JP2001255269A - 赤外線ガス分析計 - Google Patents

赤外線ガス分析計

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JP2001255269A
JP2001255269A JP2000065842A JP2000065842A JP2001255269A JP 2001255269 A JP2001255269 A JP 2001255269A JP 2000065842 A JP2000065842 A JP 2000065842A JP 2000065842 A JP2000065842 A JP 2000065842A JP 2001255269 A JP2001255269 A JP 2001255269A
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hot
wire resistance
flow sensor
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infrared
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JP2000065842A
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Noriaki Kanamaru
訓明 金丸
Hiroshi Kitamura
洋 北村
Nobuo Sasaki
信夫 佐々木
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度依存性の少ない安定した測定が行える赤
外線ガス分析計を得る。 【解決手段】 前室41と後室42を接続する連通路4
4に配置されて、前記2室41、42の圧力差に基づく
連通路44内のガス流の流速を抵抗変化として測定する
熱線抵抗式フローセンサ5の熱線抵抗素子の抵抗値を2
5〜35Ωに設定した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被測定成分ガスの
赤外線の赤外スペクトル吸収に伴うガス圧変動を利用し
て特定ガス種の濃度を計測する赤外線ガス分析計、特
に、検出器ガス圧変動によるガスの流れを抵抗変化とし
て測定する熱線式流量センサを備えた赤外線ガス分析計
に関する。
【0002】
【従来技術】2つ以上の異なる原子から成る異核分子の
多くは、波長1〜20μm の赤外光を照射すると、その化
学種に特有の振動および回転の運動エネルギー準位の遷
移がおこり、特定の赤外線スペクトルを吸収し、内部エ
ネルギーや体積あるいは圧力の増加など、熱力学的な変
化を引き起こす。非分散型赤外線ガス分析計(以下ND
IRという)は、この様なガス成分の特性を利用して、
その濃度を計測する機器である。
【0003】熱線抵抗式フローセンサを搭載したシング
ルビーム式NDIDの構成を図5に示す。図に示すよう
にこの種のNDIRは、一般に、赤外光を発生するため
の光源部2、試料が導入されるセル部3、セル部3を通
過した赤外光の強度を計測することで最終的に試料濃度
を計測するディテクター(検出)部4の3ユニットから
構成されている。光源部2は赤外光の発生を担い、赤外
光を発生させるための発生源であるヒーター(光源)2
1と、赤外光を断続してセル部3およびディテクター部
4に入射させるためのチョッパー22とから構成されて
いる。
【0004】チョッパー22は、例えば、光源21から
の光の通過を許容するように、一部を切り欠いた切り欠
き部が形成された2枚羽根の回転円板23とこの回転円
板23を回転駆動するモータ24とで構成されており、
回転円板23をモータ24で回転させることで、回転円
板23の未切り欠き部(遮光部)が光源21の前に位置
している際には光源21からの赤外光を遮光し、切り欠
き部が光源21の前に位置している際には光源21から
の赤外光が通過し、セル部3に照射される。
【0005】セル部3は、試料が導入される部位であっ
て、パイプ31の前後を赤外線が広いスペクトル域で透
過可能な赤外線透過性ガラスやCaF2等の窓板32で封止
し、パイプ31側面などに一端からもう一端へガスが流
せるようガスの導出入孔33を備え、また、その内面は
赤外光を効率よく反射するために、鏡面仕上げや金など
のコーティングが施されている。
【0006】ディテクター部4は、その構成を模式的に
示す図6のように、前室41、後室42の2室に分割さ
れ、少なくとも前室41の正面ならびに前室41と後室
42との間の隔壁が赤外光を透過する窓板43で仕切ら
れ、それら2室はガス移動が可能なキャピラリーやトン
ネル等の連通路44で接続された構造を有する。連通路
44には、前後室41、42の圧力差で生じる両室に充
填された充填ガスの流れを抵抗変化として計測するため
の熱線抵抗素子を備えた薄膜型熱線式フローセンサ5が
配置されている。さらに、これら2室41、42には、
NDIRの被測定対象となる、例えば、CO2等の化学
種のみ、あるいは、この化学種をAr、He、N2等の
不活性ガスで希釈されたガスが充填されている。
【0007】光源部2から発した赤外光は、セル部3を
通過してディテクター部4に入射する。この時、セル内
部に被測定成分が存在すると、セル内のガス濃度に応じ
て、入射した赤外光の一部がセル内のガスに吸収され、
残りの赤外光はディテクター部4に入射する。ディテク
ター部4の前室41の正面から入射した赤外光は、前室
41および後室42で吸収されるが、その多くは前室4
1で吸収される。吸収された光エネルギーは分子の並進
運動に変換されることになり、前後室41、42間に圧
力差が発生し、これによって両室を連通する連通路44
内に充填(封入)ガスの流れが生る。このガス流の流速
は、ディテクター部4への入射光強度に依存するので、
前後室41、42の連通路44内に配置された薄膜型熱
線抵抗式フローセンサ5の熱線抵抗素子の抵抗変化とし
て計測することで、ディテクター部4への入射前後の赤
外光強度、すなわち、セル中の被測定成分ガス濃度を計
測することができる。
【0008】図7は、前後室41、42の連通路44内
に配置されて連通路内を流れるガスの流速を検出する薄
膜型熱線抵抗式フローセンサ5の模式図で、同図(a)
の平面図に示すように、基本的な構成は、ベースとなる
ガラス基板(長さ5mm×幅5mm×厚さ0.25m
m)51の中央部に1mm四方の開口52を形成し、こ
のガラス板51の両面に、同図(b)の側面図に示すよ
うに、開口52を横切って、Niなどの抵抗温度係数の
大きな金属からなる熱線抵抗素子としての櫛形電極(長
さ1.1mm、幅15〜25μm、厚さ2〜6μm、表
面耐食用Auコート)53、54を薄膜技術で対向形成
したもので、この熱線抵抗素子53、54に2つの外部
抵抗(固定抵抗)を組み合わせてブリッジ回路を形成し
て流量計測を行う。
【0009】櫛形電極53、54を含むとブリッジ回路
に一定電圧(通常5V)を印加した状態で、ガスが2電
極53、54を通過すると、風上側の熱線抵抗素子とし
ての電極の抵抗は、熱を奪われて温度が低下して抵抗値
が減少し、他方風下側の熱線抵抗素子としての電極の抵
抗は、風上側の抵抗素子から奪った熱が与えられ温度が
上昇して抵抗値の増加がおこる。この抵抗のアンバラン
スによりブリッジ回路に電位差が生じるので、この電位
を測ることで、連通路44内を流れるガスの流速を計測
することができる。
【0010】図8は、NDIRの薄膜型熱線抵抗式フロ
ーセンサ5の信号処理部のブロック図で、センサから得
られる信号は、ディテクター部4に入射する赤外断続光
から生じるガス流パルスであるので、赤外光強度によっ
て振幅の異なる波形が生じることになる。NDIRで
は、一般に、被測定対象物が存在する試料(=サンプル
ガス)測定時の波形と、被測定対象物が存在しない不活
性ガス(=ゼロガス)での波形を整流し差し引いた値を
出力信号として直流信号を出力している。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このように前後室間の
連通路に流れるガスの流速を熱線抵抗素子の抵抗変化と
して検出する熱線抵抗式フローセンサを備えたNDIR
では、次のような問題がある。すなわち、熱線抵抗式フ
ローセンサは、ガスの流速をガスの流れで生じる熱線抵
抗素子の温度変化を抵抗の変化として計測することか
ら、ディテクター部の外周温度が変化すると、この温度
変化が熱線抵抗素子の抵抗値を変化させることになり、
熱線抵抗式フローセンサの出力信号、すなわち、ブリッ
ジ回路の出力信号も外周温度変化に応じて変動し、安定
した測定ができないという問題が生じる。
【0012】本発明は、上記の課題を解決するために創
案されたものであって、周囲温度変化等に係わらず、熱
線抵抗式フローセンサの出力信号が変動するという温度
依存性が少なく、安定した測定が可能な熱線抵抗式フロ
ーセンサを備えた赤外線ガス分析計を提供することを目
的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の赤外線ガス分析計は、前後室の連通路に配
置される熱線抵抗式フローセンサの熱線抵抗素子の抵抗
値を25〜35Ωとしたことを特徴としている。なお、
熱線抵抗素子の抵抗値を30Ωとするのが好ましい。
【0014】出願人が鋭利実験・検討を繰り返した結
果、熱線抵抗素子の抵抗値を25〜35Ωに設定した場
合には、熱線式フローセンサの出力信号が外周温度変化
で変動するという温度依存性がきわめて少なく、熱線抵
抗素子の抵抗値が24Ωより小さくても、また、36Ω
より大きくても、温度依存性が大きくなり、外周温度の
変化等のディテクター部の温度変化で、それに応じて熱
線抵抗式フローセンサの出力信号が変動(変化)し、安
定したガス流量の測定が行えないことが判明した。した
がって、前後室の連通路に配置される熱線抵抗式フロー
センサの熱線抵抗素子の抵抗値を25〜35Ωに設定す
れば、外周温度等によるセンサー部の温度変化による温
度依存性はきわめて少なく、安定した測定が行える赤外
線ガス分析計が得られる。なお、熱線抵抗素子の抵抗値
を30Ωとした際に、温度依存性の最も少ない最良の結
果が得られた。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の態様を実験
結果に基づいて説明する。なお、NDIR自体は、図5
で説明したように、赤外光を発生するための光源部、試
料が導入されるセル部、セル部を通過した赤外光の強度
を計測することで最終的に試料濃度を計測するディテク
ター(検出)部の3ユニットから構成されおり、また、
ディテクター部は、図6で説明したように、熱線抵抗素
子を備えた薄膜型熱線抵抗式フローセンサが配置される
連通路で連結された前後2室とで構成されており、さら
に、薄膜型熱線抵抗式フローセンサは、図7で説明した
ように、中央部に開口が形成されたガラス基板と、この
ガラス板の両面に、開口を横切って、薄膜技術で対向形
成(配置)された抵抗温度係数の大きな金属からなる熱
線抵抗素子としての櫛形電極とで構成されている。ま
た、以下の説明で、平均抵抗とは、熱線抵抗式フローセ
ンサを構成する図7で説明したガラス基板の開口部の両
側に配置された2電極(熱線抵抗素子)53、54の平
均抵抗値を指す。
【0016】図1は、平均抵抗が約54Ωの熱線抵抗素
子を備えた薄膜型熱線抵抗式フローセンサを搭載した従
来のNDIRを恒温槽に入れて、サンプルにゼロガスを
流した状態で外周温度を5°C変化させた場合の応答特
性図で、横軸は時間、縦軸は温度、ならびに、薄膜型熱
線抵抗式フローセンサの出力(電圧)を示す。図におい
て、イ、ロはそれぞれ温度と温度変化に対する薄膜型熱
線抵抗式フローセンサの出力(mV)を示す曲線で、薄膜
型熱線抵抗式フローセンサの出力は、ある温度において
一定値を示しているが、5°C変化させると温度変化に
追随して出力も変動しており、その単位温度当たりの変
化率は6.4mVで出力は、30mV程度変動した後、再
度安定状態に遷移している。この値は、NDIRの使用
において大きな障害となる。
【0017】この問題を解決するために試行実験を繰り
返した結果、熱線抵抗式フローセンサの出力の温度変化
率(温度依存性)は、熱線抵抗式フローセンサの抵抗体
である熱線抵抗素子の抵抗値に依存することを見出し
た。
【0018】薄膜型熱線抵抗式フローセンサの形態とし
ては、図7で説明したように、熱線抵抗素子としては、
Niを素材に、長さ1.1mm、幅15〜25μm、厚
さ2〜6μmの抵抗体を20μm間隔に置き、これらを
交互に連結することで直列接続して1本の抵抗体とした
構造に相当する櫛形電極を0.25mmの間隔をおいて対
向させた構造を有するものである。実際の熱線抵抗式フ
ローセンサは、開口を形成したガラス等の基板上にスパ
ッタ等の薄膜技術でNi薄膜を形成し、これを半導体プ
ロセスのフォトエッチングで加工したものであり、抵抗
値の調整は主にNi薄膜の厚さで行った。熱線抵抗式フ
ローセンサの2つの熱線抵抗素子の抵抗は一般にその値
が一致しないことがあるので、目安として2つの熱線抵
抗素子(抵抗体)の平均値を平均抵抗とし、平均抵抗と
温度変化率との関係をプロットしたのが図2である。
【0019】図2から分かるように、平均抵抗が下がる
にしたがって温度変化率は減少し、略30Ωで温度変化
率は0になる。また、30Ω以下に抵抗値を下げると、
温度変化率の極性が逆転、すなわち、負の値を取るよう
になる。
【0020】図3は、平均抵抗が約30Ωの熱線抵抗素
子のを備えた薄膜型熱線抵抗式フローセンサを搭載した
NDIRの熱線抵抗式フローセンサの出力の温度変化の
実測データである。温度が5°C変化してもその出力は
6mV程度しか変わらず、温度変化率は、1.2mV/°
Cであり、図1の特性図に示す平均抵抗が約54Ωの熱
線抵抗素子を備えた薄膜型熱線抵抗式フローセンサを搭
載した従来のNDIRと比べて、著しくに改善されてい
る。
【0021】図4は、平均抵抗が約20Ωの熱線抵抗素
子を備えた熱線抵抗式フローセンサを搭載したNDIR
の温度変化のによる熱線抵抗式フローセンサの出力の実
測データである。平均抵抗が30Ω以下になると、温度
に対する出力変動は、30Ω以上での変動方向に対して
逆方向に変動するようになり、その値は30Ωの値より
増加していることが分かる。なお、実施例はシングルビ
ーム式NDIRであったが、本発明は、ダブルビーム式
NDIRにも適用できるものである。
【0022】
【発明による効果】本発明の赤外線ガス分析計によれ
ば、外周温度変化等で出力信号が変動することのない、
温度依存性の少ない安定した測定が行える赤外線ガス分
析計が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の薄膜型熱線抵抗式フローセンサを搭載し
た赤外線ガス分析計(NDIR)の応答特性図である。
【図2】熱線抵抗式フローセンサの熱線抵抗素子の平均
抵抗と温度変化率との関係を示す特性図である。
【図3】平均抵抗値30Ωの熱線抵抗素子を有する熱線
抵抗式フローセンサを搭載したNDIRの応答特性図で
ある。
【図4】平均抵抗値20Ωの熱線抵抗素子を有する熱線
抵抗式フローセンサを搭載したNDIRの応答特性図で
ある。
【図5】シングルビーム式NDIRの構成を模式的に示
す断面図である。
【図6】図5におけるNDIRのセンサ部の構成を模式
的に示す断面図である。
【図7】図6における薄膜型熱線抵抗式フローセンサの
構成を示す模式図である。
【図8】薄膜型熱線抵抗式フローセンサのセンサ出力信
号処理部のブロック図である。
【符号の説明】
2:光源部 21…ヒータ 22…チョッパー 23…回
転円板 24…モータ 3:セル部 31…パイプ 32…窓板 33…ガ
ス導入孔 4:ディテクター部 41…前室 42…後室 43…窓
板 44…連通路 5:薄膜型熱線抵抗式フローセンサ(熱線抵抗式フロー
センサ) 51…ガラス基板 52…開口 53、54…櫛形電極(熱線抵抗素子)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 信夫 京都市中京区西ノ京桑原町1番地 株式会 社島津製作所内 Fターム(参考) 2F035 EA04 EA08 2G059 AA01 BB01 EE01 EE15 FF08 GG08 HH01 JJ24 KK08 MM05 NN02

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 測定セルと、測定セルの一端側に配置さ
    れ測定セルに赤外光を照射する光源と光源より測定セル
    に照射される赤外光をチョッピングするチョッパーとよ
    りなる光源部と、測定セルを通過した赤外光の強度を検
    出する測定セルの他端側に配置された検出部とを備え、
    検出部がガスの封入された前後2室と、これら2室を接
    続する連通路と、連通内に配置されて前記2室の圧力差
    に基づく連通路内のガス流の流速を測定する熱線抵抗素
    子式フローセンサとで構成された赤外線ガス分析計であ
    って、前記フローセンサの熱線抵抗素子の抵抗値を25
    〜35Ωであることを特徴とする赤外線ガス分析計。
JP2000065842A 2000-03-10 2000-03-10 赤外線ガス分析計 Pending JP2001255269A (ja)

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Effective date: 20040601