JP2001267229A - 位置合わせ方法及び位置合わせ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 工程に応じて的確にプリアライメント計測を
省略可能とし、スループット向上を図る。 【解決手段】 基板の外周検出により位置合わせを行う
メカプリアライメント工程Ｓ４２と、基板上の位置検出
用ターゲットを低倍光学系を用いて検出することにより
位置合わせを行うプリアライメント工程Ｓ４６を行うか
否かを判断する判断工程Ｓ４５と、基板上の位置検出用
ターゲットを高倍光学系を用いて検出することにより最
終的な位置合わせを行う精密アライメント工程Ｓ４７と
を有し、判断工程Ｓ４５でプリアライメント工程Ｓ４６
を行わないと判断した場合には、メカプリアライメント
工程Ｓ４２後にプリアライメント工程Ｓ４６を行わずに
精密アライメント工程Ｓ４７を行って位置検出用ターゲ
ットを有する基板を順次特定範囲に位置させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体素
子製造用の露光装置において、マスクやレチクルなどの
電子回路パターンに対してウエハなどの基板を位置合わ
せする位置合わせ方法及び位置合わせ装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体素子製造用のステッパ等
の露光装置は、シリコン製の集積回路用の基板であるウ
エハにマスクやレチクルの電子回路パターンを露光して
焼き付ける、即ち転写するようになっている。ウエハか
ら高集積度の回路を有する半導体素子を製造するために
は、ウエハをマスクやレチクルの電子回路パターンに対
して高精度・高効率で位置合わせすることが重要な要素
となっている。

【０００３】図１に半導体素子製造用の露光装置の要部
概略図、図２に従来のウエハの露光処理工程を表すフロ
ーチャート、図３にウエハとアライメントマークの模式
図を示す。図３（ａ）はウエハ上に焼き付けられたチッ
プの配列を示す模式図、図３（ｂ）はチップの拡大図で
ある。以下図１を参照しながら、図２のフローチャート
に沿って従来の位置合わせ工程を説明する。

【０００４】まず、最初にステップＳ２１において、キ
ャリア４からウエハＷを搬送ハンド３によりプリアライ
メントステージ５上に搬送しメカプリアライメント工程
を行う。該メカプリアライメント工程ではウエハＷの一
部に予め設けられている一部を直線状に切り欠いたオリ
エンテーションフラットや一部を切り欠いたノッチ等の
切り欠き部及びウエハＷの外周を検出する事によりウエ
ハＷの位置合わせを行う。

【０００５】次にステップＳ２２において、図３に示す
プリアライメントマークＰＭを用いたプリアライメント
工程を行う。該プリアライメント工程ではウエハＷ上に
焼き付けられた複数のショットの中から予め選ばれた複
数のサンプルショットについて、回路パターン中に設け
られ焼き付けられたプリアライメントマークＰＭが顕微
鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆
動し、検出装置８によりプリアライメントマークＰＭの
ずれ量を計測する。該顕微鏡７は高倍／低倍の２段階の
切り替えが可能な構成をとっており、該プリアライメン
ト工程においては前記メカプリアライメントのバラツキ
を考慮して検出範囲を大きくとる必要があるため低倍で
プリアライメントマークＰＭの計測を行う。該求められ
た複数のサンプルショットのずれ量からウエハＷのずれ
量を算出し、補正を行う。

【０００６】次に、ステップＳ２３において、図３に示
す精密アライメントマークＭＸ、ＭＹを用いた精密アラ
イメント工程を行う。該精密アライメント工程では前記
プリアライメント工程と同様に、予め選ばれた複数のサ
ンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼
き付けられた精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微
鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆
動し、検出装置８により精密アライメントマークＭＸ、
ＭＹのずれ量を計測する。この精密アライメント工程で
は精度を得るために、顕微鏡７の倍率を高倍にするとと
もに、サンプルショット数を多くする方法が採用されて
いる。全てのサンプルショットの計測が終了すると、ウ
エハＷのずれ量を算出・補正して精密アライメント工程
が終了する。

【０００７】以上説明してきたステップＳ２１からステ
ップＳ２３のアライメント工程を終えると、ステップＳ
２４において露光処理を行った後ステップＳ２５に進
み、全ウエハの処理が終了したかどうか判断し、終了し
ていない場合にはステップＳ２１からステップＳ２４ま
での工程を繰り返し、全ウエハの処理が終了した場合に
は露光処理工程を終了する。

【０００８】

【発明が解決しようとしている課題】近年メカプリアラ
イメントの技術が進み、メカプリアライメントの位置合
わせ精度が向上して、プリアライメントヘの送り込み再
現性が向上しており、プリアライメント工程が必要無い
レベルになっている。

【０００９】しかし、同一の装置で全てのウエハ処理工
程を行う場合にはプリアライメント工程を無くしてメカ
プリアライメント工程と精密アライメント工程のみの構
成で位置合わせが実現できるのだが、半導体ウエハの処
理工程では他の装置で露光されたウエハを処理すること
が多く、装置間のメカプリアライメントのバラツキや、
工程が進み熱処理を受けたウエハの変形により工程間の
メカプリアライメントのバラツキが発生する為、メカプ
リアライメント工程と精密アライメント工程だけの構成
では精密アライメント時にマークが顕微鏡の検出範囲か
ら外れて計測エラーが多発し、却って処理効率を落して
しまうため、プリアライメント工程は必要であり、この
ことは処理効率の向上を妨げる要因となっている。

【００１０】本発明は、工程に応じて的確にプリアライ
メント計測を省略することができ、スループットに優れ
た位置合わせが実現できる位置合わせ方法及び位置合わ
せ装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来の問
題に鑑み、位置検出用ターゲットを有する基板を順次特
定範囲に位置させるための位置合わせ方法において、前
記基板の外周検出により位置合わせを行うメカプリアラ
イメント工程と、前記基板上の位置検出用ターゲットを
低倍光学系を用いて検出することにより位置合わせを行
うプリアライメント工程を行うか否かを判断する判断工
程と、基板上の位置検出用ターゲットを高倍光学系を用
いて検出することにより最終的な位置合わせを行う精密
アライメント工程とを有し、前記判断工程で前記プリア
ライメント工程を行わないと判断した場合には、前記メ
カプリアライメント工程後に前記プリアライメント工程
を行わずに前記精密アライメント工程を行うことを特徴
とする。

【００１２】また、本発明は、位置検出用ターゲットを
有する基板を順次特定範囲に位置させるための位置合わ
せ装置において、前記基板の外周検出により位置合わせ
を行うメカプリアライメント手段と、前記基板上の位置
検出用ターゲットを低倍光学系を用いて検出することに
より位置合わせを行うプリアライメント手段と、該プリ
アライメント手段による位置合わせを行うか否かを判断
する判断手段と、基板上の位置検出用ターゲットを高倍
光学系を用いて検出することにより最終的な位置合わせ
を行う精密アライメント手段とを有し、前記判断手段で
前記プリアライメント手段による位置合わせを行わない
と判断した場合には、前記メカプリアライメント手段に
よる位置合わせ後の前記プリアライメント手段による位
置合わせを省略可能としたことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、
（１）前記メカプリアライメント工程、前記プリアライ
メント工程、前記精密アライメント工程を順次行う位置
合わせ方法と、（２）前記メカプリアライメント工程後
に前記プリアライメント工程を行わずに前記（１）の方
法で算出された基板ずれ量で補正した後に前記精密アラ
イメント工程を行う位置合わせ方法、の２つの位置合わ
せ方法を有することを特徴とする位置合わせ方法があ
る。

【００１４】また、複数の基板を処理する際の位置合わ
せ工程において、１枚目の基板で前記（１）の位置合わ
せ方法で位置合わせを行い、２枚目以降の基板では前記
（２）の位置合わせ方法で位置合わせを行う位置合わせ
方法が可能であり、複数の基板を処理する際の位置合わ
せ工程において、基板毎に前記（１）と（２）のどちら
の位置合わせ方法で位置合わせを行うか選択する手段を
有する位置合わせ方法、または複数の基板を処理する際
の位置合わせ工程において、前記（１）の位置合わせ方
法で計測された基板ずれ量を記憶する手段と、該記憶し
た基板ずれ量が安定している場合には前記（２）の位置
合わせ方法に切り替える手段とを有する位置合わせ方法
が望ましい。また、これらいずれかの位置合わせ方法を
選択する手段を有することが好ましく、前記（２）の位
置合わせ方法で精密アライメントで位置検出用ターゲッ
トが検出できなかった時に前記（１）の位置合わせ方法
で位置合わせすることが好ましい。

【００１５】

【実施例】（第１の実施例）図４は本発明による位置合
わせ方法を図１に示す半導体露光装置に適用したフロー
チャートである。以下に本発明の第１の実施例に係る位
置合わせ装置及び位置合わせ方法について図１及び図４
を参照して説明する。

【００１６】本発明の実施例に係る半導体露光装置は、
操作端末１、制御演算装置２、搬送ハンド３、ウエハキ
ャリア４、メカプリアライメントステージ５、ＸＹステ
ージ６、光学顕微鏡７、位置検出装置８、及び縮小投影
レンズ９等を備えて構成され、レチクル１０に形成され
ている回路パターンを、位置検出用ターゲットを有する
基板としてのウエハＷに転写するための露光処理を行う
ものである。

【００１７】上記メカプリアライメントステージ５は、
本実施例に係る半導体露光装置に設けた位置合わせ装置
における、ウエハＷの外周検出により位置合わせを行う
メカプリアライメント手段を構成している。また、ＸＹ
ステージ６は、ウエハＷ上の位置検出用ターゲットＰＭ
を光学顕微鏡７の低倍光学系を用いて検出することによ
り位置合わせを行うプリアライメント手段と、ウエハＷ
上の位置検出用ターゲットＭＸ，ＭＹを光学顕微鏡７の
高倍光学系を用いて検出することにより最終的な位置合
わせを行う精密アライメント手段とを構成している。制
御演算装置２は、プリアライメント手段による位置合わ
せを行うか否かを判断する判断手段を備えている。

【００１８】ウエハＷを順次特定範囲に位置させるため
の位置合わせ方法は、以下の如く行われる。まず、最初
にステップＳ４１において、ウエハＷのずれ量ｗ（ｘ，
ｙ，θ）をクリアする。ここで、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，
θ）はアライメント工程をすべて終了して最終的に算出
されたウエハＷのシフト成分ｘ、ｙと回転成分θのずれ
量である。

【００１９】次にステップＳ４２において、キャリア４
からウエハＷを搬送ハンド３によりメカプリアライメン
トステージ５上に搬送し、メカプリアライメント工程を
行う。該メカプリアライメント工程では、図３に示すよ
うにウエハＷの一部に予め設けられている一部を直線状
に切り欠いたオリエンテーションフラットや一部を切り
欠いたノッチ等の切り欠き部及びウエハＷの外周を検出
する事によりウエハＷの位置合わせを行う。

【００２０】次にステップＳ４３において、ずれ量ｗ
（ｘ，ｙ，θ）があるかどうか判断する。ステップＳ４
３において、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）が無い場合にはス
テップＳ４６に進みプリアライメント工程を行う。ステ
ップＳ４３において、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）がある場
合にはステップＳ４４に進み、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）
を用いて補正を行いステップＳ４５へ進む。

【００２１】ステップＳ４５では顕微鏡７を用いて精密
アライメントのサンプルショットの中の１箇所を観察
し、精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の視
野内に存在するかどうか判断する。精密アライメントマ
ークＭＸ、ＭＹが存在しなかった場合にはステップＳ４
６のプリアライメント工程へ進み、精密アライメントマ
ークＭＸ、ＭＹが存在した場合にはステップＳ４６のプ
リアライメント工程を行わずにステップＳ４７の精密ア
ライメント工程ヘ進む。

【００２２】ステップＳ４６のプリアライメント工程
は、従来の方法と同様の工程であり、ウエハＷ上に焼き
付けられた複数のショットの中から予め選ばれた複数の
サンプルショットについて、回路パターン中に設けられ
焼き付けられたプリアライメントマークＰＭが顕微鏡７
の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動
し、検出装置８によりプリアライメントマークＰＭのず
れ量を計測する。この際顕微鏡７は低倍で計測を行う。
該求められた複数のサンプルショットのずれ量からウエ
ハＷのずれ量を算出し補正を行う。

【００２３】ステップＳ４７の精密アライメント工程に
ついても、従来の方法と同様の工程であり、前記プリア
ライメント工程と同様予め選ばれた複数のサンプルショ
ットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられ
た精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の検出
領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出
装置８により精密アライメントマークＭＸ、ＭＹのずれ
量を計測する。この精密アライメント工程では精度を得
るために、顕微鏡７の倍率を高倍にするとともに、サン
プルショット数を多くする方法を採用している。全ての
サンプルショットの計測が終了すると、ウエハＷのずれ
量の算出・補正を行う。

【００２４】ステップＳ４７の精密アライメント工程が
終了するとステップＳ４８に進む。ステップＳ４８では
ステップＳ４７の精密アライメント工程で算出された最
終的なウエハＷの補正量を、ウエハＷのシフト成分、回
転成分のずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）として記憶する。

【００２５】以上説明してきたステップＳ４２からステ
ップＳ４８のアライメント工程を終えるとステップＳ４
９において露光処理を行った後ステップＳ４Ａに進み、
全ウエハの処理が終了したかどうか判断し、終了してい
ない場合にはステップＳ４２からステップＳ４９までの
工程を繰り返し、全ウエハの処理が終了した場合には露
光処理工程を終了する。

【００２６】（第２の実施例）前記第１の実施例で述べ
た方法ではロット内でウエハＷのずれ量が安定している
場合には有効である。しかし、複数の露光装置で生産ラ
インを構成してウエハの処理を行う場合などには、工程
毎に使用する露光装置が異なる場合もあり、ロット内で
のウエハＷのずれ量がばらついたりロット途中でウエハ
Ｗのずれ量が変わることがある。このような場合には、
第１の実施例で述べた方法を適用してもプリアライメン
ト計測が必要となることが多くなり、効果的に処理効率
を上げる事ができない。

【００２７】以下において、上記問題に鑑みた本発明に
係る第２の実施例を説明する。図５は本発明の第２の実
施例に係る位置合わせ方法を図１に示す半導体露光装置
に適用したフローチャートである。以下に本発明に係る
位置合わせ方法の第２の実施例を図５を参照して説明す
る。

【００２８】まず、最初にステップＳ５１において、ウ
エハＷのずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）をクリアする。ここ
で、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）はアライメント工程をすべ
て終了して最終的に算出されたウエハＷのシフト成分
ｘ、ｙと回転成分θのずれ量である。

【００２９】次にステップＳ５２においてキャリア４か
らウエハＷを搬送ハンド３によりプリアライメントステ
ージ５上に搬送し、メカプリアライメント工程を行う。
該メカプリアライメント工程ではウエハＷの一部に予め
設けられている一部を直線状に切り欠いたオリエンテー
ションフラットや一部を切り欠いたノッチ等の切り欠き
部及びウエハＷの外周を検出する事によりウエハＷの位
置合わせを行う。

【００３０】次にステップＳ５３において、該ウエハＷ
でプリアライメント計測が必要かどうか判定する。ステ
ップＳ５３において、プリアライメントが必要な場合に
はステップＳ５６に進み、プリアライメント工程を行
う。ステップＳ５３において、プリアライメントが必要
でない場合にはステップＳ５４に進み、ずれ量ｗ（ｘ，
ｙ，θ）を用いて補正を行いステップＳ５５へ進む。

【００３１】ステップＳ５５では、顕微鏡７を用いて精
密アライメントのサンプルショットの中の１箇所を観察
し、精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の視
野内に存在するかどうか判断する。精密アライメントマ
ークＭＸ、ＭＹが存在しなかった場合にはステップＳ５
６のプリアライメント工程へ進み、精密アライメントマ
ークＭＸ、ＭＹが存在した場合にはステップＳ５６のプ
リアライメント工程を行わずにステップＳ５７の精密ア
ライメント工程ヘ進む。

【００３２】ステップＳ５６のプリアライメント工程
は、従来の方法と同様の工程であり、ウエハＷ上に焼き
付けられた複数のショットの中から予め選ばれた複数の
サンプルショットについて、回路パターン中に設けられ
焼き付けられたプリアライメントマークＰＭが顕微鏡７
の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動
し、検出装置８によりプリアライメントマークＰＭのず
れ量を計測する。この際顕微鏡７は低倍で計測を行う。
該求められた複数のサンプルショットのずれ量からウエ
ハＷのずれ量を算出し補正を行う。

【００３３】ステップＳ５７の精密アライメント工程に
ついても、従来の方法と同様の工程であり、前記プリア
ライメント工程と同様予め選ばれた複数のサンプルショ
ットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられ
た精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の検出
領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出
装置８により精密アライメントマークＭＸ、ＭＹのずれ
量を計測する。この精密アライメント工程では精度を得
るために、顕微鏡７の倍率を高倍にするとともに、サン
プルショット数を多くする方法を採用している。全ての
サンプルショットの計測が終了するとウエハＷのずれ量
の算出・補正を行う。

【００３４】ステップＳ５７の精密アライメント工程が
終了するとステップＳ５８に進む。ステップＳ５８では
ステップＳ５７の精密アライメント工程で算出された最
終的なウエハの補正量を、ウエハＷのシフト成分、回転
成分のずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）に記憶する。

【００３５】以上説明してきたステップＳ５２からステ
ップＳ５８のアライメント工程を終えると、ステップＳ
５９において露光処理を行った後ステップＳ５Ａに進
み、全ウエハの処理が終了したかどうか判断し、終了し
ていない場合にはステップＳ５２からステップＳ５９ま
での工程を繰り返し、全ウエハの処理が終了した場合に
は露光処理工程を終了する。

【００３６】次に、ステップＳ５３で行うプリアライメ
ント計測が必要かどうかの判断方法の詳細について表１
を参照して説明する。表１はプリアライメント計測が必
要かどうかの判断方法を示す表である。

【００３７】

【表１】

【００３８】表中、左側は工程毎に指定するモード、右
側は各モードにおける判断方法を示す。該モードは工程
毎に選択できるようになっており、工程に応じて使い分
けるようにしておく。以下各モードのプリアライメント
計測判断方法について説明する。

【００３９】モードの設定に「１．指定モード」が選択
されている時にはプリアライメントを行うウエハを予め
指定する方法をとる。前工程を処理した装置が替わるウ
エハでプリアライメント工程を行うように設定しておく
ことによりロット途中でウエハずれ量が変わった時に効
果的にプリアライメント計測を行うことができる。

【００４０】モードの設定に「２．オートモード」が設
定されている時にはウエハずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）の変
動量でプリアライメント計測を行うかどうかの判定を行
う方法をとる。この場合、例えば最近処理した２枚分の
ウエハずれ量を記憶しておき差分を算出する。該差分が
精密アライメント計測時の検出範囲内に入っている場合
にはプリアライメント計測を行わない、該差分が精密ア
ライメント計測時の検出範囲を超える場合にはプリアラ
イメント計測を行う、という判定を行う。この方法によ
ればロット内のウエハずれ量の安定性が懸念される場合
にも、ずれ量のばらつきが大きい場合には的確にプリア
ライメントを行い、またウエハずれ量のばらつきが少な
い場合には効果的にプリアライメント計測を省略するこ
とができる。

【００４１】

【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した位置合
わせ装置または位置合わせ方法による露光装置または露
光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明す
る。図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設
計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ２
（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスク
を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステ
ップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意
したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術により
ウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組
み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４により作製され
たウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッ
センブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケー
ジング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうし
た工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ス
テップ７）される。

【００４２】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した位置合わせ方法また
は位置合わせ装置を有する露光装置によって、マスクの
回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７
（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８
（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削
り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。これらのス
テップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に
回路パターンが形成される。

【００４３】本実施例ではこの繰り返しの各プロセスに
おいて、上記述べたように位置合わせ方法または位置合
わせ装置を適用することで、プロセスに影響を受けず正
確な位置合わせを可能としている。本実施例の生産方法
を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイ
スを低コストに製造することができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、工程に応じて的確にプ
リアライメント計測を省略することができ、スループッ
トの向上に優れた位置合わせが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 半導体露光装置の要部を示す概略図である。

【図２】 従来の位置合わせ方法によるウエハ処理工程
を示すフローチャートである。

【図３】 ウエハとアライメントマークを示す図であ
る。

【図４】 本発明の第１の実施例に係るウエハ処理工程
を示すフローチャートである。

【図５】 本発明の第２の実施例に係るウエハ処理工程
を示すフローチャートである。

【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。

【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。

【符号の説明】

１：操作端末、２：制御演算装置、３：搬送ハンド、
４：ウエハキャリア、５：メカプリアライメントステー
ジ、６：ＸＹステージ、７：光学顕微鏡、８：位置検出
装置、９：縮小投影レンズ、１０：レチクル、Ｗ：ウエ
ハ。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 位置検出用ターゲットを有する基板を順
   次特定範囲に位置させるための位置合わせ方法におい
   て、前記基板の外周検出により位置合わせを行うメカプ
   リアライメント工程と、前記基板上の位置検出用ターゲ
   ットを低倍光学系を用いて検出することにより位置合わ
   せを行うプリアライメント工程を行うか否かを判断する
   判断工程と、基板上の位置検出用ターゲットを高倍光学
   系を用いて検出することにより最終的な位置合わせを行
   う精密アライメント工程とを有し、前記判断工程で前記
   プリアライメント工程を行わないと判断した場合には、
   前記メカプリアライメント工程後に前記プリアライメン
   ト工程を行わずに前記精密アライメント工程を行うこと
   を特徴とする位置合わせ方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の位置合わせ方法におい
   て、（１）前記メカプリアライメント工程、前記プリア
   ライメント工程、前記精密アライメント工程を順次行う
   位置合わせ方法と、（２）前記メカプリアライメント工
   程後に前記プリアライメント工程を行わずに前記（１）
   の方法で算出された基板ずれ量で補正した後に前記精密
   アライメント工程を行う位置合わせ方法、の２つの位置
   合わせ方法を有することを特徴とする位置合わせ方法。
3. 【請求項３】 複数の基板を処理する際の位置合わせ工
   程において、１枚目の基板で前記（１）の位置合わせ方
   法で位置合わせを行い、２枚目以降の基板では前記
   （２）の位置合わせ方法で位置合わせを行うことを特徴
   とする請求項２に記載の位置合わせ方法。
4. 【請求項４】 複数の基板を処理する際の位置合わせ工
   程において、基板毎に前記（１）と（２）のどちらの位
   置合わせ方法で位置合わせを行うか選択する手段を有す
   ることを特徴とする請求項２に記載の位置合わせ方法。
5. 【請求項５】 複数の基板を処理する際の位置合わせ工
   程において、前記（１）の位置合わせ方法で計測された
   基板ずれ量を記憶する手段と、該記憶した基板ずれ量が
   安定している場合には前記（２）の位置合わせ方法に切
   り替える手段とを有することを特徴とする請求項２に記
   載の位置合わせ方法。
6. 【請求項６】 請求項３〜５に記載のいずれかの位置合
   わせ方法を選択する手段を有することを特徴とする請求
   項２に記載の位置合わせ方法。
7. 【請求項７】 前記（２）の位置合わせ方法で精密アラ
   イメントにおける位置検出用ターゲットが検出できなか
   った時に前記（１）の位置合わせ方法で位置合わせする
   ことを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の位置
   合わせ方法。
8. 【請求項８】 位置検出用ターゲットを有する基板を順
   次特定範囲に位置させるための位置合わせ装置におい
   て、前記基板の外周検出により位置合わせを行うメカプ
   リアライメント手段と、前記基板上の位置検出用ターゲ
   ットを低倍光学系を用いて検出することにより位置合わ
   せを行うプリアライメント手段と、該プリアライメント
   手段による位置合わせを行うか否かを判断する判断手段
   と、基板上の位置検出用ターゲットを高倍光学系を用い
   て検出することにより最終的な位置合わせを行う精密ア
   ライメント手段とを有し、前記判断手段で前記プリアラ
   イメント手段による位置合わせを行わないと判断した場
   合には、前記メカプリアライメント手段による位置合わ
   せ後の前記プリアライメント手段による位置合わせを省
   略可能としたことを特徴とする位置合わせ装置。
9. 【請求項９】 請求項１〜７のいずれかに記載の位置合
   わせ方法もしくは請求項８に記載の位置合わせ装置によ
   って位置合わせする露光装置または露光方法を用いてデ
   バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。