JP2001262311A - 電子回路用部材およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】カーボン又はその同素体と金属とを含む複合材
料の表面に、半田付け性、ろう付け性が良好で、かつ、
厚さや密着性が均一な皮膜が形成された新規な電子回路
用部材を提供する。 【解決手段】電子回路用部材１０は、複合材料１２の表
面に皮膜１４が形成されて構成される。複合材料１２
は、カーボン又はその同素体を予備焼成してネットワー
ク化することによって得られる多孔質焼結体２０の開気
孔２２内に金属２４が含浸されて構成される。複合材料
１２の表面に存在する皮膜１４は溶射法によって形成さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路用部材お
よびその製造方法に関し、例えば、ヒートシンク材上に
表面処理が施された電子回路用部材およびその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、集積回路チップ（ＩＣチップ）の
ヒートシンク材としては、高い熱伝導率が要請されるこ
とから、ＣｕあるいはＡｌ等が使用されている。しか
し、これらの材料においては、熱膨張率が、ＩＣチップ
の基板であるＳｉあるいはＧａＡｓ等の熱膨張率と差が
あるため、ＩＣチップの使用に伴ってＩＣチップが高温
となった場合に、基板とヒートシンク材とが剥離するお
それがある。

【０００３】従って、前記剥離を生じないためには、熱
伝導率が高く、かつ、熱膨張率がＳｉやＧａＡｓ等とほ
ぼ同じものをヒートシンク材として使用することが本来
望ましいが、セラミック単体あるいは金属単体でそのよ
うな条件を満足する材料は知られていない。

【０００４】そこで、カーボン又はその同素体における
多孔質焼結体の気孔にＣｕを含浸してなるＣ／Ｃｕ複合
材料をヒートシンク材として使用することが試みられて
いる。Ｃ／Ｃｕ複合材料は、高熱伝導率を有し、かつ、
熱膨張率がＳｉあるいはＧａＡｓ等とほぼ同じである。
従って、ＩＣチップが高温となった場合においても、ヒ
ートシンク材が基板から剥離するということがない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｃ／Ｃｕ複
合材料をヒートシンク材として用いる場合には、Ｃ／Ｃ
ｕ複合材料を半田付けあるいはろう付け等によってＩＣ
チップに固着することが考えられるが、Ｃ／Ｃｕ複合材
料は、半田やろう材に対する濡れ性（半田付け性、ろう
付け性）が良好でないという不具合がある。

【０００６】前記濡れ性を向上させるためには、Ｃ／Ｃ
ｕ複合材料の表面に例えば金属のめっき層を形成するこ
とが有効であると考えられる。

【０００７】しかしながら、複合材料としてグラファイ
トに金属を含浸させたものを使用した場合は、グラファ
イトの方向によって金属性の性質をもったり、半導体の
性質をもつことから、めっき層が均一に形成されないと
いうおそれがある。特に、半導体の性質をもった方向に
めっき層を形成する場合は、一旦、無電解めっき処理を
施す必要がある。これは、複合材料としてダイアモンド
に金属を含浸させたものを使用した場合でも同様であ
る。

【０００８】無電解めっき処理においては、Ｃ／Ｃｕ複
合材料は、還元剤を含有する溶液やめっき液等に浸漬さ
れるが、この浸漬の際に、これらの溶液が、カーボン又
はその同素体とＣｕとの界面に生じている微小な間隙
や、カーボン又はその同素体の多孔質焼結体の気孔に含
浸されてしまう。

【０００９】従って、例えば還元剤を含有する溶液が含
浸された場合には、この溶液は、後工程である還元剤と
触媒金属とを置換する工程や無電解めっき処理を行う工
程において徐々に滲み出る。このように、前記溶液が滲
み出た状態で形成されためっき層は、厚さや密着性が均
一でないという問題がある。

【００１０】また、めっき層が形成されるまで、前記溶
液あるいはめっき液がＣ／Ｃｕ複合材料の内部に残留し
た場合には、めっき層形成後に、これらの溶液が滲み出
る場合がある。その結果、形成されためっき層が変色す
ると共に、半田付けあるいはろう付けを行う場合には、
該めっき層の半田付け性、ろう付け性が良好でなくなる
という問題が引き起こされる。また、めっき層形成後
に、残留液の一部が気化することにより、めっき層の一
部が膨張する（ふくれる）ことがある。

【００１１】更に、無電解めっき処理によって形成され
ためっき層は、Ｃ／Ｃｕ複合材料に対する密着性があま
り良好でないという問題もある。

【００１２】このように、Ｃ／Ｃｕ複合材料に対して表
面処理を目的とし、かつ、厚さや密着性が均一な皮膜を
形成することは困難であり、その方法は未だに確立され
ていない。

【００１３】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、カーボン又はその同素体と金属とを含
む複合材料の表面に、半田付け性、ろう付け性が良好
で、かつ、厚さや密着性が均一な皮膜が形成された新規
な電子回路用部材及びその製造方法を提供することを目
的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電子回路用
部材は、カーボン又はその同素体と金属とを含む複合材
料と、前記複合材料の表面に形成された溶射皮膜とを有
することを特徴とする。

【００１５】即ち、溶射法を用いて皮膜を形成するよう
にしたため、複合材料にめっき層を形成する場合の問題
点を解消することができる。即ち、導電性についての異
方性に伴うめっき層の厚みのばらつきや密着性の不均
一、並びにめっき液等がカーボン又はその同素体とＣｕ
との界面に生じている微小な間隙や、カーボン又はその
同素体の多孔質焼結体の気孔に含浸されるという問題が
なくなる。

【００１６】このように、本発明においては、カーボン
又はその同素体と金属とを含む複合材料の表面に、半田
付け性、ろう付け性が良好で、かつ、厚さや密着性が均
一な皮膜が形成された新規な電子回路用部材を提供する
ことができる。

【００１７】そして、前記溶射皮膜は、Ｎｉ、Ｎｉ合
金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金からなる群から選
択された少なくとも１つを構成材料とするものを用いる
ことができる。

【００１８】更に、前記溶射皮膜に、前記複合材料との
反応性を向上させるための添加元素を添加することが好
ましい。この添加元素としては、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｎ
ｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖから選択された１種以
上を採用することができる。

【００１９】特に、カーボン又はその同素体と金属とを
含む複合材料は、熱膨張率が３．０×１０^-6〜１．０×
１０^-5／Ｋであって、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上で
あるため、ＩＣチップから発する熱を放熱するヒートシ
ンク材に用いて好適となる。

【００２０】上述したように、複合材料の表面に形成さ
れた溶射皮膜によって、半田付け性、ろう付け性が良好
となっているため、ヒートシンク材として使用される複
合材料にＩＣチップを強固に固着することができ、ＩＣ
チップが高温となった場合においても、ヒートシンク材
がＩＣチップの基板から剥離するということがない。

【００２１】次に、本発明に係る電子回路用部材の製造
方法は、カーボン又はその同素体と金属とを含む複合材
料の表面に、少なくとも表面処理を目的とする皮膜を溶
射によって形成する工程を有することを特徴とする。

【００２２】これにより、前記複合材料の表面に、半田
付け性、ろう付け性が良好で、かつ、厚さや密着性が均
一な皮膜を形成することができ、ヒートシンク材として
用いて好適な複合材料を簡単に作製することができ、し
かも、製造コストの低廉化にも有利となる。

【００２３】そして、本発明においては、前記皮膜を形
成した後に、加熱処理を行うことが好ましい。これによ
り、複合材料に対する皮膜の密着性を向上させることが
できる。この場合、前記加熱温度は、３００℃〜１００
０℃であって、かつ、前記複合材料の融点よりも３０℃
低い温度あるいはそれ以下の温度であることが好まし
い。

【００２４】また、溶射材料は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃ
ｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金からなる群から選択され
た少なくとも１つを使用することができる。この場合、
前記溶射材料に、前記複合材料との反応性を向上させる
ための添加元素を添加することが好ましい。前記添加元
素としては、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｖから選択された１種以上を採用することが
できる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電子回路用部
材およびその製造方法の実施の形態例について図１〜図
３を参照しながら説明する。

【００２６】本実施の形態に係る電子回路用部材１０
は、図１に示すように、複合材料１２の表面に皮膜１４
が形成されて構成されている。

【００２７】複合材料１２は、図２に示すように、カー
ボン又はその同素体を予備焼成してネットワーク化する
ことによって得られる多孔質焼結体２０の開気孔２２内
に金属２４が含浸されて構成されている。この場合、前
記カーボン又はその同素体として、熱伝導率が１００Ｗ
／ｍＫ以上、望ましくは１５０Ｗ／ｍＫ以上（気孔がな
い状態での推定値）、更に望ましくは２００Ｗ／ｍＫ以
上（気孔がない状態での推定値）のものを使用すること
が好ましい。

【００２８】本例では、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上
のグラファイトで構成された多孔質焼結体２０の開気孔
２２内にＣｕ又はＣｕ合金からなる金属２４を含浸させ
た電子回路用部材１０を示す。含浸する金属２２として
は、Ｃｕ又はＣｕ合金のほかに、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａ
ｇ、Ａｇ合金を使用することができる。

【００２９】また、多孔質焼結体２０と金属２４との体
積率は、多孔質焼結体２０が５０ｖｏｌ％〜８０ｖｏｌ
％、金属２４が５０ｖｏｌ％〜２０ｖｏｌ％の範囲とし
ている。これにより、熱伝導率が１８０〜２２０Ｗ／ｍ
Ｋ以上であって、かつ、熱膨張率が３．０×１０^-6〜
１．０×１０^-5／Ｋである電子回路用部材１０を得るこ
とができ、ヒートシンク材として用いて好適となる。

【００３０】多孔質焼結体２０の気孔率としては、１０
ｖｏｌ％〜５０ｖｏｌ％であることが望ましい。気孔率
が１０ｖｏｌ％以下では、１８０Ｗ／ｍＫ（室温）の熱
伝導率を得ることができず、５０ｖｏｌ％を超えると多
孔質焼結体２０の強度が低下し、熱膨張率を１．０×１
０^-5／Ｋ以下に抑えることができないからである。

【００３１】前記多孔質焼結体２０の平均開気孔径（気
孔径）の値としては、０．１〜２００μｍが望ましい。
前記気孔径が０．１μｍ未満であると、開気孔２２内に
金属２４を含浸することが困難になり、熱伝導率が低下
する。一方、前記気孔径が２００μｍを超えると、多孔
質焼結体２０の強度が低下し、熱膨張率を低く抑えるこ
とができない。

【００３２】前記多孔質焼結体２０の平均開気孔に関す
る分布（気孔分布）としては、０．５〜５０μｍに９０
ｖｏｌ％以上分布することが好ましい。０．５〜５０μ
ｍの気孔が９０ｖｏｌ％以上分布していない場合は、金
属２４が含浸していない開気孔が増え、熱伝導率が低下
する可能性がある。

【００３３】また、多孔質焼結体２０に金属２４を含浸
して得た電子回路用部材１０の閉気孔率としては、５ｖ
ｏｌ％以下であることが好ましい。５ｖｏｌ％を超える
と、熱伝導率が低下する可能性があるからである。

【００３４】なお、前記気孔率、気孔径及び気孔分布の
測定には、株式会社島津製作所製の自動ポロシメータ
（商品名「オートポア９２００」）を使用した。

【００３５】この実施の形態に係る電子回路用部材１０
において、前記グラファイトに、該グラファイトを予備
焼成した際の閉気孔率を低減させる添加物を添加させる
ことが好ましい。この添加物としては、ＳｉＣ及び／又
はＳｉを挙げることができる。これにより、焼成時の閉
気孔（クローズドポア）を減少させることができ、多孔
質焼結体２０に対する金属２４の含浸率を向上させるこ
とができる。

【００３６】また、グラファイト中に、該グラファイト
と反応する元素を添加するようにしてもよい。この添加
元素としては、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏから選択された１種以上
を挙げることができる。これにより、グラファイトの焼
成時に、該グラファイトの表面（開気孔の表面を含む）
に反応層（カーバイド層）が形成され、グラファイトの
開気孔２２に含浸される金属２４との濡れ性が改善し、
低圧での含浸が可能になり、しかも、微細開気孔への含
浸も可能になる。

【００３７】一方、多孔質焼結体２０に含浸される金属
２４に、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｌｉ、Ｓｂ、
Ｔｌ、Ｃａ、Ｃｄから選択された１種以上を添加するこ
とが好ましい。これにより、多孔質焼結体２０と金属２
４との界面の濡れ性が改善され、多孔質焼結体２０の開
気孔２２内に金属２４が入り易くなる。

【００３８】また、多孔質焼結体２０に含浸される金属
２４に、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、
Ｂ、Ｍｎから選択された１種以上を添加することが好ま
しい。これにより、グラファイトと金属２４との反応性
が向上し、開気孔２２内においてグラファイトと金属２
４とが密着し易くなり、閉気孔２２の発生を抑制するこ
とができる。

【００３９】そして、本実施の形態に係る電子回路用部
材１０は、複合材料１２の表面に存在する皮膜１４が溶
射によって形成されている点で特徴を有する。溶射は、
溶射材料を高温で溶解し、これを微粒として、あたかも
霧吹きのように複合材料１２の表面に吹き付ける方法で
ある。この場合の温度は１５００℃以上であると推定さ
れる。

【００４０】複合材料１２の表面に吹き付けられた溶射
材料の溶滴は、複合材料１２に達すると急冷され、複合
材料１２の温度は３００℃以下に保たれる。溶射による
効果は、：処理速度が速く、：ドライプロセスで、
かつ低温処理が可能であり、：複合材料１２の形状や
大きさを問わない、などである。

【００４１】本実施の形態では、溶射材料を、Ｎｉ、Ｎ
ｉ合金（ＮｉＢ等）、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金
からなる群から選択された少なくとも１つとしている。
図２の例では、複合材料１２の表面にＮｉＢの皮膜１４
（厚み５０μｍ）を溶射によって形成した場合を示す。
なお、皮膜１４の厚みを薄くすると、厚みが均一化せ
ず、未着部が発生する。

【００４２】また、前記溶射材料に、前記複合材料１２
との反応性を向上させるための添加元素が添加すること
が好ましい。この場合、添加元素として、Ｂｅ、Ｂ、Ｍ
ｎ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖから選択された
１種以上を採用することができる。

【００４３】一般に、溶射は、複合材料１２に対する皮
膜１４の付着が機械的であるため、剥離するおそれがあ
る。そこで、溶射材料に前記添加元素を添加して溶射す
ることによって、溶射時に、複合材料１２と皮膜１４と
の間に反応層（カーバイド層）が形成され、複合材料１
２と皮膜１４との密着性が大幅に向上し、前記剥離の問
題は解消される。

【００４４】次に、本実施の形態に係る電子回路用部材
１０の製造方法について図３を参照しながら説明する。

【００４５】本実施の形態に係る製造方法は、カーボン
又はその同素体と金属２４とを有する複合材料１２を作
製する複合材料作製工程Ｓ１と、得られた複合材料１２
の表面に、少なくとも表面処理を目的とする皮膜１４を
溶射によって形成する皮膜形成工程Ｓ２と、複合材料１
２と皮膜１４との密着性を向上させるための熱処理を行
う熱処理工程Ｓ３とを有する。

【００４６】複合材料作製工程Ｓ１は、予備焼成工程Ｓ
１１と、含浸工程Ｓ１２とを有し、該含浸工程Ｓ１２
は、溶湯導入工程Ｓ１２１、加圧工程Ｓ１２２、排気工
程Ｓ１２３及び冷却固化工程Ｓ１２４を有する。

【００４７】まず、複合材料作製工程Ｓ１における予備
焼成工程Ｓ１１において、グラファイトを予備焼成して
ネットワーク化することによって多孔質焼結体２０を作
製する。その後、含浸工程Ｓ１２に入る。この含浸工程
Ｓ１２では、最初の溶湯導入工程Ｓ１２１において、予
熱された多孔質焼結体２０を高圧容器内に設置し、該高
圧容器内に、Ｃｕ又はＣｕ合金からなる金属２４の溶湯
を導入する。この溶湯に導入によって、多孔質焼結体２
０の全体が溶湯中に浸漬される。

【００４８】次に、加圧工程Ｓ１２２において、高圧容
器内に含浸用ガスを導入して溶湯を加圧する。この加圧
によって、溶湯がより多量に多孔質焼結体２０の開気孔
２２内に含浸されることになる。

【００４９】次に、排気工程Ｓ１２３において、前記含
浸用ガスの導入を停止し、未含浸の溶湯の排出及び含浸
用ガスの排気を行う。その後、冷却固化工程Ｓ１２４に
おいて、前記高圧容器内に冷却用ガスを導入して、多孔
質焼結体２０の開気孔２２内に含浸された溶湯を冷却す
る。この冷却により、溶湯が固化して金属２４となり、
カーボン又はその同素体と金属２４とを含む複合材料１
２が完成する。

【００５０】複合材料１２が得られた段階で、次に、皮
膜形成工程Ｓ２において、複合材料１２の表面に、少な
くとも表面処理を目的とする皮膜１４を上述した溶射法
によって形成する。このとき、溶射材料に、上述した前
記複合材料１２との反応性を向上させるための添加元素
を添加しておくことにより、溶射によって形成された皮
膜１４と複合材料１２との密着性が向上する。

【００５１】そして、次の熱処理工程Ｓ３において、前
記皮膜１４が形成された複合材料１２に対して熱処理を
行う。このときの加熱温度は、３００℃〜１０００℃で
あって、かつ、前記複合材料１２の融点よりも３０℃低
い温度あるいはそれ以下の温度であることが好ましい。
この熱処理によって、皮膜１４と複合材料１２との密着
性が更に向上することとなる。この段階で、本実施の形
態に係る電子回路用部材１０が完成する。

【００５２】このように、本実施の形態に係る電子回路
用部材１０においては、カーボン又はその同素体と金属
２４とを含む複合材料１２と、該複合材料１２の表面に
形成された皮膜１４とを有し、特に、前記皮膜１４を溶
射法を用いて形成するようにしたため、複合材料１２に
めっき層を形成する場合の問題点を解消することができ
る。

【００５３】即ち、導電性についての異方性に伴うめっ
き層の厚みのばらつきや密着性の不均一、並びにめっき
液等がカーボン又はその同素体と金属２４との界面に生
じている微小な間隙や、カーボン又はその同素体の多孔
質焼結体２０の気孔に含浸されるという問題がなくな
る。

【００５４】このように、本実施の形態においては、カ
ーボン又はその同素体と金属２４とを含む複合材料１２
の表面に、半田付け性、ろう付け性が良好で、かつ、厚
さや密着性が均一な皮膜１４が形成された新規な電子回
路用部材１０を提供することができる。

【００５５】更に、カーボン又はその同素体と金属２４
とを含む複合材料１２は、熱膨張率が３．０×１０^-6〜
１．０×１０^-5／Ｋであって、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ
Ｋ以上であるため、ＩＣチップから発する熱を放熱する
ヒートシンク材に用いて好適となる。

【００５６】上述したように、複合材料１２の表面に溶
射によって形成された皮膜１４によって、半田付け性、
ろう付け性が良好となっているため、ヒートシンク材と
して使用される複合材料１２にＩＣチップを強固に固着
することができ、ＩＣチップが高温となった場合におい
ても、ヒートシンク材がＩＣチップの基板から剥離する
ということがない。

【００５７】なお、この発明に係る電子回路用部材及び
その製造方法は、上述の実施の形態に限らず、この発明
の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ること
はもちろんである。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電子
回路用部材及びその製造方法によれば、カーボン又はそ
の同素体と金属とを含む複合材料の表面に、半田付け
性、ろう付け性が良好で、かつ、厚さや密着性が均一な
皮膜が形成された新規な電子回路用部材を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る電子回路用部材の構成を示
す断面図である。

【図２】本実施の形態に係る電子回路用部材の構成を示
す拡大断面図である。

【図３】本実施の形態に係る電子回路用部材の製造方法
を示す工程ブロック図である。

【符号の説明】

１０…電子回路用部材 １２…複合材料 １４…皮膜 ２０…多孔質焼結体 ２２…開気孔 ２４…金属

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 健 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 中山 信亮 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 竹内 広幸 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 安井 誠二 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4K031 AA06 AB01 CB08 CB11 CB12 CB21 CB35 CB37 FA01 5F036 AA01 BA23 BB01 BD00

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】カーボン又はその同素体と金属とを含む複
   合材料と、 前記複合材料の表面に形成された溶射皮膜とを有するこ
   とを特徴とする電子回路用部材。
2. 【請求項２】請求項１記載の電子回路用部材において、 前記溶射皮膜は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａ
   ｌ、Ａｌ合金からなる群から選択された少なくとも１つ
   を構成材料とするものであることを特徴とする電子回路
   用部材。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載の電子回路用部材にお
   いて、 前記溶射皮膜に、前記複合材料との反応性を向上させる
   ための添加元素が添加されていることを特徴とする電子
   回路用部材。
4. 【請求項４】請求項３記載の電子回路用部材において、 前記添加元素がＢｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔ
   ｉ、Ｔａ、Ｖから選択された１種以上であることを特徴
   とする電子回路用部材。
5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子
   回路用部材において、 前記複合材料がヒートシンク材であることを特徴とする
   電子回路用部材。
6. 【請求項６】カーボン又はその同素体と金属とを含む複
   合材料の表面に、少なくとも表面処理を目的とする皮膜
   を溶射によって形成する工程を有することを特徴とする
   電子回路用部材の製造方法。
7. 【請求項７】請求項６記載の電子回路用部材の製造方法
   において、 前記皮膜を形成した後に、加熱処理を行うことを特徴と
   する電子回路用部材の製造方法。
8. 【請求項８】請求項７記載の電子回路用部材の製造方法
   において、 前記加熱温度は、３００℃〜１０００℃であって、か
   つ、前記複合材料の融点よりも３０℃低い温度あるいは
   それ以下の温度であることを特徴とする電子回路用部材
   の製造方法。
9. 【請求項９】請求項６〜８のいずれか１項に記載の電子
   回路用部材の製造方法において、 溶射材料は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、
   Ａｌ合金からなる群から選択された少なくとも１つであ
   ることを特徴とする電子回路用部材の製造方法。
10. 【請求項１０】請求項９記載の電子回路用部材の製造方
    法において、 前記溶射材料に、前記複合材料との反応性を向上させる
    ための添加元素が添加されていることを特徴とする電子
    回路用部材の製造方法。
11. 【請求項１１】請求項３記載の電子回路用部材の製造方
    法において、 前記添加元素がＢｅ、Ｂ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔ
    ｉ、Ｔａ、Ｖから選択された１種以上であることを特徴
    とする電子回路用部材の製造方法。