Display）運搬箱、ＬＣＤ薄膜フィルム運搬箱、Ｌ
ＣＤモジュール運搬箱、回路素子包装容器及びトレー
（Tray）などがある。
【０００４】また、固有の機能を維持するために電子波
による影響が排除されるフィルム、シート（Sheet）、
板材、真空成形物及びプラスチック射出物等も伝導性が
加えられた高分子化合物で制作している。そして、電子
波による影響が排除されるフィルム等もその上部に伝導
性物質を蒸着して伝導膜を形成している。
による影響が排除されるフィルム、シート（Sheet）、
板材、真空成形物及びプラスチック射出物等も伝導性が
加えられた高分子化合物で制作している。そして、電子
波による影響が排除されるフィルム等もその上部に伝導
性物質を蒸着して伝導膜を形成している。
【０００５】従来の回路素子の移送道具、シート、板
材、真空成形物及びプラスチック射出物等は移送の便宜
性のために荷重が軽く、成形が簡単である透明な樹脂系
の高分子化合物に伝導性を加えるために高価なカーボン
（Carbon）及びカーボンファイバー（Carbon fiber）等
の添加物を混合して圧縮成形することで制作される。前
述したような方法からなる回路素子の移送道具とシー
ト、板材、真空成形物及びプラスチック射出物等の荷重
は添加物の添加によって高分子化合物の荷重が重くなる
ことでやはり重くなる。そして、移送道具とシート、板
材、真空成形物及びプラスチック射出物等は添加物の添
加によって高分子化合物が不透明なので不透明になる。
材、真空成形物及びプラスチック射出物等は移送の便宜
性のために荷重が軽く、成形が簡単である透明な樹脂系
の高分子化合物に伝導性を加えるために高価なカーボン
（Carbon）及びカーボンファイバー（Carbon fiber）等
の添加物を混合して圧縮成形することで制作される。前
述したような方法からなる回路素子の移送道具とシー
ト、板材、真空成形物及びプラスチック射出物等の荷重
は添加物の添加によって高分子化合物の荷重が重くなる
ことでやはり重くなる。そして、移送道具とシート、板
材、真空成形物及びプラスチック射出物等は添加物の添
加によって高分子化合物が不透明なので不透明になる。
【０００６】しかし、添加物が混合された高分子化合物
から制作された移送道具、シート、板材、真空成形物及
びプラスチック射出物等は添加物の添加によって全体の
荷重が重くなって移送道具の物流運送費用が高くなると
いう問題点があった。
から制作された移送道具、シート、板材、真空成形物及
びプラスチック射出物等は添加物の添加によって全体の
荷重が重くなって移送道具の物流運送費用が高くなると
いう問題点があった。
【０００７】そして、添加物の添加によって高分子化合
物の材質が不透明になって高分子化合物から制作された
移送道具もやはり不透明になるので、作業者は移送道具
に積載された製品の形状、規格、特性等を示す文字を容
易に認識することができなかった。従って、現在は移送
道具の下部のみ伝導性不透明な材料で制作し、上部は非
伝導性である一般の透明な材料で制作することで移送製
品が非伝導性の上部と接触して静電気によって損傷を受
ける問題点があった。
物の材質が不透明になって高分子化合物から制作された
移送道具もやはり不透明になるので、作業者は移送道具
に積載された製品の形状、規格、特性等を示す文字を容
易に認識することができなかった。従って、現在は移送
道具の下部のみ伝導性不透明な材料で制作し、上部は非
伝導性である一般の透明な材料で制作することで移送製
品が非伝導性の上部と接触して静電気によって損傷を受
ける問題点があった。
【０００８】そして、高分子化合物に添加物を混合して
伝導性を加えることで、高分子化合物で制作した移送道
具の特定部位の伝導度と他の特定部位の伝導度が相違で
あるので移送道具に積載された製品が移送道具の伝導度
の差によってかえって致命的な静電気を受けるという問
題点があった。
伝導性を加えることで、高分子化合物で制作した移送道
具の特定部位の伝導度と他の特定部位の伝導度が相違で
あるので移送道具に積載された製品が移送道具の伝導度
の差によってかえって致命的な静電気を受けるという問
題点があった。
【０００９】また、高価なカーボン及びカーボンファイ
バー等の添加材を使用して伝導性を加えることで移送道
具の制作費用が高いという問題点があった。そして、移
送道具、シート、板材、真空成形物及びプラスチックの
射出物等を形成する高分子化合物の内部には添加物が混
合されているので容易にリサイクルできなかったし、使
用過程で移送道具の添加物は移送道具から外部の方へ離
れてきて移送製品を汚染させ、離れてきた添加物が静電
気の発生源として作用し、移送製品が静電気によって損
傷されるという問題があった。
バー等の添加材を使用して伝導性を加えることで移送道
具の制作費用が高いという問題点があった。そして、移
送道具、シート、板材、真空成形物及びプラスチックの
射出物等を形成する高分子化合物の内部には添加物が混
合されているので容易にリサイクルできなかったし、使
用過程で移送道具の添加物は移送道具から外部の方へ離
れてきて移送製品を汚染させ、離れてきた添加物が静電
気の発生源として作用し、移送製品が静電気によって損
傷されるという問題があった。
【００１０】また、蒸着によって伝導膜が形成されたフ
ィルム等の蒸着品は元の材料に伝導性物質を蒸着するこ
とでフィルムの界面を伝導膜の間の接着力の低下によっ
て伝導膜がはがれ、蒸着物質の化学反応でその表面が化
学的に変性するという問題点があった。
ィルム等の蒸着品は元の材料に伝導性物質を蒸着するこ
とでフィルムの界面を伝導膜の間の接着力の低下によっ
て伝導膜がはがれ、蒸着物質の化学反応でその表面が化
学的に変性するという問題点があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、高分子化合物で制作された移送道具、フィルム等の
対象物に３次元的なイオン注入工程を遂行して伝導領域
を形成することで、対象物の荷重を従来よりさらに軽量
化することができるイオン注入による伝導領域の形成方
法を提供することにある。
は、高分子化合物で制作された移送道具、フィルム等の
対象物に３次元的なイオン注入工程を遂行して伝導領域
を形成することで、対象物の荷重を従来よりさらに軽量
化することができるイオン注入による伝導領域の形成方
法を提供することにある。
【００１２】本発明の第２の目的は、高分子化合物で制
作された移送道具、フィルム等の対象物に３次元的なイ
オン注入工程を遂行して伝導領域を形成することで、対
象物が固有の透明性を維持することができるようにする
イオン注入による伝導領域の形成方法を提供することに
ある。
作された移送道具、フィルム等の対象物に３次元的なイ
オン注入工程を遂行して伝導領域を形成することで、対
象物が固有の透明性を維持することができるようにする
イオン注入による伝導領域の形成方法を提供することに
ある。
【００１３】本発明の第３の目的は、高分子化合物で制
作された移送道具、フィルム等の対象物に３次元的なイ
オン注入工程を遂行することで対象物の表面に全体的に
均一な伝導領域を形成することができるイオン注入によ
る伝導領域の形成方法を提供することにある。
作された移送道具、フィルム等の対象物に３次元的なイ
オン注入工程を遂行することで対象物の表面に全体的に
均一な伝導領域を形成することができるイオン注入によ
る伝導領域の形成方法を提供することにある。
【００１４】本発明の第４の目的は、高分子化合物で制
作された移送道具、フィルム等の対象物に３次元的はイ
オン注入工程を遂行して伝導領域を形成することで、対
象物の表面に蒸着された伝導膜がはがれ、その性質が変
成する従来の問題点を解決することができるイオン注入
による伝導領域の形成方法を提供することにある。
作された移送道具、フィルム等の対象物に３次元的はイ
オン注入工程を遂行して伝導領域を形成することで、対
象物の表面に蒸着された伝導膜がはがれ、その性質が変
成する従来の問題点を解決することができるイオン注入
による伝導領域の形成方法を提供することにある。
【００１５】本発明の第５の目的は、高分子化合物で制
作された移送道具、フィルム等の対象物に単一工程とし
て簡単に３次元的に伝導領域を形成することができるイ
オン注入による伝導領域の形成方法を提供することにあ
る。
作された移送道具、フィルム等の対象物に単一工程とし
て簡単に３次元的に伝導領域を形成することができるイ
オン注入による伝導領域の形成方法を提供することにあ
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１による
イオン注入による伝導領域の形成方法は、高分子化合物
からなる対象物の表面に加速されたイオンを注入するこ
とで伝導領域を形成する。
イオン注入による伝導領域の形成方法は、高分子化合物
からなる対象物の表面に加速されたイオンを注入するこ
とで伝導領域を形成する。
【００１７】本発明の請求項２によるイオン注入による
伝導領域の形成方法によると、イオンを冷プラズマ状態
で注入する。
伝導領域の形成方法によると、イオンを冷プラズマ状態
で注入する。
【００１８】本発明の請求項３によるイオン注入による
伝導領域の形成方法によると、高分子化合物として透明
性ポリマー、汎用ポリマー、エンジニアリングプラスチ
ック、前記汎用ポリマー及びエンジニアリングプラスチ
ックにフィラー（Filler）等の添加物を添加して機能性
を与えた機能性コンパウンドプラスチックの中からいず
れか一つを使用する。
伝導領域の形成方法によると、高分子化合物として透明
性ポリマー、汎用ポリマー、エンジニアリングプラスチ
ック、前記汎用ポリマー及びエンジニアリングプラスチ
ックにフィラー（Filler）等の添加物を添加して機能性
を与えた機能性コンパウンドプラスチックの中からいず
れか一つを使用する。
【００１９】本発明の請求項４によるイオン注入による
伝導領域の形成方法によると、対象物はＬＣＤモジュー
ル運搬箱、チップトレー、半導体キャリア用テープ、半
導体ウェーハ移送用キャリア、印刷回路基板運搬箱、電
子モジュール製品運搬箱、ＬＣＤ、ＬＣＤ薄膜フィル
ム、シート及び半導体運搬用ソケット電子波及び静電気
防止用自動車部品の中からいずれか一つである。
伝導領域の形成方法によると、対象物はＬＣＤモジュー
ル運搬箱、チップトレー、半導体キャリア用テープ、半
導体ウェーハ移送用キャリア、印刷回路基板運搬箱、電
子モジュール製品運搬箱、ＬＣＤ、ＬＣＤ薄膜フィル
ム、シート及び半導体運搬用ソケット電子波及び静電気
防止用自動車部品の中からいずれか一つである。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施例
を、添付した図面を参照して詳しく説明する。図１は、
本発明による３次元的なプラズマイオン注入によってＬ
ＣＤモジュール運搬箱の表面に伝導領域を形成する方法
を説明するための装置の概略図で、図２は、図１に図示
された内部チャンバーと外部チャンバーの斜視図であ
る。
を、添付した図面を参照して詳しく説明する。図１は、
本発明による３次元的なプラズマイオン注入によってＬ
ＣＤモジュール運搬箱の表面に伝導領域を形成する方法
を説明するための装置の概略図で、図２は、図１に図示
された内部チャンバーと外部チャンバーの斜視図であ
る。
【００２１】本発明によるプラズマイオン注入によって
ＬＣＤモジュール運搬箱、即ち対象物に伝導領域を形成
する装置はパーティクルの個数が制限されるクリーンル
ーム内部に設置されるし、図１に図示されたように高分
子化合物で制作されたＬＣＤモジュール運搬箱４が順次
的に積層されたローディング部２を備える。
ＬＣＤモジュール運搬箱、即ち対象物に伝導領域を形成
する装置はパーティクルの個数が制限されるクリーンル
ーム内部に設置されるし、図１に図示されたように高分
子化合物で制作されたＬＣＤモジュール運搬箱４が順次
的に積層されたローディング部２を備える。
【００２２】高分子化合物で透明性ポリマー、ＰＥ（ポ
リエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）、ＨＩＰＳ（ハイ−インパク
ト−ポリスチレン）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタ
ジエン−スチレン）等の汎用ポリマー、ＰＣ（ポリカー
ボネイト）、Ｎ６（ナイロン ６）、Ｎ６６（ナイロン
６６）、ＭＰＰＯ（改質酸化ポリペニレン）、ＰＳＵ
（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、
ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテルケトン）等のエンジ
ニアリングプラスチック及び汎用ポリマー又はエンジニ
アリングプラスチックに機能性を与えるためのフィラー
等を混合した機能性コンパウンドプラスチック等を使用
することができる。
リエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）、ＨＩＰＳ（ハイ−インパク
ト−ポリスチレン）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタ
ジエン−スチレン）等の汎用ポリマー、ＰＣ（ポリカー
ボネイト）、Ｎ６（ナイロン ６）、Ｎ６６（ナイロン
６６）、ＭＰＰＯ（改質酸化ポリペニレン）、ＰＳＵ
（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、
ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテルケトン）等のエンジ
ニアリングプラスチック及び汎用ポリマー又はエンジニ
アリングプラスチックに機能性を与えるためのフィラー
等を混合した機能性コンパウンドプラスチック等を使用
することができる。
【００２３】また、ローディング部２のＬＣＤモジュー
ル運搬箱４が移送手段によって投入されて工程の進行の
ために所定の時間待機する第１予備チャンバー６を備え
る。第１予備チャンバー６は第１低真空ポンプ８のポン
ピングによって１０-4Torr程度の内部圧力を維持する。
ル運搬箱４が移送手段によって投入されて工程の進行の
ために所定の時間待機する第１予備チャンバー６を備え
る。第１予備チャンバー６は第１低真空ポンプ８のポン
ピングによって１０-4Torr程度の内部圧力を維持する。
【００２４】そして、第１予備チャンバー６と冷プラズ
マ状態でイオン注入工程が進行される工程チャンバー１
１がゲートバルブ１０を間に互いに連結されている。工
程チャンバー１１は図２に図示したように円筒形状の外
部チャンバー１２とこれに収容された内部チャンバー１
４からなる。ここで、内部チャンバー１４の表面には複
数の流通ホール１５が形成されており、その内部には第
１予備チャンバー６から投入されたＬＣＤモジュール運
搬箱４の両端の端部をもって９０°回転することができ
るホルダー２６が備えられている。
マ状態でイオン注入工程が進行される工程チャンバー１
１がゲートバルブ１０を間に互いに連結されている。工
程チャンバー１１は図２に図示したように円筒形状の外
部チャンバー１２とこれに収容された内部チャンバー１
４からなる。ここで、内部チャンバー１４の表面には複
数の流通ホール１５が形成されており、その内部には第
１予備チャンバー６から投入されたＬＣＤモジュール運
搬箱４の両端の端部をもって９０°回転することができ
るホルダー２６が備えられている。
【００２５】また、工程チャンバー１１の外部チャンバ
ー１２には外部チャンバー１２と内部チャンバー１４の
間の離隔空間の内部圧力を１０-6Torr程度で形成するこ
とができる高真空ポンプ１６が連結されている。
ー１２には外部チャンバー１２と内部チャンバー１４の
間の離隔空間の内部圧力を１０-6Torr程度で形成するこ
とができる高真空ポンプ１６が連結されている。
【００２６】そして、工程チャンバー１１の外部チャン
バー１２の一側には窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウム
ガス、水素ガス等の反応ガスを外部チャンバー１２と内
部チャンバー１４の間の離隔空間に供給することができ
るガス供給源２０が連結されており、工程チャンバー１
１の外部チャンバー１２の他の一側には窒素ガス、アル
ゴンガス、ヘリウムガス、水素ガス等によって発生され
たイオンをやはり外部チャンバー１２と内部チャンバー
１４の間の離隔空間に供給することができるイオンガン
２２が連結されている。
バー１２の一側には窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウム
ガス、水素ガス等の反応ガスを外部チャンバー１２と内
部チャンバー１４の間の離隔空間に供給することができ
るガス供給源２０が連結されており、工程チャンバー１
１の外部チャンバー１２の他の一側には窒素ガス、アル
ゴンガス、ヘリウムガス、水素ガス等によって発生され
たイオンをやはり外部チャンバー１２と内部チャンバー
１４の間の離隔空間に供給することができるイオンガン
２２が連結されている。
【００２７】また、工程チャンバー１１の内部チャンバ
ー１４にはパルスジェネレーター（図示せず）によって
調節された高周波電力を与えることができる電源２８が
連結されているし、電源２８、外部チャンバー１２及び
内部チャンバー１４は同一地点に接地されている。
ー１４にはパルスジェネレーター（図示せず）によって
調節された高周波電力を与えることができる電源２８が
連結されているし、電源２８、外部チャンバー１２及び
内部チャンバー１４は同一地点に接地されている。
【００２８】工程チャンバー１１と第２予備チャンバー
３０がゲートバルブ３２を間に互いに連結されている。
第２予備チャンバー３０は第２低真空ポンプ３４のポン
ピングによって１０-4 Torrの程度の内部圧力を維持す
る。
３０がゲートバルブ３２を間に互いに連結されている。
第２予備チャンバー３０は第２低真空ポンプ３４のポン
ピングによって１０-4 Torrの程度の内部圧力を維持す
る。
【００２９】以下、前述した構造からなるプラズマイオ
ン注入設備を利用してＬＣＤモジュール運搬箱に伝導領
域を形成する方法を図３を参照して詳しく説明する。本
発明による３次元的なプラズマイオン注入による伝導領
域を形成する方法はＳ２段階で工程チャンバー１１の内
部チャンバー１４に伝導領域形成対象物であるＬＣＤモ
ジュール運搬箱４を投入することから始まる。
ン注入設備を利用してＬＣＤモジュール運搬箱に伝導領
域を形成する方法を図３を参照して詳しく説明する。本
発明による３次元的なプラズマイオン注入による伝導領
域を形成する方法はＳ２段階で工程チャンバー１１の内
部チャンバー１４に伝導領域形成対象物であるＬＣＤモ
ジュール運搬箱４を投入することから始まる。
【００３０】ＬＣＤモジュール運搬箱４の投入は移送手
段によってローディング部２で第１低真空ポンプ８によ
って１０-4Torr程度の内部圧力を維持している第１予備
チャンバー６に移送された後、再び移送手段によってゲ
ートバルブ１０を通じて内部チャンバー１４に移送され
ることになる。
段によってローディング部２で第１低真空ポンプ８によ
って１０-4Torr程度の内部圧力を維持している第１予備
チャンバー６に移送された後、再び移送手段によってゲ
ートバルブ１０を通じて内部チャンバー１４に移送され
ることになる。
【００３１】この際、工程チャンバー１１は、高真空ポ
ンプ１６によって１０-6Torr程度の内部圧力を維持する
ようになる。
ンプ１６によって１０-6Torr程度の内部圧力を維持する
ようになる。
【００３２】続いて、Ｓ４段階でガス供給源２０は外部
チャンバー１２と内部チャンバー１４の離隔空間の内部
に反応ガスを供給し、電源２８ではパルスジェネレータ
ーによって調節された特定電流、電圧、及び周波数等を
持つ高周波電力を内部チャンバー２８に与えて外部チャ
ンバー１２と内部チャンバー１４の間の離隔空間に磁場
を形成することによって反応ガスは磁場によってエネル
ギーを受けて冷プラズマ（Cold plasma）状態に転換す
る。
チャンバー１２と内部チャンバー１４の離隔空間の内部
に反応ガスを供給し、電源２８ではパルスジェネレータ
ーによって調節された特定電流、電圧、及び周波数等を
持つ高周波電力を内部チャンバー２８に与えて外部チャ
ンバー１２と内部チャンバー１４の間の離隔空間に磁場
を形成することによって反応ガスは磁場によってエネル
ギーを受けて冷プラズマ（Cold plasma）状態に転換す
る。
【００３３】次に、Ｓ６段階でイオンガン２２は窒素ガ
ス、アルゴンガス、ヘリウムガス、水素ガス等から発生
したイオンを外部チャンバー１２と内部チャンバー１４
の間の離隔空間に供給する。
ス、アルゴンガス、ヘリウムガス、水素ガス等から発生
したイオンを外部チャンバー１２と内部チャンバー１４
の間の離隔空間に供給する。
【００３４】続いて、Ｓ８段階ではＳ６段階で外部チャ
ンバー１２と内部チャンバー１４の間の離隔空間に存在
する冷プラズマ状態のイオンが内部チャンバー１４の流
通ホール１５を通じて内部チャンバー１４に供給されて
ＬＣＤモジュール運搬箱４の全表面に３次元的に１次イ
オン注入されて伝導領域を形成する。
ンバー１２と内部チャンバー１４の間の離隔空間に存在
する冷プラズマ状態のイオンが内部チャンバー１４の流
通ホール１５を通じて内部チャンバー１４に供給されて
ＬＣＤモジュール運搬箱４の全表面に３次元的に１次イ
オン注入されて伝導領域を形成する。
【００３５】１次イオン注入工程を進行することにおい
て、イオンエネルギーは３０ＫｅＶ乃至２ＧｅＶである
し、前記イオンは数百Å乃至数μｍの厚さで１０Ｅ４Ω
／Square乃至１０Ｅ１３Ω／Squareの領域で表面抵抗
を、例えば１０Ｅ８Ω／Square乃至１０Ｅ９Ω／Square
のように精密に制御されて注入されるし、イオンドーズ
量は１×１０2ions／ｃｍ2乃至５×１０20ions／ｃｍ2
以上も可能である。
て、イオンエネルギーは３０ＫｅＶ乃至２ＧｅＶである
し、前記イオンは数百Å乃至数μｍの厚さで１０Ｅ４Ω
／Square乃至１０Ｅ１３Ω／Squareの領域で表面抵抗
を、例えば１０Ｅ８Ω／Square乃至１０Ｅ９Ω／Square
のように精密に制御されて注入されるし、イオンドーズ
量は１×１０2ions／ｃｍ2乃至５×１０20ions／ｃｍ2
以上も可能である。
【００３６】次に、Ｓ１０段階でＬＣＤモジュール運搬
箱４をホルダー２６を利用して９０°回転するか、所定
の角度連続往復回転する。続いて、Ｓ１２段階で再びＬ
ＣＤモジュール運搬箱４の全表面に３次元的にイオンを
注入する２次イオン注入工程を遂行して再び伝導領域を
強化する。
箱４をホルダー２６を利用して９０°回転するか、所定
の角度連続往復回転する。続いて、Ｓ１２段階で再びＬ
ＣＤモジュール運搬箱４の全表面に３次元的にイオンを
注入する２次イオン注入工程を遂行して再び伝導領域を
強化する。
【００３７】Ｓ１２段階は省略することができるが、１
次イオン注入によってＬＣＤモジュール運搬箱４の一部
の表面にイオン注入量が一定でないかもしれないのでま
た対象物を９０°回転するか、所定角度往復回転させて
イオン注入工程を遂行することでＬＣＤモジュール運搬
箱４の全表面にイオン注入量が均一になるようにする。
次イオン注入によってＬＣＤモジュール運搬箱４の一部
の表面にイオン注入量が一定でないかもしれないのでま
た対象物を９０°回転するか、所定角度往復回転させて
イオン注入工程を遂行することでＬＣＤモジュール運搬
箱４の全表面にイオン注入量が均一になるようにする。
【００３８】この際、ＬＣＤモジュール運搬箱４の全表
面は前述した１次及び２次イオン注入工程によって図４
の（ａ）に図示したようにボンド（Bond）が飽和する
か、図４の（ｂ）に図示したようにチェーン（Chain）
の分裂が発生するか、図４の（ｃ）に図示したように各
チェーンのクロスリンキング（Cross−linking）が発生
する等によって好ましい電気伝導性を有する伝導領域が
形成されるし、また、付加的に表面の硬度はさらに向上
する。
面は前述した１次及び２次イオン注入工程によって図４
の（ａ）に図示したようにボンド（Bond）が飽和する
か、図４の（ｂ）に図示したようにチェーン（Chain）
の分裂が発生するか、図４の（ｃ）に図示したように各
チェーンのクロスリンキング（Cross−linking）が発生
する等によって好ましい電気伝導性を有する伝導領域が
形成されるし、また、付加的に表面の硬度はさらに向上
する。
【００３９】そして、イオンの種類、イオンエネルギー
等を調節することでＬＣＤモジュール運搬箱４の表面が
親水性又は疎水性を有するように調節することができる
し、イオン注入によって防塩処理も向上させることがで
きる。そして、イオン注入工程に伝導領域が形成するこ
とでＬＣＤモジュール運搬箱４が固有の透明性を維持し
て作業者がＬＣＤモジュール運搬箱４に積載されるＬＣ
Ｄモジュールの記載事項を容易に判読することができ
る。
等を調節することでＬＣＤモジュール運搬箱４の表面が
親水性又は疎水性を有するように調節することができる
し、イオン注入によって防塩処理も向上させることがで
きる。そして、イオン注入工程に伝導領域が形成するこ
とでＬＣＤモジュール運搬箱４が固有の透明性を維持し
て作業者がＬＣＤモジュール運搬箱４に積載されるＬＣ
Ｄモジュールの記載事項を容易に判読することができ
る。
【００４０】また、本実施例のＬＣＤモジュール運搬箱
４は自体の荷重を維持することで従来のＬＣＤモジュー
ル運搬箱より軽い。
４は自体の荷重を維持することで従来のＬＣＤモジュー
ル運搬箱より軽い。
【００４１】最後に、Ｓ１４段階で工程チャンバー１１
の内部チャンバー１４の内部で伝導領域が形成されたＬ
ＣＤモジュール運搬箱４を外部に放出する。ＬＣＤモジ
ュール運搬箱４の放出はＬＣＤモジュール運搬箱４が移
送手段によってゲートバルブ３２を通じて第２低真空ポ
ンプ３４によって１０−４Torr程度の内部圧力を維持す
る第２予備チャンバー３０に移送されることでなる。
の内部チャンバー１４の内部で伝導領域が形成されたＬ
ＣＤモジュール運搬箱４を外部に放出する。ＬＣＤモジ
ュール運搬箱４の放出はＬＣＤモジュール運搬箱４が移
送手段によってゲートバルブ３２を通じて第２低真空ポ
ンプ３４によって１０−４Torr程度の内部圧力を維持す
る第２予備チャンバー３０に移送されることでなる。
【００４２】本実施例はＬＣＤモジュール運搬箱に限定
して説明したが、当業者は、透明性ポリマー、ＰＥ（ポ
リエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）、ＨＩＰＳ（ハイ−インパク
ト−ポリスチレン）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタ
ジエン−スチレン）等の汎用ポリマー、ＰＣ（ポリカー
ボネイト）、Ｎ６（ナイロン ６）、Ｎ６６（ナイロン
６６）、ＭＰＰＯ（改質酸化ポリペニレン）、ＰＳＵ
（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、
ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテルケトン）等のエンジ
ニアリングプラスチック及び汎用ポリマー又はエンジニ
アリングプラスチックに機能性を与えるためのフィラー
等を混合した機能性コンパウンドプラスチック等の高分
子化合物を使用して制作されたチップトレー、半導体キ
ャリア用テープ、半導体ウェーハ移送用キャリア、印刷
回路基板運搬箱、電子モジュール製品運搬箱、ＬＣＤ、
ＬＣＤ薄膜フィルム、ＬＣＤモジュール運搬箱、シー
ト、半導体運搬用ソケット及び電子波及び静電気防止用
自動車部品等に幅広く応用して実施することができるの
は明白である。
して説明したが、当業者は、透明性ポリマー、ＰＥ（ポ
リエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＥＴ（ポリ
エチレンテレフタレート）、ＨＩＰＳ（ハイ−インパク
ト−ポリスチレン）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタ
ジエン−スチレン）等の汎用ポリマー、ＰＣ（ポリカー
ボネイト）、Ｎ６（ナイロン ６）、Ｎ６６（ナイロン
６６）、ＭＰＰＯ（改質酸化ポリペニレン）、ＰＳＵ
（ポリスルホン）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、
ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテルケトン）等のエンジ
ニアリングプラスチック及び汎用ポリマー又はエンジニ
アリングプラスチックに機能性を与えるためのフィラー
等を混合した機能性コンパウンドプラスチック等の高分
子化合物を使用して制作されたチップトレー、半導体キ
ャリア用テープ、半導体ウェーハ移送用キャリア、印刷
回路基板運搬箱、電子モジュール製品運搬箱、ＬＣＤ、
ＬＣＤ薄膜フィルム、ＬＣＤモジュール運搬箱、シー
ト、半導体運搬用ソケット及び電子波及び静電気防止用
自動車部品等に幅広く応用して実施することができるの
は明白である。
【００４３】
【発明の効果】従って、本発明によると高分子化合物で
制作された対象物の表面に加速されたイオンを冷プラズ
マの領域で３次元的に注入して伝導領域を均一に形成す
ることで既存のカーボン及びカーボンファイバー等の添
加物が混合された母材よりさらに母材を軽量化すること
で物流運送費用を節減し、対象物固有の透明性を維持す
ることができるようにし、表面全体的に均一な伝導領域
を形成することができるようにする効果がある。
制作された対象物の表面に加速されたイオンを冷プラズ
マの領域で３次元的に注入して伝導領域を均一に形成す
ることで既存のカーボン及びカーボンファイバー等の添
加物が混合された母材よりさらに母材を軽量化すること
で物流運送費用を節減し、対象物固有の透明性を維持す
ることができるようにし、表面全体的に均一な伝導領域
を形成することができるようにする効果がある。
【００４４】対象物がフィルムである場合、従来のよう
にフィルム上に蒸着された伝導膜がはがれたり、その性
質が化学的に変成することを防止する効果がある。
にフィルム上に蒸着された伝導膜がはがれたり、その性
質が化学的に変成することを防止する効果がある。
【００４５】また、対象物の表面硬度を増大させること
ができるし、高価なカーボン及びカーボンファイバー等
を全然使用しないので製造経費を節減することができる
という効果がある。
ができるし、高価なカーボン及びカーボンファイバー等
を全然使用しないので製造経費を節減することができる
という効果がある。
【００４６】カーボン及びカーボンファイバー等の混合
物を母材として使用しないのでカーボン及びカーボンフ
ァイバーを混合した母材が有する臭性及び加工性、不透
明性及び低いリサイクル率等の問題点を解決することが
できるし、表面のカーボン粒子が移送製品の汚染源とし
て作用することを防止する効果がある。
物を母材として使用しないのでカーボン及びカーボンフ
ァイバーを混合した母材が有する臭性及び加工性、不透
明性及び低いリサイクル率等の問題点を解決することが
できるし、表面のカーボン粒子が移送製品の汚染源とし
て作用することを防止する効果がある。
【００４７】以上で、本発明は記載された具体例につい
てのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形および修正が可能であることは当業者にとって
明白なことであり、このような変形および修正が添付さ
れた特許請求範囲に属するのは当然である。
てのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多
様な変形および修正が可能であることは当業者にとって
明白なことであり、このような変形および修正が添付さ
れた特許請求範囲に属するのは当然である。
【図１】本発明による３次元的なプラズマイオン注入に
よって伝導領域を形成する方法を説明するためのイオン
注入装置の概略図である。
よって伝導領域を形成する方法を説明するためのイオン
注入装置の概略図である。
【図２】図１に図示した内部チャンバーと外部チャンバ
ーの斜視図である。
ーの斜視図である。
【図３】本発明による３次元的なプラズマイオン注入に
よってＬＣＤモジュール運搬箱表面に伝導領域を形成す
る方法の一実施例を説明するための工程図である。
よってＬＣＤモジュール運搬箱表面に伝導領域を形成す
る方法の一実施例を説明するための工程図である。
【図４】本発明によってＬＣＤモジュール運搬箱に３次
元的なプラズマイオン注入工程を遂行することで現れる
ＬＣＤモジュール運搬箱表面の分子鎖の変化を説明する
ための図面である。
元的なプラズマイオン注入工程を遂行することで現れる
ＬＣＤモジュール運搬箱表面の分子鎖の変化を説明する
ための図面である。
２ ローディング部 ４ ＬＣＤモジュール運搬箱 ６ 第１予備チャンバー ８ 第１低真空ポンプ １０、３２ ゲートバルブ １１ 工程チャンバー １２ 外部チャンバー １４ 内部チャンバー １５ 流通ホール １６ 高真空ポンプ ２０ ガス供給源 ２２ イオンガン ２６ ホルダー ２８ 電源 ３０ 第２予備チャンバー ３４ 第２低真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/00 Ｂ６５Ｄ 85/38 Ｄ Ｓ Ｆターム(参考） 3E096 BA08 DA14 DC01 EA02X EA02Y FA07 GA02 4K029 AA11 AA26 BA32 BC03 BD00 CA10 DE01 5C034 CC07 CC19 5F031 CA02 CA13 DA01 DA05 FA01 FA02
Claims (4)
- 【請求項１】 高分子化合物からなる対象物の表面に加
速されたイオンを注入することで伝導領域を形成するこ
とを特徴とするイオン注入による伝導領域の形成方法。 - 【請求項２】 前記イオンを冷プラズマ状態で注入する
ことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入による伝
導領域の形成方法。 - 【請求項３】 前記高分子化合物として透明性ポリマ
ー、汎用ポリマー、エンジニアリングプラスチック、前
記汎用ポリマー及びエンジニアリングプラスチックにフ
ィラー等の添加物を添加して機能性を与えた機能性コン
パウンドプラスチックの中からいずれか一つを使用する
ことを特徴とする請求項１に記載のイオン注入による伝
導領域の形成方法。 - 【請求項４】 前記対象物はＬＣＤモジュール運搬箱、
チップトレー、半導体キャリア用テープ、半導体ウェー
ハ移送用キャリア、印刷回路基板運搬箱、電子モジュー
ル製品運搬箱、ＬＣＤ、ＬＣＤ薄膜フィルム、シート及
び半導体運搬用ソケット電子波及び静電気防止用自動車
部品の中からいずれか一つであることを特徴とする請求
項１に記載のイオン注入による伝導領域の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000012852A KR20000036440A (ko) | 2000-03-14 | 2000-03-14 | 3차원적인 이온주입에 의한 도전영역 형성방법 |
| KR2000-12852 | 2000-03-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274233A true JP2001274233A (ja) | 2001-10-05 |
| JP3351779B2 JP3351779B2 (ja) | 2002-12-03 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000170042A Expired - Fee Related JP3351779B2 (ja) | 2000-03-14 | 2000-06-07 | イオン注入による伝導領域の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (2) | KR20000036440A (ja) |
| CN (1) | CN1232676C (ja) |
| SG (1) | SG98406A1 (ja) |
| TW (1) | TW463243B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101572156B1 (ko) | 2010-11-09 | 2015-11-26 | 삼성전자 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
| KR20210087574A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-07-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 이에 사용되는 고분자 소재 및 이의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100442309B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2004-07-30 | 주식회사 에폰 | 필름상 중합체의 연속 표면처리장치 및 연속 표면처리방법 |
| JP2013161969A (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-19 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置 |
| CN103881130B (zh) * | 2014-03-25 | 2015-01-14 | 北京印刷学院 | 大气压等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线 |
| KR102616131B1 (ko) | 2020-08-24 | 2023-12-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 이온 주입 처리 장치 및 이온 주입 처리 방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287147A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
| JP2704438B2 (ja) * | 1989-09-04 | 1998-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
| JP3047138B2 (ja) * | 1991-09-06 | 2000-05-29 | グローリー工業株式会社 | 湿度センサの製造方法 |
| JPH07249394A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Hitachi Ltd | イオン注入方法及び装置 |
| JP3060876B2 (ja) * | 1995-02-15 | 2000-07-10 | 日新電機株式会社 | 金属イオン注入装置 |
| KR100252782B1 (ko) * | 1995-12-28 | 2000-04-15 | 김덕중 | 전도성 고분자 박막 제조방법 및 제조장치 |
| JPH11195397A (ja) * | 1998-01-05 | 1999-07-21 | Masanobu Nunogaki | 低エネルギー重イオン立体照射法 |
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2000
- 2000-03-14 KR KR1020000012852A patent/KR20000036440A/ko active Search and Examination
- 2000-05-26 TW TW89110221A patent/TW463243B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2000-06-07 JP JP2000170042A patent/JP3351779B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-07 CN CN 00124374 patent/CN1232676C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-08 KR KR20010012069A patent/KR100415013B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101572156B1 (ko) | 2010-11-09 | 2015-11-26 | 삼성전자 주식회사 | 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법 |
| KR20210087574A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-07-13 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 이에 사용되는 고분자 소재 및 이의 제조 방법 |
| KR102292851B1 (ko) * | 2019-12-16 | 2021-08-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치, 이에 사용되는 고분자 소재 및 이의 제조 방법 |
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