RU2656318C1 - Магнетронная распылительная головка - Google Patents

Магнетронная распылительная головка Download PDF

Info

Publication number
RU2656318C1
RU2656318C1 RU2017111428A RU2017111428A RU2656318C1 RU 2656318 C1 RU2656318 C1 RU 2656318C1 RU 2017111428 A RU2017111428 A RU 2017111428A RU 2017111428 A RU2017111428 A RU 2017111428A RU 2656318 C1 RU2656318 C1 RU 2656318C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetic system
cathode
magnetic
spray head
anode
Prior art date
Application number
RU2017111428A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Иннокентьевич Попов
Михаил Михайлович Радкевич
Владимир Семенович Медко
Никита Георгиевич Шиллинг
Алексей Александрович Рудавин
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ")
Priority to RU2017111428A priority Critical patent/RU2656318C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2656318C1 publication Critical patent/RU2656318C1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

Изобретение относится к магнетронной распылительной головке. Охлаждаемая магнитная система магнетронной распылительной головки состоит из магнитов и магнитопровода и оснащена каналами охлаждения. Магнитная система зафиксирована в корпусе криволинейной формы. Верхняя часть магнитопровода выполнена конической. Устройство фиксации выполнено в виде полой проводящей трубы, соединенной с корпусом, на которой снаружи установлен диэлектрический держатель. Внутри трубы размещены каналы охлаждения магнитной системы и трубопровод подачи электролита и газа. Корпус оснащен сквозным каналом, который, в свою очередь, соединен с трубопроводом подачи электролита и газа. Наружная поверхность корпуса сформирована с мелкоразмерным рельефом поверхности от 0,2 до 10 мм. Отрицательный полюс блока питания соединен с устройством фиксации, образуя катод, а положительный с изделием, образуя анод. Технический результат заключается в повышении качества поверхности, а также расширении технологических возможностей обработки изделия. 2 ил., 1 табл.

Description

Изобретение относится к области электрохимической обработки деталей, может быть использовано в энергомашиностроении для обработки рабочих и направляющих турбинных лопаток.
Известна «Магнетронная распылительная система с протяженным катодом» [RU патент №2575018], содержащая следующие конструктивные элементы: Магнетронная распылительная система содержит вакуумную камеру, анод, протяженные катод, выполненный в виде полого цилиндра с возможностью вращения, и магнитную систему, причем магнитная система состоит из внутренней части магнитной системы, неподвижно расположенной внутри катода вдоль его оси и состоящей из магнитопровода с тремя параллельными рядами постоянных магнитов, периферийные ряды магнитов замкнуты на концах концевыми магнитами и имеют полярность, обратную полярности центрального ряда магнитов, и внешней части магнитной системы, которая неподвижно расположена равноудаленно от внутренней части магнитной системы, охватывая катод со стороны, противоположной зоне распыления, и состоит из магнитопровода с двумя параллельными рядами постоянных магнитов, имеющих полярность, одинаковую с полярностью периферийных рядов магнитов внутренней части магнитной системы.
Устройство работает в низком вакууме. Устройство стационарно закреплено. Устройство распыляет только поверхность катода. При атмосферном давлении и применении в электрохимической обработке устройство имеет повышенное дугообразование. Устройство не обеспечивает возможности обработки сложных криволинейных поверхностей.
Известен «Магнетрон» [RU патент №2218450], выбранный за прототип. Магнетрон содержит мишень-катод, полый цилиндрический анод, установленный на диэлектрическом держателе и имеющий внешнюю проточку на краю, обращенном к катоду, образующую с диэлектрическим держателем кольцевую, вертикальную по отношению к катоду щель. Охлаждаемая магнитная система состоит из магнитов и магнитопровода, Система размещена с нерабочей стороны мишени. Устройство прижимает мишень к магнитной системе. Между мишенью и магнитной системой установлена немагнитная мембрана, выполненная профилированной с углублением, в котором размещена мишень, при этом магнитопровод снабжен каналами для охлаждения и размещен вплотную к мембране. При атмосферном давлении и подачи только инертного газа в устройство оно не выполняет функции распыления катода мишени, имеет хаотичное дугообразование между поверхностью катод - мишени и анодом - изделием. При этом преимущественно разрушается поверхность анода - изделия. Таким образом, качество обработки изделия является достаточно низким. Магнетрон имеет плоскую поверхность катод - мишени и имеет ограниченную область использования для обработки сложных криволинейных поверхностей.
Технической проблемой является повышение качества обработки поверхности за счет снижения дугообразования, а также расширение технологических возможностей головки за счет обработки различных поверхностей. Для решения технической проблемы предложена магнетронная распылительная головка. Магнетронная распылительная головка содержит магнитную систему, которая состоит из магнитов и магнитопровода. Система оснащена каналами охлаждения. При этом магнитная система выполнена с габаритами ∅3-110 мм. Верхняя часть магнитопровода имеет коническую поверхность. Магнитная система зафиксирована в корпусе криволинейной формы. Габариты криволинейного корпуса составляют ∅5-120 мм. Корпус соединен с устройством фиксации, которое выполнено в виде проводящей полой трубы. Снаружи полой трубы зафиксирован диэлектрический держатель для удержания в схвате манипулятора, узла перемещения станка с ЧПУ, промышленного робота. Внутри трубы размещены каналы охлаждения магнитной системы и трубопровод подачи электролита и газа. Корпус головки оснащен сквозным каналом, соединенным с трубопроводом. Наружная поверхность корпуса сформирована с мелкоразмерным рельефом поверхности. Высота рельефа поверхности составляет от 0,2 до 10 мм. Устройство фиксации соединено с отрицательным полюсом блока питания и вместе с корпусом образует катод. Поверхность корпуса головки является катод - мишенью. Анодом для магнетронной распылительной головки является обрабатываемое изделие, соединенное с положительным полюсом источника питания.
Магнитопровод в верхней части выполнен коническим и конструктивно необходим для формирования магнитного поля не только на нижней поверхности катода - мишени, но и на боковых поверхностях корпуса криволинейной формы, что позволяет формировать зону плазменного разряда практически в любой точке криволинейного корпуса, что позволяет обрабатывать изделия сложной криволинейной формы. Это существенно расширяет технологические возможности головки.
Наличие конструктивных элементов в виде сквозного канала и трубопровода соединенных между собой позволяет подводить в межэлектродный промежуток смесь электролита и газа. Под межэлектродным промежутком понимается пространство между поверхностью головки - катода и поверхностью анода - изделия. Подвод в зону межэлектродного промежутка электролита формирует электролитическую ячейку, в которой возможно возникновение парогазовой оболочки, многоканального разряда и объемного плазменного разряда при атмосферном давлении. Подвод в зону разряда дополнительно инертного газа стабилизирует процесс формирования многоканального разряда и объемного плазменного разряда. Благодаря этому в случае бомбардировки обрабатываемой поверхности анода - изделия ионами инертного газа преобладает процесс распыления атомов поверхностного слоя анода - изделия и ионов адсорбированных на поверхности анода-изделия над процессом адсорбции поверхностью ионов электролитной плазмы, ее перезарядке и дальнейшему формированию запирающего слоя с высоким сопротивлением.
Наличие мелкоразмерного рельефа на поверхности головки снижает неравномерность напряженности электрического поля в области между поверхностью головки - катода и поверхностью анода - изделия и приводит к уменьшению вероятности непредсказуемого стекания дугового разряда с гладкой, плоской поверхности катод - мишени на поверхность изделия, что приводит к повышению качества обработки изделия.
Криволинейная форма корпуса магнетронной распылительной головки позволяет обрабатывать не только плоские поверхности, но и изменяющиеся в трех координатах, в том числе поверхности, имеющие вертикальную стенку, и обратный уклон.
Совокупность отличительных признаков является существенной т.к. позволяет повысить качество обрабатываемой поверхности и расширить технологические возможности головки за счет обработки большего числа поверхностей.
Наружная поверхность криволинейного корпуса выполнена с мелкоразмерным рельефом поверхности от 0,2 до 10 мм для снижения дугообразования между катодом - головкой и анодом - изделием и повышения качества обрабатываемой поверхности. Размеры мелкоразмерного рельефа поверхности конструктивно пропорциональны размеру магнетронной распылительной головки для удовлетворения условия, при котором площадь катода должна быть от двух и более раз больше площади зоны обработки анода. Минимальный мелкоразмерный профиль составляет 0,2 мм. При величине профиля, меньшей 0,2 мм, имеет место повышенное дугообразование между катодом и анодом. Поверхностный размер рельефа, больший 10 мм, является недостаточно жестким, не гарантирует равномерное положение частей профиля при наклоне и приводит к изменению соотношения площадей электродов, ведет к повышенному дугообразованию и ухудшает качество поверхности.
Минимальный размер корпуса соответствует конструктивным размерам внутренних радиусов турбинных лопаток (хвостовики, радиусные переходы), максимальные размеры магнитной системы пропорциональны габаритным размерам больших направляющих и рабочих лопаток. Это позволяет в широком диапазоне обрабатывать различные криволинейные поверхности турбинных лопаток. Уменьшение габаритов криволинейного корпуса менее 5 мм вызывает трудности с изготовлением и компоновкой устройства, возрастание размеров более 120 мм ведет к увеличению веса магнетронной распылительной головки, требует применения станков и систем перемещения повышенной жесткости и несоизмеримо для обработки поверхности большей номенклатуры турбинных лопаток. Размеры магнитной системы изменяются в широких пределах ∅3-110 мм, и пропорциональны размерам криволинейного корпуса. Уменьшение магнитной системы менее ∅3 ведет к трудности изготовления миниатюрных магнитопроводов. Увеличение магнитной системы более ∅110 мм ведет к выбору нестандартных магнитов имеющих значительно более высокую стоимость.
Магнетронная распылительная головка содержит магнитную систему 1, состоящую из магнитов 2 и магнитопровода 3, оснащенную каналами охлаждения 4, диэлектрический держатель 5, корпус 6 с устройством фиксации 7 и блок питания 8, трубопровод подачи электролита и газа 9, сквозной канал 10, наружная поверхность корпуса 6 сформирована с мелкоразмерным рельефом поверхности 11 (Фиг. 1).
Магнетронная распылительная головка работает следующим образом. Магнетронная распылительная головка при помощи диэлектрического держателя закрепляется в схвате механизма перемещения. Перемещение головки производится в соответствии с заданной программой. Для предотвращения перегрева охлаждаемую магнитную систему 1 через каналы охлаждения 4 подключают к магистрали проточной воды постоянного давления. Проточная вода охлаждает магниты 2 и магнитопровод 3, чем компенсирует тепловой поток, формирующийся на корпусе криволинейной формы 6 вследствие разряда. Через сквозной канал 10 соединенный с трубопроводом подачи электролита и газа 9 подают раздельно или вместе солевой раствор (до 15% соли) и инертный газ (Ar и др.).
Figure 00000001
При подключении к отрицательному полюсу блока питания 8 устройства фиксации 7 связанного с корпусом криволинейной формы 6 и изделия подключенного к положительному полюсу между корпусом 6 и поверхностью изделия-анода формируется замкнутый проводящий межэлектродный промежуток. В момент подачи напряжения в межэлектродном промежутке возникает движение заряженных частиц и формируется, последовательно с увеличением напряжения от 0-500 В парогазовая оболочка, многоканальный поверхностный и затем объемный разряд, на которые дополнительно накладываются магнитные поля магнитной системы. Магнитная система 1 формирует вокруг корпуса криволинейной формы 6 арочные магнитные поля. Арочное магнитное поле создает магнитную ловушку для электронов электролитно-газовой плазмы. С увеличением напряжения в межэлектродном промежутке происходит локализация плазменного разряда и повышение степени ионизации частиц электролитно-газовой плазмы. Атомы инертного газа, участвуя в процессе формирования разряда, повышают степень ионизации плазмы и повышают скорость распыления анода - изделия. Это приводит к удалению запирающего слоя, и снижает вероятность осаждения и закрепления адсорбированных газов и ионов. Мелкоразмерный рельеф поверхности 11 корпуса криволинейной формы 6 приводит к снижению общей напряженности и повышению равномерности электрического поля между катодом-головкой и анодом-изделием. Заряд малой мощности равномерно стекает с каждого отдельного рельефного выступа, не давая накапливаться заряду большого потенциала и стекания в виде дугового разряда на поверхность. При этом почти на всем диапазоне вольт - амперной характеристики наблюдается устойчивый процесс обработки поверхности анода - изделия. Это ведет к повышению качества поверхности анода - изделия, чему соответствуют параметры шероховатости поверхностного слоя после обработки магнетронной распылительной головкой (Табл. 1).
Магнетронная распылительная головка предложенной конструкции позволяет работать не только при низком вакууме, но и при атмосферном давлении, а также обрабатывать не только плоские поверхности, но и поверхности, изменяющиеся в трех координатах, в том числе имеющие вертикальную стенку и обратный уклон, что расширяет технологические возможности магнетронной распылительной головки (Фиг. 2).

Claims (1)

  1. Магнетронная распылительная головка для обработки детали, содержащая охлаждаемую магнитную систему, состоящую из магнитов и магнитопровода, оснащенную каналами охлаждения, диэлектрический держатель, катод, устройство фиксации и блок питания, отличающаяся тем, что она снабжена корпусом криволинейной формы, в котором зафиксирована магнитная система, при этом верхняя часть магнитопровода выполнена конической, а устройство фиксации выполнено в виде полой трубы, соединенной с упомянутым корпусом, на которой снаружи установлен диэлектрический держатель, а внутри трубы размещены каналы охлаждения магнитной системы и трубопровод подачи электролита и газа, причем упомянутый корпус оснащен сквозным каналом, который соединен с трубопроводом подачи электролита и газа, а наружная поверхность корпуса выполнена с мелкоразмерным рельефом поверхности от 0,2 до 10 мм, при этом устройство фиксации соединено с отрицательным полюсом блока питания с образованием катода.
RU2017111428A 2017-04-04 2017-04-04 Магнетронная распылительная головка RU2656318C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017111428A RU2656318C1 (ru) 2017-04-04 2017-04-04 Магнетронная распылительная головка

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017111428A RU2656318C1 (ru) 2017-04-04 2017-04-04 Магнетронная распылительная головка

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2656318C1 true RU2656318C1 (ru) 2018-06-04

Family

ID=62560245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017111428A RU2656318C1 (ru) 2017-04-04 2017-04-04 Магнетронная распылительная головка

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2656318C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2747487C2 (ru) * 2018-06-19 2021-05-05 Общество с ограниченной ответственностью "АкадемВак" Магнетронное распылительное устройство
RU2817411C1 (ru) * 2023-07-05 2024-04-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет" Магнетрон с системой охлаждения

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5164063A (en) * 1991-08-27 1992-11-17 Leybold Aktiengesellschaft Sputtering cathode arrangement according to the magnetron principle for coating a flat annular surface
JPH04371577A (ja) * 1991-06-19 1992-12-24 Sony Corp マグネトロン型スパッタリング装置
JP2001271164A (ja) * 1999-10-13 2001-10-02 Applied Materials Inc 基板処理システムのための冷却システムを有する磁電管
RU2218450C2 (ru) * 2001-07-26 2003-12-10 Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан Магнетрон
RU54948U1 (ru) * 2006-01-12 2006-07-27 Общество с ограниченной ответственностью "Магна" Установка для нанесения покрытий
RU2296181C2 (ru) * 2005-05-04 2007-03-27 Открытое акционерное общество "Наро-Фоминский машиностроительный завод" Способ обработки поверхности лопаток газотурбинного двигателя
JP4371577B2 (ja) * 1997-12-12 2009-11-25 アルカテル・ユー・エス・エイ・ソーシング、エル・ピー 波長分割多重化を使用するディジタル電話及びアナログビデオを同時伝送する方法及び装置
UA49697U (ru) * 2009-11-03 2010-05-11 Донецький Фізико-Технічний Інститут Нан України ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ магнетронного распыления МИШЕНей
US20110036708A1 (en) * 2009-08-14 2011-02-17 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Magnetron sputtering device
RU121812U1 (ru) * 2012-07-02 2012-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" Катодно-распылительный узел магнетрона (варианты)

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04371577A (ja) * 1991-06-19 1992-12-24 Sony Corp マグネトロン型スパッタリング装置
US5164063A (en) * 1991-08-27 1992-11-17 Leybold Aktiengesellschaft Sputtering cathode arrangement according to the magnetron principle for coating a flat annular surface
JP4371577B2 (ja) * 1997-12-12 2009-11-25 アルカテル・ユー・エス・エイ・ソーシング、エル・ピー 波長分割多重化を使用するディジタル電話及びアナログビデオを同時伝送する方法及び装置
JP2001271164A (ja) * 1999-10-13 2001-10-02 Applied Materials Inc 基板処理システムのための冷却システムを有する磁電管
RU2218450C2 (ru) * 2001-07-26 2003-12-10 Дочернее государственное предприятие "Институт ядерной физики" Национального ядерного центра Республики Казахстан Магнетрон
RU2296181C2 (ru) * 2005-05-04 2007-03-27 Открытое акционерное общество "Наро-Фоминский машиностроительный завод" Способ обработки поверхности лопаток газотурбинного двигателя
RU54948U1 (ru) * 2006-01-12 2006-07-27 Общество с ограниченной ответственностью "Магна" Установка для нанесения покрытий
US20110036708A1 (en) * 2009-08-14 2011-02-17 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Magnetron sputtering device
UA49697U (ru) * 2009-11-03 2010-05-11 Донецький Фізико-Технічний Інститут Нан України ВАКУУМНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ магнетронного распыления МИШЕНей
RU121812U1 (ru) * 2012-07-02 2012-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" Катодно-распылительный узел магнетрона (варианты)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2747487C2 (ru) * 2018-06-19 2021-05-05 Общество с ограниченной ответственностью "АкадемВак" Магнетронное распылительное устройство
RU2817411C1 (ru) * 2023-07-05 2024-04-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет" Магнетрон с системой охлаждения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9055661B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101027879B1 (ko) 아크 이온 플레이팅 방법 및 이것에 사용되는 타겟
Shirai et al. Self-organized anode pattern on surface of liquid or metal anode in atmospheric DC glow discharges
KR101152406B1 (ko) 아크 플라즈마 토치
RU2656318C1 (ru) Магнетронная распылительная головка
KR20090091293A (ko) 세정된 기판 또는 추가 공정이 필요한 세정 기판의 제조 방법 및 장치
KR20180003388A (ko) 플라즈마 발생 장치
CN215268833U (zh) 一种低温等离子体产生设备
US6756596B2 (en) Filtered ion source
CN204518205U (zh) 大气压中空基底电极等离子体射流发生装置
JP2006253200A (ja) 耐エッチング性に優れたエッチャー用リング
KR101441191B1 (ko) 다중 구역식 플라즈마 플러드 건을 이용한 이온 중화 시스템 및 방법
RU87065U1 (ru) Устройство для создания однородной газоразрядной плазмы в технологических вакуумных камерах больших объемов
CN104540313B (zh) 大气压中空基底电极等离子体射流发生装置
EP3390688A1 (en) Hollow cathode ion source and method of extracting and accelerating ions
CN102296274B (zh) 用于阴极弧金属离子源的屏蔽装置
CN104878392A (zh) 离子束清洗刻蚀设备
RU121812U1 (ru) Катодно-распылительный узел магнетрона (варианты)
JP4684141B2 (ja) 真空アーク蒸発源及び真空アーク蒸着装置
CN104308349A (zh) 小型内孔用粉末等离子熔覆焊炬
KR101784387B1 (ko) 플라즈마 전위 분포의 균질화가 가능한 하전입자빔 출력장치용 플라즈마 챔버
KR20140142464A (ko) 이온 빔 소스
CN203613262U (zh) 浮动电位阳极辉光发射装置
RU2575018C1 (ru) Магнетронная распылительная система с протяженным катодом
WO2004073009A3 (de) Anlage zur magnetfeldbeeinflussten plasmaprozessierung eines endlosmaterials oder werkstücks