JP2001271164A - 基板処理システムのための冷却システムを有する磁電管 - Google Patents

基板処理システムのための冷却システムを有する磁電管

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JP2001271164A JP2000351937A JP2000351937A JP2001271164A JP 2001271164 A JP2001271164 A JP 2001271164A JP 2000351937 A JP2000351937 A JP 2000351937A JP 2000351937 A JP2000351937 A JP 2000351937A JP 2001271164 A JP2001271164 A JP 2001271164A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 マグネトロンの回転部材の内側部分を通る冷
却流体の流れを増加させる機構を提供する。 【解決手段】 ＰＶＤチャンバーのマグネトロンのよう
に、処理チャンバー及び回転チャンバーを有する真空処
理システムを供給し、回転部材はその内側部分の方に冷
却キャビティの冷却流体を偏向するための偏向部材を含
んでいる。回転部材のベース板は回転部材の上面を規定
し、磁石保持装置は回転部材の下面を規定する。磁石は
ベース板と磁石保持器の間に取付けられている。偏向部
材は磁石の間に取付けられ、１端部はマグネトロンの外
辺部の方に配置され、他端部は回転部材の内側部分の方
に配置される。回転部材が回転すると、偏向部材は回転
部材の側部から冷却流体を偏向させ、回転部材の内側部
分に流体を押しやる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、集積回
路、フラットパネルディスプレイ、及び他の電子デバイ
スを製造するために使用される真空処理システムで使用
される方法及び装置に関する。より詳細には、本発明は
基板処理システムの処理チャンバー内又はその回りの回
転エレメントを冷却するための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板にＩＣ又は他の構造を製造するため
の処理は、通常、処理チャンバー内の真空環境内で作用
することを含んでいる。処理チャンバーは、特に、物理
気相成長（ＰＶＤ）チャンバー、化学気相成長（ＣＶ
Ｄ）チャンバー、急速熱処理（ＲＴＰ）チャンバー、及
びエッチングチャンバーを含んでいる。これらの処理の
幾つかは基板近傍のチャンバー領域でイオン化されたプ
ラズマ放出を発生し、ターゲットに突き当たるイオンを
発生させ、ターゲット材料を取り除き、その後、基板の
表面に移動し、それにより、基板にターゲット材料の薄
膜を堆積する。
【０００３】プラズマ放出は、通常、ＤＣ又はＲＦ電
圧、マイクロ波、プラナー磁電管、又は技術の組合せで
形成されている。プラナー磁電管システムはターゲット
上方に配置された回転磁電管と、ターゲットと基板の間
のＤＣバイアス及び又はプラズマを形成するためターゲ
ットと基板の間の空間に結合されたＲＦ源のいずれかと
を使用する。磁電管はターゲットのスパッタリング表面
の近傍に磁界線を供給する磁石組立体である。ターゲッ
トとプラズマ領域の間の負のバイアス電圧はターゲット
の方にイオンを加速し、そこからターゲット材料を取り
除く。磁電管からの磁界は、ターゲット近傍で、ターゲ
ット材料から追い出された二次電子を含めて、自由電子
を閉じ込め、スパッタリングされた材料を有する自由電
子によるイオン化衝突を最大にする。通常、磁電管は１
以上の磁石を含み、それらの磁石はターゲットの後側、
すなわち、スパッタリングされない表面の回りを回転
し、磁界をターゲット表面の回りに均等に分布させ、タ
ーゲット材料のより均一なスパッタリングを生じさせ
る。
【０００４】図１はＰＶＤチャンバー１００の概略側面
図である。一般に、ＰＶＤチャンバー１００は基板支持
部材１０２、ターゲット１０４、冷却キャビティ１１６
及びそこに配置された磁電管１０８を備えている。消イ
オン水又は不凍液のような冷却流体は冷却キャビティ１
１６を流れ、ターゲット１０４及び磁電管１０８を冷却
する。磁電管１０８はそれに取付けられた幾つかの磁石
１１０を含む磁石組立体を有している。モータ組立体１
１２は磁電管１０８に回転動作を与える。プラズマはウ
ェーハ１１４とターゲット１０４の間の空間に達し、プ
ラズマのイオンはターゲット１０４に衝突する。
【０００５】処理は冷却流体を有する冷却キャビティに
おいて、ターゲット１０４及び磁電管１０８をそれぞれ
約１１０℃〜１２０℃及び約１３０℃〜約１４０℃に加
熱する。磁電管１０８及び又はターゲット１０４が所定
の処理温度以上に加熱された場合には、その後、高温度
は処理性能を変え、ターゲットのスパッタリング率又は
スパッタリングの均一性を変えると共に磁電管１０８及
びターゲット１０４の有用な寿命を減少させる。さら
に、過熱は部材の熱膨張を引き起こすと共に、ターゲッ
ト１０４と磁電管１０８のように、接近して間隔を空け
た部材の間に干渉を引き起こすことがある。また、過熱
は磁電管１０８の機械的特性を早々と尽きさせることも
ある。
【０００６】磁電管１０８の回転動作は磁電管１０８の
回転中心からその外端部の方へ冷却流体を引張る遠心力
を作り出す。回転する磁電管１０８により引き起こされ
た遠心力は磁電管の回転中心で発生した熱と結合して磁
電管１０８の回転中心近くに蒸気の泡を形成させ、これ
はキャビテーションとして公知の結果である。さらに、
泡は、流体が熱交換機（図示せず）を通って循環し、そ
の後、冷却キャビティに戻る時に流体に形成される。泡
は回転中心近くに空洞を形成させ、循環を減少させるこ
とがある。減少した循環により磁電管の回転中心近くで
冷却が不十分となる。また、蒸気の泡は磁石１１０に研
磨作用を発生させ、磁石１１０を摩耗させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】１９９７年１１月５日
に出願され、「処理システムの処理チャンバーのための
冷却システムを有する磁電管（Magnetron With Cooling
System For ProcessChamber Of Processing Syste
m）」という表題の係属中の米国特許出願No.08/964,949
のように、磁電管の内側部分に低圧領域を作り、磁電管
の内側部分に冷却流体の流れを誘発させると共によりよ
い循環を促進することにより、磁電管の内側部分の不完
全な循環の問題を改善するための他のものが求められて
いる。誘発した流れはよりよい循環を促進するのを助け
るが、誘発された流れは磁電管の内側部分内に正圧の強
制循環を供給しない。
【０００８】そのため、ＰＶＤチャンバー等の処理シス
テムにおいて、磁電管等の回転部材の内側部分を通る冷
却流体の流れを増加させる機構の必要性が存在してい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般に、ＰＶ
Ｄチャンバーの磁電管のように、処理チャンバー及び回
転部材を有する真空処理システムを供給し、それは冷却
キャビティ内及びそこから循環する水等の冷却流体を含
む処理チャンバーの冷却キャビティに配置されている。
羽根偏向部材等の偏向部材は回転部材の下面と回転部材
の上面の間で回転部材の内側部分の方に放射状に配置さ
れている。回転部材の回転動と関連した偏向部材は回転
部材の外辺部から回転部材の内側部分に冷却流体を押し
込めさせ、それにより、回転部材を通って冷却流体を循
環させる。
【００１０】１つの局面では、本発明は処理チャンバー
を備え、処理チャンバーは冷却キャビティと、少なくと
も部分的に冷却キャビティに配置され、上部の第１表面
及び下部の第２表面を有する回転部材と、回転部材に結
合されたモータと、上部の第１表面と下部の第２表面と
の間に配置された少なくとも１つの偏向部材とを備えて
いる。
【００１１】別の局面では、本発明は処理チャンバーで
の使用のための磁電管を供給し、上部の第１表面と、下
部の第２表面と、回転動作を受け取るための回転軸と、
上部の第１表面と下部の第２表面との間に配置された少
なくとも１つの偏向部材とを備えている。
【００１２】別の局面では、本発明は真空処理システム
を供給し、そのシステムは冷却キャビティを有する処理
チャンバーと、処理チャンバーと連動する搬送チャンバ
ーと、冷却キャビティ内に配置され、上部の第１表面及
び下部の第２表面を有する回転部材と、回転動作を回転
部材に伝えるためのモータ装置と、上部の第１表面と下
部の第２表面の間に配置された少なくとも１つの偏向部
材とを有している。
【００１３】別の局面では、本発明は処理チャンバーの
回転部材を冷却する方法を供給し、その方法は回転動作
を回転部材に伝え、回転部材の外面の回りに冷却流体を
供給し、回転部材の上部の第１表面と下部の第２表面の
間で回転部材の外辺部から回転部材の内側部分に冷却流
体の少なくとも一部分を偏向させることを含んでいる。
【００１４】上述した本発明の特徴、利点及び目的が達
成される方法が詳細に理解できるように、上に簡単に要
約した本発明のより詳細な説明は添付図面に示された実
施例に関連させてなされてもよい。
【００１５】しかし、添付図面はこの発明の典型的な実
施例のみを示しており、そのため、その範囲の限定を考
慮したものではなく、本発明は他の同様に有効な実施例
にも有効であると認めてもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】図２はＰＶＤチャンバー３００の
概略側面図である。ＰＶＤチャンバー３００は通常、チ
ャンバーセクション３０６とポンプセクション３０７と
を備えている。磁電管及び冷却システムはＰＶＤチャン
バー３００の構成を有する処理チャンバーに関連させて
説明されるであろうが、本発明は処理チャンバーの如何
なるタイプにも役立つように使用されることができ、タ
ーゲットの上方、側方、又は下方の基板支持部材及び処
理環境で形成されてもよい。従って、上下又は他の方向
の表示は参考のためだけであり、本発明を限定すること
を意図するものではない。
【００１７】ＰＶＤチャンバー３００は基板支持部材３
０２と、基板支持部材の上方に配置されたターゲット３
０４と、ターゲットの上方に配置された冷却キャビティ
３１６と、冷却キャビティに配置された磁電管３０８と
を備えている。基板支持部材３０２は、サセプタ又はヒ
ータとしても公知であるが、基板を受け取るためチャン
バー内に配置されている。実行される処理により要求さ
れた場合、基板支持部材３０２は基板を加熱してもよ
い。ターゲット３０４はチャンバーセクション３０６の
最上部に配置され、アルミニウム、銅、チタン、又はタ
ングステン及び対応する窒化物等の材料を供給し、基板
にスパッタリングされてもよい。
【００１８】冷却キャビティ３１６はチャンバーセクシ
ョン３０６の上方に置かれ、チャンバーの処理領域から
密閉されている。冷却キャビティ３１６は最上部３１
７、側部３１９及びターゲット３０４により形成されて
いる。水又は不凍液等の冷却流体は、分毎に約１ガロン
（ｇｐｍ）から約１０ｇｐｍ、好ましくは約３ｇｐｍの
割合で、入口３１８を通って冷却キャビティ３１６に流
され、出口３２０を通って冷却キャビティ３１６から流
される。冷却流体は熱交換器（図示せず）を通って循環
され、流体から熱を除去し、その後、冷却キャビティ３
１６に再循環される。
【００１９】回転する磁電管３０８はターゲット３０４
の後側の冷却キャビティ３１６に配置され、冷却キャビ
ティは冷却流体で充填されている。磁電管３０８は堆積
される材料及び処理状態に従い各種形状を有することが
でき、回転中心３４８に対して非対称であってもよい。
磁電管３０８は磁電管３０８内に配置された１セットの
磁石３１０を有し、それらが磁界線を作り、磁電管が回
転される時にターゲットのスパッタリング表面で回転す
るようになっている。磁石３１０は磁電管３０８の第１
表面を規定する上方に配置されたベースプレート３０９
と第２表面を規定する下方に配置された磁石保持器３１
１との間に固定されている。磁電管３０８はターゲット
３０４の最上側上方に、約１ｍｍから約５ｍｍ、好まし
くは約２ｍｍから約３ｍｍの隙間をあけて配置されてい
る。磁電管３０８を回転するためのモータ組立体３１２
は冷却キャビティ３１６の最上部に取付けられている。
シャフト３１４はモータ組立体３１２を磁電管３０８の
ベースプレート３０９の回転中心に機械的に結合し、最
上部３１７を通って延び、冷却キャビティ３１６の冷却
流体から密閉されている。モータ組立体３１２は磁電管
３０８に回転動作を与え、処理の実行中、毎分約８０回
転（ｒｐｍ）から約２００ｒｐｍ、そして好ましくは約
１００ｒｐｍそれを回転させる。
【００２０】図２はまた、リフト機構を示し、リフト機
構はガイドロッド３２６、ベローズ３２８及びチャンバ
ーセクション３０６の最下部に取付けられたリフトアク
チュエータ３３０を含み、基板支持部材３０２をＰＶＤ
チャンバー３００のためのターゲット３０４に持上げ、
処理を実行し、基板支持部材３０２を降下させ、基板を
交換する。１セットのシールド３３２，３３４，３３６
はチャンバーセクション３０６内に配置され、基板の端
部及びチャンバーセクション３０６内の他の表面にター
ゲット材料が堆積するのを防止するため、処理の間、基
板支持部材３０２及び基板を取囲む。約２００Ｖ以上の
負のＤＣバイアス電圧が通常、ターゲット３０４にかけ
られ、接地はアノード、基板支持部材３０２、及びチャ
ンバー表面にかけられる。ＤＣバイアス及び回転磁電管
３０８の組合せ動作は、ターゲット３０４と基板の間
で、アルゴンのような処理ガス中にイオン化プラズマ放
出を発生させる。正に電荷されたイオンはターゲット３
０４に引き付けられ、十分なエネルギでターゲット３０
４に突き当たり、ターゲット材料の原子を取り除き、基
板にスパッタリングする。
【００２１】ポンプセクション３０７は通常、低温ポン
プ、又は他の高真空ポンプを含み、チャンバーセクショ
ン３０６を非常に高い真空にポンピングし、チャンバー
セクション３０６は基板を処理してもよい。ゲートバル
ブ３０５はチャンバーセクション３０６とポンプセクシ
ョン３０７の間に配置され、その間にアクセスを供給す
ることで、ポンプセクション３０７はチャンバーセクシ
ョン３０６内の圧力を減少可能であり、そして、その間
に隔離を供給することでチャンバーセクション３０６が
排気されてもよい。
【００２２】好ましくは、偏向部材３４０はベースプレ
ート３０９と磁石保持器３１１の間に配置されている。
偏向部材は磁電管の外辺部の回りから磁電管３０８の内
側部分に延びている。一般に、磁電管が回転すると、図
３に関連して詳細に述べられているように、偏向部材は
冷却流体を磁電管３０８の内側部分の方に導く。
【００２３】図３は磁電管３０８に取付けられた偏向部
材３４０の概略平面図であり、明瞭のため取り除かれた
ベースプレート３０９を上方に配置させる。磁電管３０
８は冷却キャビティ３１６内で回転中心３４８の回りを
矢印Ｒの方向に回転する。磁石３１０は各種パターンで
配置可能であり、１つの例示パターンが示されている。
磁石保持器３１１は通常、スレッドファスナー（図示せ
ず）により（図２に示された）ベースプレート３０９に
接続され、磁石３１０はその間に配置されている。偏向
部材３４０は磁石の間に配置され、冷却流体を磁電管３
０８の内側部分の方に導く曲面を形成する。偏向部材３
４０は中央部分３４２と２つの端部３４４、３４６とを
含むことができる。端部３４４は磁電管３０８の外辺部
近傍の前方回転方向に配置された先端部を形成してい
る。１実施例では、２つの端部は偏向部材３４０を磁電
管３０８に結合するために使用される。例えば、２つの
端部は１以上の磁石３１０ａ，３１０ｂを少なくとも部
分的に取囲むような円筒状に形成可能である。代わり
に、偏向部材３４０はスレッドファスナー、溶接、接着
剤、又は流体及び処理状態に和合する他の接着方法によ
り磁電管３０８に結合可能である。好ましくは、偏向部
材３４０はステンレス鋼、めっき鋼等の耐腐食材料製、
又は約６００℃までの温度で機能可能な他の耐腐食材料
製である。好ましくは、偏向部材３４０の内側端部３４
６は回転中心３４８近傍に配置され、流体を中心の方に
導く。代わりに、偏向部材は流体流れが導かれる位置に
より磁電管の内側部分の他の位置に配置可能であろう。
また、偏向部材はベースプレート３０９の外辺部を超え
て延びることができ、内側部分の方に導かれた冷却流体
量をさらに増加させるだろう。
【００２４】図４は回転部材の斜視図である。ベースプ
レート３０９は磁電管等の回転部材の上面を形成し、磁
石保持器３１１は回転部材の下面を形成する。磁石３１
０はベースプレート３０９と磁石保持器３１１の間に取
付けられている。偏向部材３４０は磁石の間に取付けら
れ、１又は両端部３４４，３４６で磁石に結合可能であ
る。偏向部材の１端部３４４は磁電管３０８の外辺部の
方に配置され、偏向部材の他端部３４６は磁電管３０８
の内側部分の方の回転軸方向に配置されている。
【００２５】図５は２つの偏向部材３４０ａ，３４０ｂ
を有する磁電管３０８の別の実施例の概略平面図であ
る。２つの偏向部材が示されているが、さらなる偏向部
材は所望の流体流れを達成させるために使用可能であろ
う。また、ベースプレート３０９は磁電管の内側部分か
らベースプレートの外面に通じる開口部３５０を有する
ことができる。磁電管３０８の内側部分の方に導かれた
流体は少なくとも部分的に開口部３５０を流れることが
でき、冷却流体のためのさらなる流路を供給する。特
に、１以上の偏向部材を使用する時に、ベースプレート
３０９を通り内側部分から流体を放出させることによ
り、開口部３５０が中心方向への循環を増加させると信
じられている。他の開口部は必要とされているようにベ
ースプレートを通って配置可能である。また、偏向部材
は好ましくは湾曲形状で示されている。しかし、他の形
状が使用可能であり、冷却流体が所望なように磁電管の
内側部分の方に導かれるようになっている。
【００２６】作動において、図２〜５を参照すると、磁
電管３０８の回転の間、冷却流体は磁電管３０８の一部
分の回り及びその間を部分的に流れる。磁電管が回転す
ると、回転は流体の運動量を誘発し、運動量は磁電管３
０８の中心から離れて外辺部に流体を押しやる。しか
し、偏向部材３４０は磁電管３０８の側部から冷却流体
を偏向し、流体を磁電管の内側部分に押しやる。好まし
くは、流体は磁電管３０８中、特に磁電管の中心に均等
に分配される。加熱流体及び又は内側部分のエアポケッ
トは磁電管３０８の内側部分の方に押しやられた冷却流
体により少なくとも部分的に置換される。加熱流体が出
口３２０を通る冷却キャビティ３１６にある時に水の流
れは入口３１８を通る冷却キャビティ３１６に入って来
る冷却水を供給する。
【００２７】偏向部材３４０は磁電管の冷却を解く方向
に導く他の作用と関連させて使用可能であろう。例え
ば、偏向部材は磁電管３０８の内側部分の方に冷却流体
を押し進めることができ、冷却流体はここに説明された
米国特許出願No.08/964,949に開示されたシステムによ
り開口部３５０を通って誘導されることができるだろ
う。
【００２８】（システム）上述された発明を組込んだ基
板、通常、ウェーハのための真空処理システムが説明さ
れるだろう。図６は一般に、真空処理システム２００の
実施例の概略平面図を示している。図６に示されたシス
テム２００は、カリフォルニア州、サンタクララ市のAp
plied Materials社から入手可能なEndura（登録商標）
の例である。本発明はシステム２００で実施されてもよ
いが、他のタイプの真空処理システムが各種真空処理シ
ステムで有利なように使用されてもよいことが理解され
る。真空処理システム２００はバッファチャンバー２０
３と搬送チャンバーとを備え、通常、プラットフォーム
（図示せず）に取付けられ、一般にシステムモノリスを
形成する。システムモノリスは切子面２１２に取付けら
れた２つのロードロックチャンバー２０８を有する。任
意に、小型の囲い２１４はロードロックチャンバー２０
８に取付いている。搬送チャンバー２０２は切子面２０
６に取付けられた４つの処理チャンバー２０４を有して
いる。処理チャンバー２０４は真空処理システム２００
でウェーハに主要なウェーハ処理を実行する。処理チャ
ンバー２０４はＰＶＤチャンバー、ＣＶＤチャンバー、
ＲＴＰチャンバー、エッチングチャンバー、及び他のチ
ャンバーのような処理チャンバーの如何なるタイプであ
ってもよい。
【００２９】ＰＶＤチャンバー３００（図２）は側部３
２４のスリットバルブの開口部（図示せず）で搬送チャ
ンバー２０２に取付けられている。スリットバルブの開
口部は搬送チャンバーのロボット２２０のためのアクセ
スを供給し、チャンバーセクション３０６にウェーハを
挿入し、又はそこからウェーハを取り除く。処理チャン
バー２０４はここに説明された磁電管のような冷却回転
部材を有することができ、ＰＶＤチャンバーのターゲッ
トの最上側のように表面近傍に配置されている。
【００３０】処理チャンバー２０４は、個々の処理チャ
ンバー２０４の構成により、搬送チャンバー２０２によ
り支持され、又は、処理チャンバーのプラットフォーム
で支持されることができる。切子面２０６のスリットバ
ルブ（図示せず）は搬送チャンバー２０２と処理チャン
バー２０４との間にアクセス及び隔離を供給する。相応
じて、処理チャンバー２０４はスリットバルブと整列す
るそれらの表面に開口部（図示せず）を有している。
【００３１】前洗浄チャンバー２２８及び冷却チャンバ
ー２３０は搬送チャンバー２０２とバッファチャンバー
２０３の間に配置されている。前洗浄チャンバー２２８
は搬送チャンバー２０２に入る前にウェーハを洗浄し、
冷却チャンバー２３０は処理チャンバー２０４での処理
の後にウェーハを冷却する。前洗浄チャンバー２２８及
び冷却チャンバー２３０はまた搬送チャンバー２０２と
バッファチャンバー２０３の真空レベルの間でウェーハ
を移動する。バッファチャンバー２０３はウェーハにさ
らなる処理を実行するための２つの拡張チャンバーを有
している。バッファチャンバー２０３は必要な場合には
ウェーハをさらに冷却するための冷却チャンバー２３４
をさらに有している。ウェーハオリエンター（oriente
r）チャンバー又はさらなる前処理又は後処理チャンバ
ーのような他のチャンバーはバッファチャンバー２０３
に取付けられることができる。
【００３２】ロードロックチャンバー２０８は周囲の環
境圧力からバッフチャンバーの真空圧力の間で一度に１
枚のウェーハを移動させる。切子面２１２の開口部（図
示せず）はアクセスを供給し、バルブはロードロックチ
ャンバー２０８とバッファチャンバー２０３の間を分離
する。相応じて、ロードロックチャンバー２０８は切子
面２１２の開口部と整列する開口部を有している。開口
部のためのドア（図示せず）は隔離を供給するが、ロー
ドロックチャンバー２０８及び小型の囲い２１４は対応
する開口部（図示せず）を有し、その間にアクセスを供
給する。
【００３３】半導体処理業界における３００ｍｍウェー
ハの導入の前、ウェーハのカセットは通常、人間のオペ
レータによりロードロックチャンバー２０８に直接装填
される。従って、小型の囲い２１４はシステム２００に
はなかった。より最近では、半導体製造設備は小型の囲
い２１４を備え、工場自動化処理システムにより搬送さ
れたウェーハカセットから処理システム２００にウェー
ハを装入する。本発明は両方のタイプのシステム２００
の結合を考えている。
【００３４】小型の囲い２１４は工場自動化からウェー
ハカセットを受け取るため、その前側２３８に取付けら
れた４つのポッドローダ２１６を有している。対応する
ドア２２６を有する開口部（図示せず）は小型の囲い２
１４とポッドローダ２１６の間にアクセス及び分離を供
給する。ポッドローダ２１６は小型の囲い２１４の側部
に取付けられ、本質的に、真空処理システム２００との
間でウェーハを搬送するために使用されるウェーハカセ
ット（図示せず）を支持するための棚である。
【００３５】ロボット２２０、又はウェーハハンドラー
は搬送チャンバー２０２内に配置され、前処理チャンバ
ー２２８と冷却チャンバー２３０と処理チャンバー２０
４の間でウェーハ２２２を搬送する。同様のロボット２
２１はバッファチャンバー２０３内に配置され、ロード
ロックチャンバー２０８、拡張チャンバー２３２、冷却
チャンバー２３４、補助チャンバー２３６、前洗浄チャ
ンバー２２８及び冷却チャンバー２３０の間でウェーハ
２２３を搬送する。同様に、ロボット２２４は小型の囲
い２１４内に配置され、ポッドローダ２１６とロードロ
ックチャンバー２０８の間でウェーハを搬送する。ロボ
ット２２４は通常、トラックに取付けられるので、ロボ
ット２２４は小型の囲い２１４内を前後に移動可能とな
っている。
【００３６】前述したのは本発明の好適な実施例に向け
られているが、本発明の他のさらなる実施例はその基本
範囲から逸脱することなく発明されてもよく、その範囲
は特許請求の範囲により決定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】典型的な処理チャンバーの概略側面図である。
【図２】本発明による処理チャンバーの概略側面図であ
る。
【図３】回転部材の上面と下面の間に取付けられた偏向
部材の概略平面図である。
【図４】図３に示された回転部材の斜視図である。
【図５】回転部材の別の実施例の概略平面図である。
【図６】真空処理システムの概略平面図である。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）冷却キャビティと、 ｂ）前記冷却キャビティに少なくとも部分的に配置さ
    れ、上部の第１表面と下部の第２表面とを有する回転部
    材と、 ｃ）前記回転部材に結合されたモータと、 ｄ）前記上部の第１表面と前記下部の第２表面の間に配
    置された少なくとも１つの偏向部材と、を備えているこ
    とを特徴とする処理チャンバー。
  2. 【請求項２】 前記偏向部材は前記回転部材の外辺部と
    前記回転部材の内側部分との間に配置されている請求項
    １に記載の処理チャンバー。
  3. 【請求項３】 前記偏向部材は少なくとも１つの湾曲部
    分を備えている請求項１に記載の処理チャンバー。
  4. 【請求項４】 前記偏向部材は前記回転部材の外辺部近
    傍の前方回転方向に配置された先端部を形成する端部を
    備えている請求項１に記載の処理チャンバー。
  5. 【請求項５】 前記回転部材は物理気相成長チャンバー
    のターゲットの非処理環境側に配置された磁石組立体を
    備えている請求項１に記載の処理チャンバー。
  6. 【請求項６】 前記冷却キャビティに配置された冷却流
    体をさらに備え、前記冷却流体の一部分は前記偏向部材
    により前記回転部材の外辺部から前記回転部材の内側部
    分に押しやられる請求項２に記載の処理チャンバー。
  7. 【請求項７】 前記偏向部材は磁石に結合する少なくと
    も１つの端部を備えている請求項１に記載の処理チャン
    バー。
  8. 【請求項８】 処理チャンバーでの使用のための磁電管
    であって、 ａ）上部の第１表面と、 ｂ）下部の第２表面と、 ｃ）回転動作を受け入れるための回転軸と、 ｄ）前記上部の第１表面と前記下部の第２表面との間に
    配置された少なくとも１つの偏向部材と、を備えている
    ことを特徴とする磁電管。
  9. 【請求項９】 前記偏向部材は前記磁電管の外辺部から
    放射状内側に配置されている請求項８に記載の磁電管。
  10. 【請求項１０】 前記偏向部材は前記回転部材の外辺部
    近傍の前方回転方向に配置された先端部を形成する端部
    を備えている請求項８に記載の磁電管。
  11. 【請求項１１】 前記偏向部材は少なくとも１つの湾曲
    部分を備えている請求項８に記載の磁電管。
  12. 【請求項１２】 前記偏向部材は磁石に結合される少な
    くとも１つの端部を備えている請求項８に記載の磁電
    管。
  13. 【請求項１３】 ａ）冷却キャビティを有する処理チャ
    ンバーと、 ｂ）前記処理チャンバーと連動する搬送チャンバーと、 ｃ）前記冷却キャビティ内に配置され、上部の第１表面
    と下部の第２表面とを有する回転動作可能な回転部材
    と、 ｄ）回転動作を前記回転部材に伝えるためのモータ装置
    と、 ｅ）前記上部の第１表面と前記下部の第２表面との間に
    配置された少なくとも１つの偏向部材と、を備えている
    ことを特徴とする真空処理システム。
  14. 【請求項１４】 前記処理チャンバーはＰＶＤチャンバ
    ーを備え、前記回転部材は磁電管を備えている請求項１
    ３に記載の真空処理システム。
  15. 【請求項１５】 前記偏向部材は少なくとも１つの湾曲
    部分を備えている請求項１３に記載の真空処理システ
    ム。
  16. 【請求項１６】 前記偏向部材は前記回転部材の外辺部
    と前記回転部材の内側部分の間に配置されている請求項
    １３に記載の真空処理システム。
  17. 【請求項１７】 前記偏向部材は前記回転部材の外辺部
    近傍の前方回転方向に配置された先端部を形成する端部
    を備えている請求項１３に記載の真空処理チャンバー。
  18. 【請求項１８】 前記冷却キャビティに配置された冷却
    流体をさらに備え、前記冷却流体の一部分は前記偏向部
    材により前記回転部材の外辺部から内側部分に押しやら
    れる請求項１３に記載の真空処理システム。
  19. 【請求項１９】 前記偏向部材は前記回転部材の磁石に
    結合された少なくとも１つの端部を備えている請求項１
    ３に記載の真空処理システム。
  20. 【請求項２０】 処理チャンバーの回転部材を冷却する
    ための方法であって、 ａ）回転動作を前記回転部材に伝え、 ｂ）前記回転部材の外面の回りに冷却流体を供給し、 ｃ）前記回転部材の上部の第１表面と下部の第２表面の
    間で前記回転部材の外辺部から前記回転部材の内側部分
    に前記冷却流体の少なくとも一部分を偏向させる、こと
    を特徴とする方法。
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