JP2001261488A - 結晶成長装置および方法 - Google Patents
結晶成長装置および方法Info
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- JP2001261488A JP2001261488A JP2000081666A JP2000081666A JP2001261488A JP 2001261488 A JP2001261488 A JP 2001261488A JP 2000081666 A JP2000081666 A JP 2000081666A JP 2000081666 A JP2000081666 A JP 2000081666A JP 2001261488 A JP2001261488 A JP 2001261488A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工プロセスを必要とせずに成長の途中で短
時間でウエハ面内に局所的に膜厚の分布をつけることが
可能であり、位置と膜厚の制御性良く例えば多波長面発
光レーザアレイを作製することができる結晶成長装置及
び方法を提供すること。 【解決手段】スリット状の開口部23を有し、開口部23を
結晶成長時に基体21の結晶成長面内で移動可能とした遮
蔽板24を、結晶成長用原料供給部25と基体2１との間に
配置したことを特徴とする。開口部23のある遮蔽板24を
基板21の結晶成長面内で動かすことにより成長させる結
晶の膜厚を結晶成長面内で局所的に変えることを特徴と
する。
時間でウエハ面内に局所的に膜厚の分布をつけることが
可能であり、位置と膜厚の制御性良く例えば多波長面発
光レーザアレイを作製することができる結晶成長装置及
び方法を提供すること。 【解決手段】スリット状の開口部23を有し、開口部23を
結晶成長時に基体21の結晶成長面内で移動可能とした遮
蔽板24を、結晶成長用原料供給部25と基体2１との間に
配置したことを特徴とする。開口部23のある遮蔽板24を
基板21の結晶成長面内で動かすことにより成長させる結
晶の膜厚を結晶成長面内で局所的に変えることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は結晶成長装置及び方法に
係り、例えば、多波長面発光レーザアレイ用の結晶成長
に好適な結晶成長装置及び方法に関するものである。
係り、例えば、多波長面発光レーザアレイ用の結晶成長
に好適な結晶成長装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】結晶として多波長面発光レーザアレイ用
結晶を例にとり従来の技術を説明する。
結晶を例にとり従来の技術を説明する。
【０００３】面発光レーザ基板表面から光を放射する構
造であるため２次元アレイ化が容易であり、また低放射
角であるためファイバとの結合性が良いなどの特徴があ
る。
造であるため２次元アレイ化が容易であり、また低放射
角であるためファイバとの結合性が良いなどの特徴があ
る。
【０００４】今日、光通信の大容量化により複数の波長
で伝送する波長多重のシステムが求められている。面発
光レーザは高密度なアレイ化が容易なため、発振波長の
異なる素子を複数局所的に集積したアレイ素子が実現さ
れれば波長多重システム用の光源として有望となると考
えられる。
で伝送する波長多重のシステムが求められている。面発
光レーザは高密度なアレイ化が容易なため、発振波長の
異なる素子を複数局所的に集積したアレイ素子が実現さ
れれば波長多重システム用の光源として有望となると考
えられる。
【０００５】従来の多波長面発光レーザアレイとして
は、結晶成長装置の特徴であるウエハ面内の成長速度
の違いを用いて作製されるもの、ウエハに予めパター
ンを作製し、その大きさの違いで成長速度に差をつけて
作製されるもの、基板に温度差をつけて成長速度や成
長膜の脱離速度に差をつけるもの、等が報告されてい
る。
は、結晶成長装置の特徴であるウエハ面内の成長速度
の違いを用いて作製されるもの、ウエハに予めパター
ンを作製し、その大きさの違いで成長速度に差をつけて
作製されるもの、基板に温度差をつけて成長速度や成
長膜の脱離速度に差をつけるもの、等が報告されてい
る。
【０００６】のウエハの面内分布を用いたものでは局
所的に作製することは不可能であり、、は成長前に
ウエハへの加工プロセスを必要とするため歩留まりや信
頼性で問題がある。
所的に作製することは不可能であり、、は成長前に
ウエハへの加工プロセスを必要とするため歩留まりや信
頼性で問題がある。
【０００７】通常の分子線エピタキシャル成長法（ＭＢ
Ｅ）では成長速度の制御に遮蔽板を用いている。しか
し、この技術は、微小領域の膜厚分布を目的とした構成
では無く、また、遮蔽板をウエハ近傍に設置しても分子
の表面での拡散が小さいため微小領域で膜厚分布を制御
するためには遮蔽板を細かく動かす必要があり技術的に
難しく、また分子線の量は原料の蒸発量を変えることに
より行うため時間がかかるという問題があった。
Ｅ）では成長速度の制御に遮蔽板を用いている。しか
し、この技術は、微小領域の膜厚分布を目的とした構成
では無く、また、遮蔽板をウエハ近傍に設置しても分子
の表面での拡散が小さいため微小領域で膜厚分布を制御
するためには遮蔽板を細かく動かす必要があり技術的に
難しく、また分子線の量は原料の蒸発量を変えることに
より行うため時間がかかるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は加工プロセス
を必要とせずに成長の途中で短時間でウエハ面内に局所
的に膜厚の分布をつけることが可能であり、位置と膜厚
の制御性良く例えば多波長面発光レーザアレイを作製す
ることができる結晶成長装置及び方法を提供することを
課題とする。
を必要とせずに成長の途中で短時間でウエハ面内に局所
的に膜厚の分布をつけることが可能であり、位置と膜厚
の制御性良く例えば多波長面発光レーザアレイを作製す
ることができる結晶成長装置及び方法を提供することを
課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、スリット状の
開口部を有し、該開口部を結晶成長時に結晶を成長させ
る基体の結晶成長面内で移動可能とした遮蔽板を、結晶
成長用原料供給部と該基体との間に配置したことを特徴
とする結晶成長装置である。
開口部を有し、該開口部を結晶成長時に結晶を成長させ
る基体の結晶成長面内で移動可能とした遮蔽板を、結晶
成長用原料供給部と該基体との間に配置したことを特徴
とする結晶成長装置である。
【００１０】ここで、前記遮蔽板は２枚配置され、該２
枚の遮蔽板の開口部は同一の方向に開口されており、該
２枚の遮蔽板は該基体の結晶成長面内で逆方向に移動可
能とすることが好ましい。
枚の遮蔽板の開口部は同一の方向に開口されており、該
２枚の遮蔽板は該基体の結晶成長面内で逆方向に移動可
能とすることが好ましい。
【００１１】また、該開口部は一方向に複数設けられて
いることが好ましい。本発明は、開口部のある遮蔽板を
基板の結晶成長面内で動かすことにより成長させる結晶
の膜厚を前記結晶成長面内で局所的に変えることを特徴
とする結晶成長方法である。
いることが好ましい。本発明は、開口部のある遮蔽板を
基板の結晶成長面内で動かすことにより成長させる結晶
の膜厚を前記結晶成長面内で局所的に変えることを特徴
とする結晶成長方法である。
【００１２】ここで、開口部のある遮蔽板２枚を互いに
逆方向に動かすことにより開口幅を連続的に変化させる
ことが好ましい。
逆方向に動かすことにより開口幅を連続的に変化させる
ことが好ましい。
【００１３】また、遮蔽板を動かす速さを変えることに
より膜厚を調整することが好ましい。
より膜厚を調整することが好ましい。
【００１４】さらに、開口部のある遮蔽板を動かす際に
原料の供給量を開口部の場所により変化させて膜厚を調
整するが好ましい。
原料の供給量を開口部の場所により変化させて膜厚を調
整するが好ましい。
【００１５】なお、遮蔽板と成長面との距離は１ｃｍ以
下が好ましい。
下が好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】（実施形態例１）本発明の第１実
施形態例を説明する。図１は面発光レーザの構成であ
る。ｎ型のＩｎＰ（１００）基板１上に、中間に傾斜組
成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを挟んだ低屈折率の光
学長λ／４（λ＝１５５０ｎｍ）のｎ−ＡｌＧａＩｎＡ
ｓと高屈折率の光学長λ／４のｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓの
５０．５ぺアのｎ型ＤＢＲ２を成長後、光学長λの活性
層を含むＡｌＧａＩｎＡｓのスペーサ層３を成長させ、
その後膜厚１ｎｍの変調層をウエハ内で膜厚を変化させ
て成長させた。
施形態例を説明する。図１は面発光レーザの構成であ
る。ｎ型のＩｎＰ（１００）基板１上に、中間に傾斜組
成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを挟んだ低屈折率の光
学長λ／４（λ＝１５５０ｎｍ）のｎ−ＡｌＧａＩｎＡ
ｓと高屈折率の光学長λ／４のｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓの
５０．５ぺアのｎ型ＤＢＲ２を成長後、光学長λの活性
層を含むＡｌＧａＩｎＡｓのスペーサ層３を成長させ、
その後膜厚１ｎｍの変調層をウエハ内で膜厚を変化させ
て成長させた。
【００１７】図２に変調層４を成長させるときの過程を
示す。ウエハ２１はサセプタ２２に下向きに装着されて
おり、変調層４の成長時に、開口部２３のある遮蔽板２
４をウエハ２１から５０μｍ離して結晶原料供給部２５
とウエハ２１（結晶を成長させる基体）との間に配置し
た。１０μｍの幅の開口部２３が２０秒間に２ｍｍ動く
間にＧａ、Ａｌ、Ｉｎを含む原料の全流量を１０ｓｃｃ
ｍから１００ｓｃｃｍに、引き続き２ｍｍ動く間に１０
０ｓｃｃｍから１０ｓｃｃｍに繰り返し線形的に変化さ
せた。
示す。ウエハ２１はサセプタ２２に下向きに装着されて
おり、変調層４の成長時に、開口部２３のある遮蔽板２
４をウエハ２１から５０μｍ離して結晶原料供給部２５
とウエハ２１（結晶を成長させる基体）との間に配置し
た。１０μｍの幅の開口部２３が２０秒間に２ｍｍ動く
間にＧａ、Ａｌ、Ｉｎを含む原料の全流量を１０ｓｃｃ
ｍから１００ｓｃｃｍに、引き続き２ｍｍ動く間に１０
０ｓｃｃｍから１０ｓｃｃｍに繰り返し線形的に変化さ
せた。
【００１８】ウエハ２１全体に開口部２３を移動させて
成長した後、ウエハ２１を９０°回転し、今度は１ｍｍ
を２０秒で動かしながら原料２０ｓｃｃｍを流す操作と
止める操作とを繰り返した。ウエハ２１全体に開口部２
３を移動させて成長した後、遮蔽板２４をウエハ２１の
表面付近から離し、通常の成長状態に戻した。
成長した後、ウエハ２１を９０°回転し、今度は１ｍｍ
を２０秒で動かしながら原料２０ｓｃｃｍを流す操作と
止める操作とを繰り返した。ウエハ２１全体に開口部２
３を移動させて成長した後、遮蔽板２４をウエハ２１の
表面付近から離し、通常の成長状態に戻した。
【００１９】引き続きウエハ２１全体に、中間に傾斜組
成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを挟んだ低屈折率の光
学長λ／４のｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓと高屈折率の光学長
λ／４のｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓの４０ペアのｐ型ＤＢＲ
４を成長させた。
成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを挟んだ低屈折率の光
学長λ／４のｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓと高屈折率の光学長
λ／４のｐ−ＡｌＧａＩｎＡｓの４０ペアのｐ型ＤＢＲ
４を成長させた。
【００２０】図３に面発光レーザの反射スぺクトルを示
す。ここで示す様に変調層の膜厚１を変えることで発振
波長に対応した反射率の低下の部分つまり共振波長が変
化することがわかる。
す。ここで示す様に変調層の膜厚１を変えることで発振
波長に対応した反射率の低下の部分つまり共振波長が変
化することがわかる。
【００２１】図４は、変調層４の厚さ１と発振波長を示
す。膜厚１をアレイ内で変化させることで等間隔の発振
波長を有した多波長面発光レーザアレイの作製が可能で
ある。
す。膜厚１をアレイ内で変化させることで等間隔の発振
波長を有した多波長面発光レーザアレイの作製が可能で
ある。
【００２２】次に、ウエハ２１表面にＡｕＺｎＮｉから
なるリング電極を作製し、１０μｍφの径でメサを作製
した後ＳｉＮｘで表面を保護し、上側にＣｒ／Ａｕより
なる配線電極、下側にＡｕＧｅＮｉからなる電極を形成
した。
なるリング電極を作製し、１０μｍφの径でメサを作製
した後ＳｉＮｘで表面を保護し、上側にＣｒ／Ａｕより
なる配線電極、下側にＡｕＧｅＮｉからなる電極を形成
した。
【００２３】図５は作製した２５０μｍ間隔の２×５素
子の多波長面発光レーザアレイ模式図と作製した素子の
発振波長を示す。１５４２ｎｍから１５６０ｎｍまで２
ｎｍ間隔で制御良く配置されていることがわかる。
子の多波長面発光レーザアレイ模式図と作製した素子の
発振波長を示す。１５４２ｎｍから１５６０ｎｍまで２
ｎｍ間隔で制御良く配置されていることがわかる。
【００２４】図６は作製したアレイ素子の注入電流に対
する光出力を示す。１０素子とも同じ良好な閾値電流及
び光出力であることがわかった。
する光出力を示す。１０素子とも同じ良好な閾値電流及
び光出力であることがわかった。
【００２５】（実施形態例２）本発明の第２実施形態例
を説明する。図１と同様な面発光レーザの構成である。
を説明する。図１と同様な面発光レーザの構成である。
【００２６】ｐ型のＩｎＰ（３１１）Ｂ基板１上に、中
間に傾斜組成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを挟んだ低
屈折率の光学長λ／４（λ＝１５５０ｎｍ）のｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＡｓと高屈折率の光学長λ／４のｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＡｓの５０．５ペアのｐ型ＤＢＲ２を成長後、光学
長λの活性層を含むＡｌＧａＩｎＡｓのスペーサ層３を
成長させ、その後膜厚１ｎｍの変調層４をウエハ内で膜
厚を変化させて成長させた。
間に傾斜組成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを挟んだ低
屈折率の光学長λ／４（λ＝１５５０ｎｍ）のｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＡｓと高屈折率の光学長λ／４のｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＡｓの５０．５ペアのｐ型ＤＢＲ２を成長後、光学
長λの活性層を含むＡｌＧａＩｎＡｓのスペーサ層３を
成長させ、その後膜厚１ｎｍの変調層４をウエハ内で膜
厚を変化させて成長させた。
【００２７】図７に変調層４を成長するときの過程を示
す。ウエハ２１はサセプタ２２に下向きに装着されてお
り、変調層４の成長時に２ｍｍ間隔で幅２ｍｍの繰り返
し開口部のある遮蔽板２４ａ，２４ｂが２枚重なった遮
蔽装置をウエハ２１から５０μｍ離して配置した。
す。ウエハ２１はサセプタ２２に下向きに装着されてお
り、変調層４の成長時に２ｍｍ間隔で幅２ｍｍの繰り返
し開口部のある遮蔽板２４ａ，２４ｂが２枚重なった遮
蔽装置をウエハ２１から５０μｍ離して配置した。
【００２８】遮蔽板２４ａ，２４ｂの２枚を互いに反対
方向に移動させることで変化する実際の開口部の幅を、
原料を１００ｓｃｃｍ流しながら０ｍｍから２ｍｍに２
０秒で変化させた。
方向に移動させることで変化する実際の開口部の幅を、
原料を１００ｓｃｃｍ流しながら０ｍｍから２ｍｍに２
０秒で変化させた。
【００２９】その後、ウエハ２１を９０°回転し、今度
も２枚の遮蔽板２４ａ，２４ｂで形成される開口部を、
原料を１０ｓｃｃｍ流しながら０ｍｍから２ｍｍに２０
秒で変化させた。
も２枚の遮蔽板２４ａ，２４ｂで形成される開口部を、
原料を１０ｓｃｃｍ流しながら０ｍｍから２ｍｍに２０
秒で変化させた。
【００３０】遮蔽板２４ａ，２４ｂをウエハ表面付近か
ら離して通常の成長状態に戻した後、引き続きウエハ全
体に、中間に傾斜組成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを
挟んだ低屈折率の光学長λ／４のｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓ
と高屈折率の光学長λ／４のｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓの４
０ぺアのｎ型ＤＢＲ４を成長させた。
ら離して通常の成長状態に戻した後、引き続きウエハ全
体に、中間に傾斜組成のＡｌＧａＡｓ中間層１０ｎｍを
挟んだ低屈折率の光学長λ／４のｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓ
と高屈折率の光学長λ／４のｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓの４
０ぺアのｎ型ＤＢＲ４を成長させた。
【００３１】次に、ウエハ表面にＡｕＧｅＮｉからなる
リング電極を作製し、１０μｍφの径でメサを作製した
後ＳｉＮｘで表面を保護し、上側にＣｒ／Ａｕよりなる
配線電極、下側にＡｕＺｕＮｉからなる電極を形成し
た。
リング電極を作製し、１０μｍφの径でメサを作製した
後ＳｉＮｘで表面を保護し、上側にＣｒ／Ａｕよりなる
配線電極、下側にＡｕＺｕＮｉからなる電極を形成し
た。
【００３２】図８は作製した２５０μｍ間隔の５×５素
子の多波長面発光レーザアレイを上から見た図であり、
作製した素子の発振波長を同時に示す。１５３５ｎｍか
ら１５５９ｎｍまで１ｎｍ間隔で制御良く配置されてい
ることがわかる。２５素子とも実施態様例１と同じく良
好な閾値電流及び光出力であることがわかった。
子の多波長面発光レーザアレイを上から見た図であり、
作製した素子の発振波長を同時に示す。１５３５ｎｍか
ら１５５９ｎｍまで１ｎｍ間隔で制御良く配置されてい
ることがわかる。２５素子とも実施態様例１と同じく良
好な閾値電流及び光出力であることがわかった。
【００３３】（実施態様例３）上記実施態様例では有機
金属気相成長法で行ったが、同じ方法を、表面での拡散
の大きい有機金属を用いたガスソースＭＢＥにおいても
取り入れることができる。
金属気相成長法で行ったが、同じ方法を、表面での拡散
の大きい有機金属を用いたガスソースＭＢＥにおいても
取り入れることができる。
【００３４】図９はガスソースＭＢＥを示す正面図であ
り、（ａ）は通常の成長時の状態を示し、（ｂ）は遮蔽
板を導入した状態を示している。
り、（ａ）は通常の成長時の状態を示し、（ｂ）は遮蔽
板を導入した状態を示している。
【００３５】噴出セル８１ａ，８１ｂが結晶原料供給部
であり、噴出セル８１ａ，８１ｂの噴出口とウエハ２１
との間に、移動可能な遮蔽板２４ａ，２４ｂが配置され
ている。
であり、噴出セル８１ａ，８１ｂの噴出口とウエハ２１
との間に、移動可能な遮蔽板２４ａ，２４ｂが配置され
ている。
【００３６】本装置においても実施態様例２と同様、成
長の途中で短時間でウエハ面内に局所的に膜厚の分布を
つけることが可能である。
長の途中で短時間でウエハ面内に局所的に膜厚の分布を
つけることが可能である。
【００３７】本発明は以上述べた実施態様例の他に例え
ば次ぎのような各種の変形例も可能である。
ば次ぎのような各種の変形例も可能である。
【００３８】例えば、材料系もＡｌＧａＩｎＡｓ限らず
ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＩｎＡｓＰ系、ＧａＡｌＩｎＡｓ
Ｓｂ系、ＡｌＧａＩｎＮ系にも適用できる。さらに本方
法による結晶成長時における膜厚変調技術は面発光レー
ザに限らず他の光、電子デバイスにも適用できる。ま
た、遮蔽板を複数用いて移動する方向を変えることでウ
エハを回転して向きを変えなくても―度に２次元的な膜
厚分布を形成できる。また、遮蔽板とウエハを同時回転
させることで原料の流れる方向での膜厚分布の影響を低
減できる。さらに、ウエハ遮蔽板の距離を離すことで遮
蔽の影響をなくした成長が可能となる。
ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＩｎＡｓＰ系、ＧａＡｌＩｎＡｓ
Ｓｂ系、ＡｌＧａＩｎＮ系にも適用できる。さらに本方
法による結晶成長時における膜厚変調技術は面発光レー
ザに限らず他の光、電子デバイスにも適用できる。ま
た、遮蔽板を複数用いて移動する方向を変えることでウ
エハを回転して向きを変えなくても―度に２次元的な膜
厚分布を形成できる。また、遮蔽板とウエハを同時回転
させることで原料の流れる方向での膜厚分布の影響を低
減できる。さらに、ウエハ遮蔽板の距離を離すことで遮
蔽の影響をなくした成長が可能となる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、加工プロセスを必要と
せずに成長の途中で短時間でウエハ面内に局所的に膜厚
の分布をつけることが可能となる。そのため、例えば、
位置と膜厚の制御性良く多波長面発光レーザアレイを作
製することが可能となる。また、例えば、アレイ内の素
子と発振波長を制御良く対応させた、素子特性や素子寿
命等の良好な特性の多波長面発光レーザアレイを実現す
ることも可能となる。
せずに成長の途中で短時間でウエハ面内に局所的に膜厚
の分布をつけることが可能となる。そのため、例えば、
位置と膜厚の制御性良く多波長面発光レーザアレイを作
製することが可能となる。また、例えば、アレイ内の素
子と発振波長を制御良く対応させた、素子特性や素子寿
命等の良好な特性の多波長面発光レーザアレイを実現す
ることも可能となる。
【図１】面発光レーザの構成を示す概念的断面図であ
る。
る。
【図２】変調層の成長を説明するための図である。
【図３】面発光レーザ構造の反射スぺクトルを示すグラ
フである。
フである。
【図４】変調層の厚さと発振波長の関係を示すグラフで
ある。
ある。
【図５】２×５多波長面発光レーザアレイの斜視図であ
る。
る。
【図６】注入電流対光出力を示すグラフである。
【図７】変調層の成長を説明するための図である。
【図８】５×５多波長面発光レーザアレイの平面図であ
る。
る。
【図９】ＭＢＥ装置の概念的正面図である。
１ 基体（基板）、 ２ ＤＢＲ層、 ３ スペーサ層、 ４ 変調層、 ５ ＤＢＲ層、 ２１ ウエハ、 ２２ サセプタ、 ２３ 開口部、 ２４ 遮蔽板、 ２４ａ，２４ｂ 遮蔽板、 ２５ 結晶原料供給部、 ８１ａ，８１ｂ 原料供給部。
フロントページの続き (72)発明者 天野 主税 東京都千代田区大手町二丁目３番１号日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 DA05 SC03 SC13 5F073 AB06 AB17 CA15 CB02 CB22 DA06 DA35 5F103 AA04 BB16 BB32 DD05 HH03 JJ01 LL03
Claims (7)
- 【請求項１】 スリット状の開口部を有し、該開口部を
結晶成長時に結晶を成長させる基体の結晶成長面内で移
動可能とした遮蔽板を、結晶成長用原料供給部と該基体
との間に配置したことを特徴とする結晶成長装置。 - 【請求項２】 前記遮蔽板は２枚配置され、該２枚の遮
蔽板の開口部は同一の方向に開口されており、該２枚の
遮蔽板は該基体の結晶成長面内で逆方向に移動可能とし
たことを特徴とする請求項１記載の結晶成長装置。 - 【請求項３】 該開口部は一方向に複数設けられている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の結晶成長装
置。 - 【請求項４】 開口部のある遮蔽板を基板の結晶成長面
内で動かすことにより成長させる結晶の膜厚を前記結晶
成長面内で局所的に変えることを特徴とする結晶成長方
法。 - 【請求項５】 開口部のある遮蔽板２枚を互いに逆方向
に動かすことにより開口幅を連続的に変化させることを
特徴とする請求項４記載の結晶成長方法。 - 【請求項６】 遮蔽板を動かす速さを変えることにより
膜厚を調整することを特徴とする請求項４または５記載
の結晶成長方法。 - 【請求項７】 開口部のある遮蔽板を動かす際に原料の
供給量を開口部の場所により変化させて膜厚を調整する
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載
の結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081666A JP3615453B2 (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 結晶成長装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000081666A JP3615453B2 (ja) | 2000-03-23 | 2000-03-23 | 結晶成長装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001261488A true JP2001261488A (ja) | 2001-09-26 |
| JP3615453B2 JP3615453B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=18598574
Family Applications (1)
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