JP2001250872A - Semiconductor device and its manufacturing method - Google Patents

Semiconductor device and its manufacturing method

Info

Publication number
JP2001250872A
JP2001250872A JP2000060189A JP2000060189A JP2001250872A JP 2001250872 A JP2001250872 A JP 2001250872A JP 2000060189 A JP2000060189 A JP 2000060189A JP 2000060189 A JP2000060189 A JP 2000060189A JP 2001250872 A JP2001250872 A JP 2001250872A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
wiring layer
heat sink
chip
ink
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000060189A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3447648B2 (en
Inventor
Hiroshi Koizumi
洋 小泉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18580537&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2001250872(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000060189A priority Critical patent/JP3447648B2/en
Publication of JP2001250872A publication Critical patent/JP2001250872A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3447648B2 publication Critical patent/JP3447648B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device intended to rise the entire device temperature up to a melting temperature of solder balls for a comparatively short time to thereby improve the efficiency mounting for a device substrate. SOLUTION: The semiconductor device has an IC chip 1 and a wiring layer 2 both mounted on one surface of a heat sink plate 3, and a plurality of solder balls 4 attached to specified spots on the wiring layer 2. A black ink 7 is applied to the other surface of the heat sink plate 3, i.e., the outer surface thereof.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に係り、特に、BGA(Ball Grid Arr
ay)パッケージ型の半導体装置およびその製造方法に関
する。
The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a BGA (Ball Grid Arr).
ay) A package type semiconductor device and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置は、その需要を背景として近
時にあっては特に応答速度の高速化が進められ、又多機
能化を意図した高集積化が進められている。これに伴な
って、多くの半導体装置は、消費電力が増加傾向にあ
り、同時に発熱量も大きくなっている。このため、高速
用および高集積LSI用のパッケージ型の半導体装置で
は、ICチップ上で発生した熱を効率よく拡散するため
にICチップ裏面に大きなヒートスプレッダ(放熱板)
を備えた構造が多く使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, the response speed of semiconductor devices has recently been particularly increased with the background thereof, and the integration of semiconductor devices has been advanced with the aim of increasing the number of functions. Along with this, the power consumption of many semiconductor devices tends to increase, and at the same time, the calorific value also increases. For this reason, in a package type semiconductor device for high-speed and highly integrated LSI, a large heat spreader (radiator plate) is provided on the back surface of the IC chip in order to efficiently diffuse heat generated on the IC chip.
Are often used.

【0003】図3(A)(B)に、上記半導体装置の従
来例を示す。この図3(A)(B)において、符号51
はICチップを示し、符号52は配線層を示す。このI
Cチップ51と配線層52とは、放熱板53の一方の面
53Aに絶縁層を介して且つ接着材等によって固着され
ている。又、配線層52の所定箇所(回路基板に対する
入出力端子部分)には、外部の回路基板へ連結される複
数のハンダボール54が付され、これによって、BGA
構造を備えたパッケージ(PKG)型半導体装置が構成
されている。
FIGS. 3A and 3B show a conventional example of the above semiconductor device. In FIGS. 3A and 3B, reference numeral 51 indicates
Denotes an IC chip, and reference numeral 52 denotes a wiring layer. This I
The C chip 51 and the wiring layer 52 are fixed to one surface 53A of the heat sink 53 via an insulating layer and with an adhesive or the like. A plurality of solder balls 54 connected to an external circuit board are provided at predetermined positions (input / output terminal portions with respect to the circuit board) of the wiring layer 52.
A package (PKG) type semiconductor device having a structure is configured.

【0004】ここで、符号55はボンディングワイヤを
示す。このボンディングワイヤ55は、ICチップ51
側のボンディングパッドと配線層52側の端子とを連結
するためのものである。又、符号56は、前述したIC
チップ51を含む当該ICチップ51と配線層52との
ワイヤボンディング領域全体を覆ってコーティングされ
た樹脂を示す。
Here, reference numeral 55 denotes a bonding wire. This bonding wire 55 is connected to the IC chip 51.
This is for connecting the bonding pad on the side and the terminal on the wiring layer 52 side. Reference numeral 56 denotes the above-described IC.
The resin coated over the entire wire bonding area between the IC chip 51 including the chip 51 and the wiring layer 52 is shown.

【0005】そして、前述した放熱板53は、熱伝導率
およびコストの両面を考慮して銅合金(Cu合金)が素
材として用いられ、多くはその上面にはニッケルメッキ
(Niメッキ)が施されている。このため、PKG型半
導体装置の多くは、その上面がNiメッキ特有の銀色を
成している。
The heat sink 53 is made of a copper alloy (Cu alloy) in consideration of both thermal conductivity and cost, and is often plated with nickel (Ni) on its upper surface. ing. For this reason, most of the PKG type semiconductor devices have a silver color peculiar to Ni plating on the upper surface.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】現在、PKG型半導体
装置を装置基板に実装するに際しては、多くの場合、主
に赤外線リフロー装置が使用され、その割合は、全体で
は約50%前後に達している。一方、半導体装置を装置
基板に実装する際に赤外線リフロー(赤外線を用いて全
体を加熱する手法)を用いると、前述した上面が銀色の
PKG型半導体装置では、その上面が赤外線を反射する
ことから、当該PKG型半導体装置の温度が実装に必要
な温度まで上昇するのに時間が掛かり、全体的に生産能
率を低下させるという不都合が生じていた。
At present, when mounting a PKG type semiconductor device on a device substrate, an infrared reflow device is mainly used in many cases, and its ratio reaches about 50% as a whole. I have. On the other hand, if infrared reflow (a method of heating the whole using infrared rays) is used when mounting the semiconductor device on the device substrate, the above-mentioned PKG type semiconductor device having a silver upper surface reflects infrared light. In addition, it takes time for the temperature of the PKG type semiconductor device to rise to a temperature required for mounting, which causes a disadvantage that the production efficiency is reduced as a whole.

【0007】また、モールドPKG等の上面が黒色のP
KG型半導体装置と上面が銀色のPKG型半導体装置と
を装置基板に混載しようとすると、上面が銀色のPKG
型半導体装置では上面が黒色のものに比較して実装に必
要な温度まで上昇するための時間が長くなり、実質的に
混載できないという不都合が生じていた。
[0007] In addition, a black P P
If a KG type semiconductor device and a PKG type semiconductor device having a silver upper surface are to be mixedly mounted on a device substrate, a PKG having a silver upper surface is to be mounted.
The time required for the semiconductor device to rise to the temperature required for mounting is longer than that of the semiconductor device having a black upper surface, and there is a disadvantage that the semiconductor device cannot be substantially mixedly mounted.

【0008】[0008]

【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに装置全体の温度を比較的短い時間でハ
ンダボールの溶融温度にまで上昇させると共に、これに
よって装置基板に対する実装作業の能率向上を図った半
導体装置およびその製造方法を提供することを、その目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to improve the disadvantages of the prior art and, in particular, to raise the temperature of the entire device to the melting temperature of the solder balls in a relatively short time, thereby improving the efficiency of the mounting operation on the device substrate. It is an object of the present invention to provide an improved semiconductor device and a method of manufacturing the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1乃至7記載の各発明では、ICチップと配
線層とが放熱板の一方の面に装着され、配線層の所定箇
所には外部回路基板へ連結される複数のハンダボールが
付されてなる半導体装置において、前述した放熱板の外
面である他方の面に、黒色系のインクを塗布する、とい
う構成を共通の基本的な構成として採用している。
In order to achieve the above object, in each of the first to seventh aspects of the present invention, an IC chip and a wiring layer are mounted on one surface of a heat radiating plate, and the IC chip and the wiring layer are provided at predetermined positions of the wiring layer. In a semiconductor device provided with a plurality of solder balls connected to an external circuit board, a common basic configuration is to apply black ink to the other surface, which is the outer surface of the heat sink described above. It is adopted as a configuration.

【0010】このため、この請求項1乃至7記載の各発
明では、ハンダボール部分を介して成される回路基板へ
の実装に際しては、赤外線リフローによって装置全体を
対象として比較的短時間に温度上昇させることができ
る。即ち、黒色系インクの吸熱作用によって従来例に比
較して短時間に各ハンダボールが温度上昇し溶融するの
て当該半導体装置を装置基板(回路基板)に迅速に且つ
確実に装着することができる。
Therefore, according to each of the first to seventh aspects of the present invention, when mounting on a circuit board via a solder ball portion, the temperature of the entire apparatus is increased in a relatively short time by infrared reflow. Can be done. That is, each solder ball rises in temperature and melts in a shorter time due to the endothermic effect of the black ink compared to the conventional example, so that the semiconductor device can be quickly and reliably mounted on the device substrate (circuit board). .

【0011】ここで、黒色系のインクを塗布する領域
を、前述した他方の面の中央部の捺印領域を除いた他方
の面全域、或いは他方の面上の周端部(端縁部全体)と
中央部の捺印領域とを除いた他方の面全域、としてもよ
い。
Here, the area to be coated with the black ink is the entire area of the other surface excluding the above-described stamped area at the center of the other surface, or the peripheral edge (entire edge) on the other surface. The whole area of the other surface excluding the stamp area at the center may be used.

【0012】このようにしても、前述した基本構成の場
合とほぼ同等に機能するほか、更に中央部に比較的広い
捺印領域が得られるので、装置識別番号等を比較的大き
く且つ鮮明に捺印することが可能となり、又周端部を除
くことによって当該周端部が外部の異物に当接しても、
黒色系インクが端縁に塗布されていないことから当該黒
色系インクの剥離事故等の発生を有効に回避することが
できる。
In this case, in addition to the function substantially the same as that of the above-described basic configuration, a relatively large marking area can be obtained at the center, so that the device identification number and the like are marked relatively large and clear. It becomes possible, and even if the peripheral end abuts against external foreign matter by removing the peripheral end,
Since the black ink is not applied to the edge, it is possible to effectively avoid the occurrence of an accident such as peeling of the black ink.

【0013】更に、前述した黒色系のインクは、黒色又
は茶色等の熱吸収良好色のインクとするとよい。このよ
うにしても、前述した基本構成の場合とほぼ同等の機能
を有するほか、装置全体の実装に際して成される赤外線
リフロー時には、熱吸収良好色のインクの作用によって
当該装置全体の温度を所定温度にまで比較的短時間に確
実に上昇させることが可能となる。
Further, the above-mentioned black ink may be an ink having a good heat absorption color such as black or brown. Even in this case, in addition to having substantially the same function as that of the above-described basic configuration, at the time of infrared reflow performed at the time of mounting the entire apparatus, the temperature of the entire apparatus is set to a predetermined temperature by the action of the ink of a good heat absorption color. Can be assuredly raised in a relatively short time.

【0014】又、放熱板の他方の面に塗布する前述した
黒色系のインクの塗布面積は、当該放熱板の他方の面の
面積の内の約80パーセント以上としてもよい。更に、
放熱板については、その素材を金属製とすると共に、当
該放熱板の他方の面にはニッケルメッキを付したもので
あってもよい。このようにしても、前述した基本構成の
場合とほぼ同等の機能を得ることができる。
[0014] The area of the black ink applied to the other surface of the heat sink may be about 80% or more of the area of the other surface of the heat sink. Furthermore,
The heat radiating plate may be made of metal and the other surface of the heat radiating plate may be plated with nickel. Even in this case, it is possible to obtain almost the same function as in the case of the above-described basic configuration.

【0015】請求項8乃至11記載の各発明では、IC
チップと配線層とを放熱板の一方の面に装着する第1の
工程と、このICチップ側のボンディングパッドと配線
層側の端子とをワイヤボンディングする第2の工程と、
ICチップを含む当該ICチップと配線層とのワイヤボ
ンディング領域全体を所定の樹脂でコーティングする第
3の工程と、配線層の所定箇所に設けられた複数の入出
力端子領域に所定のハンダボールを装着する第4の工程
と、放熱板の他方の面に品名及びロッド番号等を捺印す
る第5の工程とを備えて成る半導体装置の製造方法にお
いて、前述した第4の工程と第5の工程との間に、放熱
板の他方の面に黒色系のインクを塗布するインク塗布工
程を設ける、という構成を共通の基本的な構成として採
用している。
In each of the eighth to eleventh aspects of the present invention, an IC
A first step of mounting the chip and the wiring layer on one surface of the heat sink, a second step of wire bonding the bonding pad on the IC chip side and the terminal on the wiring layer side,
A third step of coating the entire wire bonding region between the IC chip including the IC chip and the wiring layer with a predetermined resin, and applying predetermined solder balls to a plurality of input / output terminal regions provided at predetermined positions of the wiring layer. In the method of manufacturing a semiconductor device, comprising a fourth step of mounting and a fifth step of imprinting a product name, a rod number, and the like on the other surface of the heat sink, the fourth and fifth steps described above. And an ink application step of applying black ink to the other surface of the heat radiating plate is adopted as a common basic configuration.

【0016】このため、この請求項8乃至11記載の各
発明では、インク塗布工程を最後の方に設定したので、
ハンドリング時や搬送時の衝撃で,或いは製造工程中に
異物に当たって放熱板から黒色系のインクが一部剥離す
るという不都合を確実に回避することができ、かかる点
において品名及びロッド番号等の捺印の品質を損なうこ
とがなく鮮明な状態を維持することができる点で都合が
よい。
For this reason, in each of the inventions according to claims 8 to 11, the ink application step is set at the end.
The inconvenience of the black ink being partially peeled off from the radiator plate due to impact during handling or transportation, or during contact with foreign matter during the manufacturing process can be reliably avoided. This is advantageous in that a clear state can be maintained without deteriorating quality.

【0017】ここで、前述した第4の工程における品名
及びロッド番号等の捺印作業に際しては、白色又は銀色
のインクを使用してもよい。このようにしても前述した
基本構成の場合とほぼ同等の機能を有するほか、更に、
黒色系のインクが付された面上に白色又は銀色の品名及
びロッド番号等を捺印するが故に、外部に対して識別力
を明確に発揮することができる。
Here, in the stamping operation of the product name and the rod number in the fourth step, white or silver ink may be used. Even in this case, in addition to having substantially the same function as the case of the basic configuration described above,
Since the white or silver product name and the rod number are stamped on the surface to which the black ink is applied, the discriminating power can be clearly exerted to the outside.

【0018】又、前述した第4の工程における品名及び
ロッド番号等の捺印に際しては、予めレーザ光発振器と
このレーザ光発振器の動作を制御するレーザ出力制御器
とを準備し、レーザ光発振器から出力されるレーザ光を
走査制御して捺印工程を実行するようにしてもよい。こ
のようにしても前述した基本構成の場合とほぼ同等の機
能を有するほか、更に、品名及びロッド番号等の捺印を
迅速にしかも高精度に実行することが可能となる。
When marking the product name and rod number in the fourth step, a laser oscillator and a laser output controller for controlling the operation of the laser oscillator are prepared in advance, and the laser output is output from the laser oscillator. The stamping process may be executed by controlling the scanning of the laser beam to be performed. Even in this case, in addition to having substantially the same function as in the case of the above-described basic configuration, it is possible to quickly and accurately perform marking of the product name and the rod number.

【0019】更に、前述したインク塗布工程を、放熱板
の他方の面の中央領域及び周端領域を除いて実行すると
共に、前述した第4の工程における品名及びロッド番号
等の捺印を、放熱板の他方の面の中央領域にて実行する
ように構成してもよい。
Further, the above-described ink application step is performed except for the central area and the peripheral end area of the other surface of the heat sink, and the seal such as the product name and the rod number in the fourth step is printed on the heat sink. May be configured to be executed in the central region of the other surface.

【0020】このようにしても前述した基本構成の場合
とほぼ同等の機能を有するほか、放熱板の他方の面の中
央領域及び周端領域を除いてインク塗布工程を実行する
ようにしたので、インクの消費を少なくすることが出来
るばかりでなく、塗布面積が少なくてもよいことから、
インク塗布工程の時間短縮が可能となり、更に、放熱板
の他方の面の中央領域にて品名及びロッド番号等の捺印
を実行するようにしたので、識別し易い比較的大きい文
字,数字を自在に捺印することができ、位置合わせが比
較的容易となる。
[0020] Even in this case, in addition to having substantially the same function as that of the above-described basic configuration, the ink application process is performed except for the central area and the peripheral end area of the other surface of the heat sink. Not only can the consumption of ink be reduced, but the coating area can be small,
The time required for the ink application process can be shortened, and the product name and rod number can be stamped in the central area of the other surface of the heat sink. It can be stamped and the alignment is relatively easy.

【0021】請求項12乃至13記載の各発明では、I
Cチップと配線層とを放熱板の一方の面に装着する第1
の工程と、このICチップ側のボンディングパッドと配
線層側の端子とをワイヤボンディングする第2の工程
と、前記ICチップを含む前記ICチップと配線層との
ワイヤボンディング領域全体を所定の樹脂でコーティン
グする第3の工程と、前記配線層の所定箇所に設けられ
た複数の入出力端子領域に所定のハンダボールを装着す
る第4の工程と、前記放熱板の他方の面に品名及びロッ
ド番号等を捺印する第5の工程とを備えて成る半導体装
置の製造方法において、前述した第5の工程における品
名及びロッド番号等の捺印動作と同時に又は相前後し
て、前述した放熱板の他方の面に黒色系のインクを塗布
し加熱固着するインク塗布工程を設ける、という構成を
共通の基本的な構成として採用している。
In each of the inventions according to claims 12 and 13,
A first method of mounting the C chip and the wiring layer on one surface of the heat sink
And a second step of wire-bonding the bonding pads on the IC chip side to the terminals on the wiring layer side, and the entire wire bonding area between the IC chip including the IC chip and the wiring layer is made of a predetermined resin. A third step of coating, a fourth step of mounting predetermined solder balls on a plurality of input / output terminal areas provided at predetermined positions of the wiring layer, and a product name and a rod number on the other surface of the heat sink. And a fifth step of imprinting, for example, the step of imprinting the product name and the rod number in the fifth step described above, simultaneously with or before or after the operation of imprinting the other side of the heat sink. A common basic configuration employs a configuration in which an ink application step of applying black ink on the surface and fixing the ink by heating is provided.

【0022】このため、この請求項12乃至13記載の
各発明では、前述した請求項8記載の発明と同等の機能
を有するほか、更に、品名及びロッド番号等の捺印工程
と放熱板の他方の面に黒色系のインクを塗布する工程と
を同時に実行することができ、製造工程が少なくなり且
つ全体的に作業時間の短縮化が可能となり、かかる点に
おいて作業性が大幅に改善されるという利点がある。
Therefore, each of the inventions according to the twelfth and thirteenth aspects has functions equivalent to those of the above-described eighth aspect, and further includes a step of stamping a product name, a rod number, and the like, and the other side of the heat sink. The step of applying black ink to the surface can be performed simultaneously, the number of manufacturing steps is reduced, and the overall working time can be shortened. In this respect, the workability is greatly improved. There is.

【0023】ここで、前述した第5の工程における品名
及びロッド番号等の捺印に際しては、前述したインク塗
布工程におけるインクと同一のインクを使用してもよ
い。このようにすると、インク塗布工程と同一の工程で
品名及びロッド番号等の捺印工程を実行することがで
き、かかる点においてPKG型半導体装置の製造工程に
おける時間短縮および作業性の向上を図ることができ
る。
Here, the same ink as that used in the above-described ink application step may be used for marking the product name and the rod number in the above-described fifth step. This makes it possible to execute the stamping process such as the product name and the rod number in the same process as the ink application process, and in this regard, it is possible to reduce the time and improve the workability in the manufacturing process of the PKG type semiconductor device. it can.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施形態
を、図1(A)(B)に基づいて説明する。まず、図1
(A)(B)において、符号1はICチップを示し、符
号2はICチップ1用の配線層を示す。このICチップ
1と配線層2とは、放熱板3の一方の面(図1の下端
面)に、絶縁層を介して且つ接着材等によって固着され
ている。配線層2には、その中央部にICチップ1を配
置するための貫通穴2Aが設けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (A) and 1 (B). First, FIG.
1A and 1B, reference numeral 1 denotes an IC chip, and reference numeral 2 denotes a wiring layer for the IC chip 1. The IC chip 1 and the wiring layer 2 are fixed to one surface (the lower end surface in FIG. 1) of the heat sink 3 via an insulating layer and an adhesive or the like. The wiring layer 2 is provided with a through-hole 2A for disposing the IC chip 1 at the center thereof.

【0025】そして、前述した配線層2は、貫通穴2A
部分に配置されたICチップ1と共に前述した放熱板3
の一方の面にほぼ同時に装着されるようになっている。
又、配線層2の所定箇所(外部の回路基板に対する入出
力端子部分)には、当該外部の回路基板(装置基板)へ
連結される複数のハンダボール4が付され、これによっ
て、BGA構造のパッケージ(PKG)型半導体装置が
構成されている。
The above-described wiring layer 2 has a through hole 2A.
The heat sink 3 described above together with the IC chip 1 disposed in the portion
To be mounted almost simultaneously on one side of the camera.
A plurality of solder balls 4 connected to the external circuit board (device board) are attached to a predetermined portion of the wiring layer 2 (input / output terminal portion with respect to the external circuit board), thereby providing a BGA structure. A package (PKG) type semiconductor device is configured.

【0026】ここで、放熱板3の素材としては、前述し
た従来例の場合と同様に熱伝導性良好な銅合金(Cu合
金)が用いられ、又その上面にはNiメッキが施されて
いる。このため、放熱板3はNiメッキ特有の銀色を成
したものとなっている。又、ICチップ1側の複数のボ
ンディングパッドと配線層2側の複数の端子とは、それ
ぞれ対応する配線毎にボンディングワイヤ5によって連
結されている。
Here, as a material of the radiator plate 3, a copper alloy (Cu alloy) having good thermal conductivity is used as in the case of the above-described conventional example, and Ni plating is applied to the upper surface thereof. . Therefore, the heat radiating plate 3 has a silver color unique to Ni plating. A plurality of bonding pads on the IC chip 1 side and a plurality of terminals on the wiring layer 2 side are connected by bonding wires 5 for each corresponding wiring.

【0027】更に、前述した従来例の場合と同様に、I
Cチップ1を含む当該ICチップ1と配線層2とのワイ
ヤボンディング領域全体が、樹脂6によってコーティン
グされている。
Further, as in the case of the above-described conventional example, I
The entire wire bonding area between the IC chip 1 including the C chip 1 and the wiring layer 2 is coated with the resin 6.

【0028】放熱板3の他方の面には、黒色系インク7
が塗布されている。この場合、黒色系インクとしては、
本実施形態では熱吸収が良好な色である黒色又は茶色等
のインクが使用されている。又、放熱板3の面上の黒色
系インク7が乾燥した後に、当該黒色系インク7の上に
は、後述するように品名,ロット番号等が白色又は銀色
のインクで捺印されるようになっている。このため、黒
地の上に白色又は銀色のインクでロット番号等が捺印さ
れることから、外部に対しては装置のロット番号等が鮮
明に浮き上がって表示されるととなり、かかる点におい
て識別性が良好となり実装時の誤挿入防止に有効とな
る。この場合、品名,ロット番号等の捺印は、レーザ光
によって行ってもよい。
On the other surface of the heat sink 3, black ink 7
Is applied. In this case, as the black ink,
In the present embodiment, black or brown ink having a good heat absorption color is used. Further, after the black ink 7 on the surface of the heat radiating plate 3 is dried, a product name, a lot number and the like are stamped on the black ink 7 with white or silver ink as described later. ing. For this reason, since the lot number and the like are stamped on a black background with white or silver ink, the lot number and the like of the device are clearly displayed and displayed to the outside. It becomes good and is effective in preventing erroneous insertion during mounting. In this case, the marking of the product name, the lot number, and the like may be performed by a laser beam.

【0029】本実施形態における半導体装置はこのよう
に構成されているので、ハンダボール4部分を介して成
される半導体装置の実装に際しては、赤外線リフローに
よって半導体装置全体を対象として比較的短時間に温度
上昇させ、これによって各ハンダボール全体を同時に溶
融させることができ、しかも、黒色系インク7の吸熱作
用によって従来例に比較して短時間に各ハンダボールが
温度上昇し溶融するので当該半導体装置を装置基板(回
路基板)を迅速に且つ確実に装着することができる。
Since the semiconductor device according to the present embodiment is configured as described above, the mounting of the semiconductor device via the solder balls 4 can be performed in a relatively short time for the entire semiconductor device by infrared reflow. By raising the temperature, the entire solder balls can be melted at the same time. In addition, the heat absorption action of the black ink 7 causes each solder ball to rise in temperature and melt in a shorter time than in the conventional example. Can be quickly and reliably mounted on the device board (circuit board).

【0030】又、前述した黒色系インク7は、放熱板3
の他方の面の全領域に塗布してもよいが、本実施形態で
は、図1に示すように放熱板3の他方の面の端縁部全体
3aを除いた全領域に、べた塗りにて塗布されている。
Further, the above-mentioned black ink 7 is used for the heat sink 3.
May be applied to the entire surface of the other surface of the heat sink 3, but in the present embodiment, as shown in FIG. It has been applied.

【0031】このため、全面にわたってべた塗りした場
合に比較して塗料の消費を節約することができ、更に、
赤外線リフロー時には全体的に一様に赤外線を吸収し短
時間に装置全体の温度を上昇させることができ、かかる
点において装置基板に対する半導体装置の実装作業を、
より一層迅速に且つ確実に実行することができる。
For this reason, the consumption of the paint can be reduced as compared with the case where the entire surface is solid-coated.
At the time of infrared reflow, the infrared light can be uniformly absorbed as a whole and the temperature of the entire device can be increased in a short time.
It can be executed even more quickly and reliably.

【0032】更に、黒色系インク7がPKGの周辺部
(放熱板の上面の周囲)に塗布されていないため、例え
ば捺印ベーク前(加熱乾燥作業前)の製品のハンドリン
グ時に当該装置の側面を掴んでも、黒色系インク7が付
着することがなく、かかる点においても作業能率や歩留
が向上する利点もある。
Further, since the black ink 7 is not applied to the periphery of the PKG (around the upper surface of the heat radiating plate), for example, the side of the device is gripped during the handling of the product before the marking baking (before the heating and drying work). However, there is also an advantage that the black ink 7 does not adhere and the work efficiency and the yield are improved in this respect.

【0033】次に、上記実施形態における半導体装置の
製造方法について説明する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device according to the above embodiment will be described.

【0034】まず、ICチップ1と配線層2とを放熱板
3の一方の面(図1の下面)に装着する(第1の工
程)。この装着に際しては、前述したように絶縁材を介
して接着剤が使用される。次に、ICチップ1側のボン
ディングパッドと配線層2側の端子とをワイヤボンディ
ングし(第2の工程)、続いてICチップ1を含む当該
ICチップ1と配線層2とのワイヤボンディング領域全
体を所定の樹脂6でコーティングする(第3の工程)。
続いて、配線層3の所定箇所に設けられた複数の入出力
端子領域に、所定のハンダボール4が装着される(第4
の工程)。
First, the IC chip 1 and the wiring layer 2 are mounted on one surface (the lower surface in FIG. 1) of the heat sink 3 (first step). At the time of this mounting, an adhesive is used via an insulating material as described above. Next, the bonding pads on the IC chip 1 side and the terminals on the wiring layer 2 side are wire-bonded (second step), and subsequently, the entire wire bonding region including the IC chip 1 and the wiring layer 2 between the IC chip 1 and the wiring layer 2 Is coated with a predetermined resin 6 (third step).
Subsequently, predetermined solder balls 4 are mounted on a plurality of input / output terminal regions provided at predetermined positions of the wiring layer 3 (fourth terminal).
Process).

【0035】次に、前述した放熱板3の他方の面に品名
及びロッド番号等を捺印する第5の工程に移行するので
あるが、本実施形態では、その前に、前述した放熱板3
の他方の面(図1の上面)に黒色系インク7を塗布する
インク塗布工程が設けられている。このインク塗布工程
は、図1(A)に示すように、放熱板3の他方の面の端
縁部全体3aを除いた全領域にべた塗りされる。
Next, the process proceeds to the fifth step of imprinting the product name, the rod number, and the like on the other surface of the radiator plate 3 described above.
An ink application step of applying the black ink 7 to the other surface (the upper surface in FIG. 1) is provided. In this ink application step, as shown in FIG. 1A, the entire area except the entire edge 3a of the other surface of the heat sink 3 is solid-coated.

【0036】そして、このインク塗布工程によって付さ
れた黒色系インク7の乾燥(実際には加熱乾燥する)後
に、前述した放熱板3の他方の面に品名及びロッド番号
等を捺印する第5の工程が実行される。
After the black ink 7 applied in this ink application step is dried (actually heated and dried), a fifth name for imprinting a product name, a rod number, and the like on the other surface of the radiator plate 3 described above. The process is performed.

【0037】ここで、前述した第5の工程における品名
及びロッド番号等の捺印に際しては、白色又は銀色のイ
ンクが使用される。これにより、黒地の上に白色又は銀
色の品名等が付されることから、品名及びロッド番号の
識別が頗る良好となる。又、前述した第5の工程におけ
る品名及びロッド番号等の捺印に際しては、予めレーザ
光発振器とこのレーザ光発振器の動作を制御するレーザ
出力制御器とを準備し、レーザ光発振器から出力される
レーザ光を走査制御して実行するようにしてもよい。
Here, white or silver ink is used for marking the product name and the rod number in the fifth step. Thereby, since a white or silver product name or the like is given on a black background, identification of the product name and the rod number becomes very good. Also, when marking the product name and rod number in the fifth step, a laser light oscillator and a laser output controller for controlling the operation of the laser light oscillator are prepared in advance, and the laser output from the laser light oscillator is prepared. The scanning may be performed by controlling the light.

【0038】本実施形態における半導体装置は、上述し
たように、放熱板3の他方の面に黒色系インク7を塗布
したので、装置基板への実装に際してなされる赤外線リ
フローにあっては、放熱板3から熱を有効に吸収するこ
とができ、従って、半導体装置全体を所定温度(ハンド
ボールの溶融温度)まで均一に且つ迅速に上昇させるこ
とができ、このため、装置基板への実装作業時の作業効
率をを大幅に改善することができる。
As described above, in the semiconductor device according to the present embodiment, the black ink 7 is applied to the other surface of the heat radiating plate 3. 3, heat can be effectively absorbed, and therefore, the entire semiconductor device can be uniformly and quickly raised to a predetermined temperature (the melting temperature of a handball). Efficiency can be greatly improved.

【0039】又、モールドPKG型の半導体装置で上面
が黒色のPKG(パッケージ)に対しても、実装に必要
な温度に上昇する時間の差がなくなるため、混載が可能
となり、かかる点においても使用条件が緩和され、作業
性が著しく改善されるという利点がある。
Further, even for a PKG (package) having a black upper surface in a molded PKG type semiconductor device, there is no difference in the time required for the temperature to rise to the temperature required for mounting. There is an advantage that conditions are relaxed and workability is remarkably improved.

【0040】次に、第2の実施形態を、図2に基づいて
説明する。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.

【0041】この第2の実施形態は、前述した第1の実
施形態にける黒色系インク7の塗布領域を更に限定した
点に特徴を備えている。
The second embodiment is characterized in that the application area of the black ink 7 in the first embodiment is further limited.

【0042】即ち、この第2の実施形態においては、放
熱板3の他方の面(図2の上面)の中央部および当該他
方の面の端縁部全体を除いて、黒色系インク7を塗布し
た点に特徴を備えている。この場合、全体の黒色系イン
ク領域の割合は、放熱板3の他方の面の面積全体に対し
て80%以上であることが望ましい。
That is, in the second embodiment, the black ink 7 is applied except for the center of the other surface (the upper surface in FIG. 2) of the heat sink 3 and the entire edge of the other surface. It is characterized by the following points. In this case, the ratio of the entire black ink region is preferably 80% or more of the entire area of the other surface of the heat sink 3.

【0043】又、符号3bは他方の面(図2の上面)の
中央部で黒色系インクを塗布しない領域(インク不塗布
領域)を示す。この中央部のインク不塗布領域3bは、
本実施形態では四角形状に形成されいるが、円形若しく
は楕円形であってもよい。そして、この放熱板3上のイ
ンク不塗布領域3bには、当該半導体装置の品名及びロ
ッド番号等が捺印されるようになっている。
Reference numeral 3b denotes a central portion of the other surface (the upper surface in FIG. 2) where black ink is not applied (ink-non-applied region). The non-ink-applied area 3b at the center is
In the present embodiment, it is formed in a square shape, but may be circular or elliptical. The product name and rod number of the semiconductor device are stamped on the non-ink-applied area 3b on the heat sink 3.

【0044】このため、この実施形態にあっては、中央
部に比較的広い捺印領域が得られるので、装置の品名,
識別番号等を比較的大きく且つ鮮明に捺印することが可
能となり、かかる点において装置の識別性が良好とな
り、実装時の誤装着防止に有効となる。
For this reason, in this embodiment, a relatively large stamping area can be obtained at the center, so that the name of the device,
The identification number and the like can be marked relatively large and clear, and in this respect, the identification of the device is improved, which is effective in preventing erroneous mounting during mounting.

【0045】この品名及びロッド番号等の捺印に際して
は、前述した黒色系インクと同一のものが使用されるよ
うになっている。このため、本実施形態にあっては、イ
ンク塗布工程と同一の工程で品名及びロッド番号等の捺
印工程を実行することができ、かかる点においてPKG
型半導体装置の製造工程における時間短縮および作業性
の向上を図ることができ、生産性の大幅な向上および原
価低減を図ることができる。その他の構成は、前述した
図1の実施形態と同一の構成となっている。
For the marking of the product name and the rod number, the same ink as the above-described black ink is used. For this reason, in the present embodiment, it is possible to execute the stamping process such as the product name and the rod number in the same process as the ink application process.
It is possible to shorten the time and improve the workability in the manufacturing process of the die semiconductor device, and it is possible to significantly improve the productivity and reduce the cost. Other configurations are the same as those of the embodiment of FIG. 1 described above.

【0046】このようにしても、その作用効果は、前述
した第1の実施形態の場合とほぼ同等のものを得ること
ができ、特に、回路基板への実装時になされる赤外線リ
フローに際しても、図1の実施形態とほぼ同等の作用効
果を得ることができる。
Even in this case, the operation and effect can be obtained substantially the same as those of the first embodiment described above. In particular, even in the case of infrared reflow performed at the time of mounting on a circuit board, the effect can be obtained. Functions and effects substantially the same as those of the first embodiment can be obtained.

【0047】又、この第2の実施形態における半導体装
置の製造工程では、前述した第1の実施形態におけるイ
ンク塗布工程と、品名及びロッド番号等を捺印する第5
の工程とを、同時に実行する点に特徴を有している。こ
のため、インク塗布工程と品名及びロッド番号等を捺印
工程とを一工程で行うことが出来、このため製造工程の
短縮化が可能となり、銀色の面上に黒色系インクによる
品名及びロッド番号等の捺印がなされることから、当該
品名及びロッド番号等を鮮明に且つ自在に捺印すること
が可能となる。なお、上述した黒色系インクの塗布範囲
については、放熱板3上の中央部の捺印領域のみを除い
た全領域としてもよい。
Further, in the manufacturing process of the semiconductor device according to the second embodiment, the ink application process according to the first embodiment described above and the fifth step of imprinting the product name and the rod number are performed.
Is simultaneously performed. For this reason, the ink application step and the step of stamping the product name and the rod number etc. can be performed in one step, so that the manufacturing process can be shortened, and the product name and the rod number of the black ink on the silver surface can be obtained. , The product name and the rod number can be clearly and freely stamped. Note that the above-described black ink application range may be the entire area excluding only the central marking area on the heat sink 3.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、回路基板に対する装置全体の実装
時に成される赤外線リフローに際しては、黒色系のイン
ク吸熱作用によって十分に赤外線を吸収し当該装置全体
の温度を所定温度にまで短時間に確実に上昇させること
が可能となり、これより、ハンダボールを迅速に且つ確
実に溶融させることができる。このため、装置基板に対
する実装作業の能率を著しく向上させる事が可能となっ
た。
According to the present invention, the present invention is constructed and functions as described above. According to this, in the infrared reflow performed when the entire device is mounted on the circuit board, the infrared absorption by the black ink is sufficiently absorbed. Then, it becomes possible to surely raise the temperature of the entire apparatus to a predetermined temperature in a short time, and thereby the solder balls can be quickly and reliably melted. For this reason, it has become possible to significantly improve the efficiency of the mounting operation on the device substrate.

【0049】また、黒色系のインクを放熱板の外面に塗
布したことにより、黒色のパッケージを備えた(黒色樹
脂でモールドされた)装置に比較して必要な温度に上昇
するための時間の差がなくなるため、回路基板への実装
に際してはこれらとの混載が可能となり、かかる点にお
いて赤外線リフロー時の制約が大幅に緩和され、全体的
に混載時の作業性も大幅に改善される。
Further, since the black ink is applied to the outer surface of the heat radiating plate, a difference in time required to raise the temperature to a required temperature as compared with an apparatus having a black package (molded with a black resin). Therefore, when mounted on a circuit board, these components can be mixed and mounted, and in this respect, the restriction at the time of infrared reflow is greatly relaxed, and workability at the time of mixed mounting is greatly improved as a whole.

【0050】更に、黒色系のインクの塗布に際しては、
製造工程の最終段で行うようにしたので、製造過程にお
けるハンドリング時や搬送時の衝撃で,或いは製造工程
中に異物に当たる等によって,放熱板から黒色系のイン
クが一部剥離するという不都合を確実に回避することが
でき、かかる点において品名及びロッド番号等の捺印の
品質を損なうことがなく鮮明な状態を維持することがで
きるという従来にない優れた半導体装置およびその製造
方法を提供することができる。
Further, when applying black ink,
Since it is performed at the final stage of the manufacturing process, it is ensured that the black ink is partially peeled off from the heat sink due to impact during handling or transport during the manufacturing process, or due to foreign matter during the manufacturing process. It is possible to provide an unprecedented superior semiconductor device capable of maintaining a clear state without deteriorating the quality of marking such as a product name and a rod number in such a point, and a method of manufacturing the same. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態を示す図で、図1(A)は
斜視図を示し、図1(B)は図1(A)中のICチップ
部分を含む縦断面図である。
FIG. 1 is a view showing an embodiment of the present invention, FIG. 1 (A) is a perspective view, and FIG. 1 (B) is a longitudinal sectional view including an IC chip portion in FIG. 1 (A).

【図2】本発明の他の実施形態を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing another embodiment of the present invention.

【図3】従来例を示す図で、図3(A)は斜視図を示
し、図3(B)は図3(A)中のICチップ部分を含む
縦断面図である。
3 (A) is a perspective view, and FIG. 3 (B) is a longitudinal sectional view including an IC chip portion in FIG. 3 (A).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ICチップ 2 配線層 3 放熱板 3a 端縁部全体(インク不塗布領域) 3b インク不塗布領域 4 ハンダボール 5 ボンディングワイヤ 6 樹脂 7 黒色系インク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 IC chip 2 Wiring layer 3 Heat sink 3a The whole edge part (ink-free area) 3b Ink-free area 4 Solder ball 5 Bonding wire 6 Resin 7 Black ink

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ICチップと配線層とが放熱板の一方の
面に装着され、前記配線層の所定箇所には外部回路基板
へ連結される複数のハンダボールが付されてなる半導体
装置において、 前記放熱板の外面である他方の面に、黒色系のインクを
塗布したことを特徴とする半導体装置。
1. A semiconductor device comprising: an IC chip and a wiring layer mounted on one surface of a heat sink, and a plurality of solder balls connected to an external circuit board attached to predetermined portions of the wiring layer. A semiconductor device, wherein a black ink is applied to the other surface which is the outer surface of the heat sink.
【請求項2】 ICチップと配線層とが放熱板の一方の
面に装着され、前記配線層の所定箇所には外部回路基板
へ連結される複数のハンダボールが付されてなる半導体
装置において、 前記放熱板の外面である他方の面に、当該他方の面上の
端縁部全体を除いて黒色系のインクを塗布したことを特
徴とする半導体装置。
2. A semiconductor device comprising: an IC chip and a wiring layer mounted on one surface of a heat sink, and a plurality of solder balls connected to an external circuit board attached to predetermined portions of the wiring layer. A semiconductor device, wherein black ink is applied to the other surface, which is the outer surface of the heat sink, except for the entire edge on the other surface.
【請求項3】 ICチップと配線層とが放熱板の一方の
面に装着され、前記配線層の所定箇所には外部回路基板
へ連結される複数のハンダボールが付されてなる半導体
装置において、 前記放熱板の外面である他方の面に、当該他方の面の中
央部の捺印領域を除いて黒色系のインクを塗布したこと
を特徴とする半導体装置。
3. A semiconductor device in which an IC chip and a wiring layer are mounted on one surface of a heat sink, and a plurality of solder balls connected to an external circuit board are attached to predetermined portions of the wiring layer. A semiconductor device, characterized in that black ink is applied to the other surface, which is the outer surface of the heat sink, except for a marking area at the center of the other surface.
【請求項4】 ICチップと配線層とが放熱板の一方の
面に装着され、前記配線層の所定箇所には外部回路基板
へ連結される複数のハンダボールが付されてなる半導体
装置において、 前記放熱板の外面である他方の面に、当該他方の面の中
央部の捺印領域および同一面上の端縁部全体とを除いて
黒色系のインクを塗布したことを特徴とする半導体装
置。
4. A semiconductor device in which an IC chip and a wiring layer are mounted on one surface of a heat sink, and a plurality of solder balls connected to an external circuit board are provided at predetermined positions of the wiring layer. A semiconductor device, wherein black ink is applied to the other surface, which is the outer surface of the heat radiating plate, except for a marking area at the center of the other surface and the entire edge on the same surface.
【請求項5】 前記黒色系のインクは、黒色又は茶色等
の熱吸収良好色のインクであることを特徴とした請求項
1,2,3又は4記載の半導体装置。
5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the black ink is an ink having a good heat absorption color such as black or brown.
【請求項6】 前記放熱板の他方の面に塗布する前記黒
色系のインクの塗布面積は、当該放熱板の他方の面の面
積の内の約80パーセント以上としたことを特徴とする
請求項1,2,3,4又は5記載の半導体装置。
6. The application area of the black ink applied to the other surface of the radiator plate is about 80% or more of the area of the other surface of the radiator plate. 6. The semiconductor device according to 1, 2, 3, 4 or 5.
【請求項7】 前記放熱板は、その素材を金属製とする
と共に、前記他方の面にはニッケルメッキが付されたも
のであることを特徴とする請求項1,2,3,4,5又
は6記載の半導体装置。
7. The heat radiating plate is made of metal and the other surface is plated with nickel. Or the semiconductor device according to 6.
【請求項8】 ICチップと配線層とを放熱板の一方の
面に装着する第1の工程と、このICチップ側のボンデ
ィングパッドと配線層側の端子とをワイヤボンディング
する第2の工程と、前記ICチップを含む当該ICチッ
プと配線層とのワイヤボンディング領域全体を所定の樹
脂でコーティングする第3の工程と、前記配線層の所定
箇所に設けられた複数の入出力端子領域に所定のハンダ
ボールを装着する第4の工程と、前記放熱板の他方の面
に品名及びロッド番号等を捺印する第5の工程とを備え
て成る半導体装置の製造方法において、 前記第4の工程と第5の工程との間に、前記放熱板の外
面である他方の面に黒色系のインクを塗布するインク塗
布工程を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
8. A first step of mounting an IC chip and a wiring layer on one surface of a heat sink, and a second step of wire bonding a bonding pad on the IC chip and a terminal on the wiring layer. A third step of coating the entire wire bonding region between the IC chip including the IC chip and the wiring layer with a predetermined resin, and forming a plurality of input / output terminal regions provided at predetermined positions of the wiring layer on a predetermined position. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a fourth step of mounting a solder ball; and a fifth step of imprinting a product name, a rod number, and the like on the other surface of the heat sink, wherein the fourth step and the fourth step A method of manufacturing a semiconductor device, comprising an ink application step of applying black ink to the other surface, which is the outer surface of the heat radiating plate, between the steps of Step 5 and Step 5.
【請求項9】 前記第5の工程における品名及びロッド
番号等の捺印に際しては、白色又は銀色のインクを使用
することを特徴とした請求項8記載の半導体装置の製造
方法。
9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein white or silver ink is used for marking a product name and a rod number in the fifth step.
【請求項10】 前記第5の工程における品名及びロッ
ド番号等の捺印に際しては、予めレーザ光発振器とこの
レーザ光発振器の動作を制御するレーザ出力制御器とを
準備し、前記レーザ光発振器から出力されるレーザ光を
走査制御して実行することを特徴とした請求項8記載の
半導体装置の製造方法。
10. A laser light oscillator and a laser output controller for controlling the operation of the laser light oscillator are prepared in advance when marking the product name and the rod number in the fifth step. 9. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the scanning is performed by controlling the laser beam to be performed.
【請求項11】 前記インク塗布工程を、前記放熱板の
他方の面の中央領域及び周端領域を除いて実行し、前記
第5の工程における品名及びロッド番号等の捺印は、前
記放熱板の他方の面の中央領域にて実行することを特徴
とした請求項8記載の半導体装置の製造方法。
11. The ink application step is performed except for a central area and a peripheral end area of the other surface of the heat sink, and a seal such as a product name and a rod number in the fifth step is a mark of the heat sink. 9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the method is performed in a central region of the other surface.
【請求項12】 ICチップと配線層とを放熱板の一方
の面に装着する第1の工程と、このICチップ側のボン
ディングパッドと配線層側の端子とをワイヤボンディン
グする第2の工程と、前記ICチップを含む前記ICチ
ップと配線層とのワイヤボンディング領域全体を所定の
樹脂でコーティングする第3の工程と、前記配線層の所
定箇所に設けられた複数の入出力端子領域に所定のハン
ダボールを装着する第4の工程と、前記放熱板の他方の
面に品名及びロッド番号等を捺印する第5の工程とを備
えて成る半導体装置の製造方法において、 前記第5の工程における品名及びロッド番号等の捺印動
作と同時に又は相前後して、前記放熱板の他方の面に黒
色系のインクを塗布するインク塗布工程を設けたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
12. A first step of mounting an IC chip and a wiring layer on one surface of a heat sink, and a second step of wire bonding a bonding pad on the IC chip and a terminal on the wiring layer. A third step of coating the entire wire bonding area between the IC chip including the IC chip and the wiring layer with a predetermined resin, and providing a plurality of input / output terminal areas provided at predetermined locations of the wiring layer with a predetermined A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a fourth step of mounting a solder ball; and a fifth step of imprinting a product name and a rod number on the other surface of the heat sink, wherein the product name in the fifth step is provided. And a step of applying a black ink to the other surface of the heat sink at the same time as or before or after the marking operation of the rod number and the like. .
【請求項13】 前記第5の工程における品名及びロッ
ド番号等の捺印に際しては、前記インク塗布工程におけ
るインクと同一のインクを使用することを特徴とした請
求項8又は12記載の半導体装置の製造方法。
13. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the same ink as that used in the ink application step is used for marking the product name and the rod number in the fifth step. Method.
JP2000060189A 2000-03-06 2000-03-06 Semiconductor device and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP3447648B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000060189A JP3447648B2 (en) 2000-03-06 2000-03-06 Semiconductor device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000060189A JP3447648B2 (en) 2000-03-06 2000-03-06 Semiconductor device and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001250872A true JP2001250872A (en) 2001-09-14
JP3447648B2 JP3447648B2 (en) 2003-09-16

Family

ID=18580537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000060189A Expired - Fee Related JP3447648B2 (en) 2000-03-06 2000-03-06 Semiconductor device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3447648B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7078265B2 (en) 2002-11-22 2006-07-18 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device having a heat radiation layer including forming scribe lines and dicing
US7579688B2 (en) 2003-04-16 2009-08-25 Oki Semiconductor Co., Ltd. Heat radiation structure of semiconductor device, and manufacturing method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7078265B2 (en) 2002-11-22 2006-07-18 Oki Electric Industry Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device having a heat radiation layer including forming scribe lines and dicing
US7696009B2 (en) 2002-11-22 2010-04-13 Oki Semiconductor Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device having a heat radiation layer
US7579688B2 (en) 2003-04-16 2009-08-25 Oki Semiconductor Co., Ltd. Heat radiation structure of semiconductor device, and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP3447648B2 (en) 2003-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8659146B2 (en) Lead frame based, over-molded semiconductor package with integrated through hole technology (THT) heat spreader pin(s) and associated method of manufacturing
JP4173346B2 (en) Semiconductor device
US6577012B1 (en) Laser defined pads for flip chip on leadframe package
US9029991B2 (en) Semiconductor packages with reduced solder voiding
WO2003061006B1 (en) Stacked die in die bga package
US6429512B1 (en) Ball grid array integrated circuit package with palladium coated heat-dissipation device
US6780679B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH09307043A (en) Lead frame member and manufacture thereof, and semiconductor device using lead frame member
US20090174058A1 (en) Chip scale package
JP5921322B2 (en) Manufacturing method of semiconductor module
JP4243270B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2001250872A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2002093982A (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
KR100449865B1 (en) Method of ensuring Marking and insulating power in a exposure field of oxidation treated heat-slug for PBGA
US20070054438A1 (en) Carrier-free semiconductor package with stand-off member and fabrication method thereof
KR200179419Y1 (en) Semiconductor package
JP3003510B2 (en) Method for forming electrode part of wiring board
JP5289921B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JPH1187906A (en) Semiconductor device and packaging method therefor
JP2009088418A (en) Semiconductor device, semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device
KR100254267B1 (en) BGA package &method for fabrication thereof
KR100192759B1 (en) Method of manufacturing bump for bump chip scale package
JPH08181168A (en) Semiconductor device
JPH06342873A (en) Manufacture of semiconductor device
KR100547391B1 (en) Manufacturing method of heat sink for semiconductor package mounting

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030610

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040519

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees