JP2001257149A - 縮小露光方法 - Google Patents
縮小露光方法Info
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- JP2001257149A JP2001257149A JP2000066352A JP2000066352A JP2001257149A JP 2001257149 A JP2001257149 A JP 2001257149A JP 2000066352 A JP2000066352 A JP 2000066352A JP 2000066352 A JP2000066352 A JP 2000066352A JP 2001257149 A JP2001257149 A JP 2001257149A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程の一つであるリソグラフィ工
程において、解像度の優れたレジストパターンを得る特
殊な絞りを用いて露光を行うと、光量不足により、良好
なレジストパターンが得られない。 【解決手段】 光源からの光を絞りを介してレクチルに
照射し、このレクチルに描かれた配線パターンを半導体
基板に投影して、この半導体基板上のレジストを露光す
る縮小露光方法において、所定形状の第１の絞りを用い
て露光した後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の
絞りを使用して、半導体基板の同一領域に、複数回露光
を行う。
程において、解像度の優れたレジストパターンを得る特
殊な絞りを用いて露光を行うと、光量不足により、良好
なレジストパターンが得られない。 【解決手段】 光源からの光を絞りを介してレクチルに
照射し、このレクチルに描かれた配線パターンを半導体
基板に投影して、この半導体基板上のレジストを露光す
る縮小露光方法において、所定形状の第１の絞りを用い
て露光した後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の
絞りを使用して、半導体基板の同一領域に、複数回露光
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置製造
工程におけるリソグラフィー工程の縮小露光方法に関す
るものである。
工程におけるリソグラフィー工程の縮小露光方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程のうち、所望のパタ
ーンを半導体基板上に描くリソグラフィ工程では、レチ
クルに描かれたパターンを縮小投影露光装置によって半
導体基板上のレジストに転写する方法が一般的である。
ーンを半導体基板上に描くリソグラフィ工程では、レチ
クルに描かれたパターンを縮小投影露光装置によって半
導体基板上のレジストに転写する方法が一般的である。
【０００３】図３は従来の縮小露光方法で用いられる縮
小投影露光装置の光学系を示す概略構成図である。図に
おいて、１は光源、２は反射鏡、３はフライアイレン
ズ、４は絞り、５はリレーレンズ、６は反射鏡、７はコ
ンデンサーレンズ、８はレクチル、９は投影レンズ、１
０は半導体基板である。
小投影露光装置の光学系を示す概略構成図である。図に
おいて、１は光源、２は反射鏡、３はフライアイレン
ズ、４は絞り、５はリレーレンズ、６は反射鏡、７はコ
ンデンサーレンズ、８はレクチル、９は投影レンズ、１
０は半導体基板である。
【０００４】縮小投影露光装置による半導体基板上のレ
ジストの露光方法は、まず、光源１から出射した光は反
射鏡２で方向を変えられ、フライアイレンズ３を通過し
た後、金属板からなる絞り４を通過し、その後、リレー
レンズ５、反射鏡６及びコンデンサーレンズ７を通過し
てレチクル８を照射する。次に、レチクル８を通過した
光は投影レンズ９で縮小され半導体基板上１０にレチク
ル８に描かれたパターンが結像する。
ジストの露光方法は、まず、光源１から出射した光は反
射鏡２で方向を変えられ、フライアイレンズ３を通過し
た後、金属板からなる絞り４を通過し、その後、リレー
レンズ５、反射鏡６及びコンデンサーレンズ７を通過し
てレチクル８を照射する。次に、レチクル８を通過した
光は投影レンズ９で縮小され半導体基板上１０にレチク
ル８に描かれたパターンが結像する。
【０００５】また、図４は、従来方法の半導体基板１枚
を露光する工程のフローチャートである。この図に示す
ように、露光工程は、まず、特定の光学絞り４を選定し
て固定する。次に、半導体基板１０をセットし、所定の
位置へ移動させ、その後に露光する。このように、従来
の露光方法では露光ショットに対して１種類の絞り４を
使用し、これを固定し、順次半導体基板１０を移動させ
て、半導体基板１０の必要領域の全てを露光している。
を露光する工程のフローチャートである。この図に示す
ように、露光工程は、まず、特定の光学絞り４を選定し
て固定する。次に、半導体基板１０をセットし、所定の
位置へ移動させ、その後に露光する。このように、従来
の露光方法では露光ショットに対して１種類の絞り４を
使用し、これを固定し、順次半導体基板１０を移動させ
て、半導体基板１０の必要領域の全てを露光している。
【０００６】そして、半導体基板１０上のレジストに結
像する光学像は光学系の絞り４やコンデンサーレンズ７
の開口数によってその光学強度やコントラストが決定す
るため、転写するパターンに応じて光学系の絞り４とし
て、適切な大きさや形状のものを選定して露光が行われ
ている。また、限定されたレジストパターンにおいて、
その解像力向上のため、中心部を遮光した絞り４を用い
る輪帯照明法や一部のみを開口した絞り４を用いる変形
照明法が行われている。
像する光学像は光学系の絞り４やコンデンサーレンズ７
の開口数によってその光学強度やコントラストが決定す
るため、転写するパターンに応じて光学系の絞り４とし
て、適切な大きさや形状のものを選定して露光が行われ
ている。また、限定されたレジストパターンにおいて、
その解像力向上のため、中心部を遮光した絞り４を用い
る輪帯照明法や一部のみを開口した絞り４を用いる変形
照明法が行われている。
【０００７】図５は円形絞り（ａ）と輪帯絞り（ｂ）と
の上面模式図である。図６は円形パターンにおける円形
絞りまたは輪帯絞り使用した場合の光強度分布図であ
る。図６に示すように輪帯絞りを使用した場合、円形絞
りと比較して光学像のコントラストが向上し、レジスト
パターンの解像力を上げることができるが、絞り４の一
部を遮光していることからレチクル８へ照射される光量
が減少してしまう。そのため、ポジ型レジストを用いた
場合、孤立した抜きのレジストパターンなどはレジスト
の露光量不足が原因で露光部のレジストが十分に溶解し
ないなどの問題点があった。また、これらの特殊な絞り
を用いる照明法の場合、特定のレジストパターン対して
は解像力向上の効果が有効であるが、それ以外のレジス
トパターンに対しては解像力が低下するという問題があ
った。
の上面模式図である。図６は円形パターンにおける円形
絞りまたは輪帯絞り使用した場合の光強度分布図であ
る。図６に示すように輪帯絞りを使用した場合、円形絞
りと比較して光学像のコントラストが向上し、レジスト
パターンの解像力を上げることができるが、絞り４の一
部を遮光していることからレチクル８へ照射される光量
が減少してしまう。そのため、ポジ型レジストを用いた
場合、孤立した抜きのレジストパターンなどはレジスト
の露光量不足が原因で露光部のレジストが十分に溶解し
ないなどの問題点があった。また、これらの特殊な絞り
を用いる照明法の場合、特定のレジストパターン対して
は解像力向上の効果が有効であるが、それ以外のレジス
トパターンに対しては解像力が低下するという問題があ
った。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置製造のリソ
グラフィ工程において、レジストパターンの解像力向上
のため、縮小投影露光装置の絞り４に、その中心部を遮
光した輪帯絞りや一部のみを開口した変形絞りを用いた
縮小露光方法が行われているが、ポジ型レジストを用い
た場合、露光量不足で露光部のレジストが十分に溶解し
ないという問題があり、また、特定のレジストパターン
対しては解像力が向上するが、それ以外のレジストパタ
ーンに対しては解像力が低下するという問題があった。
グラフィ工程において、レジストパターンの解像力向上
のため、縮小投影露光装置の絞り４に、その中心部を遮
光した輪帯絞りや一部のみを開口した変形絞りを用いた
縮小露光方法が行われているが、ポジ型レジストを用い
た場合、露光量不足で露光部のレジストが十分に溶解し
ないという問題があり、また、特定のレジストパターン
対しては解像力が向上するが、それ以外のレジストパタ
ーンに対しては解像力が低下するという問題があった。
【０００９】この発明は、上記のような問題を解決する
ためになされたものであり、レジストへ照射される露光
量を確保して、特定のレジストパターン以外に対しても
解像度を維持する縮小露光方法を得ることを目的とする
ものである。
ためになされたものであり、レジストへ照射される露光
量を確保して、特定のレジストパターン以外に対しても
解像度を維持する縮小露光方法を得ることを目的とする
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る第１の縮
小露光方法は、光源からの光を絞りを介してレクチルに
照射し、このレクチルに描かれた配線パターンを半導体
基板に投影して、この半導体基板上のレジストを露光す
る縮小露光方法において、所定形状の第１の絞りを用い
て露光した後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の
絞りを使用して、半導体基板の同一領域に、複数回露光
を行うことである。
小露光方法は、光源からの光を絞りを介してレクチルに
照射し、このレクチルに描かれた配線パターンを半導体
基板に投影して、この半導体基板上のレジストを露光す
る縮小露光方法において、所定形状の第１の絞りを用い
て露光した後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の
絞りを使用して、半導体基板の同一領域に、複数回露光
を行うことである。
【００１１】この発明に係る第２の縮小露光方法は、上
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、輪帯絞りと円形絞りとを用いることである。
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、輪帯絞りと円形絞りとを用いることである。
【００１２】この発明に係る第３の縮小露光方法は、上
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、電気信号により光が通過する部分の形状を変える液
晶表示板を用いることである。
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、電気信号により光が通過する部分の形状を変える液
晶表示板を用いることである。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１における半導体基板を露光する工程のフロ
ーチャートである。図３に示す縮小投影露光装置におい
て、半導体基板１０を所定位置に設置し、絞り４に輪帯
絞りを用いて半導体基板１０を露光する。次に、半導体
基板１０はそのままにして、絞り４を円形絞りに換え、
半導体基板１０を露光する。さらに、半導体基板１０を
次の露光位置に移動して、この露光位置で、半導体基板
１０に、輪帯絞りでの露光と円形絞りでの露光との絞り
４を変えた複数回の露光を行う。すなわち、順次半導体
基板を移動させ、半導体基板１０の必要領域の全てに、
絞り４を変えた複数回の露光を行う。
実施の形態１における半導体基板を露光する工程のフロ
ーチャートである。図３に示す縮小投影露光装置におい
て、半導体基板１０を所定位置に設置し、絞り４に輪帯
絞りを用いて半導体基板１０を露光する。次に、半導体
基板１０はそのままにして、絞り４を円形絞りに換え、
半導体基板１０を露光する。さらに、半導体基板１０を
次の露光位置に移動して、この露光位置で、半導体基板
１０に、輪帯絞りでの露光と円形絞りでの露光との絞り
４を変えた複数回の露光を行う。すなわち、順次半導体
基板を移動させ、半導体基板１０の必要領域の全てに、
絞り４を変えた複数回の露光を行う。
【００１４】本実施の形態に用いる絞り４において、円
形絞りは、例えば光透過領域の直径が１．０ｃｍから
４．０ｃｍ、好ましくは１．５ｃｍから３．０ｃｍのも
のが用いられる。光透過領域の直径が１．０ｃｍ未満の
場合は露光不良がおこり、光透過領域の直径が３．０ｃ
ｍより大きい場合は絞りの効果がなくなる。本実施の形
態に用いる絞り４において、輪帯絞りは、直径が２．０
ｃｍから３．５ｃｍの円形透過部の中央部に円形透過部
より小さい同軸の円形の不透過部分を有しており、円形
の不透過部分な面積が円形透過部の５０％から７０％の
ものが用いられる。円形不透過部の面積が７０％より大
きいと露光量が極端に少なくなる。円形不透明過の面積
が５０％未満であるとレジストパタ−ンの解像度が低下
する。
形絞りは、例えば光透過領域の直径が１．０ｃｍから
４．０ｃｍ、好ましくは１．５ｃｍから３．０ｃｍのも
のが用いられる。光透過領域の直径が１．０ｃｍ未満の
場合は露光不良がおこり、光透過領域の直径が３．０ｃ
ｍより大きい場合は絞りの効果がなくなる。本実施の形
態に用いる絞り４において、輪帯絞りは、直径が２．０
ｃｍから３．５ｃｍの円形透過部の中央部に円形透過部
より小さい同軸の円形の不透過部分を有しており、円形
の不透過部分な面積が円形透過部の５０％から７０％の
ものが用いられる。円形不透過部の面積が７０％より大
きいと露光量が極端に少なくなる。円形不透明過の面積
が５０％未満であるとレジストパタ−ンの解像度が低下
する。
【００１５】本実施の形態における光源１としては、波
長が、３６５ｎｍ、３０８ｎｍ、２４８ｎｍまたは１９
３ｎｍのいずれかの光を照射するものが用いられるが、
これら波長の光を照射するものに限定するものではな
い。
長が、３６５ｎｍ、３０８ｎｍ、２４８ｎｍまたは１９
３ｎｍのいずれかの光を照射するものが用いられるが、
これら波長の光を照射するものに限定するものではな
い。
【００１６】本実施の形態において、円形絞りでの露光
時間は全露光時間の６．５％〜１５．０％である。例え
ば、輪帯絞りによる露光時間は５００ｍｓｅｃから６５
０ｍｓｅｃであり、円形絞りによる露光時間は５０ｍｓ
ｅｃから８０ｍｓｅｃである。円形絞りによる露光時間
が全露光時間の６．５％未満であると、露光量不足を生
じ、また、円形絞りの露光時間が全露光時間の１５％を
超えると、解像度が低下する。
時間は全露光時間の６．５％〜１５．０％である。例え
ば、輪帯絞りによる露光時間は５００ｍｓｅｃから６５
０ｍｓｅｃであり、円形絞りによる露光時間は５０ｍｓ
ｅｃから８０ｍｓｅｃである。円形絞りによる露光時間
が全露光時間の６．５％未満であると、露光量不足を生
じ、また、円形絞りの露光時間が全露光時間の１５％を
超えると、解像度が低下する。
【００１７】図２は、本発明の実施の形態１における効
果を説明する図である。レチクル８上に描かれた円形の
開口パターンを半導体基板１０上のレジストに転写する
場合を一例として説明している。まず始めに、絞り４と
して輪帯絞りを使用して露光を行い、レジストへ、円形
の像の中心から外周に向かって図２中の（ｂ）に示す光
学強度分布に相当する光エネルギーを与える。次に、半
導体基板１０はそのままの状態で絞り４を円形絞りへ変
更して露光することで、レジストへ、円形の像の中心か
ら外周に向かって図２中の（ａ）で示す光学強度分布に
相当する光エネルギーを与える。この結果、半導体基板
１０上のレジストに、図２中の（ａ）と（ｂ）との光学
強度分布を合成した円形の像の中心から外周に向かって
図２中の（ｃ）に示す光強度分布のエネルギーを与える
ことができる。すなわち、光強度が大きく、投影する像
の境界部で急激に光強度が小さくなる解像度の高い露光
をおこなうことができる。本実施の形態では、輪帯絞り
による露光後に円形絞りによる露光を行ったが、逆に、
円形絞りによる露光後に輪帯絞りによる露光を行っても
同様な効果が得られる。
果を説明する図である。レチクル８上に描かれた円形の
開口パターンを半導体基板１０上のレジストに転写する
場合を一例として説明している。まず始めに、絞り４と
して輪帯絞りを使用して露光を行い、レジストへ、円形
の像の中心から外周に向かって図２中の（ｂ）に示す光
学強度分布に相当する光エネルギーを与える。次に、半
導体基板１０はそのままの状態で絞り４を円形絞りへ変
更して露光することで、レジストへ、円形の像の中心か
ら外周に向かって図２中の（ａ）で示す光学強度分布に
相当する光エネルギーを与える。この結果、半導体基板
１０上のレジストに、図２中の（ａ）と（ｂ）との光学
強度分布を合成した円形の像の中心から外周に向かって
図２中の（ｃ）に示す光強度分布のエネルギーを与える
ことができる。すなわち、光強度が大きく、投影する像
の境界部で急激に光強度が小さくなる解像度の高い露光
をおこなうことができる。本実施の形態では、輪帯絞り
による露光後に円形絞りによる露光を行ったが、逆に、
円形絞りによる露光後に輪帯絞りによる露光を行っても
同様な効果が得られる。
【００１８】実施の形態２．本発明の実施の形態２で
は、図３に示す縮小投影露光装置において、絞り４とし
て、電気信号により光が通過する部分の形状を変える液
晶表示板を用い、縮小露光を行う。
は、図３に示す縮小投影露光装置において、絞り４とし
て、電気信号により光が通過する部分の形状を変える液
晶表示板を用い、縮小露光を行う。
【００１９】本実施の形態に用いる液晶表示板は、例え
ば、画像領域が５ｃｍ×５ｃｍであり、１画素の大きさ
は２５０μｍ×２５０μｍに設定されており、液晶表示
板を構成する各画素に印加する電気信号により所望の絞
り形状を形成できる。
ば、画像領域が５ｃｍ×５ｃｍであり、１画素の大きさ
は２５０μｍ×２５０μｍに設定されており、液晶表示
板を構成する各画素に印加する電気信号により所望の絞
り形状を形成できる。
【００２０】そこで、まず、電気信号により液晶表示板
に実施の形態１の輪帯絞りと同寸法の円形の透過部と、
この円形透過部の中央部に実施の形態１の輪帯絞りと同
寸法の不透過部分とを同軸に形成し、半導体基板１０上
のレジストを露光する。次に、電気信号を変えて、液晶
表示板に実施の形態１の円形絞りと同寸法の円形の光透
過領域を形成し、半導体基板１０上のレジストを露光す
る。
に実施の形態１の輪帯絞りと同寸法の円形の透過部と、
この円形透過部の中央部に実施の形態１の輪帯絞りと同
寸法の不透過部分とを同軸に形成し、半導体基板１０上
のレジストを露光する。次に、電気信号を変えて、液晶
表示板に実施の形態１の円形絞りと同寸法の円形の光透
過領域を形成し、半導体基板１０上のレジストを露光す
る。
【００２１】このような方法で縮小露光することは、絞
り４を取り替えることなしに、半導体基板１０上のレジ
ストに、光強度が大きく、投影する像の境界部で急激に
光強度が小さくなる解像度が高い露光をおこなうことが
できる。
り４を取り替えることなしに、半導体基板１０上のレジ
ストに、光強度が大きく、投影する像の境界部で急激に
光強度が小さくなる解像度が高い露光をおこなうことが
できる。
【００２２】
【実施例】実施例によって本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
【００２３】実施例１．図３に示す縮小投影露光装置に
おいて、光源１に水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）
を用い、直径２．７ｃｍの円形透過部の中央部に直径
２．０ｃｍの同軸の不透過部分を有する輪帯絞りを用い
た５６０ｍｓｅｃの露光と、直径２．７ｃｍの円形の光
透過領域を有する円形絞りを用いた６０ｍｓｅｃの露光
とを、ｉ線用ポジ型フォトレジスト（住友化学製）に行
った。その結果、現像した後に、レジストを孤立した状
態で除去するアイソスペースパターンとして、０．２０
μｍの解像度のパタ−ンが得られた。それに対して、直
径２．７ｃｍの円形の光透過領域を有する円形絞りを用
いた６２０ｍｓｅｃの露光では、アイソスペースパター
ンの解像度は０．２５μｍであり、直径２．７ｃｍの円
形透過部の中央部に直径２．０ｃｍの同軸の不透過部分
を有する輪帯絞りを用いた６２０ｍｓｅｃの露光では、
露光量不足でレジスト残りが発生した。
おいて、光源１に水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）
を用い、直径２．７ｃｍの円形透過部の中央部に直径
２．０ｃｍの同軸の不透過部分を有する輪帯絞りを用い
た５６０ｍｓｅｃの露光と、直径２．７ｃｍの円形の光
透過領域を有する円形絞りを用いた６０ｍｓｅｃの露光
とを、ｉ線用ポジ型フォトレジスト（住友化学製）に行
った。その結果、現像した後に、レジストを孤立した状
態で除去するアイソスペースパターンとして、０．２０
μｍの解像度のパタ−ンが得られた。それに対して、直
径２．７ｃｍの円形の光透過領域を有する円形絞りを用
いた６２０ｍｓｅｃの露光では、アイソスペースパター
ンの解像度は０．２５μｍであり、直径２．７ｃｍの円
形透過部の中央部に直径２．０ｃｍの同軸の不透過部分
を有する輪帯絞りを用いた６２０ｍｓｅｃの露光では、
露光量不足でレジスト残りが発生した。
【００２４】すなわち、輪帯絞りと円形絞りとの異なる
形状の絞りを用いて露光することにより、十分な露光強
度による高解像度の露光を実現することができる。
形状の絞りを用いて露光することにより、十分な露光強
度による高解像度の露光を実現することができる。
【００２５】
【発明の効果】この発明に係る第１の縮小露光方法は、
光源からの光を絞りを介してレクチルに照射し、このレ
クチルに描かれた配線パターンを半導体基板に投影し
て、この半導体基板上のレジストを露光する縮小露光方
法において、所定形状の第１の絞りを用いて露光した
後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の絞りを使用
して、半導体基板の同一領域に、複数回露光を行うこと
であり、半導体基板上のレジストに、光強度が大きく、
投影する像の境界部で急激に光強度が小さくなる解像度
が高い露光をおこなうことができる。
光源からの光を絞りを介してレクチルに照射し、このレ
クチルに描かれた配線パターンを半導体基板に投影し
て、この半導体基板上のレジストを露光する縮小露光方
法において、所定形状の第１の絞りを用いて露光した
後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の絞りを使用
して、半導体基板の同一領域に、複数回露光を行うこと
であり、半導体基板上のレジストに、光強度が大きく、
投影する像の境界部で急激に光強度が小さくなる解像度
が高い露光をおこなうことができる。
【００２６】この発明に係る第２の縮小露光方法は、上
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、輪帯絞りと円形絞りとを用いることであり、半導体
基板上のレジストに、光強度が大きく、投影する像の境
界部で急激に光強度が小さくなる解像度が高い露光をお
こなうことができる。
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、輪帯絞りと円形絞りとを用いることであり、半導体
基板上のレジストに、光強度が大きく、投影する像の境
界部で急激に光強度が小さくなる解像度が高い露光をお
こなうことができる。
【００２７】この発明に係る第３の縮小露光方法は、上
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、電気信号により光が通過する部分の形状を変える液
晶表示板を用いることであり、絞りを取り替えることな
しに、半導体基板上のレジストに、光強度が大きく、投
影する像の境界部で急激に光強度が小さくなる解像度が
高い露光をおこなうことができる。
記第１の縮小露光方法において、第１および第２の絞り
に、電気信号により光が通過する部分の形状を変える液
晶表示板を用いることであり、絞りを取り替えることな
しに、半導体基板上のレジストに、光強度が大きく、投
影する像の境界部で急激に光強度が小さくなる解像度が
高い露光をおこなうことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１における半導体基板を
露光する工程のフローチャートである。
露光する工程のフローチャートである。
【図２】 本発明の実施の形態１における効果を説明す
る図である。
る図である。
【図３】 従来の縮小露光方法に用いる縮小投影露光装
置の光学系を示す概略構成図である。
置の光学系を示す概略構成図である。
【図４】 従来方法の半導体基板１枚を露光する工程の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図５】 円形絞り（ａ）と輪帯絞り（ｂ）との上面模
式図である。
式図である。
【図６】 円形パターンにおける円形絞りまたは輪帯絞
り使用した場合の光強度分布図である。
り使用した場合の光強度分布図である。
１ 光源、２ 反射鏡、３ フライアイレンズ、４ 絞
り、５ リレーレンズ、６ 反射鏡、７ コンデンサー
レンズ、８ レクチル、９ 投影レンズ、１０半導体基
板
り、５ リレーレンズ、６ 反射鏡、７ コンデンサー
レンズ、８ レクチル、９ 投影レンズ、１０半導体基
板
Claims (3)
- 【請求項１】 光源からの光を絞りを介してレクチルに
照射し、このレクチルに描かれた配線パターンを半導体
基板に投影して、この半導体基板上のレジストを露光す
る縮小露光方法において、所定形状の第１の絞りを用い
て露光した後、上記第１の絞りとは異なる形状の第２の
絞りを使用して、半導体基板の同一領域に、複数回露光
を行うことを特徴とする縮小露光方法。 - 【請求項２】 第１および第２の絞りに、輪帯絞りと円
形絞りとを用いることを特徴とする請求項１に記載の縮
小露光方法。 - 【請求項３】 第１および第２の絞りに、電気信号によ
り光が通過する部分の形状を変える液晶表示板を用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の縮小露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066352A JP2001257149A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 縮小露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066352A JP2001257149A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 縮小露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257149A true JP2001257149A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18585725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000066352A Pending JP2001257149A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 縮小露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001257149A (ja) |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066352A patent/JP2001257149A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040630 |