JP2001250801A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板表面に付着する微粒子を良好に除
去する。 【解決手段】 有機酸又は有機酸塩を含む洗浄液により
半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄方法で、全モル
濃度が１×１０^-6〜１×１０^-3ｍｏｌ／ｌのギ酸、酢
酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、クエン酸及
びエチレンジアミン四酢酸からなる群より選ばれた１種
又は２種以上の有機酸又は有機酸塩を含む洗浄液により
半導体基板を洗浄する工程を連続して２つ以上含み、２
つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に含まれる有機酸
又は有機酸塩が同一種類であるか、或いは互いに異なる
種類である。クエン酸、エチレンジアミン四酢酸又はそ
の塩を含む洗浄液を第１洗浄液とし、シュウ酸又はその
塩を含む洗浄液を第２洗浄液とし、第１洗浄液及び第２
洗浄液により半導体基板をそれぞれ別々に洗浄し、かつ
それぞれの洗浄回数が１回以上である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
のような半導体基板の表面を洗浄する方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】この種の半導体基板の表面には、その製
造工程中に金属不純物や微粒子等が付着する。半導体デ
バイスの高集積化、高機能化に伴って、半導体基板の表
面がこれらの微粒子等で汚染されていないことが益々要
求され、そのための半導体基板の洗浄技術は半導体デバ
イス技術全体の中で極めて重要なものとなってきてい
る。従来の半導体基板の洗浄方法として、過酸化水素と
水酸化アンモニウムのＳＣ−１溶液と、過酸化水素と希
塩酸のＳＣ−２溶液を用いたＲＣＡ洗浄法が知られてい
る。このＲＣＡ洗浄法では、先ず半導体基板をＳＣ−１
溶液に浸漬して、この溶液の酸化性及びアルカリ性の性
質により基板から微粒子及び有機残留物を除去する。即
ち、このＳＣ−１溶液中では酸化と還元の両反応が同時
に行われ、アンモニアによる還元と過酸化水素による酸
化が同一槽で競合して起こり、同時に水酸化アンモニウ
ム溶液のエッチング作用によって基板表面からリフトオ
フすることにより除去する。次いで半導体基板をフッ酸
水溶液に浸漬して基板表面の自然酸化膜を除去した後、
この半導体基板をＳＣ−２溶液の酸性溶液に浸漬して、
ＳＣ−１溶液で不溶のアルカリイオンや金属不純物を除
去する。このため、ＲＣＡ洗浄は水酸化アンモニウム溶
液のエッチング作用により清浄化された基板表面を酸性
溶液の洗浄によって再清浄化することになる。

【０００３】しかしながら上記ＲＣＡ洗浄法のＳＣ−１
溶液で洗浄したウェーハには水酸化アンモニウム溶液の
エッチング作用により、ＣＯＰが数多く出現する不具合
があった。ここでＣＯＰ(crystal-originated particle
s)とは、ウェーハ表面に現れる底の浅いエッチピットを
いう。このＣＯＰはシリコン融液から引き上げられて成
長した結晶に起因した一種の欠陥であって、市販のレー
ザパーティクルカウンタでカウントすることにより検出
されるものである。また、酸化物等からなる微粒子を十
分に除去できないという問題もあった。

【０００４】そこで本出願人は、洗浄後にＣＯＰの出現
が少なく、半導体基板表面に付着する金属不純物及び微
粒子の双方を良好に除去する半導体基板の洗浄方法を提
案した（特開平１１−２７４１２８）。この方法は０．
０００１重量％以上の有機酸又は有機酸塩又は更に０．
００５〜０．２５重量％のフッ酸を含む洗浄液を用いて
半導体基板を洗浄する。この洗浄方法によれば、洗浄液
中に基板を浸漬すると、基板表面、金属不純物周面及び
微粒子周面はそれぞれマイナスに荷電される。基板の表
面電位と金属不純物及び微粒子の各表面電位が同一のた
め、金属不純物及び微粒子は洗浄液中に移行する。洗浄
液中に移行した金属不純物は金属錯塩を形成し、この金
属錯塩もマイナスに荷電されるため微粒子及び金属錯塩
の基板への再付着が防止される。従って洗浄液より基板
を引上げると金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去
でき、清浄化した基板が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平１１−
２７４１２８号公報に示される洗浄法では、有機酸又は
有機酸塩は種類によって除去することができる微粒子の
粒径範囲が限られているため、除去できる粒径範囲外の
微粒子が基板表面に残存してしまう問題があった。本発
明の目的は、半導体基板表面に付着する微粒子を良好に
除去する半導体基板の洗浄方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
有機酸又は有機酸塩を含む洗浄液により半導体基板を洗
浄する半導体基板の洗浄方法において、有機酸又は有機
酸塩を含む洗浄液により半導体基板を洗浄する工程を連
続して２つ以上含み、２つ以上の洗浄工程のそれぞれの
洗浄液に含まれる有機酸又は有機酸塩が同一種類である
か、或いは互いに異なる種類であることを特徴とする半
導体基板の洗浄方法である。請求項１に係る発明では、
２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に含まれる有機
酸又は有機酸塩を同一種類にすることにより、有機酸又
は有機酸塩により除去される特定の粒径範囲の微粒子は
洗浄工程を移行する際に最初の工程で除去しきれなかっ
た微粒子のみ次の工程に繰り越すため、特定の粒径範囲
の微粒子を集中的に除去できる。また、有機酸又は有機
酸塩を互いに異なる種類にすることにより、有機酸又は
有機酸塩により除去される微粒子の粒径範囲が拡大し、
広い粒径範囲の微粒子を除去することができる。

【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に
含まれる有機酸又は有機酸塩の全モル濃度が１×１０^-6
〜１×１０^-3ｍｏｌ／ｌである半導体基板の洗浄方法で
ある。請求項２に係る発明では、微粒子の基板への再付
着を防止するために、上記濃度範囲の有機酸又は有機酸
塩が好ましい。

【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗
浄液に含まれる有機酸又は有機酸塩がギ酸、酢酸、酪
酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、クエン酸及びエチ
レンジアミン四酢酸からなる群より選ばれた１種又は２
種以上の有機酸又はその塩である半導体基板の洗浄方法
である。請求項３に係る発明では、上記列挙した有機酸
又は有機酸塩は基板を汚染する微粒子の除去能力に優れ
る。

【０００９】請求項４に係る発明は、請求項３に係る発
明であって、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸又はそ
の塩を含む洗浄液を第１洗浄液とし、シュウ酸又はその
塩を含む洗浄液を第２洗浄液とし、第１洗浄液及び第２
洗浄液により半導体基板をそれぞれ別々に洗浄し、かつ
それぞれの洗浄回数が１回以上である半導体基板の洗浄
方法である。請求項４に係る発明では、それぞれ除去す
る微粒子の粒径範囲の異なる有機酸又は有機酸塩を含む
第１洗浄液及び第２洗浄液で洗浄することにより高い洗
浄効果が得られる。上記方法ではクエン酸、エチレンジ
アミン四酢酸又はその塩を含む第１洗浄液を用いること
で粒径の大きい微粒子を除去し、シュウ酸又はその塩を
含む第２洗浄液を用いることで小さい微粒子を除去す
る。

【００１０】請求項５に係る発明は、請求項１ないし４
いずれかに係る発明であって、最初の洗浄工程で半導体
基板を洗浄する前にフッ酸と有機酸又は有機酸塩を１種
又は２種以上を含む洗浄液により半導体基板を洗浄する
予備洗浄工程を更に含む半導体基板の洗浄方法である。
請求項５に係る発明では、予備工程の洗浄液に含まれる
フッ酸により半導体基板の表面に形成されていた自然酸
化膜を除去し、自然酸化膜上の微粒子を洗浄液中に移行
できる。

【００１１】請求項６に係る発明は、請求項５に係る発
明であって、最初の洗浄工程と予備洗浄工程で使用する
洗浄液に含まれる有機酸又は有機酸塩が同種である請求
項５記載の半導体基板の洗浄方法である。請求項６に係
る発明では、最初の洗浄工程と予備洗浄工程で使用する
洗浄液に含まれる有機酸又は有機酸塩を同種にすること
により、予備工程で洗浄液中に遊離した自然酸化膜上の
微粒子の基板表面への再付着を防止できる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の洗浄液は、除去しようと
する微粒子の粒径に応じて、有機酸又は有機酸塩の種類
及び濃度が決められる。この有機酸又は有機酸塩の洗浄
液中の濃度は１×１０^-6〜１×１０^-3ｍｏｌ／ｌであ
る。好ましくは１×１０^-5〜５×１０^-4ｍｏｌ／ｌであ
る。１×１０^-6ｍｏｌ／ｌ未満では、基板表面及び微粒
子周面が十分にマイナスに荷電されず、１×１０^-3ｍｏ
ｌ／ｌを越えると微粒子の基板への付着量が増加する不
具合がある。本発明の有機酸又は有機酸塩としては、２
つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に含まれる有機酸
又は有機酸塩がギ酸、酢酸、酪酸、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、クエン酸及びエチレンジアミン四酢酸等
の有機酸又はその塩が挙げられる。微粒子の粒径に応じ
て上記有機酸から１種又は２種以上の酸が適宜選定され
る。

【００１３】また、本発明の予備工程に用いられるフッ
酸の濃度は２．５×１０^-3〜１．２５×１０^-1ｍｏｌ／
ｌである。特に２．５×１０^-3〜５×１０^-2ｍｏｌ／ｌ
が好ましく、２．５×１０^-2〜５×１０^-2ｍｏｌ／ｌが
更に好ましい。２．５×１０ ^-3ｍｏｌ／ｌ未満では、半
導体基板表面の自然酸化膜の剥離作用が乏しく、また
１．２５×１０^-1ｍｏｌ／ｌを越えると洗浄液が強酸と
なり洗浄液中の有機酸又は有機酸塩の解離が抑制され、
微粒子の表面電位がプラスになり、また基板表面の酸化
膜が完全に除去されるので微粒子が基板表面に再付着す
るようになる。

【００１４】請求項１に係る洗浄方法では、図１（ａ）
〜（ｅ）に示すように、半導体基板１１表面に微粒子１
２が付着している場合（図１（ａ））に、最初の工程で
ある有機酸を含む洗浄液１３を貯えた第１洗浄槽１４に
半導体基板１１を浸漬すると（図１（ｂ））、有機酸を
含む洗浄液１３は酸性溶液であるため、基板表面及び微
粒子周面はそれぞれマイナスに荷電される。基板１１の
表面電位と微粒子１２の各表面電位が同一のため、微粒
子１２は基板１１に対して反発する作用を生じ、基板１
１から洗浄液１３中に移行する。この結果、微粒子１２
の表面電位が基板１１の表面電位と同じマイナスになる
ため、基板１１への付着又は再付着が防止される。有機
酸を含む洗浄液１３を貯えた第１洗浄槽１４から半導体
基板１１を引上げると（図１（ｃ））、基板１１表面に
はこの洗浄液１３では除去しきれなかった微粒子１２が
残る。そこで引き続いて有機酸を含む洗浄液１６を貯え
た第２洗浄槽１７に半導体基板１１を浸漬する（図１
（ｄ））。ここで第２洗浄槽での洗浄液中の微粒子の挙
動は、図１（ｂ）の洗浄での挙動と同様である。この第
２洗浄槽１７では第１洗浄槽１４と同様に微粒子１２を
基板１１表面より遊離させる。有機酸を含む洗浄液１６
を貯えた第２洗浄槽１７から半導体基板１１を引上げる
と、微粒子１２が除去され清浄化された基板１１が得ら
れる（図１（ｅ））。

【００１５】請求項５に係る洗浄方法では、図２（ａ）
〜（ｄ）に示すように、半導体基板１１表面に微粒子１
２が付着している場合に（図２（ａ））、最初の洗浄工
程で洗浄する前にフッ酸と有機酸を含む洗浄液１８に半
導体基板１１を浸漬すると（図２（ｂ））、フッ酸１８
ａにより半導体基板１１の表面に形成されていた自然酸
化膜１１ａが除去され、自然酸化膜１１ａ上の微粒子１
２が洗浄液１８中に移行する。即ち、フッ酸が添加され
ている予備工程により自然酸化膜１１ａの除去ととも
に、自然酸化膜１１ａ上の微粒子１２をも洗浄すること
ができる。微粒子１２の表面電位が基板１１の表面電位
と同じマイナスになるため、基板１１への付着又は再付
着が防止される（図２（ｃ））。この予備工程に続いて
請求項１に係わる洗浄方法で基板を洗浄すると、微粒子
が除去され、より一層清浄化された基板が得られる（図
２（ｄ））。

【００１６】

【実施例】次に本発明の実施例を説明する。 ＜実施例１＞有機酸としてギ酸、酢酸、シュウ酸、マロ
ン酸、コハク酸及びクエン酸を用意した。純水に対して
ギ酸を３×１０^-7ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-6ｍｏｌ／ｌ、
３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-4ｍｏｌ／ｌ及び３×
１０^-3ｍｏｌ／ｌそれぞれ混合して洗浄液を用意した。
また、純水に対して酢酸を３×１０^-7ｍｏｌ／ｌ、３×
１０^-6ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-4
ｍｏｌ／ｌ及び３×１０^-3ｍｏｌ／ｌそれぞれ混合して
洗浄液を用意した。また、純水に対してシュウ酸を３×
１０^-7ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-6ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-5
ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-4ｍｏｌ／ｌ及び３×１０^-3ｍｏ
ｌ／ｌそれぞれ混合して洗浄液を用意した。また、純水
に対してマロン酸を３×１０^-7ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-6
ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-4ｍｏｌ
／ｌ及び３×１０^-3ｍｏｌ／ｌそれぞれ混合して洗浄液
を用意した。また、純水に対してコハク酸を３×１０^-7
ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-6ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-5ｍｏｌ
／ｌ、３×１０^-4ｍｏｌ／ｌ及び３×１０^-3ｍｏｌ／ｌ
それぞれ混合して洗浄液を用意した。更に、純水に対し
てクエン酸を３×１０^-7ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-6ｍｏｌ
／ｌ、３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ、３×１０^-4ｍｏｌ／ｌ及
び３×１０^-3ｍｏｌ／ｌそれぞれ混合して洗浄液を用意
した。これらの洗浄液に更に粒径が０．１μｍのポリス
チレンラテックス粒子（以下、ＰＳＬ粒子という。）を
洗浄液１リットルに対して８×１０^{-1 1}重量％の割合で
強制的に添加した。次に清浄なシリコンウェーハを用意
し、このウェーハを上記洗浄液に１０分間浸漬した後、
超純水で１分間リンスを行い、遠心力によりウェーハ表
面の液滴を除去し乾燥させた。それぞれ洗浄した後の各
ウェーハにおけるＰＳＬ粒子の付着量をパーティクルカ
ウンタ（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＳＰ１）により測
定した。図３に各洗浄液での洗浄における付着指数を示
す。なお、付着指数とはＰＳＬ粒子を強制的に添加した
純水を洗浄液としてウェーハの洗浄を行った際の付着量
を１として相対的にＰＳＬ粒子の付着量の大小を示した
ものである。図３より明らかなように有機酸の種類に係
わらず１×１０^-6〜１×１０^-3ｍｏｌ／ｌの濃度範囲で
付着抑制効果が得られることが判る。

【００１７】＜実施例２＞有機酸としてシュウ酸、マロ
ン酸、コハク酸及びクエン酸を用意し、純水に対して各
有機酸を３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ混合してそれぞれ洗浄液
を用意した。更に粒径が０．１μｍ、０．１７８μｍ及
び０．２９４μｍのＰＳＬ粒子を洗浄液１リットルに対
して８×１０^-11重量％の割合でそれぞれ強制的に添加
した。次に清浄なシリコンウェーハを用意し、このウェ
ーハを上記洗浄液に１０分間浸漬した後、超純水で１分
間リンスを行い、遠心力によりウェーハ表面の液滴を除
去し乾燥させた。それぞれ洗浄した後の各ウェーハにお
けるＰＳＬ粒子の付着量を実施例１と同一のパーティク
ルカウンタにより測定した。図４に各洗浄液での洗浄に
おける付着指数を示す。図４より明らかなようにＰＳＬ
粒子の粒径によって付着抑制効果の高い有機酸種に違い
があることが判る。シュウ酸は粒径０．１μｍ程度のＰ
ＳＬ粒子に対して最も効果的である反面、粒径が大きく
なるにしたがい付着抑制効果が低減していることが判
る。

【００１８】＜実施例３＞純水に３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ
のクエン酸を混合して洗浄液を２種類用意した。これら
の洗浄液を洗浄槽に貯え一方を第１槽とし、他方を第２
槽とした。第１槽に粒径が０．１μｍ及び０．２９４μ
ｍのＰＳＬ粒子を洗浄液１リットルに対してそれぞれ８
×１０^-11重量％の割合で強制的に添加した。次に清浄
なシリコンウェーハを用意し、このウェーハを上記第１
槽に５分間浸漬した後、引き続き第２槽に５分間浸漬し
た。超純水で１分間リンスを行い、遠心力によりウェー
ハ表面の液滴を除去し乾燥させた。それぞれ洗浄した後
の各ウェーハにおけるＰＳＬ粒子の付着量を実施例１と
同一のパーティクルカウンタにより測定した。 ＜実施例４＞純水に３×１０^-5ｍｏｌ／ｌのクエン酸及
びシュウ酸を混合して洗浄液を用意した。第１槽にクエ
ン酸、第２槽にシュウ酸をそれぞれ貯え、第１槽に粒径
が０．１μｍ及び０．２９４μｍのＰＳＬ粒子を洗浄液
１リットルに対してそれぞれ８×１０^-11重量％の割合
で強制的に添加した。清浄なシリコンウェーハを用意
し、このウェーハを実施例３と同様の方法で洗浄を行
い、ＰＳＬ粒子の付着量を実施例１と同一のパーティク
ルカウンタにより測定した。

【００１９】＜実施例５＞純水に３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ
のクエン酸及びシュウ酸を混合して洗浄液を用意した。
第１槽にシュウ酸、第２槽にクエン酸をそれぞれ貯え、
第１槽に粒径が０．１μｍ及び０．２９４μｍのＰＳＬ
粒子を洗浄液１リットルに対してそれぞれ８×１０^-11
重量％の割合で強制的に添加した。清浄なシリコンウェ
ーハを用意し、このウェーハを実施例３と同様の方法で
洗浄を行い、ＰＳＬ粒子の付着量を実施例１と同一のパ
ーティクルカウンタにより測定した。 ＜実施例６＞純水に３×１０^-5ｍｏｌ／ｌのシュウ酸を
混合して洗浄液を２種類用意した。第１槽、第２槽とも
にシュウ酸をそれぞれ貯え、第１槽に粒径が０．１μｍ
及び０．２９４μｍのＰＳＬ粒子を洗浄液１リットルに
対してそれぞれ８×１０^-11重量％の割合で強制的に添
加した。清浄なシリコンウェーハを用意し、このウェー
ハを実施例３を同様の方法で洗浄を行い、ＰＳＬ粒子の
付着量を実施例１と同一のパーティクルカウンタにより
測定した。

【００２０】＜比較例１＞純水をそのまま洗浄液とし、
第１槽、第２槽に純水をそれぞれ貯え、第１槽に粒径が
０．１μｍ及び０．２９４μｍのＰＳＬ粒子を洗浄液１
リットルに対してそれぞれ８×１０^-11重量％の割合で
強制的に添加した。清浄なシリコンウェーハを用意し、
このウェーハを実施例３と同様の方法で洗浄を行い、Ｐ
ＳＬ粒子の付着量を実施例１と同一のパーティクルカウ
ンタにより測定した。 ＜比較例２＞純水に３×１０^-5ｍｏｌ／ｌのシュウ酸を
混合して洗浄液を用意した。第１槽にシュウ酸を貯え、
第１槽に粒径が０．１μｍ及び０．２９４μｍのＰＳＬ
粒子を洗浄液１リットルに対してそれぞれ８×１０^-11
重量％の割合で強制的に添加した。清浄なシリコンウェ
ーハを用意し、このウェーハを上記第１槽に１０分間浸
漬した後、超純水で１分間リンスを行い、遠心力により
ウェーハ表面の液滴を除去し乾燥させた。洗浄後のＰＳ
Ｌ粒子の付着量を実施例１と同一のパーティクルカウン
タにより測定した。

【００２１】＜比較例３＞純水に３×１０^-5ｍｏｌ／ｌ
のクエン酸を混合して洗浄液を用意した。第１槽にクエ
ン酸を貯え、第１槽に粒径が０．１μｍ及び０．２９４
μｍのＰＳＬ粒子を洗浄液１リットルに対してそれぞれ
８×１０^-11重量％の割合で強制的に添加した。清浄な
シリコンウェーハを用意し、このウェーハを比較例２と
同様の方法で洗浄を行い、ＰＳＬ粒子の付着量を実施例
１と同一のパーティクルカウンタにより測定した。 ＜比較評価＞比較例１の各ＰＳＬ粒子の付着量を１とし
たときの実施例３〜６及び比較例２，３における付着指
数を表１に示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】表１より明らかなように、比較例２では粒
径の小さい粒子の抑制に適していることが判ったが、粒
径が大きいＰＳＬ粒子ではあまり効果がなかった。また
比較例３では粒径による抑制効果に違いはなかったが、
それぞれ抑制する効果は十分とは言えなかった。これら
比較例２，３に対し実施例３〜６では１つの工程で洗浄
を行うよりも抑制効果が高く、各粒径のＰＳＬ粒子の付
着を抑制する効果が見られた。また、実施例６は粒径の
小さいＰＳＬ粒子を集中的に抑制しており、小さい微粒
子に効果があることが判る。

【００２４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、有
機酸又は有機酸塩を含む洗浄液で半導体基板を洗浄する
工程を２つ以上含むことにより以下の効果を有する。 (1) ２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に含まれる
有機酸又は有機酸塩が同一種類の場合、半導体基板表面
より特定の粒径範囲の微粒子を集中的に除去できる。 (2) ２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に含まれる
有機酸又は有機酸塩が互いに異なる種類の場合、半導体
基板表面より付着する微粒子を良好に除去することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の洗浄方法で洗浄したときの洗浄機構を
示す図。

【図２】本発明の予備工程で洗浄したときの洗浄機構を
示す図。

【図３】実施例１における洗浄後のウェーハ表面の微粒
子付着指数を示す図。

【図４】実施例２における洗浄後のウェーハ表面の微粒
子付着指数を示す図。

【符号の説明】

１１ 半導体基板 １２ 微粒子 １３ 有機酸を含む洗浄液 １４ 第１洗浄槽 １６ 有機酸を含む洗浄液 １７ 第２洗浄槽 １８ フッ酸と有機酸を含む洗浄液 １８ａ フッ酸

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 7/26 Ｃ１１Ｄ 7/26 (72)発明者 高石 和成 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社シリコン研究センター 内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 BB05 BB93 BB96 CA01 CB15 CC01 CC13 CC21 4H003 BA12 DA15 DB01 DC02 EA05 EB07 EB08 EB16 ED02 FA06

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機酸又は有機酸塩を含む洗浄液により
   半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄方法において、 前記有機酸又は有機酸塩を含む洗浄液により前記半導体
   基板を洗浄する工程を連続して２つ以上含み、 前記２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液に含まれる
   有機酸又は有機酸塩が同一種類であるか、或いは互いに
   異なる種類であることを特徴とする半導体基板の洗浄方
   法。
2. 【請求項２】 ２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液
   に含まれる有機酸又は有機酸塩の全モル濃度が１×１０
   ^-6〜１×１０^-3ｍｏｌ／ｌである請求項１記載の半導体
   基板の洗浄方法。
3. 【請求項３】 ２つ以上の洗浄工程のそれぞれの洗浄液
   に含まれる有機酸又は有機酸塩がギ酸、酢酸、酪酸、シ
   ュウ酸、マロン酸、コハク酸、クエン酸及びエチレンジ
   アミン四酢酸からなる群より選ばれた１種又は２種以上
   の有機酸又はその塩である請求項１又は２記載の半導体
   基板の洗浄方法。
4. 【請求項４】 クエン酸、エチレンジアミン四酢酸又は
   その塩を含む洗浄液を第１洗浄液とし、シュウ酸又はそ
   の塩を含む洗浄液を第２洗浄液とし、 前記第１洗浄液及び前記第２洗浄液により半導体基板を
   それぞれ別々に洗浄し、かつそれぞれの洗浄回数が１回
   以上である請求項３記載の半導体基板の洗浄方法。
5. 【請求項５】 最初の洗浄工程で半導体基板を洗浄する
   前にフッ酸と有機酸又は有機酸塩を１種又は２種以上を
   含む洗浄液により半導体基板を洗浄する予備洗浄工程を
   更に含む請求項１ないし４いずれか記載の半導体基板の
   洗浄方法。
6. 【請求項６】 最初の洗浄工程と予備洗浄工程で使用す
   る洗浄液に含まれる有機酸又は有機酸塩が同種である請
   求項５記載の半導体基板の洗浄方法。