JP2001267083A - 発光素子及びその用途 - Google Patents
発光素子及びその用途Info
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- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子（有機電界発光素子、無機電界発光
素子）の高輝度を維持しながら、コントラスト特性を向
上させること。 【解決手段】 陽極と陰極との間に、発光領域を含む層
が設けられた発光素子において、前記陽極の可視光（波
長３８０〜７８０ｎｍ）透過率が３５〜７５％に規定さ
れ、更に前記陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅＶに規
定された発光素子。
素子）の高輝度を維持しながら、コントラスト特性を向
上させること。 【解決手段】 陽極と陰極との間に、発光領域を含む層
が設けられた発光素子において、前記陽極の可視光（波
長３８０〜７８０ｎｍ）透過率が３５〜７５％に規定さ
れ、更に前記陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅＶに規
定された発光素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばカラーデ
ィスプレイ等の表示素子として用いられる自発光型の発
光素子、及びその用途に関する。
ィスプレイ等の表示素子として用いられる自発光型の発
光素子、及びその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、とくにマルチメディア指向の製品
等においては、人間と機械とのインターフェースの重要
性が高まってきている。その機械をより快適に効率よく
操作するには、機械の側から充分な量の情報を簡潔に瞬
時に取り出す必要があり、そのため、ディスプレイを初
めとする様々な表示素子の研究が行われている。
等においては、人間と機械とのインターフェースの重要
性が高まってきている。その機械をより快適に効率よく
操作するには、機械の側から充分な量の情報を簡潔に瞬
時に取り出す必要があり、そのため、ディスプレイを初
めとする様々な表示素子の研究が行われている。
【０００３】この表示素子は、機械の小型化に伴い小型
化、薄型化に対する要求が日々、強くなっている。以
下、主な表示素子の具体例について説明する。
化、薄型化に対する要求が日々、強くなっている。以
下、主な表示素子の具体例について説明する。
【０００４】液晶ディスプレイは、代表的な表示素子の
一つとして今日、種々の製品のインターフェースに用い
られており、ラップトップ型情報処理機器を始め、小型
テレビ、時計、電卓等々、日常生活製品に多く用いられ
ている。
一つとして今日、種々の製品のインターフェースに用い
られており、ラップトップ型情報処理機器を始め、小型
テレビ、時計、電卓等々、日常生活製品に多く用いられ
ている。
【０００５】この液晶ディスプレイは、液晶が低電圧駆
動、低消費電力であるという特徴を生かして、小型から
大容量表示デバイスに至るまで、専らかなめのインター
フェイスとして、研究されてきた。
動、低消費電力であるという特徴を生かして、小型から
大容量表示デバイスに至るまで、専らかなめのインター
フェイスとして、研究されてきた。
【０００６】しかし、この液晶ディスプレイは、受光型
なのでバックライトが欠かせず、そのバックライトの駆
動には液晶のそれより大きな電力を必要とする。したが
って、蓄電池等が内臓されているとはいえ給電に限界が
あり、稼動時間が短くなるなど、使用上の制限が出る問
題がある。
なのでバックライトが欠かせず、そのバックライトの駆
動には液晶のそれより大きな電力を必要とする。したが
って、蓄電池等が内臓されているとはいえ給電に限界が
あり、稼動時間が短くなるなど、使用上の制限が出る問
題がある。
【０００７】さらに、この液晶ディスプレイについて
は、特有の問題点を指摘することができる。
は、特有の問題点を指摘することができる。
【０００８】まず、視野角が狭いために大型ディスプレ
イ等の大型表示には適していないこと、また液晶ディス
プレイは液晶分子の配向状態による表示であるので、そ
の視野角の中においても、角度によってはコントラスト
が変化してしまうこと、が問題である。
イ等の大型表示には適していないこと、また液晶ディス
プレイは液晶分子の配向状態による表示であるので、そ
の視野角の中においても、角度によってはコントラスト
が変化してしまうこと、が問題である。
【０００９】一方、駆動方式からみると、液晶ディスプ
レイのアクティブマトリクス方式は、動画を扱うのに十
分な応答速度を示す反面、ＴＦＴ駆動回路を用いるの
で、画素欠陥により画面サイズを大型化することが困難
であり、またコストダウンを計る上からも得策ではな
い。
レイのアクティブマトリクス方式は、動画を扱うのに十
分な応答速度を示す反面、ＴＦＴ駆動回路を用いるの
で、画素欠陥により画面サイズを大型化することが困難
であり、またコストダウンを計る上からも得策ではな
い。
【００１０】また、もう一つの駆動方式である単純マト
リクス方式は、上記とは裏腹にコストは低いし、画面サ
イズの大型化も比較的容易であるが、動画を扱うのに十
分な応答速度が出せない、という問題がある。
リクス方式は、上記とは裏腹にコストは低いし、画面サ
イズの大型化も比較的容易であるが、動画を扱うのに十
分な応答速度が出せない、という問題がある。
【００１１】このような液晶素子に対して、以下に述べ
るプラズマ表示素子や無機電界発光素子、有機電界発光
素子などは、自発光型に属する表示素子である。
るプラズマ表示素子や無機電界発光素子、有機電界発光
素子などは、自発光型に属する表示素子である。
【００１２】まず、プラズマ表示素子は低圧ガス中での
プラズマ発光を表示に利用したもので、大型化、大容量
化に適している。しかし、薄型化やコスト面で問題を抱
えており、さらに駆動に高電圧の交流バイアスを必要と
し、携帯用デバイスには適していない。
プラズマ発光を表示に利用したもので、大型化、大容量
化に適している。しかし、薄型化やコスト面で問題を抱
えており、さらに駆動に高電圧の交流バイアスを必要と
し、携帯用デバイスには適していない。
【００１３】また、無機電界発光素子は、緑色発光ディ
スプレイ等が商品化されたが、プラズマ表示素子と同
様、交流バイアス駆動で数百Ｖを必要としたため、ユー
ザーに受け入れられなかった。
スプレイ等が商品化されたが、プラズマ表示素子と同
様、交流バイアス駆動で数百Ｖを必要としたため、ユー
ザーに受け入れられなかった。
【００１４】もっとも、その後の技術的進歩の結果、今
日ではカラーディスプレイ表示に必要なＲＧＢ三原色の
発光に成功しているが、構成に無機材料が欠かせないの
で、分子設計等による発光波長などの制御は無理であ
り、フルカラー化には困難が伴うと予想される。
日ではカラーディスプレイ表示に必要なＲＧＢ三原色の
発光に成功しているが、構成に無機材料が欠かせないの
で、分子設計等による発光波長などの制御は無理であ
り、フルカラー化には困難が伴うと予想される。
【００１５】一方、有機電界発光素子は、有機化合物に
よる電界発光を利用するもので、この現象は既に今から
約３０数年前に発見されている。すなわち、１９６０年
代前半に、強く蛍光を発生するアントラセン単結晶へキ
ャリアを注入すると、特異な発光現象（ルミネセンスの
誘起による）の生じるのが観測された。それ以来、有機
電界発光素子は長期間にわたって研究の対象にされてき
たが、何分にも低揮度、単色で、しかも単結晶を用いる
ため、主に有機材料へのキャリア注入の点に技術的重点
が置かれ、基礎的研究段階の域を出なかった。
よる電界発光を利用するもので、この現象は既に今から
約３０数年前に発見されている。すなわち、１９６０年
代前半に、強く蛍光を発生するアントラセン単結晶へキ
ャリアを注入すると、特異な発光現象（ルミネセンスの
誘起による）の生じるのが観測された。それ以来、有機
電界発光素子は長期間にわたって研究の対象にされてき
たが、何分にも低揮度、単色で、しかも単結晶を用いる
ため、主に有機材料へのキャリア注入の点に技術的重点
が置かれ、基礎的研究段階の域を出なかった。
【００１６】それが、１９８０年代も半ばを過ぎる頃に
なると、事情が変わってくる。１９８７年にＥａｓｔｍ
ａｎ Ｋｏｄａｋ社のＴａｎｇらが当時としては画期的
な有機薄膜電界発光素子を発表した。これは、アモルフ
ァス発光層を有する積層構造体で、低電圧駆動、高輝度
発光が可能である。この積層構造体の発明がきっかけと
なって有機電界発光素子の研究開発は一段と弾みがつ
き、ＲＧＢ三原色の発光、安定性、輝度上昇、積層構
造、及び製造方法と研究が多方面で盛んに行われるよう
になり、今日に至っている。
なると、事情が変わってくる。１９８７年にＥａｓｔｍ
ａｎ Ｋｏｄａｋ社のＴａｎｇらが当時としては画期的
な有機薄膜電界発光素子を発表した。これは、アモルフ
ァス発光層を有する積層構造体で、低電圧駆動、高輝度
発光が可能である。この積層構造体の発明がきっかけと
なって有機電界発光素子の研究開発は一段と弾みがつ
き、ＲＧＢ三原色の発光、安定性、輝度上昇、積層構
造、及び製造方法と研究が多方面で盛んに行われるよう
になり、今日に至っている。
【００１７】なお、そのほかにも、有機材料の特長であ
る分子設計等を利用して次々とディスプレイ用の新規材
料が開発され、直流低電圧駆動、薄型、自発光性など、
それなりに優れた特徴を有する有機電界発光素子が相次
いで出現し、そのカラーディスプレイへの応用研究も盛
んに行われつつある。
る分子設計等を利用して次々とディスプレイ用の新規材
料が開発され、直流低電圧駆動、薄型、自発光性など、
それなりに優れた特徴を有する有機電界発光素子が相次
いで出現し、そのカラーディスプレイへの応用研究も盛
んに行われつつある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】以上、代表的な表示素
子の長所、短所、あるいは開発の歴史について述べてき
たが、本発明はこれらの表示素子のうち、有機電界発光
素子と無機電界発光素子の改良に係わるものなので、以
下、それらの発光素子が今日抱えている、各方面からと
くに改善の要ありと指摘されている問題点について説明
する。
子の長所、短所、あるいは開発の歴史について述べてき
たが、本発明はこれらの表示素子のうち、有機電界発光
素子と無機電界発光素子の改良に係わるものなので、以
下、それらの発光素子が今日抱えている、各方面からと
くに改善の要ありと指摘されている問題点について説明
する。
【００１９】コントラスト（特性）は、ディスプレイの
主たる性能の一つであるが、前述した有機電界発光素子
や無機電界発光素子などの自発光型表示素子ではメタル
バック（金属陰極による外光の反射）等の影響により、
充分なコントラストが得られていない。とくに有機電界
発光素子のコントラストは、せいぜい２００：１程度で
あり、これを上回る充分なコントラストを有する表示素
子の開発が各方面から要求されている。
主たる性能の一つであるが、前述した有機電界発光素子
や無機電界発光素子などの自発光型表示素子ではメタル
バック（金属陰極による外光の反射）等の影響により、
充分なコントラストが得られていない。とくに有機電界
発光素子のコントラストは、せいぜい２００：１程度で
あり、これを上回る充分なコントラストを有する表示素
子の開発が各方面から要求されている。
【００２０】また、有機電界発光素子の発光効率も未だ
不十分である。その原因の一つとして、電極から有機層
へのキャリアの注入効率が小さいことが挙げられる。
不十分である。その原因の一つとして、電極から有機層
へのキャリアの注入効率が小さいことが挙げられる。
【００２１】さらに、有機電界発光素子の開発上の大き
な障害は、陽極材料がＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2及びそ
れらの関連物質にほぼ限定されていて、ホール注入材料
が、陽極材料とのエネルギーマッチングに大きく制約さ
れていることである。
な障害は、陽極材料がＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ2及びそ
れらの関連物質にほぼ限定されていて、ホール注入材料
が、陽極材料とのエネルギーマッチングに大きく制約さ
れていることである。
【００２２】本発明は上記事情を改善するためになされ
たもので、その目的は、高輝度を維持しながらコントラ
ストを向上させた発光素子（有機電界発光素子、無機電
界発光素子など）を提供することにある。
たもので、その目的は、高輝度を維持しながらコントラ
ストを向上させた発光素子（有機電界発光素子、無機電
界発光素子など）を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の発光
素子は、発光領域を含む層が陽極と陰極との間に設けら
れた発光素子において、前記陽極の可視光透過率が３５
〜７５％であることを、特徴とする。
素子は、発光領域を含む層が陽極と陰極との間に設けら
れた発光素子において、前記陽極の可視光透過率が３５
〜７５％であることを、特徴とする。
【００２４】ただし、前記発光領域を含む前記層とは、
後述するようにしかるべき機能を備えた有機化合物層及
び／又は無機化合物層で構成されるものであり、前記可
視光とは、通常３８０〜７８０ｎｍの波長を有する電磁
波のことを言う。
後述するようにしかるべき機能を備えた有機化合物層及
び／又は無機化合物層で構成されるものであり、前記可
視光とは、通常３８０〜７８０ｎｍの波長を有する電磁
波のことを言う。
【００２５】本発明者の検討によれば、前記陽極の可視
光透過率を３５〜７５％、好ましくは４０〜７０％の範
囲に特定すると、言い換えれば、この陽極を光学的に特
定の「半透明」な状態に構成しておくと、発光素子は、
有機電界発光素子に限らず無機電界発光素子も高輝度を
維持しながら、コントラストを確実に向上させることが
できる。即ち、陽極の光透過率を上記範囲に設定すれ
ば、素子へ入射する外光の入射量とこの入射光の金属陰
極での反射光の透過量も減らせるため、コントラストが
向上し、かつ、上記光透過率の範囲との材料的にみて広
範囲の中からホール注入層とのエネルギーレベルのマッ
チングのとれた陽極材料を選べ、これによって光透過率
が低下してもキャリア注入量（発光量）を増やし、高輝
度を保持することができる。反対に、上記光透過率範囲
を外れると、上記の効果が発揮されない。
光透過率を３５〜７５％、好ましくは４０〜７０％の範
囲に特定すると、言い換えれば、この陽極を光学的に特
定の「半透明」な状態に構成しておくと、発光素子は、
有機電界発光素子に限らず無機電界発光素子も高輝度を
維持しながら、コントラストを確実に向上させることが
できる。即ち、陽極の光透過率を上記範囲に設定すれ
ば、素子へ入射する外光の入射量とこの入射光の金属陰
極での反射光の透過量も減らせるため、コントラストが
向上し、かつ、上記光透過率の範囲との材料的にみて広
範囲の中からホール注入層とのエネルギーレベルのマッ
チングのとれた陽極材料を選べ、これによって光透過率
が低下してもキャリア注入量（発光量）を増やし、高輝
度を保持することができる。反対に、上記光透過率範囲
を外れると、上記の効果が発揮されない。
【００２６】
【発明の実施の形態】そして、特に、有機電界発光素子
の場合は、陽極を上記した３５〜７０％の光透過率とし
たので、陽極の仕事関数を３．０〜７．０ｅＶの範囲内
に任意に規定でき、陽極材料としてホール注入層とエネ
ルギーマッチングがとれるもの（すなわち、両者間のエ
ネルギーマッチングの最適化をはかること）によって、
ホールの注入効率を向上させ、発光効率を高めることが
できる。
の場合は、陽極を上記した３５〜７０％の光透過率とし
たので、陽極の仕事関数を３．０〜７．０ｅＶの範囲内
に任意に規定でき、陽極材料としてホール注入層とエネ
ルギーマッチングがとれるもの（すなわち、両者間のエ
ネルギーマッチングの最適化をはかること）によって、
ホールの注入効率を向上させ、発光効率を高めることが
できる。
【００２７】しかも、こうすれば陽極材料は選択幅が広
がり、ホール注入材料に対する制約が解消されるととも
に、ホール注入材料についても、陽極材料に対する制約
が解消され、両者ともこれまでに比べてより広範囲な材
料を用いることが可能である。
がり、ホール注入材料に対する制約が解消されるととも
に、ホール注入材料についても、陽極材料に対する制約
が解消され、両者ともこれまでに比べてより広範囲な材
料を用いることが可能である。
【００２８】以下、本発明を好ましい実施の形態に基い
て更に具体的に説明する。
て更に具体的に説明する。
【００２９】本発明において、高輝度の維持及びコント
ラストの向上の効果を発揮させるには、前記陽極を可視
光域（通常、波長が３８０〜７８０ｎｍのもの）全体に
わたって、３５〜７５％の透過率に維持することが重要
である。
ラストの向上の効果を発揮させるには、前記陽極を可視
光域（通常、波長が３８０〜７８０ｎｍのもの）全体に
わたって、３５〜７５％の透過率に維持することが重要
である。
【００３０】この目的達成のためには、陽極の構成材料
として、周期表のIIIＡ族、IVＡ族、ＶＡ族、VIIＡ族、
VIIIＡ族及びＩＢ族から選ばれた１種、又は２種以上の
金属、又はその金属化合物を用いることが好ましい。
として、周期表のIIIＡ族、IVＡ族、ＶＡ族、VIIＡ族、
VIIIＡ族及びＩＢ族から選ばれた１種、又は２種以上の
金属、又はその金属化合物を用いることが好ましい。
【００３１】上記金属の具体例としては、Ｎｉ、Ｒｕ、
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ及びＷなどがある。
Ｉｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ及びＷなどがある。
【００３２】また、前記金属化合物としては、酸化物、
窒化物又は酸窒化物が好ましい。これらの具体例を挙げ
ると、ＬｉＮｉＯ2、ＰｔＲｈＯx、ＴｉＮｂＯx、ＷＲ
ｅＯx、ＮｉＯ、ＲｕＯx、ＩｒＯx、ＰｔＯx、Ｒｈ
Ｏx、ＰｄＯx、ＲｅＯx、ＷＯx、ＮｉＮＯ、ＬｉＮｉＮ
Ｏ、ＲｕＮＯ、ＩｒＮＯ、ＰｔＮＯ、ＲｈＮＯ、ＲｅＮ
Ｏ、ＷＮＯ、ＴｉＮＯ、ＴｉＮおよびＺｒＮなどがあ
る。
窒化物又は酸窒化物が好ましい。これらの具体例を挙げ
ると、ＬｉＮｉＯ2、ＰｔＲｈＯx、ＴｉＮｂＯx、ＷＲ
ｅＯx、ＮｉＯ、ＲｕＯx、ＩｒＯx、ＰｔＯx、Ｒｈ
Ｏx、ＰｄＯx、ＲｅＯx、ＷＯx、ＮｉＮＯ、ＬｉＮｉＮ
Ｏ、ＲｕＮＯ、ＩｒＮＯ、ＰｔＮＯ、ＲｈＮＯ、ＲｅＮ
Ｏ、ＷＮＯ、ＴｉＮＯ、ＴｉＮおよびＺｒＮなどがあ
る。
【００３３】また、陽極の物理化学的特性を向上させる
ために、陽極材にドーパントを添加するとよい。そのド
ーパントを添加した陽極材の主な例を挙げると、ＲXＮ
ｉＯ（Ｒ＝Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃs、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ）、ＲxＷＯ3（Ｒ＝Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
ｂ、Ｃs、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）、ＴｉＮｂxＯyなどがあ
る。
ために、陽極材にドーパントを添加するとよい。そのド
ーパントを添加した陽極材の主な例を挙げると、ＲXＮ
ｉＯ（Ｒ＝Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃs、Ｃｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ）、ＲxＷＯ3（Ｒ＝Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
ｂ、Ｃs、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）、ＴｉＮｂxＯyなどがあ
る。
【００３４】ただし、上記陽極材料の組成は、必ずしも
化学量論組成である必要はなく、不定比であってもよ
い。
化学量論組成である必要はなく、不定比であってもよ
い。
【００３５】さらに、陽極材料の結晶相については単
相、複数相のどちらでもよい。
相、複数相のどちらでもよい。
【００３６】もちろん、陽極層のモルフォロジーについ
ては、特に限定しない。平滑度が高くて一様な膜、たと
えばアモルファス、微結晶、エピタキシャル膜、単結晶
膜もしくは、これらに類似したものが望ましい。
ては、特に限定しない。平滑度が高くて一様な膜、たと
えばアモルファス、微結晶、エピタキシャル膜、単結晶
膜もしくは、これらに類似したものが望ましい。
【００３７】また、ホールの注入効率を上げるために、
陽極材料はｐ型の電気伝導特性を有していることが好ま
しい。
陽極材料はｐ型の電気伝導特性を有していることが好ま
しい。
【００３８】陽極は単層でも複数層でもよい。とくにＩ
ＴＯ等の透明電極と積層構造にする場合は、組成と層厚
とを最適化することによって、前記光透過率と、後述す
る仕事関数と、電気抵抗率とを、他の特性を損なうこと
なく所望にコントロールすることができる。
ＴＯ等の透明電極と積層構造にする場合は、組成と層厚
とを最適化することによって、前記光透過率と、後述す
る仕事関数と、電気抵抗率とを、他の特性を損なうこと
なく所望にコントロールすることができる。
【００３９】前記相及び層に関して好ましい陽極の構造
例を挙げると、既述した金属又は金属酸化物を含む相
と、亜鉛、インジウム又はスズを含む相とが単層化又は
積層化された構造が好ましい。
例を挙げると、既述した金属又は金属酸化物を含む相
と、亜鉛、インジウム又はスズを含む相とが単層化又は
積層化された構造が好ましい。
【００４０】また、本発明においては、前記陽極が前記
半透明の条件を備えるだけでなく、その仕事関数が３．
０〜７．０ｅＶに規定されていることが好ましい。
半透明の条件を備えるだけでなく、その仕事関数が３．
０〜７．０ｅＶに規定されていることが好ましい。
【００４１】これらの条件を満足すると、ホール注入層
と陽極間のエネルギーマッチングの最適化を行うことが
でき、ホールの注入効率を向上させ、発光効率を高める
ことができるばかりでなく、ホール注入層と陽極とを相
互に拘束する制約を解消でき、それぞれより広範囲の材
料系を用いることが可能である。
と陽極間のエネルギーマッチングの最適化を行うことが
でき、ホールの注入効率を向上させ、発光効率を高める
ことができるばかりでなく、ホール注入層と陽極とを相
互に拘束する制約を解消でき、それぞれより広範囲の材
料系を用いることが可能である。
【００４２】なお、本発明における発光素子の陽極を製
造するには、この分野で公知の製膜法、たとえばスパッ
タッリング、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、
レーザアブレーションなどの手法によればよい。
造するには、この分野で公知の製膜法、たとえばスパッ
タッリング、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング、
レーザアブレーションなどの手法によればよい。
【００４３】既述したように、これまでは外部光の取出
し効率を上げる目的で、陽極にはもっぱらＩＴＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ2及びこれらの関連物質と、限られた材料が
用いられ、可視光透過率を８０％以上と所謂「透明電
極」にするのが通例であった。その結果、ホール注入材
料及び陽極材料は、互いにエネルギーマッチングに強く
制約され、選択使用幅がごく狭いものであった。この問
題を、前記陽極に係わる特定条件の確立によって解決し
たのが、本発明に他ならない。
し効率を上げる目的で、陽極にはもっぱらＩＴＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ2及びこれらの関連物質と、限られた材料が
用いられ、可視光透過率を８０％以上と所謂「透明電
極」にするのが通例であった。その結果、ホール注入材
料及び陽極材料は、互いにエネルギーマッチングに強く
制約され、選択使用幅がごく狭いものであった。この問
題を、前記陽極に係わる特定条件の確立によって解決し
たのが、本発明に他ならない。
【００４４】次に、本発明の発光素子が実際にどのよう
な構造をもつのか、具体的に好ましい例を、適宜、図面
を参照しながら説明する。
な構造をもつのか、具体的に好ましい例を、適宜、図面
を参照しながら説明する。
【００４５】まず、本発明の発光素子の好ましい実際的
な基本構造は、透明基板の上に、陽極と、発光領域を含
む有機又は無機層と、陰極とが順次積層されているもの
である。
な基本構造は、透明基板の上に、陽極と、発光領域を含
む有機又は無機層と、陰極とが順次積層されているもの
である。
【００４６】更に、前記有機層は目的に応じてその層構
成に種々の変形が可能であり、たとえば前記陽極側にホ
ール輸送層、前記陰極側に電子輸送層を夫々、設けるこ
とができる。
成に種々の変形が可能であり、たとえば前記陽極側にホ
ール輸送層、前記陰極側に電子輸送層を夫々、設けるこ
とができる。
【００４７】また、前記陽極と前記ホール輸送層との間
にホール注入層を設けることができる。
にホール注入層を設けることができる。
【００４８】さらにまた、前記ホール輸送層と前記電子
輸送層との間に発光層を設けることができる。
輸送層との間に発光層を設けることができる。
【００４９】図１に、本発明の発光素子の一例を示す。
これは有機電界発光素子と呼ばれるもので、ここでは上
述した層構造にさらに若干の工夫がこらされたものを示
す。すなわち、図１（Ａ）の発光素子は透明基板１の上
に陽極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層
５、電子輸送層６、電子注入層７、バッファ層８及び陰
極９が真空蒸着等により順に積層されたものである。
これは有機電界発光素子と呼ばれるもので、ここでは上
述した層構造にさらに若干の工夫がこらされたものを示
す。すなわち、図１（Ａ）の発光素子は透明基板１の上
に陽極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層
５、電子輸送層６、電子注入層７、バッファ層８及び陰
極９が真空蒸着等により順に積層されたものである。
【００５０】それに対して、図１（Ｂ）に示す発光素子
は、図１（Ａ）に示した発光素子と各層がちょうど逆に
構成されたものである。
は、図１（Ａ）に示した発光素子と各層がちょうど逆に
構成されたものである。
【００５１】また、図２に示す発光素子は、いわゆる無
機電界発光素子と呼ばれるものであって、透明基板１の
上に陽極２、発光層５、及び陰極９が順次、積層された
ものである。
機電界発光素子と呼ばれるものであって、透明基板１の
上に陽極２、発光層５、及び陰極９が順次、積層された
ものである。
【００５２】前述した、ホール注入層、ホール輸送層、
発光層、電子輸送層、電子注入層、バッファー層及び陰
極の材料については、この種の分野で公知の材料が使
え、とくに限定はない。
発光層、電子輸送層、電子注入層、バッファー層及び陰
極の材料については、この種の分野で公知の材料が使
え、とくに限定はない。
【００５３】たとえば、ホール輸送層の構成には、ベン
ジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメ
タン誘導体、トリフェニル（又はアリール）アミン誘導
体、及びヒドラゾン誘導体などが用いられる。中でも、
図３に示すα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diamine）
などはよく用いられるホール輸送材料である。
ジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメ
タン誘導体、トリフェニル（又はアリール）アミン誘導
体、及びヒドラゾン誘導体などが用いられる。中でも、
図３に示すα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diamine）
などはよく用いられるホール輸送材料である。
【００５４】また、電子輸送層の構成には、ベリレン誘
導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体などが用い
られる。たとえば、図４に示すＡｌｑ3（８−hydroxy q
uinorine alminum）などは、好ましい電子輸送材料であ
る。
導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体などが用い
られる。たとえば、図４に示すＡｌｑ3（８−hydroxy q
uinorine alminum）などは、好ましい電子輸送材料であ
る。
【００５５】また、ホール注入層の構成には、たとえば
図５に示すｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4',4"-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylamine）などは好ましいホ
ール注入材料である。
図５に示すｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4',4"-tris(3-methylp
henylphenylamino)triphenylamine）などは好ましいホ
ール注入材料である。
【００５６】発光層の発光スペクトル制御のためには、
他の有機材料の共蒸着を行ってもよく、たとえばペリレ
ン誘導体、クマリン誘導体、ベンジシン誘導体などがあ
る。もちろん、ピラン誘導体等の材料を含む有機膜であ
ってもよい。
他の有機材料の共蒸着を行ってもよく、たとえばペリレ
ン誘導体、クマリン誘導体、ベンジシン誘導体などがあ
る。もちろん、ピラン誘導体等の材料を含む有機膜であ
ってもよい。
【００５７】陰極材料としては、効率よく電子を他層へ
注入するために、材料の真空準位からの仕事関数の小さ
な金属を用いるのが好ましく、たとえば、Ｉｎ、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉなどを他の金属との合金とし
て、安定性を高めて使用するのがよい。
注入するために、材料の真空準位からの仕事関数の小さ
な金属を用いるのが好ましく、たとえば、Ｉｎ、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｌｉなどを他の金属との合金とし
て、安定性を高めて使用するのがよい。
【００５８】バッファ層については、効率よく電子を他
層へ注入するために、たとえば陰極材料と電子注入材料
との層間にＬｉ2Ｏ、ＬｉＦ、ＳｒＯ、ＣａＦ2などのな
どのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属弗化物、アルカ
リ土類酸化物、アルカリ土類弗化物を介在させるとよ
い。
層へ注入するために、たとえば陰極材料と電子注入材料
との層間にＬｉ2Ｏ、ＬｉＦ、ＳｒＯ、ＣａＦ2などのな
どのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属弗化物、アルカ
リ土類酸化物、アルカリ土類弗化物を介在させるとよ
い。
【００５９】なお、本発明の発光素子を駆動するとき
は、大気中の酸素等による影響を排除し、安定性を高め
るために、あらかじめ例えばゲルマニウム酸化物などで
封止を行ったり、あるいは周囲空間を真空に引いた状態
にしておくことが望ましい。
は、大気中の酸素等による影響を排除し、安定性を高め
るために、あらかじめ例えばゲルマニウム酸化物などで
封止を行ったり、あるいは周囲空間を真空に引いた状態
にしておくことが望ましい。
【００６０】本発明の発光素子は、ディスプレイ、コン
ピュータ、テレビジョン受像機、ビルボード、スタジオ
用スクリーン、ファクシミリ、携帯電話、携帯端末、乗
り物又は音響機器に用いて好適である。
ピュータ、テレビジョン受像機、ビルボード、スタジオ
用スクリーン、ファクシミリ、携帯電話、携帯端末、乗
り物又は音響機器に用いて好適である。
【００６１】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
【００６２】例１ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１２０ｎｍ）
をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透
過率は５２０ｎｍで２５％、仕事関数は５．５１ｅＶだ
った。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２
ｍｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製
用のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰ
Ｄ（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により
真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、
電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinori
nealminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬ
ｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００
ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１２０ｎｍ）
をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透
過率は５２０ｎｍで２５％、仕事関数は５．５１ｅＶだ
った。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２
ｍｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製
用のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰ
Ｄ（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により
真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、
電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinori
nealminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬ
ｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００
ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００６３】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３８．７ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は４４０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４４ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１８０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３８．７ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は４４０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４４ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１８０：１だった。
【００６４】例２ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１００ｎｍ）
をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透
過率は５２０ｎｍで３０％、仕事関数は５．５２ｅＶだ
った。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２
ｍｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製
用のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰ
Ｄ（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により
真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、
電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinori
nealminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬ
ｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００
ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１００ｎｍ）
をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透
過率は５２０ｎｍで３０％、仕事関数は５．５２ｅＶだ
った。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２
ｍｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製
用のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰ
Ｄ（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により
真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、
電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinori
nealminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬ
ｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００
ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００６５】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３８．７ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は５２８ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２２０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３８．７ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は５２８ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２２０：１だった。
【００６６】例３ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約８０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで３５％、仕事関数は５．５ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約８０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで３５％、仕事関数は５．５ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００６７】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２．０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３８．８ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は６２０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４６ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２５０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２．０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３８．８ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は６２０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４６ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２５０：１だった。
【００６８】例４ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約７０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで４０％、仕事関数は５．４７ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約７０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで４０％、仕事関数は５．４７ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００６９】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４１．０ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は８００ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４９ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３２０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４１．０ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は８００ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４９ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３２０：１だった。
【００７０】例５ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約６０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで４３％、仕事関数は５．４５ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約６０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで４３％、仕事関数は５．４５ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００７１】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４１．５ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は８８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．５０ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３５０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４１．５ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は８８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．５０ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３５０：１だった。
【００７２】例６ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約５５ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで４６％、仕事関数は５．４０ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約５５ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで４６％、仕事関数は５．４０ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００７３】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４２．１ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は９７０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．５５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３８０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４２．１ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は９７０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．５５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３８０：１だった。
【００７４】例７ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約４０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで５０％、仕事関数は５．３８ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約４０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで５０％、仕事関数は５．３８ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００７５】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４１．６ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１０３０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．５９ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは４００：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４１．６ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１０３０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．５９ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは４００：１だった。
【００７６】例８ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約３０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで５８％、仕事関数は５．３２ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約３０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで５８％、仕事関数は５．３２ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００７７】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４０．０ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１１１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．６８ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは４２０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は４０．０ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１１１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．６８ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは４２０：１だった。
【００７８】例９ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約２２ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで６３％、仕事関数は５．３１ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約２２ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで６３％、仕事関数は５．３１ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００７９】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３９．６ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１２００ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．９２ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは４１０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３９．６ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１２００ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．９２ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは４１０：１だった。
【００８０】例１０ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１８ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで７０％、仕事関数は５．２７ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１８ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで７０％、仕事関数は５．２７ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００８１】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３７．２ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１０５０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は３．１０ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３４０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３７．２ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は１０５０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は３．１０ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３４０：１だった。
【００８２】例１１ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１５ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで７５％、仕事関数は５．２７ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１５ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで７５％、仕事関数は５．２７ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００８３】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３４．８ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は９８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．４９ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２９０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３４．８ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は９８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．４９ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２９０：１だった。
【００８４】例１２ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで８０％、仕事関数は５．１０ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ（膜厚約１０ｎｍ）を
ＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の光透過
率は５２０ｎｍで８０％、仕事関数は５．１０ｅＶだっ
た。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍ
ｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子作製用
のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法により真
空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電
子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine
alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉ
2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２００ｎ
ｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００８５】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３２．２ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は８８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．７８ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２３０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３２．２ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は８８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．７８ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２３０：１だった。
【００８６】例１３ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は５２０ｎｍで９０％、仕
事関数は４．８０ｅＶだった。この積層体上に、ＳｉＯ
2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスクし
た有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次に、正
孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diami
ne）を真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速
度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ
3（８−hydroxy quinorine alminum）を５０ｎｍ蒸着
し、バッファー層としてＬｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、
陰極として、Ａｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発
光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は５２０ｎｍで９０％、仕
事関数は４．８０ｅＶだった。この積層体上に、ＳｉＯ
2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスクし
た有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次に、正
孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diami
ne）を真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速
度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ
3（８−hydroxy quinorine alminum）を５０ｎｍ蒸着
し、バッファー層としてＬｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、
陰極として、Ａｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発
光素子を作製した。
【００８７】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は２１．９ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は５５６ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．９２ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１４０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は２１．９ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は５５６ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．９２ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１４０：１だった。
【００８８】以上、例１〜例１２及び例１３における、
有機電界発光素子の陽極の光透過率（光の波長は５２０
ｎｍ）に対する６Ｖ駆動時のコントラスト及び輝度の関
係を図６に示す。この図から明らかなように、陽極の光
透過率が３５％以上７５％以下において２５０：１以上
のコントラストが達成された。更に、陽極の光透過率が
４０以上７０％以下において３００：１以上のコントラ
ストが達成された。更にまた、陽極の光透過率５０％以
上７０％以下においては３００：１以上のコントラスト
と１０００ｃｄ／ｍ2以上の輝度が同時に達成された。
有機電界発光素子の陽極の光透過率（光の波長は５２０
ｎｍ）に対する６Ｖ駆動時のコントラスト及び輝度の関
係を図６に示す。この図から明らかなように、陽極の光
透過率が３５％以上７５％以下において２５０：１以上
のコントラストが達成された。更に、陽極の光透過率が
４０以上７０％以下において３００：１以上のコントラ
ストが達成された。更にまた、陽極の光透過率５０％以
上７０％以下においては３００：１以上のコントラスト
と１０００ｃｄ／ｍ2以上の輝度が同時に達成された。
【００８９】例１４ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ：Ｌｉ（Ｌｉ濃度は約
１ｍｏｌ％、膜厚約２５ｎｍ）をＲＦスパッタリングに
より積層した。この陽極の光透過率は５２０ｎｍで６０
％、仕事関数は５．３２ｅＶだった。この積層体上に、
ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマ
スクした有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次
に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl
diamine）を真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ蒸着
（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層とし
てＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine alminum）を５０ｎ
ｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着
し、陰極としてＡｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界
発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＮｉＯ：Ｌｉ（Ｌｉ濃度は約
１ｍｏｌ％、膜厚約２５ｎｍ）をＲＦスパッタリングに
より積層した。この陽極の光透過率は５２０ｎｍで６０
％、仕事関数は５．３２ｅＶだった。この積層体上に、
ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマ
スクした有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次
に、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl
diamine）を真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ蒸着
（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層とし
てＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine alminum）を５０ｎ
ｍ蒸着し、バッファー層としてＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着
し、陰極としてＡｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界
発光素子を作製した。
【００９０】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は６３．６ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は２７２０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．８６ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは９５０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は６３．６ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は２７２０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．８６ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは９５０：１だった。
【００９１】例１５ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＬｉＮｉＯ2（膜厚約２５ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の
光透過率は５２０ｎｍで６０％、仕事関数は５．３２ｅ
Ｖだった。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ
×２ｍｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子
作製用のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−
ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法に
より真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）
し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy qui
norine alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層とし
てＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２０
０ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＬｉＮｉＯ2（膜厚約２５ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の
光透過率は５２０ｎｍで６０％、仕事関数は５．３２ｅ
Ｖだった。この積層体上に、ＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ
×２ｍｍの発光領域以外をマスクした有機電界発光素子
作製用のセルを作製した。次に、正孔輸送層としてα−
ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diamine）を真空蒸着法に
より真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２ｎｍ／ｓ）
し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy qui
norine alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッファー層とし
てＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着し、陰極としてＡｌを約２０
０ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製した。
【００９２】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は１１９ｍＡ／
ｃｍ2、輝度は３１１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．９５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１０５０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は１１９ｍＡ／
ｃｍ2、輝度は３１１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．９５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１０５０：１だった。
【００９３】例１６ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は５２０ｎｍで９０％、仕
事関数は４．８ｅＶだった。この積層体上に、ＳｉＯ2
蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスクした
有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次に、正孔
輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diamin
e）を真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速
度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ
3（８−hydroxy quinorine alminum）を５０ｎｍ蒸着
し、バッファー層としてＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着し、陰
極としてＡｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発光素
子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は５２０ｎｍで９０％、仕
事関数は４．８ｅＶだった。この積層体上に、ＳｉＯ2
蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスクした
有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次に、正孔
輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naphtyl phenyl diamin
e）を真空蒸着法により真空下で５０ｎｍ蒸着（蒸着速
度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ
3（８−hydroxy quinorine alminum）を５０ｎｍ蒸着
し、バッファー層としてＬｉＦを０．５ｎｍ蒸着し、陰
極としてＡｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発光素
子を作製した。
【００９４】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は５８．２ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は２２１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は３．９５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは５６０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は５８．２ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は２２１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は３．９５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは５６０：１だった。
【００９５】例１７ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陰極としてＡｌ
−Ｌｉを約２００ｎｍ（Ｌｉ濃度約１ｍｏｌ％）、電子
輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine a
lminum）を５０ｎｍ、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α
−naphtyl phenyl diamine）を５０ｎｍ、真空蒸着法に
よりした。次に、ＳｉＯ2で２ｍｍ×２ｍｍの発光領域
以外を真空蒸着によりマスクした。更に、陽極としてＲ
ｕＯ2（膜厚約６ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより製
膜し、有機電界発光素子を作製した。この陽極の光透過
率は波長５２０ｎｍの光で５８％、仕事関数は５．１８
ｅＶだった。
−Ｌｉを約２００ｎｍ（Ｌｉ濃度約１ｍｏｌ％）、電子
輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine a
lminum）を５０ｎｍ、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α
−naphtyl phenyl diamine）を５０ｎｍ、真空蒸着法に
よりした。次に、ＳｉＯ2で２ｍｍ×２ｍｍの発光領域
以外を真空蒸着によりマスクした。更に、陽極としてＲ
ｕＯ2（膜厚約６ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより製
膜し、有機電界発光素子を作製した。この陽極の光透過
率は波長５２０ｎｍの光で５８％、仕事関数は５．１８
ｅＶだった。
【００９６】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３４．４ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は７８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３２０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は３４．４ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は７８０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は２．４５ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは３２０：１だった。
【００９７】例１８ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陰極としてＡｌ
−Ｌｉを約２００ｎｍ（Ｌｉ濃度約１ｍｏｌ％）、電子
輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine a
lminum）を５０ｎｍ、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α
−naphtyl phenyl diamine）を５０ｎｍ、真空蒸着法に
よりした。次に、ＳｉＯ2で２ｍｍ×２ｍｍの発光領域
以外を真空蒸着によりマスクした。更に、陽極としてＩ
ＴＯ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより
製膜し、有機電界発光素子を作製した。この陽極の光透
過率は波長５２０ｎｍの光で９０％、仕事関数は４．８
ｅＶだった。
−Ｌｉを約２００ｎｍ（Ｌｉ濃度約１ｍｏｌ％）、電子
輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−hydroxy quinorine a
lminum）を５０ｎｍ、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α
−naphtyl phenyl diamine）を５０ｎｍ、真空蒸着法に
よりした。次に、ＳｉＯ2で２ｍｍ×２ｍｍの発光領域
以外を真空蒸着によりマスクした。更に、陽極としてＩ
ＴＯ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより
製膜し、有機電界発光素子を作製した。この陽極の光透
過率は波長５２０ｎｍの光で９０％、仕事関数は４．８
ｅＶだった。
【００９８】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は２０．５ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は５２０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．５１ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１５０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３２,０．５５）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧６Ｖ時の電流密度は２０．５ｍＡ
／ｃｍ2、輝度は５２０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX
照射時の非発光輝度は３．５１ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１５０：１だった。
【００９９】例１９ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）と、ＮｉＯ：Ｌｉ（Ｌｉ濃度は
約１ｍｏｌ％、膜厚約２０ｎｍ）をＲＦスパッタリング
により積層した。この陽極の光透過率は波長５２０ｎｍ
で６８％、仕事関数は５．２９ｅＶだった。この積層体
上にＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外
をマスクした有機電界発光素子作製用のセルを作製し
た。次に、正孔注入層としてｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4',
4"-tris[N−(3-methylphenylphenylamino]triphenylami
ne）を真空蒸着法により真空下で２５ｎｍ蒸着（蒸着速
度０．２ｎｍ／ｓ）し、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を５０ｎｍ蒸着（蒸着
速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌ
ｑ3（８−hydroxy quinorinealminum）を５０ｎｍ蒸着
し、バッファー層としてＬｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、
陰極としてＡｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発光
素子を作製した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）と、ＮｉＯ：Ｌｉ（Ｌｉ濃度は
約１ｍｏｌ％、膜厚約２０ｎｍ）をＲＦスパッタリング
により積層した。この陽極の光透過率は波長５２０ｎｍ
で６８％、仕事関数は５．２９ｅＶだった。この積層体
上にＳｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外
をマスクした有機電界発光素子作製用のセルを作製し
た。次に、正孔注入層としてｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4',
4"-tris[N−(3-methylphenylphenylamino]triphenylami
ne）を真空蒸着法により真空下で２５ｎｍ蒸着（蒸着速
度０．２ｎｍ／ｓ）し、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ
（α−naphtyl phenyl diamine）を５０ｎｍ蒸着（蒸着
速度０．２ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌ
ｑ3（８−hydroxy quinorinealminum）を５０ｎｍ蒸着
し、バッファー層としてＬｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、
陰極としてＡｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発光
素子を作製した。
【０１００】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３４,０．５６）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧１０Ｖ時の電流密度は１４．６ｍ
Ａ／ｃｍ2、輝度は７１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．８２ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２５０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３４,０．５６）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧１０Ｖ時の電流密度は１４．６ｍ
Ａ／ｃｍ2、輝度は７１０ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は２．８２ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは２５０：１だった。
【０１０１】例２０ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は波長５２０ｎｍで９０
％、仕事関数は４．８ｅＶだった。この積層体上にＳｉ
Ｏ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスク
した有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次に、
正孔注入層としてｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4',4"-tris［N
−(3-methylphenylphenylamino］triphenylamine）を真
空蒸着法により真空下で２５ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２
ｎｍ／ｓ）し、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naph
tylphenyl diamine）を５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２
ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−h
ydroxy quinorine alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッフ
ァー層としてＬｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極として
Ａｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製
した。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は波長５２０ｎｍで９０
％、仕事関数は４．８ｅＶだった。この積層体上にＳｉ
Ｏ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスク
した有機電界発光素子作製用のセルを作製した。次に、
正孔注入層としてｍ−ＭＴＤＡＴＡ（4,4',4"-tris［N
−(3-methylphenylphenylamino］triphenylamine）を真
空蒸着法により真空下で２５ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２
ｎｍ／ｓ）し、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ（α−naph
tylphenyl diamine）を５０ｎｍ蒸着（蒸着速度０．２
ｎｍ／ｓ）し、電子輸送性発光層としてＡｌｑ3（８−h
ydroxy quinorine alminum）を５０ｎｍ蒸着し、バッフ
ァー層としてＬｉ2Ｏを０．５ｎｍ蒸着し、陰極として
Ａｌを約２００ｎｍ蒸着して、有機電界発光素子を作製
した。
【０１０２】この有機電界発光素子の特性を測定したと
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３４,０．５６）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧１０Ｖ時の電流密度は１１．０ｍ
Ａ／ｃｍ2、輝度は４９８ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は３．８４ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１３０：１だった。
ころ、最大発光波長は５２０ｎｍ、ＣＩＥ色度座標上で
の座標は（０．３４,０．５６）であり、良好な緑色発
光を呈した。駆動電圧１０Ｖ時の電流密度は１１．０ｍ
Ａ／ｃｍ2、輝度は４９８ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌ
X照射時の非発光輝度は３．８４ｃｄ／ｍ2で、コントラ
ストは１３０：１だった。
【０１０３】例２１ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＬｉＮｉＯ2（膜厚約４０ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の
光透過率は波長５２０ｎｍで４８％、仕事関数は５．４
０ｅＶだった。この積層体上にＳｉＯ2蒸着により２ｍ
ｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスクした発光素子作製用
のＩＴＯ基板を作製した。この上に発光中心の蛍光体が
ＣａＣａ 2Ｓ4：Ｃｅからなる無機ＥＬ素子を作製した。
これを５Ｖ、６０Ｈｚで駆動したところ、最高輝度は１
５ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX照射時の非発光輝度は
２．５５ｃｄ／ｍ2で、コントラストは６：１だった。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）とＬｉＮｉＯ2（膜厚約４０ｎ
ｍ）をＲＦスパッタリングにより積層した。この陽極の
光透過率は波長５２０ｎｍで４８％、仕事関数は５．４
０ｅＶだった。この積層体上にＳｉＯ2蒸着により２ｍ
ｍ×２ｍｍの発光領域以外をマスクした発光素子作製用
のＩＴＯ基板を作製した。この上に発光中心の蛍光体が
ＣａＣａ 2Ｓ4：Ｃｅからなる無機ＥＬ素子を作製した。
これを５Ｖ、６０Ｈｚで駆動したところ、最高輝度は１
５ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX照射時の非発光輝度は
２．５５ｃｄ／ｍ2で、コントラストは６：１だった。
【０１０４】例２２ ３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴ
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は波長５２０ｎｍの光で９
０％、仕事関数は４．８ｅＶだった。この積層体上にＳ
ｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマス
クした発光素子作製用のＩＴＯ基板を作製した。この上
に発光中心の蛍光体がＣａＣａ2Ｓ4：Ｃｅからなる無機
ＥＬ素子を作製した。これを５Ｖ、６０Ｈｚで駆動した
ところ、最高輝度は８ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX照
射時の非発光輝度は３．９２ｃｄ／ｍ2で、コントラス
トは２：１だった。この無機ＥＬ素子を前記例２１のそ
れと比較すると、輝度、コントラストとも低く、後者の
方が効率良く発光していることは明らかであった。
Ｏ（膜厚約１５０ｎｍ）をＲＦスパッタリングにより積
層した。この陽極の光透過率は波長５２０ｎｍの光で９
０％、仕事関数は４．８ｅＶだった。この積層体上にＳ
ｉＯ2蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外をマス
クした発光素子作製用のＩＴＯ基板を作製した。この上
に発光中心の蛍光体がＣａＣａ2Ｓ4：Ｃｅからなる無機
ＥＬ素子を作製した。これを５Ｖ、６０Ｈｚで駆動した
ところ、最高輝度は８ｃｄ／ｍ2であった。３００ｌX照
射時の非発光輝度は３．９２ｃｄ／ｍ2で、コントラス
トは２：１だった。この無機ＥＬ素子を前記例２１のそ
れと比較すると、輝度、コントラストとも低く、後者の
方が効率良く発光していることは明らかであった。
【０１０５】また、以上の例１〜２２で得られた陽極の
可視光（波長５２０ｎｍ）透過率、仕事関数及びコント
ラストの結果を表１に示す。
可視光（波長５２０ｎｍ）透過率、仕事関数及びコント
ラストの結果を表１に示す。
【０１０６】また、例１〜１３において得られた光透過
率（５２０ｎｍ）に対する輝度及びコントラストの関係
を図６に示し、例１〜１３において得られた光透過スペ
クトルの結果を図７に示し、更に例９及び例１３におけ
る直流駆動時の電圧−輝度特性の関係を図８に示す。
率（５２０ｎｍ）に対する輝度及びコントラストの関係
を図６に示し、例１〜１３において得られた光透過スペ
クトルの結果を図７に示し、更に例９及び例１３におけ
る直流駆動時の電圧−輝度特性の関係を図８に示す。
【表１】
【０１０７】以上説明したように、本発明の発光素子
（例３〜１１、１４、１５、１７、１９、２１）はその
陽極が光透過率３５〜７５％に規定されているので、高
輝度を維持しながら、コントラストを確実に向上させる
ことができ、更に陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅＶ
に規定されていると、発光素子のホール注入効率が改善
され、発光効率が向上するだけでなく、ホール注入層と
陽極の両層間のエネルギーマッチングの最適化を計るこ
とによって、陽極、ホール注入層の材料の選択の幅が広
がり、広範囲の材料を用いることができる。
（例３〜１１、１４、１５、１７、１９、２１）はその
陽極が光透過率３５〜７５％に規定されているので、高
輝度を維持しながら、コントラストを確実に向上させる
ことができ、更に陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅＶ
に規定されていると、発光素子のホール注入効率が改善
され、発光効率が向上するだけでなく、ホール注入層と
陽極の両層間のエネルギーマッチングの最適化を計るこ
とによって、陽極、ホール注入層の材料の選択の幅が広
がり、広範囲の材料を用いることができる。
【０１０８】
【発明の作用効果】本発明は上述した如く、前記陽極の
可視光透過率を３５〜７５％の範囲に特定されているの
で、発光素子は有機電界発光素子に限らず無機電界発光
素子も高輝度を維持しながら、コントラストを確実に向
上させることができる。
可視光透過率を３５〜７５％の範囲に特定されているの
で、発光素子は有機電界発光素子に限らず無機電界発光
素子も高輝度を維持しながら、コントラストを確実に向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による有機電界発光
素子の構成を示す模式的な断面図である。
素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態による無機電界発光
素子の構成を示す模式的な断面図である。
素子の構成を示す模式的な断面図である。
【図３】有機電界発光素子のホール輸送層に用いられる
α−ＮＰＤの構造式を示す図である。
α−ＮＰＤの構造式を示す図である。
【図４】同、発光素子の電子輸送層に用いられるＡｌｑ
3の構造式を示す図である。
3の構造式を示す図である。
【図５】同、ホール注入層に用いられるｍ−ＭＴＤＡＴ
Ａの構造式を示す図である。
Ａの構造式を示す図である。
【図６】発光素子の陽極の光透過率に対する輝度及びコ
ントラストの関係を示す線図である。
ントラストの関係を示す線図である。
【図７】発光素子の光透過スペクトルを示す線図であ
る。
る。
【図８】発光素子の直流駆動時の電圧−輝度特性を示す
線図である。
線図である。
【符号の説明】 １…ガラス基板、２…陽極、３…ホール注入層、４…ホ
ール輸送層、５…発光層、６…電子輸送層、７…電子注
入層、８…バッファ層、９…陰極
ール輸送層、５…発光層、６…電子輸送層、７…電子注
入層、８…バッファ層、９…陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 眞一郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 CA01 CB00 CB01 CB03 DA00 DB03 EB00 FA01
Claims (11)
- 【請求項１】 発光領域を含む層が陽極と陰極との間に
設けられた発光素子において、前記陽極の可視光透過率
が３５〜７５％である、発光素子。 - 【請求項２】 前記可視光が、３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ
の波長を有する、請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項３】 前記陽極が、周期表のIIIＡ族、IVＡ
族、VA族、VIIＡ族、VIIIＡ族及びＩＢ族から選ばれた
１種又は２種以上の金属又はその化合物を含有する、請
求項１に記載の発光素子。 - 【請求項４】 前記金属化合物が酸化物、窒化物又は酸
窒化物である、請求項３に記載の発光素子。 - 【請求項５】 前記金属又は前記金属酸化物を含む相
と、亜鉛、インジウム又はスズを含む相とが単層化又は
積層化され、これによって前記陽極が構成されている、
請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項６】 前記陽極の仕事関数が３．０〜７．０ｅ
Ｖである、請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項７】 透明基板の上に、前記陽極、前記発光領
域を含む有機又は無機層、及び前記陰極が積層されてい
る、請求項１に記載の発光素子。 - 【請求項８】 前記有機層が、前記陽極側にホール輸送
層、前記陰極側に電子輸送層を夫々有する、請求項７に
記載の発光素子。 - 【請求項９】前記有機層が、前記陽極と前記ホール輸送
層との間にホール注入層を有する、請求項７に記載の発
光素子。 - 【請求項１０】 前記有機層が、前記ホール輸送層と前
記電子輸送層との間に発光層を有する、請求項８に記載
の発光素子。 - 【請求項１１】 請求項１に記載された発光素子を用い
たディスプレイ、コンピュータ、テレビジョン受像機、
ビルボード、スタジオ用スクリーン、ファクシミリ、携
帯電話、携帯端末、乗り物又は音響機器。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
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| EP01106062A EP1134817A3 (en) | 2000-03-15 | 2001-03-12 | Light-emitting device and its use |
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| US10/779,005 US7208868B2 (en) | 2000-03-15 | 2004-02-13 | Light-emitting device and its use |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000071445A JP4474721B2 (ja) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | 有機又は無機発光素子 |
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|---|---|
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| JP2001267083A5 JP2001267083A5 (ja) | 2007-03-08 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1134817A3 (ja) |
| JP (1) | JP4474721B2 (ja) |
| KR (1) | KR100788625B1 (ja) |
| TW (1) | TW490991B (ja) |
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| JP2004164890A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sony Corp | 発光素子およびこれを用いた表示装置 |
| JP2005093329A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Sony Corp | 表示素子およびこれを用いた表示装置 |
| JPWO2004068911A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2006-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7700958B2 (en) | 2002-07-05 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having pixel portion surrounded by first sealing material and covered with second sealing material |
| US8507895B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting device using graphene |
| KR20160088523A (ko) * | 2015-01-15 | 2016-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신축성 표시 장치 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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