JP2001272924A

JP2001272924A - 電気光学装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001272924A
Application number: JP2000082533A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Ono; 陽一小野
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-03-23
Filing date: 2000-03-23
Publication date: 2001-10-05

Abstract

(57)【要約】【課題】電気光学装置において、基板上に露出形成さ
れた配線パターンのコロージョンを防止するための構造
及び製法を提供する。【解決手段】液晶表示パネル１０の基板張出部１１ａ
の表面に対して、酸素（Ｏ₂）プラズマ処理を施し、露
出した透明基板１１の表面を清浄化するとともに、基板
張出部１１ａ上の配線部１３ａ，１３ｂの全表面に薄い
絶縁酸化膜１９を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電気光学装置及びそ
の製造方法に係り、特に、電気光学装置の基板上に形成
された配線パターンの構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、電気光学パネルの一例としての
液晶パネルにおいては、例えば、図１０に示すように、
２枚の透明基板１，２をシール材７によって貼り合わ
せ、このシール材７の内側に図示しない電気光学材料で
ある液晶が封入されて、透明基板上に液晶層を配置して
いる。

【０００３】透明基板１は、透明基板２の外形よりも外
側に張り出してなる基板張出部１ａを備え、この基板張
出部１ａの表面上には、シール材７の内側領域である液
晶封入領域の内部から引き出された配線部３ａ，３ｂを
有する配線パターンが形成される。ここで、配線部３ａ
は透明基板１上の透明電極から引き出されたものであ
り、配線部３ｂは透明基板３ｂ上の透明電極から上下導
通部としてのシール材７の一部を経て導電接続されたも
のである。この配線パターンは、透明基板１，２の表面
（相互に対向する内表面）上に形成された透明電極と同
時に形成されたものであり、一般にＩＴＯ（インジウム
スズ酸化物）からなる。

【０００４】上記配線パターンの配線部３ａ，３ｂの先
端部は、外部のフレキシブル基板等の配線部材、コネク
タ類、ＩＣチップ等などの液晶パネルを駆動するための
信号を供給する外部回路に対して導電接続される端子部
３ｄとなっている。これらの端子部３ｄは透明基板１の
基板張出部１ａの外縁に沿って並列配置されている。

【０００５】上記端子部３ｄに対して各種部材が実装さ
れた後、最終的に、液晶パネルに付着した塵埃や水分な
どイオン性の汚染物に起因する配線パターンの電解腐食
（電蝕、或いは、コロージョン）を防止するために、上
記基板張出部１ａの表面上にシリコーン樹脂などが塗布
され、封止される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
液晶装置においては、表示容量が増大して電極及び配線
の線幅や間隔が狭小化してきているとともに、電気光学
パネル駆動の高デューティ化に伴って駆動電圧が上昇し
てきているために、配線パターンにコロージョンが発生
しやすくなってきており、上記のような樹脂封止のみで
はコロージョンを十分に防止することが困難になってき
ている。

【０００７】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、電気光学装置において、基板上に
露出形成された配線パターンのコロージョンを防止する
ための構造及び製法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の電気光学装置は、基板上に配置された電気光
学物質を有する電気光学パネルと、前記基板上に配置さ
れた電極と、前記基板上に配置され、前記電極に電気的
に接続され、かつ前記電気光学パネルを駆動するための
外部回路が接続される、端子部を備えた配線パターン
と、を有する電気光学装置であって、前記配線パターン
上に前記配線パターンの表面を酸化することにより形成
された絶縁被覆層が形成されていることを特徴とする。
この発明によれば、配線パターンの表面を酸化すること
により形成された絶縁被覆層を備えていることにより、
基板表面上に露出した配線パターンの電解腐食を防止す
ることができる。また、絶縁被覆層が配線パターンの表
面の酸化によって形成されているので、配線パターン上
に薄く形成されていても密着性及び機密性が高いため、
有効な絶縁性を確保することができる。

【０００９】本発明において、前記配線パターンはＩＴ
Ｏからなり、少なくとも前記端子部上の前記絶縁被覆層
の厚さが３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下であることが好まし
い。この手段によれば、絶縁被覆層によるコロージョン
の発生防止を図ることができると同時に、絶縁被覆層を
介しても端子部と他部材との導電接続を容易に得ること
ができる。ＩＴＯからなる絶縁被覆層において、上記厚
さの範囲を下回ると充分な絶縁性が得られずに、コロー
ジョンの防止を図ることが困難になり、上記範囲を上回
ると、端子部と他部材の間の導電接続性が悪化し、両者
間の接触抵抗が増大する。ここで、上記絶縁被覆層にお
いては、端子部上の部分のみが上記範囲内の厚さであっ
てもよく、或いは、配線パターン全体が上記範囲内の厚
さであってもよい。

【００１０】本発明において、前記配線パターン上の前
記絶縁被覆層の厚さが前記配線パターンの厚さの１／２
以下であることが好ましい。配線パターン上の絶縁被覆
層の厚さが配線パターンの厚さの１／２以下であれば、
通常の配線パターンに対して酸化処理を施して絶縁被覆
層を形成しても、配線パターンの配線抵抗の大幅な増加
は抑制される。１／２を越えると、配線抵抗の増大によ
って電気光学装置の駆動に支障が生ずる。

【００１１】本発明において、前記端子部の少なくとも
一部に前記絶縁被覆層の非形成領域が設けられているこ
とが好ましい。絶縁被覆層の非形成領域が設けられてい
ることによって、端子部と他部材との接触抵抗を低減
し、導電接続性を良好にすることができる。ここで、非
接触領域は端子部上の部分において全面的に設けられて
いてもよい。

【００１２】本発明において、複数の前記端子部が並列
配置され、前記非形成領域は、前記端子部の並列方向に
見て前記端子部の全幅のうち一部に限定された領域であ
って、隣接する前記端子部においてほぼ対応する位置に
設けられていることが好ましい。この手段によれば、非
形成領域が端子部の全幅の一部に限定されるように設け
られ、隣接する端子部においてほぼ対応する位置に設け
られていることにより、隣接する一方の端子部の非形成
領域と他方の端子部の非形成領域との間には、必ず絶縁
被覆層で覆われた領域が存在することとなるので、隣接
する端子部間において電解腐食が進行する可能性を低減
することができる。

【００１３】本発明において、前記端子部上においてそ
れぞれ複数の前記非形成領域が分散するように設けられ
ていることが好ましい。端子部上に複数の非形成領域が
分散するように設けられていることにより、端子部と他
部材との接触不良の確率を低減できると同時に、コロー
ジョンの発生確率をも低減できる。

【００１４】次に、本発明の電気光学装置の製造方法
は、電極を表面に備えた基板に沿って配置された電気光
学物質を備えてなり、端子部を備えた配線パターンを前
記基板の表面上に前記電気光学物質から露出した状態で
有する電気光学装置の製造方法において、前記配線パタ
ーンの表面を酸化することにより絶縁被覆層を形成する
ことを特徴とする。

【００１５】本発明において、前記絶縁被覆層は酸素プ
ラズマ処理によって形成されることが好ましい。酸素プ
ラズマ処理によって配線パターンの表面を容易に酸化す
ることができる。ここで、酸素プラズマ処理は、生産性
を向上させるために大気圧プラズマ装置によって行われ
ることが望ましい。

【００１６】なお、上記各発明においては、配線パター
ンは透明導電膜で構成されていることが好ましく、特に
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で形成されていること
が望ましい。また、配線パターンは基板に形成された走
査電極、データ信号電極あるいは画素電極などの電極と
同時に同材質で形成されたものであることが望ましい。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る電気光学装置及びその製造方法の実施形態につい
て詳細に説明する。

【００１８】［第１実施形態］図１は本実施形態におけ
る電気光学パネルである液晶パネル１０の一部を拡大し
て示す拡大部分断面図であり、図２は液晶パネル１０の
拡大部分平面図である。

【００１９】本実施形態の液晶パネル１０は、図１０に
示す従来例とほぼ同様の基本構造を備えており、透明基
板１１と１２とがシール材１７を介して貼り合わせられ
る。シール材１７の内側に電気光学物質材料である液晶
１８が封入されて、透明基板上に液晶が配置される。透
明基板１１の透明基板１２と対向する面（対向面）上に
は、シール材１７の付着される部分の内側（すなわち液
晶封入領域に相当する部分）にストライプ状の複数のＩ
ＴＯからなる透明電極１３が形成され、これと同時に、
基板張出部１１ａの表面上にもＩＴＯからなる配線パタ
ーンである配線部１３ａ，１３ｂが形成されている。配
線部１３ａ，１３ｂの先端部は端子部１３ｄとして用い
られる。配線部１３ａは透明電極１３に導電接続されて
いる。

【００２０】透明電極１３の上には、酸化シリコンなど
からなる図示しない絶縁膜（オーバーコート膜）が必要
に応じて形成され、その上にさらに、配向膜１４が塗布
形成される。

【００２１】また、透明基板１２の透明基板１１と対向
する面上にも、ＩＴＯからなる透明電極１５が形成され
る。表示領域では、透明電極１５は、透明基板１１上の
電極１３と直交する方向に延在するストライプ状に配置
される。その上に必要に応じて図示しない絶縁膜が形成
され、さらにその上に配向膜１６が積層形成される。透
明電極１５は上下導通部を介して上記配線部１３ｂに導
電接続される。

【００２２】次に、上記のように形成された液晶表示パ
ネル１０の基板張出部１１ａの表面に対して、酸素（Ｏ
₂）プラズマ処理を施し、露出した透明基板１１の表面
を清浄化するとともに、基板張出部１１ａ上の配線部１
３ａ，１３ｂの全表面に薄い絶縁酸化膜１９を形成す
る。酸素プラズマ処理は、酸素ガスに、必要に応じて適
宜の不活性ガス（Ａｒガス）等を混合したものを、高電
圧の印加によってプラズマ化し、このプラズマに被処理
材をさらすものである。酸素プラズマ処理は低温で処理
できる点で好ましい。

【００２３】特に、大気圧化で上記プラズマを被処理材
（液晶表示パネル）に吹き付ける大気圧プラズマ装置に
て処理を行うことが製造効率上好ましい。

【００２４】上記のようにして全面的に絶縁酸化膜１９
の形成された配線部１３ａ，１３ｂの先端に設けられた
端子部１３ｄの拡大平面図を図４に示す。

【００２５】絶縁酸化膜１９は、３ｎｍ以上で、２０ｎ
ｍ以下の厚さ、及び、酸化前の配線部１３ａ，１３ｂの
厚さの１／３以下の厚さ、或いは、酸化後の配線部の厚
さの１／２以下の厚さに形成することが好ましい。

【００２６】絶縁酸化膜１９の膜厚が３ｎｍを下回る
と、絶縁効果が得られなくなり、配線間のコロージョン
を有効に防止することができない。

【００２７】また、絶縁酸化膜１９の膜厚が２０ｎｍを
超えると、端子部１３ｄにおいてフレキシブル基板、コ
ネクタ、ＩＣチップなど液晶パネルに駆動電圧を供給す
る外部回路との導電接続を良好に行うことができなくな
り、接続抵抗が増大して液晶駆動に悪影響を及ぼす。例
えば、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を介して端子部と
フレキシブル基板やＩＣチップの電極とを導電接続する
場合、絶縁酸化膜１９が薄ければＡＣＦ中の導電性粒子
が絶縁酸化膜１９を突き抜けることができるので良好な
導電性を確保することができるが、絶縁酸化膜１９が厚
くなると導電性粒子が突き抜けることができなくなり、
接触抵抗が急増するものと思われる。金属部同士の導電
接触の場合もほぼ同様であると思われる。

【００２８】さらに、絶縁酸化膜１９の膜厚が当初配線
部の厚さの１／３、絶縁酸化膜形成後の配線部の厚さの
１／２を超えると、配線部の元の導電性に比べて配線抵
抗が増大してやはり液晶駆動に悪影響を及ぼす。

【００２９】図３は、上記実施形態の変形例を示す拡大
部分平面図である。この変形例は、基板張出部１１ａの
表面上に、液晶駆動回路を内蔵するＩＣチップ（半導体
装置）２０を実装する、いわゆるＣＯＧ（チップオング
ラス）タイプの液晶表示パネルを示すものである。この
変形例では、基板張出部１１ａの表面上に、配線部１３
１ａ、１３１ｂが形成され、これらは上記配線部１３
ａ、１３ｂに対応するものである。これらの配線部１３
１ａ，１３１ｂはＩＣチップ２０の実装領域に配列形成
された端子部１３１ｄを備えている。

【００３０】また、基板張出部１１ａの外縁部近傍に配
線パターンである入力配線部１３２が配列形成されてお
り、ＩＣチップ２０の実装領域には入力配線部１３２の
内端に設けられた端子部１３２ｃが配列され、一方、入
力配線部１３２の外端に設けられた端子部１３２ｄは基
板張出部１１ａの外縁に沿って配列形成されている。

【００３１】上記配線パターンを構成する配線部１３１
ａ，１３１ｂ及び入力配線部１３２はいずれも上記実施
形態と同様に透明電極と同時に同じＩＴＯで形成されて
いる。この変形例においても、上記実施形態と同様に配
線パターンの表面上に絶縁酸化膜が形成され、上記各端
子部１３１ｄ、１３２ｃ、１３２ｄについては、上記端
子部１３ｄと同様に作用する。

【００３２】本実施形態では、ＩＴＯからなる配線部の
表面を酸化処理することによって配線間の絶縁性を確保
しているので、酸化シリコン等の絶縁材料を塗布する必
要がなく、絶縁材料を塗布する場合に比べて密着性や機
密性の点で優れているため、膜厚が薄くても充分な絶縁
性を確保することができる。また、配線パターンを全面
的に絶縁酸化膜１９が被覆するようにしているためにパ
ターニングの必要がなく、さらに、他部材に導電接続さ
れる端子部１３ｄ上にも絶縁酸化膜１９が形成されてい
ることにより、端子部間において発生するコロージョン
も確実に防止することができる。

【００３３】［第２実施形態］次に、本発明に係る電気
光学装置及びその製造方法の第２実施形態について図５
を用いて説明する。この実施形態は、上記第１実施形態
と同様の基本構造を備えた液晶表示パネルを有するの
で、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略
する。

【００３４】この実施形態では、上記第１実施形態で説
明した絶縁酸化膜１９と同じ方法で形成され同材質の絶
縁酸化膜２９が配線部１３ａ，１３ｂ（１３ｂは図示せ
ず）の表面に形成されているが、配線部の先端に設けら
れた端子部１３ｄ上には絶縁酸化膜２９が形成されてお
らず、端子部１３ｄの表面のほぼ全面が絶縁酸化膜の非
形成領域Ａとなっている点でのみ、第１実施形態と異な
る。

【００３５】この実施形態では、端子部１３ｄ上に予め
レジスト等のマスクを選択的に形成し、その状態で、上
記の酸素プラズマ処理を施すことによって、端子部１３
ｄ上のみ絶縁酸化膜２９が形成されず、上記の非形成領
域Ａとなる。

【００３６】本実施形態においては、端子部１３ｄ上に
絶縁酸化膜２９が形成されていないため、フレキシブル
基板、コネクタ、ＩＣチップ等に対する導電接続性を考
慮することなく、端子部１３ｄ以外の配線部１３ａ，１
３ｂの表面を被覆する絶縁酸化膜２９を確実に形成する
ことができる。ただし、この実施形態の場合でも、配線
抵抗の増加を抑制する観点から、絶縁酸化膜２９の厚さ
が配線部１３ａ，１３ｂの厚さの１／３以下であること
が好ましい。

【００３７】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様の図３に示す変形例を構成することができ、こ
の場合にも同様の効果を奏する。

【００３８】［第３実施形態］次に、本発明に係る電気
光学装置及びその製造方法の第３実施形態について図６
を用いて説明する。この実施形態は、上記第１実施形態
と同様の基本構造を備えた液晶表示パネルを有するの
で、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略
する。この実施形態においても、上記第２実施形態と同
様に、端子部上の絶縁酸化膜の状態を除いて第１実施形
態と同様の構成を有する。

【００３９】本実施形態では、予め端子部１３ｄ上の全
長にわたり、端子部１３ｄの全幅のうち、端子部１３ｄ
が並列する並列方向（すなわち配列方向）の一側（図示
例では図示左側）半分にのみマスクを形成し、この状態
で上記第１実施形態と同様の方法で同材質の絶縁酸化膜
３９を形成する。このことによって、端子部１３ｄ上に
は、絶縁酸化膜３９の先端部３９ａが端子部１３ｄの全
幅のうち、並列方向の他側（図示例では図示右側）にの
み半分の幅で形成され、並列方向の一側は非形成領域Ｂ
となる。

【００４０】本実施形態では、並列配置された複数の端
子部１３ｄ上においてそれぞれ非形成領域Ｂが形成され
ていることにより、他部材との接触抵抗を低減し、導電
接続性を向上させることができる。また、各端子部上に
おいて並列方向の一方の側にのみ非形成領域Ｂが存在す
るので、隣接する端子部１３ｄ間において非形成領域同
士が対向することがなく、非形成領域Ｂの間に必ず絶縁
酸化膜３９に覆われた部分が存在する。その結果、コロ
ージョンの発生確率を大幅に低減することができる。例
えば、図示二点鎖線で示すイオン性の汚染物Ｐが隣接す
る２つの端子部１３ｄに跨るように付着しても、汚染物
Ｐは一方の端子部１３ｄ上においては絶縁酸化膜３９の
先端部３９ａ上に接触しているので、電解腐食は発生し
にくい。

【００４１】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様の図３に示す変形例を構成することができ、こ
の場合にも同様の効果を奏する。

【００４２】［第４実施形態］次に、本発明に係る電気
光学装置及びその製造方法の第４実施形態について図７
を用いて説明する。この実施形態は、上記第１実施形態
と同様の基本構造を備えた液晶表示パネルを有するの
で、同一部分には同一符号を付し、それらの説明は省略
する。この実施形態においても、上記第２実施形態と同
様に、端子部上の絶縁酸化膜の状態を除いて第１実施形
態と同様の構成を有する。

【００４３】本実施形態では、図７に示すように、上記
各実施形態と同様の方法で形成され同材質の絶縁酸化膜
４９が端子部１３ｄ上にも伸びるように形成されている
が、端子部１３ｄ上においては、その基部寄りにおい
て、端子部の全幅のうち、並列方向の一側（図示例では
図示右側）にのみ約半分の幅で非形成領域Ｃが設けら
れ、また、その先端寄りにおいて、端子部の全幅のう
ち、並列方向の他側（図示例では図示左側）にのみ約半
分の幅で非形成領域Ｄが設けられている。

【００４４】本実施形態においても、端子部の並列方向
に見た場合、各端子部上において並列方向の一方の側に
のみ非形成領域が設けられているので、上記第３実施形
態と同様にコロージョンの発生を抑制することができ
る。

【００４５】また、本実施形態では、端子部の長さ方向
にずれた場所において相互に反対側に設けられた非形成
領域ＣとＤが存在していることから、端子部の表面にお
ける非形成領域の分布の偏りを低減することができるの
で、例えば、コネクタなどの他部材の接続端子との間
に、アライメント不良に起因する、端子部の並列方向へ
の位置ずれが生じても、導電接続が確保されるなど、他
部材との導電接続を行った場合の接続不良の発生確率を
低減することができる。

【００４６】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様の図３に示す変形例を構成することができ、こ
の場合にも同様の効果を奏する。

【００４７】［第５実施形態］次に、本発明に係る電気
光学装置及びその製造方法の第５実施形態について説明
する。この実施形態は、上記第１実施形態と同様の基本
構造を備えた液晶表示パネルを有するので、同一部分に
は同一符号を付し、それらの説明は省略する。この実施
形態においても、上記第２実施形態と同様に、端子部上
の絶縁酸化膜の状態を除いて第１実施形態と同様の構成
を有する。

【００４８】この実施形態においては、図８に示すよう
に、上記各実施形態と同様の方法で形成された同材質の
絶縁酸化膜５９が配線部を被覆している。この絶縁酸化
膜５９は、端子部１３ｄ上において複数の非形成領域Ｅ
が分散配置されるように形成された先端部５９ａを備え
ている。

【００４９】本実施形態では、複数の非形成領域Ｅが分
散配置されていることによって他部材に対する導電接続
性を確保することができるとともに、端子部１３ｄ間に
生ずるコロージョンの発生確率を低減することができ
る。

【００５０】この場合、図示のように、端子部１３ｄの
並列方向に見たとき、隣接する端子部１３ｄの上方の非
形成領域Ｅが、各端子部上における同じ並列方向の位置
にそれぞれ存在するように構成されていることが好まし
い。このようにすれば、隣接する端子部上の非形成領域
Ｅは、端子部の並列方向に見たとき、必ず端子部のピッ
チと同じ間隔で配置されることとなるので、隣接する端
子部間のコロージョンの発生確率をさらに低減できる。

【００５１】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様の図３に示す変形例を構成することができ、こ
の場合にも同様の効果を奏する。

【００５２】［第６実施形態］次に、本発明に係る電気
光学装置及びその製造方法の第６実施形態について説明
する。この実施形態は、上記第１実施形態と同様の基本
構造を備えた液晶表示パネルを有するので、同一部分に
は同一符号を付し、それらの説明は省略する。この実施
形態においても、上記第２実施形態と同様に、端子部上
の絶縁酸化膜の状態を除いて第１実施形態と同様の構成
を有する。

【００５３】この実施形態においては、図９に示すよう
に、上記各実施形態と同様の方法で形成された同材質の
絶縁酸化膜６９が配線部を被覆している。本実施形態で
は第１実施形態と同様に配線部の全体を絶縁酸化膜６９
が被覆しているが、配線部の先端に設けられた端子部１
３ｄ上に形成された絶縁酸化膜６９の先端部６９ａはよ
り薄肉に、端子部１３ｄ以外の配線部上に形成された絶
縁酸化膜６９はより厚肉に形成されている。

【００５４】この場合、端子部１３ｄ上における絶縁酸
化膜６９の先端部６９ａの厚さは、上記第１実施形態と
同様に、同様の理由により、３nm以上で、２０ｎｍ以
下、であることが好ましい。また、先端部６９ａ以外の
絶縁酸化膜６９の厚さは、上記先端部６９ａよりも厚い
が、当初配線部の厚さの１／３以下若しくは絶縁酸化膜
形成後の配線部の厚さの１／２以下であることが好まし
い。

【００５５】本実施形態では、例えば、配線部の表面全
体を全面的に酸化処理した後、端子部１３ｄの表面上に
マスクを形成し、さらに同様の酸化処理を追加して行う
ことによって上記のような厚さの異なる領域を備えた絶
縁酸化膜６９を形成することができる。

【００５６】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様の図３に示す変形例を構成することができ、こ
の場合にも同様の効果を奏する。

【００５７】以上説明した本発明の電気光学装置及びそ
の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変
更を加え得ることは勿論である。

【００５８】本実施形態においては、液晶パネルを有す
る液晶装置を例として説明したが本発明の電気光学装置
としては、エレクトロルミネッセンスパネル、プラズマ
ディスプレイパネル、フィールドエミッションダイオー
ドパネルなどのパネルを備えた電気光学装置に適用でき
る。

【００５９】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
配線パターンの表面を酸化することにより形成された絶
縁被覆層を備えていることにより、基板表面上に露出し
た配線パターンの電解腐食を防止することができる。ま
た、絶縁被覆層が配線パターンの表面の酸化によって形
成されているので、配線パターン上に薄く形成されてい
ても密着性及び機密性が高いため、有効な絶縁性を確保
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１実施形態の液晶パネルの拡大
部分断面図である。

【図２】第１実施形態の液晶パネルの拡大部分平面図で
ある。

【図３】第１実施形態の変形例の構造を示す拡大部分平
面図である。

【図４】本発明に係る第１実施形態における端子部の拡
大平面図である。

【図５】本発明に係る第２実施形態における端子部の拡
大平面図である。

【図６】本発明に係る第３実施形態における端子部の拡
大平面図である。

【図７】本発明に係る第４実施形態における端子部の拡
大平面図である。

【図８】本発明に係る第５実施形態における端子部の拡
大平面図である。

【図９】本発明に係る第６実施形態における端子部の拡
大平面図である。

【図１０】従来の液晶表示パネルの全体構造を示す概略
斜視図である。

【符号の説明】

１０液晶表示パネル１１，１２透明基板１３，１５透明電極１３ａ，１３ｂ，１３１ａ，１３１ｂ配線部１３ｄ、１３１ｄ、１３２ｃ、１３２ｄ端子部１４，１６配向膜１７シール材１８液晶１９，２９，３９，４９，５９，６９絶縁酸化膜１３２入力配線部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H090 HA03 HB07X HC05 HC09 HD05 JA07 2H092 GA32 GA36 GA45 GA49 GA60 HA04 MA08 MA10 MA23 NA15 NA17 NA30 5C094 AA05 AA31 AA42 AA43 AA48 BA43 CA19 DA15 DB02 EA04 EA05 EB02 FA01 FA02 FB12 FB15 GB10 JA01 JA08 5G435 AA14 AA16 AA17 BB12 CC09 EE32 EE41 HH12 HH14 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に配置された電気光学物質を有す
る電気光学パネルと、前記基板上に配置された電極と、
前記基板上に配置され、前記電極に電気的に接続され、
かつ前記電気光学パネルを駆動するための外部回路が接
続される、端子部を備えた配線パターンと、を有する電
気光学装置であって、前記配線パターン上に前記配線パ
ターンの表面を酸化することにより形成された絶縁被覆
層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】請求項１において、前記配線パターンは
ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）からなり、少なくと
も前記端子部上の前記絶縁被覆層の厚さが３ｎｍ以上、
２０ｎｍ以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２において、前記配
線パターン上の前記絶縁被覆層の厚さが前記配線パター
ンの厚さの１／２以下であることを特徴とする電気光学
装置。
【請求項４】請求項１において、前記端子部の少なく
とも一部に前記絶縁被覆層の非形成領域が設けられてい
ることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】請求項４において、複数の前記端子部が
並列配置され、前記非形成領域は、前記端子部の並列方
向に見て前記端子部の全幅のうち一部に限定された領域
であって、隣接する前記端子部においてほぼ対応する位
置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】請求項４又は請求項５において、前記端
子部上においてそれぞれ複数の前記非形成領域が分散す
るように設けられていることを特徴とする電気光学装
置。
【請求項７】電極と電気光学物質とが配置された基板
を有する電気光学パネルと、前記電極に接続され、前記
電気光学パネルを駆動するための外部回路が接続される
端子部を備えた配線パターンとを有する電気光学装置の
製造方法において、前記配線パターンの表面を酸化する
ことにより絶縁被覆層を形成することを特徴とする電気
光学装置の製造方法。
【請求項８】請求項７において、前記絶縁被覆層は酸
素プラズマ処理によって形成されることを特徴とする電
気光学装置の製造方法。